HU183831B - Electroluminescent thin-layer construction - Google Patents

Electroluminescent thin-layer construction Download PDF

Info

Publication number
HU183831B
HU183831B HU82541A HU54182A HU183831B HU 183831 B HU183831 B HU 183831B HU 82541 A HU82541 A HU 82541A HU 54182 A HU54182 A HU 54182A HU 183831 B HU183831 B HU 183831B
Authority
HU
Hungary
Prior art keywords
layer
protective layer
additional
titanium oxide
thickness
Prior art date
Application number
HU82541A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Jorma O Antson
Sven G Linfors
Arto J Pakkala
Jarmo Skarp
Tuomo S Suntola
Markku Ylilammi
Original Assignee
Lohja Ab Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lohja Ab Oy filed Critical Lohja Ab Oy
Publication of HU183831B publication Critical patent/HU183831B/hu

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
    • Y10T428/24975—No layer or component greater than 5 mils thick
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

A találmány elektrolumineszcens vékonyréteg szerkezetre vonatkozik, amely — legalább egy — például üvegből készült — szubsztrátrétegből, — legalább egy első elektródrétegből, — legalább egy, az első elektródrétegtől bizonyos távolságra elhelyezkedő második elektródrétegből, — az első és a második elektródréteg között elhelyezkedő lumineszcensrétegből és — az áram korlátozására és kémiai védelemre szolgáló, az elektródrétegek és a lumineszcensréteg közé elhelyezett további rétegszerkezetekből áll.
Az elektrolumineszcencia jelensége az 1930-as évektől ismert. Az, hogy a jelenség gyakorlati felhasználására hosszú ideig mégsem került sor, főként azzal magyarázható, hogy az elektrolumineszcens szerkezetek élettartama és megbízhatósága nem felelt meg a gyakorlati követelményeknek. A vékonyréteg elektrolumineszcens elemeket az 1960-as évek elejétől tanulmányozzák intenzívebben. Az alapvizsgálatokat cink-szulfidon végezték, amelyből vákuum párologtatással készítettek vékonyrétegeket. A cink-szulfid nagy tilossáv szélességű félvezető anyag (tilossáv szélesség: kb. 4 eV), amelynek viszonylag alacsony a fajlagos vezetőképessége (»ΙΟ9 Ω cm).
Az elektrolumineszcencia kiváltásához megfelelő aktivátorokra van szükség a cink-szulfid anyagban, és bizonyos nagyságú áramot kell az anyagon átfolyatni. A nemötvözött cink-szulfid esetében igen nagy elektromos térre van szükség ahhoz, hogy megfelelő áramsűrűséget érjünk el (106 V/cm nagyságrend). Ilyen elektromos tér rákapcsolása’tgy vékonyrétegre megköveteli, hogy a cink-szulfid anyag elektromosan és szerkezetileg igen homogén legyen. Miután azonban a cink-szulfid vezetőképessége nő a hőmérséklet emelkedésével, a szóban forgó nagy térerő hatása alatt a cink-szulfid vékonyréteg nagyon érzékeny az úgynevezett termikus letörésre. Termikus letörésre akkor kerül sor, amikor az áramsűrűség az anyag egy bizonyos pontján megnő, és az adott ponton extra hő fejlődik ki. A hőmérséklet emelkedése ugyanis megnöveli a szóban forgó pont vezetőképességét, ami pozitív visszacsatolásként ismét az áram megnövekedéséhez vezet.
A gyakorlatban az ötvözetlen cink-szulfid alapú szerkezetek önmagukban nem bizonyultak megfelelőnek. Ezért, lényeges javításként, olyan szerkezetet javasoltak [W. J. Harper, J. Elektrochem, Soc., 109, 103 (1962)], amelyben a termikus letörést sorosan kötött impedanciákkal akadályozták meg, ily módon korlátozva a cink-szulfid rétegen keresztülfolyó áramot. Miután a szóban forgó soros impedancia kapacitív, általában AC lumineszcens szerkezetről beszélünk ilyen esetben. Ha a szóban forgó soros impedancia ellenállás jellegű, direkt áramfolyást is megengedünk a rendszerben, és ilyenkor DC lumineszcens szerkezetről beszélhetünk.
