JP2002365662A - 表示媒体、表示素子、および表示装置 - Google Patents

表示媒体、表示素子、および表示装置

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JP2002365662A
JP2002365662A JP2001175377A JP2001175377A JP2002365662A JP 2002365662 A JP2002365662 A JP 2002365662A JP 2001175377 A JP2001175377 A JP 2001175377A JP 2001175377 A JP2001175377 A JP 2001175377A JP 2002365662 A JP2002365662 A JP 2002365662A
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display
light
voltage
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Haruo Tanaka
治夫 田中
Chihaya Adachi
千波矢 安達
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Rohm Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄型ディスプレイを構成できるとともに、各
素子自体がメモリ性を有する表示媒体、表示素子、およ
び表示装置を提供すること。 【解決手段】 表示素子５０ａとして構成する場合にお
いて、陽極層５２および陰極層５４を備え、陽極層５２
と陰極層５４との間において、閾値以上の電圧の印加に
より可視領域の光吸収スペクトルが変化し、且つ、電圧
の印加を解除した後、光吸収スペクトルの変化を維持可
能な特性を示すスイッチング物質を含むスイッチング層
５３を設けることとした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示媒体、表示素
子、および表示装置に関する。より詳細には、電圧の印
加により可視領域の光吸収スペクトルが変化する層を備
えた、光反射型または光透過型の表示媒体、表示素子、
および表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ディスプレイ技術の分野において
は、薄型ディスプレイの開発が活発であり、液晶ディス
プレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ
などが注目を集めている。特に液晶ディスプレイは、そ
の開発が進んでおり、例えば、低消費電力駆動が強く求
められる携帯電話や電子手帳、及び、高精細カラー表示
が要求されるテレビ、パソコン、カーナビなどの用途に
おいて、広く使用されている。
【０００３】図７は、透過型として構成された液晶ディ
スプレイの一例の断面図である。図７に示す液晶ディス
プレイ７０は、一対のパネル７１，７２と、これらの間
に所望のギャップを設けるためのスペーサ材７３と、ギ
ャップ内に充填された液晶組成物７４と、液晶組成物７
４をパネル７１とパネル７２との間に封入するためのシ
ール材７５とを備える。液晶ディスプレイ７０は、更に
図外の駆動回路やバックライトなども備える。
【０００４】パネル７１は、ガラス基板７１ａと、ギャ
ップ側において当該ガラス基板７１ａ上に設けられた透
明電極７１ｂおよびＴＦＴ素子（図示略）と、これらを
覆いつつガラス基板７１ａ上に成膜された配向膜７１ｃ
と、ギャップと反対側において基板７１ａ上に設けられ
た偏光板７１ｄとからなる。一方、パネル７２は、ガラ
ス基板７２ａと、ギャップ側において当該ガラス基板７
２ａ上に設けられた透明電極７２ｂと、これを覆いつつ
