JP2015510670A - 光を発生する発光装置 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 282
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 70
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 70
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 70
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 161
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 5
- 210000003000 inclusion body Anatomy 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 101001114076 Homo sapiens Paladin Proteins 0.000 description 3
- 102100023224 Paladin Human genes 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- -1 AlTiO x Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 2
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910004158 TaO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/20—Resistors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/86—Series electrical configurations of multiple OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本発明は光を発生する発光装置１に関するものである。該発光装置は、発光物質９を含む発光構造体２と、少なくとも２つのコンデンサ電極膜１１，１２及び該コンデンサ電極膜の間の誘電体膜１４を含むコンデンサ構造体３と、少なくとも上記発光物質を封入し、これにより該発光物質を保護する少なくとも１つの膜を含む膜状封入体３０とを有する。上記コンデンサ構造体は、当該発光装置内に、上記コンデンサ電極膜及び誘電体膜が上記発光構造体に対して少なくとも部分的に平行に配置されるように組み込まれる。上記コンデンサ構造体及び封入体のために膜、特に薄膜が使用され、該コンデンサ構造体が発光装置内に組み込まれるので、該発光装置を相対的に薄くすることができる。
Description
本発明は、光を発生する発光装置及び発光方法に関する。本発明は、更に、斯かる発光装置を製造する製造装置及び製造方法にも関する。
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）装置は、一般的に、主電源エネルギを当該ＯＬＥＤ装置により必要とされる形態に変換するためのコンバータを必要とする。該コンバータ（変換手段）は、主電源エネルギの周期的な変化及び当該ＯＬＥＤ装置の速い電気的時定数に起因し得る知覚可能な光のちらつき（フリッカ）を低減するために、主電源電圧が該ＯＬＥＤ装置により必要とされる電圧より低い時間フェーズの間にエネルギを供給するためのコンデンサを有している。該コンデンサは相対的に嵩張り、ＯＬＥＤ装置全体を相対的に大きくしてしまう。
本発明の目的は、余り嵩張らないようにし得る、光を発生する発光装置を提供することである。本発明の他の目的は、光を発生する対応する発光方法を提供すること、並びに斯かる発光装置を製造する製造装置及び製造方法を提供することである。
本発明の第１態様においては光を発生する発光装置が提供され、該発光装置は、
− 少なくとも２つの発光電極と、これら発光電極の間に配置された発光物質（発光材料）とを含み、該発光物質が前記発光電極に電圧が印加された場合に光を放出するように構成された発光構造体と、
− 少なくとも２つのコンデンサ電極膜と、これらコンデンサ電極膜の間の誘電体膜とを含み、当該発光装置内に前記コンデンサ電極膜及び前記誘電体膜が前記発光構造体に対して少なくとも部分的に平行に配置されるように組み込まれたコンデンサ構造体と、
− 少なくとも１つの膜を有し、該少なくとも１つの膜が少なくとも前記発光物質を保護するために少なくとも該発光物質を封入する膜状封入体と、
を有する。
− 少なくとも２つの発光電極と、これら発光電極の間に配置された発光物質（発光材料）とを含み、該発光物質が前記発光電極に電圧が印加された場合に光を放出するように構成された発光構造体と、
− 少なくとも２つのコンデンサ電極膜と、これらコンデンサ電極膜の間の誘電体膜とを含み、当該発光装置内に前記コンデンサ電極膜及び前記誘電体膜が前記発光構造体に対して少なくとも部分的に平行に配置されるように組み込まれたコンデンサ構造体と、
− 少なくとも１つの膜を有し、該少なくとも１つの膜が少なくとも前記発光物質を保護するために少なくとも該発光物質を封入する膜状封入体と、
を有する。
上記コンデンサ構造体は少なくとも２つのコンデンサ電極膜と、これらコンデンサ電極膜の間の誘電体膜とを含むので、該コンデンサ構造体は相対的に薄くすることができる。更に、上記封入体は、少なくとも前記発光物質を好ましくは湿気（水分）及び／酸素から保護するために少なくとも該発光物質を封入する少なくとも１つの膜を有する膜状封入体であるから、該膜状封入体も相対的に薄くすることができる。これらの理由によると共に、上記の相対的に薄いコンデンサ構造体が発光装置内に、前記コンデンサ電極膜及び前記誘電体膜が前記発光構造体に対して少なくとも部分的に平行に配置されるように組み込まれるので、当該発光装置を余り嵩張らないようにすることができる。
前記コンデンサ電極膜及び前記誘電体膜が前記発光構造体に対して少なくとも部分的に平行に配置されるということは、好ましくは、前記コンデンサ電極膜及び前記誘電体膜が前記発光構造体の全領域を又は該発光構造体の一部のみを覆うことができることを意味する。
前記コンデンサ構造体は前記膜状封入体内に、該コンデンサ構造体が該膜状封入体の膜により形成されるように組み込むことができる。特に、該膜状封入体の膜は前記コンデンサ電極膜及び前記誘電体膜を形成することができる。このことは、結果としての発光装置の小型さを更に向上させることができる。更に、該コンデンサ構造体及び膜状封入体は同様の方法により、従って同様の製造エレメントにより製造することができ、これにより当該発光装置の製造を簡素化する。
上記のコンデンサ構造体が組み込まれた膜状封入体は、薄膜封入体（ＴＦＥ）とすることができ、その場合、該膜状封入体の異なる膜、従ってコンデンサ構造体の膜は約１００nmの厚さを有することができる。好ましくは、上記薄膜封入体は、例えば湿気及び酸素に対する、追加のガラスプレート又は箔により実施することができるような更なる保護が必要とされず、従って存在しないように構成される。
当該発光装置は、好ましくは、ＯＬＥＤ発光装置であり、前記発光物質は有機物質を有する。
“発光電極”なる用語は、これら電極が上記発光物質に対して、該発光物質が光を放出するように電圧を印加するために使用されることを示すために使用されている。