A gyakorlatban a vékonyréteg szerkezetek közül az AC szerkezet jobb eredményt nyújtott, mint a DC szerkezet, mind az optikai viselkedés, mint az élettartam tekintetében . A korábban ismert módszerek közül az AC szerkezetre a legjobb megoldást a Sharp Corporation (T. Inoguchi és mtsai., Journal of Electronic Engineering, 1974. okt. 44) dolgozta ki. Ez az úgynevezett kettős szigetelő szerkezet volt [M. J. Russ, D. I. Kennedy, J. Elektrochem. Soc., 114, 1066 (1967)], amelyben a cink-szulfid réteg mindkét oldalán dielektromos réteg van. A kettős szigetelő szerkezet hátránya, hogy a két szigetelőn maradó feszültség növeli a teljes szerkezet működési feszültségét. A nagy működési feszültség pedig, különösen az elektrolumineszcens elemet szabályozó elektronika szempontjából hátrányos.
Találmányunk azon a megfigyelésen alapul, hogy az elektrolumineszcens eszközök élettartalma nagymértékben függ a cink-szulfid és az elektródák vagy az elektródákon kívüli anyagok kémiai kölcsönhatásaitól. Egy elektrolumineszcens szerkezetben ennek következtében a szigetelés funkciója nem csak az elektromos átütést megakadályozása, hanem az is, hogy gátolja a cink-szulfid és környezete közötti kémiai kölcsönhatást. Ezt a szerepet a legtöbb dielektromos anyag be tudja tölteni, az ionok kis mozgékonysága következtében. A kettősszigetelő szerkezetekkel elért viszonylag jó eredmények az üzemeltetés során elért élettartammal kapcsolatban elsősorban annak a körülménynek tulajdoníthatók, hogy az áramkorlátozására beiktatott szigetelőrétegek kémiai gátként is működnek a cink-szulfid és környezete között.
A találmány szerinti szerkezet azon az elgondoláson alapul, hogy a kémiai gát és az áramkorlátozás funkciói elkülöníthetők egymástól, minek következtében a kémiai védelem önmagában feszültségveszteség nélkül létrehozható, más szóval, a kémiai védelem megoldható egy olyan anyaggal, amelynek elektromos vezetőképessége lényegesen nagyobb, mint az áramkorlátozó elektromos vezetőképessége.
Közelebbről, a találmány szerinti szerkezetet az jellemzi, hogy — mindkét elektród réteg és a lumineszcensréteg közé egy első és egy második további réteget helyezünk el, amelyek .feladata a kémiai védelem ellátása, és — egy az áram korlátozására szolgáló, harmadik további réteget helyezünk el, általában csak a második elektródréteg és a lumineszcensréteg közé.
Más szóval, a találmány szerinti elektrolumineszcens szerkezetet az jellemzi, hogy a cink-szulfid mindkét oldalán kémiai gátként funkcionáló réteg van, míg az áram korlátozására csak egyik oldalon kerül sor, vagy különálló ellenállás vagy dielektromos réteg formájában, vagy a kémiai gátként szolgáló anyagba integrálódott réteg formájában.
A találmány szerinti szerkezet egy előnyös kiviteli alakja szerint a lumineszcensrétegnek legalább az egyik oldalára egy meglehetősen vékony további szigetelőréteget helyezünk, amely átmeneti rétegként funkcionál.
A találmány szerinti szerkezet egy további előnyös kiviteli alakját az jellemzi, hogy a lumineszcensréteget egyik oldalon egy elektromosan szigetelő kémiai védőréteggel látjuk el, míg a másik oldalon egy meglehetősen vékony további szigetelőréteg, amely átmeneti rétegként szolgál, és egy elektromosan vezető kémiai védőréteg kombinációját építjük ki.
A felsorolt megoldások segítségével jelentős előnyök érhetők el. így a vezető védőréteg és az áram korlátozó réteg elválasztásával lehetővé vált az elektrolumineszcens szerkezet leegyszerűsítése. Egy igen vékony alumínium-oxid réteg kialakításával a lumineszcensréteg egyik felületén pedig elértük, hogy jó fényemissziót kapjunk, függetlenül az áram pillanatnyi irányától. Más szóval, a további réteg beiktatásával a fényemisszió szimmetriáját sikerült biztosítani a lumineszcens szerkezetben. A találmány szerinti szerkezet a változtatások ellenére mind AC, mind DC üzemmódban üzemeltethető.
Találmányunkat a következőkben a csatolt rajzok szerinti speciális kiviteli alakok segítségével szemléltetjük.
183 831
Az 1—5. ábrák a találmány szerinti elektrolumineszcens szerkezet különféle lehetséges kiviteli alakjainak sematikus, keresztmetszeti képei.
A 6. ábra a 4. ábrán bemutatott szerkezet AC feszültségfényesség görbéjét mutatja.
A 7. ábra a 4. ábrán bemutatott szerkezet izzítási és roncsolási feszültségét mutatja a védőréteg vastagságának függvényében.
A 8. ábra egy találmány szerinti szerkezet DC feszültségfényesség görbéjét szemlélteti.
