KR20130109393A - 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치는, 표시영역 및 패드영역으로 구획되는 플렉서블 기판과; 상기 플렉서블 기판 상에 형성된 평탄막과; 상기 표시영역의 평탄막 상에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터 상의 보호층과 유기절연층을 사이에 두고 형성된 유기발광다이오드와; 상기 패드영역의 평탄막 상에 형성된 패드부와; 상기 패드영역의 패드부 상에 형성된 게이트 절연막과; 상기 패드영역의 게이트 절연막 상에 형성되며, 상기 플렉서블 기판 상에 직접 실장되는 드라이브 IC들과의 콘택을 위한 IC패드와; 상기 패드영역의 평탄막 상에 형성되고, 상기 드라이브 IC가 실장되는 영역과 상기 IC패드에 중첩되도록 하부에 형성된 배리어 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 레이저를 사용하여 베이스 기판과 플렉서블 기판 분리시, 플렉서블 기판 상에 실장되는 드라이브 IC드이 레이저빔에 의해 손상되는 것을 방지한 효과가 있다.

Description

플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법{Flexible organic light emitting diode display device and fabricating method of the same}
본 발명은 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 레이저빔을 사용하여 베이스기판과 플렉서블 기판을 분리할 때, 드라이브 IC가 실장되는 패드 영역에 배리어 패턴을 형성하여 레이저빔에 의한 드라이브 IC의 손상을 방지한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
근래에 들어 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 여러 가지 다양한 평판표시장치가 개발되고 있다.
이 같은 평판표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device : LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device : PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device : FED), 전기발광표시장치(Electroluminescence Display device : ELD) 등을 들 수 있는데, 이들 평판표시장치는 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 보여 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 빠르게 대체하고 있다.
최근에는 플라스틱이나 얇은 금속 기판을 이용하여 플렉서블 디스플레이(flexible Display) 장치가 제안되고 있는데, 이러한 플렉서블 디스플레이 장치는 플라스틱 등의 얇은 기판 상에 표시장치의 소자들이 형성되어 있어, 종이처럼 접거나 말아도 소자들이 손상되지 않고, 화면을 디스플레이할 수 있다. 현재 박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)를 구비한 액정표시장치(LCD: liquid crystal display) 및 유기전계발광다이오드(OLED: organic light emitting diode) 등에 이러한 기판을 채용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하고 있다.
그러나 플렉서블기판은 잘 휘어지는 특성 때문에 유리 또는 석영기판을 대상으로 설계된 기존의 표시장치용 제조장비에 적용하기 어려우며, 일례로 트랙(track) 장비나 로봇(robot)에 의한 이송 또는 카세트(cassette)로의 수납이 어려운 제약이 있다.
이를 해소하기 위해 유리 또는 석영재질의 베이스기판 상에 점착제를 통해 플렉서블기판을 부착하고, 표시장치 소자들을 플렉서블 기판 상에 형성한 후, 적절한 단계에서 베이스기판으로부터 플렉서블기판을 분리하는 기술이 소개되었다.
상기 플렉서블 기판을 분리하는 공정에는 베이스 기판과 플렉서블 기판을 점착제로 부착한 다음, 점착제가 경화되지 않는 150℃ 이하의 온도에 표시장치 소자들을 플렉서블 기판 상에 형성하고, 플렉서블 기판을 분리하는 공정이 있다.
이와 같은 공정은, 표시장치 소자들이 저온에서 형성되기 때문에 소자성능이 저하되고, 플렉서블 기판을 분리한 후에도 플렉서블 기판 배면에 붙어있는 경화되지 않은 점착제를 추가로 제거하는 공정이 필요한 문제가 있다.
이러한 문제를 해소하기 위해, 베이스기판에 경화 시 유연한 특성을 갖는 고분자 물질, 예를들면 폴리이미드(PI)를 전면에 도포하고 이를 경화시킴으로써 플렉서블기판을 형성하고, 표시장치용 소자들을 형성한 다음, 레이저빔을 베이스기판의 배면에 조사하여 플렉서블기판을 베이스기판으로부터 분리시키는 공정이 제안되었다.
