KR20120014000A - 저항성 상호 접속층을 갖는 세그먼트 전계 발광 소자 - Google Patents

저항성 상호 접속층을 갖는 세그먼트 전계 발광 소자 Download PDF

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KR20120014000A
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코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

저항성 상호 접속층들(102)을 갖는 세그먼트 전계 발광 소자(100)에서, 각 세그먼트(104, 104', 104'')는 제1(106) 및 제2 전극(108)층 사이에 배열된 전계 발광층(110)을 포함한다. 세그먼트들(104, 104', 104'')은 저항성 상호 접속층들(102)을 통해 접속되고, 저항성 상호 접속층들은 제2 전극층보다 더 큰 단위 면적 저항을 갖는다. 저항성 상호 접속층들(102)은 전계 발광 소자에 밸러스트 저항을 추가하여 추가적인 전기 밸러스트를 필요로 하지 않는다. 전기 밸러스트가 다층들에 걸쳐 분배됨에 따라, 전기 밸러스트에 대한 열 관리 문제가 덜 중요하게 된다. 절연층(122)을 추가함에 따라, 저항성 상호 접속층들(102)의 표면이 전계 발광 소자(100)의 거의 전체 표면까지 증가될 수 있다. 전극층(108), 절연층(122) 및 저항층(102)의 시스템은 캐패시터로서 기능한다.

Description

저항성 상호 접속층을 갖는 세그먼트 전계 발광 소자{SEGMENTED ELECTROLUMINESCENT DEVICE WITH RESISTIVE INTERCONNECT LAYERS}
본 발명은 전계 발광 소자 분야에 관한 것이며, 특히 유기 발광 다이오드(OLED) 소자들 및 세그먼트 조명 소자들의 분야에 관한 것이다.
전계 발광 소자들은 전류가 통과할 때 발광할 수 있는 전계 발광 물질을 포함한다. 전계 발광 소자들에 사용되는 물질은 발광 폴리머들 또는 작은 유기 분자들일 수 있다. 유기 소자들은, 예를 들어 공지된 유기 발광 다이오드(OLED)들일 수 있다. 전계 발광 소자들을 활성화시키기 위해, 전극들에 의해 전류가 전계 발광 물질에 인가된다.
전계 발광 소자들, 이를테면 OLED들은 전극들 사이에 배치된 전계 발광 물질을 포함한다. 적절한 전압의 인가 시에, 전계 발광 물질을 통해 애노드로부터 캐소드로 전류가 흐른다. 전계 발광 물질 내부에서 정공들과 전자들의 방사성 재결합에 의해 빛이 생성된다.
일반 조명을 위한 유기 전계 발광 물질을 이용하는 전계 발광 소자들은 2 내지 5V 범위의 순방향 전압을 갖는다. 이러한 낮은 전압은 직접적인 메인 구동(direct mains driving)에 적합하지 않게 된다. 이러한 문제 대한 하나의 해결책은 전자 회로에 필요한 저항을 얻기 위해 요구되는 바와 같은 많은 OLED 소자들을 직렬로 접속하는 것이다. 이러한 종류의 회로가 갖는 문제점들은 OLED 피크 전류가 평균값보다 높다는 점이며, 메인 전류 고조파(mains current harmonics)는 규정 한계들을 초과할 수 있고, OLED의 평균 및 피크 전류값들은 메인 전압 변동(mains voltage variation)에 따라 크게 변화한다.
가능한 다른 해결책은 메인(mains)으로부터 직접 OLED 소자들을 동작시키데 필요한 밸러스트(ballast)로 알려진 전기 회로이다. 밸러스트는 공중 전력망(public power grid)의 AC 전압을 소정의 밝기에서 OLED 광원을 구동하기에 적합한 형태로 변환한다. 메인으로부터 OLED들을 직접 구동하기 위한 제안들은 종래 기술로부터 알려져 있다. 이들 해결책들은 추가 회로 소자들이 필요하고 열관리를 위한 추가 노력이 필요하기 때문에, 실현되기에는 여전히 고비용이 든다. 이것은 종래 기술의 해결책들의 일괄 요소(lumped element) 특성에 주로 기인한다.