ガラス基板７２ａ上に成膜された配向膜７２ｃと、ギャ
ップと反対側においてガラス基板７２ａ上に設けられた
偏光板７２ｄとからなる。偏光板７２ｄは、通常、その
偏光軸が偏光板７１ｄの偏光軸に対して９０度の角度を
成すか、または平行となるように設けられている。駆動
回路は、透明電極７１ｂ，７１ｂに接続されている。バ
ックライトは、例えば、照射光がパネル７１からパネル
７２の方向へ透過するように配設される。
【０００５】このような構成の液晶ディスプレイ７０に
おいて、所望の素子ないしドットに対応する透明電極７
１ｂと透明電極７２ｂとの間に、電圧を印加することに
よって、画像が表示される。具体的には、ドットにおけ
る透明電極７１ｂおよび透明電極７２ｂへの電圧の印加
によって、電極間に電場が形成され、当該ドットの液晶
組成物７４の配向が変化する。その結果、液晶組成物７
４の配向変化、及び、一対の偏光板７１ｄ、７２ｄに基
づく偏光作用によって、バックライトからの照射光の透
過率が変化する。そして、各ドットの透過率を相違なら
しめることによって、画像が表示されることとなる。カ
ラー表示する場合には、例えば、パネル７２のガラス基
板７２ａと透明電極７２ｂとの間において、カラーフィ
ルタを介在させることによって、透過光に着色が施され
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶デ
ィスプレイ７０は、偏光現象を利用する表示デバイスで
あるため、視野角が狭いという欠点を有し、従って、そ
の用途が制約されてしまう。光路において偏光板７１
ｄ、７２ｄが介在することに起因して、光源からの照射
光の損失率が高いという欠点も有する。非固体物である
液晶を利用するため、機械的衝撃に弱く、且つ、適切な
動作を達成するためのディスプレイの使用環境温度が制
約を受けるという問題も有する。更には、液晶ディスプ
レイ７０を構成する各素子自体はメモリ性を有しないと
ころ、各素子にメモリ性を付与するのには、各素子毎
に、ＴＦＴなどの比較的複雑な構造を有するスイッチン
グ素子やキャパシタ素子を設けなければならない。液晶
ディスプレイにおけるこのような技術的な短所は、液晶
ディスプレイを反射型として構成した場合にも生じ得
る。
【０００７】また、液晶ディスプレイ７０の製造は、液
晶ディスプレイ７０に特有の構造に起因して煩雑であ
る。具体的には、一対のパネル７１，７２の間に液晶組
成物７４を適切に充填するために、パネル７１，７２の
間にスペーサ材７３、シール材７５を挿設しなければな
らない。そして、パネル７１，７２には、液晶組成物７
４の配向を規定するための配向膜７１ｃ、７２ｃ、及
び、偏光板７１ｄ、７２ｄを設けなければならない。
【０００８】そこで本発明は、このような従来の問題点
を解決または軽減することを課題とし、薄型ディスプレ
イとして簡易な構造を有するとともに、各素子自体が独
立してメモリ性を有する表示媒体、表示素子、および表
示装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【発明の開示】本発明の第1の側面によると、表示媒体
が提供される。この表示媒体は、閾値以上の電圧の印加
により可視領域の光吸収スペクトルが変化し、且つ、電
圧の印加を解除した後、光吸収スペクトルの変化を維持
可能な特性を示すスイッチング物質を含むスイッチング
層と、このスイッチング層に積層された電極層とを備
え、シート状に構成されていることを特徴とする。
【００１０】このような構成において、表示媒体上の任
意の箇所に対して電圧を印加すると、当該電圧印加箇所
のスイッチング層の光吸収スペクトルが変化する、即
ち、色が変化する。この変化は、電圧の印加を停止した
後も維持される。したがって、所望の箇所に対して一度
電圧を印加することによって、当該表示媒体において画
像ないし文字を表すことが可能となる。