하지만, 유리기판 상에 칩의 형태로 직접 드라이브 IC를 실장하는 COG(Chip On Glass)형 유기발광다이오드 표시장치의 경우, 플렉서블기판을 베이스기판으로부터 분리하기 위해 레이저빔을 베이스기판 배면에 조사하게 되면, 상기 레이저빔으로 인해 드라이브 IC에 손상이 발생하여 도 4a에서와 같이, 플렉서블 유리발광다이오드 표시장치의 표시 영역에 휘도 불량(X, Y)이 발생된다.
도 1은 종래 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 드라이브 IC 영역을 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조 공정이 완료되면, 베이스 기판(10)과 플렉서블 기판(12)을 분리하기 위해 베이스 기판(10)의 배면에 레이저 빔을 조사한다. 도면에 도시된 바와 같이, IC 영역에는 플렉서블 기판(12)이 희생층(11)을 사이에 두고 베이스 기판(10)과 합착되어 있고, 상기 플렉서블 기판(12) 상에는 평탄막(13), 게이트 절연막(21)이 형성되어 있다. 상기 게이트 절연막(21) 상에는 IC 패드(23)가 형성되어 있고, 상기 IC패드(23)는 보호층(24)의 오픈 영역에서 IC콘택부(25)와 전기적으로 연결되어 있다. 도면에는 기재되었지만, 설명되지 않은 26은 유기절연층이고, 29는 버퍼층이다. 또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 표시영역에는 스위칭 소자와 게이트 및 데이터 배선들이 형성될 수 있다. 또한, IC 패드(23)가 형성된 영역에는 드라이브 IC의 소자들이 형성된다.
상기 플렉서블 기판(12)을 베이스 기판(10)과 분리하기 위해 상기 베이스 기판(10) 배면에 레이저빔(50)이 스캔되면, 플렉서블 기판(12)과 베이스 기판(10) 사이에 형성된 희생층(11)의 점착력이 약화되어 두개의 기판이 분리된다.
하지만, 기판의 분리공정을 위해 레이저빔(50)이 베이스 기판(10)의 전 영역에 조사되면서, 상기 레이저빔(50)이 패드 영역에 실장되는 드라이브 IC에 조사되어, 드라이브 IC에 형성되어 있는 소자들을 손상시킨다.
구체적으로는 실장되는 드라이브 IC 내의 트랜지스터의 채널층에 레이저 빔이 조사되어, 채널층 손상 등의 문제를 야기시킨다. 이와 같이, 드라이브 IC가 손상되면, 외부 시스템으로부터 공급되는 신호들이 손상된 드라이브 IC 내에서 왜곡되어 결과적으로 표시품질을 저하시킨다.
본 발명은 드라이브 IC들이 실장되는 패드 영역에 상기 드라이브 IC와 대응되도록 배리어 패턴을 형성하여, 베이스 기판과 플렉서블 기판 분리시, 레이저빔에 의해 드라이브 IC 소자들이 손상되지 않도록 한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 드라이브 IC가 실장되는 영역이 레이저 빔에 노출되지 않도록 함으로써, 화면 불량을 개선한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.
또한, 본 발명은 게이트 전극 형성 공정시 드라이브 IC가 실장되는 영역에 레이저 빔을 차단할 수 있는 배리어 패턴을 형성함으로써, 추가 공정 없이 드라이브 IC가 레이저빔에 의해 손상되는 것을 방지한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치는, 표시영역 및 패드영역으로 구획되는 플렉서블 기판과; 상기 플렉서블 기판 상에 형성된 평탄막과; 상기 표시영역의 평탄막 상에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터 상의 보호층과 유기절연층을 사이에 두고 형성된 유기발광다이오드와; 상기 패드영역의 평탄막 상에 형성된 패드부와; 상기 패드영역의 패드부 상에 형성된 게이트 절연막과; 상기 패드영역의 게이트 절연막 상에 형성되며, 상기 플렉서블 기판 상에 직접 실장되는 드라이브 IC들과의 콘택을 위한 IC패드와; 상기 패드영역의 평탄막 상에 형성되고, 상기 드라이브 IC가 실장되는 영역과 상기 IC패드에 중첩되도록 하부에 형성된 배리어 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조 방법은, 표시영역과 패드영역으로 구획된 플렉서블 기판에 희생층을 사이에 두고 베이스 기판을 합착하는 단계와; 상기 플렉서블 기판 상에 평탄막을 형성하는 단계와; 상기 표시영역의 평탄막 상에 게이트 전극을 형성하고, 패드영역에 패드부 및 배리어 패턴을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극이 형성된 플렉서블 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막이 형성된 플렉서블 기판 상에 상기 게이트 전극과 중첩되도록 반도체층, 상기 반도체층과 콘택되는 소스 및 드레인 전극을 형성하여 박막 트랜지스터를 완성하고, 동시에 상기 패드 영역의 게이트 절연막 상에 IC패드를 형성하는 단계와; 상기 박막 트랜지스터가 형성된 플렉서블 기판 상에 보호층을 형성하고 콘택홀 공정을 진행하여, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극, 