前記コンデンサ電極膜は、好ましくは、約１００nmの厚さを持つ薄膜である。これらコンデンサ電極膜は金属及び／又は透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）を有することができる。前記誘電体膜は好ましくは絶縁性である。該誘電体膜は、好ましくは、酸化物及び窒化物の少なくとも一方を有する。特に、該誘電体膜は無機酸化物を有することができる。例えば、該誘電体膜はＡｌ２Ｏ３、ＡｌＴｉＯｘ及びＺｒＯ２のうちの少なくとも１つを有することができる。一実施態様において、該誘電体膜はナノ積層体であり、該積層体は交互の順番のＡｌ２Ｏ３及びＺｒＯ２を有することができる。該誘電体膜は、原子層堆積（ＡＬＤ）により堆積することができる。
前記コンデンサ構造体は、前記発光構造体に電気的に接続することができるか、又は該発光構造体から電気的に分離することができ、その場合、これら発光構造体及びコンデンサ構造体は、好ましくは、光を放出する単一の統合ユニット内に組み込まれる。
前記膜状封入体は、好ましくは、前記発光構造体を湿気及び酸素から保護するための第１湿気／酸素障壁を有する。該第１湿気／酸素障壁は、好ましくは、前記発光構造体と前記コンデンサ構造体との間に配置される。好ましい実施態様において、該第１湿気／酸素障壁及び前記誘電体膜は同一の材料から形成される。この構成は、第１湿気／酸素障壁及び誘電体膜を同一の又は同様の製造ユニット及び製造技術を使用することにより製造することを可能にし、これにより、当該発光装置の製造を単純化する。
上記膜状封入体は、好ましくは、少なくとも前記コンデンサ構造体を湿気及び酸素から保護するための第２湿気／酸素障壁を更に有する。該第２湿気／酸素障壁及び誘電体膜も、特に当該コンデンサ構造体及び前記発光構造体が電気的に接続される場合、同一の材料から形成することができる。
コンデンサ構造体の誘電体膜を形成するため並びに湿気及び酸素に対する保護を行うために同一の材料を用いることができるので、湿気／酸素障壁も誘電体膜、特には約１００nmの薄い誘電体膜とすることができる。一実施態様においては、上記湿気／酸素障壁もナノ積層体である。
好ましい実施態様において、当該発光装置は前記発光構造体及びコンデンサ構造体に電気的に接続された抵抗を更に有する。該抵抗は上記第２湿気／酸素障壁上に配置された抵抗性の層とすることができる。
前記コンデンサ構造体は放出される光に影響を与えるように構成されることが好ましい。特に、該コンデンサ構造体は放出光に対して少なくとも部分的に透明にすることができ、その場合において、当該発光装置は放出光が該装置を出射する前に当該透明なコンデンサ構造体の少なくとも一部を横切るように構成される。例えば、当該発光装置は放出光に対して少なくとも部分的に透明な上部発光電極を有する上面発光装置とすることができ、その場合において、コンデンサ構造体は発光構造体上に配置され、該コンデンサ構造体は放出光に対して少なくとも部分的に透明で、該光が当該発光装置から該コンデンサ構造体を介して出射するのを可能にし、これにより該コンデンサ構造体が当該光に影響を与えるようにする。更に、当該発光装置は放出光に対して少なくとも部分的に透明な底部発光電極を有する底面発光装置とすることができ、その場合において、発光構造体はコンデンサ構造体上に配置され、該コンデンサ構造体は放出光に対して少なくとも部分的に透明で、該光が当該発光装置から該コンデンサ構造体を介して出射するのを可能にし、これにより該コンデンサ構造体が当該光に影響を与えるようにする。他の例において、当該発光装置は放出光に対して少なくとも部分的に透明な上部発光電極を有する上面発光装置であり、その場合において、発光構造体はコンデンサ構造体上に配置され、底部コンデンサ電極は放出光を当該発光装置の上部に向かって反射するように構成され、該コンデンサ構造体は上記底部コンデンサ電極より上では放出光に対して少なくとも部分的に透明である。このように、光の導出は、必ずしも他の導出構造を必要とすることなく、影響を受け得る。この構成は、当該発光装置の寸法の更なる低減につながる。
一実施態様においては、ａ）前記コンデンサ電極膜の少なくとも１つ、及びｂ）前記誘電体膜、のうちの少なくとも一方が、光に影響を与えるために構造化される。特に、１つ若しくは幾つかのコンデンサ電極膜、及び／又は１つ若しくは幾つかの誘電体膜は、平らでないものとすることができる。例えば、上記膜は波状とすることができるか、又は該膜は母材系内に埋め込まれた粒子からなることができる。
当該発光装置は、前記少なくとも２つの発光電極のうちの第１のものを形成する導電材料により被覆された基板を有することができる。該基板は、ガラス等の固体基板又はポリマ箔等の可撓性基板とすることができる。被覆される導電材料は、好ましくは、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）又はアルミニウムがドーピングされた亜鉛酸化物（ＡＺＯ）等のＴＣＯである。該導電材料はＯＬＥＤの接地発光電極を形成すると考えることができる。該接地発光電極上には前記発光物質を設けることができ、該発光物質上には金属又はＴＣＯ等の導電材料を、反対側の発光電極を形成するために被着することができる。
本発明の他の態様においては、上記発光装置を使用することにより光を発生する発光方法が提供され、該発光方法は、ａ）前記少なくとも２つの発光電極の間に配置された前記発光物質に前記発光電極を介して電圧を印加するステップであって、前記少なくとも２つのコンデンサ電極膜及び該コンデンサ電極膜の間の前記誘電体膜を含む前記コンデンサ構造体が前記印加される電圧の可能性のある変動を低減し、前記コンデンサ構造体が前記発光装置内に前記コンデンサ電極膜及び前記誘電体膜が前記発光構造体に対して少なくとも部分的に平行に配置されるように組み込まれており、少なくとも前記発光物質が、少なくとも該発光物質を保護する前記膜状封入体を設けるための前記少なくとも１つの膜により封入されているステップと、ｂ）前記印加される電圧に応答して前記発光物質により光を放出するステップとを有する。
本発明の他の態様においては、光を発生する発光装置を製造する製造方法が提供され、該製造方法は、ａ）少なくとも２つの発光電極と、これら発光電極の間に配置された発光物質とを含む発光構造体を準備するステップであって、前記発光物質は前記発光電極に電圧が印加された場合に光を放出するように構成されたステップと、ｂ）少なくとも２つのコンデンサ電極膜と、これらコンデンサ電極膜の間の誘電体膜とを含むコンデンサ構造体を準備するステップであって、該コンデンサ構造体が前記発光装置内に、前記コンデンサ電極膜及び前記誘電体膜が前記発光構造体に対して少なくとも部分的に平行に配置されるように組み込まれるステップと、ｃ）少なくとも前記発光物質を、少なくとも該発光物質を保護する膜状封入体を設けるための少なくとも１つの膜により封入するステップとを有する。一実施態様において、上記ｂ）及びｃ）のステップは統合された形態で実行され、その場合において、コンデンサ構造体が組み込まれた状態で膜状封入体を形成するために、膜状封入体の膜を堆積することにより、コンデンサ構造体の膜も堆積される。該誘電体膜は、ＡＬＤ法、プラズマ増強ＡＬＤ法、化学蒸着法（ＣＶＤ）、プラズマ増強ＣＶＤ法（ＰＥＣＶＤ）、スパッタリング及び気相蒸着法（ＰＶＤ：phase vapor deposition）のうちの少なくとも１つにより設けることができる。