그러므로 본 발명은 향상된 전계 발광 소자, 특히 향상된 OLED 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 청구항 1에서 주장하는 바와 같이 세그먼트 전계 발광 소자를 제공한다. 본 발명의 실시예들은 종속항들에 주어진다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 각 세그먼트가 제1 전극층과 제2 전극층 사이에 개재되어 있는 제1 전계 발광층을 포함하는 복수의 세그먼트들을 갖는 세그먼트 전계 발광 소자가 제공된다. 제1 전극층은 제1 전계 발광층의 제1 측에 배치되고, 제2 전극층은 제1 전계 발광층의 제2 측에 배치된다. 제2 측은 제1 전계 발광층의 제1 측과 대향한다. 제1 및 제2 전극층들은 전계 발광층에 전하들을 공급하기 위해 배열되고, 즉, 제1 전극층은 세그먼트 전계 발광 소자의 애노드를 구성하고, 제2 전극층은 캐소드를 구성한다. 제1 전극층은 투명 물질로 구성되고, 제2 전극층은 금속과 같은 불투명 물질로 구성된다. 그러므로, 제1 전극층은 전계 발광 소자의 투명 도전성(TCO) 층을 구성한다. 예를 들어, 제1 전극층은 ITO(indium tin oxide)로 구성될 수 있다. 캐소드를 나타내는 제2 전극은 통상적으로 알루미늄 또는 은 등의 고반사성의 우수한 전도성을 갖는 금속이다. 2개의 인접 전극들의 전극들은 직접 접속되지 않는다.
세그먼트 전계 발광 소자는 2개 인접 세그먼트들을 접속하는 저항성 상호 접속층을 더 포함한다. 저항성 상호 접속층은 2개 인접 세그먼트들의 애노드 및 캐소드를 접속하도록 구성되고, 또한 종래 기술과 달리, 밸러스트 저항을 추가하도록 구성된다. 그러므로, 저항성 상호 접속층의 저항은 알루미늄 또는 은의 저항보다 높아야 한다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 저항성 상호 접속층은 합금 막(alloy film), 단일 금속 막, 서멧(cermet) 막 또는 반도체 막으로 이루어진다. 막은 2개의 인접 세그먼트들 사이에서 원하는 밸러스트 값을 실현하기에 충분한 비저항을 가져야 한다.
박막의 비저항은 Rsq = ρ/t로 정의된 면적 저항(square resistance)에 의해 표현되며, 여기서 ρ는 물질의 비저항, 그리고 t는 두께를 나타낸다. 이론상으로, 막 두께를 감소시킴으로써 ρ에 의해 임의의 값이 얻어질 수 있다. 그러나, 결과적인 저항이 벌크 비저항을 사용한 상기 계산된 공식으로부터 벗어나는 바와 같이 실제와 이론상에는 제한이 있다. 여러 저항 박막 시트 물질들에 대한 면적 저항 값들의 일반적인 범위는 5 내지 2000 Ohms의 범위 내에 있다.
