CN113327938A - 掩膜版、阵列基板的制作方法和显示装置 - Google Patents
掩膜版、阵列基板的制作方法和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113327938A CN113327938A CN202110592220.8A CN202110592220A CN113327938A CN 113327938 A CN113327938 A CN 113327938A CN 202110592220 A CN202110592220 A CN 202110592220A CN 113327938 A CN113327938 A CN 113327938A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- holes
- hole
- connection
- reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 122
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 33
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 1
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
本申请涉及一种掩膜版、阵列基板的制作方法和显示装置。阵列基板包括多个第一连接孔和多个第二连接孔。第一连接孔周围的走线面积小于第二连接孔周围的走线面积。掩膜版包括掩膜版主体。掩膜版主体设置有多个第一通光孔和多个第二通光孔。第一通光孔对应第一连接孔。第二通光孔对应第二连接孔。在曝光的条件下，第一通光孔的辐射通量大于第二通光孔的辐射通量。通过使第一通光孔的辐射通量大于第二通光孔的辐射通量，能够弥补在形成第一连接孔的图案时的曝光量。因此使在曝光工艺中，形成第一连接孔的图案时的曝光量等于或者趋于等于形成第二连接孔的图案时的曝光量。因此使第一连接孔和第二连接孔的尺寸相等或者趋于相等，从而提高产品良率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种掩膜版、阵列基板的制作方法和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，AMOLED(有源矩阵有机发光二极体)显示面板由于具有清晰度高、耐用等优势越来越被人们重视。AMOLED显示面板在日常生活中的应用也越来越广泛。
AMOLED显示面板显示区中部和周围的结构不同，因此在制作显示区中部和周围的连接孔时，在相同的工艺下容易造成连接孔的大小不一，这严重影响了产品的良率。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种掩膜版、阵列基板的制作方法和显示装置。
一种掩膜版，用于制作阵列基板，所述阵列基板包括多个第一连接孔和多个第二连接孔，所述第一连接孔周围的走线面积小于所述第二连接孔周围的走线面积，所述掩膜版包括：
掩膜版主体，所述掩膜版主体开设有多个第一通光孔和多个第二通光孔，所述第一通光孔对应所述第一连接孔，所述第二通光孔对应所述第二连接孔，曝光时所述第一通光孔的辐射通量大于所述第二通光孔的辐射通量。
在一个实施例中，所述第一通光孔的横截面积大于所述第二通光孔的横截面积。
在一个实施例中，所述第一通光孔的透光率大于所述第二通光孔的透光率。
在一个实施例中，所述第二通光孔设置有半透光层。
在一个实施例中，在所述掩膜版主体的出光侧，所述第一通光孔的周围设置有反光层。
在一个实施例中，沿所述第一通光孔周围到所述第一通光孔中心的方向，所述反光层的高度逐级递减。
在一个实施例中，所述掩膜版还包括透明衬底，所述透明衬底和所述掩膜版主体层叠设置，所述反光层设置于所述透明衬底远离所述掩膜版主体的表面，所述反光层在所述掩膜版主体的正投影围绕所述第一通光孔的中心设置。
在一个实施例中，所述阵列基板包括显示区和非显示区，所述非显示区围绕所述显示区设置，所述非显示区的走线面积小于所述显示区的走线面积，所述多个第一连接孔设置于所述显示区靠近所述非显示区的边缘，所述多个第二连接孔设置于所述显示区的中部，所述多个第一连接孔围绕所述多个第二连接孔设置；
所述多个第一通光孔设置于所述掩膜版主体的边缘，所述多个第二通光孔设置于所述掩膜版的中部，所述多个第一通光孔围绕所述多个第二通光孔设置。
本申请实施例还提供一种阵列基板的制作方法，包括：
提供掩膜版，所述掩膜版包括掩膜版主体，所述掩膜版主体设置有多个第一通光孔和多个第二通光孔，曝光时，所述第一通光孔的辐射通量大于所述第二通光孔的辐射通量；
通过所述掩膜版在所述阵列基板形成多个第一连接孔的图案和多个第二连接孔的图案，所述多个第一通光孔对应所述多个第一连接孔的图案，所述多个第二通光孔对应所述多个第二连接孔的图案；
基于所述多个第一连接孔的图案和所述多个第二连接孔的图案在所述阵列基板形成所述多个第一连接孔和所述多个第二连接孔，所述多个第一连接孔周围的走线面积小于所述多个第二连接孔周围的走线面积。
一种显示装置，包括阵列基板，所述阵列基板采用所述的制作方法制作。