本発明の他の態様においては、光を発生する発光装置を製造する製造装置が提供され、該製造装置は、ａ）少なくとも２つの発光電極と、これら発光電極の間に配置された発光物質とを含む発光構造体を準備する発光構造体準備ユニットであって、前記発光物質は前記発光電極に電圧が印加された場合に光を放出するように構成されたユニットと、ｂ）少なくとも２つのコンデンサ電極膜と、これらコンデンサ電極膜の間の誘電体膜とを含むコンデンサ構造体を準備するコンデンサ構造体準備ユニットであって、前記コンデンサ構造体を前記発光装置内に、前記コンデンサ電極膜及び前記誘電体膜が前記発光構造体に対して少なくとも部分的に平行に配置されるように組み込むように構成されたユニットと、ｃ）少なくとも前記発光物質を保護するために少なくとも該発光物質を封入する少なくとも１つの膜を有する膜状封入体を準備する膜状封入体準備ユニットとを有する。上記コンデンサ構造体準備ユニット及び膜状封入体準備ユニットは、集積化されたコンデンサ構造体及び膜状封入体を準備するための単一の統合されたユニットを形成することができ、その場合において、この集積化された構造体は、好ましくは、少なくとも前記発光物質を例えば湿気及び酸素から保護するための薄膜封入体を形成する。
尚、請求項１の発光装置、請求項１２の発光方法、請求項１３の製造方法及び請求項１５の製造装置は、特には従属請求項に記載された同様の及び／又は同一の好ましい実施態様を有すると理解されるべきである。
また、本発明の好ましい実施態様は、従属請求項の、対応する独立請求項との如何なる組み合わせでもあり得ると理解されるべきである。
本発明の上記及び他の態様は、後述する実施態様から明らかとなり、斯かる実施態様を参照して解説されるであろう。
図１は、光を発生する発光装置１を概略的且つ例示的に示している。発光装置１は、この実施態様では、発光構造体２、コンデンサ構造体３及び膜状封入体３０を有するＯＬＥＤ発光装置であり、上記コンデンサ構造体３は上記膜状封入体３０内に組み込まれている。発光構造体２は幾つかの対の発光電極８，１０を含み、これら発光電極８，１０の間に発光物質９が配置されている。発光物質９は、発光電極８，１０に電圧が印加された場合に光を放出するように構成されている。発光物質９は光を放出する有機物質を有している。
コンデンサ構造体３は、２つのコンデンサ電極膜１１，１２と、これらコンデンサ電極膜の間の誘電体膜１４とを含んでいる。コンデンサ構造体３は発光装置１内に、コンデンサ電極膜１１，１２及び誘電体膜１４が前記発光構造体２に対して平行に配置されるように組み込まれている。コンデンサ電極膜１１，１２及び誘電体膜１４は、約１００nmの厚さを持つ薄膜である。上記コンデンサ電極膜は金属及び／又は透明な導電酸化物を有することができる。上記誘電体膜は好ましくは絶縁性であり、酸化物又は窒化物の少なくとも一方を有する。実際には、誘電体膜１４は無機酸化物を有することができる。例えば、誘電体膜１４はＡｌ２Ｏ３、ＡｌＴｉＯｘ及びＺｒＯ２の少なくとも１つを有することができる。該誘電体膜は、好ましくは、変化する順番の異なる酸化物及び／又は窒化物を有するナノ積層体である。例えば、順番が変化するＡｌ２Ｏ３及びＺｒＯ２を有することができる。発光構造体２及びコンデンサ構造体３は、光を放出する単一の集積ユニット内に組み込まれ、この実施態様において、発光構造体２及びコンデンサ構造体３は電気的に接続される。
膜状封入体３０は、湿気及び酸素に対して発光構造体２を保護するための第１の湿気／酸素障壁１５を有する。第１湿気／酸素障壁１５は、発光構造体２とコンデンサ構造体３との間に位置される。該第１湿気／酸素障壁１５、及びコンデンサ電極膜１１，１２の間の誘電体膜１４は、同一の材料から形成される。
膜状封入体３０、即ち本実施態様では薄膜封入体は、更に、少なくともコンデンサ構造体３を湿気及び酸素に対して保護するための第２の湿気／酸素障壁６を有する。この実施態様においては、該第２湿気／酸素障壁６及び前記誘電体膜も同一の材料から形成される。このように、コンデンサ構造体３の誘電体膜１４を形成するため、並びに湿気及び酸素に対する保護を設けるために同一の材料を使用することができる。特に、これら湿気／酸素障壁を誘電体膜（特には、約１００nmの誘電体薄膜）とすることもでき、これらをナノ積層体とすることもできる。
発光装置１は、更に、この実施態様ではＴＣＯ抵抗であると共に前記発光構造体２及びコンデンサ構造体３に電気的に接続された抵抗１３を有する。
図１に示された向きにおいて、前記発光電極の各対は底部発光電極及び上部発光電極からなっている。発光装置１は構造化された導電層５（この実施態様では、ＩＴＯ層である）により被覆された基板４を有している。上記構造化導電層５は、受動エレメント７により分離された底部発光電極８及び当該発光装置１を電圧源に接触させるための接触パッド１６，１７を設けている。上部発光電極１０は銀又は銅等の金属を有することができる。図１に示された発光装置１の電気回路は、図２に概略的且つ例示的に示された等価回路により示すことができる。
図２に見られるように、上部及び底部発光電極の各対は直列に接続され、これにより発光構造体２を形成する。抵抗１３は該発光構造体２に直列に接続され、コンデンサ構造体３は該発光構造体２に並列に接続される。
この実施態様において、第１湿気／酸素障壁１５は発光構造体２上に堆積される薄膜封入体３０の一部である。発光装置１を製造する間において薄膜封入体３０が堆積される場合、この薄膜封入体の堆積は、底部及び上部発光電極８，１０が接触パッド１６，１７を接触させることにより依然として接続可能であるように実施される。
発光装置１を製造する間において、第１湿気／酸素障壁１５上には導電層が堆積される。該導電層は、例えば金属又は透明な導電性酸化物を有することができ、前記コンデンサ電極膜１２を形成する。該堆積方法は、例えば、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ増強レーザ堆積又は原子層堆積とすることができる。第１湿気／酸素障壁１５上の導電層１２は上部電極接触パッド１６に接触すると共に、第１湿気／酸素障壁１５上に直に配置されたコンデンサ構造体３の第１プレートを形成する（即ち、第１コンデンサ電極膜を形成する）。コンデンサ構造体３及び発光構造体２の底部電極パッドは接続されないままとされる。即ち、対応する発光物質を挟む発光電極の各対は、直列に接続されたＯＬＥＤを形成し、その場合において、各底部電極８は対応する隣接するＯＬＥＤの上部電極に接続され、例えば接触パッド１７は第１ＯＬＥＤの上部電極には接続されるが、第１コンデンサ電極膜１２の堆積の後においてコンデンサ構造体３には未だ接続されない。
この実施態様では底部コンデンサ電極膜１２を形成する上記導電層上には、誘電体膜１４を形成するための他の薄膜が堆積され、その場合、電極ポート、即ち接触パッド１６，１７は、追加のコンデンサプレートとの、即ち追加のコンデンサ電極膜１１との後の接続のために依然として被覆されないままに維持される。
更に、この実施態様において、上部コンデンサ電極膜１１を形成するために上記誘電体層１４上に金属又は透明な導電酸化物からなる第２の導電層が堆積される。他の実施態様において、所望の容量を有するコンデンサ構造体を形成するために、誘電体層と導電層との交互の堆積を数回実行することもできる。最後に、当該コンデンサ構造体は、第２の湿気／酸素障壁６を形成する最後の薄膜により保護される。
特定の用途に依存して、前記ＯＬＥＤ（即ち、各発光物質を挟む発光電極の各対）は、底面若しくは上面発光源、又は両方向に発光する透明装置として設計することができる。発光構造体２上の幾つかの膜、特にはコンデンサ構造体３及び湿気／酸素障壁１５，１６の膜は、当該発光構造体及びコンデンサ構造体を封入するための膜状封入体３０を形成する。