단일 금속막들은 저항 시트 물질로서 사용될 수 있다. Fuchs-Sondheimer 이론에서, 박막의 비저항(ρF)은 벌크 비저항(ρB)보다 실질적으로 더 높을 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 자신의 비저항을 증가시키기 위해 저항성 상호 접속층이 구성된다. 이것은 저항성 상호 접속층 내에 간극들을 삽입함으로써 달성될 수 있다. 측면 간극 크기를 변화시킴으로서 유효 저항이 증가될 수 있다. 다른 옵션은 슬롯들을 도입하는 것이다. 저항성 상호 접속층의 형상은 피착 중에, 예컨대 적절하게 설계된 섀도 마스크를 통해 또는 습식이나 건식 에칭 또는 레이저 제거(ablation)에 의한 층 피착 후에 얻어질 수 있다. 다른 가능성은 도전성 페인트가 전계 발광 소자 상에 피착되는 인쇄 기술을 이용하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 접속된 인접 세그먼트에 대한 세그먼트의 말단부 상의 작은 스트립을 제외한 제2 전극층의 표면을 커버하는 절연층이 부가된다. 제2 전극층이 낮은 비저항을 갖는다는 사실로 인해, 상호 접속층은 유효하게 되기 위해 작은 스트립을 제외한 캐소드층으로부터 절연되어야만 한다. 측면 저항은 기본적으로 상호 접속층의 길이 L, 폭 w 및 두께 t에 의해 결정된다. 측면 전류 흐름으로 인해, 레지스트층에 걸쳐 전압 강하가 나타난다. 본 전압 강하는 1차 선형적이다:
dV(x)=V0*x/w,
여기서, V0는 x=w일 때 전압을 나타낸다.
V0는 전계 발광 소자를 통해 흐르는 총 전류로부터 유도될 수 있다:
V0=I0*R, R=ρ*w*L/t, ρ는 상호접속 물질의 비저항을 나타낸다.
3개의 층들(제2 전극층, 절연층, 저항성 상호 접속층)은 저항성(resistive)은 물론 용량성(capacitive)을 갖는다. 이는 제2 전극층 및 상호 접속층이 절연층에 의해 분리되기 때문이다. 총 유효 캐패시턴스(Ceff)를 계산하기 위해서는 측면 전압 변동이 고려되어야 한다.
제2 전극층이 완전한 도전체라고 가정하면, 측면 전압은 절연층에 대한 전압이 Viso(x)=V0*x/w으로 일정하다.
유효 캐패시턴스(Ceff)는 저장된 에너지 E:
Figure pct00001
로부터 유도된다.
이제 미분 캐패시턴스 dC가 dC=1/2*ε*L*dx/t인 것에 주목하면, 저장된 에너지 dE는:
Figure pct00002
이다.
x에 대해서 x=0부터 x=w까지 적분하면, 총 저장된 에너지에 대한 원하는 수식이 주어진다.
Figure pct00003
유효 캐패시턴스는,
Figure pct00004
이고, 여기서
Figure pct00005
이다.
RC-밸러스트 회로의 시간 상수는: τ=R*C이다. 총 밸러스트 저항은 메인 전력에 대한 전계 발광 소자의 직접 접속을 위한 필요 조건을 만족시키도록 설계된다. 이들 필요 조건에 따라서, 상호 접속층에 대한 비저항 및 두께가 선택되어야 한다.
예제:
30x300 sqmm 크기의 OLED 스트립에 대한 전류 전압 특성 Vd(id)를,
Vd=k1*ln(id/k2+1)+id*Rs 로 가정하고, 여기서,
Vd : OLED 소자를 가로지르는 전압
id : OLED 소자로 흐르는 전류
k1, k2 : OLED 소자에 의존하는 상수들
및 대표값들은:
k1=0.22V
k2=0.21 uA
Rs= 0.16 Ohms이다.
또한, 50 Hz의 주파수를 갖는 230Vac의 정현파(sinusoidal) 메인 전압이 주어진다.
특정 메인에 직접 접속된 상기 특성들을 갖는 OLED 소자에 대해 0.1A의 평균 전류를 얻기 위해서는, 세그먼트당 3 Ohms의 밸러스트 저항을 갖는 65개의 세그먼트가 필요하다.
이러한 물질 스택을 이용하는 OLED 소자는, 230Vac의 메인 전압 및 50Hz의 주파수에 접속되는 경우 0.1A의 평균 전류를 얻기 위해서는 65개의 세그먼트를 필요로 한다.