Az 1. ábra egy olyan találmány szerinti elektrolumineszcens szerkezetet mutat, amely legegyszerűbb formájában AC üzemeltetésre készül. A szerkezetben egy 1 szubsztrát rétegre, amely például üveg lehet, egymás után egy első 2 elektródréteget, egy első elektromosan vezető kémiai 3 védőréteget, egy első kémiai 4 védőréteget, amely dielektromos anyagból készült, egy meglehetősen vékony további 5 szigetelőréteget, amely átmeneti rétegként funkcionál, egy 6 lumineszcensréteget, egy további 7 szigetelőréteget, egy második dielektromos 8 védőréteget, egy második vezető 9 védőréteget, és egy 10 második elektródréteget viszünk fel. Szaggatott vonalakkal egy Γ szubsztrátréteget ábrázolunk, amelyet kívánt esetben a szerkezet másik oldalán is kiépíthetünk.
A 3 és 4 védőrétegből álló, első további rétegszerkezet, és a 8 és 9 védőrétegből álló, második további rétegszerkezet a kémiai védelemre szolgál. A 4 és 8 védőrétegek, amelyek az első és második további rétegszerkezet belső részét alkotják, az áram korlátozását célozzák.
A 2. ábrán bemutatott szerkezet hasonló az 1. ábrán bemutatotthoz, azzal a különbséggel, hogy nem tartalmazza az első dielektromos 4 védőréteget.
A 3. ábra hasonlít a 2. ábra szerinti szerkezethez, azzal az eltéréssel, hogy nem tartalmazza a második védő-vezető réteget.
A 4. ábrán bemutatott szerkezet hasonlít a 3. ábra szerinti szerkezethez, azzal az eltéréssel, hogy itt hiányzik a második további 7 szigetelőréteg.
Az 5. ábrán bemutatott szerkezet hasonlít a 4. ábrán bemutatott szerkezethez, azzal az eltéréssel, hogy itt az első további 5 szigetelőréteg is hiányzik.
A következőkben részletesebben a 4. ábra szerinti szerkezetet vizsgáljuk, mert ezen az optimális megoldás egy lehetséges módozata jól bemutatható. Az anyagot megválasztása és a használt dimenziók azonban az 1—3. és az 5. ábra szerinti szerkezetekre is alkalmazhatók.
A 4. ábra szerinti szerkezetben egy dielektromos anyagból készült védőréteget (az 1. ábrán a 4 védőréteg) egy elektromosan vezető kémiai 3 védőréteggel.
Másrészt, a 8 védőrétegben használt vegyes szigetelő, a tantál-titán-oxid (TTO) elektromos szigetelésre és úgynevezett áramkorlátozó rétegként egyaránt szolgál, ugyanakkor a felső kémiai védőréteg szerepét is betölti.
A 3 védőrétegben használt titán-oxid, amely megfelelő elektromos vezetőképességgel rendelkezik, az alsó 2 elektróda és a 6 lumineszcens rétegben levő cink-szulfid kémiai elválasztására szolgál. A titán-oxid és a cink-szulfid között egy nagyon vékony alumínium-oxidból készült 5 szigetelőréteg helyezkedik el, amely bizonyos tulajdonságainál fogva javítja a lumineszcenciát, de ugyanakkor az elektromos védelemben kifejtett szerepe csekély.
Miután az áram korlátozó réteget és a vezető kémiai védőréteget ily módon elválasztottuk egymástól, a különböző rétegvastagságok külön-külön a két tulajdonság szempontjából optimizálhatók.
A 6. ábra egy jellegzetes feszültség fényesség görbét mutat . A görbéből megállapítható, hogy a működési feszültség 100 Vp alatti szintre csökkent. A jó áramkorlátozás következtében a feszültség a széleken igen magas. A gyorsított élettartam-vizsgálatok szerint a kémiai stabilitás jó.
A 3,5,6, és 8 rétegeket úgynevezett ALE (Atomié Layer Epitaxy = atomos réteg epitaxia) módszerrel alakítottuk ki. Az indium-ón-oxid (ITO) rétegeket (a 2 és 10) reaktív porlasztással növesztettük.
Az 1 szubsztrátréteg akár közönséges szóda-mész üveg, nátrium-mentes üveg, például Corning 7059 üveg lehet.
A szubsztrát mellett egy áttetsző vezető réteg, például indium-ón-oxid (ITO) réteg van (2).
A 3 védőréteg titán-oxidból (TiCh) készül. A réteg fajlagos ellenállása ΙΟ3—105 Ohm-cm. Ez olyan szerkezetekben, amelyekben az alsó 2 elektródaréteg az ITO réteg, a titán-oxid réteg vastagságát 100 nm alá korlátozza. Ez arra vezethető vissza, hogy kívánatos, hogy a laterális vezetést alacsony szinten tartsuk, annak érdekében, hogy az alsó ábra széle éles maradjon. Ha az alsó vezető 2 elektródaréteg integrált megoldású, ez a követelmény nem érvényes, mert az ábra pontosságát a felső vezető 10 elektródaréteg határozza meg.