패드부 및 IC패드를 노출하는 단계와; 상기 보호층이 형성된 플렉서블 기판 상에 금속층을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여, 상기 드레인 전극과 콘택되는 연결전극, 상기 패드부와 콘택되는 패드콘택부 및 상기 IC패드와 콘택되는 IC콘택부를 형성하는 단계와; 상기 연결전극이 형성된 플렉서블 기판 상에 유기절연층을 형성하고, 콘택홀 공정을 진행하여, 상기 드레인 전극 상의 연결전극, 상기 패드콘택부 및 IC콘택부를 노출하는 단계와; 상기 유기절연층이 형성된 플렉서블 기판 상에 금속층을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 상기 표시 영역의 화소 영역에 캐소드 전극을 형성하는 단계와; 상기 캐소드 전극이 형성된 플렉서블 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 캐소드 전극을 노출시키는 단계와; 상기 버퍼층이 형성된 플렉서블 기판의 캐소드 전극 상에 유기발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기발광층이 형성된 플렉서블 기판 상에 애노드 전극을 형성하여 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법은, 드라이브 IC들이 실장되는 패드 영역에 상기 드라이브 IC와 대응되도록 배리어 패턴을 형성하여, 베이스 기판과 플렉서블 기판 분리시, 레이저빔에 의해 드라이브 IC 소자들이 손상되지 않도록 한 제 1 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법은, 드라이브 IC가 실장되는 영역이 레이저 빔에 노출되지 않도록 함으로써, 화면 불량을 개선한 제 2 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법은, 게이트 전극 형성 공정시 드라이브 IC가 실장되는 영역에 레이저 빔을 차단할 수 있는 배리어 패턴을 형성함으로써, 추가 공정 없이 드라이브 IC가 레이저빔에 의해 손상되는 것을 방지한 제 3 효과가 있다.
도 1은 종래 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 드라이브 IC 영역을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 도면이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 도시한 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 종래 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 화면과 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 화면을 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치는 COG(Chip On Glass) 방식으로 형성될 수 있다. 본 발명의 플렉서블 기판(112)은 화상을 디스플레이하는 표시영역(A)과 외부 시스템으로부터 신호를 공급받는 패드영역(B)으로 구획되고, 상기 표시영역(A)은 박막 트랜지스터(TFT)와 유기발광다이오드(OLED)가 형성된 다수의 화소 영역으로 구획되어 있다.
상기 표시영역(A)의 화소 영역에는 평탄막(113)이 형성된 플렉서블 기판(112) 상에 게이트 전극(114), 게이트 절연막(121), 반도체층(122), 소스 전극(124a) 및 드레인 전극(124b)으로 구성된 박막 트랜지스터(TFT)와, 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 보호층(125) 및 유기절연층(130)을 사이에 두고 전기적으로 연결된 유기발광다이오드(OLED)가 형성되어 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 화소 영역은 게이트 배선과 데이터 배선이 교차 배열되어 화소 영역을 정의하고, 상기 게이트 배선은 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(114)과 연결되어, 상기 게이트 배선을 통해 공급되는 구동신호에 의해 박막 트랜지스터(TFT)를 온/오프 한다. 상기 데이터 배선은 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(124a)과 연결되어 박막 트랜지스터가 온 상태일 때, 상기 데이터 배선을 통해 공급되는 데이터신호가 유기발광다이오드(OLED)에 공급되어 화상을 디스플레이 한다.
또한, 상기 유기발광다이오드(OLED)는, 반사판 역할을 하는 캐소드전극(131), 상기 캐소드전극(131) 상에 형성된 유기발광층(133) 및 상기 유기발광층(133) 상에 형성된 애노드전극(134)을 포함한다. 상기 유기발광층(133)은 캐소드전극(131) 형성 후, 플렉서블 기판(112) 상에 버퍼층(132)을 형성한 다음, 화소 영역 단위로 상기 버퍼층(132)을 패터닝하여 캐소드 전극(131)을 노출시키고, 노출된 캐소드 전극(131) 상에 형성된다.
