CN114335069A - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 107
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 43
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 116
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 2
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 aromatic diamine compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 2
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- UDQLIWBWHVOIIF-UHFFFAOYSA-N 3-phenylbenzene-1,2-diamine Chemical class NC1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1N UDQLIWBWHVOIIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L Magnesium perchlorate Chemical compound [Mg+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009638 autodisplay Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 210000000707 wrist Anatomy 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
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- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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Abstract
本公开实施例提供一种显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,可提升屏下传感效果。显示面板具有包括第一显示区和第二显示区的第一区域;第一显示区包括第一子区和第二子区。显示面板包括衬底及位于其上的多个发光器件、多个像素电路和多条信号线。多个发光器件包括位于第一显示区的第一发光器件和位于第二显示区的第二发光器件。多个像素电路包括与第一发光器件耦接且位于第一显示区外的第一像素电路和与第二发光器件耦接且位于第二显示区内的第二像素电路。多条信号线向与其耦接的多个像素电路提供工作信号;多条信号线中的至少一条信号线与至少一个第一像素电路耦接;至少一条信号线在衬底上的正投影与第二子区有交叠,且与第一子区无交叠。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着“全面屏”时代的到来,高屏占比已成为手机、笔记本电脑等电子设备的一种新的发展趋势。屏占比是指显示屏的屏幕面积与显示屏整个正面的面积的比例。将显示屏设计成带有凹槽区(Notch区)的异形显示屏,例如刘海屏、水滴屏等,凹槽区可以安置显示屏的传感器,例如摄像头、光线传感器等,来提高屏幕的屏占比。然而,上述异形显示屏并不是真正的“全面屏”,显示屏的凹槽区无法实现显示,降低了屏占比。
在一些相关技术中,将传感器设置于显示屏之下,例如在显示屏下放置摄像头,这样传感器上方的显示屏的区域既能实现传感功能,也能实现显示,从而提高屏占比。
发明内容
本公开的实施例提供一种显示面板及显示装置,可提升屏下传感效果。
为达到上述目的,本公开的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供一种显示面板。所述显示面板具有第一区域。所述第一区域包括第一显示区和第二显示区。所述第一显示区包括第一子区和第二子区。所述显示面板包括衬底、多个发光器件、多个像素电路和多条信号线。所述多个发光器件设置于所述衬底上。所述多个发光器件包括位于所述第一显示区的第一发光器件和位于所述第二显示区的第二发光器件。所述多个像素电路设置于所述衬底上。所述多个像素电路包括与所述第一发光器件耦接的第一像素电路和与所述第二发光器件耦接的第二像素电路。所述第一像素电路位于所述第一显示区外;所述第二像素电路位于所述第二显示区内。
所述多条信号线设置于所述衬底上。所述多条信号线与所述多个像素电路耦接。所述多条信号线被配置为向所述多个像素电路提供工作信号。所述多条信号线中的至少一条信号线与至少一个第一像素电路耦接。所述至少一条信号线在所述衬底上的正投影与所述第二子区有交叠,且与所述第一子区无交叠。
在一些实施例中,所述显示面板还具有第二区域和弯折区域。所述第一区域和所述第二区域通过所述弯折区域连接。所述显示面板被配置为通过位于所述弯折区域的部分发生弯折,将位于所述第二区域的部分弯折至位于所述第一区域的部分的背面。
至少一个第一像素电路位于所述第二区域内。在所述显示面板中位于所述第二区域的部分弯折至位于所述第一区域的部分的背面的情况下,所述至少一个第一像素电路在所述衬底中位于所述第一区域的部分上的正投影与所述第一显示区无交叠。
在一些实施例中,所述至少一条信号线具有至少一个开孔,所述至少一个开孔位于所述弯折区域。
在一些实施例中,至少一条信号线包括:第一图案、第二图案和第三图案。所述第一图案位于所述弯折区域。所述第二图案位于所述第一区域,所述第二图案与所述第二像素电路和所述第一图案耦接。所述第三图案位于所述第二区域;所述第三图案与所述第一像素电路和所述第一图案耦接。所述第一图案的拉伸模量分别大于所述第二图案的拉伸模量和所述第三图案的拉伸模量。
在一些实施例中,所述多条信号线包括第一信号线和第二信号线。所述第一信号线包括所述第一图案、所述第二图案和所述第三图案。其中,所述第一图案与所述第二信号线材料相同。
在一些实施例中,所述显示面板还包括多条连接引线。所述多条连接引线设置于所述衬底上。一个第一发光器件通过一条连接引线与一个第一像素电路耦接。至少一条连接引线中的至少位于所述第一显示区的部分呈透明。
在一些实施例中,所述至少一条连接引线包括第四图案和第五图案。所述第四图案位于所述第一显示区,所述第四图案与所述第一发光器件耦接。所述第五图案位于所述第一显示区外,所述第五图案与所述第四图案和所述第一像素电路耦接。所述第五图案的拉伸模量大于所述第四图案的拉伸模量。
在一些实施例中,在至少一条信号线包括第二信号线的情况下,所述第五图案与所述第二信号线材料相同。
在一些实施例中,所述显示面板中位于所述第二区域的部分包括透明部。所述第一像素电路在所述衬底上的正投影与所述透明部无交叠。在所述显示面板中位于所述第二区域的部分弯折至位于所述第一区域的部分的背面,所述第一子区位于所述透明部在所述衬底中位于所述第一区域的部分上的正投影所在区域内。
在一些实施例中,所述多个发光器件还包括第三发光器件。所述第三发光器件位于所述透明部上。所述多个像素电路还包括第三像素电路。所述第三像素电路位于所述第二区域。所述第三像素电路与所述第三发光器件耦接。所述第三像素电路在所述衬底上的正投影,与所述透明部在所述衬底上的正投影无交叠。
在所述显示面板中位于所述第二区域的部分弯折至位于所述第一区域的部分的背面的情况下,所述第三发光器件在所述衬底中位于所述第一区域的部分上的正投影,位于所述第一显示区内,且与所述第一发光器件在所述衬底上的正投影无交叠。
在一些实施例中,在所述显示面板中位于所述第二区域的部分弯折至位于所述第一区域的部分的背面的情况下,所述第一发光器件和所述第三发光器件所构成的整体的排布方式,与所述第二发光器件的排布方式相同。
在一些实施例中,所述显示面板还包括透明导线。所述透明导线设置于所述衬底上。所述第三发光器件通过所述透明导线与所述第三像素电路耦接。
在一些实施例中,所述透明部为开口,开口的深度方向垂直于所述衬底中的位于所述第二区域的部分所在平面。
在一些实施例中,位于所述第二区域内的多个像素电路呈阵列排布,且沿像素电路排列的行方向,多个像素电路位于所述透明部相对两侧中的至少一侧。
在一些实施例中,在像素电路排列的列方向上,位于所述第二区域的多个像素电路构成的整体的宽度,小于或等于所述第一显示区的宽度。
在一些实施例中,位于所述第二区域的多个像素电路分为至少两个组。不同组沿像素电路排列的行方向排布,每个组包括至少一行像素电路。所述至少两个组中的各行像素电路与位于所述第二显示区中的多行像素电路一一对应。每个组中的每行像素电路和位于所述第二显示区中对应的一行像素电路,与至少一条相同的信号线耦接。
在一些实施例中,所述显示面板还包括第一封装层、第二封装层和第三封装层。所述第一封装层覆盖所述多个像素电路和所述多个发光器件。所述第二封装层相比于所述第一封装层远离所述衬底,所述第二封装层覆盖所述第二像素电路。所述第三封装层位于所述第一封装层和所述第二封装层之间,所述第三封装层覆盖所述多个发光器件。
在一些实施例中,在所述多个发光器件包括第三发光器件的情况下,所述第二封装层还覆盖所述第三发光器件。
在一些实施例中,所述显示面板还具有邦定区。在所述显示面板具有第二区域和弯折区域的情况下,所述邦定区位于所述第二区域中远离所述弯折区域的一侧;或者,所述邦定区位于所述第一区域中远离所述弯折区域的一侧。
另一方面,提供一种显示装置。所述显示装置包括:如上述任一实施例所述的显示面板和传感器。所述传感器设置于所述显示面板中位于第一显示区的部分的背面。所述传感器在所述显示面板上的正投影位于所述第一显示区中的第一子区内。
