CN111146253A - 显示装置 - Google Patents

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李彦周
金亨基
朴光雨
李东基
丁进焕
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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括第一晶体管、第一像素电极、第二晶体管以及第二像素电极。第一晶体管包括第一漏电极。第一像素电极位于显示装置的边缘与显示装置的中心之间并且包括第一凹入结构。第一凹入结构直接地接触第一漏电极。第二晶体管包括第二漏电极。第二像素电极位于显示装置的边缘与第一像素电极之间并且包括至少一个凹入结构。至少一个凹入结构包括第二凹入结构。第二凹入结构直接地接触第二漏电极。至少一个凹入结构的总的最大宽度大于第一凹入结构的最大宽度。

Description

显示装置
技术领域
技术领域涉及一种显示装置。
背景技术
现代显示装置可以包括等离子体显示装置、液晶显示装置和有机发光显示装置。现代显示装置可以具有小尺寸、轻重量和低功耗的优点。
显示装置可以包括用于显示图像的显示区域。显示区域的不同部分中的明显不一致的反射会对所显示的图像的感知质量产生负面影响。
发明内容
实施例可以涉及一种具有优化的反射率和令人满意的显示质量的显示装置。
一个或更多个实施例也提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基体基底，包括包含中间区域和边缘区域的显示区域以及围绕显示区域的外围区域；多个薄膜晶体管，设置在中间区域和边缘区域中；绝缘层，设置在薄膜晶体管上；多个SD图案，设置在绝缘层上，并且分别电连接到多个薄膜晶体管；以及过孔绝缘层，设置在其上设置有SD图案的绝缘层上，并且具有分别暴露多个SD图案的多个过孔。边缘区域设置在外围区域与中间区域之间。虚设图案在过孔绝缘层上在边缘区域中围绕过孔形成。
在实施例中，显示装置还可以包括设置在过孔绝缘层上的薄膜封装层。薄膜封装层可以包括第一无机层、在第一无机层上的有机层和设置在有机层上的第二无机层。有机层的在中间区域中的第一厚度可以大于有机层的在边缘区域中的第二厚度。
在实施例中，有机层可以通过单体的聚合形成。
在实施例中，虚设图案可以是形成在过孔绝缘层上的至少一个凹槽。
在实施例中，边缘区域可以包括与中间区域相邻的第一边缘区域和与外围区域相邻的第二边缘区域。虚设图案的在第二边缘区域中的凹槽的数量可以大于虚设图案的在第一边缘区域中的凹槽的数量。
在实施例中，边缘区域可以包括与中间区域相邻的第一边缘区域和与外围区域相邻的第二边缘区域。虚设图案可以在第一边缘区域中具有第一深度，并且在第二边缘区域中具有大于第一深度的第二深度。
在实施例中，虚设图案可以是围绕过孔并形成在过孔绝缘层上的沟槽。
在实施例中，显示装置还可以包括：多个第一电极，设置在过孔绝缘层上，并分别电连接到多个SD图案；发光层，设置在第一电极上；以及第二电极，设置在发光层上。
在实施例中，边缘区域中的第一电极可以设置为与虚设图案叠置，从而形成对应于虚设图案的不规则部。
在实施例中，过孔可以在中间区域中具有第一宽度，并且在边缘区域中具有大于第一宽度的第二宽度。
在实施例中，虚设图案可以是形成在过孔绝缘层上的凹槽或沟槽。
在实施例中，在边缘区域中，虚设图案的尺寸可以随着其逐渐与外围区域相邻而逐渐增大。
在实施例中，有机层的在边缘区域中的反射率可以大于有机层的在中间区域中的反射率。
在实施例中，显示装置的在边缘区域中的厚度可以小于显示装置的在中间区域中的厚度。
根据实施例，一种显示装置包括：基体基底，包括包含中间区域和边缘区域的显示区域以及围绕显示区域的外围区域；多个薄膜晶体管，设置在中间区域和边缘区域中；绝缘层，设置在薄膜晶体管上；多个SD图案，设置在绝缘层上，并且分别电连接到多个薄膜晶体管；以及过孔绝缘层，设置在其上设置有SD图案的绝缘层上，并且具有分别暴露多个SD图案的多个过孔。边缘区域设置在外围区域与中间区域之间。中间区域中的过孔具有第一宽度，边缘区域中的过孔具有大于第一宽度的第二宽度。