当該発光装置１において、上記の薄膜に基づくコンデンサ構造体３は、電気フィルタ素子として動作するように、当該ＯＬＥＤ積層体の薄膜封入体内に、即ち発光構造体２の薄膜封入体内に集積される。しかしながら、該コンデンサ構造体は放出される光に対し、該コンデンサ構造体が電気フィルタとして作用するのみならず、光の導出を付随的に改善する又は少なくとも修正する機能も有するように、影響を与えるよう構成することもできる。
特に、図１に示される発光装置１は、該装置が上面発光装置であり、コンデンサ構造体３が発光構造体２の上に配置され、該コンデンサ構造体３が放出される光に対して少なくとも部分的に透明であって、該光が該コンデンサ構造体３を経て当該発光装置１を出力するのを可能にし、これにより該コンデンサ構造体が当該光に影響を与えるように構成することができる。この場合、前記上部発光電極は、放出される光に対して少なくとも部分的に透明であり、底部発光電極は不透明である。このように、図１に示される発光装置１は、直列に接続されると共に、不透明底部発光電極８、発光物質９を形成する有機及び無機材料からなる多層ＯＬＥＤ積層体、並びに透明な上部発光電極１０（完全に透明又は半透明とすることができる）を有する上面発光ＯＬＥＤを有することができる。これらＯＬＥＤは薄膜型抵抗１３と直列に接続され、薄膜１５（本実施態様では、透明である）により封入される。湿気／酸素障壁を形成する該薄膜１５上には、この実施態様では、コンデンサ構造体３を形成する透明な薄膜型コンデンサが堆積される。他の例として、該コンデンサ構造体は２つの部分単位に分割することができ、これら部分単位は容量又は降伏電圧を増加させるために、各々、並列に又は直列に接続することができる。コンデンサ構造体３は誘電体膜１４とコンデンサ電極膜１１，１２とからなるもので、本例では、誘電体膜１４は透明であると共に、上記コンデンサ電極膜は、当該ＯＬＥＤの光学特性に影響を有するために、透明導電性酸化物又は超極薄金属層を備えた多層電極により実現されるような完全に透明又は半透明とすることができる。本例においては、コンデンサ構造体３上の薄膜６も透明である。発光に対する各影響は、ＯＬＥＤ積層体（即ち、発光構造体２）と、コンデンサ構造体３が集積された薄膜封入体３０との両方に依存し、微小共振器（マイクロキャビティ）及び導波効果に起因し得る。同じことが、底部発光電極を上記上部発光電極と同様に透明にすることにより実現される透明ＯＬＥＤ装置に関しても成り立つ。この場合、薄膜型のコンデンサ構造体３が、底部発光電極を介して放出される光に対する上部発光電極を介して放出される光の割合を決定する。従って、発光を、或る程度、当該透明装置の二分の一空間に向けることができる。
図３は、発光装置の他の実施態様を概略的且つ例示的に示す。図３に示された該発光装置１０１は抵抗を除き図１に示した発光装置１と同様である。このように、該発光装置１０１もＩＴＯ層１０５により被覆された基板１０４を有し、該ＩＴＯ層は底部発光電極１０８を形成するように構造化されている。更に、該発光装置１０１は、上部発光電極１１０；発光物質１０９；受動エレメント１０７；第１湿気／酸素障壁１１５；コンデンサプレート、即ちコンデンサ電極膜１１１，１１２及び誘電体膜１１４を備えたコンデンサ構造体１０３；並びに第２湿気／酸素障壁１０６も有している。しかしながら、上記第２湿気／酸素障壁１０６上には、抵抗層１１３が設けられ、該抵抗層は、好ましくは湿気及び酸素に対して保護を行うための誘電体物質を有する薄膜である第３の湿気／酸素障壁１１９により覆われる。上記抵抗１１３は透明な導電性酸化物抵抗とすることができ、該抵抗は接触パッド１１８を介して電気的に接続することができる。
図４は、図３に示した発光装置１０１の等価回路を概略的且つ例示的に示している。図４に見られるように、発光構造体１０２はコンデンサ構造体１０３に対して並列である一方、抵抗１１３は発光構造体１０２及びコンデンサ構造体３と直列であり、当該発光装置１０１は接触パッド１１７，１１８を介して接触することができる。
このように、薄膜１０６上には、他の導電的ではあるが抵抗性の材料が堆積され、当該ＯＬＥＤ、即ち発光構造体１０２とコンデンサ構造体１０３との並列回路に対する充電抵抗として作用する。従って、該充電抵抗１１３は、全回路の残部には属さない追加のポートに、即ち抵抗接触パッド１１８に接続される。発光構造体１０２とコンデンサ構造体１０３との並列回路に対して直列な該充電抵抗１１３の組み合わせは、該並列回路に到来する信号を平滑するためのローパスフィルタを形成する。材料及び抵抗性材料の厚さを選択することにより、充電抵抗１１３は所望のように設定することができる。この種のローパスフィルタは、好ましくは、例えば抵抗性バラストを用いた直接主電源接続用に設計されるＯＬＥＤに対して使用される。薄膜により設けられたガス保護部である第３湿気／酸素障壁１１９に加えて、当該発光装置は、例えばエポキシ化合物から形成されるスクラッチ保護部（図３には示されていない）により更に被覆することができる。コンデンサ構造体１０３、湿気／酸素障壁１１５，１０６，１１９及び抵抗１１３は、発光構造体１０２を湿気及び酸素から保護するための膜状封入体１３０（特には、薄膜封入体）を形成し、上記コンデンサ構造体１０３及び抵抗１１３は該膜状封入体１３０内に組み込まれる。
図５は、発光装置の他の実施態様を概略的及び例示的に示す。図５に示される発光装置２０１は、追加抵抗がないこと及びコンデンサ構造体２０３を除いて、図１に示した発光装置１と類似している。特に、該発光装置２０１は底部発光電極２０８を形成する構造化されたＩＴＯ層２０５により事前に被覆された基板２０４を有している。更に、該発光装置２０１も、受動エレメント２０７；上部発光電極２１０；底部及び上部発光電極２０８，２１０の各対の間に各々挟まれた発光物質２０９（対応する発光物質が挟まれた発光電極の各対はＯＬＥＤを形成するものと考えることができる）；第１及び第２の湿気／酸素障壁２１５，２０６；並びに当該発光装置を電圧源に接触させるための接触パッド２２０，２２１，２２２を有している。この実施態様において、コンデンサ構造体２０３は３以上のコンデンサ電極膜２１１，２１２，２２３，２２４（これらはコンデンサプレートであると考えることもできる）を有し、これらコンデンサ電極膜の間に誘電体膜２１４が設けられる。該コンデンサ構造体２０３は当該発光装置２０１内に、コンデンサ電極膜２１１，２１２，２２３，２２４及び誘電体膜２１４が発光構造体２０２に対して平行に配置されるようにして組み込まれる。上記コンデンサプレートを形成する導電層は、アルミニウム又は銀等の金属から又はＩＴＯ又はＡＺＯ等の透明な導電性酸化物からの何れかから各々なることができる。これらの導電層は、これら層が上部発光電極接地に対して電気的接触を有するように堆積される。発光構造体２０２の接地発光電極接触パッド２２０及びコンデンサ接触パッド２２１は、接続されないままとされる。特に、三次元図面においては、コネクタ２２０が、該コネクタ２２０が依然として接続可能であるように、湿気／酸素障壁２１５によって完全には被覆されていないことが分かるであろう。前記誘電体膜（誘電体層）は、これら層が導電性コンデンサプレート２１１，２１２，２２３，２２４を分離するように堆積される。コンデンサ構造体２０３及び湿気／酸素障壁２１５，２０６は、膜状封入体２３０、特には薄膜封入体を形成し、その場合において、該コンデンサ構造体２０３は該膜状封入体２３０内に組み込まれる。図６は、該発光装置２０１の等価回路を概略的且つ例示的に示す。見られるように、コンデンサ構造体２０３は発光構造体２０２に対して並列である。
当該発光装置は例えば単段式オフラインドライバ又は二段式オフラインドライバとして使用することができ、該発光装置は例えばフリッカ低減のための追加のコンデンサ部品の必要性に取って代わることができる。当該発光装置の単段式オフラインドライバでの利用例が、図７に概略的且つ例示的に示されている。
