CN216450644U - 显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 245
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 32
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 27
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 21
- 208000029523 Interstitial Lung disease Diseases 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 101100033865 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RFA1 gene Proteins 0.000 description 8
- 101100524516 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RFA2 gene Proteins 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 4
- 208000036252 interstitial lung disease 1 Diseases 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 208000036971 interstitial lung disease 2 Diseases 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
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- H10K59/80—Constructional details
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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Abstract
显示装置包括：基板，包括第一显示区域以及第二显示区域；功能性模块，在第二显示区域被配置在基板的下方；以及遮光层，被配置在功能性模块上，并且包括在第二显示区域被排列成矩阵形态的多个单位图案，第二显示区域包括在第二显示区域被定义为不存在遮光层的区域的透过区域，多个单位图案分别包括主体部以及在远离主体部的方向上被弯折的多个布线部。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示装置。更详细而言，本实用新型涉及包括接收外光的功能性模块的显示装置。
背景技术
显示装置可以包括发射光的多个像素。多个像素可以配置在显示装置的显示区域。由此，显示装置可以在显示区域组合从多个像素发射出的光来显示图像。
显示装置可以包括具有各种功能的功能性模块。功能性模块可以接收从显示装置的外部入射的外光。由此，功能性模块可以拍摄照片或图像，或者可以识别使用者的操作(例如，使用者的虹膜的运动)。
功能性模块可以配置在显示装置的显示区域。在该情况下，在显示区域中，在配置了功能性模块的区域可以不配置像素。由此，在配置了功能性模块的区域无法显示图像，因此可能会产生显示区域的大小相对变小的问题。
实用新型内容
本实用新型的技术课题鉴于这种情况，本实用新型的目的在于提供一种包括功能性模块并且显示区域的大小相对大的显示装置。
但是，本实用新型的目的并不限于上述的目的，在不脱离本实用新型的思想和领域的范围可以进行各种扩展。
为了实现前述的本实用新型的目的，各实施例涉及的显示装置可以包括：基板，包括第一显示区域以及第二显示区域；功能性模块，在所述第二显示区域被配置在所述基板的下方；以及遮光层，被配置在所述功能性模块上，并且包括在所述第二显示区域被排列成矩阵形态的多个单位图案，所述第二显示区域包括在所述第二显示区域被定义为不存在所述遮光层的区域的透过区域，所述多个单位图案分别包括主体部以及在远离所述主体部的方向上被弯折的多个布线部。
在一实施例中，可以是，所述多个布线部包括：第一布线部，与所述主体部的第一侧相邻；第二布线部，与所述主体部的和所述第一侧相反的第二侧相邻；第三布线部，与所述主体部的位于所述第一侧和所述第二侧之间的第三侧相邻；以及第四布线部，与所述主体部的和所述第三侧相反的第四侧相邻。
在一实施例中，可以是，所述第一布线部的第一曲率半径、所述第二布线部的第二曲率半径、所述第三布线部的第三曲率半径和所述第四布线部的第四曲率半径均相同。
在一实施例中，可以是，所述第一布线部的第一曲率半径、所述第二布线部的第二曲率半径、所述第三布线部的第三曲率半径和所述第四布线部的第四曲率分别在25μm以上且30μm以下。