【００１１】本発明で用いられるスイッチング物質とし
ては、例えば、閾値以上の電圧の印加により可視領域の
光吸収スペクトルが変化し、且つ、電圧の印加を解除し
た後、光吸収スペクトルの変化を維持可能な特性を示す
有機金属錯体を用いることができる。特に好ましくは、
そのような有機金属錯体としては、７，７，８，８−テ
トラシアノキノンジメタン（以下、「ＴＣＮＱ」と略記
する）またはＴＣＮＱ誘導体の金属錯体が用いられる。
例えば、Ａｇ−ＴＣＮＱおよびＣｕ−ＴＣＮＱなどが挙
げられる。
【００１２】ＴＣＮＱおよびＴＣＮＱ誘導体の金属錯体
は、電圧の印加によって光吸収スペクトルが変化すると
ころ、当該変化に必要な電圧には、閾値が存在する。す
なわち、閾値以上の電圧の印加によって光吸収スペクト
ルが変化するのである。一旦光吸収スペクトルが変化す
ると、電圧印加を停止しても、変化後の光吸収スペクト
ルが維持される。すなわち、ＴＣＮＱおよびＴＣＮＱ誘
導体の金属錯体は、光吸収スペクトルの変化にメモリ性
を有するのである。
【００１３】図１は、Ａｇ−ＴＣＮＱの、電圧未印加の
非スイッチ状態Ａ、及び、電圧印加後のスイッチ状態Ｂ
における光透過率測定の結果である。図１に示されてい
るように、Ａｇ−ＴＣＮＱは、可視領域のうち、非スイ
ッチ状態Ａでは、およそ４５０〜６００ｎｍ程度の光の
透過率が比較的高く、これ以外の波長範囲の光の透過率
は比較的低い。これに対して、スイッチ状態Ｂでは、お
よそ５７５ｎｍ以上の可視領域における光の透過率が比
較的高く、これより短い波長領域の光の透過率は比較的
低い。透過率測定は測定試料の光吸収スペクトルを反映
しているところ、図１より、Ａｇ−ＴＣＮＱは、電圧未
印加の非スイッチ状態Ｂと電圧印加後のスイッチ状態Ａ
とにおいて、異なる色を呈することが理解されよう。
【００１４】図２は、Ｃｕ−ＴＣＮＱの、電圧未印加の
非スイッチ状態Ｃ、及び、電圧印加後のスイッチ状態Ｄ
における光透過率測定の結果である。これによると、Ｃ
ｕ−ＴＣＮＱは、非スイッチ状態Ｃでは、可視領域のう
ち、全ての波長領域で光の透過率が低い。これに対し
て、スイッチ状態Ｄでは、およそ５００ｎｍ以上の波長
光の透過率が比較的高く、５００ｎｍ以下の波長の光の
透過率が比較的低い。このように、Ｃｕ−ＴＣＮＱは、
電圧未印加の非スイッチ状態Ｃと電圧印加後のスイッチ
状態Ｄとにおいて、異なる色を呈し、且つ、光透過量に
顕著な差を有することが理解されよう。
【００１５】このような光吸収スペクトルの変化は、Ｔ
ＣＮＱおよびＴＣＮＱ誘導体の金属錯体の電子構造の変
化に起因するものと考えられる。具体的には、電圧未印
加時におけるＴＣＮＱまたはＴＣＮＱ誘導体は、金属か
ら電子を供与された電子リッチの状態にあり、閾値以上
の電圧印加によって、ＴＣＮＱまたはＴＣＮＱ誘導体か
ら金属へ電子が戻され、中性ＴＣＮＱまたは中性ＴＣＮ
Ｑ誘導体が生じ、光吸収スペクトルが変化するものと考
えられる。したがって、スイッチング物質としてＴＣＮ
ＱおよびＴＣＮＱ誘導体の金属錯体を用いた場合、電圧
印加による変色後の呈色濃度は、スイッチング層への電
荷注入量には殆ど依存しないものと考えられる。すなわ
ち、その場合、本発明は、電荷注入型ではなく、物質内
電荷移動型の呈色表示素子として構成されることとな
る。電荷注入ではなく、電荷移動により光吸収スペクト
ルが変化するため、電荷注入に起因するスイッチング物
質の劣化を回避することができ、素子媒体ないし表示素
子としての寿命において有利である。
【００１６】本発明の好ましい実施の形態では、電極層
を光透過性電極とすることによって、画像表示において
電極層を介してスイッチング層を照射するバックライト
を用いる透過型の表示媒体として構成される。他の好ま
しい実施の形態では、電極層を光反射性電極とすること
によって、或いは、電極層を光透過性電極としたうえで
当該電極層に更に光反射層を積層することによって、画