A titán-oxid meglehetősen jó vezetőképességéből következik, hogy nem marad feszültség a filmen, ami bizonyos előnnyel jár. Az 1 szubsztrát üvegből diffundáló szennyezések nem befolyásolják a titán-oxid elektromos tulajdonságait, a szigetelőrétegtől eltérően. Ugyancsak nem mutat a titán-oxid az elektromos teret elősegítő diffúziót.
A titán-oxid kémiailag nagyon stabil, például kémiai marása igen nehéz.
A 6 lumineszcens, illetve a 3 védőréteget alkotó cinkszulfid és titán-oxid rétegek között egy nagyon vékony alumínium-oxid5 szigetelőréteg helyezkedik el. Ez a réteg három funkciót lát el: stabil szubsztrátot alkot a einkszulfid növesztéséhez, ugyanakkor jól gátolja az injekciót, végül megakadályozhatja az alacsony energiájú elektronok haladását a szerkezetben.
Az alumínium-oxid szigetelőanyag is, amely növeli a szerkezet működési feszültségét. Ezért kell az alumíniumoxid réteget a lehető legvékonyabbra kialakítani, ügyelve azonban, hogy egyéb jó tulajdonságai megmaradjanak.
Az aktív 6 lumineszcens réteg mangánnal ötvözött cinkszulfid. A cink-szulfid réteg vastagsága meghatározza az izzási feszültséget és, AC üzemmódban, a maximális fényességet is. A cink-szulfid réteg vastagságának növelésével e két faktor mindegyike nő.
Ha figyelembe vesszük a megadott szempontokat, a cink-szulfid réteg vastagságának megválasztásánál kompromisszumra van szükség. Úgy találjuk, hogy az optimális vastagság 300 nm körül van.
Közvetlenül a cink-szulfid rétegen egy tantál-oxid réteg van. Ennek jelölésére a TTO jelölést használjuk.
A TTO réteget 2:1 arány mellett alakítottukki. Kísérleteket folytattunk más arányokkal is. A határ, amelynél a TTO Ta2Üs típusú szigetelőből T1O2 nemszigetelő anyaggá alakul , igen éles. Ha a határ egyik oldalán maradunk, az előállítási eljárás során használt arány nincs észlelhető hatással a réteg tulajdonságaira.
A TTO igen hasonló a Ta2Os-hoz. A TTO dielektromos állandója 1 kHz frekvenciánál 20. A TTO átütési feszültsége 7 MV cnr1. Ez a érték megegyezik a TaiCb réteg esetében mért értékkel. Amikor azonban vékonyréteg szerkezetekről van szó, az anyag tömb tulajdonságain kívül más körülmények is befolyásolják az át3
183 831 ütési frekvenciát. Általában a réteg teljes átütés előtti roncsolódásáért például a kristályosodási tulajdonságok felelősek. Ebben a tekintetben a TTO réteg eltér a Ta2Ű5 vékonyrétegtől.
Ha a TTO réteget áramkorlátozásra használjuk a lumineszcens szerkezetben, a működési feszültség érdekes jelleget mutat. A 7. ábra egy a 4. ábra szerinti szerkezet izzási feszültségét és roncsolási feszültségét mutatja a TTO réteg vastagságának függvényében. Az hogy a rendszer jól tolerálja a növekvő feszültséget, a szerkezet megbízhatóságát igazolja.
A találmány keretein belül a fentiekben részletezett, speciális kiviteli alakokon kívül egyéb megoldási lehetőségek is léteznek. így a TTO réteg a cink-szulfid anyagú 6 lumineszcensréteg alatt is elhelyezhető, vagy megosztható, és a cink-szulfid réteg két oldalán helyezhető el. Az utóbbi esetbén azonban a szigetelőréteg vastagsága nem lehet az egyoldalas szigetelésnél használt vastagság fele, mert a tűlyukak sűrűsége egy szigetelőben erősen függ a réteg vastagságától. Ha a réteget vékonyítjuk, nő a tűlyukak száma. Ha elektromos határt akarunk tartani, a kétoldalú szigetelés vastagsága duplája az egyoldalú szigetelés vastagságának. Ez ismét növeli a működési feszültséget.
A TTO réteg tetejére titán-oxid réteget is helyezhetünk, ha a kémiai tartósságot kívánjuk növelni.
A cink-szulfid és a TTO rétegek között AI2O3 anyagú 5 szigetelőréteg is kialakítható. Bizonyos esetekben az AI2O3 réteg el is hagyható (5. és 6. ábrák).
További lehetőségként megemlítjük, hogy a szigetelő 8 védőréteg bárium-titán-oxidból (BaxTiyOz) vagy ólomtitán-oxidból (PbTiO3) is készülhet.
A dielektromos védőréteg vastagsága például 100 és 300 nm között, előnyösen 50 nm körül lehet.
A vezető 3 védőréteg ón-oxidból is készülhet (SnO2).
A vezető 3 védőréteg vastagsága 50—100 nm, előnyösen körülbelül 70 nm.