또한, 상기 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극(131)은 유기절연층(130)과 보호층(125)에 형성된 콘택홀에 의해 노출된 박막 트랜지스터의 드레인 전극(124b)과 전기적으로 연결되는데, 상기 캐소드 전극(131)과 드레인 전극(124b) 사이에는 연결전극(126)이 형성되어 있다. 즉, 상기 유기절연층(130)과 보호층(125)이 제거되어 박막 트랜지스터의 드레인 전극(124b)이 노출된 영역에 상기 드레인 전극(124b)과 연결전극(126)이 직접 콘택되어 있고, 상기 연결전극(126) 상에는 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극(131)이 직접 콘택되어 있다.
또한, 패드 영역(B)에는 평탄층(113) 상에 형성된 패드부(115)와 상기 패드부(115) 상에 패드콘택부(127)가 형성되어 있고, 게이트 절연막(121) 상에 형성된 IC패드(123)와 상기 IC패드(123) 상에 IC콘택부(128)가 형성되어 있다.
상기 IC패드(123)는 본 발명이 칩 온 글라스(COG) 구조의 표시장치이기 때문에 드라이브 IC이 기판 상에 직접 실장되기 때문에 형성된 패드 들이다.
따라서, 본 발명에서는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 플렉서블 기판(112)의 분리 공정에서 드라이브 IC가 실장되는 패드 영역의 손상을 방지하기 위해 평탄층(113) 상에 배리어 패턴(116)을 형성하였다. 상기 배리어 패턴(116)은 상기 게이트 전극(114)과 동일한 평면 상에 상기 IC패드(123)와 중첩되도록 형성되며, 도면에서는 IC패드(123) 하고만 중첩되어 있지만, IC 영역 전체에 걸쳐 중첩되도록 배리어 패턴(116)이 형성될 수 있다.
즉, 레이저 빔 조사로 인하여 패드 영역에 실장되는 드라이브 IC들의 내부 소자들이 손상되는 것을 방지 하는 것이기 때문에 IC 패드(123) 영역 뿐만 아니라, 실장되는 드라이브 IC의 전체와 중첩되도록 배리어 패턴(116)이 형성될 수 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 플렉서블 기판(112)과 베이스 기판(도 3a 참조)을 분리하기 위하여 조사되는 레이저 빔이 패드 영역(B)의 드라이브 IC 영역에 드라이브 IC들에 직접 조사되는 것을 차단할 수 있다.
이로 인하여 본 발명에서는 베이스 기판의 분리 공정에서 사용되는 레이저빔에 의해 드라이브 IC의 손상을 방지한 효과가 있다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 도시한 도면이다.
도 3a를 참조하면, 표시영역(A)과 패드영역(B)으로 구획된 플렉서블 기판(112)이 희생층(111)에 의해 베이스 기판(110)과 합착되어 있다. 상기 플렉서블 기판(112) 상에는 표면 평탄화 및 이후 형성되는 층과의 접착 특성을 개선하기 위해 평탄막(113)을 형성한다. 상기 베이스 기판(110)은 유리로 형성될 수 있으며, 상기 플렉서블 기판(112)은 유연한 특성을 갖는 폴리이미드(PI)를 전면에 도포하고 이를 경화시킴으로써 형성할 수 있다. 상기 평탄막(113)은 금속 기판에 직접적으로 소자들을 형성할 경우, 전기적인 문제가 발생할 수 있으므로 SiNx와 같은 무기 절연물질 등으로 형성할 수 있다.
상기 평탄막(113)이 형성된 플렉서블 기판(112) 상에 게이트 금속층을 형성하고, 마스크 공정을 진행한다. 상기 게이트 금속층 상에 포토레지스트를 형성하고 투과부와 차단부로 이루어진 마스크를 이용해 노광 및 현상 공정을 진행하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 게이트 금속층을 식각하여 상기 표시영역(A)의 화소 영역에 게이트 전극(114)과 상기 패드영역(B)에 패드부(115)를 형성한다. 상기 패드부(115)는 게이트 패드부 또는 데이터 패드부로 형성될 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 게이트 전극(114)를 형성할 때, 게이트 전극(114) 및 게이트 패드부와 일체로 형성되는 게이트 배선이 형성된다.
