TWI751140B

TWI751140B - 螢光體、發光元件及發光裝置

Info

Publication number: TWI751140B
Application number: TW106107969A
Authority: TW
Inventors: 井之上紗緒梨; 野見山智宏
Original assignee: 日商電化股份有限公司
Priority date: 2016-03-11
Filing date: 2017-03-10
Publication date: 2022-01-01
Also published as: KR20180118223A; TW201802230A; JP6970658B2; JPWO2017155111A1; WO2017155111A1; CN108779394A; KR102399783B1

Abstract

本發明提供一種發光裝置，其係螢光強度高，即使長時間使用，發光效率亦幾乎不會降低的發光裝置；並提供用以達成該目的之螢光體。本發明係Eu活化Li-α賽隆系螢光體以及具備該螢光體的發光裝置；其中，該螢光體係F含量為20質量ppm以下、P與Na的總含量為10質量ppm以下、且α賽隆結晶相對於全結晶相的比例在95質量%以上的螢光體。

Description

螢光體、發光元件及發光裝置

本發明係關於螢光體。另外，本發明係關於具備螢光體的發光元件。再者，本發明係關於具備發光元件的發光裝置。

以往，作為發出橙色光的螢光體，以通式：Ca_xEu_ySi_12-(m+n)Al_(m+n)O_nN_16-n所示的、使用Ca²⁺作為用以穩定結晶構造之金屬離子的Ca-α賽隆螢光體已為人所知，其可得到高發光效率(參照專利文獻1)。具備該使用Ca²⁺之α賽隆螢光體的發光裝置中，在長時間使用的情況下，不會發生「發光裝置之發光效率低落」這樣的問題。

相對於此，近年來討論提升輝度以及螢光光譜的短波長化，而提出使用Li⁺作為用以使結晶構造穩定化之金屬離子的Li-α賽隆螢光體(參照專利文獻2至4)。藉此，相較於使用Ca-α賽隆螢光體的發光裝置，雖因具備Li-α賽隆螢光體而改善了發光裝置的輝度並且將其短波長化，但在長時間使用的情況下，作為LED封裝之密封材料的樹脂劣化，其原因被認為是螢光體所含之雜質元素的離子化；而因為上述的樹脂劣化，導致發光裝置的發光效率降低，因而具有新的問題(參照專利文獻5)。

另一方面，關於與紅色發光螢光體之一種的α賽隆相同的氮氧化物系螢光體、即CASN系螢光體，如同在專利文獻6至7中所報告，其藉由包含了非構成結晶相之元素的鹵素元素，而得到高發光效率，故可得知構成結晶相之元素以外的元素，並不一定會帶來不良的影響。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2002-363554號公報

[專利文獻2]國際公開第2007/004493號

[專利文獻3]國際公開第2010/018873號

[專利文獻4]日本特開2010-202738號公報

[專利文獻5]日本特開2009-224754號公報

[專利文獻6]日本特開2010-18771號公報

[專利文獻7]日本特表2012-512307號公報

如此，雖對於Li-α賽隆系螢光體的特性改善進行了各種討論，但對於因長時間使用而造成發光效率降低，仍留有改善的空間。本發明之目的，係提供一種高螢光強度、即使長時間使用發光效率亦幾乎不會降低的發光裝置，並且提供用以達成此目的之螢光體。

本發明一態樣，係Eu活化Li-α賽隆系螢光體，其係F含量為20質量ppm以下，且P與Na的總含量為10質量ppm以下，α賽隆結晶相對於全結晶相的比例在95質量%以上的螢光體。

