KR20140121432A - 형광체, 형광체의 제조 방법 및 발광 장치 - Google Patents

형광체, 형광체의 제조 방법 및 발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140121432A
KR20140121432A KR1020147022229A KR20147022229A KR20140121432A KR 20140121432 A KR20140121432 A KR 20140121432A KR 1020147022229 A KR1020147022229 A KR 1020147022229A KR 20147022229 A KR20147022229 A KR 20147022229A KR 20140121432 A KR20140121432 A KR 20140121432A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
phosphor
light
light emitting
emitting device
powder
Prior art date
Application number
KR1020147022229A
Other languages
English (en)
Inventor
다이치 유스이
야스히로 시라카와
히로후미 다케무라
츠토무 이시이
Original Assignee
가부시끼가이샤 도시바
도시바 마테리알 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 도시바, 도시바 마테리알 가부시키가이샤 filed Critical 가부시끼가이샤 도시바
Publication of KR20140121432A publication Critical patent/KR20140121432A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

하기 화학식 (1)로 표시되는 기본 조성을 갖는 유로퓸 활성화 사이알론 결정체를 포함하는 형광체이며, 상기 형광체는 입자의 구형도가 0.60 이상의 값을 갖고, 자외광, 자색광 또는 청색광으로 여기됨으로써 적색 발광하는 광체이다.
Figure pct00010

(식 중, x는 0<x<1, α는 0<α≤3이고, β, γ, δ 및 ω는 α가 2일 때 환산한 수치가 5≤β≤9, 1≤γ≤5, 0≤δ≤1.5, 10≤ω≤20을 만족하는 수임)

Description

형광체, 형광체의 제조 방법 및 발광 장치{PHOSPHOR, PHOSPHOR PRODUCTION METHOD, AND LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명의 실시 형태는 적색 발광하는 형광체, 형광체의 제조 방법 및 발광 장치에 관한 것이다.
형광체 분말은, 예를 들어 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode) 등의 발광 장치에 사용된다. 발광 장치는, 예를 들어 기판 상에 배치되어 소정의 색의 광을 출사하는 반도체 발광 소자와, 이 반도체 발광 소자로부터 출사되는 자외광, 청색광 등의 광에 의해 여기되어 가시광을 발하는 형광체 분말을 밀봉 수지인 투명 수지 경화물 중에 포함하는 발광부를 구비한다.
발광 장치의 반도체 발광 소자로서는, 예를 들어 GaN, InGaN, AlGaN, InGaAlP 등이 사용된다. 또한, 형광체 분말의 형광체로서는, 예를 들어 반도체 발광 소자로부터의 출사광에 의해 여기되어 각각 청색광, 녹색광, 황색광, 적색광의 광을 출사하는 청색 형광체, 녹색 형광체, 황색 형광체, 적색 형광체 등이 사용된다.
발광 장치는 밀봉 수지 중에 녹색 형광체 등의 각종 형광체 분말을 함유시킴으로써, 방사광의 색을 조정할 수 있다. 즉, 반도체 발광 소자와, 반도체 발광 소자로부터 방사된 광을 흡수하여 소정 파장 영역의 광을 발광하는 형광체 분말을 조합하여 사용함으로써, 반도체 발광 소자로부터 방사된 광과 형광체 분말로부터 방사된 광과의 작용에 의해 가시광 영역의 광이나 백색광을 발광시키는 것이 가능하게 된다.
종래, 형광체로서는 스트론튬을 포함하는 유로퓸 활성화 사이알론(Si-Al-O-N) 구조의 형광체(Sr 사이알론 형광체)가 알려져 있다.
국제 공개 제2007/105631호
그러나, 최근, 보다 발광 효율이 높은 Sr 사이알론 형광체가 요망되고 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 발광 효율이 높은 Sr 사이알론 구조의 형광체, 형광체의 제조 방법 및 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 실시 형태의 형광체, 형광체의 제조 방법 및 발광 장치는, 특정 조성의 Sr 사이알론 형광체의 입자 형상을 보다 구형에 가까운 것으로 하면, Sr 사이알론 형광체를 사용한 발광 장치의 휘도가 높아지는 것을 발견하여 완성된 것이다.
입자의 형상이 구형에 가까운지 여부를 판단하는 지표로서는, 워델(Wadell)의 구형도(ψ)가 알려져 있다.
워델의 구형도(ψ)는 실제의 입자 표면적과 그 입자와 동일한 체적을 갖는 구의 표면적의 비로서 다음 식 (A1)에 의해 정의된다.
ψ=(입자와 동일한 체적을 갖는 구의 표면적)/(실제의 입자 표면적) (A1)
통상, 어느 체적을 가진 입자에 있어서는, 구형의 형상을 가진 입자의 표면적이 가장 작은 값이 된다. 따라서, 워델의 구형도(ψ)는 통상의 입자에서는 1 이하이며, 입자 형상이 구형에 근접할수록 1에 가까워진다.
Sr 사이알론 형광체는, 통상 사방정계라고 하는 저대칭의 결정계에 속한다. 이로 인해, Sr 사이알론 형광체의 입자 형상은, 구형으로부터 상이한 입자 형상, 예를 들어 판 형상, 기둥 형상 등의 형상을 갖는 것이 일반적이었다. 그 입자 형상은 워델의 구형도(ψ)로 평가하면 0.55 이하이며 구형으로부터 동떨어진 형상이었다.
그런데, 반도체 발광 소자와 형광체를 조합하여 이루어지는 발광 장치에서는, 반도체 발광 소자로부터 출사된 광이 형광체 표면에서 반사되거나, 형광체에 흡수된 후, 발광된 형광체로부터 출사된 광이 다른 형광체 표면에서 반사되거나 하여 다중 반사를 반복하면서 외부에 광이 취출된다.
그러나, 이러한 광의 반사 현상이 발생하면, 광의 에너지 손실이 발생한다. 이로 인해, 컴퓨터 시뮬레이션 등에 따르면, 형광체의 입자 형상으로서 표면적이 작은 구형의 것이 적합하다고 예상되고 있었다.