本申请实施例提供一种掩膜版、阵列基板的制作方法和显示装置。所述掩膜版用于制作阵列基板。所述阵列基板包括多个第一连接孔和多个第二连接孔。所述第一连接孔周围的走线面积小于所述第二连接孔周围的走线面积。所述掩膜版包括掩膜版主体。所述掩膜版主体设置有多个第一通光孔和多个第二通光孔。所述第一通光孔对应所述第一连接孔。所述第二通光孔对应所述第二连接孔。在曝光的条件下，所述第一通光孔的辐射通量大于所述第二通光孔的辐射通量。通过使所述第一通光孔的辐射通量大于所述第二通光孔的辐射通量，能够弥补在形成所述第一连接孔的图案时的曝光量。因此使在曝光工艺中，形成所述第一连接孔的图案时的曝光量等于或者趋于等于形成所述第二连接孔的图案时的曝光量。因此使所述第一连接孔和所述第二连接孔的尺寸相等或者趋于相等，从而提高产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一个实施例提供的掩膜版俯视图；
图2为本申请一个实施例提供的掩膜版A-A截面图；
图3为本申请一个实施例提供的阵列基板俯视图；
图4为本申请另一个实施例提供的掩膜版俯视图；
图5为本申请一个实施例提供的图4所示的掩膜版C-C截面图；
图6为本申请另一个实施例提供的图4所示的掩膜版C-C截面图；
图7为本申请一个实施例提供的掩膜版主体背面贴附反光层的示意图；
图8为本申请另一个实施例提供的图4所示的掩膜版C-C截面图；
图9为本申请一个实施例提供的阵列基板制作方法示意图；
图10为本申请一个实施例提供的图3所示的阵列基板B-B截面图。
附图标记说明：
掩膜版10、掩膜版主体100、透明衬底200、第一通光孔110、第二通光孔120、半透光层122、反光层210、阵列基板300、第一连接孔310、第二连接孔320、显示区330、非显示区340、光刻胶层350、第一金属层361、第二金属层362、第三金属层363、第一绝缘层371、第二绝缘层372、基底380。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
在本文中，空间相关的术语如“上部”和“下部”是参照附图定义的。因此，将理解“上部”和“下部”可互换地使用。将理解，当层被称为在另一个层“上”时，其可直接地形成在其他层上，或者也可存在中间层。因此，将理解，当层被称为是“直接在”另一个层“上”时，没有中间层插入在其中间。
在附图中，为了清楚说明，可以夸大层和区域的尺寸。可以理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。另外，还可以理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。另外，同样的附图标记始终表示同样的元件。
在下文中，尽管可以使用诸如“第一”、“第二”等这样的术语来描述各种组件，但是这些组件不必须限于上面的术语。上面的术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。还将理解的是，以单数形式使用的表达包含复数的表达，除非单数形式的表达在上下文中具有明显不同的含义。此外，在下面的实施例中，还将理解的是，这里使用的术语“包含”和/或“具有”说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征或组件。
在下面的实施例中，当层、区域或元件被“连接”时，可以解释为所述层、区域或元件不仅被直接连接还通过置于其间的其他组成元件被连接。例如，当层、区域、元件等被描述为被连接或电连接时，所述层、区域、元件等不仅可以被直接连接或被直接电连接，还可以通过置于其间的另一层、区域、元件等被连接或被电连接。
申请文件中使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。当诸如“……中的至少一种(个)(者)”的表述位于一列元件(元素)之后时，修饰整列元件(元素)，而不是修饰该列中的个别元件(元素)。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是在于限制本申请。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。
AMOLED(有源矩阵有机发光二极体)显示面板通常包括阵列基板。阵列基板具有显示区和非显示区。在所述显示区会具有多个阵列排布的重复单元。所述重复单元包括用于驱动所述像素单元显示的驱动单元。所述驱动单元通常包括多个用于传递信号的走线。所述阵列基板通常为多层金属层和多层绝缘层层叠排布的结构。不同所述金属层之间可以通过连接孔连接。在所述显示区，由于存在驱动单元等电路结构，所述金属层形成的走线相比于所述非显示区的所述金属层形成的走线复杂。因此，位于所述显示区的走线面积大于所述非显示区的走线面积。
在制作所述连接孔的过程中，通常会先在所述金属层的表面形成绝缘层，然后在所述绝缘层的表面形成光刻胶层。再利用掩膜版，采用曝光工艺对所述光刻胶层行曝光显影，在所述光刻胶层形成所述连接孔的图案。一般而言，所述绝缘层透光率较高。因此曝光时光线通过所述光刻胶、所述绝缘层后会被所述金属层形成的走线反射。反射光会进一步对光刻胶层的曝光量补偿增加曝光量，促进所述光刻胶层的融化。由于所述显示区的走线面积大于所述非显示区的走线面积，因此所述显示区的反射程度大于所述非显示区的反射程度。由于反射光对曝光的补偿，在所述显示区的曝光强度会大于非显示区的曝光强度。位于所述显示区边缘的连接孔与所述非显示区相邻。因此位于所述显示区边缘的所述连接孔周围的走线面积会小于位于所述显示区中部的所述连接孔周围的走线面积。