図７において、主電源３２は発光装置２０１に相対的に一定した電流を供給するためにブリッジ整流器３１及びコンバータ３０に接続されている。図８は発光装置２０１の二段式オフラインドライバでの利用例が概略的且つ例示的に示されている。
図８において、主電源３２はブリッジ整流器３１、前置調整器３４及び第２段３３に接続されている。前置調整器３４は、EN 61000-3-2又はエネルギスター仕様書等の種々の市場における既存及び新たな国内規則に基づく力率制限を予期するために、電源の力率を低減するために使用される。
図９は、発光装置の他の実施態様を概略的及び例示的に示す。図９に示される発光装置３０１も、受動エレメント３０７により分離された底部発光電極３０８を形成するための構造化されたＩＴＯ層３０５により被覆された基板３０４を有し、各底部発光電極３０８は、対応する上部発光電極３１０並びに対応する底部及び上部発光電極３０８，３１０の間に配置された発光物質３０９と共にＯＬＥＤを形成し、結果的な直列のＯＬＥＤが発光構造体３０２を形成している。この発光構造体３０２は湿気／酸素障壁３１５により覆われ、該湿気／酸素障壁３１５上にはコンデンサ構造体３０３が設けられている。該コンデンサ構造体３０３はコンデンサ電極膜３１１，３１２（該電極膜はコンデンサプレートであると考えることもできる）及び該コンデンサ電極膜３１１，３１２の間に部分的に配置された誘電体膜３１４を有している。また、この実施態様において、上記コンデンサ構造体３０３は当該発光装置３０１内に、コンデンサ電極膜３１１，３１２及び誘電体膜３１４が発光構造体３０２と平行に配置されるように組み込まれている。発光装置３０１は、更に、上記上部及び底部発光電極３１０，３０８に接触するための２つの接触パッド３２２，３２０及びコンデンサ構造体３０３に接触するためのコンデンサ接触パッド３１６，３１７を有している。コンデンサ構造体３０３は湿気／酸素障壁３１５により形成された封入体上に配置されるが、電気的には分離されている。この実施態様において、コンデンサ構造体３０３の誘電体膜３１４を形成する誘電体材料は、如何なる絶縁材料からなることもできると共に、湿気／酸素障壁３１５を設けるために使用された薄膜封入体材料とは異なることもできる。コンデンサ構造体３０３は、上記湿気／酸素障壁３１５と一緒に、前記発光構造体３０２を湿気から保護するための膜状封入体３３０を形成する。
図１０は図９に示した発光装置３０１の等価回路を概略的且つ例示的に示す。特に、図１０は発光構造体３０２の回路とコンデンサ構造体３０３の回路とが電気的に分離されていることを示している。
図１１は、発光装置の他の実施態様を概略的及び例示的に示す。図１１に示される発光装置４０１は、透明な導電性酸化物４０５によりコーティングされた基板４０４を有し、該透明な導電性酸化物４０５は受動エレメント４０７により分離された底部発光電極４０８を形成するように構造化されている。底部発光電極４０８と上部発光電極４１０との対が設けられ、これら発光電極４０８，４１０の各対はＯＬＥＤを形成するために発光物質４０９を挟んでいる。このようにして、電気的に直列に接続された幾つかのＯＬＥＤが形成され、これにより発光構造体４０２を形成している。該発光構造体４０２は湿気／酸素障壁４１５により被覆され、該湿気／酸素障壁４１５上にはコンデンサ構造体４０３が設けられている。該コンデンサ構造体４０３は更なる第２湿気／酸素障壁４０６により封入されている。コンデンサ構造体４０３は、コンデンサプレートであるとも考えられる２つのコンデンサ電極膜４１１，４１２、及びこれらコンデンサ電極膜４１１，４１２の間の誘電体膜４１４を有している。該コンデンサ構造体４０３は当該発光装置４０１内に、コンデンサ電極膜４１１，４１２及び誘電体膜４１４が発光構造体４０２に対して平行に配置されるように組み込まれている。該発光装置４０１は、更に、透明な導電性酸化物抵抗４１３及び接触パッド４１６，４１７を有している。上記誘電体膜４１４は光に影響を与えるように構造化されている。例えば、該誘電体膜はウェーブ状（curled）とすることができるか、又は母材系に埋め込まれた粒子からなることができる。
図１１に示された発光装置４０１は、回路及び誘電体の設計を除き、図１を参照して前述した上面発光装置と同様である。該回路は、図１２に図示された等価回路に概略的且つ例示的に示されるように、オプション的な抵抗４１３が発光構造体４０２及びコンデンサ構造体４０３の全体回路に対して直列に接続される点で相違している。更に、当該誘電体は、集積された解決例において薄膜型コンデンサ構造体４０３が電気フィルタとして使用されると共に当該発光装置４０１の光出力の導出の光学的特性にも影響を与えるように、最早、平らではない。誘電体膜４１４の各形態に依存して、分布ブラッグ反射器の光散乱及び／又は固有の特性は、既知のＯＬＥＤの外部導出構造体において既に実現されているように、光放出の導出効率又は角度依存性特性を修正するために支援され得る。同時に、誘電体膜４１４の厚さ及び形状はコンデンサ構造体４０３の寸法に対しても影響を有する。一層薄い厚さは、一層大きな容量につながるが、平行プレートコンデンサの簡単な状況に従って一層低い降伏電圧につながる。誘電体膜４１４の形状は容量密度も決定する。何故なら、平らな又は波状のコンデンサ電極膜と一緒の波状誘電体膜は、平行プレートコンデンサよりも一層大きな表面面積を生じるからである。コンデンサ構造体４０３、及び湿気／酸素障壁４１５，４０６等の発光構造体４０２上の更なる層は、該発光構造体４０２を湿気に対して封入するための膜状封入体４３０を形成する。また、この実施態様において、コンデンサ構造体４０３は膜状封入体４３０内に組み込まれている。
図１３は、発光装置の他の実施態様を概略的及び例示的に示す。図１３に示される発光装置５０１は、底部コンデンサ電極膜５１２を形成する透明な導電性酸化物５０５により被覆された基板５０４を有している。上記コンデンサ電極膜５１２上には誘電体膜５１４が設けられ、該誘電体膜５１４は、例えば波状に構造化されている。該誘電体膜５１４上には、上部コンデンサ電極膜を形成する導電層５１１が設けられている。コンデンサ電極膜５１１，５１２及び誘電体膜５１４はコンデンサ構造体５０３を形成する。該コンデンサ構造体５０３は、湿気／酸素障壁５０６により封入され、該湿気／酸素障壁５０６上には発光構造体５０２が設けられている。該発光構造体５０２は湿気／酸素障壁５１５（膜状封入体であると見なすことができる）により被覆されている。発光構造体５０２は、発光物質５０９を挟む底部発光電極５０８及び上部発光電極５１０の対を有している。発光電極の各対及び挟まれた発光物質はＯＬＥＤを形成し、これらＯＬＥＤは直列に接続されている。この実施態様において、コンデンサ構造体５０３は当該発光装置５０１内に、コンデンサ電極膜５１１，５１２及び誘電体膜５１４が発光構造体５０２に対して平行に配置されるように組み込まれている。
上記発光装置５０１は底面発光装置であって、発光構造体５０２はコンデンサ構造体５０３の上に配置される一方、コンデンサ構造体５０３は放出される光に対して、該光がコンデンサ構造体５０３を介して当該発光装置５０１を出射することを可能にするために、少なくとも部分的に透明であり、これにより、該コンデンサ構造体５０３は光に影響を与える。また、底部発光電極５０８は放出される光に対して少なくとも部分的に透明である。また、上部発光電極５１０は不透明である。