상기 마스크 공정에서 형성하는 게이트 금속층은 알루미늄-네오디뮴(AlNd), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 이들의 조합으로부터 형성되는 합금 또는 투명성 도전물질인 ITO, IZO 및 ITZO 중 적어도 하나 이상을 적층하여 형성할 수 있다.
도면에서는 게이트 전극(114)과 패드부(115)가 단일 금속층으로 형성되어 있지만, 이것은 고정된 것이 아니므로 이중 금속층 또는 3개 이상의 금속층으로 적층하여 형성할 수 있다.
또한, 상기 게이트 전극(114) 및 패드부(115)와 동일한 평면상에 배리어 패턴(116)을 형성한다. 상기 배리어 패턴(116)은 드라이브 IC가 형성되는 영역 전체에 걸쳐 형성될 수 있다. 상기 배리어 패턴(116)은 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조 공정이 완료된 후, 베이스 기판(110)과 플렉서블 기판(112)의 분리하는 과정에서 조사되는 레이저빔에 의해 드라이브 IC 내의 소자들이 손상되는 것을 방지하는 효과가 있다. 상기 배리어 패턴(116)은 알루미늄-네오디뮴(AlNd), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 티타늄(Ti) 등 레이저빔 반사 효율이 좋은 금속으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 게이트전극(114) 및 패드부(115)와 동일한 물질인 알루미늄-네오디뮴(AlNd), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 이들의 조합으로부터 형성되는 합금 등으로 동일한 공정에서 형성될 수 있다.
즉, 상기 배리어 패턴(116)의 재질에 따라 게이트 전극(114) 형성 공정시 동시에 형성하거나, 별도의 마스크 공정을 진행하여 형성될 수 있다.
도 3b를 참조하면, 게이트 전극(114), 패드부(115) 및 배리어 패턴(116)을 포함하는 플렉서블 기판(112) 상에 게이트 절연막(121)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(121) 상에 비정질 실리콘막을 형성하고, 열처리 공정에 의해 결정질 실리콘막으로 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 상기 게이트 전극(114)과 중첩되도록 상기 게이트 절연막(121) 상에 반도체층(122)을 형성한다.
그런 다음, 상기 반도체층(122)이 형성된 플렉서블 기판(112) 상에 소스/드레인 금속층을 형성하고 마스크 공정을 진행하여, 상기 반도체층(122) 상에는 서로 마주하도록 소스 전극(124a)과 드레인 전극(124b)을 형성한다.
패드영역(B)에서는 상기 게이트 절연막(121) 상의 상기 배리어 패턴(116)과 중첩되도록 IC패드(123)를 형성한다. 도면에서는 IC 패드(123)만 중첩되도록 형성되어 있지만, 실장되는 드라이브 IC 내의 소자 손상을 방지하는 것이기 때문에 드라이브 IC가 실장되는 전체 영역에 배리어 패턴(116)이 형성된다.
또한, 상기 반도체층(122)은 비정질 실리콘막 및 도핑된 비정질 실리콘막(n+ 또는 p+)으로 구성될 수 있고, 비정질 실리콘막을 결정화한 결정질 실리콘막으로 형성될 수 있다. 결정질 실리콘막으로 형성될 경우에는 소스 전극(124a)과 드레인 전극(124b)과 접촉되는 영역에 도핑 공정을 진행할 수 있다.
또한, 상기 소스/드레인 금속층은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 이들의 조합으로부터 형성되는 합금 중 어느 하나를 이용할 수 있다. 또한, ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명성 도전물질을 사용할 수 있다. 또한, 도면에서는 단일 금속막으로 형성되어 있지만 경우에 따라서는 적어도 2개 이상의 금속막들을 적층하여 형성할 수 있다.
또한, 상기 IC패드(123)는 소스전극(124a) 및 드레인전극(124b)과 같은 물질로 형성될 수 있다. 이로써, 게이트전극(114), 게이트절연막(121), 반도체층(122), 소스전극(124a) 및 드레인전극(124b)으로 구성된 박막 트랜지스터(TFT)가 완성된다.
도 3c를 참조하면, 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된 플렉서블 기판(112) 전면에 보호막(125)을 형성하고, 마스크 공정을 진행하여, 상기 드레인 전극(124b)을 노출시키는 콘택홀, 상기 패드부(115)를 노출시키는 콘택홀 및 상기 IC패드(123)를 노출하는 콘택홀을 형성한다.