根据实施例，一种显示装置包括：基体基底；薄膜晶体管，设置在基体基底上；过孔绝缘层，设置在薄膜晶体管上，具有过孔并具有围绕过孔形成的虚设图案；第一电极，设置在过孔绝缘层上并且通过过孔电连接到薄膜晶体管；发光层，设置在第一电极上；以及第二电极，设置在发光层上。
在实施例中，显示装置还可以包括设置在第二电极上的薄膜封装层。基体基底可以包括包含中间区域和边缘区域的显示区域以及围绕显示区域的外围区域。边缘区域可以设置在外围区域与中间区域之间。薄膜封装层可以包括设置在第二电极上的第一无机层、设置在第一无机层上的有机层和在有机层上的第二无机层。有机层的在中间区域中的第一厚度可以大于有机层的在边缘区域中的第二厚度。
在实施例中，虚设图案可以是形成在过孔绝缘层上的至少一个凹槽或沟槽。
在实施例中，在显示区域中，多个像素结构可以以矩阵形式布置，并且每个像素结构可以包括薄膜晶体管、过孔和第一电极。在中间区域中，虚设图案可以不围绕过孔形成。在边缘区域中，虚设图案可以围绕过孔形成。
根据本发明构思的实施例，显示装置包括其中显示图像的显示区域和外围区域。显示区域包括边缘区域和中间区域。在中间区域中，薄膜封装层的有机层在过孔上具有第一高度。在边缘区域中的有机层在过孔上具有小于第一高度的第二高度。虚设图案可以形成在边缘区域中，或过孔的在边缘区域中的尺寸(宽度)和深度(高度)可以与过孔的在中间区域中的尺寸(宽度)和深度(高度)不同，以补偿反射率差异。因此，在没有特殊的附加工艺的情况下，能够简单地通过围绕过孔形成虚设图案来容易地控制反射率的差异。
实施例可以涉及一种显示装置。显示装置可以包括第一晶体管结构、第一像素电极、第二晶体管结构和第二像素电极。第一晶体管结构可以包括第一漏电极。第一像素电极可以位于显示装置的边缘与显示装置的中心之间，并且可以包括第一凹入结构。第一凹入结构可以直接地接触第一漏电极。第二晶体管结构可以包括第二漏电极。第二像素电极可以位于显示装置的边缘与第一像素电极之间，并且可以包括至少一个凹入结构。至少一个凹入结构可以包括第二凹入结构。第二凹入结构可以直接地接触第二漏电极的面。第一方向可以与第二漏电极的面平行。至少一个凹入结构的在第一方向上的总的最大宽度可以大于第一凹入结构的在第一方向上的最大宽度。参照图3A和图3B，对应于图3B中所示的VIA和DM的181的凹入结构的总的最大宽度大于对应于图3A中所示的VIA的181的凹入结构的最大宽度。参照图6A和图6B，对应于图6B中所示的VIA的181的凹入结构的总的最大宽度大于对应于图6A中所示的VIA的181的凹入结构的最大宽度。
显示装置可以包括有机层。有机层的第一部分可以与第一像素电极叠置。有机层的第二部分可以与第二像素电极叠置，并且可以在第二方向上比有机层的第一部分薄。第二方向可以垂直于第一方向。
有机层可以通过单体的聚合形成。
至少一个凹入结构还可以包括第三凹入结构。在第二方向上，第二凹入结构可以比第三凹入结构深。第二方向可以垂直于第一方向。
显示装置可以包括第三晶体管结构和第三像素电极。第三晶体管结构可以包括第三漏电极。第三像素电极可以位于显示装置的边缘与第二像素电极之间，可以包括第三凹入结构，并且可以包括一个或更多个附加凹入结构。第三凹入结构可以直接地接触第三漏电极。第三像素电极的凹入结构的总数量可以大于第二像素电极的凹入结构的总数量。
显示装置可以包括第三晶体管结构和第三像素电极。第三晶体管结构可以包括第三漏电极。第三像素电极可以位于显示装置的边缘与第二像素电极之间，并且可以包括第三凹入结构。第三凹入结构可以直接地接触第三漏电极。第二像素电极还可以包括第四凹入结构。第三像素电极还可以包括第五凹入结构。在第二方向上，第五凹入结构可以比第四凹入结构深。第二方向可以垂直于第一方向。
至少一个凹入结构还可以包括围绕第二凹入结构的第三凹入结构。
至少一个凹入结构还可以包括第三凹入结构。第三凹入结构可以与第二漏电极叠置。
至少一个凹入结构还可以包括多个围绕的凹入结构。围绕的凹入结构可以彼此间隔开并且围绕第二凹入结构。在显示装置的平面图中，围绕的凹入结构中的每个可以小于第二凹入结构。
显示装置可以包括具有部分地暴露第二像素电极的开口的像素限定层。至少一个凹入结构还可以包括第三凹入结构。像素限定层的一部分可以位于第三凹入结构内部。
第二凹入结构的在第一方向上的最大宽度可以大于第一凹入结构的在第一方向上的最大宽度。