在一实施例中，可以是，所述第一布线部的宽度、所述第二布线部的宽度、所述第三布线部的宽度和所述第四布线部的宽度分别在15μm以上且30μm以下。
在一实施例中，可以是，所述多个布线部分别在侧面还包括突起。
在一实施例中，可以是，显示装置还包括：第二像素，被配置在所述主体部上；以及布线，被配置在所述布线部上并且与所述第二像素电连接。
在一实施例中，可以是，所述布线包括栅极信号布线、数据信号布线和驱动信号布线中的至少一个。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：多个第一像素，在所述第一显示区域被配置在所述基板上，所述主体部具有角部圆的四边形形状。
在一实施例中，可以是，所述布线包括依次层叠在所述布线部上的多个导电层，所述多个导电层分别彼此被电绝缘。
在一实施例中，可以是，所述主体部的所述角部的曲率半径在15μm以上且30μm以下。
为了实现前述的本实用新型的目的，各实施例涉及的显示装置可以包括：基板，包括第一显示区域以及第二显示区域；多个第一像素，在所述第一显示区域被配置在所述基板上；功能性模块，在所述第二显示区域被配置在所述基板的下方；以及遮光层，被配置在所述功能性模块上，并且包括在所述第二显示区域被排列成矩阵形态的多个单位图案，所述多个单位图案分别包括主体部以及在远离所述主体部的方向上被弯折的多个布线部。
在一实施例中，可以是，所述多个布线部包括：第一布线部，与所述主体部的第一侧相邻；第二布线部，与所述主体部的和所述第一侧相反的第二侧相邻；第三布线部，与所述主体部的位于所述第一侧和所述第二侧之间的第三侧相邻；以及第四布线部，与所述主体部的和所述第三侧相反的第四侧相邻。
在一实施例中，可以是，所述第一布线部的第一曲率半径、所述第二布线部的第二曲率半径、所述第三布线部的第三曲率半径和所述第四布线部的第四曲率半径均相同。
在一实施例中，可以是，所述第一布线部的第一曲率半径、所述第二布线部的第二曲率半径、所述第三布线部的第三曲率半径和所述第四布线部的第四曲率半径分别在25μm以上且30μm以下。
在一实施例中，可以是，所述第一布线部的宽度、所述第二布线部的宽度、所述第三布线部的宽度和所述第四布线部的宽度分别在15μm以上且30μm以下。
在一实施例中，可以是，所述多个布线部分别在侧面还包括突起。
在一实施例中，可以是，显示装置还包括：第二像素，被配置在所述主体部上；以及布线，被配置在所述布线部上并且与所述第二像素电连接。
在一实施例中，可以是，所述布线包括栅极信号布线、数据信号布线和驱动信号布线中的至少一个。
在一实施例中，可以是，所述第二显示区域包括在所述第二显示区域被定义为不存在所述遮光层的区域的透过区域，并且所述主体部具有四边形形状并且在所述四边形形状的角部包括圆形的突出部。
在一实施例中，可以是，所述布线包括依次层叠在所述布线部上的多个导电层，所述多个导电层分别彼此被电绝缘。
在一实施例中，可以是，所述主体部的所述突出部的曲率半径在15μm以上且30μm以下。
(实用新型效果)
在本实用新型的显示装置中，配置在功能性模块上的遮光层可以包括主体部和在远离主体部的方向上被弯折的多个布线部。本实用新型的显示装置可以包括被弯折的布线部以及角部圆的主体部。由此，从显示装置的外部入射至功能性模块的外光的衍射可以发生得相对少。
本实用新型的显示装置可以包括在第二显示区域被定义为不存在遮光层的区域的透过区域，并且显示装置的外部的外光可以通过透过区域入射至功能性模块。此外，定义透过区域的部分边界的布线部可以在远离主体部的方向上被弯折。由此，从显示装置的外部入射至功能性模块的外光的透过率可以相对变大。
但是，本实用新型的效果并不限于前述的效果，在不脱离本实用新型的思想和领域的范围可以进行各种扩展。
附图说明
图1是示出本实用新型的一实施例涉及的显示装置的平面图。
图2是示出包括于图1的显示装置的功能性模块和遮光层的平面图。
图3是示出包括于图2的遮光层的单位图案的一例的平面图。
图4是示出包括于图2的遮光层的单位图案的一例的平面图。
图5是示出包括于图2的遮光层的单位图案的其他例的平面图。
图6是示出包括于图2的遮光层的单位图案的其他例的平面图。
图7是沿着图2的I-I′线截取的剖视图。
图8是沿着图2的II-II′线截取的剖视图。
图9是用于说明图2的显示装置的表。
符号说明：
1000：显示装置；100：功能性模块；200：遮光层；210、210′：单位图案；220、220′：主体部；220E：突出部；231：第一布线部；232：第二布线部；233：第三布线部；234：第四布线部；240：突起；WR：布线；TA：透过区域；P：第一像素；PXR、PXG、PXB：第二像素；DA1：第一显示区域；DA2：第二显示区域。
具体实施方式
以下，参照附图，更加详细地说明本实用新型各的实施例涉及的显示装置。对于附图上的相同的构成要素，使用相同或相似的符号。
图1是示出本实用新型的一实施例涉及的显示装置的平面图。
参照图1，显示装置1000可以包括显示区域DA以及非显示区域NDA。