상기와 같이, 보호막(125) 상에 콘택홀이 형성되면, 플렉서블 기판(112)의 전면에 금속층을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 상기 노출된 드레인 전극(124b)과 직접 콘택되는 연결전극(126)을 형성한다.
또한, 패드 영역(B)에서는 상기 패드부(115)와 직접 콘택되는 패드콘택부(127)를 형성하고 상기 IC패드(123)와 직접 콘택되는 IC콘택부(128)를 형성한다.
그런 다음, 도 3d를 참조하면, 상기 연결전극(126), 상기 패드콘택부(127) 및 상기 IC콘택부(128)가 형성된 상기 플렉서블 기판(112) 의 전면에 포토 아크릴과 같은 유기물질로 된 유기절연층(130)을 형성한다. 상기 유기절연층(130)은 플렉서블 기판(112)의 표면이 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 각종 배선들이 형성되어 표면이 매끄럽지 못하고, 울퉁불퉁하게 단차가 형성되는 것을 평탄화하기 위해 형성된다.
상기 유기절연층(130)이 플렉서블 기판(112) 상에 형성되면, 마스크 공정을 진행하여, 연결전극(126), 패드콘택부(127) 및 IC콘택부(128)를 각각 노출시키는 콘텍홀들을 형성한다.
그런 다음, 상기 유기절연층(130)이 형성된 플렉서블 기판(112) 상에 금속층을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 상기 표시 영역(A)의 화소 영역에 캐소드 전극(131)을 형성한다. 상기 캐소드 전극(131)이 형성되면, 상기 플렉서블 기판(112) 상에 버퍼층(130)을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 화소 영역의 캐소드 전극(131)이 노출되도록 버퍼층(130)을 패터닝한다. 이때, 상기 패드콘택부(127)와 IC콘택부(128) 영역도 노출된다.
상기 버퍼층(130)이 패터닝되면, 상기 노출된 캐소드 전극(131) 상에 유기발광층(133)을 형성하고, 상기 유기발광층(133)을 포함한 플렉서블 기판(112)의 표시영역(A) 상에 애노드 전극(134)을 형성하여 유기발광 다이오드(OLED)를 완성한다.
상기 캐소드 전극(131)은 비교적 일함수 값이 낮은 금속물질로 이루어지며, 상기 애노드 전극(133)은 일함수 값이 비교적 높은 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 형성된다. 상기 유기발광층(132)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입막(hole injection layer), 정공수송막(hole transporting layer), 발광물질막(emitting material layer), 전자수송막(electron transporting layer) 및 전자주입막(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.
이 후, 상기 베이스 기판(110) 배면에서 상기 희생층(111)에 레이저빔(Laser Beam)을 조사하여, 베이스 기판(110)과 플렉서블 기판(112)의 분리 공정을 진행한다. 상기 레이저빔(Laser Beam)은 베이스기판(110) 전 영역에 조사되지만 상기 배리어 패턴(116)이 상기 IC패드(123) 하부에 형성되어 있어, 레이저빔(Laser Beam)이 상기 IC패드(123)에 직접 도달하지 않는다.
도면에서는 IC패드(123) 영역에만 배리어 패턴(116)이 형성된 것으로 보이지만, 실장되는 드라이브 IC와 중첩되도록 배리어 패턴(116)이 형성되기 때문에 레이저빔에 의해 실장된 드라이브 IC가 손상되지 않는다. 즉, 레이저빔은 배리어 패턴(116)에 의해 모두 차단되어 드라이브 IC에 조사되지 않는다.
따라서, 본 발명에서는 플렉시블 기판(112) 분리 공정에서 드라아브 IC가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 상기 레이저빔(Laser Beam)은 532nm, 355nm, 308nm의 파장을 갖는 레이저빔이 사용될 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 종래 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 화면과 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 화면을 도시한 도면이다.
도 4a를 참조하면, 종래 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치는 본 발명과 같이, 레이저 빔을 차단하기 위한 배리어 패턴이 형성되지 않아 레이저빔으로 인해 드라이브 IC들이 손상된 경우, 표시 영역의 X 및 Y 영역에서 각각 휘도 불량이 발생된 것을 볼 수 있다.