이러한 상황하에, 본 발명자들은 Sr 사이알론 형광체의 입자 형상의 구형화를 모색하였다. 이 결과, 형광체 제조의 프로세스 조건을 특정한 조건으로 하면, 형광체 입자의 구형도를 향상시킬 수 있는 것을 발견하였다. 그리고, 이 구형도가 향상된 형광체를 사용한 발광 장치에 따르면, 휘도 레벨이 대폭 개선되는 것을 발견하였다.
본 실시 형태의 형광체는 상기 문제점을 해결하는 것이며, 하기 화학식 (1)로 표시되는 기본 조성을 갖는 유로퓸 활성화 사이알론 결정체를 포함하는 형광체이며, 상기 형광체는 입자의 구형도가 0.60 이상의 값을 갖고, 자외광, 자색광 또는 청색광으로 여기됨으로써 적색 발광하는 것을 특징으로 한다.
Figure pct00001
(식 중, x는 0<x<1, α는 0<α≤3이고, β, γ, δ 및 ω는 α가 2일 때 환산한 수치가 5≤β≤9, 1≤γ≤5, 0≤δ≤1.5, 10≤ω≤20을 만족하는 수임)
또한, 본 실시 형태의 형광체의 제조 방법은 상기 문제점을 해결하는 것이고, 상기 형광체를 제조하는 형광체의 제조 방법이며, 형광체의 원료인 형광체 원료 혼합물이 ZrO2 및 HfO2 중 적어도 1개의 화합물을 0.1 내지 5질량％ 포함하고, 상기 형광체 원료 혼합물을 소성하여 얻어진 형광체 분말 중, 입경이 작은 입자부터 순서대로 적산한 부분인 소입자 부분을 분급에 의해 상기 형광체 분말의 20질량％ 이하의 범위로 제거하는 분급 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 실시 형태의 발광 장치는 상기 문제점을 해결하는 것이며, 기판과, 이 기판 상에 배치되어 자외광, 자색광 또는 청색광을 출사하는 반도체 발광 소자와, 이 반도체 발광 소자의 발광면을 덮도록 형성되고, 상기 반도체 발광 소자로부터의 출사광에 의해 여기되어 가시광을 발하는 형광체를 포함하는 발광부를 구비하며, 상기 형광체는 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항의 형광체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 Sr 사이알론 구조의 형광체 및 발광 장치는 발광 효율이 높다.
본 발명의 형광체의 제조 방법은, 발광 효율이 높은 Sr 사이알론 구조의 형광체 및 발광 장치를 효율적으로 제조할 수 있다.
도 1은 발광 장치의 발광 스펙트럼의 일례이다.
본 실시 형태의 형광체, 형광체의 제조 방법 및 발광 장치에 대하여 설명한다. 본 실시 형태의 형광체는 자외광, 자색광 또는 청색광으로 여기됨으로써 적색 발광하는 적색 형광체이다.
[적색 형광체]
본 발명의 적색 형광체는, 하기 화학식 (1)로 표시되는 기본 조성을 갖는 유로퓸 활성화 사이알론 결정체를 포함하는 형광체이다. 또한, 본 발명의 형광체는 자외광, 자색광 또는 청색광으로 여기됨으로써 적색 발광한다. 이 적색 발광하는 형광체를, 이하 「Sr 사이알론 적색 형광체」라고도 한다. 또한, 본 발명의 형광체는 입자의 구형도가 0.60 이상이다.
Figure pct00002
(식 중, x는 0<x<1, α는 0<α≤3이고, β, γ, δ 및 ω는 α가 2일 때 환산한 수치가 5≤β≤9, 1≤γ≤5, 0≤δ≤1.5, 10≤ω≤20을 만족하는 수임)
여기서, 화학식 (1)로 표시되는 기본 조성을 갖는 유로퓸 활성화 사이알론 결정체와, Sr 사이알론 적색 형광체의 관계에 대하여 설명한다.
화학식 (1)로 표시되는 기본 조성을 갖는 유로퓸 활성화 사이알론 결정체는 사방정의 단결정이다.
한편, Sr 사이알론 적색 형광체는, 화학식 (1)로 표시되는 기본 조성을 갖는 유로퓸 활성화 사이알론 결정체 중 1개를 포함하는 결정체, 또는 이 유로퓸 활성화 사이알론 결정체 중 2개 이상이 응집하여 이루어지는 결정체의 집합체이다.
통상, Sr 사이알론 적색 형광체는 단결정 분말의 형태를 취한다.
이 Sr 사이알론 적색 형광체의 분말은, 평균 입경이 통상 1㎛ 이상 100㎛ 이하, 바람직하게는 5㎛ 이상 80㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 8㎛ 이상 80㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 8㎛ 이상 40㎛ 이하이다. 여기서, 평균 입경이란, 코울터 카운터법에 의한 측정값이며, 체적 누적 분포의 중앙값 D50을 의미한다. 그 분말 입자의 형상은 통상 판 형상 또는 기둥 형상 등의 구형과는 상이한 것이다.
Sr 사이알론 적색 형광체가, 상기 유로퓸 활성화 사이알론 결정체 중 2개 이상이 응집하여 이루어지는 결정체의 집합체인 경우에는, 해쇄함으로써, 상기 유로퓸 활성화 사이알론 결정체마다 분리하는 것이 가능하게 되어 있다.
화학식 (1)에 있어서, x는 0<x<1, 바람직하게는 0.025≤x≤0.5, 더욱 바람직하게는 0.25≤x≤0.5를 만족하는 수이다.
x가 0이면 소성 공정에서 얻어지는 소성체가 형광체로 되지 않고, x가 1이면 Sr 사이알론 적색 형광체의 발광 효율이 낮아진다.