因此,本公开的实施例提供的显示面板及显示装置,将第一发光器件所耦接的第一像素电路设置在第一显示区外,使得第一显示区无像素电路,使得经过第一显示区的光线不会被像素电路遮挡,提高了第一显示区的透光率和开口率,使得第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率。这样,第一显示区有更多的空间设置发光器件,可以提高第一显示区的PPI,使得第一显示区的PPI等于第二显示区的PPI,从而使得第一显示区和第二显示区的显示效果更均一,提高了显示面板的显示效果。并且,至少一条信号线在衬底上的正投影与第二子区有交叠,与第一子区无交叠,信号线也不会遮挡第一子区,使得第一子区的透过率大于第二子区,从而提高了第一子区的透过率,光线经过第一子区不会被信号线遮挡,从而避免光线发生衍射。在此情况下,将传感器(例如摄像头或光线感应器等)设置于显示面板中位于第一子区的部分的背面,可以更好地感应光信号,从而提高了显示面板实现屏下传感的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案,下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。此外,以下描述中的附图可以视作示意图,并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1A为根据一些实施例的显示装置的一种结构图;
图1B为根据一些实施例的显示面板的一种结构图;
图2A为根据一些实施例的显示面板的一种平展状态图;
图2B为根据一些实施例的显示面板的一种弯折状态图;
图3为根据一些实施例的显示面板的另一种结构图;
图4A为根据一些实施例的像素电路的一种结构图;
图4B为根据一些实施例的像素电路的一种驱动时序图;
图5为根据一些实施例的发光器件的一种结构图;
图6为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图7为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图8A为根据一些实施例的信号线的一种结构图;
图8B为根据一些实施例的信号线的另一种结构图;
图9A为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图9B为图9A中的显示面板沿D-D’方向的剖视图;
图10A为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图10B为图10A中的显示面板沿E-E’方向的剖视图;
图10C为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图10D为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图11为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图12A为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图12B为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图13A为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图13B为图13A中的显示面板弯折后的一种结构图;
图14为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图15A为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图15B为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图15C为根据一些实施例的第一像素电路与第二像素电路的一种连接关系图;
图15D为根据一些实施例的第一像素电路与第一发光器件的一种连接关系图;
图15E为根据一些实施例的第一像素电路与第二像素电路的另一种连接关系图;
图16A为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图16B为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图16C为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图17A为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图17B为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图18为根据一些实施例的显示装置的另一种结构图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求,否则,在整个说明书和权利要求书中,术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思,即为“包含,但不限于”。在说明书的描述中,术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外,所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时,可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。例如,描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。又如,描述一些实施例时可能使用了术语“耦接”以表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。然而,术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触,但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言,其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中,为了清楚,放大了层和区域的厚度。因此,可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此,示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状,而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如,示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此,附图中所示的区域本质上是示意性的,且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状,并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
本公开的实施例提供一种显示装置200,如图1A所示,显示装置200包括显示面板100和传感器300。示例性地,显示装置200可以是显示器,还可以是包含显示器的产品,例如电视机、电脑(一体机或台式机)、平板电脑、手机、电子画屏等。示例性地,显示面板100可以是发光二极管(Light Emitting Diode,LED)显示面板,或有机发光二极管(Organic LightEmitting Diode,OLED)显示面板。示例性地,传感器300可以是光学传感器,例如摄像头或光线感应器等。例如,摄像头可以是显示装置的前置摄像头。
需要说明的是,可以根据实际情况,对传感器的个数进行设计,在此不作限定。例如,传感器可以为一个或多个。
本公开的实施例提供一种显示面板100,如图1B所示,显示面板100具有第一区域A。
如图1B所示,第一区域A包括第一显示区A1和第二显示区A2。需要说明的是,可以根据实际情况,可以对第一显示区的数量、第一显示区和第二显示区的形状和位置关系进行设计,在此不作限定。例如,第一显示区可以为一个或多个。例如,第二显示区A2可以位于第一显示区A1的至少一侧,例如,第二显示区A2可以围绕第一显示区A1;或者,在第一显示区A1为四边形的情况下,第二显示区A2可以位于第一显示区A1三个连续分布的边沿外侧。例如,第一显示区A1和第二显示区A2的形状均为矩形(或者圆角矩形),此时,第二显示区A2的一侧边沿可以具有内凹部分(内凹方向为显示面板100的边沿指向中心的方向),第一显示区A1位于凹陷的区域内。例如,第一显示区域A1的面积小于或等于第二区域A2的面积。
相关技术中,第一显示区和第二显示区中均设置有像素,第一显示区的像素的设置密度小于第二显示区的像素的设置密度(即PPI(Pixels Per Inch)),使得第一显示区的分辨率小于第一显示区的分辨率。这样,可以通过降低第一显示区的像素的设置密度,来提高第一显示区的透过率,但会导致显示面板在第一显示区与第二显示区的显示效果不均匀,从而降低了显示效果。
如图1B所示,本公开的实施例中的显示面板100包括衬底110、多个发光器件120、多个像素电路130和多条信号线140。多个发光器件120和多个像素电路130均设置于衬底110上。多条信号线140设置于衬底110上。多条信号线140中的至少一条信号线140与至少一个第一像素电路131耦接。
多条信号线140与多个像素电路130耦接。其中,多条信号线140被配置为向多个像素电路130提供工作信号,以使多个像素电路130输出驱动信号。示例性地,多个像素电路130响应于多条信号线140上传输的工作信号,输出驱动信号,以驱动多个发光器件120发光。例如,多个像素电路130响应于多条信号线140上传输的工作信号,生成驱动信号(如驱动电流),传输至多个发光器件120,驱动多个发光器件120发光。其中,多条信号线140包括栅线和数据线等。例如,多条信号线140的材料包括金属。