저항성 상호 접속부에 대한 요구되는 면적 저항(Rsq)을 계산하기 위해, 세그먼트 폭(w), 세그먼트 길이(L), 세그먼트 두께(t), 및 세그먼트 비저항(ρ)에 의해 상호 접속부의 저항이 먼저 결정되어, 세그먼트와 시트 저항에 대한 다음 관계가 유지된다:
Figure pct00006
R=3 Ohms이라 한다면, 상호 접속부의 물질에 필요한 면적 저항은 Rsq=30 Ohms이다.
저항성 상호 접속층은 절연층의 전체 표면을 커버하고, 절연층에 의해 남겨진 작은 스트립에서만 제2 전극층에 접속된다. 인접 세그먼트에 대한 접속은 절연층이 없는 실시예와 동일한 방식으로 실행된다. 따라서, 저항성 상호 접속층은 더 큰 표면에 걸쳐 확산되고, 열 관리를 위해 세그먼트 전계 발광 소자의 거의 전체 영역이 이용될 수 있다.
본 실시예에서, 절연층은 제2 전극층을 저항성 상호 접속층으로부터 분리한다. 세그먼트의 이러한 부분은 캐패시터로서 기능한다. 높은 캐패시턴스 값들을 얻기 위해, 절연층에 대해 높은 유전율을 갖는 물질이 바람직하다. 질화 규소(6<ε<9), 이산화 규소(ε=3.9), 산화 규소(ε=3.9), 산화 알루미늄(ε=9), 또는 산화 하프늄(ε=40) 등의 높은-k를 갖는 물질이 그 예에 해당한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 캐패시턴스 및 저항값들은 다중 복합층들, 예를 들어 절연층 및 저항층이 서로 교대로 적층된 층들을 이용하여 증가된다. 이러한 방법에 의해, 전계 발광 소자의 회로의 시간 상수를 50 내지 60 Hz의 범위의 주파수들에 대한 플리커(flicker)를 감소시키는 것을 돕는 값까지 증가시킬 수 있다. 본 실시예의 다른 긍적적인 효과는 핀홀들을 통해 확산이 차단되기 때문에 소자의 밀봉이 향상된다는 것이다.
이하 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 단지 예시로서 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 3-세그먼트 전계 발광 소자의 상부도이다.
도 2는 도 1의 전계 발광 소자의 단면도이다.
도 3은 구조적 상호 접속층(structured interconnect layer)들을 갖는 본 발명에 따른 전계 발광 소자의 상부도이다.
도 4는 절연층을 포함하는 본 발명에 따른 전계 발광 소자의 단면도이다.
도 5는 전체 캐패시턴스가 감소되면서 전체 저항을 증가시키는데 이용되는 다중 복합층들을 갖는 단일 세그먼트의 상세도이다.
도 6은 도 5에 도시된 소자의 등가 회로이다.
도 7은 전체 저항 및 전체 캐패시턴스를 증가시키는 데 이용되는 다중 복합층들을 갖는 단일 세그먼트의 상세도이다.
도 8은 도 7에 도시된 소자의 등가 회로이다.
이하 설명에서, 각 세그먼트(104)의 동일한 컴포넌트들에 대해 동일한 참조번호가 사용되었다. 동일한 번호들을 갖는 컴포넌트들은 동일한 방식으로 기능하고 생성된다.
도 1은 집적된 저항성 상호 접속층들(102)을 갖는 3개의 세그먼트 전계 발광 소자(100)의 상부도를 나타낸다. 전계 발광 소자(100)는 복수의 세그먼트들(104)로 구성된다. 각 세그먼트는 2개의 전극층들(106, 108), 애노드 및 캐소드, 및 전계 발광층(110)을 포함한다. 각 세그먼트(104)의 제1 전극층(106)은 전계 발광층(110)의 하부면에 배치되고, 제2 전극층은 전계 발광층(110)의 대향하는 상면에 배치된다. 저항성 상호 접속층(102)은 일 세그먼트(104)의 제2 전극층(108)을 인접 세그먼트(104')의 제1 전극층(106)에 접속시킨다. 전계 발광 소자(100)의 2개의 단부 상에는 전계 발광 소자(100)를 전원에 접속하도록 단자들(112)이 배치되어 있다.