Claims (10)

  1. A további 5 (vagy 7) szigetelőréteg, amely átmeneti rétegként szolgál, tantál-titán-oxidból is készülhet, és vastagsága például 5—100 nm, előnyösen mintegy 20 nm.
    Az eddigiekben a találmány szerinti szerkezetet elsősorban AC üzemmódban tanulmányoztuk. Meg kell azonban jegyezni, hogy a találmány szerinti szerkezet DC feszültséggel is működtethető. Ez feltételezi, hogy az áramot limitáló réteg vagy rétegek ellenállás jellegűek.
    A következőkben a 4. ábra szerinti szerkezetet DC üzemmódot feltételezve elemezzük. Ebben az esetben az 1,2,3, 5 és 6 rétegek azonosak lehetnek a korábban elmondottakkal. Az ellenállás jellegű 8 védőréteg tantál-titán-oxidból is készülhet, amint már említettük, és vastagsága például 200—300 nm, előnyösen mintegy 250 nm lehet.
    Második alternatívaként megemlítjük, hogy a kémiai védőréteg ellenállás jellegű anyaga Ta2Os, amelynek vastagsága 50—1000 nm, előnyösen mintegy 100 nm.
    A 10 második elektródaréteg alumíniumból készülhet.
    A 8. ábrán a fenti szerkezet feszültség-fényesség görbéjét mutatjuk be, 1 kHz-en, 10%-os DC impulzusokkal mérve.
    — legalább egy, az első elektródrétegtől (2) adott távolságra elhelyezkedő második elektródrétegből (10), — az első (2) és a második elektródaréteg (10) közé elhelyezett lumineszcensrétegből (6) és — az elektróda rétegek (2 és 10) és a lumineszcensréteg (6) közé elhelyezett további rétegszerkezetekből (3 — 5,7 — 9) áll, amelyek az áram korlátozására és kémiai védelemre szolgálnak, azzaljellemezve, hogy — a két elektródaréteg (2 és 10) és a lumineszcensréteg (10) között egy kémiai védelemre szolgáló első és második további védőréteg (3, 4 ill. 8, 9) helyezkedik el, és — az áram korlátozására szolgáló harmadik további védőréteg (4,8) a második elektróda réteg (10) és a lumineszcens réteg (6) között helyezkedik el.
  2. 2. Az 1. igénypont szerinti elektrolumineszcens szerkezet, azzal jellemezve, hogy a harmadik további védőréteg (4, 8) az első (3, 4) és/vagy a második további réteg (8, 9) részét képezi.
  3. 3. Az 1. igénypont szerinti elektrolumineszcens szerkezet, azzal jellemezve, hogy a harmadik további védőréteg (8) külön, dielektromos anyagból, előnyösen tantál-titáncxidból (TTO), bárium-titán-oxidból (BaxTiyOz) vagy ólom-titán-oxidból (PbTiO3) készült kémiai védőréteg, és a réteg vastagsága 100—1000 nm, előnyösen 200 nm.
  4. 4. Az 1. igénypont szerinti elektrolumineszcens szerkezet, azzal jellemezve, hogy az első további védőréteg (3) egy elektromosan vezető anyagból, például TiO2-ból vagy SnO2-ból készült külön kémiai védőréteg (3), amelynek vastagsága 50 — 1000 nm.
  5. 5. Az 1. igénypont szerinti elektrolumineszcens szerkezet, azzal jellemezve, hogy az elektrolumineszcens réteg (6) legalább egyik oldalán egy AhO3-ból vagy tantál-titánoxidból (TTO) álló és átmeneti rétegként működő vékony további szigetelőréteg (5 és 7) van.
  6. 6. A 4. igénypont szerinti elektrolumineszcens szerkezet, amelyben a vezető védőréteg (3) TiO2-ból készült, azzal jellemezve, hogy a védőréteg (3) vastagsága 50—100 nm, előnyösen 70 nm.
  7. 7. Az 5. igénypont szerinti elektrolumineszcens szerkezet, azzal jellemezve, hogy a további szigetelőrétegek (5,7) vastagsága 5—100 nm, előnyösen 20 nm.
  8. 8. A 3. és 5.-7. igénypontok bármelyike szerinti elektrolumineszcens szerkezet, amelyben a dielektromos védőréteg (8) tantál-titán-oxidból (TTO) áll, azzal jellemezve, hogy a dielektromos védőréteg (8) és a lumineszcensréteg (6) között egy átmeneti rétegként funkcionáló vékony AhO3 szigetelőréteg (5) van.
  9. 9. A 3—7. igénypontok bármelyike szerinti elektrolumineszcens szerkezet, azzal jellemezve, hogy a vezető védőréteg (3) és a lumineszcensréteg (6) között egy további átmeneti rétegként funkcionáló szigetelő réteg (5) van.
  10. 10. Az 1. igénypont szerinti elektrolumineszcens szerkezet , azzal jellemezve, hogy a harmadik további rétegszerkezet egy ellenállás jellegű anyagbólkészült külön kémiai védőréteg (8), így például Ta2O3 vagy tantál-titán-oxid (TTO), ahol a (8) réteg vastagsága 50—1000 nm, előnyösen 100 — 300 nm.
    Szabadalmi igénypontok
    1. Elektrolumineszccns vékonyréteg szerkezet, amely — legalább egy — előnyösen üvegből készült — szubsztrátrétegből (1),
HU82541A 1981-02-23 1982-02-23 Electroluminescent thin-layer construction HU183831B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI810547A FI61983C (fi) 1981-02-23 1981-02-23 Tunnfilm-elektroluminensstruktur