또한, x는 0<x<1의 범위 내에서 작은 수가 될수록 Sr 사이알론 적색 형광체의 발광 효율이 저하되기 쉬워진다. 또한, x는 0<x<1의 범위 내에서 큰 수가 될수록 Eu 농도의 과잉으로 인하여 농도 소광을 일으키기 쉬워진다.
이로 인해, x는 0<x<1 중에서도 0.025≤x≤0.5를 만족하는 수가 바람직하고, 0.25≤x≤0.5를 만족하는 수가 더욱 바람직하다.
화학식 (1)에 있어서, Sr의 종합적인 첨자 (1-x)α는 0<(1-x)α<3을 만족하는 수이다. 또한, Eu의 종합적인 첨자 xα는 0<xα<3을 만족하는 수이다. 즉, 화학식 (1)에 있어서, Sr 및 Eu의 종합적인 첨자는 각각 0 초과 3 미만을 만족하는 수이다.
화학식 (1)에 있어서, Sr과 Eu의 합계량은 α로 표시된다. 이 합계량 α를 일정값 2로 한 경우의 β, γ, δ 및 ω의 수치를 규정함으로써, 화학식 (1)의 α, β, γ, δ 및 ω 비율의 특정은 명확하게 되어 있다.
화학식 (1)에 있어서, β, γ, δ 및 ω는, α가 2일 때 환산한 수치이다.
화학식 (1)에 있어서, Si의 첨자인 β는, α가 2일 때 환산한 수치가 5≤β≤9를 만족하는 수이다.
화학식 (1)에 있어서, Al의 첨자인 γ는, α가 2일 때 환산한 수치가 1≤γ≤5를 만족하는 수이다.
화학식 (1)에 있어서, O의 첨자인 δ는, α가 2일 때 환산한 수치가 0≤δ≤1.5를 만족하는 수이다.
화학식 (1)에 있어서, N의 첨자인 ω는, α가 2일 때 환산한 수치가 10≤ω≤20을 만족하는 수이다.
화학식 (1)에 있어서, 첨자 β, γ, δ 및 ω가 각각 상기 범위 외의 수가 되면, 소성에서 얻어지는 형광체의 조성이, 화학식 (1)로 표시되는 사방정계의 Sr 사이알론 적색 형광체와 상이한 것이 될 우려가 있다.
본 발명의 Sr 사이알론 적색 형광체는 구형도가 0.60 이상이다. 여기서, 구형도란, 워델의 구형도(ψ)를 의미한다.
구형도가 0.60 이상이면, Sr 사이알론 적색 형광체의 휘도 레벨이 높기 때문에 바람직하다.
자외광, 자색광 또는 청색광의 수광에 의해 여기된 화학식 (1)로 표시되는 Sr 사이알론 적색 형광체는, 발광 피크 파장이 550nm 이상 650nm 이하의 범위 내의 적색광 또는 황색 내지 적색광을 발광한다.
Sr 사이알론 적색 형광체는, 예를 들어 이하에 나타내는 방법으로 제조된다.
[적색 형광체의 제조 방법]
화학식 (1)로 표시되는 Sr 사이알론 적색 형광체는, 예를 들어 탄산스트론튬 SrCO3, 질화알루미늄 AlN, 질화규소 Si3N4, 산화유로퓸 Eu2O3 및 비Eu 희토류 원소의 산화물 등의 각 원료를 건식 혼합하여 형광체 원료 혼합물을 제조하고, 이 형광체 원료 혼합물을 질소 분위기 중에서 소성함으로써 제작할 수 있다.
형광체 원료 혼합물은 ZrO2 및 HfO2 등의 고융점 산화물을 포함한다. 구체적으로는, 형광체 원료 혼합물은 ZrO2 및 HfO2 중 적어도 1개의 화합물을 포함하는 형광체 원료 혼합물을 100질량％라고 하였을 때, ZrO2 및 HfO2 중 적어도 1개의 화합물을 0.1 내지 5질량％, 바람직하게는 0.3 내지 4질량％, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 3질량％ 포함한다.
형광체 원료 혼합물이 ZrO2 및 HfO2의 양쪽을 포함할 때에는, 양쪽 합계량이 상기 배합량의 범위 내가 되도록 한다.
형광체 원료 혼합물이 ZrO2 및 HfO2 중 적어도 1개의 화합물을 포함하면, 적색 형광체 분말의 구형도가 높아지기 때문에 바람직하다.
ZrO2 및 HfO2 중 적어도 1개의 화합물의 배합량이 5질량％를 초과하면, 형광체의 휘도가 저하되기 쉽다. ZrO2 및 HfO2는 분말이면 바람직하다.
또한, 형광체 원료 혼합물은, 플럭스제로서 반응 촉진제인 불화칼륨 등의 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 불화물이나, 염화스트론튬 SrCl2 등을 포함하여도 된다.
형광체 원료 혼합물은 내화 도가니에 충전된다. 내화 도가니로서는, 예를 들어 질화붕소 도가니, 탄소 도가니 등이 사용된다.
내화 도가니에 충전된 형광체 원료 혼합물은 소성된다. 소성 장치는, 내화 도가니가 배치되는 내부의 소성 분위기의 조성 및 압력, 및 소성 온도 및 소성 시간이 소정 조건으로 유지되는 장치가 사용된다. 이러한 소성 장치로서는, 예를 들어 전기로가 사용된다.
소성 분위기로서는 불활성 가스가 사용된다. 불활성 가스로서는, 예를 들어 N2 가스, Ar 가스, N2와 H2의 혼합 가스 등이 사용된다.
일반적으로, 형광체 원료 혼합물로부터 형광체 분말을 소성할 때에는, 형광체 분말에 대하여 산소 O를 과잉으로 포함하는 형광체 원료 혼합물로부터 적량의 산소 O가 소실됨으로써, 소정 조성의 형광체 분말을 얻는다.
소성 분위기 중의 N2는, 형광체 원료 혼합물로부터 형광체 분말을 소성할 때, 형광체 원료 혼합물로부터 적량의 산소 O를 소실시키는 작용을 갖는다.