示例性地,至少一个第一像素电路和至少一个第二像素电路可以耦接同一条信号线。例如,在第一区域中的多个发光器件呈阵列排布的情况下,一行发光器件所耦接的第一像素电路和第二像素电路,与一条信号线耦接,其中,一行发光器件同步发光;一列发光器件所耦接的第一像素电路和第二像素电路,与一条信号线耦接。
示例性地,衬底110可以包括PI(Polyimide,聚酰亚胺)等柔性衬底;还可以包括设置在柔性衬底上的缓冲层等薄膜。
需要说明的是,本公开的实施例对像素电路的具体结构不作限定,可以根据实际情况进行设计。示例性地,像素电路由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)、电容(Capacitance,简称C)等电子器件组成。例如,像素电路可以是由两个薄膜晶体管(一个开关晶体管和一个驱动晶体管)和一个电容构成的2T1C结构的像素电路;当然,像素电路还可以是由两个以上的薄膜晶体管(多个开关晶体管和一个驱动晶体管)和至少一个电容构成的像素电路,例如参考图4A,像素电路130可以包括电容Cst和七个晶体管(六个开关晶体管(M1、M2、M3、M5、M6、M7)和一个驱动晶体管M4)构成的7T1C像素电路。
示例性地,如图4A所示,一部分开关晶体管(例如,M1、M7)的控制极(栅极)用于接收如图4B所示的复位信号Reset。另一部分开关晶体管(例如,M2、M3)的控制极用于接收如图4B所示的栅极驱动信号Gate。又一部分开关晶体管(例如,M5、M6)的控制极用于接收如图4B所示的发光控制信号EM。其中,图4A所示的像素电路的工作过程包括图4B所示的三个阶段,第一阶段①、第二阶段②以及第三阶段③。例如,第一阶段①,响应于复位信号Reset,晶体管M1和晶体管M7导通。初始信号Initial通过晶体管M1和晶体管M7,分别传输至驱动晶体管M4的控制极(g)以及发光器件120的阳极,达到对发光器件120的阳极以及驱动晶体管M4的控制极进行复位的目的。第二阶段②,在栅极驱动信号Gate的控制下,晶体管M2导通,驱动晶体管M4的控制极g与漏极(d)耦接,该驱动晶体管M4成二极管导通状态。此时,数据信号Data通过该晶体管M2写入至驱动晶体管M4的源极(s),并对驱动晶体管M4的阈值电压(Vth)进行补偿。第三阶段③,在发光控制信号EM的控制下,晶体管M5和晶体管M6导通,第一电源信号VDD与第二电源信号VSS之间的电流通路导通。驱动晶体管M4产生的驱动电流(Isd)通过上述电流通路传输至发光器件120,以驱动发光器件120进行发光。
并且,发光器件可以采用包括LED或者OLED等电流驱动型发光器件。例如,如图5所示,发光器件120包括阴极1202和阳极1201,以及位于阴极1202和阳极1201之间的发光功能层1203。其中,发光功能层1203例如可以包括发光层EL、位于发光层EL和阳极1201之间的空穴传输层(Hole Transporting Layer,HTL)、位于发光层EL和阴极1202之间的电子传输层(Election Transporting Layer,ETL)。当然,根据需要在一些实施例中,还可以在空穴传输层HTL和阳极之间设置空穴注入层(Hole Injection Layer,HIL),可以在电子传输层ETL和阴极1202之间设置电子注入层(Election Injection Layer,EIL)。
示例性地,阳极例如可由具有高功函数的透明导电材料形成,其电极材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)和碳纳米管等;阴极例如可由高导电性和低功函数的材料形成,其电极材料可以包括镁铝合金(MgAl)和锂铝合金(LiAl)等合金或者镁(Mg)、铝(Al)、锂(Li)和银(Ag)等金属单质。发光层的材料可以根据其发射光颜色的不同进行选择。例如,发光层的材料包括荧光发光材料或磷光发光材料。例如,在本公开至少一个实施例中,发光层可以采用掺杂体系,即在主体发光材料中混入掺杂材料来得到可用的发光材料。例如,主体发光材料可以采用金属化合物材料、蒽的衍生物、芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物和三芳胺聚合物等。
其中,如图1B所示,多个发光器件120包括第一发光器件121和第二发光器件122。第一发光器件121位于第一显示区A1,第二发光器件122位于第二显示区A2。多个像素电路130包括第一像素电路131和第二像素电路132。第一像素电路131与第一发光器件121耦接,第二像素电路132与第二发光器件122耦接。第一像素电路131位于第一显示区A1外,第二像素电路132位于第二显示区A2内。
并且,如图1B所示,第一显示区A1包括第一子区A11和第二子区A12。示例性地,第二子区A12位于第一子区A11的至少一外侧。例如,第二子区A12位于第一子区A11的周围。至少一条信号线140在衬底110上的正投影与第二子区A12有交叠,与第一子区A11无交叠。
示例性地,第一区域还包括位于第一显示区和第二显示区之外的周边区。第一像素电路可以位于周边区内。例如,多条信号线中与一行第二像素电路耦接的信号线,在衬底上的正投影与第一子区无交叠,即,绕过第一子区,经由第二子区,与第一像素电路耦接;多条信号线中与一列第二像素电路耦接的信号线可以经由第二子区,与第一像素电路耦接。
示例性地,第一像素电路131和第二像素电路132的驱动方式相同,例如,在像素电路阵列排布的情况下,第二像素电路132自第一行至最后一行逐行驱动,第一像素电路131也自第一行至最后一行逐行驱动。例如,第一区域中的像素电路和第二区域中的像素电路通过相同的扫描驱动电路(如栅极驱动电路)驱动。这样,可以不用改变显示面板的驱动算法,实现画面显示。
可以理解的是,将第一显示区的第一发光器件所耦接的像素电路设置在第一显示区外,使得第一显示区无像素电路,使得经过第一显示区的光线不会被像素电路遮挡,提高了第一显示区的透光率和开口率,使得第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率。这样,第一显示区有更多的空间设置发光器件,可以提高第一显示区的PPI,使得第一显示区的PPI等于第二显示区的PPI,从而使得第一显示区和第二显示区的显示效果更均一,提高了显示面板的显示效果。并且,至少一条信号线在衬底上的正投影与第二子区有交叠,与第一子区无交叠,此时,信号线也不会遮挡第一子区,使得第一子区的透过率大于第二子区,从而提高了第一子区的透过率。
这样,将传感器(例如摄像头或光线感应器等)设置于显示面板中位于第一子区的部分的背面,即,传感器设置于显示面板的远离其显示面的一侧,传感器在显示面板上的正投影位于第一子区内,由于第一子区内无像素电路和信号线遮挡光线,提高了光线的透过率,光线经过第一子区不会被信号线遮挡,从而避免光线发生衍射,因此,传感器可以更好地感应光信号,从而提高了显示面板实现屏下传感的效果。并且,由于第二子区内无像素电路,因此,第二子区有足够的空间用于布线,提高了布线空间。
需要说明的是,可以根据实际情况,例如第一子区和第二子区的位置关系等,对多条信号线140的走线方式进行设计,在此不做限定。例如,如图1B所示,第二子区A12位于第一子区A11的周围,多条信号线140可以分别从第一分区A11的相对两外侧走线。
因此,本公开的实施例提供的显示面板,将第一发光器件所耦接的第一像素电路设置在第一显示区外,使得第一显示区无像素电路,使得经过第一显示区的光线不会被像素电路遮挡,提高了第一显示区的透光率和开口率,使得第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率。这样,第一显示区有更多的空间设置发光器件,可以提高第一显示区的PPI,使得第一显示区的PPI等于第二显示区的PPI,从而使得第一显示区和第二显示区的显示效果更均一,提高了显示面板的显示效果。并且,至少一条信号线在衬底上的正投影与第二子区有交叠,与第一子区无交叠,信号线也不会遮挡第一子区,使得第一子区的透过率大于第二子区,从而提高了第一子区的透过率,光线经过第一子区不会被信号线遮挡,从而避免光线发生衍射。在此情况下,将传感器(例如摄像头或光线感应器等)设置于显示面板中位于第一子区的部分的背面,可以更好地感应光信号,从而提高了显示面板实现屏下传感的效果。
在一些实施例中,如图2A和图2B所示,显示面板100还具有第二区域B和弯折区域F。弯折区域F位于第一区域A和第二区域B之间,第一区域A和第二区域B通过弯折区域F连接。显示面板100被配置为通过位于弯折区域F的部分发生弯折,将位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面。
需要说明的是,可以根据实际情况,对第一区域A、第二区域B和弯折区域F的位置和大小等进行设计,在此不作限定。例如,第一区域A的面积大于第二区域B的面积,也大于弯折区域F的面积。第二区域B的面积大于弯折区域F的面积。例如,弯折区域F位于第一区域A的一侧,第二区域B位于弯折区域F的远离第一区域A的一侧。
其中,显示面板100是柔性显示面板。显示面板100中位于第一区域A的部分的背面,指的是显示面板100中位于第一区域A的部分,远离显示面板100的显示面(或出光面)的一侧。
如图3所示,至少一个第一像素电路131位于第二区域B内。例如,所有第一像素电路131均位于第二区域B内。并且,在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面的情况下,第一像素电路131在衬底110中位于第一区域A的部分上的正投影与第一显示区A1无交叠。