显示区域DA可以是在显示装置1000中显示图像的区域。显示装置1000可以在显示区域DA包括多个像素。所述多个像素分别可以包括发光元件。所述发光元件可以发射光。例如，所述多个像素分别可以接收电信号，从而发射与所述电信号的强度对应的亮度的光。
非显示区域NDA可以是在显示装置1000中不显示图像的区域。显示装置1000可以在非显示区域NDA包括用于驱动显示装置1000的电路。例如，所述电路可以包括时序控制部、栅极信号控制部、数据信号控制部等。所述电路可以生成所述电信号。例如，所述电信号可以包括栅极信号、数据信号、驱动信号等。所述电路可以与所述多个像素电连接。由此，所述电路可以将所述电信号传送到所述多个像素。
显示装置1000可以包括功能性模块100。功能性模块100可以被配置在显示装置1000的显示区域DA。功能性模块100可以不被使用者识别出。例如，功能性模块100可以与所述多个像素部分地重叠。由此，在显示区域DA，在与功能性模块100重叠的区域也可以显示图像。
功能性模块100可以接收显示装置1000的外部的外光。例如，功能性模块100可以包括接收所述外光来拍摄照片或图像的相机。例如，功能性模块100可以包括接收所述外光来感测使用者的操作(例如，使用者的虹膜等)的传感器。
图2是示出包括于图1的显示装置的功能性模块和遮光层的平面图。
参照图1和图2，显示区域DA可以包括第一显示区域DA1以及第二显示区域DA2。第一显示区域DA1可以在显示区域DA被定义为不存在功能性模块100的区域。第二显示区域DA2可以在显示区域DA被定义为存在功能性模块100的区域。即，功能性模块100可以被配置在显示装置1000的第二显示区域DA2。
显示装置1000可以在第一显示区域DA1包括多个第一像素P。多个第一像素P分别可以发射光。例如，多个第一像素P可以包括发射红色光的红色像素、发射绿色光的绿色像素、发射蓝色光的蓝色像素等。
在第二显示区域DA2，在功能性模块100上可以配置遮光层200。遮光层200可以阻断显示装置1000的外部的外光。例如，遮光层200可以包括光透过性低的金属物质。遮光层200可以包括多个单位图案210。例如，多个单位图案210可以被排列成矩阵形态。
遮光层200可以与功能性模块100部分地重叠。由此，第二显示区域DA2可以包括在第二显示区域DA2被定义为不存在遮光层200的区域的透过区域TA。在透过区域TA，所述外光可以入射至功能性模块100。
图3是示出包括于图2的遮光层的单位图案的一例的平面图。图4是示出包括于图2的遮光层的单位图案的一例的平面图。
参照图1至图3，单位图案210可以包括主体部220以及多个布线部231、232、233、234。
主体部220可以具有角部圆的四边形形状。例如，主体部220的所述角部的曲率半径R可以在约15μm以上且约30μm以下。
在主体部220上可以配置第二像素PXR、PXB、PXG。第二像素PXR、PXB、PXG可以接收电信号，从而发射与所述电信号的强度对应的亮度的光。例如，在主体部220上可以配置发射红色光的第二红色像素PXR、发射绿色光的第二绿色像素PXG以及发射蓝色光的第二蓝色像素PXB。图3所示的第二像素PXR、PXB、PXG的配置关系可以是示例性的，第二像素PXR、PXB、PXG可以具有各种各样的配置。
由于在主体部220上配置发射光的第二像素PXR、PXB、PXG，因此显示装置1000在第二显示区域DA2也可以显示图像。
由于显示装置1000在第二显示区域DA2包括透过区域TA，因此使用者在第二显示区域DA2可能会识别到在显示装置1000中显示的图像的分辨率下降。或者，在第二显示区域DA2，功能性模块100可能会被使用者识别出。为了防止这种情况，第二像素PXR、PXB、PXG的单位发光面积可以大于第一像素P的单位发光面积。由此，被使用者识别到的第二显示区域DA2的分辨率可能相对变高。此外，在第二显示区域DA2，功能性模块100可以不被使用者识别到。
多个布线部231、232、233、234分别可以在远离主体部220的方向上被弯折。由于多个布线部231、232、233、234具有被弯折的形状，因此透过区域TA的边界也可以具有被弯折的形状。由此，通过透过区域TA入射至功能性模块100的外光的衍射可以发生得相对少。
在多个布线部231、232、233、234上可以配置与第二像素PXR、PXG、PXB电连接的布线WR。布线WR可以将所述电信号传送到第二像素PXR、PXG、PXB。例如，布线WR可以包括栅极信号布线、数据信号布线和驱动信号布线中的至少一个。
在一实施例中，多个布线部231、232、233、234可以包括与主体部220的第一侧221相邻的第一布线部231、与主体部220的和第一侧221相反的第二侧222相邻的第二布线部232、与主体部220的位于第一侧221和第二侧222之间的第三侧223相邻的第三布线部233以及与主体部220的和第三侧223相反的第四侧224相邻的第四布线部234。
在一实施例中，第一布线部231的第一曲率半径R1、第二布线部232的第二曲率半径R2、第三布线部233的第三曲率半径R3和第四布线部234的第四曲率半径R4均可以相同。第一曲率半径R1、第二曲率半径R2、第三曲率半径R3和第四曲率半径R4可以表示第一布线部231、第二布线部232、第三布线部233和第四布线部234的内侧边的平均曲率半径。