本發明之螢光體的一實施形態中，P與Na的總含量為5質量ppm以下。

本發明之螢光體的另一實施形態中，Li含量為1.8質量%以上3質量%以下。

本發明之螢光體的另一實施形態中，Eu含量為0.1質量%以上1.5質量%以下。

本發明之螢光體的另一實施形態中，O含量為0.4質量%以上1.3質量%以下。

本發明之螢光體的另一實施形態中，平均一次粒徑為7μm以上35μm以下。

本發明之另一態樣，係一發光元件，其具有本發明之螢光體與對該螢光體照射激發光線的發光光源。

本發明之發光元件的一實施形態中，該發光光源係發光二極體或雷射二極體。

本發明之發光元件的另一實施形態中，在溫度85℃且相對濕度85%的條件下，通電150mA並放置1000小時的情況下，其光束保持率在95%以上。

本發明之另一態樣，係具備本發明之發光元件的發光裝置。

本發明中，針對Eu活化Li-α賽隆系螢光體，一方面提高α賽隆結晶相對於全結晶相的比例，一方面減少F、Na及P的含量。藉由使用本發明之螢光體，可得到高螢光強度，同時可得到即使長時間使用發光效率亦幾乎不會降低的發光裝置。

[實施發明之形態]

本發明在一態樣中，係關於Eu活化Li-α賽隆系螢光體。Eu活化Li-α賽隆系螢光體，一般而言，係具有以下式：Li_xEu_ySi_12-(m+n)Al_m+nO_nN_16-n(x+y≦2,m=x+2y)所示之化合物的螢光體。該螢光體中，α氮化矽結晶的Si-N鍵的一部分被取代為Al-N鍵及Al-O鍵，而在保持電中性的狀態下，Li與Eu侵入固溶於結晶內的空隙；m值、n值分別對應對於Al-N鍵、Al-O鍵的取代率。

本發明中使用Li⁺，其目的並非是以往的短波長化，而是相較於Ca²⁺的情況，可得到更高的螢光強度。α型賽隆的固溶組成範圍，不僅被該穩定化陽離子的固溶位置的數量所限制，亦被與穩定化陽離子對應之熱力學上的穩定所限制。Li⁺的情況中，可維持α型賽隆構造的m值範圍在0.5以上2以下，n值範圍在0以上0.5以下。本發明之螢光體中的Li含量若太少，則螢光體燒結步驟中，粒子成長的進行變得非常緩慢，而具有難以得到高螢光強度之大粒子的傾向；若過多，則具有生成LiSi₂N₃等的其他相的傾向，故較佳為1.8質量%以上3質量%以下。Li含量，可藉由摻合螢光體的原料進行調整。具體而言，可藉由增加或減少作為Li含有原料之氮化鋰及氧化鋰的摻合比來進行調整。

本發明之螢光體中的Eu含量若太少，則具有對於發光的貢獻變小、螢光強度變低的傾向；若太多，則具有Eu²⁺間的能量傳遞導致螢光濃度消光、進而導致螢光強度變低的傾向，故較佳為0.1質量%以上1.5質量%以下。Eu含量，可藉由摻合螢光體的原料進行調整。具體而言，可藉由增加或減少Eu含有原料之氧化銪、氮化銪的摻合比來進行調整。

本發明之螢光體中的氧(O)含量較佳為0.4質量%以上1.3質量%以下。這是因為，氧含量太少的螢光體，製造步驟中，晶粒成長少而無法得到高螢光強度，若氧含量太多，則螢光光譜寬幅化，而無法得到充分的螢光強度。

為了得到即使長時間使用發光效率亦幾乎不會降低的螢光體，在螢光體的雜質元素之中，F含量較佳在20質量ppm以下，更佳在10質量ppm以下，再佳在5質量ppm以下，例如可為1~20質量ppm。如後段所述，因為提高螢光體的α賽隆結晶比例可提升發光特性，故對於螢光體進行酸處理係為有效，但F係在酸處理時容易混入的元素。僅進行酸處理難以充分提升發光特性，故在進行酸處理後去除F，對於持續得到優良的發光效率來說係為重要。