至少一个凹入结构还可以包括在第一方向上均比第二凹入结构窄的第三凹入结构和第四凹入结构。第二凹入结构可以位于第三凹入结构与第四凹入结构之间。
显示装置可以包括第三晶体管结构和第三像素电极。第三晶体管结构可以包括第三漏电极。第三像素电极可以位于显示装置的边缘与第二像素电极之间，并且可以包括第三凹入结构。第三凹入结构可以直接地接触第三漏电极。第二像素电极还可以包括第四凹入结构。第三像素电极还可以包括第五凹入结构。在第一方向上，第五凹入结构可以比第四凹入结构宽。
显示装置可以包括有机层。有机层的第一部分可以与第一像素电极叠置。有机层的第二部分可以与第二像素电极叠置。有机层的第二部分的反射率可以大于有机层的第一部分的反射率。
显示装置的第一部分可以包括第一像素电极。显示装置的第二部分可以包括第二像素电极。显示装置的第二部分的最大厚度可以小于显示装置的第一部分的最大厚度。
第二凹入结构与第二漏电极之间的总的直接接触区域可以比第一凹入结构与第一漏电极之间的总的直接接触区域宽。
至少一个凹入结构还可以包括第三凹入结构，所述第三凹入结构与第二凹入结构间隔开并且在显示装置的平面图中与第二凹入结构同心。
第一晶体管结构还可以包括连接到第一漏电极的第一半导体构件。第二晶体管结构还可以包括连接到第二漏电极的第二半导体构件。第二凹入结构与第二半导体构件之间的总的叠置部分可以比第一凹入结构与第一半导体构件之间的总的叠置部分宽。
至少一个凹入结构还可以包括第三凹入结构。第二晶体管结构还可以包括连接到第二漏电极的半导体构件。第二凹入结构和第三凹入结构两者可以与半导体构件叠置。
显示装置可以包括与第二像素电极叠置的发光层。至少一个凹入结构还可以包括与第二凹入结构间隔开的第三凹入结构。第三凹入结构的至少一部分可以位于第二凹入结构与发光层之间。
附图说明
图1是示出根据实施例的显示装置的平面图。
图2是根据实施例的沿图1的线1-I'截取的剖视图。
图3A是根据实施例的图2的显示装置的中间区域MA中的像素的剖视图。
图3B是根据实施例的图2的显示装置的边缘区域EA中的像素的剖视图。
图4是示出根据实施例的图3B的显示装置的过孔VIA和围绕过孔VIA的虚设图案DM的平面图。
图5是示出根据实施例的显示装置的过孔VIA和围绕过孔VIA的虚设图案DM的平面图。
图6A是根据实施例的中间区域MA中的像素的剖视图。
图6B是根据实施例的图6A的显示装置的边缘区域EA中的像素的剖视图。
图7是根据实施例的显示装置的一部分的剖视图。
图8A至图8D是示出根据实施例的图7的显示装置的中间区域MA中的过孔VIA和示出根据实施例的图7的显示装置的第一边缘区域EA1、第二边缘区域EA2和第三边缘区域EA3中的每个中的过孔VIA和围绕过孔VIA的虚设图案DM的平面图。
图9A至图9D是示出根据实施例的显示装置的中间区域MA中的过孔VIA和示出根据实施例的显示装置的第一边缘区域EA1、第二边缘区域EA2和第三边缘区域EA3中的每个中的过孔VIA和围绕过孔VIA的虚设图案DM的剖视图。
图10A和图10B是示出反射率随着过孔的尺寸或深度增加而减小的曲线图。
图11是示出根据示例实施例的电子装置的框图。
图12A是示出其中图11的电子装置是电视机的示例的图。
图12B是示出其中图11的电子装置是智能电话的示例的图。
具体实施方式
参照附图来解释示例实施例。
尽管术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种元件，但这些元件不应该受这些术语限制。这些术语可以用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不脱离一个或更多个实施例的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。将元件描述为“第一”元件可以不需要或暗示存在第二元件或其他元件。术语“第一”、“第二”等也可以在此用于区分不同类别或不同组的元件。为了简明，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类型(或第一组)”、“第二类型(或第二组)”等。