在一实施例中，第一布线部231、第二布线部232、第三布线部233和第四布线部234的第一曲率半径R1、第二曲率半径R2、第三曲率半径R3和第四曲率半径R4分别可以在约25μm以上且约30μm以下。
在一实施例中，第一布线部231、第二布线部232、第三布线部233和第四布线部234的宽度W均可以相同。在该情况下，第一布线部231、第二布线部232、第三布线部233和第四布线部234的宽度W可以在约15μm以上且约30μm以下。
参照图1、图2和图4，多个布线部231、232、233、234分别可以在侧面还包括突起240。突起240可以形成在多个布线部231、232、233、234各自的内侧面和外侧面。突起240其宽度可以随着分别远离多个布线部231、232、233、234而变窄。突起240可以使通过透过区域TA入射至功能性模块100的所述外光的衍射发生得相对少。
图5是示出包括于图2的遮光层的单位图案的其他例的平面图。图6是示出包括于图2的遮光层的单位图案的其他例的平面图。
参照图1、图2和图5，单位图案210′可以包括主体部220′以及多个布线部231、232、233、234。
主体部220′可以具有四边形形状，并且在所述四边形形状的角部可以包括圆形的突出部220E。例如，突出部220E的曲率半径R可以在约15μm以上且约30μm以下。
在主体部220′上可以配置第二像素PXR、PXB、PXG。第二像素PXR、PXB、PXG可以接收电信号而发射与所述电信号的强度对应的亮度的光。例如，在主体部220′上可以配置发射红色光的第二红色像素PXR、发射绿色光的第二绿色像素PXG和发射蓝色光的第二蓝色像素PXB。
多个布线部231、232、233、234分别可以在远离主体部220′的方向上被弯折。由于多个布线部231、232、233、234具有被弯折的形状，因此透过区域TA的边界也可以具有被弯折的形状。由此，通过透过区域TA入射至功能性模块100的外光的衍射可以发生得相对少。
在多个布线部231、232、233、234上可以配置与第二像素PXR、PXG、PXB电连接的布线WR。布线WR可以将所述电信号传送到第二像素PXR、PXG、PXB。例如，布线WR可以包括栅极信号布线、数据信号布线和驱动信号布线中的至少一个。
在一实施例中，多个布线部231、232、233、234可以包括与主体部220′的第一侧221′相邻的第一布线部231、与主体部220′的和第一侧221′相反的第二侧222′相邻的第二布线部232、与主体部220′的位于第一侧221′和第二侧222′之间的第三侧223′相邻的第三布线部233以及与主体部220′的和第三侧223′相反的第四侧224′相邻的第四布线部234。
在一实施例中，第一布线部231的第一曲率半径R1、第二布线部232的第二曲率半径R2、第三布线部233的第三曲率半径R3和第四布线部234的第四曲率半径R4均可以相同。第一曲率半径R1、第二曲率半径R2、第三曲率半径R3和第四曲率半径R4可以表示第一布线部231、第二布线部232、第三布线部233和第四布线部234的内侧边的平均曲率半径。
在一实施例中，第一布线部231、第二布线部232、第三布线部233和第四布线部234的第一曲率半径R1、第二曲率半径R2、第三曲率半径R3和第四曲率半径R4分别可以在约25μm以上且约30μm以下。
在一实施例中，第一布线部231、第二布线部232、第三布线部233和第四布线部234的宽度W均可以相同。在该情况下，第一布线部231、第二布线部232、第三布线部233和第四布线部234的宽度W可以在约15μm以上且约30μm以下。
参照图1、图2和图6，多个布线部231、232、233、234分别可以在侧面还包括突起240。突起240可以形成在多个布线部231、232、233、234各自的内侧面和外侧面。突起240其宽度分别可以随着远离多个布线部231、232、233、234而变窄。突起240可以使通过透过区域TA入射至功能性模块100的所述外光的衍射发生得相对少。
图7是沿着图2的I-I′线截取的剖视图。
参照图1、图2和图7，显示装置1000可以包括功能性模块100、阻挡层BAR、基板SUB、第一缓冲层BUF1、遮光层200、第二缓冲层BUF2、栅极绝缘层GI、有源图案ACT、源电极SE、漏电极DE、栅电极GE、层间绝缘层ILD、通路绝缘层VIA、像素定义膜PDL、第一电极PE1、发光层EL、第二电极PE2、第一无机封装层IL1、有机封装层OL以及第二无机封装层IL2。透过区域TA是显示装置1000的外部的外光透过的区域，并且非透过区域NTA是所述外光无法透过的区域。
在功能性模块100上可以与功能性模块100间隔开地配置阻挡层BAR。阻挡层BAR可以防止来自功能性模块100的异物质的渗透。阻挡层BAR可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等。