또한, 소성 분위기 중의 Ar은, 형광체 원료 혼합물로부터 형광체 분말을 소성할 때, 형광체 원료 혼합물에 여분의 산소 O를 공급하지 않는 작용을 갖는다.
또한, 소성 분위기 중의 H2는, 형광체 원료 혼합물로부터 형광체 분말을 소성할 때, 환원제로서 작용하여 N2에 비하여 형광체 원료 혼합물로부터 보다 많은 산소 O를 소실시킨다.
이로 인해, 불활성 가스 중에 H2가 포함되는 경우에는, 불활성 가스 중에 H2가 포함되지 않는 경우에 비하여 소성 시간을 짧게 할 수 있다. 단, 불활성 가스 중의 H2의 함유량이 지나치게 많으면, 얻어지는 형광체 분말의 조성이 화학식 (1)로 표시되는 Sr 사이알론 적색 형광체와 상이하기 쉬워, 이로 인해 형광체 분말의 발광 강도가 약해질 우려가 있다.
불활성 가스가 N2 가스, 또는 N2와 H2의 혼합 가스인 경우, 불활성 가스 중의 N2와 H2의 몰 비율은, N2:H2가 통상 10:0 내지 1:9, 바람직하게는 8:2 내지 2:8, 더욱 바람직하게는 6:4 내지 4:6이다.
불활성 가스 중의 N2와 H2의 몰 비율이 상기 범위 내, 즉 통상 10:0 내지 1:9이면, 단시간의 소성으로 결정 구조의 결함이 적은 고품질의 단결정의 형광체 분말을 얻을 수 있다.
불활성 가스 중의 N2와 H2의 몰 비율은, 소성 장치의 챔버 내에 연속적으로 공급되는 N2와 H2를, N2와 H2의 유량의 비율이 상기 비율이 되도록 공급함과 함께, 챔버 내의 혼합 가스를 연속적으로 배출함으로써 상기 비율, 즉 통상 10:0 내지 1:9로 할 수 있다.
소성 분위기인 불활성 가스는, 소성 장치의 챔버 내에서 기류를 형성시키도록 유통시키면, 소성이 균일하게 행해지기 때문에 바람직하다.
소성 분위기인 불활성 가스의 압력은, 통상 0.1MPa(약 1atm) 내지 1.0MPa(약 10atm), 바람직하게는 0.4MPa 내지 0.8MPa이다.
소성 분위기의 압력이 0.1MPa 미만이면, 소성 전에 도가니에 투입한 형광체 원료 혼합물과 비교하여, 소성 후에 얻어지는 형광체 분말의 조성이 화학식 (1)로 표시되는 Sr 사이알론 적색 형광체와 상이하기 쉬워, 이로 인해 형광체 분말의 발광 강도가 약해질 우려가 있다.
소성 분위기의 압력이 1.0MPa을 초과하면, 압력이 1.0MPa 이하인 경우와 비교하여도 소성 조건에 특별히 변화가 없어, 에너지 낭비가 되기 때문에 바람직하지 않다.
소성 온도는, 통상 1400℃ 내지 2000℃, 바람직하게는 1750℃ 내지 1950℃, 더욱 바람직하게는 1800℃ 내지 1900℃이다.
소성 온도가 1400℃ 내지 2000℃의 범위 내에 있으면, 단시간의 소성으로 결정 구조의 결함이 적은 고품질의 단결정의 형광체 분말을 얻을 수 있다.
소성 온도가 1400℃ 미만이면, 얻어지는 형광체 분말이 자외광, 자색광 또는 청색광에 의해 여기되어 출사하는 광의 색이 원하는 색이 되지 않을 우려가 있다. 즉, 화학식 (1)로 표시되는 Sr 사이알론 적색 형광체를 제조하고자 하는 경우에, 자외광, 자색광 또는 청색광에 의해 여기되어 출사하는 광의 색이 적색 이외의 색이 되거나 할 우려가 있다.
소성 온도가 2000℃를 초과하면, 소성시의 N과 O의 소실 정도가 커짐으로써 얻어지는 형광체 분말의 조성이 화학식 (1)로 표시되는 Sr 사이알론 적색 형광체와 상이하기 쉬워, 이로 인해 형광체 분말의 발광 강도가 약해질 우려가 있다.
소성 시간은, 통상 0.5시간 내지 20시간, 바람직하게는 1시간 내지 10시간, 더욱 바람직하게는 1시간 내지 5시간, 보다 더 바람직하게는 1.5시간 내지 2.5시간이다.
소성 시간이 0.5시간 미만인 경우 또는 20시간을 초과하는 경우에는, 얻어지는 형광체 분말의 조성이 화학식 (1)로 표시되는 Sr 사이알론 적색 형광체와 상이하기 쉬워, 이로 인해 형광체 분말의 발광 강도가 약해질 우려가 있다.
소성 시간은, 소성 온도가 높은 경우에는 0.5시간 내지 20시간의 범위 내에서 단시간으로 하는 것이 바람직하며, 소성 온도가 낮은 경우에는 0.5시간 내지 20시간의 범위 내에서 장시간으로 하는 것이 바람직하다.
소성 후의 내화 도가니 내에는 형광체 분말을 포함하는 소성체가 생성된다. 소성체는, 통상, 약하게 굳어진 덩어리 형상으로 되어 있다. 소성체를 막자 등을 사용하여 가볍게 해쇄하면, 형광체 분말이 얻어진다. 해쇄에 의해 얻어진 형광체 분말은, 화학식 (1)로 표시되는 Sr 사이알론 적색 형광체의 분말이 된다.
이상과 같은 프로세스를 거쳐 얻어지는 Sr 사이알론 적색 형광체는 그 입자의 형상이 판 형상 또는 기둥 형상이며 구형과는 상이한 것이다. 본 발명자들은 형광체의 입자 형상을 구형화하는 방법을 모색한 결과, 형광체 원료 혼합물 중에 ZrO2 또는 HfO2 등의 고융점 산화물을 미량 첨가하는 것이 그 입자 형상에 크게 영향을 미치는 것을 발견하였다.