另外，為了抑制具備螢光體的發光裝置的發光效率降低，且在長時間使用下減少電性不良的產生，期望更加抑制P及Na的總含量。具體而言，P及Na的總含量較佳為10質量ppm以下，更佳為5質量ppm以下，再佳為2質量ppm以下，例如，可為1~5質量ppm。如後所述，因為提高螢光體的α賽隆結晶比例可提升發光特性，故藉由分級來去除螢光體的微粉係為有效。分級可採用濕式分級，其係使用六甲磷酸鈉作為分散劑，但此種方法容易混入P及Na。因此，此情況下，僅進行分級是難以充分提升發光特性，故在進行分級之後，去除Na及P，對於持續得到優良的發光效率來說係為重要。為了更抑制P含量及Na含量並且減輕分級步驟後的洗淨步驟的負擔，分級步驟較佳為採用使用鹼性溶劑的濕式分級，另外，亦可為乾式分級。

本發明之螢光體，以微調螢光特性為目的，可在保持電中性的情況下，將該通式中部分的Li取代為選自Mg、Ca、Y及鑭系元素(不包括La、Ce、Eu)所構成之群組的1種以上的取代元素。因此，Eu活化Li-α賽隆系螢光體的一實施形態中，藉由1種以上的上述取代元素來取代部分的Li。

本發明之螢光體，只要不影響螢光特性，則作為存在螢光體中的結晶相，不僅可包含α賽隆單相，亦可包含氮化矽、氮化鋁、氮化矽鋰及該等的固溶體等之結晶相。然而，一般而言，螢光體中的α賽隆的比例，較佳為95質量%以上，更佳為97質量%以上，再更佳為98質量%以上，例如，可為95~99質量%。

本發明之螢光體中的平均一次粒徑若太小，則具有螢光強度變低的傾向，若太大則具有在將螢光體搭載於LED之發光面時發光色的色度產生不均、發光色產生色斑的傾向，故較佳為7μm以上35μm以下。此處的平均一次粒徑，係指藉由雷射繞射‧散射法的體積基準的中位直徑(D50)。

本發明之螢光體，可經由原料的混合步驟、燒結步驟、酸處理步驟及洗淨步驟以進行製造。較佳係在酸處理步驟後，於洗淨步驟前或後或前後皆實施分級步驟，更佳為洗淨步驟前或前後皆實施分級步驟。

首先，以所期望的比例將氮化矽粉末、氮化鋁粉末、氧化銪等的氮化鋰粉末以外的螢光體原料混合。若考慮到工業的生產性，較佳係以濕式混合進行混合。濕式混合之後，經過去除溶劑、乾燥及粉碎，而得到預混合粉末。以所期望的比例將此預混合粉末與氮化鋰粉末混合，藉此可得到原料混合粉末。為了抑制水解，較佳係在氮氣環境等下進行混合。

藉由將該原料混合粉末燒結，可得到Eu活化Li-α賽隆。作為燒結中所使用的坩堝，較佳為由在高溫環境下穩定的材質所構成，較佳為氮化硼製、碳製、鉬或鉭等的高熔點金屬製等。燒結環境並無特別限制，但一般而言係在非活性氣體環境或還原環境下進行。非活性氣體或還原性氣體，可僅使用1種，亦可以任意組合及比例合併使用2種以上。作為非活性氣體或還原性氣體，可舉例如氫、氮、氬、氨等，其中，較佳係在氮環境下。燒結環境的壓力可因應燒結溫度來選擇。環境壓力越高，螢光體的分解溫度越高，但若考慮到工業的生產性，則較佳係在表壓(gauge pressure)0.02~1.0MPa左右的加壓下進行。燒結溫度若低於1650℃，則母體結晶的結晶缺陷及未反應殘存量變多，若超過1900℃則母體分解，因而不佳。因此，燒結溫度較佳為1650~1900℃。若燒結時間短，則母體結晶的結晶缺陷及未反應殘存量高，若燒結時間變長，考慮到工業的生產性，則不佳。因此，較佳為2~24小時。所得之Eu活化Li-α賽隆亦可因應需求分級為所期望的粒度。