在非透过区域NTA，在阻挡层BAR上可以配置基板SUB。基板SUB可以包括含硅的玻璃材料。但是，基板SUB的材质不限于此。例如，基板SUB可以包括塑料、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚芳酯、聚酰亚胺等。
在非透过区域NTA，在基板SUB上可以配置第一缓冲层BUF1。第一缓冲层BUF1可以防止来自基板SUB的异物质的渗透。第一缓冲层BUF1可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等。
在非透过区域NTA，在第一缓冲层BUF1上可以配置遮光层200。遮光层200可以包括光透过性相对低的物质。例如，遮光层200可以包括金属物质。
在非透过区域NTA，在遮光层200上可以配置第二缓冲层BUF2。第二缓冲层BUF2可以防止来自遮光层200的异物质的渗透。第二缓冲层BUF2可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等。
在非透过区域NTA，在第二缓冲层BUF2上可以配置有源图案ACT。有源图案ACT可以包括半导体物质。例如，有源图案ACT可以包括硅类半导体物质。或者，有源图案ACT可以包括氧化物类半导体物质。
在非透过区域NTA，在第二缓冲层BUF2上可以配置栅极绝缘层GI。栅极绝缘层GI可以覆盖有源图案ACT。栅极绝缘层GI可以使有源图案ACT与栅电极GE绝缘。栅极绝缘层GI可以包括无机绝缘物质。例如，栅极绝缘层GI可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等。
在非透过区域NTA，在栅极绝缘层GI上可以配置栅电极GE。栅电极GE可以被配置成与有源图案ACT重叠。栅电极GE可以包括导电性物质。例如，栅电极GE可以包括铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨、铜中的至少一种物质。在向栅电极GE施加电信号的情况下，源电极SE和漏电极DE可以被电连接。
在非透过区域NTA，栅极绝缘层GI上可以配置层间绝缘层ILD。层间绝缘层ILD可以覆盖栅电极GE。层间绝缘层ILD可以使栅电极GE与源电极SE绝缘。此外，层间绝缘层ILD可以使栅电极GE与漏电极DE绝缘。层间绝缘层ILD可以包括无机绝缘物质。例如，层间绝缘层ILD可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等。
在非透过区域NTA，在层间绝缘层ILD上可以配置源电极SE和漏电极DE。源电极SE和漏电极DE可以与有源图案ACT接触。例如，源电极SE可以通过贯通层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的贯通孔而与有源图案ACT的一侧接触。例如，漏电极DE可以通过贯通层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的贯通孔而与有源图案ACT的另一侧接触。源电极SE和漏电极DE分别可以包括导电性物质。例如，源电极SE和漏电极DE分别可以包括铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨、铜中的至少一种物质。
在非透过区域NTA，在层间绝缘层ILD上可以配置通路绝缘层VIA。通路绝缘层VIA可以覆盖源电极SE和漏电极DE。通路绝缘层VIA可以具有平坦的上表面。通路绝缘层VIA可以包括有机绝缘物质。例如，通路绝缘层VIA可以包括丙烯、苯并环丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)等。
在非透过区域NTA，在通路绝缘层VIA上可以配置第一电极PE1。第一电极PE1可以与漏电极DE电连接。例如，第一电极PE1可以通过贯通通路绝缘层VIA的贯通孔而与漏电极DE的一侧接触。第一电极PE1可以包括导电性物质。例如，第一电极PE1可以包括ITO、IZO、IGO、AZO、IGZO中的至少一种物质。或者，第一电极PE1也可以包括与栅电极GE相同的物质。
在非透过区域NTA，在通路绝缘层VIA上可以配置像素定义膜PDL。像素定义膜PDL可以覆盖第一电极PE1的至少一部分。像素定义膜PDL可以包括使第一电极PE1的至少一部分露出的开口。
在非透过区域NTA，在第一电极PE1上可以配置发光层EL。发光层EL还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层以及电子传输层中的至少任一个。发光层EL可以发射光。
在非透过区域NTA，在像素定义膜PDL上可以配置第二电极PE2。第二电极PE2可以被配置成覆盖发光层EL。第二电极PE2可以包括功函数相对小的金属。例如，第二电极PE2可以包括锂、钙、铝、银、镁中的至少一种。