제1 전극층들(106)은 ITO와 같은 투명한 전도성 물질로 이루어진 투명 도전층들이다. 제2 전극층들(108)은 불투명하고, 전류가 전계 발광 소자(100)를 통해 흐를 때 전계 발광층들로부터 방출되는 광을 반사하기 위해 반사형일 수 있다. 전계 발광층들(110)로부터 방출되어 제2 전극층들(108)로부터 반사된 광은 제1 전극층들(106)을 통해 방출된다.
일 세그먼트(104)의 제2 전극층(108)을 인접 세그먼트(104')의 제1 전극층(106)에 접속하기 위해 저항성 상호 접속층(102)을 이용함으로써, 전계 발광 소자(100)를 메인(mains) 등의 전원에 접속하는 데 필요한 전기 밸러스트가 여러 저항성 상호 접속층들(102)에 걸쳐 분포되어, 열관리를 위한 노력을 저감한다.
저항성 상호 접속층들(102)의 제조는 동일한 기술을 이용함으로써 전계 발광 소자들의 제조에 끊임없이 집적된다.
도 2는 도 1의 전계 발광 소자(100)의 단면도를 나타낸다. 전계 발광 소자(100)는 복수의 세그먼트들(104, 104', 104'')로 구성되고, 여러 부분들(114, 116, 118)로 분할된다. 각 세그먼트(104)는 발광 부분(114)을 나타낸다. 2개의 인접 세그먼트들(104, 104') 사이에는 간극부(116)가 배치된다. 전계 발광 소자의 2개의 단부들 상에는 전계 발광 소자(100)를 전원에 접속하도록 단자부(118)가 배치된다.
전계 발광 소자(100)의 각 발광부(114)는 2개의 전극층들(106, 108), 애노드 및 캐소드, 및 전계 발광층(110)을 포함한다. 각 세그먼트(104)의 제1 전극층(106)은 전계 발광층(110)의 하부면에 배치되고, 제2 전극층(108)은 전계 발광층(110)의 대향하는 상면에 배치된다. 전계 발광층(110)은 제1 전극층(106)의 제2 단부(115)와 인접 간극부(116)에 배치된 저항성 상호 접속층(102)의 접속을 방지하기 위해 제1 전극층(106)의 제2 단부(115)를 둘러싼다. 저항성 상호 접속층(102)은 일 세그먼트(104)의 제2 전극층(108)의 제1 단부(119)를 인접 세그먼트(104')의 제1 전극층(106)의 제1 단부(121)에 접속하고, 각 제1 단부(119, 121)는 각각의 인접 세그먼트(104, 104')에 인접해 있다.
도 3은 구조적 상호 접속층(120)을 갖는 도 1에서와 같은 3개 세그먼트 전계 발광 소자(100)를 예시한다. 이 구조는 저항을 증가시키기 위해 여러 개의 삽입된 간극들(117) 또는 슬롯들로 구성된다. 이 형태는 피착되는 중에 얻어질 수 있다.
도 4로부터 보여질 수 있는 바와 같이, 도 2로부터 전계 발광 소자(100)의 각 세그먼트(104)에 절연층(122)이 부가된다. 그러므로, 저항성 상호 접속층(102)은 제2 전극층(108)에 의해 단락되지 않고, 제2 전극층(108)의 제2 단부(123)를 인접 세그먼트(104')의 제1 전극층(106)의 제1 단부(121)에 접속하는 더 큰 표면으로 확장될 수 있으며, 제2 전극층(108)의 제2 단부(123)는 인접 세그먼트(104')로부터 멀리 떨어져 있다. 절연층(122)은 저항성 상호 접속층(102)을 제2 전극층(108)으로부터 분리한다. 따라서, 전계 발광 소자(100)의 거의 전체 영역이 저항층(102) 및 열 관리를 위해 사용될 수 있다. 부가적인 절연층(122)으로 인해, 저항성 상호 접속층(102)과 제2 전극층(108) 사이의 캐패시턴스가 유효하다.