因此当所述掩膜版中用于通过光的通光孔在设计时大小相同，且所述通光孔的设计尺寸与所述连接孔的设计尺寸相同时，在显影工艺中，在所述显示区边缘形成的所述连接孔的图案会小于在所述显示区中部形成的所述连接孔的图案。因此，在刻蚀工艺中，所述显示区边缘形的所述连接孔的尺寸小于在所述显示区中部形成的所述连接孔的尺寸，从而造成在所述显示区边缘的所述连接孔的尺寸和在所述显示区中部的所述连接孔的尺寸大小不一。也就是说所述显示区边缘的所述连接孔的尺寸异常。当所述显示区边缘的所述连接孔的尺寸异常情况严重时，还可能造成所述连接孔的导通不良或者无法导通，这都严重影响了产品的良率。
请参见图1-3，本申请实施例提供一种掩膜版10。所述掩膜版10用于制作阵列基板300。所述阵列基板300包括多个第一连接孔310和多个第二连接孔320。所述第一连接孔310周围的走线面积小于所述第二连接孔320周围的走线面积。所述掩膜版10包括掩膜版主体100。所述掩膜版主体100开设有多个第一通光孔110和多个第二通光孔120。所述第一通光孔110对应所述第一连接孔310。所述第二通光孔120对应所述第二连接孔320。曝光时，所述第一通光孔110的辐射通量大于所述第二通光孔120的辐射通量。所述辐射通量也可以称为辐射功率，指单位时间内通过某一截面的辐射能。
所述阵列基板300可以包括多个交替排布的所述金属层和所述绝缘层。每个所述金属层可以形成不同的走线。所述走线可以为各种信号线和测试线。所述金属层和所述金属层之间可以通过所述第一连接孔310和所述第二连接孔320连通。所述第一连接孔310和所述第二连接孔320可以形成于所述金属层和所述金属层之间的绝缘层。所述阵列基板300各个部分的功能不同。因此，在所述阵列基板300不同位置的走线数量不同。所述阵列基板300不同位置的走线面积不同。所述第一连接孔310周围的走线面积小于所述第二连接孔320周围的走线面积。
结合上述分析可知，在制作所述连接孔的工艺中，曝光时光线通过所述光刻胶、所述绝缘层后会被所述金属层形成的走线反射。反射光会进一步对曝光补偿，促进所述光刻胶层350的融化。在所述阵列基板300中，走线面积大的位置反光程度大于走线面积小的区域。因此所述第一连接孔310周围的所述走线的反光程度小于所述第二连接孔320的周围的所述走线的反光程度。在在显影工艺中，所述第一连接孔310的图案会小于在所述第二连接孔320的图案。因此，在刻蚀工艺中，所述第一连接孔310的尺寸小于所述第二连接孔320的尺寸。
所述掩膜版10包括用于形成所述第一连接孔310的所述第一通光孔110和用于形成所述第二连接孔320的所述第二通光孔120。在正常设计中，所述第一连接孔310和所述第二连接孔320的尺寸相同，也就是说在均匀曝光的前提下，所述第一通光孔110和所述第二通光孔120的辐射通量相等。但是由于所述第一连接孔310和所述第二连接孔320周围的所述走线面积不同，在曝光时所述第一连接孔310周围的走线和所述第二连接孔320周围的走线的反射光的程度不同，进而造成在显影工艺中形成所述第一连接孔310的图案和所述第二连接孔320的图案时曝光量不同。因此在刻蚀工艺中造成所述第一连接孔310和所述第二连接孔320的尺寸差异。由于所述第一连接孔310周围的走线面积小于所述第二连接孔320周围的走线面积。因此，当所述第一通光孔110和所述第二通光孔120的尺寸相等时，形成的所述第一连接孔310的尺寸会小于所述第二连接孔320的尺寸。
通过使所述第一通光孔110的辐射通量大于所述第二通光孔120的辐射通量，能够弥补在形成所述第一连接孔310的图案时的曝光量。因此使在曝光工艺中，形成所述第一连接孔310的图案时的曝光量等于或者趋于等于形成所述第二连接孔320的图案时的曝光量。因此使所述第一连接孔310和所述第二连接孔320的尺寸相等或者趋于相等，从而提高产品良率。
在一个实施例中，所述掩膜版10可以为石英玻璃或者苏打玻璃为基体，然后在所述基体的表面覆盖具有预设图案的遮光膜构成。所述遮光膜上可以形成所述第一通光孔110的图案和所述第二通光孔120的图案。在一个实施例中，所述遮光膜可以为铬膜氧化铁、硅化钼或者乳胶。
在一个实施例中，所述第一通光孔110的横截面积大于所述第二通光孔120的横截面积。所述第一通光孔110的横截面积和所述第二通光孔120的横截面积是指当利用所述掩膜版10对所述阵列基板300进行曝光时，所述第一通光孔110和所述第二通光孔120在所述阵列基板300的垂直投影面积。当所述第一通光孔110和所述第二通光孔120的形状为圆形时，所述第一通光孔110的直径大于所述第二通光孔120的直径。因此，当辐射通量密度均匀时，通过所述第一通光孔110的辐射通量大于通过所述第二通光孔120的辐射通量。由于所述第一连接孔310周围的走线面积小于所述第二连接孔320周围的走线面积。因此所述第一连接孔310周围的走线反光程度小于所述第二连接孔320周围的走线的反光程度。
通过使所述第一通光孔110的横截面积大于所述第二通光孔120的横截面积，从而使所述第一通光孔110的辐射通量大于所述第二通光孔120的辐射通量。所述第一通光孔110的横截面积大于所述第二通光孔120的横截面积能够弥补在在曝光工艺中形成所述第一连接孔310的图案时的曝光量，能够使在形成所述第一连接孔310的图案时的曝光量等于或者趋于等于形成所述第二连接孔320的图案时的曝光量。因此使所述第一连接孔310和所述第二连接孔320的尺寸相等或者趋于相等，从而提高产品良率。