在非透过区域NTA，有源图案ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可定义晶体管。发光层EL可以通过第一电极PE1而与所述晶体管电连接。由此，发光层EL可以从所述晶体管接收所述电信号，从而发射与所述电信号的强度对应的亮度的光。
在非透过区域NTA和透过区域TA可以配置第一无机封装层IL1。具体地，在非透过区域NTA，在第二电极PE2上可以配置第一无机封装层IL1。在透过区域TA，第一无机封装层IL1可以覆盖基板SUB、第一缓冲层BUF1、遮光层200、第二缓冲层BUF2、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、通路绝缘层VIA、像素定义膜PDL以及第二电极PE2的侧面。在透过区域TA，第一无机封装层IL1可以被配置在阻挡层BAR上。第一无机封装层IL1可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等。
在非透过区域NTA和透过区域TA，在第一无机封装层IL1上可以配置有机封装层OL。由于第一无机封装层IL1沿着下部的结构物形成，因此第一无机封装层IL1的上表面可能不平坦。有机封装层OL可以具有实质上平坦的上表面。有机封装层OL可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸系树脂等。
在非透过区域NTA和透过区域TA，在有机封装层OL上可以配置第二无机封装层IL2。第二无机封装层IL2可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等。第一无机封装层IL1、有机封装层OL和第二无机封装层IL2可以防止来自显示装置1000的外部的水分、氧等的渗透。
图8是沿着图2的II-II′线截取的剖视图。
参照图1、图2、图7和图8，显示装置1000可以包括功能性模块100、阻挡层BAR、基板SUB、第一缓冲层BUF1、遮光层200、第二缓冲层BUF2、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、通路绝缘层VIA、布线WR、像素定义膜PDL、第一无机封装层IL1、有机封装层OL以及第二无机封装层IL2。层间绝缘层ILD可以包括第一层间绝缘层ILD1以及第二层间绝缘层ILD2。通路绝缘层VIA可以包括第一通路绝缘层VIA1以及第二通路绝缘层VIA2。布线WR可以包括依次层叠为彼此绝缘的第一导电层CL1、第二导电层CL2、第三导电层CL3和第四导电层CL4。透过区域TA是显示装置1000的外部的外光透过的区域，并且布线区域WA是配置布线WR的区域。
在功能性模块100上可以与功能性模块100间隔开地配置阻挡层BAR。阻挡层BAR可以防止来自功能性模块100的异物质的渗透。
在布线区域WA，在阻挡层BAR上可以依次层叠第一缓冲层BUF1、遮光层200、第二缓冲层BUF2和栅极绝缘层GI。
在布线区域WA，在栅极绝缘层GI上可以配置第一导电层CL1。第一导电层CL1可以包括导电性物质。例如，第一导电层CL1可以包括金属或合金。第一导电层CL1可以与源电极SE、漏电极DE、栅电极GE或第二电极PE2电连接。
在布线区域WA，在栅极绝缘层GI上可以配置第一层间绝缘层ILD1。第一层间绝缘层ILD1可以覆盖第一导电层CL1。第一层间绝缘层ILD1可以使第一导电层CL1从第二导电层CL2绝缘。
在布线区域WA，在第一层间绝缘层ILD1上可以配置第二导电层CL2。第二导电层CL2可以包括导电性物质。第二导电层CL2可以与源电极SE、漏电极DE、栅电极GE或第二电极PE2电连接。
在布线区域WA，在第一层间绝缘层ILD1上可以配置第二层间绝缘层ILD2。第二层间绝缘层ILD2可以覆盖第二导电层CL2。第二层间绝缘层ILD2可以使第二导电层CL2从第三导电层CL3绝缘。
在布线区域WA，在第二层间绝缘层ILD2上可以配置第三导电层CL3。第三导电层CL3可以包括导电性物质。第三导电层CL3可以与源电极SE、漏电极DE、栅电极GE或第二电极PE2电连接。
在布线区域WA，在第二层间绝缘层ILD2上可以配置第一通路绝缘层VIA1。第一通路绝缘层VIA1可以覆盖第三导电层CL3。第一通路绝缘层VIA1可以使第三导电层CL3从第四导电层CL4绝缘。
在布线区域WA，在第一通路绝缘层VIA1上可以配置第四导电层CL4。第四导电层CL4可以包括导电性物质。第四导电层CL4可以与源电极SE、漏电极DE、栅电极GE或第二电极PE2电连接。
在布线区域WA，在第一通路绝缘层VIA1上可以配置第二通路绝缘层VIA2。第二通路绝缘层VIA2可以覆盖第四导电层CL4。
在布线区域WA，在第二通路绝缘层VIA2上可以配置像素定义膜PDL。
在布线区域WA和透过区域TA可以配置第一无机封装层IL1。具体地，在布线区域WA，在像素定义膜PDL上可以配置第一无机封装层IL1。在透过区域TA，第一无机封装层IL1可以覆盖基板SUB、第一缓冲层BUF1、遮光层200、第二缓冲层BUF2、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、通路绝缘层VIA和像素定义膜PDL的侧面。在透过区域TA，第一无机封装层IL1可以被配置在阻挡层BAR上。