这样,将至少一个第一像素电路设置于第二区域,可以减少在第一区域中第一显示区之外设置的像素电路的数量和所占空间,可以减小第一区域的周边区的尺寸。并且,在显示面板的背面设置多个传感器的情况下,可以增大第二区域的面积来设置更多的像素电路,对第一区域的周边区没有较大的空间的要求,可以减小该周边区的尺寸,并且显示面板中位于第二区域的部分弯折至位于第一区域的部分的背面,不会增加显示面板的边框,可以减小显示面板的边框,便于显示面板实现窄边框。例如,如图6所示,多条信号线140中与一行第二像素电路132(例如沿图6中X方向排列呈一排的第二像素电路)耦接的信号线140,在衬底110上的正投影与第一子区A11无交叠,即,绕过第一子区A11,经由第二子区A12、弯折区域F延伸至第二区域B,与第一像素电路131耦接;多条信号线140中与一列第二像素电路132(例如沿图6中Y方向排列呈一排的第二像素电路)耦接的信号线140可以经由第二子区A12和弯折区域F,延伸至第二区域B与第一像素电路131耦接。
示例性地,在第二子区A12,至少一条信号线140在衬底110上的正投影,与至少一个第一发光器件121在衬底110上的正投影有交叠。这样,至少一个第一发光器件121对至少一条信号线140进行遮挡,从而可以提高第一显示区A1的开口率,提高第一显示区A1的透过率。
需要说明的是,可以根据实际情况,例如第一子区和第二子区的位置关系等,对多条信号线140的走线方式进行设计,在此不做限定。例如,如图7所示,第二子区A12位于第一子区A11的周围,多条信号线140可以分别从第一分区A11的相对两外侧走线。例如,在第二子区A12,至少两条相邻信号线140的间距小于相邻两个发光器件120的间距。
在一些实施例中,如图8A和图8B所示,至少一条信号线140具有至少一个开孔14,至少一个开孔14位于弯折区域F。在此情况下,可以降低至少一条信号线140在弯折时受到的应力,避免在显示面板100弯折的过程中,信号线140在弯折区域F发生断裂。
示例性地,如图8A所示,开孔14所在位置处,信号线140具有第一边沿M1和第二边沿M2,第一边沿M1和第二边沿M2在信号线140的宽度方向(例如图8A中的X方向)上位置相对。其中,第一边沿M1和第二边沿M2均具有折线线段和弧线线段,每个边沿的折线线段和弧线线段相互连接,在信号线140的延伸方向上,折线线段和弧线线段依次交替排布。例如,在信号线140的宽度方向上,第一边沿M1的折线线段与第二边沿M2的折线线段错位排列,第一边沿M1的弧线线段与第二边沿M2的弧线线段错位排列。例如,在信号线140的宽度方向上,第一边沿M1的折线线段与第二边沿M2的弧线线段位置相对,第一边沿M1的弧线线段与第二边沿M2的折线线段位置相对。
需要说明的是,可以根据实际情况对开孔进行设计,在此不作限定。其中,对开孔的具体数量不作限定,例如,开孔可以为一个、三个或者五个等。对于开孔的排布方式也不作限定,例如,如图8A所示,在信号线140的延伸方向(例如沿Y方向)上,多个开孔可以对位排列,即,多个开孔的几何中心依次连接得到连线呈直线;或者,如图8B所示,多个开孔可以错位排列,即,多个开孔的几何中心依次连接得到连线呈折线。对开孔的形状不作限定,例如,开孔的平面形状(例如在衬底上的正投影的形状)可以呈圆形、椭圆形或四边形等。
在一些实施例中,如图9A和图9B所示,至少一条信号线140包括第一图案1401、第二图案1402和第三图案1403。第一图案1401位于弯折区域F,第二图案1402位于第一区域A,第三图案1403位于第二区域B。第二图案1402与第二像素电路122和第一图案1401耦接,第三图案1403与第一像素电路121和第一图案1401耦接。
第一图案1401的拉伸模量分别大于第二图案1402的拉伸模量和第三图案1403的拉伸模量,第一图案1401的延展性分别大于第二图案1402的延展性和第三图案1403的延展性,第一图案1401的柔性分别大于第二图案1402的柔性和第三图案1403的柔性。在此情况下,在显示面板100弯折的过程中,可以避免信号线140在弯折区域F发生断裂,从而保证了信号线140可以正常工作,延长了使用寿命,提高了显示面板100的性能。
需要说明的是,文中描述的拉伸模量即为图案(例如第一图案和第二图案)在拉伸过程中的弹性,例如,图案(例如第一图案和第二图案)的拉伸模量是该图案沿其中心轴方向拉伸单位长度所需的力与其横截面积的比值。
示例性地,第一图案1401可以延伸至弯折区域F以外,与第二图案1402和第三图案1403耦接。第二图案1402和第三图案1403在衬底110上的正投影与弯折区域F无交叠。示例性地,第一图案1401与第二图案1402通过贯通位于两者所在膜层之间的过孔耦接,第一图案1401与第三图案1403也通过贯通位于两者所在膜层之间的过孔耦接。示例性地,第二图案1402和第三图案1403同层设置且材料相同,即,第二图案1402和第三图案1403可以同步形成,例如,由同一膜层构图形成,从而简化生产工序,节约成本。
需要说明的是,为了描述方便,图中的各像素电路均以一个晶体管进行示意(例如图9B和下文中的图10B至10D及图16A至图16C)。
在一些实施例中,如图6所示,多条信号线140包括第一信号线141和第二信号线142。如图9B所示,第一信号线141包括第一图案1401、第二图案1402和第三图案1403。
其中,第一图案1401与第二信号线142材料相同。例如,第一图案1401和第二信号线142同层设置,此时,第一图案1401和第二信号线142可以由同一膜层构图形成,即,第一图案1401和第二信号线142可以同步形成,可以简化生产工序,节约成本。
示例性地,第一信号线141可以包括栅线、复位信号线或发光控制信号线等,其中,栅线被配置为传输栅极驱动信号(Gate),复位信号线被配置为传输复位信号(Reset),发光控制信号线被配置为传输发光控制信号(EM)。例如,当前行像素电路所耦接的复位信号线可以是下一行像素电路所耦接的栅线。例如,第一信号线141中的第二图案1402的材料和第三图案1403的材料相同,例如可以均采用包含钼(Mo)等的金属。
第二信号线142可以包括数据线、初始信号线、第一电源信号线或第二电源信号线等,数据线被配置为传输数据信号(Data),初始信号线被配置为传输初始信号(Initial),第一电源信号线被配置为传输第一电源信号(VDD),例如第一电源信号为直流高电平信号,第二电源信号线被配置为传输第二电源信号(VSS),例如第二电源信号为直流低电平信号。例如,第二信号线142的材料可以采用包括钛(Ti)和铝(Al)等的金属。例如,第二信号线142可以是三层结构(Ti-Al-Ti),即,两层钛材料层和夹设于两层钛材料层之间的铝材料层所构成的三层结构。例如,第一图案1401和第二信号线142所包括的材料种类相同,材料组成结构相同。例如,第一图案1401也可以采用包括钛(Ti)和铝(Al)等的金属,第一图案1401也可以是上述的Ti-Al-Ti三层结构。
在一些实施例中,如图10A和图10B所示,显示面板100还包括多条连接引线150。多条连接引线150设置于衬底110上。一个第一发光器件121通过一条连接引线150与一个第一像素电路131耦接。可以理解的是,第一像素电路131通过连接引线150,向第一发光器件121传输驱动信号(例如驱动电流),以驱动第一发光器件121工作,即,第一发光器件121响应于连接引线150传输的驱动信号进行发光。例如,第一像素电路中的驱动晶体管的漏极通过连接引线与发光器件的阳极连接。
此外,第一图案1401与第二信号线142也可以不同层设置,例如,第一图案1401相比于第二信号线142靠近衬底110。这样,可以扩大走线空间,避免第一图案1401与第二信号线142相互交叉。
至少一条连接引线150中的至少位于第一显示区A1的部分呈透明。这样,可以避免连接引线150影响第一显示区A1的透过率。例如,至少一条连接引线150可以全部呈透明。示例性地,至少一条连接引线150中的呈透明部分的材料可以采用透明导电材料,例如透明导电材料可以为包括ITO、IZO或AZO等氧化物,或者可以为包括Ag等薄型的透明金属,或者可以为包括ITO和Ag等氧化物和金属的结合物。
其中,文中描述的透明的结构指的是该结构对光具有较高的透过率,例如,透过率可以约大于或等于80%,该结构可以是有颜色的,也可以是无颜色的。
需要说明的是,可以根据显示面板100的实际情况,例如考虑显示面板100走线空间的大小、第一像素电路131的位置或第一发光器件121的位置等因素,对多条连接引线150的布线进行设计,在此不作限定。例如,在弯折区域F,相邻两条连接引线150的间距小于相邻两个发光器件120的间距。例如,为了避免多条连接引线150相互交叉,连接引线150可以经过第二显示区A2,即,连接引线150在衬底110上的正投影可以与第二显示区A2有交叠。
例如,多条连接引线可以同层设置,即,多条连接引线150可以同步形成(例如由同一膜层构图形成),这样可以简化了生产工艺,降低了生产成本。例如,多条连接引线可以多层设置,这样可以避免连接引线相互交叉。
在一些实施例中,如图10C所示,至少一条连接引线150包括第四图案151和第五图案152。第四图案151位于第一显示区A1,第五图案152位于第一显示区A1外。第四图案151与第一发光器件121耦接。第五图案152与第四图案151和第一像素电路131耦接。
其中,第五图案152在衬底110上的正投影与第一显示区A1无交叠,与弯折区域F和第二区域B有交叠。在第一显示区A1包括第一子区A11和第二子区A12的情况下,第五图案152在衬底110上的正投影与第一子区A11无交叠,与第二子区A12有交叠,第四图案151在衬底110上的正投影与第一子区A11有交叠。
示例性地,在至少一条信号线140包括第二信号线142的情况下,第五图案152与第二信号线142材料相同。例如,在保证第五图案152与第二信号线142不交叉的情况下,第五图案152和第二信号线142可以同层设置(如图10C所示)。或者,例如,第五图案152与第二信号线142位于不同图案层中,例如,如图10D所示,第五图案152相比于第二信号线142远离衬底110,第五图案152相比于第四图案151靠近衬底110,第四图案151和第五图案152可以通过贯通位于两者之间膜层的过孔相连接。例如,第五图案152的材料包括Ti或Al等金属,例如第五图案152可以呈Ti-Al-Ti三层结构。例如,第四图案的材料采用包括ITO或IZO等的透明导电材料。这样,第五图案152相比于第四图案151的延展性较高,第五图案152的拉伸模量大于第四图案151的拉伸模量,第五图案152的柔性大于第四图案151的柔性。可以避免连接引线150在弯折区域F出现断裂。并且,第五图案152的电阻小于第四图案151的电阻,因此,可以降低连接引线150的电阻,避免连接引线150上传递电信号的损耗。
示例性地,第四图案151为单层结构,第五图案152包括三个子图案,且三个子图案中的第二个子图案位于第一个子图案和第三个子图案之间,第三个子图案相比于第一个子图案远离衬底。其中,第一个子图案与第四图案同层设置且材料相同,第三个子图案与第一个子图案材料相同。例如,第四图案、第一个子图案和第三个子图案的材料均采用包括ITO或IZO等的透明导电材料,第二个子图案采用包括银(Ag)或铝(Al)等金属材料。例如,第一个子图案和第三个子图案的材料采用ITO,第二个子图案的材料为Ag,此时,第五图案呈ITO-Ag-ITO的三层结构。其中,第四图案和第五图案中的第一个子图案同步形成,且连接为一体结构,即,第四图案由第五图案中的第一个子图案充当。在工艺上,例如,可以在衬底上形成三层导电薄膜,例如依次层叠的ITO薄膜、Ag薄膜和ITO薄膜,对三层导电薄膜图案化,保留三层导电薄膜中位于待形成第四图案区域和待形成第五图案区域的第一层导电薄膜,以及位于待形成第五图案区域中的第三层导电薄膜和第二层导电薄膜,得到第五图案和第四图案。
可以理解的是,第四图案151呈透明,可以提高第一显示区A1的透过率。并且,第五图案152相比于第四图案151的延展性较高,第五图案152的拉伸模量大于第四图案151的拉伸模量,第五图案152的柔性大于第四图案151的柔性。可以避免连接引线150在弯折区域F出现断裂。
示例性地,第五图案152与发光器件120的材料相同。例如,发光器件120的阳极1201也可以呈ITO-Ag-ITO的三层结构。这样,在工艺上制备第五图案152和阳极1201时,在成膜过程中可以采用相同的材料,例如采用相同的靶材,从而可以降低生产成本。
需要说明的是,为了描述方便,图10A至图10D中的第一像素电路131均以一个晶体管进行示意。
示例性地,显示面板还包括第一导电层和第二导电层,第一导电层位于第二导电层靠近衬底的一侧。其中,上述的第一图案位于第一导电层中,第五图案位于第二导电层中,第二信号线可以位于第一导电层或第二导电层中。这样,可以避免走线相互交叉。例如,第一图案、第五图案和第二信号线均材料相同。
此外,显示面板还包括第三导电层和第四导电层,第四导电层位于第三导电层靠近衬底的一侧。其中,像素电路中各晶体管的控制极可以位于第四导电层中,电容的第一极可以位于第四导电层中,电容的第二极可以位于第三导电层中。上述的第一信号线中的第二图案和第三图案可以位于第四导电层或第三导电层中。例如,电容的第一极和第二极、像素电路中各晶体管的控制极、以及第一信号线中的第二图案和第三图案均材料相同。
示例性地,多条信号线还包括位于第二显示区内的第三信号线和第四信号线,第三信号线和第四信号线所耦接的像素电路为第二像素电路。第三信号线与第一信号线中的第二图案和第三图案材料相同且同层设置,第四信号线与第二信号线材料相同且同层设置。
在一些实施例中,如图11所示,显示面板100中位于第二区域B的部分包括透明部160。第一像素电路131在衬底110上的正投影与透明部160无交叠。示例性地,透明部160内无非透明膜层,例如非透明膜层包括金属层和半导体层等。例如,透明部160包括位于衬底110上的透明膜层,例如绝缘层。例如,参考图10B至图10D,绝缘层可以包括缓冲层(Buffer)、栅绝缘层(GI)、层间介质层(ILD)或平坦层(PLN)等。例如,平坦层可以有多层(PLN1、PLN2、PLN3)。
在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面,在第一显示区A1包括第一子区A11的情况下,第一子区A11位于透明部160在衬底110中位于第一区域A的部分上的正投影所在区域内。
在此情况下,在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面,光线经过第一子区A11,并经过透明部160,不会受到第一像素电路131的遮挡,从而可以提高透过率。这样,传感器位于第一子区A11内的情况下,可以提高传感器对光线的感应能力,从而提高传感效果。
示例性地,在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面的情况下,第一显示区A1位于透明部160在衬底110中位于第一区域A的部分上的正投影所在区域内。这样,光线经过第一显示区A1不会受到第一像素电路131的遮挡,从而可以提高透过率。
示例性地,在第二区域B,至少一条信号线140(如第一信号线141)在衬底110上的正投影与透明部160在衬底110上的正投影无交叠。例如,在第一像素电路131为多个的情况下,多个第一像素电路131可以分别位于透明部160在像素电路排列的行方向(例如图11中的X方向)上的相对两侧。例如,一行第一发光器件所耦接的多个第一像素电路分为两部分,两部分中的一部分第一像素电路位于上述的相对两侧中的一侧,两部分中的另一部分第一像素电路位于相对两侧中的另一侧。该两部分第一像素电路分别与两条第一信号线耦接,两条第一信号线传输同步的信号,两条第一信号线也分为位于相对两侧。两部分中的一部分第一像素电路与两条第一信号线中的一条第一信号线耦接,两部分中的另一部分第一像素电路与两条第一信号线中的另一条信号线耦接。
需要说明的是,文中所描述的像素电路排列的行方向,可以是响应于同步的信号的多个像素电路的排列方向,例如,响应于同步的栅极驱动信号,同步写入数据信号的多个像素电路为一行像素电路。
在一些实施例中,如图12A、图12B和图13A所示,多个发光器件120还包括第三发光器件123。第三发光器件123位于透明部160上。多个像素电路130还包括第三像素电路133。第三像素电路133位于第二区域B。第三像素电路133与第三发光器件123耦接。第三像素电路133在衬底110上的正投影,与透明部160在衬底110上的正投影无交叠。
可以理解的是,第三像素电路133不会遮挡经过透明部160的光线,即,第三像素电路133不会遮挡经过第一子区A11的光线,可以提高第一子区A11的透过率。另外,第三像素电路133不会遮挡经过第一显示区A1的光线,可以提高第一显示区A1的透过率。
在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面的情况下,第三发光器件123在衬底110中位于第一区域A的部分上的正投影,位于第一显示区A1内,且与第一发光器件121在衬底110上的正投影无交叠。
示例性地,在第一显示区A1包括第一子区A11的情况下,第三发光器件133在衬底110中位于第一区域A的部分上的正投影,位于第一子区A11内,且与第一发光器件121在衬底110上的正投影无交叠。
示例性地,第三像素电路133与多条信号线140耦接。例如,在第三发光器件123在衬底110中位于第一区域A的部分上的正投影,与第一发光器件121在衬底110上的正投影,处于一行发光器件在衬底110上的正投影所在范围内的情况下,第一像素电路131和第三像素电路133与一条信号线140(如第一信号线141)耦接。例如,在第三发光器件123在衬底110中位于第一区域A的部分上的正投影,与第一发光器件121在衬底110上的正投影,处于一列发光器件在衬底110上的正投影所在范围内的情况下,第一像素电路131和第三像素电路133与一条信号线140(如第二信号线142)耦接。
在此情况下,由于将原本位于第一显示区A1内的部分发光器件设置于第二区域B,即,第三发光器件123设置于第二区域B,相应的像素电路也位于第二区域B,使得第三发光器件123和第三像素电路133之间的连接线可以不经过第一显示区A1和弯折区域F,从而减少了第一显示区A1和弯折区域F的走线数量,简化布线,降低布线难度。
在一些实施例中,在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面的情况下,如图13B所示,第一发光器件121和第三发光器件123所构成的整体的排布方式,与第二发光器件122的排布方式相同。
其中,在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面的情况下,第一发光器件121和第三发光器件123在衬底110中位于第一区域A的部分上的正投影的排布方式,与第二发光器件122在衬底110上的正投影的排布方式相同,且第一发光器件121、第二发光器件122和第三发光器件123的正投影满足显示面板100中多个发光器件120的排列方式。
示例性地,如图13A所示,第二发光器件122呈阵列排布,如图13B所示,在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面的情况下,第一发光器件121和第三发光器件123所构成的整体呈阵列排布。
示例性地,对于沿像素电路排列的列方向(参考图13A中的Y方向),一列第三发光器件有n行(或n个),在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面的情况下,在一列第三发光器件在衬底110中位于第一区域A的部分上的正投影中,第i行第三发光器件的正投影位于n行第三发光器件的正投影中的第(n+1-i)行;n为正整数,i≤n且i为正整数。例如,在一列第三发光器件有六行(即n=6)的情况下,在显示面板100处于平展状态(参考图13A)下位于第一行(即i=1)的第三发光器件,在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面(参考图13B)的情况下,该位于第一行的第三发光器件在衬底110中位于第一区域A的部分上的正投影,位于该一列六行第三发光器件的正投影中的第六行。