Publications (1)

Publication Number Publication Date
HU183831B true HU183831B (en) 1984-06-28

Family

ID=8514160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HU82541A HU183831B (en) 1981-02-23 1982-02-23 Electroluminescent thin-layer construction

Country Status (10)

Country Link
US (1) US4416933A (hu)
JP (1) JPS57154794A (hu)
AU (1) AU554467B2 (hu)
BR (1) BR8200944A (hu)
DD (1) DD202364A5 (hu)
DE (1) DE3204859A1 (hu)
FI (1) FI61983C (hu)
FR (1) FR2500333B1 (hu)
GB (1) GB2094059B (hu)
HU (1) HU183831B (hu)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5871589A (ja) * 1981-10-22 1983-04-28 シャープ株式会社 薄膜ｅｌ素子
US4482841A (en) * 1982-03-02 1984-11-13 Texas Instruments Incorporated Composite dielectrics for low voltage electroluminescent displays
FI64878C (fi) * 1982-05-10 1984-01-10 Lohja Ab Oy Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer
WO1983004339A1 (en) * 1982-05-28 1983-12-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film electric field light-emitting device
JPS59201392A (ja) * 1983-04-28 1984-11-14 アルプス電気株式会社 分散型エレクトロルミネツセンス素子の製造方法
JPS6074384A (ja) * 1983-09-30 1985-04-26 松下電器産業株式会社 薄膜発光素子
EP0141116B1 (en) * 1983-10-25 1989-02-01 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film light emitting element
JPS60182692A (ja) * 1984-02-29 1985-09-18 ホ−ヤ株式会社 薄膜ｅｌ素子とその製造方法
US4698627A (en) * 1984-04-25 1987-10-06 Energy Conversion Devices, Inc. Programmable semiconductor switch for a light influencing display and method for making same
US4963441A (en) * 1984-05-24 1990-10-16 Shiga Prefecture Light-storing glazes and light-storing fluorescent ceramic articles
JPS6113595A (ja) * 1984-06-28 1986-01-21 シャープ株式会社 薄膜ｅｌ素子
JPS6130994U (ja) * 1984-07-28 1986-02-25 アルプス電気株式会社 透明電極シ−ト
US4603280A (en) * 1984-10-30 1986-07-29 Rca Corporation Electroluminescent device excited by tunnelling electrons
US4717858A (en) * 1985-01-22 1988-01-05 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film electroluminescence device
US4719385A (en) * 1985-04-26 1988-01-12 Barrow William A Multi-colored thin-film electroluminescent display
US4880475A (en) * 1985-12-27 1989-11-14 Quantex Corporation Method for making stable optically transmissive conductors, including electrodes for electroluminescent devices
US4748375A (en) * 1985-12-27 1988-05-31 Quantex Corporation Stable optically transmissive conductors, including electrodes for electroluminescent devices, and methods for making
US4794302A (en) * 1986-01-08 1988-12-27 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Thin film el device and method of manufacturing the same
US4725344A (en) * 1986-06-20 1988-02-16 Rca Corporation Method of making electroluminescent phosphor films
JPS63184287A (ja) * 1986-09-25 1988-07-29 株式会社日立製作所 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法