在一个实施例中，所述第一通光孔110的横截面积与所述第二通光孔120的横截面积的比值为105％到130％。在一个实施例中，所述第一通光孔110的横截面积与所述第二通光孔120的横截面积的比值为110％到125％。在一个实施例中，所述第一通光孔110的横截面积与所述第二通光孔120的横截面积的比值为120％。在该范围内，所述第一连接孔310和所述第二连接孔320的尺寸差异趋于零，能够有效避免所述第一连接孔310出现连接导通不良的现象。
在一个实施例中，所述第一通光孔110的透光率大于所述第二通光孔120的透光率。在所述第一通光孔110和所述第二通光孔120的横截面积相等时，所述第一通光孔110的透光率大于所述第二通光孔120的透光率，使所述第一通光孔110的辐射通量大于所述第二通光孔120的辐射通量。在一个实施例中，所述第一通光孔110和所述第二通光孔120中可以填充透光材料。通过使得所述第一通光孔110中的透光材料的透光率大于所述第二通光孔120中的透光材料的透光率，可以使在曝光时形成所述第一连接孔310的图案时的曝光量等于或者趋于等于形成所述第二连接孔320的图案时的曝光量。因此使所述第一连接孔310和所述第二连接孔320的尺寸相等或者趋于相等，从而提高产品良率。
在一个实施例中，所述掩膜版10为半色调掩膜版。所述半色调掩膜版不同位置的透光率不同。从而达到使形成所述第一连接孔310的图案时的曝光量等于或者趋于等于形成所述第二连接孔320的图案时的曝光量的目的。
在一个实施例中，所述第一通光孔110的透光率为100％。所述第二通光孔120的透光率为50％到70％。在一个实施例中，所述第二通光孔120的透光率为60％到70％，在一个实施例中，所述第二通光孔120的透光率为65％。
请参见图4-5，在一个实施例中，所述第二通光孔120设置有半透光层122。所述半透光层122可以是具有Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al中的一种作为主要元素的材料，或者是混合有至少两种或多种所述元素的复合材料，或者是向主要元素材料或复合材料中加入Cox、Ox、Nx的材料。通过选择所述半透光层122不同的材料组分，可以改变所述半透光层122的透光率。所述半透光层122的透光率只要能够在曝光工艺中使形成所述第一连接孔310的图案时的曝光量等于或者趋于等于形成所述第二连接孔320的图案时的曝光量即可。所述半透光层122的透光率可以通过多次实验获得。通过在所述第二通光孔120设置半透光层122，能够在不改变所述第二通光孔120的尺寸的前提下改变所述第二通光孔120的透光率，设计简单方便。
在一个实施例中，所述第一通光孔110中不设置不填充透光材料。所述第二通光孔120中填充所述半透光层122。
请参见图6-7，在一个实施例中，在所述掩膜版主体100的出光侧，所述第一通光孔110的周围设置有反光层210。所述掩膜版主体100的出光侧可以为所述掩膜版主体100在曝光工艺时靠近所述阵列基板300的一侧。所述反光层210可以为金属材料、不透明的玻璃或者聚酯等具有较高反光率的材料。所述反光层210可以用于将被所述金属层反射的光从所述光刻胶层350射出后再次反射到所述光刻胶层350。通过所述反光层210可以进一步补偿曝光量，以使在形成所述第一连接孔310的图案时的曝光量等于或者趋于等于形成所述第二连接孔320的图案时的曝光量。
在一个实施例中，每个所述第一通光孔110的周围均设置一个所述反光层210。所述反光层210与所述第一通光孔110在所述阵列基板300表面的投影不重叠。因此，所述反光层210不会影响通过所述第一通光孔110的辐射通量。
在一个实施例中，所述反光层210可以为中间具有孔洞的圆形、矩形或者多边形。所述孔洞的尺寸可以略大于所述第一通光孔110的尺寸。所述孔洞的中心和所述第一通光孔110的中心可以重合。
请参见图8，在一个实施例中，沿所述第一通光孔110的周围到所述第一通光孔110中心的方向，所述反光层210的高度逐级递减。由所述第一通光孔110的周围到所述第一通光孔110的中心，所述反光层210可以呈阶梯式递减，也可以呈斜坡平缓递减。因此，所述反光层210可以将由所述金属层反射的光再次反射时聚焦到所述第一通光孔110的周围，进而进一步提高补偿在曝光阶段的曝光量。
在一个实施例中，所述掩膜版10还包括透明衬底200。所述透明衬底200和所述掩膜版主体100层叠设置。所述反光层210设置于所述透明衬底200远离所述掩膜版主体100的表面。所述反光层210在所述掩膜版主体100的正投影围绕所述第一通光孔110的中心设置。所述透明衬底200可以起到支撑所述掩膜版主体100的作用。所述透明衬底200可以为透明玻璃、透明石英或者透明聚酯材料。通过所述第一通光孔110和所述第二通光孔120的光可以透光所述透明衬底200射向所述阵列基板300。所述透明衬底200可以作为所述反光层210的载体，所述反光层210设置于所述透明衬底200远离所述掩膜版主体100的表面，以增强所述掩膜版10整体的硬度。
在一个实施例中，所述阵列基板300包括显示区330和非显示区340。所述非显示区340围绕所述显示区330设置。所述非显示区340的走线面积小于所述显示区330的走线面积。所述多个第一连接孔310设置于所述显示区330靠近所述非显示区340的边缘。所述多个第二连接孔320设置于所述显示区330的中部。所述多个第一连接孔310围绕所述多个第二连接孔320设置。所述第一通光孔110设置于所述掩膜版主体100的边缘。所述第二通光孔120设置于所述掩膜版10的中部。所述多个第一通光孔110围绕所述多个第二通光孔120设置。