像表示において外来光を利用する反射型の表示媒体とし
て構成される。光透過性電極としては、透明性の高いＩ
ＴＯ電極を用いるのが好ましい。光反射性電極として
は、電極として機能しつつ光反射能の高いアルミニウム
電極を用いるのが好ましい。
【００１７】本発明の第２の側面によると、表示素子が
提供される。この表示素子は、陽極層および陰極層を備
え、陽極層と陰極層との間において、閾値以上の電圧の
印加により可視領域の光吸収スペクトルが変化し、且
つ、電圧の印加を解除した後、光吸収スペクトルの変化
を維持可能な特性を示すスイッチング物質を含むスイッ
チング層が設けられていることを特徴とする。
【００１８】このような構成において、陽極層と陰極層
との間に電圧を印加すると、当該陽極層と陰極層との間
に電気的に挟まれたスイッチング層の光吸収スペクトル
が変化する、すなわちスイッチング層の色が変化する。
この変化は、電圧の印加を停止した後も維持される。し
たがって、このような表示素子を複数個用いて、各素子
がメモリ性を有する表示媒体を形成することができ、当
該表示媒体によると、本発明の第１の側面に関して上述
したのと同様の効果が奏される。スイッチング物質とし
ては、本発明の第１の側面に関して上述したのと同様の
物質を用いることができる。
【００１９】本発明の好ましい実施の形態では、陽極層
および陰極層のいずれか一方は、光透過性電極であり、
陽極層および陰極層のいずれか他方は、光反射性電極と
され、反射型として構成される。この場合、より好まし
くは、光反射性電極はアルミニウム電極である。他の好
ましい実施の形態では、陽極層および陰極層は光透過性
電極であり、陽極層または陰極層を介してスイッチング
層へ光を照射するバックライトを更に備え、透過型とし
て構成される。これらの構成において、好ましくは、光
透過性電極はＩＴＯ電極である。
【００２０】本発明の第３の側面によると、表示装置が
提供される。この表示装置は、本発明の第２の側面に係
るいずれかの構成を有する表示素子が、基板上に複数の
行および複数の列をなすようにマトリクス状に配列され
ており、マトリックス状に配列された複数の表示素子の
各行に対応して設けられた複数の第１の電極線と、各列
に対応して設けられた複数の第２の電極線とを備え、同
一の行に属する表示素子の陽極層は、当該行に対応して
設けられた第１の電極線によって共通化されており、同
一の列に属する表示素子の陰極層は、当該列に対応して
設けられた第２の電極線によって共通化されていること
を特徴とする。
【００２１】好ましくは、複数の第１の電極線の各々、
及び、複数の第２の電極線の各々に対して電位を付与す
るための手段と、を備える。
【００２２】本発明の第３の側面によると、閾値以上の
電圧の印加により可視領域の光吸収スペクトルが変化
し、且つ、電圧の印加を解除した後、光吸収スペクトル
の変化を維持可能な特性を有する表示素子を画素とし
て、各画素がメモリ性を有する表示媒体および表示ディ
スプレイを容易に得ることができる。したがって、本発
明の第３の側面によっても、第１の側面に関して上述し
たのと同様の効果が奏される。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００２４】図３は、本発明の第１の実施形態に係る表
示媒体３０の斜視図である。図３には、ロールの形態と
された表示媒体３０と併せて、表示媒体３０への画像の
書込みに使用する櫛歯電極４０、表示媒体３０を搬送す
るための複数のローラ４１、搬送経路の途中において表
示媒体３０をガイドするトレー４２が表されている。図
４は、図３に示す表示媒体３０の線IＶ−IＶに沿った断
面図である。
【００２５】図４に示すように、表示媒体３０は、フレ
キシブル基板３１と、その上に積層された電極層３２
と、その上に積層されたスイッチング層３３とからなる
シート状に構成されている。フレキシブル基板３１は、