在布线区域WA和透过区域TA，在第一无机封装层IL1上可以配置有机封装层OL。由于第一无机封装层IL1沿着下部的结构物形成，因此第一无机封装层IL1的上表面可能不平坦。有机封装层OL可以具有实质上平坦的上表面。
在布线区域WA和透过区域TA，在有机封装层OL上可以配置第二无机封装层IL2。第二无机封装层IL2可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等。第一无机封装层IL1、有机封装层OL和第二无机封装层IL2可以防止来自显示装置1000的外部的水分、氧等的渗透。
图9是用于说明图2的显示装置的表。
参照图2和图9，图9的表示出使配置在功能性模块100上的遮光层200的形状不同来进行了实验的数据。
具体地，在图9的表中，对于外光的衍射，基于遮光层200的形状，用照片示出了从显示装置1000的外部入射至功能性模块100的外光的衍射。
此外，在图9的表中，将不存在遮光层200的情况下入射至功能性模块100的所述外光的量设定为了100％。由此，在图9的表中，对于透过率，相对地示出了存在遮光层200的情况下入射至功能性模块100的所述外光的量。
此外，在图9的表中，将不存在遮光层200的情况下的功能性模块100的MTF值设定为了100％。由此，在图9的表中，在MTF(modulation transfer function，调制传送函数)相对地示出了存在遮光层200的情况下的功能性模块100的MTF值。
在遮光层200具有第一比较例A的遮光层的形状的情况下，透过率约为58％，并且MTF约为65％。在遮光层200具有第一比较例A的遮光层的形状的情况下，透过率和MTF可以相对大。但是，在遮光层200具有第一比较例A的遮光层的形状的情况下，入射至功能性模块100的所述外光的衍射可能会发生得相对大。在该情况下，功能性模块100的性能可能会降低。
在遮光层200具有第二比较例B的遮光层的形状的情况下，透过率约为40％，并且MTF约为40％。在遮光层200具有第二比较例B的遮光层的形状的情况下，入射至功能性模块100的所述外光的衍射可能会发生得相对少。但是，在遮光层200具有第二比较例B的遮光层的形状的情况下，由于透过率和MTF相对低，因此功能性模块100的性能可能会降低。
在遮光层200具有第三比较例C的遮光层的形状的情况下，透过率约为54％，并且MTF约为60％。在遮光层200具有第三比较例C的遮光层的形状的情况下，透过率和MTF可以相对大。但是，在遮光层200具有第三比较例C的遮光层的形状的情况下，入射至功能性模块100的所述外光的衍射可能会发生得相对大。在与第一比较例A比较的情况下，遮光层200具有第三比较例C的遮光层的形状的情况下所述外光衍射的程度可以小于遮光层200具有第一比较例A的遮光层的形状的情况下所述外光衍射的程度。但是，在遮光层200具有第三比较例C的遮光层的形状的情况下，所述外光的衍射仍然发生得相对大，因此功能性模块100的性能可能会降低。
实验例D的遮光层的形状可以与包括参照图2和图5说明的单位图案210′的遮光层200的形状实质上相同。在遮光层200具有实验例D的遮光层的形状的情况下，透过率约为58％，并且MTF约为60％。在遮光层200具有实验例D的遮光层的形状的情况下，入射至功能性模块100的所述外光的衍射可以发生得相对少。即，在遮光层200具有实验例D的遮光层的形状的情况下，可以具有相对大的透过率和MTF，并且入射至功能性模块100的所述外光的衍射可以发生得相对少。
如上所述，参照本实用新型的例示性的各实施例进行了说明，但是本领域技术人员应当能够理解在不脱离权利要求书中所记载的本实用新型的思想和领域的范围内可以对本实用新型进行各种修正以及变更。
(产业上的可利用性)
本实用新型可以适用于包括功能性模块的显示装置。例如，本实用新型可以适用于智能电话、平板、显示屏等。
Claims (10)
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板，包括第一显示区域以及第二显示区域；
功能性模块，在所述第二显示区域被配置在所述基板的下方；以及
遮光层，被配置在所述功能性模块上，并且包括在所述第二显示区域被排列成矩阵形态的多个单位图案，
所述第二显示区域包括在所述第二显示区域被定义为不存在所述遮光层的区域的透过区域，
所述多个单位图案分别包括主体部以及在远离所述主体部的方向上被弯折的多个布线部。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述多个布线部包括：
第一布线部，与所述主体部的第一侧相邻；
第二布线部，与所述主体部的和所述第一侧相反的第二侧相邻；
第三布线部，与所述主体部的位于所述第一侧和所述第二侧之间的第三侧相邻；以及