즉, 형광체 원료 혼합물 중에 ZrO2 또는 HfO2 등의 고융점 산화물을 미량 첨가하면, Sr 사이알론 적색 형광체의 기둥 형상 입자의 장축이 짧아져 입방체 형상이라기보다는 구형에 가까운 입자 형상으로 되는 것을 발견하였다. 이 고융점 산화물의 첨가에 의해, Sr 사이알론 적색 형광체는 입자의 워델 구형도가 0.4 내지 0.5 정도의 형상에서부터 0.5 내지 0.55 정도로 향상된다.
여기서 워델 구형도(ψ)란, 다음의 방법으로 구해진 것이다. 처음에, 분말의 형광체의 입도 분포를 코울터 카운터법으로 측정한다. 얻어진 입도 분포에 있어서, 어떤 입경 Di에서의 개수 빈도를 Ni라고 한다. 여기서, 코울터 카운터법이란, 입자의 체적에 따른 전압 변화로부터 입도를 규정하는 방법이며, 입경 Di란 전압 변화에서 규정된 실제 입자와 동일 체적의 구형 입자의 직경이다.
이들 개수 빈도 Ni 및 입경 Di를 사용하여 분말 형광체의 비표면적(S)을 계산한다. 비표면적은 분체의 표면적을 그 중량으로 나눈 값이며, 단위 중량당 표면적으로서 정의된다.
입경 Di를 가진 입자의 중량은 (4π/3)×(Di/2)3×Ni×ρ(여기서, ρ는 분체의 밀도임)이다. 분체의 중량은, 이 중량을 각 입경에 대하여 더한 하기 식 (A2)로 표시된다.
Figure pct00003
또한, 입경 Di를 가진 입자의 표면적은 4π×(Di/2)2×Ni이다. 그러나, 실제의 입자 형상은 구형이 아니기 때문에, 실제의 비표면적은 워델 구형도(ψ)로 나눈 값{4π×(Di/2)2×Ni}/ψ를 각 입경에 대하여 더한 것이 된다.
따라서, 분말 형광체의 비표면적(S)은, 하기 식 (A3)으로 표시된다.
Figure pct00004
실제로는 워델 구형도(ψ)가 각 입경에 대하여 조금 상이한 값이 되는 것도 고려할 수 있지만, 분체 전체로서 구형으로부터의 어긋남으로서 평균적인 값으로 해석할 수 있다.
한편, 분체의 입경을 측정하는 방법으로서는 통기법(브레인법, 피셔법 등)이 알려져 있다. 이 방법은 양단이 개방된 금속제 튜브에 분체를 채워넣고, 그 분체층에 공기를 통과시켜, 즉 통기시켜 공기의 통과 용이성으로부터 입경을 규정하는 것이며, 그 입경은 비표면적 직경(d)이라고 불린다. 비표면적 직경(d)과 비표면적(S)은, 하기 식 (A4)의 관계가 있다.
Figure pct00005
따라서, 워델 구형도(ψ)는, 입도 분포로부터 계산되는 비표면적과 통기법의 입경으로부터 계산되는 비표면적을 비교함으로써, 하기 식 (A5)로 구할 수 있다.
Figure pct00006
입도 분포의 입경은 통상 입경 범위로서 표현되지만, 본 발명에서는 입경 Di를 입경 범위의 중간값으로 하고, 정밀도를 높이기 위하여 입경 범위를 0.2㎛마다로 하였다. 입도 분포를 대수 정규 확률지에 플롯하면 2개의 직선으로 근사할 수 있다. 따라서, 그 2개의 정규 확률 분포로부터 0.2㎛마다의 개수 빈도 데이터를 용이하게 얻을 수 있다.
상기와 같이 형광체 원료 혼합물 중에 ZrO2 또는 HfO2 등의 고융점 산화물을 미량 첨가하여 형광체를 소성하면, 워델 구형도(ψ)가 높은 형광체가 얻어진다. 그러나, 얻어진 형광체를 SEM 관찰한 바, 입경이 작은 소입자의 형광체에 있어서 구형으로부터의 괴리가 큰 것을 알 수 있었다. 따라서, 본 발명에서는 그들 소입자를 분급하여 제거하는 분급 공정을 행함으로써, 형광체 분말의 워델의 구형도를 0.60 이상으로까지 향상시킨다.
(분급 공정)
분급 공정은, 형광체 원료 혼합물을 소성하여 얻어진 형광체 분말 중, 입경이 작은 입자부터 순서대로 적산한 부분인 소입자 부분을, 분급에 의해 상기 형광체 분말의 20질량％ 이하의 범위로 제거하는 공정이다.
분급 방법으로서는, 예를 들어 메쉬를 사용하는 방법이나, 수중에 형광체를 분산, 정치하고, 입자 직경에서의 침강 차이로부터 소입자를 제거하는 방법을 이용할 수 있다. 이러한 분급에 의해 제거되는 소입자의 양은, 분급 전의 형광체량에 대하여 20질량％ 이하이다.
표 1은 형광체 분말의 구형도의 변화와 본 발명의 발광 장치의 휘도와의 관계의 일례를 나타낸 것이다. 형광체로서는 Sr1 .6Eu0 .4Si7Al3ON13 조성의 형광체를 사용하였다.
Figure pct00007
표 1로부터 구형도와 발광 휘도 사이에 상관 관계가 있다는 것을 알 수 있다. 그리고, 본 발명의 Sr 사이알론 적색 형광체를 사용함으로써 발광 장치의 휘도를 유효하게 개선할 수 있는 것을 알 수 있다.
[발광 장치]
발광 장치는, 상기 화학식 (1)로 표시되는 Sr 사이알론 적색 형광체를 사용하는 발광 장치이다.