示例性地,在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面的情况下,第三发光器件在衬底中位于第一区域的部分上的正投影,与第一发光器件在衬底上的正投影处于同一行,该第三发光器件所耦接的第三像素电路与该第一发光器件所耦接的第一像素电路处于同一行。例如,在一列第三发光器件有六行的情况下,对应的一列第三像素电路也有六行,其中第一行的第三发光器件与第六行的第三像素电路耦接。例如,在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面(参考图13B)的情况下,第三发光器件在衬底中位于第一区域的部分上的正投影与第一发光器件在衬底上的正投影呈六行六列的阵列排布(参考图13B),该第一行的第三发光器件在衬底110中位于第一区域A的部分上的正投影,与第六行的第一发光器件在衬底110上的正投影处于同一行(即第六行),此时,该第一行的第三发光器件所耦接的第三像素电路与该第六行的第一发光器件所耦接的第一像素电路处于同一行(如第六行),同一行的第三像素电路与第一像素电路响应于同步信号(例如栅极驱动信号)。
需要说明的是,本公开的实施例对发光器件的排布方式不作限定,可以根据实际情况进行设计。例如,多个发光器件可以呈阵列排布;或者,多个发光器件可以呈Pentile排布(排列)。例如,在发光器件呈阵列排布的情况下,相邻两行发光器件及相邻两列发光器件可以分别对位排列,或者,相邻两行发光器件及相邻两列发光器件可以分别错位排列,本公开的实施例对此不作限定。
在一些实施例中,第三发光器件123的数量小于第一发光器件121的数量。可以理解的是,在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面的情况下,由于第三发光器件123的出射光会经由衬底110位于第一显示区A1的部分,朝向第一发光器件121远离衬底110的一侧出射,第一发光器件121的出射光朝向第一发光器件121远离衬底110的一侧出射,第二发光器件122的出射光朝向第二发光器件122远离衬底110的一侧出射,即,第三发光器件123的出射光会经过位于第一发光器件121和第二发光器件122靠近衬底一侧的膜层,因此,第三发光器件123的出射光所经过的膜层数量,相比于第一发光器件121的出射光和第二发光器件122的出射光所经过的膜层的数量较大,因此,第三发光器件123的发光效果相比于第一发光器件121和第二发光器件122的发光效果较低。在此情况下,第三发光器件123的数量小于第一发光器件121的数量,可以降低第三发光器件123的发光效果对显示面板100的影响,避免显示面板100在弯折后,第一显示区A1与第二显示区A2发光不均匀,以保证第一显示区A1的显示效果和第二显示区A2的显示效果均匀,从而保证显示面板100显示的均一性。
在一些实施例中,如图12A和图12B所示,显示面板100还包括透明导线170。透明导线170设置于衬底110上。第三发光器件123通过透明导线170与第三像素电路133耦接。这样,在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面的情况下,可以保证第一显示区A1呈透明,提高第一显示区A1的透过率。
示例性地,透明导线170的材料采用例如包括ITO的透明导电材料。在连接引线150包括第四图案151的情况下,透明导线170与第四图案151同层设置且材料相同,即,透明导线170与第四图案151可以同步形成,例如,由同一膜层构图形成,这样,可以简化制备工艺,节约生产成本。
需要说明的是,根据实际情况,多条透明导线可以单层布线,也可以多层布线,本公开对此不作限定。
在一些实施例中,透明部160为开口,开口的深度方向垂直于衬底110中的位于第二区域B的部分所在平面。其中,沿垂直于衬底110位于第二区域B的部分的方向,开口贯通衬底110。即,显示面板100在透明部160所在区域呈通孔。例如,工艺上可以通过激光切割工艺,类似于AAH(Active Area Hole,AA区贯穿孔,显示区贯穿孔)工艺(即采用激光在AA区形成穿孔的工艺),去除位于透明部160区域内的膜层(例如金属层、半导体层、无机材料层和有机材料层等)以及衬底110(例如衬底110包括PI),得到开口。这样,可以提高显示面板的透光率,并且,在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面的情况下,可以减少光线经过的膜层的数量,从而提高显示面板100的屏下传感的效果。
在一些实施例中,参考图11和图12A至图12B,位于第二区域B内的多个像素电路130呈阵列排布。沿像素电路排列的行方向(例如图11中的X方向),多个像素电路130位于透明部160相对两侧中的至少一侧。这样,第二区域B内的多个像素电路可以均匀分布,相应的该多个像素电路所耦接的走线也可均匀分布。例如,沿像素电路排列的行方向,多个像素电路130位于透明部160相对两侧中的一侧,或者,多个像素电路130中的一部分位于透明部160相对两侧中的一侧,另一部分位于透明部160相对两侧中的另一侧。
示例性地,在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面的情况下,第三发光器件123在衬底110中位于第一区域A的部分上的正投影与第一发光器件121在衬底110上的正投影,在像素电路排列的行方向上排成一排,此时,该第三发光器件123所耦接的第三像素电路133和第一发光器件121所耦接的第一像素电路131处于同一行像素电路,该同一行像素电路可以部分位于透明部160相对两侧中的一侧,另一部分位于明部160相对两侧中的另一侧,此时,同一行像素电路所耦接的至少一条信号线可以为两条子线段,两条子线段分别位于透明部160的相对两侧,并同步驱动一行像素电路。
在一些实施例中,如图14所示,在像素电路130排列的列方向(如图14中的Y方向)上,位于第二区域B的多个像素电路130构成的整体的宽度W1,小于或等于第一显示区A1的宽度W2。这样,减小了第二区域B在像素电路130排列的列方向上的宽度,减小了显示面板100中位于第二区域B的部分的尺寸。在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面时,显示面板100中位于第二区域B的部分与显示面板100中位于第一区域A的部分的重叠区域较小,减小了显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至显示面板100中位于第一区域A的部分的背面所占用的空间,从而使得在显示面板100的背面设置其他器件(例如摄像头和电池等)具有足够的空间。
在一些实施例中,如图15A至图15E所示,位于第二区域B的多个像素电路130分为至少两个组G。不同组沿像素电路排列的行方向(如图15A至图15E中的X方向)排布。每个组G包括至少一行像素电路130。至少两个组G中的各行像素电路与位于第二显示区A2中的多行像素电路一一对应。
例如,在位于第二区域B的多个像素电路130原本呈6行6列的阵列排布的情况下,参考图15A,可以分成3个组,每个组中的多个像素电路呈2行6列的阵列排布;或者,参考图15B,也可以分成2个组,每个组中的多个像素电路呈3行6列排布。这样,可以减小第二区域B中的像素电路的整体在像素电路排列的列方向上的宽度,从而减小显示面板100中位于第二区域B的部分的尺寸。在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面时,显示面板100中位于第二区域B的部分与显示面板100中位于第一区域A的部分的重叠区域较小,减小了显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至显示面板100中位于第一区域A的部分的背面所占用的空间,从而使得在显示面板100的背面设置其他器件(例如摄像头和电池等)具有足够的空间。
其中,每个组G中的每行像素电路和位于第二显示区A2中对应的一行像素电路,与至少一条相同的信号线140耦接。这样,每个组G中的每行像素电路响应的信号和位于第二显示区A2中对应的一行像素电路响应的信号同步。例如,每个组G中的每行像素电路和位于第二显示区A2中对应的一行像素电路可以响应同步的栅极驱动信号,同步写入数据信号。在显示过程中,每个组G中的每行像素电路和位于第二显示区A2中对应的一行像素电路可以同步驱动各自所耦接的发光器件,即,每个组G中的每行像素电路所耦接的发光器件,与位于第二显示区A2中对应的一行像素电路所耦接的发光器件同步发光。
例如,参考图15A,三个组对应于第一显示区中的6行6列第一发光器件,三个组中的每个组包括2行6列像素电路。其中,三个组中的第一个组(例如图15A中位于左侧的一个组)中的第1行像素电路用于驱动第1行第一发光器件,第2行像素电路用于驱动第2行第一发光器件;三个组中的第二个组(例如图15A中位于中间的一个组)中的第1行像素电路用于驱动第3行第一发光器件,第2行像素电路用于驱动第4行第一发光器件;三个组中的第三个组(例如图15A中位于右侧的一个组)中的第1行像素电路用于驱动第5行第一发光器件,第2行像素电路用于驱动第6行第一发光器件。
例如,参考图15B,两个组对应于第一显示区中的6行6列第一发光器件,两个组中的每个组包括3行6列像素电路。其中,两个组中的第一个组(例如图15B中位于左侧的一个组)中的第1行像素电路用于驱动第1行第一发光器件,第2行像素电路用于驱动第2行第一发光器件,第3行像素电路用于驱动第3行第一发光器件;两个组中的第二个组(例如图15B中位于右侧的一个组)中的第1行像素电路用于驱动第4行第一发光器件,第2行像素电路用于驱动第5行第一发光器件,第3行像素电路用于驱动第6行第一发光器件。