ポリエステル、ポリイミドなどを基材として、屈曲性を
有するように構成され、１０〜３００μｍの厚みを有す
る。電極層３２は、アルミニウムからなり、スパッタリ
ング、蒸着などの手段により、フレキシブル基板３１上
において、０．１〜１０μｍの厚みで成膜されている。
アルミニウムは銀白色であるため、電極層３２は、本実
施形態においては、電極としてのみならず、光反射層な
いし白色散乱層としても機能するものである。すなわ
ち、本実施形態は、外来光の光反射層での反射を利用す
る反射型表示媒体として構成されている。ただし、本発
明では、電極層と白色散乱層とを別部材により構成して
もよい。例えば、フレキシブル基板３１の上に白色を呈
する層を積層し、その上にＩＴＯなどからなる透明電極
を積層することにより、電極層と白色散乱層とを別部材
により構成することができる。スイッチング層３３は、
閾値以上の電圧の印加により可視領域の光吸収スペクト
ルが変化し、且つ、前記電圧の印加を解除した後、前記
光吸収スペクトルの変化を維持可能な特性を示すスイッ
チング物質からなる。本実施形態では、スイッチング層
３３はＣｕ−ＴＣＮＱからなり、電極層３２上において
０．５〜５０μｍの厚みで成膜されている。
【００２６】Ｃｕ−ＴＣＮＱによりスイッチング層３３
を成膜する手段としては、スッパッタリング、及び、電
子線蒸着や抵抗加熱蒸着などの真空蒸着法により、Ｃｕ
−ＴＣＮＱを電極層３２上に直接的に堆積形成する方法
を採用することができる。ただし、この代替手段とし
て、スッパッタリングや蒸着法などにより電極層３２上
に銅膜を形成した後に、同じくスッパッタリングや蒸着
法などによりＴＣＮＱを積層させ、これらを１００〜３
００℃で５分間加熱することによって、電極層３２上に
おいてＣｕ−ＴＣＮＱを合成してもよい。また、電極層
３２上に厚さ０．１〜１０μｍの銅膜を形成した後、Ｔ
ＣＮＱで飽和させたアセトニトリル溶液に浸漬または作
用させることによって、電極層３２上においてＴＣＮＱ
を銅錯体として析出させる方法を採用してもよい。
【００２７】図４に示すように、本実施形態では、スイ
ッチング層３３は、表示媒体３０の幅方向端部から退避
している。これによって、電極層３２が表示媒体３０の
幅方向端部で露出し、フレキシブル基板３１とは反対側
で表示媒体３０の長手方向に延びる端子帯３２ａが形成
されている。端子帯３２ａは、フレキシブル基板３１上
において電極層３２を全面にわたって形成し、この上
に、スイッチング層３３を、電極取り出し部ないし端子
帯３２ａ形成箇所を除いて積層形成することによって設
けられる。
【００２８】図３を参照し、いわゆるペーパーライクデ
ィスプレイとしてシート状に構成された上述の表示媒体
３０への画像または文字の書込みについて説明する。画
像書き込み用の櫛歯電極４０は、表示媒体３０の幅方向
に延設される。櫛歯電極４０は、１０μｍ〜１０ｍｍの
ピッチで連接された複数の歯４０’を有する。表示媒体
３０は、複数のローラ４１によって搬送され、その搬送
経路のいずれかの箇所においてトレー４２によってガイ
ドされている。トレー４２には、アースされた端子部４
３が設けられている。端子部４３は、搬送時における表
示媒体３０の端子帯３２ａに対して摺接するように設け
られている。必要であれば、端子帯３２ａと端子部４３
との適切な当接を図るべく、搬送される表示媒体３０を
端子帯３２ａに対して適当な力で圧するための押圧手段
を設けてもよい。
【００２９】表示媒体３０の初期状態においては、Ｃｕ
−ＴＣＮＱよりなるスイッチング層３３は図２に示す非
スイッチ状態Ｃ、即ち非透過状態にあるため、外来光は
スイッチング層３３を殆ど透過しない。従って、外来光
は、反射機能を有する電極層３２によっては反射され
ず、表示媒体３０の表示面はいわゆる暗の状態となって
いる。
【００３０】このような初期状態にある表示媒体３０に
対して、櫛歯電極４０の歯４０’の先端を当接させ、櫛
歯電極３０の所定の歯に対して電位を付与すると、歯４
０’と電極層３２との間の電位差、即ち、スイッチング
層３３に印加された電圧が、閾値以上である場合に、ス
イッチング層３３の可視領域における吸収スペクトルが
変化する。具体的には、スイッチング層３３は、Ｃｕ−
ＴＣＮＱの非スイッチ状態Ｃにおける光吸収性の濃紫色
から、スイッチ状態Ｄにおける光透過性の淡黄色へと変
色する。スイッチ状態Ｄとされた箇所においては、外来
光は、スイッチング層３３を透過し、銀白色の電極層３
２により反射され、再びスイッチング層３３を介して、
表示媒体３０から出射することとなる。吸収スペクトル
の切り換えに必要とされる閾値電圧は、スイッチング層
３３としてのＣｕ−ＴＣＮＱの厚みに依存し、０．１〜
１５Ｖの値をとる。
【００３１】櫛歯電極４０による電位付与のタイミング
を表示媒体３０の搬送距離に同期させて、表示媒体３０
の所定領域にわたって１ライン毎に所望箇所を変色させ
ることにより、当該所定領域において、目的とする画像
または文字を書き込むことができる。本実施形態では、
線や文字に対応する箇所を電圧印加によりスイッチ状態
Ｄとすることによって、暗画面上に明線で画像や文字を
表すことができる。また、線や文字に対応する以外の箇
所を電圧印加によりスイッチ状態Ｄとすることによっ
て、明画面上に暗線で画像や文字を表すこともできる。
【００３２】本実施形態では、スイッチング層３３を構
成する材料としてＣｕ−ＴＣＮＱが用いられており、画
像または文字の表出は、スイッチング層３３の変色のみ
ならず、透過率の変化に基づく電極層３２による光反射
量の相違によっても達成される。しかしながら、スイッ
チング層３３の構成材料として、Ｃｕ−ＴＣＮＱの代わ
りにＡｇ−ＴＣＮＱを用い、スイッチ状態Ｂおよび非ス
イッチ状態Ａにおける主に色調の相違によって、画像ま
たは文字を表すように構成することもできる。
【００３３】図５は、本発明の第２の実施形態に係る表
示装置５０の平面図であり、図６は、図５に示す表示装
置５０の線ＶＩ−ＶＩに沿った断面図である。本実施形
態における表示素子５０は、ガラス基板５１と、当該基
板上において所定間隔ごとに相互に平行に設けられた複
数のＩＴＯ電極５２と、その上に成膜されたスイッチン
グ層５３と、スイッチング層５３上において所定間隔ご
とに相互に平行に設けられた複数のアルミニウム電極５
４とからなる。透明なガラス基板５１およびＩＴＯ電極
５２を介して、外来光がスイッチング層５３に入射、又
は、アルミニウム電極５４からの反射光が出射するよう
に構成されている。
【００３４】図５によく表されているように、ＩＴＯ電
極５２とアルミニウム電極５４とは、平面視において格
子を形成するように配設されており、両電極は、スイッ
チング層５３を介して導通可能とされている。したがっ
て、両電極によって形成される格子の各交差箇所には、
一対の電極５２，５４とスイッチング層５３とからなる
表示素子５０ａが構成されることとなる。図５には、合
計６つの表示素子５０ａが表されている。
【００３５】本実施形態に係る表示装置５０の製造にお
いては、まず、ガラス基板５１上において、蒸着または
スパッタリングにより、厚さ３００〜２０００ÅのＩＴ
Ｏ薄膜を成膜する。これをパターニングして、基板５１
上において、１０〜１００μｍの間隔で相互に平行な複
数のＩＴＯ電極５２を形成する。
【００３６】次に、このＩＴＯ電極５２の上方から、ス
イッチング層５３を形成するために、厚さ０．１〜１０
μｍのＣｕ−ＴＣＮＱの層を積層面の全面にわたって成
膜する。スイッチング層５３を成膜する方法としては、
第１の実施形態に関して上述したのと同様の手段を採用
することができる。
【００３７】次に、スイッチング層５３の上位におい
て、真空蒸着法により、厚さ０．１〜５μｍのアルミニ
ウム層を堆積させる。アルミニウム層の真空蒸着は、ス
イッチング層５３上において１０〜１００μｍの間隔で
相互に平行な複数のアルミニウム電極５４が形成される
ように、所定の開口形状を有するメタルマスクを介して
行う。
【００３８】このようにして形成された表示装置５０に
含まれる表示素子５０ａ、即ち、ＩＴＯ電極５２および
アルミニウム電極５４と、これら電極間に設けられたス
イッチング層５３とからなる表示素子５０ａにおいて
は、電極間に印加される電圧が閾値以上である場合に、
スイッチング層５３の可視領域における吸収スペクトル
が変化する、即ち、透過率および色調が変化する。より
具体的には、第１の実施形態に関して上述したのと同様
である。表示装置５０において、各ドット毎に、閾値電
圧以上の電圧の印加、及び、電圧非印加を選択すること
によって、透明なガラス基板５１およびＩＴＯ電極５２
を介して、表示装置５０全体として画像または文字が表
される。ＩＴＯ電極５２およびアルミニウム電極５４
は、いずれを陽極または陰極としてもよい。本実施形態
においても、第１の実施形態と同様に、線や文字に対応
する箇所を電圧印加によりスイッチ状態Ｄとすることに
よって、暗画面上に明線で画像や文字を表すことができ
るし、線や文字に対応する以外の箇所を電圧印加により
スイッチ状態Ｄとすることによって、明画面上に暗線で
画像や文字を表すこともできる。
【００３９】本実施形態では、スイッチング層５３を構
成する材料としてＣｕ−ＴＣＮＱが用いられており、画
像または文字の表出は、スイッチング層５３の変色のみ
ならず、透過率の変化に基づくアルミニウム電極５４に
よる光反射量の相違によっても達成される。しかしなが
ら、スイッチング層３３の構成材料として、Ｃｕ−ＴＣ
ＮＱの代わりにＡｇ−ＴＣＮＱを用い、スイッチ状態Ｂ
および非スイッチ状態Ａにおける主に色調の相違によっ
て、画像または文字を表すように構成することもでき
る。
【００４０】本実施形態は、一方の電極をアルミニウム
電極５４とし、アルミニウムの光反射能を利用した反射
型表示装置として構成されている。しかしながら、アル
ミニウム電極５４の代わりにＩＴＯ電極５４’を設ける
ことによって、スイッチング層５３を挟む両電極を透明
電極とし、且つ、画像表示時にバックライトによってス
イッチング層５３を照射することによって、表示装置５
０を透過型ディスプレイとして構成してもよい。
【００４１】表示装置５０によると、画像または文字の
書込み時に、複数のＩＴＯ電極５２の各々、及び、複数
のアルミニウム電極５４の各々に対して電位を付与する
ためのドライバに接続して、画像または文字を書込むよ
うに構成することができる。また、そのようなドライバ
を常時的に具備する表示装置として構成することもでき
る。表示装置５０を、カラー表示用として構成するため
には、ＩＴＯ電極５２とガラス基板５１との間にカラー
フィルター層ないし色変換層が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａｇ−ＴＣＮＱの光透過率測定の結果である。
【図２】Ｃｕ−ＴＣＮＱの光透過率測定の結果である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る表示媒体の斜視
図である。
【図４】図３に示す表示媒体の線IＶ−IＶに沿った断面
図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の平面
図である。
【図６】図５に示す表示装置の線ＶＩ−ＶＩに沿った断
面図である。
【図７】液晶ディスプレイの一例の断面図である。
【符号の説明】
Ａ，Ｃ 非スイッチ状態 Ｂ，Ｄ スイッチ状態 ３０ 表示媒体 ３１ 透明基板 ３２ 電極層 ３２ａ 端子帯 ３３ スイッチング層 ４０ 櫛歯電極 ４０’ 歯 ４３ 端子部 ５０ 表示装置 ５１ ガラス基板 ５２ ＩＴＯ電極 ５３ スイッチング層 ５４ アルミニウム電極