由燒結所得之Eu活化Li-α賽隆，一般而言，α賽隆的結晶比例較低，故難以呈現優良的螢光強度。因此，較佳係以氫氟酸及硝酸的混合液等進行酸處理，以提高α賽隆的結晶比例。

如此，若螢光體的粒徑太小，則具有螢光強度變低的傾向，為了得到高輝度的螢光體，較佳係在酸處理步驟後，實施用以去除微粉的分級步驟。分級步驟可採用濕式及乾式的任一種，但較佳為淘析(elutriation)分級或乾式分級；該淘析分級，係將螢光體靜置於離子交換水與作為分散劑之六甲磷酸鈉的混合溶劑中或是離子交換水與氨水的混合鹼性溶劑中。

藉由經過酸處理及分級步驟，可提高α賽隆的結晶比例，但若以氫氟酸及硝酸之混合液等進行酸處理以及以六甲磷酸鈉進行淘析分級處理，則F、Na及P等的雜質附著於螢光體，而該等元素反而變成雜質，進而成為長時間使用後導致發光效率降低的原因。於是，於進行酸處理及淘析分級處理後，在離子交換水等的溶劑中，於超音波均質機中對螢光體進行分散及洗淨，如此可有效去除雜質。

本發明在另一態樣中，係具有發光光源與螢光體的發光元件，且該螢光體係上述螢光體。作為該發光光源，較佳為發光波長的峰值強度在240nm以上480nm以下的單色光之LED或LD。光源的峰值波長在240nm以上480nm以下的單色光，係在實際使用中最廣泛被使用的藍色LED的波長區域，另外，若以該範圍的波長激發Li-α賽隆，則可進行具有高螢光強度的發光。

本發明之發光元件，在一實施形態中，在85℃的溫度且85%的相對濕度的條件下，通電150mA並且放置1000小時的情況下，可使光束保持率在95%以上，較佳可在97%以上，更佳可在98%以上，例如，可在95~99%。

本發明在另一態樣中，係具備該發光元件的發光裝置。作為發光裝置，例如，可列舉：信號、戶外顯示裝置等在戶外使用的資訊顯示裝置，另外，可列舉替代汽車用頭燈、白熱燈、螢光等的照明裝置。

具備本發明之螢光體與LED的發光元件，例如，可以下述方法製造。首先，將本發明之螢光體與密封材混合，並調整漿液。例如，可相對於密封材100質量份，以30~50質量份的比例進行混合，以調整漿液。作為密封材，例如，可列舉熱塑性樹脂、熱固性樹脂、光硬化性樹脂等。具體而言，例如，可列舉：聚甲基丙烯酸甲酯等的甲基丙烯酸樹脂；聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物等的苯乙烯樹脂；聚碳酸酯樹脂；聚酯樹脂；苯氧樹脂；丁縮醛樹脂；聚乙烯醇；乙基纖維素、纖維素乙酸酯、纖維素乙酸酯丁酸酯等的纖維素系樹脂；環氧樹脂；苯酚樹脂；矽酮樹脂等。另外，無機系材料，例如，可使用以溶膠凝膠法將含有金屬烷氧化物、陶瓷前驅物高分子或是金屬烷氧化物的溶液進行水解聚合而成的溶液，或是將該等的組合固化的無機系材料，例如，具有矽氧烷鍵的無機系材料。另外，若為不直接接觸LED晶片而是可外部安裝的密封部(例如，外部帽蓋、圓頂狀的密封部等)，則亦可使用溶融法玻璃。又，密封材可使用1種，亦可以任意的組合及比例合併使用2種以上。

密封材之中，基於分散性及成形性的理由，較佳係使用具有熱硬化性且在常溫下具有流動性的樹脂。作為具有熱硬化性且在常溫下具有流動性的樹脂，可使用例如矽酮樹脂。例如，可列舉：Dow Corning Toray股份有限公司製，商品名稱：JCR6175、OE6631、OE6635、OE6636、OE6650等。