术语“虚设图案”可以指“凹入结构”或“孔”。术语“SD图案”可以指“漏电极”。术语“薄膜晶体管”可以指“半导体构件”。术语“第一电极”可以指“像素电极”。术语“第二电极”可以指“叠置的电极”、“对电极”或“共电极”。
图1是示出根据实施例的显示装置的平面图。图2是根据实施例的沿图1的线I-I'截取的剖视图。图3A是根据实施例的图2的显示装置的中间区域MA中的像素的剖视图。图3B是根据实施例的图2的显示装置的边缘区域EA中的像素的剖视图。
参照图1和图2，显示装置可以包括用于显示图像的显示区域DA和与显示区域DA相邻的外围区域PA。外围区域PA可以是非显示区域并且可以围绕显示区域DA。
显示区域DA可以具有矩形形状，该矩形形状具有在第一方向D1和垂直于第一方向D1的第二方向D2上延伸的边缘。显示装置可以包括以矩阵形式布置的用于显示图像的像素。像素可以包括薄膜晶体管，并且可以设置在显示区域DA中。显示装置可以包括电连接到像素的数据线(未示出)。显示装置可以包括电连接到像素并且与数据线交叉的扫描线(未示出)。显示区域DA可以包括中间区域MA，并且可以包括靠近显示区域DA的边缘的边缘区域EA。边缘区域EA可以设置在中间区域MA与外围区域PA之间并且设置在中间区域MA与显示装置的边缘之间。
外围区域PA是与显示区域DA相邻的非显示区域，并且可以围绕显示区域DA。用于驱动显示区域DA的像素结构的电路结构可以形成在外围区域PA中。驱动电路芯片(未示出)可以安装在外围区域PA的一侧上。外围区域PA可以包括待连接到外部驱动基底的垫(pad，或称为“焊盘”或“焊垫”)部分PDA。
再次参照图2，显示装置可以包括基体基底100、薄膜封装层TFE以及在基体基底100与薄膜封装层TFE之间形成的结构。
薄膜封装层TFE可以包括至少一个有机层(见图3A中的220)。有机层可以通过单体的聚合形成。由于在有机层的形成期间单体的回流现象，在显示装置的显示区域DA的中间区域MA和边缘区域EA中出现厚度差。例如，有机层的中间区域MA与边缘区域EA之间的厚度差可以是约4μm(微米)。对于传统的显示装置，厚度差会导致在中间区域MA和边缘区域EA中出现光学特性的差异，导致显示质量的劣化。
根据实施例，为了防止由于中间区域MA与边缘区域EA之间的光学特性的差异而使显示质量劣化，可以实现虚设图案(见图3B中的DM)。
图3A是根据实施例的图2的显示装置的中间区域MA中的像素的剖视图。显示装置可以包括在中间区域MA中的基体基底100、薄膜晶体管TFT、绝缘层110、SD图案SD、过孔绝缘层120、发光结构180、像素限定层PDL和薄膜封装层TFE。
基体基底100可以包括一种或更多种透明或不透明绝缘材料。例如，基体基底100可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、掺氟石英基底、钠钙玻璃基底、无碱玻璃基底等中的至少一种。基体基底100可以包括诸如柔性透明树脂(例如，聚酰亚胺)的柔性透明材料。基体基底100可以包括第一聚酰亚胺层、阻挡膜层、第二聚酰亚胺层等。基体基底100可以具有其中第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层堆叠的构造。
薄膜晶体管TFT可以设置在基体基底100上。薄膜晶体管TFT可以包括非晶硅半导体、结晶硅半导体、氧化物半导体等中的至少一种。
绝缘层110可以设置在基体基底100上并且可以设置在薄膜晶体管TFT上。绝缘层110可以包括用于将薄膜晶体管TFT与其他组件绝缘的多个绝缘层。例如，绝缘层110可以包括栅极绝缘层、层间绝缘层等。绝缘层110可以包括诸如硅化合物、金属氧化物等的无机绝缘材料。
SD图案SD可以设置在绝缘层110上。SD图案SD可以通过穿过绝缘层110形成的接触孔电连接到薄膜晶体管TFT。SD图案SD可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。SD图案SD可以包括多个层。
过孔绝缘层120可以设置在绝缘层110上并且可以设置在SD图案SD上。暴露SD图案SD的过孔VIA可以穿过过孔绝缘层120来形成。过孔绝缘层120可以形成为单层结构，或者可以形成为包括至少两个绝缘层的多层结构。过孔绝缘层120可以使用诸如光致抗蚀剂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂或硅氧烷类树脂的有机材料来形成。
发光结构180可以包括第一电极181、发光层182和第二电极183。
第一电极181可以设置在过孔绝缘层120上。根据显示装置的发射类型，
第一电极181可以包括反射材料或透射材料。第一电极181可以具有可以包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜的单层结构或多层结构。
像素限定层PDL可以设置在其上设置有第一电极181的过孔绝缘层120上。像素限定层PDL可以使用有机材料来形成。例如，像素限定层PDL可以包括光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等中的至少一种。在一些示例实施例中，暴露第一电极181的开口可以通过蚀刻像素限定层PDL来形成。显示装置的发射区域和非发射区域可以由像素限定层PDL的开口限定。例如，像素限定层PDL的开口所在的部分可以对应于发射区域，而非发射区域可以对应于与像素限定层PDL的开口相邻的部分。
发光层182可以设置在第一电极181的通过像素限定层PDL的开口暴露的部分上。发光层182可以在像素限定层PDL的开口的侧壁上延伸。发光层182可以包括有机发光层(EL)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等。在一些示例实施例中，根据显示装置的彩色像素，多个有机发光层可以使用用于产生诸如红色的光、绿色的光和蓝色的光的不同颜色的光的发光材料来形成。发光层182的有机发光层可以包括用于产生红光、绿光和蓝光的多种堆叠的发光材料，从而发射白光。
第二电极183可以设置在像素限定层PDL和发光层182上。根据显示装置的发射类型，第二电极183可以包括透射材料或反射材料。第二电极183可以具有可以包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜的单层结构或多层结构。
薄膜封装层TFE可以设置在第二电极183上。薄膜封装层TFE可以防止湿气和氧从外部渗透。薄膜封装层TFE可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。有机层和无机层可以交替地堆叠。因此，薄膜封装层TFE可以包括设置在第二电极183上的第一无机层210、设置在第一无机层210上的有机层220和设置在有机层220上的第二无机层230。
有机层220可以在过孔VIA上具有第一高度h1。有机层220可以通过选自由五溴苯基丙烯酸酯、2-(9H-咔唑-9-基)甲基丙烯酸乙酯、N-乙烯基咔唑、双(甲基丙烯酰基硫代苯基)硫醚和丙烯酸锆组成的组中的至少一种单体的聚合来形成。
无机层210和230可以包括选自AlxOy、TiOx、ZrOx、SiOx、AlOxNy、AlxNy、SiOxNy、SixNy、ZnOx和TaxOy中的至少一种无机材料。
图3B是根据实施例的图2的显示装置的边缘区域EA中的像素的剖视图。图4是示出根据实施例的图3B的显示装置的过孔VIA和围绕过孔VIA的虚设图案DM的平面图。
参照图3B和图4，显示装置可以包括在边缘区域EA中的基体基底100、薄膜晶体管TFT、绝缘层110、SD图案SD、过孔绝缘层120、发光结构180、像素限定层PDL和薄膜封装层TFE。发光结构180可以包括第一电极181、发光层182和第二电极183。薄膜封装层TFE可以包括第一无机层210、有机层220和第二无机层230。
除了薄膜封装层TFE的有机层220的高度和过孔绝缘层120的虚设图案DM之外，边缘区域EA中的像素结构与中间区域MA中的像素结构基本上相同。因此，可以不重复一些解释。
在边缘区域EA中，薄膜封装层TFE的有机层220可以在过孔VIA上具有第二高度h2。第二高度h2小于第一高度h1。如上所述，有机层220可以通过单体的聚合形成。在有机层220的形成期间，会由单体的回流现象导致在中间区域(见图3A中的MA)与边缘区域EA之间的高度(厚度)差。
如果不实现虚设图案DM，由于高度差，在显示装置的中间区域和边缘区域EA中会出现反射率的明显差异。随着有机层220的厚度减小，透射率会变低，并且被吸收的光的量会变大。在没有补偿的情况下，中间区域(其中有机层220相对厚)的反射率会明显低于边缘区域EA(其中有机层220相对薄)的反射率。表1示出了各种样品的反射率值。
<表1>
Figure BDA0002260646410000101
Figure BDA0002260646410000111
在表1中，MN(8)指有机层的高度是8μm，MN(4)指有机层的高度是4μm，SCI指包括规则反射的反射率，SCE指不包括规则反射的反射率。
为了补偿反射率差异，可以不同地构造过孔VIA的尺寸(宽度)和/或深度(高度)。如图10A和图10B中所示，反射率随过孔VIA的尺寸或深度增大而减小。在实施例中，可以根据有机层220的厚度变化来补偿反射率差异。
在过孔绝缘层120上，虚设图案DM可以围绕过孔VIA形成。虚设图案DM可以是在过孔绝缘层120的顶表面上围绕过孔VIA形成的多个凹槽。通过虚设图案DM，可以获得与过孔VIA的总宽度增加的效果相似的效果。具体地，在过孔绝缘层120上的第一电极181包括根据虚设图案DM的一个或更多个凹入结构，并且一个或更多个凹入结构导致不规则反射和/或被抵消的反射，从而可以降低形成虚设图案DM的边缘区域EA中的反射率。因此，能够补偿边缘区域EA与中间区域之间的反射率差异。
在边缘区域EA中，第一电极181可以与虚设图案DM叠置，从而可以形成对应于虚设图案DM的不规则部和/或凹入结构。像素限定层PDL可以设置在虚设图案DM上。
图5是示出根据实施例的显示装置的过孔VIA和围绕过孔VIA的虚设图案DM的平面图。
参照图5，除了虚设图案DM的结构之外，显示装置与图1至图4的显示装置基本上相同。因此，可以不重复一些解释。
虚设图案DM可以是围绕过孔VIA的环形沟槽。可以根据实施例来构造虚设图案DM的形状。
图6A是根据实施例的中间区域MA中的像素的剖视图。图6B是根据实施例的图6A的显示装置的边缘区域EA中的像素的剖视图。
参照图6A至图6B，显示装置可以包括在中间区域MA和边缘区域EA中的基体基底100、薄膜晶体管TFT、绝缘层110、SD图案SD、过孔绝缘层120、发光结构180、像素限定层PDL以及薄膜封装层TFE。发光结构180可以包括第一电极181、发光层182和第二电极183。薄膜封装层TFE可以包括第一无机层210、有机层220和第二无机层230。
在中间区域MA中，过孔VIA可以具有第一宽度W1，有机层220可以具有第一高度h1。在边缘区域EA中，过孔VIA可以具有大于第一宽度W1的第二宽度W2，并且有机层220可以具有小于第一高度h1的第二高度h2。由于第二宽度W2大于第一宽度W1，所以可以补偿边缘区域EA与中间区域MA之间的反射率差异。
图7是根据实施例的显示装置的一部分的剖视图。图8A至图8D是示出根据实施例的图7的显示装置的中间区域MA中的过孔VIA和示出根据实施例的图7的显示装置的第一边缘区域EA1、第二边缘区域EA2和第三边缘区域EA3中的每个中的过孔VIA和围绕过孔VIA的虚设图案DM的平面图。
参照图7至图8D，显示装置可以包括包含第一边缘区域EA1、第二边缘区域EA2和第三边缘区域EA3的边缘区域EA。第一边缘区域EA1、第二边缘区域EA2和第三边缘区域EA3可以朝向外围区域PA顺序地布置在显示区域DA中。
除了在第一边缘区域EA1、第二边缘区域EA2和第三边缘区域EA3中的虚设图案DM的尺寸或数量彼此不同之外，显示装置可以具有与参照图1至图6中的一个或更多个描述的特征类似或基本上相同的特征。因此，可以不重复一些解释。
参照图8A，在中间区域MA中，可以不围绕VIA形成虚设图案。薄膜封装层TFE的有机层在中间区域MA中可以具有第一高度h1。
参照图8B，在第一边缘区域EA1中，包括三个凹槽的虚设图案DM可以围绕过孔VIA形成。薄膜封装层TFE的有机层在第一边缘区域EA1中可以具有小于第一高度h1的第二高度h2。
参照图8C，在第二边缘区域EA2中，包括六个凹槽的虚设图案DM可以围绕过孔VIA形成。薄膜封装层TFE的有机层在第二边缘区域EA2中可以具有小于第二高度h2的第三高度h3。
参照图8D，在第三边缘区域EA3中，包括九个凹槽的虚设图案DM可以围绕过孔VIA形成。薄膜封装层TFE的有机层在第三边缘区域EA3中可以具有小于第三高度h3的第四高度h4。
根据实施例，随着薄膜封装层TFT的有机层的厚度在边缘区域EA中变小，虚设图案DM的尺寸或数量变大，从而可以补偿根据有机层的厚度的反射率差异。
图9A至图9D是示出根据实施例的显示装置的中间区域MA中的过孔VIA和根据实施例的显示装置的第一边缘区域EA1、第二边缘区域EA2和第三边缘区域EA3中的每个中的过孔VIA和围绕过孔VIA的虚设图案DM的剖视图。
参照图9A至图9D，除了虚设图案DM的在第一边缘区域EA1、第二边缘区域EA2和第三边缘区域EA3中的深度彼此不同之外，显示装置可以具有与参照图1至图8中的一个或更多个描述的特征类似或基本上相同的特征。因此，可以不重复一些解释。
参照图9A，在中间区域MA中，可以不围绕过孔VIA形成虚设图案。
参照图9B，在第一边缘区域EA1中，具有第一深度d1的虚设图案DM可以围绕过孔VIA形成。
参照图9C，在第二边缘区域EA2中，具有大于第一深度d1的第二深度d2的虚设图案DM可以围绕过孔VIA形成。
参照图9D，在第三边缘区域EA3中，具有大于第二深度d2的第三深度d3的虚设图案DM可以围绕过孔VIA形成。
根据实施例，随着薄膜封装层TFT的有机层的厚度在边缘区域EA中变小，虚设图案DM的深度变大，从而可以补偿根据有机层的厚度的反射率差异。
在实施例中，虚设图案DM的尺寸和/或深度可以朝着外围区域PA逐渐增大。在实施例中，过孔VIA的尺寸和/或深度可以朝着外围区域PA逐渐增大。
根据实施例，显示装置包括显示区域(其中显示图像)和外围区域。显示区域包括边缘区域和中间区域。在中间区域中，薄膜封装层的有机层在过孔上具有第一高度。边缘区域中的有机层在过孔上具有小于第一高度的第二高度。虚设图案可以形成在边缘区域中，或边缘区域中的过孔的尺寸(宽度)和深度(高度)可以与中间区域中的过孔的尺寸(宽度)和深度(高度)不同，以补偿反射率差异。有利地，在没有附加工艺的情况下，可以获得基本上均匀的反射率。
图11是示出根据示例实施例的电子装置的框图。图12A是示出其中图11的电子装置是电视机的示例的图。图12B是示出其中图11的电子装置是智能电话的示例的图。
参照图11至图12B，电子装置500可以包括处理器510、存储器装置520、存储装置530、输入/输出(I/O)装置540、电源550和显示装置560。显示装置560可以对应于图1的显示装置。电子装置500还可以包括用于与视频卡、声卡、存储器卡、通用串行总线(USB)装置、其他电子装置等中的一个或更多个通信的多个端口。在示例实施例中，如图12A中所示，电子装置500可以是电视机。在另一示例实施例中，如图12B中所示，电子装置500可以是智能电话。电子装置500可以是蜂窝电话、可视电话、智能平板计算机、智能手表、平板PC、汽车导航系统、计算机显示器、膝上型计算机、头戴式显示器(HMD)等中的一个。
处理器510可以执行各种计算功能。处理器510可以是微处理器、中央处理单元(CPU)、应用处理器(AP)等。处理器510可以经由地址总线、控制总线、数据总线等结合到其他组件。另外，处理器510可以结合到诸如外围组件互连(PCI)总线的扩展总线。存储器装置520可以储存用于电子装置500的操作的数据。例如，存储器装置520可以包括至少一个非易失性存储器装置(诸如可擦除可编程只读存储器(EPROM)装置、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)装置、闪存存储器装置、相变随机存取存储器(PRAM)装置、电阻随机存取存储器(RRAM)装置、纳米浮栅存储器(NFGM)装置、聚合物随机存取存储器(PoRAM)装置、磁随机存取存储器(MRAM)装置、铁电随机存取存储器(FRAM)装置等)和/或至少一个易失性存储器装置(诸如动态随机存取存储器(DRAM)装置、静态随机存取存储器(SRAM)装置、移动DRAM装置等)。存储装置530可以包括固态驱动器(SSD)装置、硬盘驱动器(HDD)装置、CD-ROM装置等。I/O装置540可以包括诸如键盘、小键盘、鼠标装置、触摸板、触摸屏等的输入装置和诸如打印机、扬声器等的输出装置。电源550可以为电子装置500的操作提供电力。
显示装置560可以经由总线或其他通信链路结合到其他组件。显示装置560可以包括在I/O装置540中。如上所述，虚设图案可以形成在边缘区域中，或可以调整过孔的尺寸(宽度)和深度(高度)以补偿整个显示区域上的反射率差异。
实施例可以应用到有机发光显示装置和各种电子装置。例如，实施例可以应用到移动电话、智能电话、可视电话、智能平板计算机、智能手表、平板PC、汽车导航系统、电视机、计算机显示器、笔记本计算机等。
先前所述是说明性的并且不解释成为限制。尽管已经描述了一些示例实施例，但许多修改是可能的。所有这样的修改意图被包括在权利要求中限定的范围之内。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体基底，包括包含中间区域和边缘区域的显示区域以及围绕所述显示区域的外围区域；
多个薄膜晶体管，设置在所述中间区域和所述边缘区域中；
绝缘层，设置在所述薄膜晶体管上；
多个SD图案，设置在所述绝缘层上，并且分别电连接到所述多个薄膜晶体管；以及
过孔绝缘层，设置在其上设置有所述SD图案的所述绝缘层上，并且具有分别暴露所述多个SD图案的多个过孔，
其中，所述边缘区域设置在所述外围区域与所述中间区域之间，并且
虚设图案在所述过孔绝缘层上在所述边缘区域中围绕所述过孔形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述过孔绝缘层上的薄膜封装层，
其中，所述薄膜封装层包括第一无机层、在所述第一无机层上的有机层和设置在所述有机层上的第二无机层，并且
所述有机层的在所述中间区域中的第一厚度大于所述有机层的在所述边缘区域中的第二厚度。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述有机层通过单体的聚合形成。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述虚设图案是形成在所述过孔绝缘层上的至少一个凹槽。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述边缘区域包括与所述中间区域相邻的第一边缘区域和与所述外围区域相邻的第二边缘区域，
所述虚设图案的在所述第二边缘区域中的所述凹槽的数量大于所述虚设图案的在所述第一边缘区域中的所述凹槽的数量。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述边缘区域包括与所述中间区域相邻的第一边缘区域和与所述外围区域相邻的第二边缘区域，
所述虚设图案在所述第一边缘区域中具有第一深度，并且在所述第二边缘区域中具有大于所述第一深度的第二深度。
7.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述虚设图案是围绕所述过孔并且形成在所述过孔绝缘层上的沟槽。
8.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一晶体管结构，包括第一漏电极；
第一像素电极，位于所述显示装置的边缘与所述显示装置的中心之间，并且包括第一凹入结构，其中，所述第一凹入结构直接地接触所述第一漏电极；
第二晶体管结构，包括第二漏电极；以及
第二像素电极，位于所述显示装置的所述边缘与所述第一像素电极之间，并且包括至少一个凹入结构，其中，所述至少一个凹入结构包括第二凹入结构，其中，所述第二凹入结构直接地接触所述第二漏电极的面，其中，第一方向平行于所述第二漏电极的所述面，并且其中，所述至少一个凹入结构在所述第一方向上的总的最大宽度大于所述第一凹入结构在所述第一方向上的最大宽度。
9.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括有机层，其中，所述有机层的第一部分与所述第一像素电极叠置，其中，所述有机层的第二部分与所述第二像素电极叠置并且在第二方向上比所述有机层的所述第一部分薄，并且其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述有机层通过单体的聚合形成。
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