所述非显示区340可以半包围或者全包围所述显示区330设置。在所述显示区330可以具有多个阵列排布的薄膜晶体管阵列。所述金属层和所述金属层之间可以通过所述第一连接孔310和所述第二连接孔320连接。所述显示区330可以包括薄膜晶体管阵列以及数据线、扫描线等电路结构。所述非显示区340通常走线数量较少，因此所述显示区330的走线面积大于所述非显示区340的走线面积。所述显示区330可以具有所述多个第一连接孔310和所述多个第二连接孔320构成的阵列。所述多个第一连接孔310可以将所述多个第二连接孔320包围。因此多个所述第一连接孔310更靠近所述非显示区340。所述多个第一连接孔310位于所述显示区330的边缘。由于所述第一连接孔310靠近所述非显示区340的一侧的所述非显示区340的走线面积相对较小，因此整体上看，所述第一连接孔310周围的走线面积小于所述第二连接孔320周围的走线面积。
所述掩膜版10中可以具有所述多个第一通光孔110和所述多个第二通光孔120。在曝光时，所述多个第一通光孔110与所述多个第一连接孔310一一对应。所述多个第二通光孔120与所述多个第二连接孔320一一对应。所述掩膜版10可以与所述显示区330相对应。由于所述多个第一连接孔310位于所述显示区330的边缘，因此所述多个第一透光孔位于所述掩膜版10的边缘。所述多个第二连接孔320位于所述显示区330的中部，因此所述多个第二透光孔位于所述掩膜版10的中部。
请参见图9，本申请实施例还提供一种阵列基板300的制作方法。所述制作方法包括以下步骤：
S10，提供掩膜版10，所述掩膜版10包括掩膜版主体100，所述掩膜版主体100设置有多个第一通光孔110和多个第二通光孔120，在曝光时，所述第一通光孔110的辐射通量大于所述第二通光孔120的辐射通量；
S20，通过所述掩膜版10在所述阵列基板300形成多个第一连接孔310的图案和多个第二连接孔320的图案，所述多个第一通光孔110对应所述多个第一连接孔310的图案，所述多个第二通光孔120对应所述多个第二连接孔320的图案；
S30，基于所述多个第一连接孔310的图案和所述多个第二连接孔320的图案在所述阵列基板300形成所述多个第一连接孔310和所述多个第二连接孔320，所述多个第一连接孔310周围的走线面积小于所述多个第二连接孔320周围的走线面积。
在一个实施例中，所述S20可以进一步包括：
S21，提供阵列基板300，所述阵列基板300可以包括层叠设置的第二绝缘层372和第二金属层362；
S22，在所述第二绝缘层372远离所述第二金属层362的表面形成所述光刻胶层350；
S23，利用所述掩膜版10，通过曝光工艺，在所述光刻胶层350形成所述多个第一连接孔310的图案和所述多个第二连接孔320的图案，所述多个第一通光孔110对应所述多个第一连接孔310的图案，所述多个第二通光孔120对应所述多个第二连接孔320的图案。
所述S23中，所述第一通光孔110的辐射通量大于所述第二通光孔120的辐射通量，能够弥补在形成所述第一连接孔310的图案时的曝光量。在形成所述第一连接孔310的图案时的曝光量等于或者趋于等于形成所述第二连接孔320的图案时的曝光量。所述第一连接孔310的图案和所述第二连接孔320的图案的尺寸相等或者趋于相等。
所述S30可以进一步包括通过刻蚀工艺，按照所述多个第一连接孔310的图案和所述多个第二连接孔320的图案，对所述第二金属层362没有被所述光刻胶层350覆盖的部分进行刻蚀，以形成所述多个第一连接孔310和所述多个第二连接孔320。由于所述多个第一连接孔310的图案和所述多个第二连接孔320的图案的尺寸相等或者趋于相等。因此，所述多个第一连接孔310和所述多个第二连接孔320的尺寸也趋于相等，从而显著提高产品的良率。
在所述S30之后，再去掉所述第二绝缘层372表面的所述光刻胶层350。然后可以再在所述第二绝缘层372远离所述第二金属层362的表面形成第三金属层363。
请参见图10，在一个实施例中，所述阵列基板300还可以包括基底380、第一金属层361和第一绝缘层371。所述第一金属层361可以位于所述基底380的表面。所述第一绝缘层371可以位于所述第一金属层361远离所述基底380的表面。所述第二金属层362可以位于所述第一绝缘层371远离所述第一金属层361的表面。
在一个实施例中，所述第一金属层361用于形成电容。所述第二金属层362可以用于形成扫描线。所述第三金属层363可以用于形成数据线。
本申请实施例还提供一种显示装置。所述显示装置包括所述阵列基板300。所述阵列基板300采用上述实施例所述的阵列基板300的制作方法制作。可以理解的是，本申请实施例中的显示装置可以为OLED显示装置、QLED显示装置、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、可穿戴设备、物联网设备等任何具有显示功能的产品或部件，本申请公开的实施例对此不作限制。
在一个实施例中，所述显示装置可以为显示面板。所述显示面板还包括层叠设于阵列基板300上的偏光片和/或触控层组。具体地，偏光片、触控层组通过粘结层层叠地设置于显示基板的第一侧。需要指出，偏光片、触控层组的相对显示基板的层叠顺序可根据具体情况而定，在此不作限定。例如，一些实施例中，可以依次在显示基板上通过粘结层层叠设有触控层组和偏光片，但盖板应当位于显示面板的最外侧。
虽然在文中已经特别描述了掩膜版、阵列基板的制作方法和显示装置的示例性实施例，但是很多修改和变化对于本领域技术人员将是显而易见的。因此，将理解的是，可除了如文中特别描述的那样以外地实施根据本发明的原理构成的掩膜版、阵列基板的制作方法和显示装置。本申请还被限定在权利要求及其等同物中。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种掩膜版，用于制作阵列基板(300)，所述阵列基板(300)包括多个第一连接孔(310)和多个第二连接孔(320)，所述第一连接孔(310)周围的走线面积小于所述第二连接孔(320)周围的走线面积，其特征在于，所述掩膜版包括：
掩膜版主体(100)，所述掩膜版主体(100)开设有多个第一通光孔(110)和多个第二通光孔(120)，所述第一通光孔(110)对应所述第一连接孔(310)，所述第二通光孔(120)对应所述第二连接孔(320)，曝光时所述第一通光孔(110)的辐射通量大于所述第二通光孔(120)的辐射通量。
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一通光孔(110)的横截面积大于所述第二通光孔(120)的横截面积。
3.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一通光孔(110)的透光率大于所述第二通光孔(120)的透光率。
4.如权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述第二通光孔(120)设置有半透光层(122)。
5.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，在所述掩膜版主体(100)的出光侧，所述第一通光孔(110)的周围设置有反光层(210)。
6.如权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，沿所述第一通光孔(110)周围到所述第一通光孔(110)中心的方向，所述反光层(210)的高度逐级递减。
7.如权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版还包括透明衬底(200)，所述透明衬底(200)和所述掩膜版主体(100)层叠设置，所述反光层(210)设置于所述透明衬底(200)远离所述掩膜版主体(100)的表面，所述反光层(210)在所述掩膜版主体(100)的正投影围绕所述第一通光孔(110)的中心设置。
8.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述阵列基板(300)包括显示区(330)和非显示区(340)，所述非显示区(340)围绕所述显示区(330)设置，所述非显示区(340)的走线面积小于所述显示区(330)的走线面积，所述多个第一连接孔(310)设置于所述显示区(330)靠近所述非显示区(340)的边缘，所述多个第二连接孔(320)设置于所述显示区(330)的中部，所述多个第一连接孔(310)围绕所述多个第二连接孔(320)设置；
所述多个第一通光孔(110)设置于所述掩膜版主体(100)的边缘，所述多个第二通光孔(120)设置于所述掩膜版的中部，所述多个第一通光孔(110)围绕所述多个第二通光孔(120)设置。
9.一种阵列基板(300)的制作方法，其特征在于，包括：
提供掩膜版(10)，所述掩膜版(10)包括掩膜版主体(100)，所述掩膜版主体(100)设置有多个第一通光孔(110)和多个第二通光孔(120)，曝光时，所述第一通光孔(110)的辐射通量大于所述第二通光孔(120)的辐射通量；
通过所述掩膜版(10)在所述阵列基板(300)形成多个第一连接孔(310)的图案和多个第二连接孔(320)的图案，所述多个第一通光孔(110)对应所述多个第一连接孔(310)的图案，所述多个第二通光孔(120)对应所述多个第二连接孔(320)的图案；
基于所述多个第一连接孔(310)的图案和所述多个第二连接孔(320)的图案在所述阵列基板(300)形成所述多个第一连接孔(310)和所述多个第二连接孔(320)，所述多个第一连接孔(310)周围的走线面积小于所述多个第二连接孔(320)周围的走线面积。
10.一种显示装置，其特征在于，包括阵列基板(300)，所述阵列基板(300)采用权利要求9所述的制作方法制作。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110592220.8A CN113327938B (zh) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | 掩膜版、阵列基板的制作方法和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110592220.8A CN113327938B (zh) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | 掩膜版、阵列基板的制作方法和显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113327938A true CN113327938A (zh) | 2021-08-31 |
| CN113327938B CN113327938B (zh) | 2023-12-22 |
Family