接著，例如，在安裝有460nm具有峰值波長的藍色LED晶片的正向型封裝中，注入上述漿液3~4μL。在140~160℃範圍的溫度中，於2~2.5小時的範圍內，將經注入該漿液的正向型封裝加熱，以使漿液硬化。如此可製造吸收波長420~480nm之範圍的光且放出波長超過480nm、800nm以下之光線的發光元件。

[實施例]

一方面比較本發明之實施例與比較例，一方面使用表進行說明。

<實施例1(參考例)>

針對實施例1的螢光體的製造方法進行說明。經由原料的混合步驟、燒結步驟，製造螢光體。

(混合步驟)

實施例1的螢光體的原料為Si₃N₄(宇部興產公司製E10等級)、AlN(TOKUYAMA公司製F等級)、Eu₂O₃(信越化學工業公司製RU等級)、Li₃N粉末(Materion公司製純度99.5質量%，-60mesh)。以使mol比為Si₃N₄：AlN：Eu₂O₃=84.5：14.8：0.64的方式，秤量該等原料，並且進行混合，而得到預混合粉末。

在氮氣環境下，以成為預混合粉末之莫耳數(Si₃N₄、AlN及Eu₂O₃的總莫耳數)：Li₃N之莫耳數=94.1：5.9之比例的方式，混合預混合粉末，得到原料混合粉末。

(燒結步驟)

在手套箱內，將該原料混合粉末填充至氮化硼質的坩堝，並於碳製加熱器的電爐內，於表壓0.8MPa的加壓氮氣環境中，以1800℃進行8小時的燒結，而得到Eu活化Li-α賽隆。

以輥軋機及噴射研磨機等的乾式粉碎機將此Eu活化Li-α賽隆粉碎，並將其壓附於網目45μm的篩以使其通過，對其進行分級。

(酸處理步驟)

以氫氟酸及硝酸的混合液(80℃)對分級後的Eu活化Li-α賽隆進行酸處理。

(洗淨步驟)

將酸處理步驟後的螢光體混合至離子交換水等的溶劑中，於超音波均質機中使其分散5分鐘，藉此去除雜質。之後進行吸引過濾。

<實施例2>

實施例2，係在實施例1的製造方法中，於洗淨步驟前追加以下的步驟。

(濕式分級步驟)

將酸處理步驟後的螢光體靜置於離子交換水與作為分散劑之六甲磷酸鈉的混合溶劑中10分鐘，去除微粉。藉由以上的步驟，製造實施例2的螢光體。

<實施例3>

實施例3，係在實施例2的製造方法中以超音波均質機進行洗淨步驟時使其分散1小時，除此之外，以與實施例2相同的條件所製作的螢光體。

<實施例4>

實施例4，係在實施例2的製造方法中以超音波均質機進行洗淨步驟時使其分散2小時，除此之外，以與實施例2相同的條件所製作的螢光體。

<實施例5>

實施例5，係在實施例2的製造方法中，將「在離子交換水與作為分散劑的六甲磷酸鈉的混合溶劑中對酸處理步驟後的螢光體進行洗淨處理」變更為「在離子交換水與氨水的混合鹼性溶劑中對酸處理步驟後的螢光體進行洗淨處理」，除此之外，以與實施例2相同的條件所製作的螢光體。