例如,每个组G中相同列的像素电路和位于第二显示区A2中对应的一列像素电路,与至少一条相同的信号线140耦接。例如,每个组G中的每列像素电路和位于第二显示区A2中对应的一列像素电路可以接收相同的数据信号。例如,参考图15A,三个组中的第一个组(例如图15A中位于左侧的一个组)中的第1列像素电路、三个组中的第二个组(例如图15A中位于中间的一个组)中的第1列像素电路以及三个组中的第三个组(例如图15A中位于右侧的一个组)中的第1列像素电路,与一条信号线耦接。
在一些实施例中,如图16A和图16B所示,显示面板100还包括第一封装层181、第二封装层182和第三封装层183。第二封装层182相比于第一封装层181远离衬底110。第三封装层183位于第一封装层181和第二封装层182之间。第一封装层181覆盖多个像素电路130和多个发光器件120。第二封装层182覆盖第二像素电路132。,第三封装层183覆盖多个发光器件120。
示例性地,第一封装层181的材料和第二封装层182的材料均包括无机材料,即,第一封装层181和第二封装层182均为无机封装层。其中,无机材料例如可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等,该无机材料形成的第一封装层和第二封装层的致密性高,可以防止水和氧等的侵入。例如,第三封装层的材料包括有机材料,即,第三封装层183为有机封装层。其中,有机材料可以为含有干燥剂的高分子材料或可阻挡水汽的高分子材料等,例如高分子树脂等,以对显示面板的表面进行平坦化处理,并且可以缓解第一封装层和第二封装层的应力。例如,第三封装层183的材料还可以包括吸水性材料,例如碱金属(例如锂(Li)和钠(Na))、碱土金属(例如钡(Ba)和钙(Ca))或其它湿气反应性金属(例如铝(Al)和铁(Fe));还可以为碱金属氧化物(例如氧化锂(Li2O)和氧化钠(Na2O))、碱土金属氧化物(例如氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)和氧化钡(BaO))、硫酸盐(例如无水硫酸镁(MgSO4))、金属卤化物(例如氯化钙(CaCl2)或高氯酸盐(例如高氯酸镁Mg(ClO4)2)等,以吸收侵入内部的水和氧等物质。
在此情况下,第一封装层181、第二封装层182和第三封装层183覆盖位于第一区域A内的发光器件120和像素电路130,第一封装层181还覆盖位于第二区域B内的像素电路130,因此,可以避免外界环境中的水汽和氧气等侵入显示面板100内部,例如水汽和氧气等与显示面板内的发光器件和像素电路等发生反应而影响其电学性能,从而降低显示面板100的性能和寿命。
在一些实施例中,如图16C所示,在多个发光器件120包括第三发光器件123的情况下,第二封装层182还覆盖第三发光器件123。
可以理解的是,第一封装层181和第二封装层182均覆盖位于第二区域B内的发光器件120和像素电路130,第三封装层183覆盖位于第二区域B内的发光器件120(即第三发光器件123)。在此情况下,可以避免外界环境中的水汽和氧气等从第二区域B侵入显示面板100内部,例如水汽和氧气等与第三发光器件123、第一像素电路131和第三像素电路133等发生反应而影响其电学性能,从而降低显示面板100的性能和寿命。
在一些实施例中,如图17A和图17B所示,显示面板100还具有邦定(Bonding)区Q。在显示面板100具有第二区域B和弯折区域F的情况下,如图17A所示,邦定区Q位于第二区域B中远离弯折区域F的一侧,或者,如图17B所示,邦定区Q位于第一区域A中远离弯折区域F的一侧。其中,显示面板100被配置为在邦定区Q邦定驱动芯片(Driver IC)。
示例性地,如图17A和图17B所示,显示面板100还包括设置于邦定区Q的多个焊盘(Pad)101。多条信号线140延伸至邦定区Q通过多个焊盘101,驱动芯片与耦接。
可以理解的是,在邦定区Q位于第二区域B中远离弯折区域F的一侧的情况下,第一区域A中远离弯折区域F的一侧无邦定区Q,也不会设置焊盘101,这样可以减小显示面板100在第一区域A中远离弯折区域F的一侧的边框,不会增加显示面板100的边框,便于显示面板100实现窄边框。并且,在显示面板100中位于第二区域B的部分弯折至位于第一区域A的部分的背面的过程中,驱动芯片也会相应的被弯折至显示面板100中位于第一区域A的部分的背面,即,驱动芯片与显示面板100中位于第二区域B的部分可以同步弯折,这样可以节省工序。
在邦定区Q位于第一区域A中远离弯折区域F的一侧的情况下,在驱动芯片弯折至显示面板100的背面的过程中,显示面板100位于第一区域A中远离弯折区域F的一侧的部分也会被弯折,这样,可以减小显示面板100在第一区域A中远离弯折区域F的一侧的边框,便于显示面板100实现窄边框。
需要说明的是,如图1B、图3、图6、图7、图9A、图10A、图11、图12A、图12B、图15A至图15E、以及图17A至图17B中示出的各个走线仅为连接示意图,并不是实际走线的版图。在实际中可以在保证各个走线不会出现信号干扰的情况对走线方式进行设计。
本公开的实施例提供的显示装置200,如图18所示,显示装置200还包括驱动芯片210。驱动芯片210与显示面板100邦定。
可以理解的是,驱动芯片210在显示面板100中的邦定区Q进行邦定。示例性地,驱动芯片210包括驱动IC(Source IC),与显示面板100中的多条信号线(例如第二信号线)耦接,以向多条信号线提供数据信号。
示例性地,驱动芯片210可以采用COF(Chip on Film,覆晶薄膜),例如,将驱动芯片210设置在FPC(Flexible Printed Circuit Board,柔性线路板)上,FPC与显示面板100邦定;例如,显示面板100包括焊盘101的情况下,FPC的引脚(Pin)与焊盘101邦定。或者,示例性地,驱动芯片210可以直接设置在显示面板100上。
上述显示装置200可以是显示不论运动(例如,视频)还是固定(例如,静止图像)的且不论文字还是的图像的任何装置。更明确地说,预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联,所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如,里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如,车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如,对于一件珠宝的图像的显示器)等。
上述显示装置的有益效果和上述一些实施例所述的显示面板的有益效果相同,此处不再赘述。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (20)
1.一种显示面板,其特征在于,具有第一区域;所述第一区域包括第一显示区和第二显示区;所述第一显示区包括第一子区和第二子区;
所述显示面板包括:
衬底;
多个发光器件,设置于所述衬底上,所述多个发光器件包括位于所述第一显示区的第一发光器件和位于所述第二显示区的第二发光器件;
多个像素电路,设置于所述衬底上,所述多个像素电路包括与所述第一发光器件耦接的第一像素电路和与所述第二发光器件耦接的第二像素电路;所述第一像素电路位于所述第一显示区外;所述第二像素电路位于所述第二显示区内;
多条信号线,设置于所述衬底上;所述多条信号线与所述多个像素电路耦接;所述多条信号线被配置为向所述多个像素电路提供工作信号;所述多条信号线中的至少一条信号线与至少一个第一像素电路耦接;所述至少一条信号线在所述衬底上的正投影与所述第二子区有交叠,且与所述第一子区无交叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还具有弯折区域和第二区域;所述第一区域和所述第二区域通过所述弯折区域连接;所述显示面板被配置为通过位于所述弯折区域的部分发生弯折,将位于所述第二区域的部分弯折至位于所述第一区域的部分的背面;
至少一个第一像素电路位于所述第二区域内;
在所述显示面板中位于所述第二区域的部分弯折至位于所述第一区域的部分的背面的情况下,所述至少一个第一像素电路在所述衬底中位于所述第一区域的部分上的正投影与所述第一显示区无交叠。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述至少一条信号线具有至少一个开孔,所述至少一个开孔位于所述弯折区域。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,至少一条信号线包括:
第一图案,位于所述弯折区域;
第二图案,位于所述第一区域;所述第二图案与所述第二像素电路和所述第一图案耦接;
第三图案,位于所述第二区域;所述第三图案与所述第一像素电路和所述第一图案耦接;
所述第一图案的拉伸模量,分别大于所述第二图案的拉伸模量和所述第三图案的拉伸模量。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述多条信号线包括第一信号线和第二信号线;
所述第一信号线包括所述第一图案、所述第二图案和所述第三图案;
其中,所述第一图案与所述第二信号线材料相同。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
多条连接引线,设置于所述衬底上;一个第一发光器件通过一条连接引线与一个第一像素电路耦接;
至少一条连接引线中的至少位于所述第一显示区的部分呈透明。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述至少一条连接引线包括:
第四图案,位于所述第一显示区;所述第四图案与所述第一发光器件耦接;
第五图案,位于所述第一显示区外;所述第五图案与所述第四图案和所述第一像素电路耦接;