JPS63224190A (ja) * 1987-03-12 1988-09-19 株式会社日立製作所 Ｅｌ素子
JPH0793196B2 (ja) * 1987-03-25 1995-10-09 株式会社日立製作所 Ｅｌ素子およびその製造法
US5229628A (en) * 1989-08-02 1993-07-20 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Electroluminescent device having sub-interlayers for high luminous efficiency with device life
US5432015A (en) * 1992-05-08 1995-07-11 Westaim Technologies, Inc. Electroluminescent laminate with thick film dielectric
KR100279591B1 (ko) * 1993-12-14 2001-02-01 구자홍 전계발광소자 제조방법
US5796120A (en) * 1995-12-28 1998-08-18 Georgia Tech Research Corporation Tunnel thin film electroluminescent device
US5698262A (en) * 1996-05-06 1997-12-16 Libbey-Owens-Ford Co. Method for forming tin oxide coating on glass
US6054809A (en) * 1996-08-14 2000-04-25 Add-Vision, Inc. Electroluminescent lamp designs
US6011352A (en) * 1996-11-27 2000-01-04 Add-Vision, Inc. Flat fluorescent lamp
WO1999004407A2 (en) * 1997-07-21 1999-01-28 Fed Corporation Current limiter for field emission structure
US6771019B1 (en) * 1999-05-14 2004-08-03 Ifire Technology, Inc. Electroluminescent laminate with patterned phosphor structure and thick film dielectric with improved dielectric properties
BE1012802A3 (fr) * 1999-07-28 2001-03-06 Cockerill Rech & Dev Dispositif electroluminescent et son procede de fabrication.
US6221712B1 (en) * 1999-08-30 2001-04-24 United Microelectronics Corp. Method for fabricating gate oxide layer
US6503330B1 (en) 1999-12-22 2003-01-07 Genus, Inc. Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition
US6551399B1 (en) 2000-01-10 2003-04-22 Genus Inc. Fully integrated process for MIM capacitors using atomic layer deposition
US6617173B1 (en) 2000-10-11 2003-09-09 Genus, Inc. Integration of ferromagnetic films with ultrathin insulating film using atomic layer deposition
US20030190424A1 (en) * 2000-10-20 2003-10-09 Ofer Sneh Process for tungsten silicide atomic layer deposition
US6674234B2 (en) * 2000-12-01 2004-01-06 Electronics And Telecommunications Research Institute Thin film electroluminescent device having thin-film current control layer
EP1457094B1 (en) * 2001-12-20 2006-10-11 iFire Technology Corp. Stabilized electrodes in electroluminescent displays
KR100888470B1 (ko) * 2002-12-24 2009-03-12 삼성모바일디스플레이주식회사 무기 전계발광소자
WO2004073046A2 (en) * 2003-02-14 2004-08-26 On International, Inc. Compounds and solid state apparatus having electroluminescent properties
JP5355076B2 (ja) * 2005-04-15 2013-11-27 アイファイアー・アイピー・コーポレーション 誘電厚膜エレクトロルミネッセンスディスプレイ用の酸化マグネシウム含有障壁層
US7582161B2 (en) 2006-04-07 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited titanium-doped indium oxide films
RU177746U1 (ru) * 2015-07-23 2018-03-12 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук" (УдмФИЦ УрО РАН) Электролюминесцентное светоизлучающее устройство

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3133222A (en) * 1961-04-19 1964-05-12 Westinghouse Electric Corp Electroluminescent device and method
US3313652A (en) * 1963-05-03 1967-04-11 Westinghouse Electric Corp Method for making an electroluminescent device
US3315111A (en) * 1966-06-09 1967-04-18 Gen Electric Flexible electroluminescent device and light transmissive electrically conductive electrode material therefor
DE2260205C3 (de) * 1972-12-08 1979-11-08 Institut Poluprovodnikov Akademii Nauk Ukrainskoj Ssr, Kiew (Sowjetunion) Elektrolumineszenz-Anordnung
JPS5312290A (en) * 1976-07-21 1978-02-03 Teijin Ltd Partly light transmissive photoconductive sheet
GB1543233A (en) * 1976-08-23 1979-03-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electroluminescent display devices
US4188565A (en) * 1977-09-16 1980-02-12 Sharp Kabushiki Kaisha Oxygen atom containing film for a thin-film electroluminescent element
JPS5824915B2 (ja) * 1977-10-11 1983-05-24 シャープ株式会社 薄膜ｅｌ素子
JPS55113295A (en) * 1979-02-23 1980-09-01 Fujitsu Ltd El indicator
JPS5947879A (ja) * 1982-09-10 1984-03-17 Pioneer Electronic Corp 画像処理方式

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0158639B2 (hu) 1989-12-12
DE3204859A1 (de) 1982-09-09
US4416933A (en) 1983-11-22
FI61983B (fi) 1982-06-30
AU554467B2 (en) 1986-08-21
FR2500333B1 (hu) 1986-08-22
DD202364A5 (de) 1983-09-07
AU8045082A (en) 1982-09-02
FI61983C (fi) 1982-10-11
JPS57154794A (en) 1982-09-24
GB2094059B (en) 1985-01-03
GB2094059A (en) 1982-09-08
BR8200944A (pt) 1983-01-04
FR2500333A1 (hu) 1982-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
HU183831B (en) Electroluminescent thin-layer construction
US4686110A (en) Method for preparing a thin-film electroluminescent display panel comprising a thin metal oxide layer and thick dielectric layer
DE69734131T2 (de) Zweischichtige elektroneninjektionselektrode zur verwendung in einer elektrolumineszenzvorrichtung
US5949186A (en) Organic electroluminescent element
US4814668A (en) Electroluminescent display device
US4528480A (en) AC Drive type electroluminescent display device
DE69724129T2 (de) Lichtemittierende organische vorrichtungen mit verbesserter kathode
US4140937A (en) Direct current electroluminescent devices
US4482841A (en) Composite dielectrics for low voltage electroluminescent displays
US4897319A (en) TFEL device having multiple layer insulators
DE3788134T2 (de) Dünnfilmanordnung.
US20050236984A1 (en) Light-emitting device and display device
EP0111568A1 (en) Thin film electric field light-emitting device
DE4024602A1 (de) Elektrolumineszenzvorrichtung
EP0141116B1 (en) Thin film light emitting element
US4594282A (en) Layer structure of thin-film electroluminescent display panel
DE4226593B4 (de) Elektrolumineszenz- (EL) - Anzeigetafel und Verfahren zu deren Herstellung
US6674234B2 (en) Thin film electroluminescent device having thin-film current control layer
US4373145A (en) Thin film electroluminescent device
US4672264A (en) High contrast electroluminescent display panels
US4464602A (en) Thin film electroluminescent device
Tornqvist et al. How the ZnS: Mn layer thickness contributes to the performance of AC thin-film EL devices grown by atomic layer epitaxy (ALE)
US4849673A (en) Electroluminescent devices without particle conductive coating
US5669802A (en) Fabrication process for dual carrier display device
KR100317989B1 (ko) 고휘도 직류 구동형 청색 전계발광소자