<實施例6>

實施例6，係在實施例5的製造方法中，在濕式分級步驟之前進行洗淨步驟，除此之外，以與實施例5相同的條件所製作的螢光體。

<比較例1>

比較例1，係在實施例1的製造步驟中省略酸處理步驟與洗淨步驟，除此之外，以相同的製造方法進行製造者。

<比較例2>

比較例2，係在實施例1的製造步驟中省略洗淨步驟，除此以外，以相同的製造方法進行製造者。

<比較例3>

比較例3，係在實施例2的製造步驟中省略酸處理步驟及洗淨步驟，除此之外，以相同製造方法進行製造者。

<比較例4>

比較例4，係在實施例2的製造步驟中省略洗淨步驟，除此之外，以相同製造方法進行製造者。

<比較例5>

比較例5，係在實施例2的製造方法中省略酸處理步驟，除此之外，以相同製造方法進行製造者。

<比較例6>

比較例6，係在實施例5的製造方法中省略洗淨步驟，除此之外，以相同製造方法進行製造者。

<比較例7>

比較例7與比較例4不同的點，係以氮化鋰(Li₃N)原料作為氮化鈣粉末(Ca₃N₂)，製造Ca-α賽隆系螢光體。另外，預混合粉的比例，係依莫耳比計，氮化矽粉末：氮化鋁粉末：氧化銪粉末=71.6：25.8：2.6(莫耳比)。將此預混合粉末置入氮氣環境下的手套箱內，使其與氮化鈣粉末混合，而得到原料混合粉末。混合比為預混合粉末之莫耳數(Si₃N₄、AlN及Eu₂O₃的總莫耳數)：氮化鈣粉末之莫耳數=87.1：12.9。

(發光元件製造步驟)

將洗淨步驟後的實施例及比較例的各螢光體，相對於矽酮樹脂(Dow Corning Toray股份有限公司製，商品名稱：JCR6175等)100質量份，以30質量份的比例混合，以調整漿液。之後，將上述漿液3~4μL注入安裝有於460nm具有峰值波長之藍色LED晶片的正向型封裝。以150℃，在2小時的範圍內，將經注入該漿液的正向型封裝加熱，使漿液硬化，以製造發光元件。

實施例及比較例的各螢光體的評價顯示於表1。表1係針對實施例及比較例，顯示雜質含量(單位：質量ppm)、中位直徑(單位：μm)、α賽隆結晶相對於全結晶相的比例(單位：質量%)、峰值波長(單位：nm)、螢光強度(單位：%)、LED的光束保持率(單位：%)。

(結晶相的鑑定及α賽隆結晶相對於全結晶相的比例)

針對實施例及比較例之各螢光體，使用X光繞射裝置 (Rigaku股份有限公司製UltimaIV)，藉由使用CuKα線的粉末X光繞射(XRD)，進行結晶相的鑑定。實施例1~6、比較例1~6中所得之螢光體的X光繞射圖案，確認為與α賽隆結晶相同的繞射圖案，而可確認主結晶相為α賽隆。另外，根據α賽隆的繞射圖案與雜質結晶相的繞射圖案，算出α賽隆結晶相對於全結晶相的質量比例。另一方面，比較例7中，亦確認α賽隆的繞射圖案，而可確認主結晶相為α賽隆。

(雜質含量)

在100℃×12H，使螢光體0.5g/水25ml進行溶出，並進行過濾之後，以ICP發光分光分析裝置(Rigaku股份有限公司製，CIROS-120)，分析磷、鈉及氟的含量。

(中位直徑(D50))

以下述要領測定實施例及比較例之各螢光體的中位直徑(D50)(平均一次粒徑)。首先，以1：1混合氫氟酸(濃度46~48g/100ml之範圍)與硝酸(濃度60g/100ml)，再以蒸餾水將其稀釋至4倍，以製作處理液。將此處理液加熱至80℃，一邊攪拌，一邊以相對於處理液100ml為20g以下的量添加實施例或比較例的螢光體，使其分散。使螢光體分散後放置1小時，藉由傾析(decantation)回收不溶粉末。將回收的不溶粉末進行水洗、乾燥。對於乾燥後的不溶粉末，藉由雷射繞射散射式粒度分布測定裝置(BECKMAN COULTER股份有限公司製LS 13 320)測定粒徑分布，將體積基準之累積50%的粒徑作為中位直徑(D50)。

(化學組成)

另外，藉由ICP發光分光分析裝置(Rigaku股份有限公司製，CIROS-120)，進行螢光體分析，結果，實施例1及比較例6的螢光體的Li含量在1.8質量%以上3質量%以下的範圍，Eu含量在0.1質量%以上1.5質量%以下的範圍，O含量在0.4質量%以上1.3質量%以下的範圍。

(峰值波長)

針對實施例及比較例的各螢光體，使用藉由羅丹明(Rhodamine)B與副標準光源進行修正的分光螢光光度計(Hitachi High-Technologies公司製，F-7000)，以進行螢光測定。測定中係使用光度計附屬的固體試料載具，測定激發波長455nm下的螢光光譜及峰值波長。

(螢光強度)

從螢光光譜強度與CIE標準光度函數(Luminosity function)的乘積，算出螢光強度。又，因為根據測定裝置及條件而變化，故為任意單位，其係以在相同條件下測定的實施例及比較例之下的相對情況進行比較。將實施例4的螢光強度設為100%，作為基準。85%以上為合格值。

(發光元件的光束保持率(發光元件的耐久性評價))

接著，針對具備實施例及比較例之螢光體粒子的發光元件，測定光束變化。光束變化的測定，係在85℃之溫度及85%之相對濕度的高溫高濕下，對發光元件通電150mA，並放置既定時間後，使用全光束測定系統(Half Moon：大塚電子股份有限公司製HH41-0773-1)，測定從發光元件所放出的螢光之光束變化。又，此為從每單位通電時間的光束值，將通電開始後即作為100%時的比例表示為光束保持率，經過1000小時後，較佳為95%以上。

從表1可得知，實施例1~實施例6的Li-α賽隆系螢光體，雜質量含量少於比較例，α賽隆結晶的比例亦高。藉此，在得到高螢光強度的同時，即使是長時間使用，發光效率的降低亦少，係電性不良情況較少的發光裝置。使用實施例1~實施例6之螢光體的發光元件，因為螢光體所含的雜質元素的含量為極微量，而抑制了因為螢光體之雜質元素而導致樹脂硬化阻礙的情形，使得引起短路等電性異常的可能性變得極小，進而延長壽命。

相對於此，比較例1中，氟、鈉及磷含量雖少，但因為α賽隆結晶的比例低，故螢光強度低。比較例2中，鈉及磷含量雖少，但氟含量高，其光束保持率亦低。比較例3中，氟含量雖少，但鈉及磷含量高，其光束保持率亦低、α賽隆結晶的比例亦低。比較例4中，因為磷、鈉、氟含量高，故其光束保持率低。比較例5中，磷、鈉、氟含量少，α賽隆結晶的比例低。因此，光束保持率低於發明例。比較例6中，鈉及磷含量雖少，但氟含量高，其光束保持率低。因此，光束保持率低於發明例。比較例7中，儘管氟、鈉及磷含量高，但其光束保持率仍高。亦即，雜質元素的存在並不一定造成不良的影響，因為雜質元素的存在而導致特性降低這樣的現象，係在Li-α賽隆系螢光體中特有的現象。

Claims

一種螢光體，其係Eu活化Li-α賽隆系螢光體，其中F含量為20質量ppm以下，且P與Na的總含量為10質量ppm以下，α賽隆結晶相對於全結晶相的比例在97質量%以上。
如請求項1之螢光體，其中P與Na的總含量為5質量ppm以下。
如請求項1或2之螢光體，其中Li含量為1.8質量%以上3質量%以下。
如請求項1或2之螢光體，其中Eu含量為0.1質量%以上1.5質量%以下。
如請求項1或2之螢光體，其中O含量為0.4質量%以上1.3質量%以下。
如請求項1或2之螢光體，其平均一次粒徑為7μm以上35μm以下。
一種發光元件，其包含：如請求項1至6中任一項之螢光體；及發光光源，其對該螢光體照射激發光。
如請求項7之發光元件，其中該發光光源為發光二極體或雷射二極體。
如請求項7或8之發光元件，其中，在溫度85℃且相對濕度85%的條件下，通電150mA，並放置1000小時的情況下，其光束保持率在95%以上。
一種發光裝置，其包含如請求項7至9中任一項之發光元件。