이에 반해 도 4b를 참조하면, 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 경우, 532nm, 355nm, 308nm의 파장을 갖는 레이저빔으로 실험해 본 결과 드라이브 IC 실장 영역에 형성된 배리어 패턴이 대부분의 레이저빔을 차단하기 때문에 드라이브 IC가 손상되지 않는다. 따라서, 표시 영역에서의 휘도 불량이 발생되지 않았다.
따라서, 본 발명에서는 레이저를 사용하여 베이스기판과 플렉서블 기판 분리시, 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 패드 영역, 구체적으로는 드라이브 IC가 실장되는 영역에 배리어 패턴을 형성하여, 드라이브 IC가 레이저빔에 의해 인한 손상되는 것을 방지하였다.
또한, 드라이브 IC가 레이저빔에 의해 손상되지 않기 때문에 화면 불량이 발생되지 않는다. 또한, 드라이브 IC의 실장 영역에 레이저빔이 조사되는 것을 방지하기 위해 형성한 배리어 패턴은 게이트 전극 형성시 동시에 형성함으로써, 추가 공정 없이 드라이브 IC의 손상을 방지할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
110: 베이스 기판 111: 희생층
112: 플렉서블 기판 113: 평탄막
114: 게이트 전극 115: 패드부
116: 배리어 패턴 121: 게이트 절연막
123: IC패드 128: IC콘택부

Claims (12)

  1. 표시영역 및 패드영역으로 구획되는 플렉서블 기판과;
    상기 플렉서블 기판 상에 형성된 평탄막과;
    상기 표시영역의 평탄막 상에 형성된 박막 트랜지스터와;
    상기 박막 트랜지스터 상의 보호층과 유기절연층을 사이에 두고 형성된 유기발광다이오드와;
    상기 패드영역의 평탄막 상에 형성된 패드부와;
    상기 패드영역의 패드부 상에 형성된 게이트 절연막과;
    상기 패드영역의 게이트 절연막 상에 형성되며, 상기 플렉서블 기판 상에 직접 실장되는 드라이브 IC들과의 콘택을 위한 IC패드와;
    상기 패드영역의 평탄막 상에 형성되고, 상기 드라이브 IC가 실장되는 영역과 상기 IC패드에 중첩되도록 하부에 형성된 배리어 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는 평탄막 상에 형성된 게이트 전극과;
    상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막과;
    상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 전극과 중첩되게 형성된 반도체층과;
    상기 반도체층 상에 일정 간격을 두고 마주하여 형성된 소스전극과 드레인전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기발광다이오드는,
    상기 유기절연층 상에 형성된 캐소드 전극과;
    상기 캐소드 전극 상에 형성된 형성된 유기발광층과;
    상기 유기발광층 상에 형성된 애노드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 유기발광다이오드의 캐소드 전극은 상기 보호층과 유기절연층에 형성된 콘택홀에 의해 노출된 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며, 상기 캐소드전극과 드레인 전극은 연결전극을 사이에 두고 전기적으로 연결되는 것을 특징으로하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 배리어 패턴은 상기 게이트 전극 및 패드부와 같은 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.
  6. 표시영역과 패드영역으로 구획된 플렉서블 기판에 희생층을 사이에 두고 베이스 기판을 합착하는 단계와;
    상기 플렉서블 기판 상에 평탄막을 형성하는 단계와;
    상기 표시영역의 평탄막 상에 게이트 전극을 형성하고, 패드영역에 패드부 및 배리어 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 전극이 형성된 플렉서블 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 절연막이 형성된 플렉서블 기판 상에 상기 게이트 전극과 중첩되도록 반도체층, 상기 반도체층과 콘택되는 소스 및 드레인 전극을 형성하여 박막 트랜지스터를 완성하고, 동시에 상기 패드 영역의 게이트 절연막 상에 IC패드를 형성하는 단계와;
    상기 박막 트랜지스터가 형성된 플렉서블 기판 상에 보호층을 형성하고 콘택홀 공정을 진행하여, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극, 패드부 및 IC패드를 노출하는 단계와;
    상기 보호층이 형성된 플렉서블 기판 상에 금속층을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여, 상기 드레인 전극과 콘택되는 연결전극, 상기 패드부와 콘택되는 패드콘택부 및 상기 IC패드와 콘택되는 IC콘택부를 형성하는 단계와;
    상기 연결전극이 형성된 플렉서블 기판 상에 유기절연층을 형성하고, 콘택홀 공정을 진행하여, 상기 드레인 전극 상의 연결전극, 상기 패드콘택부 및 IC콘택부를 노출하는 단계와;
    상기 유기절연층이 형성된 플렉서블 기판 상에 금속층을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 상기 표시 영역의 화소 영역에 캐소드 전극을 형성하는 단계와;
    상기 캐소드 전극이 형성된 플렉서블 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 캐소드 전극을 노출시키는 단계와;
    상기 버퍼층이 형성된 플렉서블 기판의 캐소드 전극 상에 유기발광층을 형성하는 단계와;
    상기 유기발광층이 형성된 플렉서블 기판 상에 애노드 전극을 형성하여 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 배리어 패턴은 상기 IC패드와 상기 IC패드 상에 실장되는 드라이브 IC에 중첩되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 유기발광다이오드의 캐소드 전극은 상기 유기절연층 상에 형성된 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극 상에 형성된 연결전극과 직접 콘택되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 유기발광다이오드를 형성한 후,
    상기 베이스 기판의 배면에 레이저빔을 조사하여 상기 베이스 기판과 플렉서블 기판 상이의 희생층을 경화시키는 단계와;
    상기 희생층의 경화로 인하여 상기 베이스 기판을 상기 플렉서블 기판으로부터 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 레이저빔은 532nm, 355nm, 308nm 중 어느 하나의 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조방법.
  11. 제 6 항에 있어서,
    상기 배리어 패턴은 상기 게이트 전극 및 패드부와 동일 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조방법.
  12. 제 6 항에 있어서,