第四布线部，与所述主体部的和所述第三侧相反的第四侧相邻。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述第一布线部的第一曲率半径、所述第二布线部的第二曲率半径、所述第三布线部的第三曲率半径和所述第四布线部的第四曲率半径均相同。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述多个布线部分别在侧面还包括突起。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
第二像素，被配置在所述主体部上；以及
布线，被配置在所述布线部上并且与所述第二像素电连接。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
多个第一像素，在所述第一显示区域被配置在所述基板上，
所述主体部具有角部圆的四边形形状。
7.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板，包括第一显示区域以及第二显示区域；
多个第一像素，在所述第一显示区域被配置在所述基板上；
功能性模块，在所述第二显示区域被配置在所述基板的下方；以及
遮光层，被配置在所述功能性模块上，并且包括在所述第二显示区域被排列成矩阵形态的多个单位图案，
所述多个单位图案分别包括主体部以及在远离所述主体部的方向上被弯折的多个布线部。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述多个布线部分别在侧面还包括突起。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，还包括：
第二像素，被配置在所述主体部上；以及
布线，被配置在所述布线部上并且与所述第二像素电连接。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述第二显示区域包括在所述第二显示区域被定义为不存在所述遮光层的区域的透过区域，
所述主体部具有四边形形状并且在所述四边形形状的角部包括圆形的突出部。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210014893A KR20220111810A (ko) | 2021-02-02 | 2021-02-02 | 표시 장치 |
| KR10-2021-0014893 | 2021-02-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN216450644U true CN216450644U (zh) | 2022-05-06 |
Family
ID=81351861
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202122667861.3U Active CN216450644U (zh) | 2021-02-02 | 2021-11-03 | 显示装置 |
| CN202111292047.6A Pending CN114843307A (zh) | 2021-02-02 | 2021-11-03 | 显示装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111292047.6A Pending CN114843307A (zh) | 2021-02-02 | 2021-11-03 | 显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220246689A1 (zh) |
| KR (1) | KR20220111810A (zh) |
| CN (2) | CN216450644U (zh) |
-
2021
- 2021-02-02 KR KR1020210014893A patent/KR20220111810A/ko active Search and Examination
- 2021-11-03 CN CN202122667861.3U patent/CN216450644U/zh active Active
- 2021-11-03 CN CN202111292047.6A patent/CN114843307A/zh active Pending
-
2022
- 2022-02-01 US US17/590,478 patent/US20220246689A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114843307A (zh) | 2022-08-02 |
| KR20220111810A (ko) | 2022-08-10 |
| US20220246689A1 (en) | 2022-08-04 |
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Legal Events
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |