CN113394262B - 显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种显示面板。显示面板包括像素电极层和电场电极层。显示面板通过控制像素电极层与电场电极层之间的电压差,或者控制像素电极层内部产生电压差,以在像素电极上产生电场。在本申请提供的显示面板中,由于对产生电场的两极进行了特殊设计,也即,使产生电场两极的形状适配。从而使得产生电场的两极之间各处的距离相等,提高了电场的均匀性。电场的垂直分量向发光功能层材料中的带电基团提供了往像素电极层沉积的作用力,可以在喷墨打印时,促进发光功能材料的墨水向像素电极层沉积。电场辅助发光功能层材料沉积和发光功能层干燥,可以抑制咖啡环效应,有效提高发光功能层的薄膜质量,进而提高显示面板的器件性能。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及显示面板。
背景技术
喷墨打印技术制备的有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode, OLED)显示器,已经在中尺寸OLED领域实现了小规模商品化。但是喷墨打印存在根本性的问题:第一、由于墨水的毛细现象,需要像素定义层具有疏液性,以降低边缘攀爬导致的像素边缘膜厚偏厚的问题。第二、需要墨水具有高沸点,防止打印过程中像素上和喷头上的溶液挥发导致沉积不均匀或堵塞喷头。
在对现有技术的研究和实践过程中,本申请的发明人发现,在喷墨打印和真空干燥过程发光功能层中的带电基团在溶剂挥发时易产生咖啡环,影响发光功能层的品质。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板,显示面板的结构可以产生电场,利用电场辅助喷墨打印和真空干燥,抑制咖啡环的产生。
本申请实施例提供一种显示面板,包括:
阵列基板;
像素电极层,所述像素电极层设置在所述阵列基板上,所述像素电极层包括多个像素电极;
电场电极层,所述电场电极层设置在所述阵列基板上,所述电场电极层与所述像素电极层绝缘设置,所述电场电极层包括至少一个电场电极;其中,所述电场电极至少围绕所述像素电极的部分设置。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述电场电极与所述像素电极之间具有间隙,所述电场电极绕设所述像素电极的部分与所述像素电极之间的间隙距离相等。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述电场电极与所述像素电极一一对应,所述电场电极围绕所述像素电极设置形成一封闭图案。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述像素电极沿第一方向排布有多排,所述像素电极沿第二方向排布有多行,所述电场电极包括第一部分和第二部分,所述第一部分沿所述第一方向设置在相邻的两排所述像素电极之间,所述第二部分沿所述第二方向设置在相邻的两行所述像素电极之间,所述第一部分与所述第二部分相连,所述第一方向与所述第二方向相交。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述像素电极沿第一方向排布有多排,所述像素电极沿第二方向排布有多行,所述电场电极沿所述第一方向设置在多排所述像素电极之间,或沿所述第二方向设置在多行所述像素电极之间,所述第一方向与所述第二方向相交。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述间隙的大小介于1μm至10μm之间。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述阵列基板还包括薄膜晶体管,所述显示面板还包括平坦化层,所述像素电极层设置在所述平坦化层上,并与所述薄膜晶体管连接。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述薄膜晶体管包括层叠设置的半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、漏极走线以及源极走线,所述电场电极层为信号走线层,所述电场电极层与所述栅极层同层设置,或所述电场电极层与所述源极走线、所述漏极走线同层设置。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述电场电极层为辅助电极层,所述电场电极层与所述像素电极层同层设置。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示面板还包括像素定义层,所述像素定义层设置在所述像素电极层远离所述阵列基板的一侧,所述像素定义层上设置有开口,所述开口与所述像素电极对应设置。
本申请实施例还提供一种显示面板,包括:
阵列基板;
像素电极层,所述像素电极层设置在所述阵列基板上,所述像素电极层包括多个像素电极;
其中,所述像素电极具有第一电极部以及第二电极部,所述第一电极部至少围绕所述第二电极部的部分设置。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一电极部与所述第二电极部之间具有缝隙,所述第一电极部绕设所述第二电极部的部分与所述第二电极部之间的缝隙距离相等。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述阵列基板还包括薄膜晶体管,所述显示面板还包括平坦化层,所述像素电极层设置在所述平坦化层上,并与所述薄膜晶体管连接;
其中,每个所述薄膜晶体管对应控制一个所述第一电极部或所述第二电极部的电压。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述像素电极包括m行×n列子像素电极,相邻的所述子像素电极之间具有空隙,所述子像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极,所述第一子像素电极至少围绕所述第二子像素电极的部分设置;其中,m和n为大于或等于3的正整数。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示面板还包括薄膜晶体管以及平坦化层,所述像素电极层设置在所述平坦化层上,并与所述薄膜晶体管连接;
其中,每个所述薄膜晶体管对应控制一行所述子像素电极的电压,或每个所述薄膜晶体管对应控制一列所述子像素电极的电压,或每个所述薄膜晶体管对应控制一个所述子像素电极的电压。
本申请实施例提供一种显示面板。显示面板可以通过控制像素电极层与电场电极层之间的电压差,或者控制像素电极层内部产生电压差,以在像素电极上产生电场。由于本申请提供的显示面板产生电场的两极进行了特殊设计,使产生电场的两极之间各处的距离相等。即,使产生电场两极的形状适配。由此提高电场的均匀性。电场的垂直分量向发光功能层材料中的带电基团提供了往像素电极层沉积的作用力,可以在喷墨打印时,促进发光功能材料的墨水向像素电极层沉积。电场辅助发光功能层材料沉积可以抑制咖啡环的产生,有效提高发光功能层的薄膜质量,进而提高显示面板的器件性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示面板的第一种结构示意图;
图2是本申请实施例提供的显示面板的第一俯视结构示意图;
图3是本申请实施例提供的显示面板的第二俯视结构示意图;
图4是本申请实施例提供的显示面板的第三俯视结构示意图;
图5是本申请实施例提供的显示面板的第四俯视结构示意图;
图6是本申请实施例提供的显示面板的第五俯视结构示意图;
图7是本申请实施例提供的显示面板的第二种结构示意图;
图8是本申请实施例提供的显示面板的第三种结构示意图;
图9是本申请实施例提供的显示面板的第六俯视结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图1至图2,图1是本申请实施例提供的显示面板的第一种结构示意图。图2是本申请实施例提供的显示面板的第一俯视结构示意图。本申请提供的显示面板10包括阵列基板1、像素电极层2以及电场电极层3。像素电极层2设置在阵列基板1上。电场电极层3设置在阵列基板1上。电场电极层3与像素电极层2绝缘设置。电场电极层3包括多个电场电极3a。电场电极3a至少围绕像素电极层2的部分设置。
在像素电极层2上制作发光功能层的时候,为了增大发光功能层的膜层均匀性,可对像素电极层2与电场电极层3施加不同电压形成电压差,以在像素电极层2和电场电极层3之间形成电场。像素电极层2与电场电极层3之间形成的电场具有一个水平分量和一个垂直分量。电场的垂直分量向发光功能层材料中的带电基团提供了往像素电极层2沉积的作用力,可以在喷墨打印时,促进发光功能材料的墨水向像素电极层2沉积。利用电场辅助喷墨打印和真空干燥过程,则可以有效的抑制发光功能层中的带电基团在沉积时和溶剂挥发时的咖啡环效应,提升纳米粒子成膜品质。
其中,电场电极3a与像素电极2a之间具有间隙D。电场电极3a绕设像素电极2a的部分与像素电极2a之间的间隙D距离相等。
为了更好的抑制咖啡环效应,提高纳米粒子成膜品质,电场辅助喷墨打印和真空干燥时电场的均匀性尤为重要,本申请提供的显示面板10围绕像素电极层2设置的电场电极层3与像素电极层2之间的间隙D距离相等,能够在像素电极层2和电场电极层3之间形成均匀性更高的电场。电场均匀性提高,在电场辅助下打印的发光功能层的均匀性也能有效提高,进而提高发光器件的性能。
其中,阵列基板1包括基板1’。基板1’指的是用于承载该触控电极结构的基体构件。例如,基板1’可以为玻璃、有机玻璃、功能玻璃(sensor glass)、硬质绝缘膜材、软质绝缘膜材或柔性衬底。
其中,功能玻璃是在超薄玻璃上溅射透明金属氧化物导电薄膜镀层,并经过高温退火处理得到的。柔性衬底采用的材料为聚合物材料。具体地,柔性衬底采用的材料可以为聚酰亚胺(PI)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。聚合物材料的柔韧性好、质量轻、耐冲击,适用于柔性显示面板。其中,聚酰亚胺还能够实现良好的耐热性和稳定性。
其中,像素电极层2可以采用透明金属氧化物或金属与透明金属氧化物的叠层进行设置。像素电极层2还可以采用石墨烯材料、金属材料以及过渡金属硫属化合物等材料。
具体的,过渡金属硫化物包括硫化钼(MoS2)、硒化钼(MoSe2)、硫化钨(WS2)或硒化钨(WSe2)。
透明金属氧化物层采用的材料包括铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锌锡氧化物、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锡氧化物或锑锡氧化物中的任一种。以上材料具有很好的导电性和透明性,并且厚度较小,不会影响显示面板的整体厚度。同时,还可以减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外光。金属层采用的材料为银、铝、镍、铬、钼、铜、钨或钛中的任一种。金属的导电性好,成本较低,在保证阳极的导电性的同时可以降低生产成本。
在一种实施例中,像素电极层2沉积为铟锡氧化物/银/铟锡氧化物的叠层。可以理解的是,像素电极层2可以为发光器件的阳极或阴极。在本申请中,以像素电极层2为阳极作为示例进行说明。
其中,电场电极层3采用的材料可以为金、银、铜、铝和透明金属氧化物中一种或多种的组合。绝缘设置是指像素电极层2与电场电极层3之间具有空隙。例如,像素电极层2与电场电极层3之间可设置有钝化层、层间绝缘层或缓冲层等无机膜层进行绝缘。具体的设置方式可以根据具体的显示面板10进行适应性改动,在此不再赘述。需要说明的是,本申请所述像素电极层2和电场电极层3设置在阵列基板1上,是指像素电极层2和电场电极层3设置在阵列基板1的同一侧。并不是限定像素电极层2和电场电极层3紧挨阵列基板1表面设置。另外,图中的像素电极层2和电场电极层3的相对位置关系仅为示意,并不作为对本申请的限制。
可选的,阵列基板1还包括薄膜晶体管5。显示面板10还包括平坦化层23。像素电极层设置在平坦化层23上,并与薄膜晶体管5连接。进一步的,薄膜晶体管5包括半导体层14、栅极绝缘层16、栅极层17、层间绝缘层18、漏极走线19以及源极走线20。
其中,阵列基板1还包括依次层叠设置在基板1’一侧的遮光层11、第一电容极板12、缓冲层13、半导体层14、第二电容极板15、栅极绝缘层16、栅极层17、层间绝缘层18、漏极走线19、源极走线20、辅助阴极走线21、钝化层22以及平坦化层23。像素电极层2和电场电极层3设置在平坦化层23。在图1所示的实施例中,电场电极层3为辅助阴极层。其中,半导体层14包括漏极区141、有源区142以及源极区143。像素定义层4上设置有开口4a。
图1以薄膜晶体管5为顶栅结构为例进行示意。可以理解的是,本申请不限定显示面板10中所包含的薄膜晶体管5的结构,其可以为顶栅型薄膜晶体管,也可以为底栅型薄膜晶体管,其可以为双栅极型薄膜晶体管,也可以为单栅极型薄膜晶体管。对于薄膜晶体管的具体结构在本申请中不再赘述。
在图1所示的显示面板10中,电场电极层3为辅助电极层,电场电极层3与像素电极层2同层设置。辅助电极层可以作为辅助阴极层连接面阴极,用于降低面阴极的电压降。通过辅助阴极走线21控制辅助阴极层,即电场电极层3的电位,使电场电极层3与像素电极层2之间形成电压差,进而在像素电极层2与电场电极层3之间形成电场。辅助阴极层与像素电极2a在同一个子像素中,辅助阴极层与像素电极2a的间距很小。采用辅助阴极层作为电场电极层3与像素电极2a形成电场,能够增大形成电场的电场强度,使喷墨打印时得到更大的电场力辅助作用。
可选的,间隙D的大小介于1μm至10μm之间。进一步的,间隙D的大小介于2μm至5μm之间。具体的,间隙D的大小可以为1μm、2μm、3μm、4μm、5μm、6μm、7μm、8μm、9μm或10μm。将间隙D的大小设置为1μm至10μm之间,是综合考虑可用的工艺精度以及形成的电场强度。间隙D过宽的话,无法在像素电极层2与电场电极层3之间形成足够强的电场。间隙D过窄的话,制程工艺的精度很难达到,容易造成短路,影响发光器件的工作。本申请提供的间隙d的大小范围,是像素电极层2与电场电极层3之间产生电场以辅助发光功能层沉积的最佳间隙D大小。间隙D的值影响到电场的强度,进而影响发光功能层沉积的均匀性。间隙D的大小范围是为了得到均匀且强度合适的电场,经过多次试验得出,并非本领域技术人员常用且容易想到的技术手段。
可选的,显示面板10还包括像素定义层4。像素定义层4设置在像素电极层2远离阵列基板1的一侧。像素定义层4上设置有开口4a。开口4a对应像素电极2a设置。
其中,像素定义层4靠近阵列基板1的一侧具有亲液性,像素定义层4远离阵列基板1的一侧具有疏液性。
亲液性是指材料表面易被液体介质润湿或溶化。疏液性(也可称为憎液性)与亲液性相反,疏液性是指材料表面不易被液体介质润湿或溶化。材料表面的亲液和憎液性质主要由其表面结构或官能团的性质所决定。本申请中可以通过调节制程工艺参数对像素定义层4的亲疏液性进行改变和调整。例如,调整显影工艺和固化工艺的参数。对像素定义层4的亲疏液性进行改变和调整。这样设置的像素定义层4可以适配不同打印工艺、墨水的种类以及膜层的厚度,使像素定义层4更容易适应不同显示面板的要求。
具体地,像素定义层4的厚度会影响材料的亲疏液性,例如,当疏液材料很薄的情况下,则不具有疏液性。另外,对材料进行氧气(O2)或氮气(N2)等离子体处理可以使疏液性变为亲液性,对材料进行氟气(F)等离子体处理可以使亲液性变为疏液性。
可选的,本申请实施例提供的显示面板10中,电场电极3a可以围绕像素电极2a的部分设置。例如,当像素电极2a为圆形时,电场电极3a呈半圆形围绕像素电极2a的一半设置。又例如,当像素电极2a为椭圆形时,电场电极3a呈U型围绕像素电极2a设置。
可选的,如图2所示,电场电极3a与像素电极2a一一对应。电场电极3a围绕像素电极2a设置形成一封闭图案。
本实施例中,电场电极3a围绕像素电极2a设置,并形成了封闭图案。由于在电场电极3a和像素电极2a之间形成电场时,是通过分别对电场电极3a和像素电极2a施加电压。当电场电极3a围绕像素电极2a形成了封闭图案,且各处电场电极3a与像素电极2a的间隙D大小一致时,也就是形成电场的两极之间的距离是一致的,则能够提高电场均匀性。
另外,电场电极3a与像素电极2a一一对应,且独立设置。这种结构能够在形成电场时,在每个像素电极2a上形成独立的电场。形成独立电场后,更便于发光功能层不同颜色像素的独立制作,对各个像素电极的电场可独立调控。由此,使显示面板10更适应不同像素排列要求的发光功能层制作。
需要说明的是,图2中以电场电极3a分别一一对应像素电极2a为例进行说明。在一些实施例中,电场电极层3包括形成多个电场电极3a的连续图案。请参阅图3,图3是本申请实施例提供的显示面板的第二俯视结构示意图。将围绕像素电极2a的电场电极3a设置为连续图案,能够对电场电极层3中的多个电场电极3a同时施加电压。例如,对同一行电场电极3a同时施加电压,再控制该行对应的像素电极2a的电压,以在该行形成电场。由此,可在同一行像素为同一颜色发光功能层的时候,提高发光功能层的制作效率。
请参阅图4,图4是本申请实施例提供的显示面板的第三俯视结构示意图。像素电极层2沿第一方向x排布有多排,像素电极层2沿第二方向y排布有多行。像素电极层2之间均具有空隙S。电场电极3a包括第一部分31a和第二部分32a。第一部分31a沿第一方向x设置在相邻的两排像素电极2a之间,第二部分32a沿第二方向y设置多行像素电极2a之间。第一部分31a与第二部分32a相连。第一方向x与第二方向y相交。本申请中,第一方向x为沿x轴延伸的方向,第二方向y为沿y轴延伸的方向,因此,在本申请中,以第一方向x、第二方向y进行描述。图3中以第一方向x与第二方向y垂直为例进行示意,实际上,第一方向x和第二方向y可以是相交的任意两个方向。另外,图2、图3中像素电极层2设置为椭圆形,图4中像素电极层2是设置为矩形,像素电极层2还可以设置为其他形状。例如,可以将像素电极层2设置为圆形、菱形等便于像素排列的图形,本申请对此不作限制。
需要说明的是,电场电极3a沿第一方向x设置在多排像素电极2a之间,并沿第二方向y设置多行像素电极2a之间。则电场电极3a可以如图4所示沿第一方向x和第二方向y两个方向呈网状设置在空隙中。
其中,请参阅图5,图5是本申请实施例提供的显示面板的第四俯视结构示意图。像素电极层2沿第一方向x排布有多排,像素电极层2沿第二方向y排布有多行。像素电极层2之间均具有空隙S。电场电极3a沿第一方向x设置在多排像素电极2a之间,或沿第二方向y设置多行像素电极2a之间。即,电场电极3a还可以沿第一方向x或第二方向y中的某一方向呈长条形设置在空隙中。或者,电场电极3a的一部分沿第一方向x设置在某一层中,电场电极3a的另一部分沿第二方向y设置在另一膜层中。同样,第一方向x和第二方向y可以是相交的任意两个方向。
可选的,电场电极层3为信号走线层。电场电极层3与栅极层17同层设置。或电场电极层3与源极走线20、漏极走线19同层设置。即,信号走线层包括扫描信号走线31和数据信号走线32。电场电极层3可以为扫描信号走线31或者数据信号走线32,或者电场电极层3可以为扫描信号走线31和数据信号走线32围设像素电极层2形成。
例如,当电场电极层3为扫描信号走线31时,可以沿第一方向x排布在像素电极2a之间的空隙S中。在对扫描信号走线31和像素电极2a分别施加电压,以在扫描信号走线31和像素电极2a之间形成电场线沿第二方向y的均匀水平电场。数据信号走线32与像素电极2a形成电场的方法与上述类似,在此不再赘述。
可以理解的是,当电场电极层3为扫描信号走线31和数据信号走线32时,电场电极层3可以沿第一方向x和第二方向y呈网状排布在像素电极2a之间的空隙S中。电场电极层3与像素电极2a形成的电场是电场线由电场电极层3向像素电极2a的均匀电场。或者,电场电极层3与像素电极2a形成的电场是电场线由像素电极2a向电场电极层3的均匀电场。
在本实施例中,电场是利用薄膜晶体管5中的信号走线与像素电极形成的。在打印某一个子像素的发光功能层时,如果其周围的子像素发光功能层均已打印好,可以选择像素电极层2与电场电极层3之间的电场进行喷墨打印。这样可以避免周围的发光功能层形成的膜层厚度对像素电极层2形成电屏蔽,影响电场力的作用,可保证子像素发光功能层的打印效果,使墨水沉积更均匀。另外,电场电极层3还可以是显示面板10中的其他走线,例如复位信号走线等,本申请对此不做限制。
请参阅图6,图6是本申请实施例提供的显示面板的第五俯视结构示意图。本申请实施例提供的显示面板10包括阵列基板1以及像素电极层2。像素电极层2设置在阵列基板1上。像素电极层2包括多个像素电极2a。
其中,像素电极2a具有第一电极部2A以及第二电极部2B。第一电极部2A至少围绕第二电极部2B的部分设置。
其中,第一电极部2A与第二电极部2B之间具有缝隙G。各处第一电极部2A与第二电极部2B之间的缝隙G距离相等。
图8所示的实施例提供一种显示面板10,直接利用像素电极2a中第一电极部2A和第二电极部2B形成电场,则不需要控制其他电极的电压值。在像素电极2a中形成电场,在电场辅助发光功能层沉积时,产生的电场作用力较大,能够使发光功能层沉积更均匀。另外,由于第一电极部2A是围绕第二电极部2B设置,有利于提高第一电极部2A与第二电极部2B产生的电场的均匀性。
请参阅图7,图7是本申请实施例提供的显示面板的第二种结构示意图。显示面板10还包括薄膜晶体管5以及平坦化层23。像素电极层2设置在平坦化层23上,并与薄膜晶体管5连接。
其中,请参阅图8,图8是本申请实施例提供的显示面板的第三种结构示意图。每个薄膜晶体管5对应控制一个第一电极部2A或第二电极部2B的电压。每个薄膜晶体管5对应控制一个电极部的电压,以使第一电极部2A或第二电极部2B之间形成电压差。这种设置方式能够精细调控子像素内的电位差以及电场。
请参阅图9,图9是本申请实施例提供的显示面板的第六俯视结构示意图。像素电极2a包括m行×n列子像素电极2a’。相邻的子像素电极2a’之间具有空隙。子像素电极2a’包括多个第一子像素电极21a’和至少一个第二子像素电极22a’。第一子像素电极21a’至少围绕第二子像素电极22a’的部分设置。其中,m和n为大于或等于3的正整数。子像素电极2a’之间相互绝缘,图中仅以黑色实线进行划分。
需要说明的是,对像素电极2a进行适当的分割,分割区域面积在整个像素电极2a面积中的占比是可控的。因此,将一像素电极2a分为m行×n列子像素电极2a’,对发光效果不会产生影响。
在像素电极2a中形成行列方向的子像素电极2a’,制程简便,无需复杂的图案化方法。并且,这样的子像素电极2a’的排布,也更方便其对应的薄膜晶体管的制作。并且,子像素电极2a’之间的间距较近,能够产生较强的电场作用力,可以进一步改善电沉积效果,缩短电场辅助沉积发光功能层所需的时间,提升成膜质量。
其中,每个薄膜晶体管5对应控制一行子像素电极2a’的电压。或,每个薄膜晶体管5对应控制一列子像素电极2a’的电压。或,每个薄膜晶体管5对应控制一个子像素电极2a’的电压。图9中仅在每个子像素区域中示意了两个薄膜晶体管5,但不作为对本申请的限制。
每个薄膜晶体管5控制一行子像素电极2a’的电压或对应控制一列子像素电极2a’的电压,已经可以在子像素中形成高低电位。行列之间的高低电位使子像素电极2a’与子像素电极2a’之间形成电压差,进一步形成了电场。当薄膜晶体管5控制一行或一列子像素电极2a’的电压时,可以以最中心的一行子像素电极2a’作为第二电极部2B,周围的子像素电极2a’作为第一电极部2A。子像素电极2a’之间的电场强度较大,能够提供足够的电场作用力辅助发光功能层的打印制程。并且,这种方式需要的薄膜晶体管器件6较少,能够降低制程难度和精度。
每个薄膜晶体管器件6对应控制一个子像素电极2a’的电压,以使子像素电极2a’与子像素电极2a’之间形成电压差。这种设置方式能够精细调控子像素内的电位差以及电场。图9中以m等于3、n等于3为例,将像素电极2a划分为3×3九个子像素电极2a’。并且,图7中的子像素电极2a’可以以a等于1为例,最外一圈子像素电极2a’用于形成第一电极部2A,中心的一个子像素电极2a’用于形成第二电极部2B。
本实施例中,第一子像素电极21a’用作第一电极部2A,第二子像素电极22a’用作第二电极部2B。通过将像素电极2a分为多个子像素电极2a’,再通过控制不同位置的子像素电极2a’的电压形成电场,便于调控第一电极部2A和第二电极部2B的相对位置和相对面积,则更便于调控需要形成的均匀电场的形态。
本申请实施例提供的显示面板10可以通过控制像素电极层2与电场电极层3之间的电压差,或者控制像素电极层2内部产生电压差,以在像素电极2a上产生电场。并且,由于本申请提供的显示面板10产生电场的两极进行了特殊设计,使产生电场的两极之间各处的距离相等。即,使产生电场两极的形状适配。由此提高电场的均匀性。电场的垂直分量向发光功能层材料中的带电基团提供了往像素电极层2沉积的作用力,可以在喷墨打印时,促进发光功能材料的墨水向像素电极层2沉积。电场辅助发光功能层材料沉积可以抑制咖啡环效应,有效提高发光功能层的薄膜质量,进而提高显示面板10的器件性能。
另外,本申请的显示面板10中产生的电场还可以用在发光功能层材料干燥时。在对发光功能层材料进行干燥处理时,以像素电极层2上的均匀电场固定发光功能层溶液中的带电基团。由此抑制溶剂挥发时溶剂带动带电基团运动,从而得到膜厚均匀的发光功能层,避免咖啡环现象的产生,可得到高品质的薄膜。并且,利用干燥阶段电场固定带电基团,则在溶剂挥发的过程中不需要严格的抽气控制,进行干燥处理,极大的简化了真空干燥工艺,提升了加工效率。
并且,本申请提供的显示面板10中,形成电场的两个电极进行了形状的设计,且电极相邻的各处间隙D或缝隙G的距离相等。由此,两个电极可以产生均匀的电场,优化了电场辅助沉积或电场辅助干燥时,带电基团运动的分散路径,使得膜层沉积更加均匀。进一步的,可提高显示面板10的显示效果和器件性能。
需要说明的是,本申请提供的显示面板10结构还可以用于其他膜层沉积以及干燥。具体的,适用于膜层中溶质为无机纳米颗粒、贵金属纳米粒子、胶体纳米片以及胶体纳米棒纳米膜层中的一种或多种组合。进一步的,纳米颗粒可以为硫酸钡(BaSO4)、碳酸钙(CaCO3)、铯化锌(ZnSe)、硫化镉(CdS)、二氧化钛(TiO2)、钛酸钡(BaTiO3)、硫化锌(ZnS)、氧化锆(ZrO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化锡(SnO)以及氧化锌(ZnO)中的一种或多种组合。
本申请中发光功能层溶液中的溶质可以为量子点材料。具体的,量子点材料的发光核材料为ZnCdSe2、InP、Cd2SSe、CdSe、Cd2SeTe以及InAs中一种或多种组合。量子点材料的无机保护壳层材料为CdS、ZnSe、ZnCdS2、ZnS、ZnO中一种或多种的组合。量子点材料还可以包括水凝胶装载量子点结构、CdSe-SiO2量子点以及钙钛矿量子点。量子点材料的表面配体包括胺、酸、巯醇以及有机磷中一种或多种的组合。发光功能层、溶液中的溶剂可以为无色透明低沸点的有机或无机溶剂。例如,溶剂可以为去离子水、甲醇、乙醇、乙二醇、丙二醇、乙酸乙酯、石油醚或正己烷中的一种或多种的组合。
当量子点材料带负电时,对沉积量子点材料的目标像素电极2a加正电。当量子点材料带正电时,对沉积量子点材料的目标像素电极2a加负电。以此保障沉积的最佳效果。施加电压的时间可以选择发光功能层溶液完全覆盖像素电极2a后,这样可以在均匀电场作用下,发光功能层中的带电基团沉积更均匀,且完整覆盖像素电极2a。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (14)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
像素电极层,所述像素电极层设置在所述阵列基板上,所述像素电极层包括多个像素电极;
电场电极层,所述电场电极层设置在所述阵列基板上,所述电场电极层与所述像素电极层绝缘设置,所述电场电极层包括至少一个电场电极;其中,所述电场电极至少围绕所述像素电极的部分设置,所述电场电极与所述像素电极之间具有间隙,所述电场电极绕设所述像素电极的部分与所述像素电极之间的间隙距离相等;
其中,对所述像素电极层与所述电场电极层施加不同电压形成电压差,以在所述像素电极层和所述电场电极层之间形成电场,所述电场具有一个水平分量和一个垂直分量,所述垂直分量向发光功能层材料中的带电基团提供了往所述像素电极层沉积的作用力。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电场电极与所述像素电极一一对应,所述电场电极围绕所述像素电极设置形成一封闭图案。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素电极沿第一方向排布有多排,所述像素电极沿第二方向排布有多行,所述电场电极包括第一部分和第二部分,所述第一部分沿所述第一方向设置在相邻的两排所述像素电极之间,所述第二部分沿所述第二方向设置在相邻的两行所述像素电极之间,所述第一部分与所述第二部分相连,所述第一方向与所述第二方向相交。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素电极沿第一方向排布有多排,所述像素电极沿第二方向排布有多行,所述电场电极沿所述第一方向设置在相邻的两排所述像素电极之间,或沿所述第二方向设置在相邻的两行所述像素电极之间,所述第一方向与所述第二方向相交。
5.根据权利要求1至4任一项所述的显示面板,其特征在于,所述间隙的大小介于1μm至10μm之间。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括薄膜晶体管,所述显示面板还包括平坦化层,所述像素电极层设置在所述平坦化层上,并与所述薄膜晶体管连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括层叠设置的半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、漏极走线以及源极走线,所述电场电极层为信号走线层,所述电场电极层与所述栅极层同层设置,或所述电场电极层与所述源极走线、所述漏极走线同层设置。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述电场电极层为辅助电极层,所述电场电极层与所述像素电极层同层设置。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括像素定义层,所述像素定义层设置在所述像素电极层远离所述阵列基板的一侧,所述像素定义层上设置有开口,所述开口与所述像素电极对应设置。
10.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
像素电极层,所述像素电极层设置在所述阵列基板上,所述像素电极层包括多个像素电极;
其中,所述像素电极具有第一电极部以及第二电极部,所述第一电极部至少围绕所述第二电极部的部分设置;
其中,对所述第一电极部与所述第二电极部施加不同电压形成电压差,以在所述第一电极部和所述第二电极部之间形成电场,所述电场具有一个水平分量和一个垂直分量,所述垂直分量向发光功能层材料中的带电基团提供了往所述像素电极层沉积的作用力。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极部与所述第二电极部之间具有缝隙,所述第一电极部绕设所述第二电极部的部分与所述第二电极部之间的缝隙距离相等。
12.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括薄膜晶体管,所述显示面板还包括平坦化层,所述像素电极层设置在所述平坦化层上,并与所述薄膜晶体管连接;
其中,每个所述薄膜晶体管对应控制一个所述第一电极部或所述第二电极部的电压。
13.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述像素电极包括m行×n列子像素电极,相邻的所述子像素电极之间具有空隙,所述子像素电极包括多个第一子像素电极和至少一个第二子像素电极,所述第一子像素电极至少围绕所述第二子像素电极的部分设置;其中,m和n为大于或等于3的正整数。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括薄膜晶体管以及平坦化层,所述像素电极层设置在所述平坦化层上,并与所述薄膜晶体管连接;
其中,每个所述薄膜晶体管对应控制一行所述子像素电极的电压,或每个所述薄膜晶体管对应控制一列所述子像素电极的电压,或每个所述薄膜晶体管对应控制一个所述子像素电极的电压。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN107331788A (zh) * | 2017-06-26 | 2017-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件、oled显示装置及oled器件的制备方法 |
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---|---|---|---|---|
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CN107331788A (zh) * | 2017-06-26 | 2017-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件、oled显示装置及oled器件的制备方法 |
CN109411603A (zh) * | 2018-10-17 | 2019-03-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板、发光材料蒸镀方法以及装置 |
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