図１３において、薄膜型コンデンサ構造体５０３は、透明基板５０４上に直に堆積され、湿気／酸素障壁を形成する薄膜５０６により封入されている。この膜５０６上に、当該ＯＬＥＤの活性領域を画定する受動ラッカのエレメント（即ち、受動エレメント５０７）により構造化された底部発光電極５０８を、実際のＯＬＥＤ製造工程とは独立に事前にコーティングすることができる。結果的に、このように事前にコーティングされた基板は、当該ＯＬＥＤ装置の処理工程を、少ない努力で且つ発光物質５０９を形成するＯＬＥＤ積層体の有機材料に余りストレスを掛けないで簡素化することができる。従って、薄膜型のコンデンサ構造体を備えた透明なＯＬＥＤ発光装置を、例えば図１に示されるように発光構造体上にコンデンサ構造体が堆積されることにより、又は例えば図１３に示されるように逆の方法で製造することができる。透明な導電性酸化物抵抗である抵抗５１３は、図１４に図示された等価回路に概略的且つ例示的に示されるように、コンデンサ構造体５０３と直列に接続される。図１３及び１４において、符号５１６，５１７は当該発光装置に接触するための接触パッドである。
他の実施態様において、図１３に示される発光装置は反射性底部コンデンサ電極膜を有し、該底部コンデンサ電極膜より上のエレメントは放出される光に対して少なくとも部分的に透明である。このように、該発光装置は上面発光装置とすることができ、発光構造体はコンデンサ構造体上に配置され、底部コンデンサ電極膜は放出された光を当該発光装置の上部に向かって反射するように構成され、コンデンサ構造体は該底部コンデンサ電極膜より上では放出光に対して少なくとも部分的に透明であり、発光電極は放出光に対して少なくとも部分的に透明である。従って、基板が薄膜型のコンデンサ構造体により事前に被覆されるという着想は、コンデンサ構造体の底部接触のために不透明な金属電極を用いることにより上面発光ＯＬＥＤにも適用することができる。
導出構造体、即ちコンデンサ構造体は、底部コンデンサ電極膜から始まり当該発光装置の上部の外側薄膜により終わる全ての層により形成される微小共振器構造体内に埋め込まれるので、光の導出はコンデンサ構造体により、特には該コンデンサ構造体の電極膜の厚さ及び設計により大きく影響を受けるであろう。
以下では、上述した発光装置のうちの少なくとも１つを使用することにより光を発生する発光方法を、図１５に示されるフローチャートを参照して説明する。
ステップ６０１において、少なくとも２つの発光電極の間の発光物質に当該発光電極を介して電圧が印加され、その場合において、少なくとも２つのコンデンサ電極膜と、これらコンデンサ電極膜の間の誘電体膜とを含むコンデンサ構造体が該印加された電圧の可能性のある変動を低減する。上記コンデンサ構造体は当該発光装置内に、コンデンサ電極膜及び誘電体膜が発光構造体に対して少なくとも部分的に平行に配置されるように組み込まれ、少なくとも上記発光物質は、少なくとも該発光物質を保護する膜状封入体を形成するために少なくとも１つの膜により封入される。
ステップ６０２において、上記の印加された電圧に応答して上記発光物質により光が放出される。
以下では、光を発生する発光装置を製造する製造方法を、図１６に示されるフローチャート及び図１７に概略的且つ例示的に示される製造装置を参照して例示的に説明する。
製造装置８０１は、少なくとも２つの発光電極及び該発光電極の間に配置された発光物質を含む発光構造体を準備するための発光構造体準備ユニット８０２を有し、ここで、上記発光物質は上記発光電極に電圧が印加された場合に光を放出するように適合化される。このように、ステップ７０１において、発光構造体準備ユニット８０２は、対応した発光物質を挟む発光電極対を形成するために、底部発光電極を形成する導電層により被覆された基板上に発光物質及び上部発光電極を設け、これにより一連の発光ダイオード（特には、ＯＬＥＤ）を形成する。結果としての中間生成物は符号８０４により示されている。ステップ７０２において、膜状封入体／コンデンサ構造体準備ユニット８０３は、コンデンサ構造体が該膜状封入体の膜（特には、薄膜）により形成されるように、膜状封入体に、組み込まれたコンデンサ構造体を提供するために、上記発光構造体上に幾つかの薄膜を堆積する。上記コンデンサ構造体は、該コンデンサ構造体が当該発光装置内に、コンデンサ電極膜及び該コンデンサ電極膜間の誘電体膜が上記発光構造体に対して少なくとも部分的に平行に配置されるように組み込まれるようなやり方で設けられる。結果としての発光装置は図１７では符号８０５により示されている。
１台又は数台のユニット又は装置により実行される特定の層の堆積等の製造ステップは、如何なる他の数のユニット又は装置により実行することもできる。例えば、ステップ７０１及び７０２は単一のユニットにより若しくは如何なる他の数の異なるユニットにより実行することもでき、又は前記膜状封入体及びコンデンサ構造体を形成するための幾つか膜の堆積（コンデンサ構造体は好ましくは膜状封入体内に組み込まれる）は、異なる膜を堆積する異なるユニット若しくは装置により実行することができる。上記製造方法に従う上記製造装置の制御は、コンピュータプログラムのプログラムコードとして、及び／又は専用のハードウェアとして実施化することができる。
図面を参照して上述した発光装置の実施態様は、基板上のＯＬＥＤと、ＯＬＥＤの薄膜封入体と、薄膜型のコンデンサ及びオプションとしての抵抗との組み合わせを有し、上記薄膜型のコンデンサ及びオプションとしての抵抗は上記薄膜封入体内に組み込むことができる。湿気／酸素障壁としての薄膜が、好ましくは、上記ＯＬＥＤの上部接触部上に第１誘電体として用いられ、これにはコンデンサプレートが続き（即ちコンデンサ電極膜が続き）、その場合において、コンデンサ構造体の誘電体及び上記薄膜湿気／酸素障壁には好ましくは同一の物質が使用される。
図面を参照して上述した発光装置の実施態様は、既知の発光装置においてフィルタ及び／又は蓄積目的で使用され得る嵩張ったコンデンサを置換することを可能にする。これら実施態様は、費用を節約すること、及びＯＬＥＤ装置のフォームファクタを維持することを可能にする。即ち、これら実施態様は薄いドライバ解決手段を形成することを可能にする。好ましくも、追加の部品、機能的有機発光層及び／又は追加の薄膜基板は必要とされない。当該発光装置は、透明な導電性酸化物により事前にコーティングされた、ポリマ箔等の可撓性基板又はガラス等の固体基板上に堆積された単一のＯＬＥＤ又はＯＬＥＤの直列若しくは並列回路を有することができる。上記透明の導電性酸化物は、例えば、各ＯＬＥＤの底部発光電極としての及び更なる接続のための導電性材料としてのＩＴＯ又はＡＺＯとすることができる。
ＯＬＥＤのピクセル形状は、受動エレメントを形成するパシベーション・ラッカにより画定される。ＯＬＥＤ回路、即ち発光構造体は、水分及び酸素等の雰囲気成分から、前記湿気／酸素障壁により保護される。斯かる湿気／酸素障壁は、例えばＡｌ２Ｏ３及びＺｒＯ２等からなる、ナノ積層体と呼ばれる薄膜層により設けることができる。同じ薄膜層を、前記コンデンサ構造体の誘電体膜として使用することもできる。このように、ナノ積層体、Ａｌ２Ｏ３又は他の誘電体材料を、コンデンサ構造体の誘電体として、及び発光構造体を湿気及び酸素から保護するための封入層として使用することができる。
上述した実施態様において、当該発光装置は、ＯＬＥＤ等の薄膜封入デバイスへの薄膜型コンデンサ構造体及び薄膜型抵抗の組み込みを行っている。斯かるコンデンサ及び／又は抵抗構造体は、薄膜封入デバイスの上又は下に、即ち湿気／酸素障壁を備えた発光構造体の上又は下に組み込むことができる。斯かる組み込みは、任意の回路へと互いに及び上記薄膜封入デバイスと接続することが可能な１個又は数個のコンデンサ及び／又は抵抗に関するものであり得る。