구체적으로는, 발광 장치는, 기판과, 이 기판 상에 배치되어 자외광, 자색광 또는 청색광을 출사하는 반도체 발광 소자와, 이 반도체 발광 소자의 발광면을 덮도록 형성되고, 반도체 발광 소자로부터의 출사광에 의해 여기되어 가시광을 발하는 형광체를 포함하는 발광부를 구비하며, 형광체는 화학식 (1)로 표시되는 Sr 사이알론 적색 형광체를 포함하는 발광 장치이다. 이에 의해, 발광 장치는 적색광을 출사한다.
또한, 발광 장치는, 발광부 중에 Sr 사이알론 적색 형광체 외에, 청색 형광체 및 Sr 사이알론 구조를 갖는 Sr 사이알론 녹색 형광체 등의 녹색 형광체를 포함하도록 하거나 하면, 각 색의 형광체로부터 출사되는 적색광, 청색광 및 녹색광 등의 각 색의 광의 혼색에 의해, 발광 장치의 출사면으로부터 백색광을 출사하는 백색광 발광 장치로 할 수도 있다.
또한, 발광 장치는, 형광체로서 화학식 (1)로 표시되는 Sr 사이알론 적색 형광체와 Sr 사이알론 녹색 형광체를 포함하여도 된다. 형광체로서 Sr 사이알론 적색 형광체와 Sr 사이알론 녹색 형광체의 양쪽이 포함되는 경우에는, 온도 특성이 좋은 발광 장치가 얻어진다.
(기판)
기판으로서는, 예를 들어 알루미나, 질화알루미늄(AlN) 등의 세라믹스, 유리 에폭시 수지 등이 사용된다. 기판이 알루미나판이나 질화알루미늄판이면, 열전도성이 높고, LED 광원의 온도 상승을 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
(반도체 발광 소자)
반도체 발광 소자는 기판 상에 배치된다.
반도체 발광 소자로서는 자외광, 자색광 또는 청색광을 출사하는 반도체 발광 소자가 사용된다. 여기서, 자외광, 자색광 또는 청색광이란, 자외광, 자색광 또는 청색광의 파장 영역 내에 피크 파장을 갖는 광을 의미한다. 자외광, 자색광 또는 청색광은, 370nm 이상 470nm 이하의 범위 내에 피크 파장을 갖는 광인 것이 바람직하다.
자외광, 자색광 또는 청색광을 출사하는 반도체 발광 소자로서는, 예를 들어 자외 발광 다이오드, 자색 발광 다이오드, 청색 발광 다이오드, 자외 레이저 다이오드, 자색 레이저 다이오드 및 청색 레이저 다이오드 등이 사용된다. 또한, 반도체 발광 소자가 레이저 다이오드인 경우, 상기 피크 파장이란 피크 발진 파장을 의미한다.
(발광부)
발광부는 반도체 발광 소자로부터의 출사광인 자외광, 자색광 또는 청색광에 의해 여기되어 가시광을 출사하는 형광체를 투명 수지 경화물 중에 포함하는 것이며, 반도체 발광 소자의 발광면을 피복하도록 형성된다.
발광부에 사용되는 형광체는, 적어도 상기 Sr 사이알론 적색 형광체를 포함한다. 또한, 형광체는 Sr 사이알론 녹색 형광체를 포함하여도 된다.
또한, 발광부에 사용되는 형광체는, 상기 Sr 사이알론 적색 형광체와, Sr 사이알론 적색 형광체 이외의 형광체를 포함하는 것이어도 된다. Sr 사이알론 적색 형광체 이외의 형광체로서는, 예를 들어 적색 형광체, 청색 형광체, 녹색 형광체, 황색 형광체, 자색 형광체, 주황색 형광체 등을 사용할 수 있다. 형광체로서는, 통상 분말 상태의 것이 사용된다.
발광부에 있어서, 형광체는 투명 수지 경화물 중에 포함된다. 통상, 형광체는 투명 수지 경화물 중에 분산된다.
발광부에 사용되는 투명 수지 경화물은 투명 수지, 즉 투명성이 높은 수지를 경화시킨 것이다. 투명 수지로서는, 예를 들어 실리콘 수지, 에폭시 수지 등이 사용된다. 실리콘 수지는 에폭시 수지보다도 UV 내성이 높기 때문에 바람직하다. 또한, 실리콘 수지 중에서는 디메틸실리콘 수지가 UV 내성이 높기 때문에 더욱 바람직하다.
발광부는, 형광체 100질량부에 대하여 투명 수지 경화물 20 내지 1000질량부의 비율로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 형광체에 대한 투명 수지 경화물의 비율이 이 범위 내에 있으면, 발광부의 발광 강도가 높다.
발광부의 막 두께는, 통상 80㎛ 이상 800㎛ 이하, 바람직하게는 150㎛ 이상 600㎛ 이하이다. 발광부의 막 두께가 80㎛ 이상 800㎛ 이하이면, 반도체 발광 소자로부터 출사되는 자외광, 자색광 또는 청색광의 누출량이 적은 상태로 실용적인 밝기를 확보할 수 있다. 발광부의 막 두께를 150㎛ 이상 600㎛ 이하로 하면, 발광부로부터의 발광을 보다 밝게 할 수 있다.
발광부는, 예를 들어 처음에 투명 수지와 형광체를 혼합하여, 형광체가 투명 수지 중에 분산된 형광체 슬러리를 제조하고, 이어서 형광체 슬러리를 반도체 발광 소자나 글로브 내면에 도포하여 경화시킴으로써 얻어진다.
형광체 슬러리를 반도체 발광 소자에 도포한 경우에는, 발광부는 반도체 발광 소자에 접촉하여 피복되는 형태가 된다. 또한, 형광체 슬러리를 글로브 내면에 도포한 경우에는, 발광부는 반도체 발광 소자와 이격하여 글로브 내면에 형성되는 형태가 된다. 이 발광부가 글로브 내면에 형성되는 형태의 발광 장치는, 리모트 포스퍼형 LED 발광 장치라고 칭해진다.