도 5는 다층의 상호 접속부를 갖는 전계 발광 소자(100)의 단일 세그먼트(104)의 상세도를 나타낸다. 절연층들(122) 및 저항층들(102)은 교대로 적층된다. 각 저항층(102)은 서로 접속되는 한편, 절연층들(122)은 저항층들(102)에 의해 분리된다.
도 6은 도 5의 적층 세그먼트(104)의 등가 회로 개략도를 나타낸다. 보여지는 바와 같이, 저항기들(124) 및 캐패시터들(126)은 직렬로 효율적으로 접속된다. 그러므로 저항이 증가되고, 캐패시턴스는 감소된다.
도 7에는 전계 발광 소자(100)의 적층 세그먼트(104)의 다른 실시예가 도시되어 있다. 각 절연층(122)은 만곡된 방식(meandering way)으로 다른 절연층(122')에 접속된다. 도전층들(103)은 절연층(122)의 만곡된 길을 둘러싼다. 도전층들(103)의 브랜치들은 절연층들(122)의 만곡된 길로 연장된다. 세그먼트(104)의 상부에는 2개의 도전층들(103)을 접속하는 저항성 상호 접속층(102)이 있다.
전체 저항에 대한 도전층들(103)의 영향은 세그먼트의 상부에 있는 저항층(102)의 영향에 비해 무시할 정도로 작다. 그러므로, 도전층들(103)의 저항은 중요하지 않고, 저항층(102)의 저항과 동일한 정도의 크기 또는 더 작은 크기일 수 있다.
도 8은 도 7의 등가 회로 개략도를 나타낸다. 저항기(124)는 저항성 상호 접속층(102)의 저항을 나타낸다. 캐패시터들(126)은 병렬로 접속된다. 그러므로, 캐패시턴스가 증가한다. 따라서, 전계 발광 소자(100)의 회로의 시간 상수가 증가한다. 이러한 방법으로, 전계 발광 소자(100)의 회로의 시간 상수를, 메인 전원의 주파수인 50-60Hz 범위에 있는 주파수들에 대한 플리커를 감소시키도록 돕는 값까지 증가시킬 수 있다.
전계 발광 소자(100)의 실시예들은, 저항성 상호 접속층들(102)이 전계 발광 소자(100)를 메인 전원에 직접 접속하기 위한 밸러스트 저항기로 이용될 수 있는 경우에 특히 이점을 갖는다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 저항성 상호 접속층들(102)은 절연층(122)에 의해 제2 전극층(108)으로부터 분리될 전계 발광 소자의 거의 전체 표면으로 확장될 수 있다. 따라서, 어떠한 추가적인 열 관리도 필요하지 않다. 이러한 시스템은 캐패시터(126)로서 기능한다. 캐패시턴스 및 저항은 수개의 층들을 적합한 방식으로 적층함으로써 증가될 수 있다.