所述第五图案的拉伸模量大于所述第四图案的拉伸模量。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
在至少一条信号线包括第二信号线的情况下,所述第五图案与所述第二信号线材料相同。
9.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板中位于所述第二区域的部分包括:透明部;
所述第一像素电路在所述衬底上的正投影与所述透明部无交叠;
在所述显示面板中位于所述第二区域的部分弯折至位于所述第一区域的部分的背面,所述第一子区位于所述透明部在所述衬底中位于所述第一区域的部分上的正投影所在区域内。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述多个发光器件还包括第三发光器件;所述第三发光器件位于所述透明部上;
所述多个像素电路还包括第三像素电路;所述第三像素电路位于所述第二区域;所述第三像素电路与所述第三发光器件耦接;所述第三像素电路在所述衬底上的正投影,与所述透明部在所述衬底上的正投影无交叠;
在所述显示面板中位于所述第二区域的部分弯折至位于所述第一区域的部分的背面的情况下,所述第三发光器件在所述衬底中位于所述第一区域的部分上的正投影,位于所述第一显示区内,且与所述第一发光器件在所述衬底上的正投影无交叠。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,在所述显示面板中位于所述第二区域的部分弯折至位于所述第一区域的部分的背面的情况下,所述第一发光器件和所述第三发光器件所构成的整体的排布方式,与所述第二发光器件的排布方式相同。
12.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,还包括:
透明导线,设置于所述衬底上;所述第三发光器件通过所述透明导线与所述第三像素电路耦接。
13.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述透明部为开口,开口的深度方向垂直于所述衬底中的位于所述第二区域的部分所在平面。
14.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,位于所述第二区域内的多个像素电路呈阵列排布,且沿像素电路排列的行方向,多个像素电路位于所述透明部相对两侧中的至少一侧。
15.根据权利要求9~14中任一项所述的显示面板,其特征在于,在像素电路排列的列方向上,位于所述第二区域的多个像素电路构成的整体的宽度,小于或等于所述第一显示区的宽度。
16.根据权利要求15所述的显示面板,其中,位于所述第二区域的多个像素电路分为至少两个组;不同组沿像素电路排列的行方向排布,每个组包括至少一行像素电路,所述至少两个组中的各行像素电路与位于所述第二显示区中的多行像素电路一一对应;
每个组中的每行像素电路和位于所述第二显示区中对应的一行像素电路,与至少一条相同的信号线耦接。
17.根据权利要求1~14中任一项所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第一封装层,覆盖所述多个像素电路和所述多个发光器件;
第二封装层,相比于所述第一封装层远离所述衬底;所述第二封装层覆盖所述第二像素电路;
第三封装层,位于所述第一封装层和所述第二封装层之间;所述第三封装层覆盖所述多个发光器件。
18.根据权利要求17所述的显示面板,其特征在于,在所述多个发光器件包括第三发光器件的情况下,所述第二封装层还覆盖所述第三发光器件。
19.根据权利要求1~14中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还具有邦定区;
在所述显示面板具有第二区域和弯折区域的情况下,所述邦定区位于所述第二区域中远离所述弯折区域的一侧;或者,所述邦定区位于所述第一区域中远离所述弯折区域的一侧。
20.一种显示装置,其特征在于,包括:
如权利要求1~19中任一项所述的显示面板;
传感器,设置于所述显示面板中位于第一显示区的部分的背面;所述传感器在所述显示面板上的正投影位于所述第一显示区中的第一子区内。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011056670.7A CN114335069A (zh) | 2020-09-29 | 2020-09-29 | 显示面板及显示装置 |
PCT/CN2021/110961 WO2022068393A1 (zh) | 2020-09-29 | 2021-08-05 | 显示面板及显示装置 |
US17/797,259 US20230055596A1 (en) | 2020-09-29 | 2021-08-05 | Display panel and display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011056670.7A CN114335069A (zh) | 2020-09-29 | 2020-09-29 | 显示面板及显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114335069A true CN114335069A (zh) | 2022-04-12 |
Family
ID=80951071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011056670.7A Pending CN114335069A (zh) | 2020-09-29 | 2020-09-29 | 显示面板及显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230055596A1 (zh) |
CN (1) | CN114335069A (zh) |
WO (1) | WO2022068393A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115116332A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-09-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116709833A (zh) * | 2023-08-08 | 2023-09-05 | 惠科股份有限公司 | 屏下摄像显示屏和显示装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108847415B (zh) * | 2018-06-29 | 2020-08-11 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、栅极驱动电路以及显示面板 |
CN109713024B (zh) * | 2019-01-31 | 2021-01-08 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110767717B (zh) * | 2019-04-30 | 2022-04-05 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN110189639B (zh) * | 2019-06-28 | 2020-12-04 | 昆山国显光电有限公司 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
CN110288945B (zh) * | 2019-06-28 | 2023-09-29 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN210245501U (zh) * | 2019-07-03 | 2020-04-03 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN111725287A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-09-29 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
-
2020
- 2020-09-29 CN CN202011056670.7A patent/CN114335069A/zh active Pending
-
2021
- 2021-08-05 US US17/797,259 patent/US20230055596A1/en active Pending
- 2021-08-05 WO PCT/CN2021/110961 patent/WO2022068393A1/zh active Application Filing
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115116332A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-09-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN115116332B (zh) * | 2022-06-30 | 2023-09-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022068393A1 (zh) | 2022-04-07 |
US20230055596A1 (en) | 2023-02-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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