ID=77422190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110592220.8A Active CN113327938B (zh) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | 掩膜版、阵列基板的制作方法和显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113327938B (zh) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306547B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-10-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photomask and manufacturing method thereof, and exposure method using the photomask |
| US20040126706A1 (en) * | 2002-12-24 | 2004-07-01 | Sadayasu Fujibayashi | Method for manufacturing a substrate for a display panel |
| CN105093807A (zh) * | 2015-09-16 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩模板及其制备方法和曝光系统 |
| CN105116694A (zh) * | 2015-09-25 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版、曝光装置及曝光方法 |
| CN106898616A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-06-27 | 武汉华星光电技术有限公司 | Tft基板的制作方法及tft基板 |
| CN107153324A (zh) * | 2017-06-22 | 2017-09-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光罩结构及阵列基板制造方法 |
| CN107703714A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-02-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示器的基板的制造方法及光罩 |
| CN110764362A (zh) * | 2019-01-31 | 2020-02-07 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜条、阵列基板、显示屏及显示装置 |
| CN111276498A (zh) * | 2020-02-19 | 2020-06-12 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其光刻补偿构造的制造方法、显示面板 |
| CN211043942U (zh) * | 2020-01-09 | 2020-07-17 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 一种掩膜板、显示面板及显示装置 |
-
2021
- 2021-05-28 CN CN202110592220.8A patent/CN113327938B/zh active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306547B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-10-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photomask and manufacturing method thereof, and exposure method using the photomask |
| US20040126706A1 (en) * | 2002-12-24 | 2004-07-01 | Sadayasu Fujibayashi | Method for manufacturing a substrate for a display panel |
| CN105093807A (zh) * | 2015-09-16 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩模板及其制备方法和曝光系统 |
| CN105116694A (zh) * | 2015-09-25 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版、曝光装置及曝光方法 |
| CN106898616A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-06-27 | 武汉华星光电技术有限公司 | Tft基板的制作方法及tft基板 |
| US20180308864A1 (en) * | 2017-03-17 | 2018-10-25 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Tft substrate manufacturing method and tft substrate |