형광체 슬러리는, 예를 들어 100℃ 내지 160℃로 가열함으로써 경화시킬 수 있다.
도 1은 발광 장치의 발광 스펙트럼의 일례이다.
구체적으로는, 반도체 발광 소자로서 피크 파장이 400nm인 자색광을 출사하는 자색 LED를 사용함과 함께, 형광체로서 Sr1 .6Eu0 .4Si7Al3ON13으로 표시되는 기본 조성을 갖는 Sr 사이알론 적색 형광체만을 사용한, 25℃에서의 적색 발광 장치의 발광 스펙트럼이다.
또한, 자색 LED는 순방향 강하 전압 Vf가 3.190V, 순방향 전류 If가 20mA이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 형광체로서 화학식 (1)로 표시되는 Sr 사이알론 적색 형광체를 사용한 적색 발광 장치는, 자색광 등의 단파장의 여기광을 사용한 경우에도 발광 강도가 높다.
<실시예>
이하에 실시예를 나타내지만, 본 발명은 이들에 한정되어 해석되는 것이 아니다.
[실시예 1]
(적색 형광체의 제작)
처음에 SrCO3을 312g, AlN을 162g, Si3N4를 432g, Eu2O3을 93g 및 ZrO2를 5g 각각 칭량하고, 이들에 플럭스제를 적량 첨가하고, 건식 혼합하여 형광체 원료 혼합물을 제조하였다. 그 후, 이 형광체 원료 혼합물을 질화붕소 도가니에 충전하였다.
형광체 원료 혼합물이 충전된 질화붕소 도가니를 전기로 내에서 0.7MPa(약 7기압)의 질소 분위기 중에 1850℃에서 2시간 소성한 바, 도가니 중에 소성 분말의 덩어리가 얻어졌다.
이 덩어리를 해쇄한 후, 소성 분말에 소성 분말 질량의 10배량의 순수를 첨가하여 10분간 교반하고, 여과하여 소성 분말을 얻었다. 이 소성 분말의 세정 조작을 4회 더 반복하여, 합계 5회 세정하였다.
<분급 공정>
이어서, 세정과 마찬가지로 소성 분말 질량의 10배량의 순수를 첨가하여 10분간 교반한 후, 교반을 정지하고, 일정 시간 방치한 후 상청을 소입자 형광체와 함께 배출함으로써 분급을 행하였다. 분급은 그 조작을 3회 행하였다. 분급 후의 소성 분말을 여과하여 건조한 후, 구멍 45마이크로미터의 나일론 메쉬로 체 분급하였더니, 본 발명의 소성 분말이 얻어졌다.
이 소성 분말을 분석한 바, 표 2에 나타내는 조성을 포함하는 단결정의 Sr 사이알론 적색 형광체이었다.
Figure pct00008
(발광 장치의 제작)
얻어진 Sr 사이알론 적색 형광체를 사용하여 발광 장치를 제작하였다.
(녹색 형광체 및 발광 장치의 평가)
얻어진 Sr 사이알론 적색 형광체에 대하여 구형도를 측정하고, 이 Sr 사이알론 적색 형광체를 사용한 발광 장치의 발광 효율을 측정하였다. 발광 효율은 실온(25℃)에서 측정한 것이며, 후술하는 비교예 1의 실온에서의 발광 효율(lm/W)을 100으로 하는 상대값(％)으로서 나타낸다.
또한, 비교예 1은 형광체 원료 혼합물에 고융점 산화물인 ZrO2를 배합하지 않음과 함께 분급 공정을 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 제작한 형광체이다.
구형도, 발광 효율의 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
[비교예 1]
형광체 원료 혼합물에 고융점 산화물인 ZrO2를 배합하지 않음과 함께 분급 공정을 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 형광체를 제작하였다.
얻어진 적색 형광체에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여 구형도, 그것을 사용한 발광 장치의 발광 효율을 측정하였다. 구형도, 발광 효율의 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
[실시예 2 내지 10, 비교예 2 내지 10]
(적색 형광체의 제작)
형광체 원료 혼합물 중의 ZrO2 및 HfO2 등의 고융점 산화물의 배합량을 표 2에 나타낸 바와 같이 바꾸어, 표 2에 나타내는 기본 조성의 소성 분말을 얻음과 함께, 소성 분말의 분급 공정을 표 2에 나타낸 바와 같이 행한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적색 형광체를 제작하였다(실시예 2 내지 10).
형광체 원료 혼합물에 ZrO2 및 HfO2 등의 고융점 산화물을 배합하지 않음과 함께 분급 공정을 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 2 내지 10의 각 실시예와 마찬가지로 하여 형광체를 제작하였다(비교예 2 내지 10).
얻어진 적색 형광체(실시예 2 내지 10, 비교예 2 내지 10)에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여 구형도, 그것을 사용한 발광 장치의 발광 효율을 측정하였다. 구형도, 발광 효율의 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
또한, 실시예 2 내지 10의 발광 효율은, 형광체 원료 혼합물에 ZrO2 및 HfO2 등의 고융점 산화물을 배합하지 않음과 함께 분급 공정을 행하지 않은 것 이외에는, 마찬가지로 하여 제작한 비교예의 발광 효율(lm/W)을 100으로 하는 상대값(％)으로서 나타낸다.
구체적으로는, 실시예 2 내지 10의 발광 효율은, 각각 비교예 2 내지 10의 발광 효율(lm/W)을 100으로 하는 상대값(％)으로서 나타낸다.
표 2로부터 본 발명의 프로세스에 의해 구형도를 높인 형광체 및 그것을 사용한 발광 장치는, 종래의 형광체 및 그것을 사용한 발광 장치와 비교하여 발광 효율이 향상되는 것을 알 수 있다.
또한, 본 발명의 몇 가지 실시 형태를 설명하였지만, 이들 실시 형태는 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규의 실시 형태는 그 밖의 다양한 형태로 실시할 수 있는 것이며, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태나 그 변형은 발명의 범위나 요지에 포함됨과 함께, 특허청구범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함된다.

Claims (8)

  1. 하기 화학식 (1)로 표시되는 기본 조성을 갖는 유로퓸 활성화 사이알론 결정체를 포함하는 형광체로서,
    상기 형광체는, 입자의 구형도가 0.60 이상의 값을 갖고,
    자외광, 자색광 또는 청색광으로 여기됨으로써 적색 발광하는 것을 특징으로 하는 형광체.
    Figure pct00009

    (식 중, x는 0<x<1, α는 0<α≤3이고, β, γ, δ 및 ω는 α가 2일 때 환산한 수치가 5≤β≤9, 1≤γ≤5, 0≤δ≤1.5, 10≤ω≤20을 만족하는 수임)
  2. 제1항에 있어서, 상기 형광체는 사방정계에 속하는 것을 특징으로 하는 형광체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 자외광, 자색광 또는 청색광은 370nm 이상 470nm 이하의 범위 내에 피크 파장을 갖는 광인 것을 특징으로 하는 형광체.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 평균 입경이 5㎛ 이상 80㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 형광체.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 발광 피크 파장이 550nm 이상 650nm 이하인 것을 특징으로 하는 형광체.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 형광체를 제조하는 형광체의 제조 방법으로서,
    형광체의 원료인 형광체 원료 혼합물이 ZrO2 및 HfO2 중 적어도 1종의 화합물을 0.1 내지 5질량％ 포함하고,
    상기 형광체 원료 혼합물을 소성하여 얻어진 형광체 분말 중, 입경이 작은 입자부터 순서대로 적산한 부분인 소입자 부분을, 분급에 의해 상기 형광체 분말의 20질량％ 이하의 범위로 제거하는 분급 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체의 제조 방법.
  7. 기판과,
    상기 기판 상에 배치되어 자외광, 자색광 또는 청색광을 출사하는 반도체 발광 소자와,
    상기 반도체 발광 소자의 발광면을 덮도록 형성되고, 상기 반도체 발광 소자로부터의 출사광에 의해 여기되어 가시광을 발하는 형광체를 포함하는 발광부를 구비하며,
    상기 형광체는 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 반도체 발광 소자는 370nm 이상 470nm 이하의 범위 내에 피크 파장을 갖는 광을 출사하는 발광 다이오드 또는 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
KR1020147022229A 2012-03-16 2013-03-15 형광체, 형광체의 제조 방법 및 발광 장치 KR20140121432A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012060086 2012-03-16
JPJP-P-2012-060086 2012-03-16
PCT/JP2013/057406 WO2013137435A1 (ja) 2012-03-16 2013-03-15 蛍光体、蛍光体の製造方法および発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140121432A true KR20140121432A (ko) 2014-10-15

Family

ID=49161331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147022229A KR20140121432A (ko) 2012-03-16 2013-03-15 형광체, 형광체의 제조 방법 및 발광 장치

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPWO2013137435A1 (ko)
KR (1) KR20140121432A (ko)
WO (1) WO2013137435A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9890328B2 (en) 2014-12-12 2018-02-13 General Electric Company Phosphor compositions and lighting apparatus thereof
WO2017051457A1 (ja) * 2015-09-24 2017-03-30 株式会社 東芝 蛍光体、その製造方法、およびその蛍光体を用いた発光装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002194347A (ja) * 2000-12-22 2002-07-10 Toshiba Corp 蛍光体，その製造方法および発光デバイス
JP4572368B2 (ja) * 2004-08-12 2010-11-04 株式会社フジクラ サイアロン蛍光体の製造方法
WO2007105631A1 (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Kabushiki Kaisha Toshiba 蛍光体および発光装置
JP2007332324A (ja) * 2006-06-19 2007-12-27 Denki Kagaku Kogyo Kk サイアロン蛍光体とその製造方法、およびそれを用いた発光素子
JP4869317B2 (ja) * 2008-10-29 2012-02-08 株式会社東芝 赤色蛍光体およびそれを用いた発光装置
WO2010098141A1 (ja) * 2009-02-26 2010-09-02 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置
JP5129283B2 (ja) * 2010-03-09 2013-01-30 株式会社東芝 蛍光体、蛍光体の製造方法、発光装置及び発光モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2013137435A1 (ja) 2015-08-03
WO2013137435A1 (ja) 2013-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20130106394A (ko) 청색 발광 형광체 및 그 청색 발광 형광체를 사용한 발광 장치
KR101476561B1 (ko) 형광체 및 발광 장치
JP6970658B2 (ja) 蛍光体、発光素子及び発光装置
WO2013137436A1 (ja) 蛍光体、蛍光体の製造方法および発光装置
JP6833683B2 (ja) 蛍光体およびその製造方法、ならびにｌｅｄランプ
JP2010196049A (ja) 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、並びに、該蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置
KR20140121432A (ko) 형광체, 형광체의 제조 방법 및 발광 장치
JP2017179017A (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤
JP5702568B2 (ja) 蛍光体の製造方法および発光装置
KR101593857B1 (ko) 형광체, 형광체의 제조 방법 및 발광 장치
JP5955835B2 (ja) 蛍光体および発光装置
KR102528846B1 (ko) 알루민산염 형광체의 제조 방법, 알루민산염 형광체 및 발광장치
JP2017179018A (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤
JP2020096175A (ja) 発光装置、照明装置、画像表示装置および窒化物蛍光体
JP5730084B2 (ja) ユーロピウム付活ストロンチウムサイアロン蛍光体およびその製造方法、ならびに発光装置
KR20180069271A (ko) 알루미나 나노분말을 이용한 형광체의 제조방법
JP2017179020A (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤
JP5702569B2 (ja) 蛍光体の製造方法および発光装置
JP2017179021A (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤
JP2017179019A (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application