上記薄膜、特には水分及び酸素に対する防護として使用される薄膜は、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の酸化物若しくは窒化物の混ざり物のない層、又はこれらのナノ積層体としての組み合わせからなることができる。前記封入体は、好ましくは、電気絶縁体として働くものとし、封入された装置を湿気及び酸素から保護する。該薄膜封入体は、ＡＬＤ、ＰＡＬＤ、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、スパッタリング及び他のＰＶＤ技術により処理することができる。前記コンデンサ構造体の誘電体、即ち誘電体膜は、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ペンタセン等の酸化物、窒化物若しくは有機物の混ざり物のない層、又はこれらの高誘電率、高降伏電圧及び小型層構造を示す組み合わせからなることができる。また、該誘電体はＡＬＤ、ＰＡＬＤ、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、スパッタリング及び他のＰＶＤ技術により得ることができる。該誘電体は、熱蒸着、スピンコーティング及び他の印刷方法により得ることもできる。低複雑度の利益のために、誘電体及び薄膜封入体は同一の方法を用いることにより、及び同一の材料系を用いることにより得ることができる。
更に、上述した実施態様において、当該発光装置は、基板上の薄膜封入ＯＬＥＤの、電気フィルタエレメントとして及び導出構造体としての薄膜型コンデンサ構造体及びオプション的抵抗との組み合わせを有している。特に、上記薄膜型コンデンサ構造体の組み込み導出構造体としての使用は、当該発光装置の寸法を減少させる。更に、固有に構造化された材料をコンデンサ構造体の誘電体として使用することは、容量を増加させると同時に、当該発光装置の光放出特性を変化させる。このように、該コンデンサ構造体は、知覚可能な光の変調を低減する、即ちフリッカを減少させる電気フィルタエレメントとして機能すると共に、導出効率及び角度依存的特性を変化させることができ、これにより最小の空間要件及び薄いフォームファクタを維持する。特に、薄膜型コンデンサ構造体はＯＬＥＤデバイス内に組み込まれるので、従来のＯＬＥＤデバイスの嵩張るフィルタエレメントに取って代わることができ、上記コンデンサ構造体の機能は該コンデンサ構造体を前記発光構造体の上又は下に配置することによりアップグレードすることができ、その場合において、透明な、特には半透明の電極を上記コンデンサ構造体のために使用することができ、これらコンデンサ電極の厚さ、前記誘電体層の厚さ、ＯＬＥＤ積層体の厚さ、即ち発光物質の厚さ、発光電極の厚さ及び／又は薄膜封入体の厚さを調整して、光の導出の特性を決定する微小共振器構造体に所望のように影響を与えることができる。従って、当該発光装置は追加の導出構造を必ずしも必要とせず、これによって当該ＯＬＥＤデバイスを製造する努力を低減すると共に、これにより薄いフォームファクタのＯＬＥＤ解決例を可能にする。
前記コンデンサ構造体は、容量又は降伏電圧を増加させると同時に導出構造体として作用させるために、互いに重ねて堆積された幾つかのコンデンサを有することができる。該コンデンサ構造体は、当該ＯＬＥＤの底面若しくは上面発光体としての又は透明デバイスとしての設計に依存して、２つの透明電極又は１つの透明及び１つの不透明で反射性の金属電極を呈することができる。当該コンデンサの透明電極は、ＩＴＯ、ＡＺＯ等の透明な導電性酸化物、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、ＺＴＯ／Ａｌ／ＣＴＯ等の極薄金属膜を備えた多層電極、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の半透明金属薄膜、又はこれらの材料の組み合わせを有する透明電極膜とすることができる。当該コンデンサの誘電体膜及び電極膜は平ら又は波状とすることができる一方、該誘電体膜は均一のものとすることができるか又は母材系に埋め込まれた粒子からなることができる。該コンデンサ構造体の誘電体は、高誘電率、高降伏電圧及び光の導出に対して影響を持つ小型の層構造を実現する、透明な酸化物又は窒化物から形成することができる。特に、該誘電体はＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＴａＯ、他の酸化物又はこれらの材料のナノ積層体（Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＯ２等）から形成することができる。代わりに又は加えて、該誘電体は、光散乱のためにＴｉＯ２及びＣｅＯ２等の酸化物粒子を埋め込んだポリマ等の有機材料を有することもできる。これらのポリマは、高屈折率（high-index）ポリマとすることができる。当該誘電体は有機小分子を有することもできる。
前記薄膜封入体は、前記発光構造体上、並びに前記コンデンサ構造体及び／又は抵抗上で別個に処理することができる。前記誘電体及び透明電極は、ＡＬＤ、ＰＡＬＤ、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、スパッタリング及び他のＰＶＤ技術により並びに熱蒸着、スピンコーティング、他の印刷方法及びこれら技術の組み合わせにより得ることができる。
尚、当業者によれば、請求項に記載された本発明を実施するに際して、図面、開示内容及び添付請求項の精査から、開示された実施態様の他の変形例を理解し実施することができる。
また、請求項において、“有する”なる文言は他の構成要素又はステップを排除するものではなく、単数形は複数を排除するものではない。
また、単一のユニット又は装置は、請求項に記載された幾つかの項目の機能を果たすことができる。また、特定の手段が相互に異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、これら手段の組み合わせが有利に使用することができないということを示すものではない。
また、コンピュータプログラムは、光記憶媒体又は他のハードウェアと一緒に若しくはその一部として供給される固体媒体等の適切な媒体により記憶／分配することができるのみならず、インターネット又は他の有線若しくは無線通信システムを介して等のように他の形態で分配することもできる。
また、請求項における如何なる符号も、当該範囲を限定するものと見なしてはならない。
本発明は、光を発生する発光装置に関するものである。該発光装置は、発光物質を含む発光構造体と、少なくとも２つのコンデンサ電極膜及び該コンデンサ電極膜の間の誘電体膜を含むコンデンサ構造体と、少なくとも上記発光構造体を封入して保護する少なくとも１つの膜を含む膜状封入体とを有する。上記コンデンサ構造体は当該発光装置内に、上記コンデンサ電極膜及び誘電体膜が上記発光構造体に対して少なくとも部分的に平行に配置されるように組み込まれる。上記コンデンサ構造体及び封入体のために膜、特には薄膜が使用され、上記コンデンサ構造体が当該発光装置内に組み込まれるので、該発光装置は相対的に薄くすることができる。
Claims (15)
- 光を発生する発光装置であって、
− 少なくとも２つの発光電極と、これら発光電極の間に配置された発光物質とを含み、前記発光電極に電圧が印加された場合に該発光物質が光を放出する発光構造体と、
− 少なくとも２つのコンデンサ電極膜と、これらコンデンサ電極膜の間の誘電体膜とを含み、当該発光装置内に前記コンデンサ電極膜及び前記誘電体膜が前記発光構造体に対して少なくとも部分的に平行に配置されるように組み込まれたコンデンサ構造体と、