| CN107153324A (zh) * | 2017-06-22 | 2017-09-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光罩结构及阵列基板制造方法 |
| CN107703714A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-02-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示器的基板的制造方法及光罩 |
| CN110764362A (zh) * | 2019-01-31 | 2020-02-07 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜条、阵列基板、显示屏及显示装置 |
| CN211043942U (zh) * | 2020-01-09 | 2020-07-17 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 一种掩膜板、显示面板及显示装置 |
| CN111276498A (zh) * | 2020-02-19 | 2020-06-12 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其光刻补偿构造的制造方法、显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113327938B (zh) | 2023-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112241088B (zh) | 一种微型发光二极管灯板、背光模组及其制备方法 | |
| KR101007719B1 (ko) | 컬러필터기판 및 이를 갖는 액정표시장치 | |
| CN103325811A (zh) | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
| US9857644B2 (en) | Method of fabricating a transflective liquid crystal display device | |
| US7420634B2 (en) | TFT LCD and fabricating method thereof having particular reflection bumps with stacked structure | |
| CN101246285A (zh) | 制作感光间隙子的方法 | |
| CN110161740B (zh) | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| CN112099280B (zh) | 电致变色元件、显示装置及电致变色元件的制造方法 | |
| CN204101851U (zh) | 显示器和电子设备 | |
| WO2019184327A1 (zh) | 基板及其制作方法、电子装置 | |
| WO2010106710A1 (ja) | アクティブマトリクス基板、及び表示装置 | |
| CN113327938B (zh) | 掩膜版、阵列基板的制作方法和显示装置 | |
| CN114924447A (zh) | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 | |
| US20230369233A1 (en) | Wiring substrate, array substrate and light emitting module | |
| CN111640373B (zh) | 盖板和显示装置 | |
| CN113327939B (zh) | 阵列基板和显示面板 | |
| CN114657506A (zh) | 掩模、掩模组件和制造显示面板的方法 | |
| KR101213823B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조 방법 | |
| US20220181391A1 (en) | Electroluminescence display | |
| US20230238366A1 (en) | Splicing device | |
| WO2022226875A1 (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN112015298B (zh) | 一种集成触控显示面板及其制造方法 | |
| US20240103356A1 (en) | Electronic device and method for manufacturing target substrate | |
| US20230333429A1 (en) | Electronic window and method for forming the same | |
| US20230411400A1 (en) | Array substrate, manufacturing method therefor, display panel, and display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |