JPS6113595A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents

薄膜ｅｌ素子

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Publication number
JPS6113595A
JPS6113595A JP59134760A JP13476084A JPS6113595A JP S6113595 A JPS6113595 A JP S6113595A JP 59134760 A JP59134760 A JP 59134760A JP 13476084 A JP13476084 A JP 13476084A JP S6113595 A JPS6113595 A JP S6113595A
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JP
Japan
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glass
alkali
thin film
substrate
volume resistivity
Prior art date
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Granted
Application number
JP59134760A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6316878B2 (ja
Inventor
憲明 中村
井坂　欽一
川口　順
岸下　博
上出　久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP59134760A priority Critical patent/JPS6113595A/ja
Publication of JPS6113595A publication Critical patent/JPS6113595A/ja
Priority to US07/077,081 priority patent/US4814237A/en
Publication of JPS6316878B2 publication Critical patent/JPS6316878B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は、交流電界の印加によってＥＬ発光を呈する薄
膜ＥＬ累子に関し、特に薄膜ＥＬ素子の基板ガラスの材
料組成を限定する事により、信頼性の高い薄膜ＥＬ素子
を実現せしめた素子構造に関するものである。
〈従来技術〉 薄膜ＥＬ素子の製造工程には、いくつかの高温蒸着、ス
パッタリングプロセス及び高温熱処理プロセスがあシ、
ＥＬ素子が完成するまでに、基板は６００℃程度の高温
に数回さらされることになる。このことは、基板材料の
作業温度の限界を示す歪点温度が６００°Ｃ以上である
ことを要求されることを意味する。
ＥＬ素子の基板ガラスとして、高純度溶融シリカ（石英
ガラス）が高温下でもきわめて安定であるので最適であ
るが、製造コストが非常に高い為に採用できない。そこ
で、通常は低アルカリ硼珪酸ガラスが使用されるが、ガ
ラスに、含まれるアルカリイオン（Ｌｉ＋、　Ｎａ＋、
　Ｋ＋）が、ガラスの体積抵抗率（体積電気伝導度）の
程度によって、ＥＬ素子製造工程の高温プロセス下で、
基板表面に析出し、ＥＬ素子の特性を著しく悪くする。
特に、絶縁膜スパッタリング中に上昇する基板温度にょ
シ、前記アルカリイオンが基板表面に析出し、プラズマ
より基板に入射した電荷による透明電極（ＩＴＯ）スト
ライプを流れる電流と前記アルヵリイ芽ンとの相互作用
により、前記ＩＴＯ組成をの特性が極端に低下する。
〈発明の目的〉　　・。
本発明は上記問題点に鑑みて成されたものであり、その
目的とするところは、基板ガラスのアルカリ成分の含有
量及び体積抵抗率を限定することにより、信頼性の高い
Ｅ　Ｌ素子を得んとするものである。
〈発明の構成〉 本発明の薄膜’Ｅ　Ｌ素子は、ガラス基ｉ上に一形成し
た一対の電極層と、これら電極層間〈サンドイッチ状に
はさまれた電界発光層とからなる薄膜ＥＬ素子において
、９前記ガラス基板として１．６００℃での体積抵抗率
が１０６９・ｍ以上であり、かつアルカリ成分の含有量
が０．５重量係以下のノン・アルカリ・タイプのガラス
を用いることを特徴とするものである。
〈実施例〉 第１図は、ＥＬ素子の基板ガラスとして使用し′　てい
る硼珪酸系ガラスの、その含有するアルカリ、　の量パ
重量パーセント）と、体積抵抗率との各温゛　　度での
関係を示すものである。第１図では概ねアルカリ含有量
の少・ないガラスの方が体積抵抗率が高くなっているが
、含有量０％と０．２係とで、また、１．５チと３％と
で、それぞれ、この関係が逆転している。これは、ガラ
ス母体（Ｂ２０．Ａｔ２０３゜Ｓｉ□ｚ）の成分比と、
添加されるアルカ！Ｊ　（ｕｉｊ２ｏ。
Ｋ’２０　）の混合比（混合アルカリ効果）に起因する
ものである。
第２図は、ガラスの体積抵抗率とＩＴＯの抵抗変化率と
の関係を示すものである（基板温度６００：”’ｃ）。
第２図のごとく、体積抵抗率１０６Ω・ｍ以下のガラス
は、６００°ＣでのＩＴＯの抵抗変化率、が極端に大き
くなる。
また、第３図は、ガラ不のアルカリ成分（Ｎａ　２０１
に２０）含有量とＩＴＯの抵抗変化率との関係を示すも
のである。アルカリ含有量０５重量パーセント以上で抵
抗変化率が大きくなる。
上記のことより、６００°Ｃでの体積抵抗率が１０６ｇ
・ｍ以上であり、かつアルカリ成分含有量が０．５重量
パーセント以下のノン・アルカリ・タイプのガラスを基
板ガラスとして採用することにより、表示品位、信頼性
共に高いＥＬ素′子を得ることができる。
〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、表示品位、信頼
性共に高いＥＬ素子を得ることかで゛きるものであ′る
。
【図面の簡単な説明】
第１図は、ＥＬ素子の基板ガラスとして使用している硼
珪酸系ガラスの、その含有するアルカリめ量（重量％）
と、採種抵抗率との各温度での関係を示す図、第２図は
、ガラスの体積抵抗率とＩＴＯの抵抗“変化率との関係
を示す図、第３′図は、ガラスのアルカリ成分含有量と
ＩＴＯの抵抗変化率との関係を示“す図である。　　　
　　　　　′代ｉ人　弁理士　福　士　−彦（他２名）
特開昭６１〜１３５９５（３） 第３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １．ガラス基板上に形成した一対の電極層と、これら電
    極層間にサンドイッチ状にはさまれた電界発光層とから
    なる薄膜ＥＬ素子において、前記ガラス基板として、６
    ００℃での体積抵抗率が１０＾６Ω・ｃｍ以上であり、
    かつアルカリ成分の含有量が０．５重量％以下のノン・
    アルカリ・タイプのガラスを用いることを特徴とする薄
    膜ＥＬ素子。
JP59134760A 1984-06-28 1984-06-28 薄膜ｅｌ素子 Granted JPS6113595A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59134760A JPS6113595A (ja) 1984-06-28 1984-06-28 薄膜ｅｌ素子
US07/077,081 US4814237A (en) 1984-06-28 1987-07-24 Thin-film electroluminescent element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59134760A JPS6113595A (ja) 1984-06-28 1984-06-28 薄膜ｅｌ素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6113595A true JPS6113595A (ja) 1986-01-21
JPS6316878B2 JPS6316878B2 (ja) 1988-04-11

Family

ID=15135915

Family Applications (1)

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JP59134760A Granted JPS6113595A (ja) 1984-06-28 1984-06-28 薄膜ｅｌ素子

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US (1) US4814237A (ja)
JP (1) JPS6113595A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4983469A (en) * 1986-11-11 1991-01-08 Nippon Soken, Inc. Thin film electroluminescent element

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4935043A (ja) * 1972-08-01 1974-04-01
JPS4939359A (ja) * 1972-08-12 1974-04-12
JPS52122092A (en) * 1976-04-06 1977-10-13 Sharp Corp Thin film el panel
JPS5728198A (en) * 1980-04-21 1982-02-15 Kiyoushin Kk Wasing of interior of oil tank and production of fuel using wate liquid thereof
JPS57124884A (en) * 1981-01-27 1982-08-03 Sharp Kk Method of producing thin film el element
JPS57124883A (en) * 1981-01-26 1982-08-03 Sharp Kk Thin film el element
JPS60232697A (ja) * 1984-04-30 1985-11-19 ホ−ヤ株式会社 薄膜ｅｌ素子

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3129108A (en) * 1960-12-23 1964-04-14 Corning Glass Works Electroluminescent cell and method
FI61983C (fi) * 1981-02-23 1982-10-11 Lohja Ab Oy Tunnfilm-elektroluminensstruktur
US4602189A (en) * 1983-10-13 1986-07-22 Sigmatron Nova, Inc. Light sink layer for a thin-film EL display panel
JPS60124396A (ja) * 1983-12-09 1985-07-03 松下電器産業株式会社 薄膜発光素子
JPS60182692A (ja) * 1984-02-29 1985-09-18 ホ−ヤ株式会社 薄膜ｅｌ素子とその製造方法
DE3561435D1 (en) * 1984-03-23 1988-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thin film el panel
US4613793A (en) * 1984-08-06 1986-09-23 Sigmatron Nova, Inc. Light emission enhancing dielectric layer for EL panel
JPH086086B2 (ja) * 1985-09-30 1996-01-24 株式会社リコー 白色エレクトロルミネツセンス素子

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4935043A (ja) * 1972-08-01 1974-04-01
JPS4939359A (ja) * 1972-08-12 1974-04-12
JPS52122092A (en) * 1976-04-06 1977-10-13 Sharp Corp Thin film el panel
JPS5728198A (en) * 1980-04-21 1982-02-15 Kiyoushin Kk Wasing of interior of oil tank and production of fuel using wate liquid thereof
JPS57124883A (en) * 1981-01-26 1982-08-03 Sharp Kk Thin film el element
JPS57124884A (en) * 1981-01-27 1982-08-03 Sharp Kk Method of producing thin film el element
JPS60232697A (ja) * 1984-04-30 1985-11-19 ホ−ヤ株式会社 薄膜ｅｌ素子

Also Published As

Publication number Publication date
US4814237A (en) 1989-03-21
JPS6316878B2 (ja) 1988-04-11

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