100 : 전계 발광 소자
102 : 저항층
102' : 저항층
102'' : 저항층
102''' : 저항층
102'''' : 저항층
103 : 도전층
104 : 세그먼트
104' : 세그먼트
104'' : 세그먼트
106 : 제1 전극층
108 : 제2 전극층
110 : 전계 발광층
112 : 단자
112' : 단자
114 : 발광 부분
114' : 발광 부분
114'' : 발광 부분
115 : 제1 전극층의 제2 단부
116 : 간극부
117 : 간극
118 : 단자부
119 : 제2 전극층의 제1 단부
120 : 구조적 상호 접속층
121 : 제1 전극층의 제1 단부
122 : 절연층
122' : 절연층
122'' : 절연층
122''' : 절연층
122'''' : 절연층
123 : 제2 전극층의 제2 단부
124 : 저항기
126 : 캐패시터

Claims (15)

  1. 복수의 세그먼트들(104)을 포함하는 세그먼트 전계 발광 소자(segmented electroluminescent device)(100)로서,
    각각의 세그먼트는,
    전계 발광층의 제1 면 상에 배치된 제1 전극층(106), 및 상기 전계 발광층의 제2 면에 배치된 제1 면적 저항(square resistance)을 갖는 제2 전극층(108)을 구비한 전계 발광층(110), 및
    제2 면적 저항을 갖는 저항층(102)
    을 포함하고,
    상기 제2 면적 저항은 상기 제1 면적 저항보다 크고, 상기 저항층은 상기 세그먼트들 중 제1 세그먼트를 상기 세그먼트들 중 인접하는 제2 세그먼트에 접속시키고, 상기 저항층은 상기 세그먼트들 중 상기 제1 세그먼트의 상기 제2 전극층을 상기 세그먼트들 중 상기 제2 세그먼트의 상기 제1 전극층에 접속시키는 세그먼트 전계 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 면적 저항은 상기 제1 면적 저항의 적어도 5배이며, 바람직하게는 상기 제1 면적 저항의 10배인 세그먼트 전계 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    저항층(120)이 구성(structured)되어 있는 세그먼트 전계 발광 소자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 저항층은 합금막, 단일 금속막, 반금속막, 서멧(cermet)막 또는 반도체막으로 이루어진 세그먼트 전계 발광 소자.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 저항층은 2개의 인접 세그먼트들 사이의 간극(116)을 넘어 연장되는 세그먼트 전계 발광 소자.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 저항층은 상기 제1 세그먼트의 상기 제2 전극층의 제1 말단부(119)를 상기 제2 세그먼트의 상기 제1 전극층의 제1 말단부(121)에 접속시키고, 상기 제1 말단부는 인접 세그먼트에 대해 근접해 있는 세그먼트 전계 발광 소자.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 저항층은 상기 제1 세그먼트의 상기 제2 전극층의 제2 말단부(123)를 상기 제2 세그먼트의 상기 제1 전극층의 제1 말단부에 접속시키고, 상기 제1 말단부는 인접 세그먼트에 대해 근접해 있고, 상기 제2 말단부는 상기 인접 세그먼트에서 멀리 떨어져 있는 세그먼트 전계 발광 소자.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 저항층으로부터 상기 제2 전극층을 분리하는 절연층(122)을 갖는 세그먼트 전계 발광 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 전극층과 상기 저항층 사이에 접촉면을 가지며, 상기 접촉면은 상기 절연층에 인접하여 위치해 있는 세그먼트 전계 발광 소자.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 세그먼트들 중 적어도 하나는 복수의 절연층들, 도전층들(103) 및/또는 저항층들을 포함하고, 상기 저항층들 또는 도전층들 중 하나는 간극을 넘어 인접 세그먼트로 연장되는 세그먼트 전계 발광 소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 절연층들, 도전층들 및/또는 저항층들이 서로 교대로 적층되어 있는 세그먼트 전계 발광 소자.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 절연층들 중 적어도 2개는 상기 저항층들 중 하나 또는 상기 도전층들 중 하나에 의해 분리되는 세그먼트 전계 발광 소자.
  13. 제12항에 있어서,
    적어도 하나의 저항층은 적어도 하나의 저항층에 접속되는 세그먼트 전계 발광 소자.
  14. 제10항에 있어서,
    적어도 하나의 절연층은 적어도 하나의 절연층에 접속되는 세그먼트 전계 발광 소자.
  15. 제14항에 있어서,
    적어도 하나의 도전층은 적어도 하나의 도전층에 접속되는 세그먼트 전계 발광 소자.
KR1020117027788A 2009-04-23 2010-04-19 저항성 상호 접속층을 갖는 세그먼트 전계 발광 소자 KR101759583B1 (ko)

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