− 少なくとも１つの膜を有し、該少なくとも１つの膜が少なくとも前記発光物質を保護するために少なくとも該発光物質を封入する膜状封入体と、
を有する、発光装置。 - 前記コンデンサ構造体が前記膜状封入体の膜により形成されるように、前記コンデンサ構造体が前記膜状封入体内に組み込まれる、請求項１に記載の発光装置。
- 前記誘電体膜が酸化物又は窒化物の少なくとも一方を有する、請求項１に記載の発光装置。
- 前記膜状封入体が前記発光構造体を湿気及び酸素から保護する第１湿気／酸素障壁を有する、請求項１に記載の発光装置。
- 前記第１湿気／酸素障壁及び前記誘電体膜が同一の材料から形成される、請求項４に記載の発光装置。
- 前記膜状封入体が、少なくとも前記コンデンサ構造体を湿気及び酸素から保護する第２湿気／酸素障壁を更に有する、請求項１に記載の発光装置。
- 前記第２湿気／酸素障壁及び前記誘電体膜が同一の材料から形成される、請求項６に記載の発光装置。
- 前記発光構造体及び前記コンデンサ構造体に電気的に接続された抵抗を更に有する、請求項１に記載の発光装置。
- 前記コンデンサ構造体が、放出される光に影響を与える、請求項１に記載の発光装置。
- 前記コンデンサ構造体が、放出される光に対して少なくとも部分的に透明であり、放出される光が該発光装置を出射する前に前記透明なコンデンサ構造体の少なくとも一部を横切るように構成される、請求項９に記載の発光装置。
- ａ）前記コンデンサ電極膜の少なくとも１つと、ｂ）前記誘電体膜とのうちの少なくとも一方が光に影響を与えるために構造化される、請求項９に記載の発光装置。
- 請求項１に記載の発光装置を使用することにより光を発生する発光方法であって、
− 前記少なくとも２つの発光電極の間に配置された前記発光物質に前記発光電極を介して電圧を印加するステップであって、前記少なくとも２つのコンデンサ電極膜と該コンデンサ電極膜の間の前記誘電体膜とを含む前記コンデンサ構造体が前記印加される電圧の可能性のある変動を低減し、前記発光装置内に前記コンデンサ電極膜及び前記誘電体膜が前記発光構造体に対して少なくとも部分的に平行に配置されるように前記コンデンサ構造体が組み込まれており、少なくとも前記発光物質が、少なくとも該発光物質を保護する前記膜状封入体を設けるための前記少なくとも１つの膜により封入されているステップと、
− 前記印加される電圧に応答して前記発光物質により光を放出するステップと、
を有する、発光方法。 - 光を発生する発光装置を製造する製造方法であって、
− 少なくとも２つの発光電極と、これら発光電極の間に配置された発光物質とを含む発光構造体を準備するステップであって、前記発光電極に電圧が印加された場合に前記発光物質が光を放出するステップと、
− 少なくとも２つのコンデンサ電極膜と、これらコンデンサ電極膜の間の誘電体膜とを含むコンデンサ構造体を準備するステップであって、該コンデンサ構造体が前記発光装置内に、前記コンデンサ電極膜及び前記誘電体膜が前記発光構造体に対して少なくとも部分的に平行に配置されるように組み込まれるステップと、
− 少なくとも前記発光物質を、少なくとも該発光物質を保護する膜状封入体を設けるための少なくとも１つの膜により封入するステップと、
を有する、製造方法。 - 前記誘電体膜が、原子層堆積法、プラズマ増強原子層堆積法、化学蒸着法、プラズマ増強化学蒸着法、スパッタリング法及び気相蒸着法のうちの少なくとも１つにより設けられる、請求項１３に記載の製造方法。
- 光を発生する発光装置を製造する製造装置であって、
− 少なくとも２つの発光電極と、これら発光電極の間に配置された発光物質とを含む発光構造体を準備する発光構造体準備ユニットであって、前記発光電極に電圧が印加された場合に前記発光物質が光を放出する前記発光構造体準備ユニットと、
− 少なくとも２つのコンデンサ電極膜と、これらコンデンサ電極膜の間の誘電体膜とを含むコンデンサ構造体を準備するコンデンサ構造体準備ユニットであって、前記コンデンサ構造体を前記発光装置内に、前記コンデンサ電極膜及び前記誘電体膜が前記発光構造体に対して少なくとも部分的に平行に配置されるように組み込む前記コンデンサ構造体準備ユニットと、
− 少なくとも前記発光物質を保護するために少なくとも該発光物質を封入する少なくとも１つの膜を有する膜状封入体を準備する膜状封入体準備ユニットと、
を有する、製造装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201261593887P | 2012-02-02 | 2012-02-02 | |
| US61/593,887 | 2012-02-02 | ||
| PCT/IB2013/050470 WO2013114244A1 (en) | 2012-02-02 | 2013-01-18 | Light apparatus for generating light |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015510670A true JP2015510670A (ja) | 2015-04-09 |
| JP2015510670A5 JP2015510670A5 (ja) | 2016-03-03 |
Family
ID=47790280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014555349A Pending JP2015510670A (ja) | 2012-02-02 | 2013-01-18 | 光を発生する発光装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9312314B2 (ja) |
| EP (1) | EP2810316B1 (ja) |
| JP (1) | JP2015510670A (ja) |
| CN (1) | CN104094437A (ja) |
| WO (1) | WO2013114244A1 (ja) |
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- 2013-01-18 US US14/373,369 patent/US9312314B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-18 JP JP2014555349A patent/JP2015510670A/ja active Pending
- 2013-01-18 EP EP13707445.6A patent/EP2810316B1/en not_active Not-in-force
- 2013-01-18 CN CN201380007667.8A patent/CN104094437A/zh active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2810316A1 (en) | 2014-12-10 |
| US20140339530A1 (en) | 2014-11-20 |
| EP2810316B1 (en) | 2016-09-21 |
| US9312314B2 (en) | 2016-04-12 |
| WO2013114244A1 (en) | 2013-08-08 |
| CN104094437A (zh) | 2014-10-08 |
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