    상기 배리어 패턴은 알루미늄-네오디뮴(AlNd), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 및 티타늄(Ti) 중 어느 하나의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조방법.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9178178B2 (en) 2013-05-16 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display having improved adhesion and damage resistance characteristics, an electronic device including the same, and method of manufacturing the organic light-emitting diode display
KR20160032330A (ko) * 2014-09-15 2016-03-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR20160035200A (ko) * 2014-09-22 2016-03-31 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
US9520450B2 (en) 2014-09-16 2016-12-13 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus and method of manufacturing the same
CN106252379A (zh) * 2015-06-12 2016-12-21 三星显示有限公司 显示装置
KR20170020626A (ko) * 2015-08-13 2017-02-23 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
US9660011B2 (en) 2014-10-13 2017-05-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof
US9899429B2 (en) 2015-10-28 2018-02-20 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
KR20190063793A (ko) * 2017-11-30 2019-06-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US20220310968A1 (en) * 2020-09-07 2022-09-29 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Top emitting amoled display panel, manufacturing method thereof, and display device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210012100A (ko) 2019-07-23 2021-02-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080004232A (ko) * 2006-07-05 2008-01-09 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스턱 기판의 제조방법 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법
KR20100096545A (ko) * 2009-02-24 2010-09-02 엘지디스플레이 주식회사 탑 에미션 인버티드형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의제조방법
KR20110041321A (ko) * 2009-10-15 2011-04-21 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080004232A (ko) * 2006-07-05 2008-01-09 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스턱 기판의 제조방법 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법
KR20100096545A (ko) * 2009-02-24 2010-09-02 엘지디스플레이 주식회사 탑 에미션 인버티드형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의제조방법
KR20110041321A (ko) * 2009-10-15 2011-04-21 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9178178B2 (en) 2013-05-16 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display having improved adhesion and damage resistance characteristics, an electronic device including the same, and method of manufacturing the organic light-emitting diode display
KR20160032330A (ko) * 2014-09-15 2016-03-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
US9520450B2 (en) 2014-09-16 2016-12-13 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus and method of manufacturing the same
KR20160035200A (ko) * 2014-09-22 2016-03-31 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
US9660011B2 (en) 2014-10-13 2017-05-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof
CN106252379A (zh) * 2015-06-12 2016-12-21 三星显示有限公司 显示装置
KR20170020626A (ko) * 2015-08-13 2017-02-23 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
US9899429B2 (en) 2015-10-28 2018-02-20 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
US10431606B2 (en) 2015-10-28 2019-10-01 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
KR20190063793A (ko) * 2017-11-30 2019-06-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US20220310968A1 (en) * 2020-09-07 2022-09-29 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Top emitting amoled display panel, manufacturing method thereof, and display device
US11856811B2 (en) * 2020-09-07 2023-12-26 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Top emitting AMOLED display panel, manufacturing method thereof, and display device

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