JP2012524963A - 抵抗性の相互接続層を有するセグメント化されたエレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
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Abstract
Description
dV(x)=Vo×x/w
ここで、Voは、x=wでの電圧を表す。
Vo=Io×R
なお、R=ρ×w×L/tであり、ρは、前記相互接続層の抵抗を表す。
E=(1/2)・Ceff・Vo 2
を用いて、蓄えられるエネルギEから導出される。
dE=(1/2)・dC・V(x)
=(1/2)・{(ε・L・dx)/t}・{Vo/(x/w)}2
である。
E=(1/6)・w・ε・(L/t)・Vo 2
が得られる。
Ceff=(1/3)・Co
であり、ここで、Co=(ε・L・w)/t。
サイズが30×300平方ミリメートル(mm2)であるOLEDストリップの電流電圧特性vd(id)は、vd=k1×ln(id/k2+1)+id×Rsにより表されるとする。ここで、
vd:OLED素子にかかる電圧、
id:OLED素子を流れる電流、
k1,k2:OLED素子に依存する定数、及び
k1=0.22V、
k2=0.21μA、
Rs=0.16Ωの標準値。
R=(ρ・w)/(L/th)=ρ・(w/L)=0.1・Rsq
が成立する。
102 抵抗層
102 導電層
104 セグメント
106 第1の電極層
108 第2の電極層
110 エレクトロルミネセンス層
112 端子
114 発光部
115 第1の電極層の第2の端部
116 ギャップ部
117 ギャップ又はスロット
118 端子部
119 第2の電極層の第1の端部
120 構造化された相互接続層
121 第1の電極層の第1の端部
122 絶縁層
123 第2の電極層の第2の端部
124 抵抗器
126 キャパシタ
Claims (15)
- 複数のセグメントを有するセグメント化されたエレクトロルミネセンス素子であって、
各セグメントは、エレクトロルミネセンス層の第1の面に配置される第1の電極層と、前記エレクトロルミネセンス層の第2の面に配置される第1のスクエア抵抗を有する第2の電極層とを備えるエレクトロルミネセンス層、及び前記第1のスクエア抵抗よりも大きい第2のスクエア抵抗を有する抵抗層を有し、
前記抵抗層は、前記複数のセグメントの中の第1のセグメントを前記複数のセグメントの中の隣接する第2のセグメントと接続し、
前記抵抗層は、前記第1のセグメントの第2の電極層を前記第2のセグメントの第1の電極層と接続する、エレクトロルミネセンス素子。 - 前記第2のスクエア抵抗は、前記第1のスクエア抵抗の少なくとも5倍、望ましくは前記第1のスクエア抵抗の10倍である、
請求項1に記載のエレクトロルミネセンス素子。 - 前記抵抗層は構造化される、
請求項1に記載のエレクトロルミネセンス素子。 - 前記抵抗層は、合金膜、単一金属膜、半金属膜、陶性合金又は半導体膜から成る、
請求項1乃至3のうちいずれか一項に記載のエレクトロルミネセンス素子。 - 前記抵抗層は、2つの隣接するセグメントの間のギャップに延在する、
請求項1乃至4のうちいずれか一項に記載のエレクトロルミネセンス素子。 - 前記抵抗層は、前記第1のセグメントの第2の電極層の第1の端部を前記第2のセグメントの第1の電極層の第1の端部へ接続し、
前記第1の端部は、隣接するセグメントに対して近位にある、
請求項1乃至5のうちいずれか一項に記載のエレクトロルミネセンス素子。 - 前記抵抗層は、前記第1のセグメントの第2の電極層の第2の端部を前記第2のセグメントの第1の電極層の第1の端部へ接続し、
前記第1の端部は、隣接するセグメントに対して近位にあり、前記第2の端部は、隣接するセグメントに対して遠位にある、
請求項1乃至5のうちいずれか一項に記載のエレクトロルミネセンス素子。 - 前記第2の電極層を前記抵抗層から分離する絶縁層を有する、
請求項1乃至7のうちいずれか一項に記載のエレクトロルミネセンス素子。 - 前記第2の電極層と前記抵抗層との間の接触表面を有し、該接触表面は、前記絶縁層に隣接して配置される、
請求項8に記載のエレクトロルミネセンス素子。 - 前記複数のセグメントの中の少なくとも1つのセグメントは、複数の絶縁層、導電層及び/又は抵抗層を有し、
前記抵抗層又は前記導電層の中の1つは、隣接するセグメントに対してギャップにわたって延在する、
請求項8又は9に記載のエレクトロルミネセンス素子。 - 前記絶縁層、前記導電層及び/又は抵抗層は、積層において互いに交互に現れる、
請求項10に記載のエレクトロルミネセンス素子。 - 前記絶縁層の中の少なくとも2つは、前記抵抗層の中の1つ又は前記導電層の中の1つによって分離される、
請求項10に記載のエレクトロルミネセンス素子。 - 少なくとも1つの抵抗層は、少なくとも1つの抵抗層へ接続される、
請求項12に記載のエレクトロルミネセンス素子。 - 少なくとも1つの絶縁層は、少なくとも1つの絶縁層へ接続される、
請求項10に記載のエレクトロルミネセンス素子。 - 少なくとも1つの導電層は、少なくとも1つの導電層へ接続される、
請求項14に記載のエレクトロルミネセンス素子。
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