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 閾値以上の電圧の印加により可視領域の
    光吸収スペクトルが変化し、且つ、前記電圧の印加を解
    除した後、前記光吸収スペクトルの変化を維持可能な特
    性を示すスイッチング物質を含むスイッチング層と、 前記スイッチング層に積層された電極層と、を備えるこ
    とを特徴とする、シート状の表示媒体。
  2. 【請求項２】 前記スイッチング物質は、閾値以上の電
    圧の印加により可視領域の光吸収スペクトルが変化し、
    且つ、前記電圧の印加を解除した後、前記光吸収スペク
    トルの変化を維持可能な特性を示す有機金属錯体であ
    る、請求項１に記載の表示媒体。
  3. 【請求項３】 前記電極層は光反射性電極である、請求
    項１または２に記載の表示媒体。
  4. 【請求項４】 前記電極層は光透過性電極である、請求
    項１または２に記載の表示媒体。
  5. 【請求項５】 更に、前記電極層に積層された光反射層
    を備える、請求項４に記載の表示媒体。
  6. 【請求項６】 陽極層および陰極層を備え、 前記陽極層と前記陰極層との間において、閾値以上の電
    圧の印加により可視領域の光吸収スペクトルが変化し、
    且つ、前記電圧の印加を解除した後、前記光吸収スペク
    トルの変化を維持可能な特性を示すスイッチング物質を
    含むスイッチング層が設けられていることを特徴とす
    る、表示素子。
  7. 【請求項７】 前記スイッチング物質は、閾値以上の電
    圧の印加により可視領域の光吸収スペクトルが変化し、
    且つ、前記電圧の印加を解除した後、前記光吸収スペク
    トルの変化を維持可能な特性を示す有機金属錯体であ
    る、請求項６に記載の表示素子。
  8. 【請求項８】 前記有機金属錯体は、ＴＣＮＱまたはＴ
    ＣＮＱ誘導体の金属錯体である、請求項７に記載の表示
    素子。
  9. 【請求項９】 前記陽極層および前記陰極層のいずれか
    一方は、光透過性電極であり、前記陽極層および前記陰
    極層のいずれか他方は、光反射性電極である、請求項６
    から８のいずれか１つに記載の表示素子。
  10. 【請求項１０】 前記光反射性電極はアルミニウム電極
    である、請求項９に記載の表示素子。
  11. 【請求項１１】 前記陽極層および前記陰極層は光透過
    性電極であり、前記陽極層または前記陰極層を介して前
    記スイッチング層へ光を照射するバックライトを更に備
    える、請求項６から８のいずれか１つに記載の表示素
    子。
  12. 【請求項１２】 前記光透過性電極はＩＴＯ電極であ
    る、請求項９から１１のいずれか１つに記載の表示素
    子。
  13. 【請求項１３】 請求項６から１２のいずれか１つに記
    載の表示素子が、基板上に複数の行および複数の列をな
    すようにマトリクス状に配列されており、 マトリックス状に配列された前記複数の表示素子の各行
    に対応して設けられた複数の第１の電極線と、各列に対
    応して設けられた複数の第２の電極線と、を備え、 同一の行に属する表示素子の陽極層は、当該行に対応し
    て設けられた第１の電極線によって共通化されており、
    同一の列に属する表示素子の陰極層は、当該列に対応し
    て設けられた第２の電極線によって共通化されているこ
    とを特徴とする、表示装置。
  14. 【請求項１４】 前記複数の第１の電極線の各々、及
    び、前記複数の第２の電極線の各々に対して電位を付与
    するための手段を備える、請求項１３に記載の表示装
    置。
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