CN112530995A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112530995A
CN112530995A CN202010945531.3A CN202010945531A CN112530995A CN 112530995 A CN112530995 A CN 112530995A CN 202010945531 A CN202010945531 A CN 202010945531A CN 112530995 A CN112530995 A CN 112530995A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
contact portion
emitting layer
display device
connection electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010945531.3A
Other languages
English (en)
Inventor
方珍淑
任相薰
金东勋
郑鎭旭
崔眞荣
洪银政
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN112530995A publication Critical patent/CN112530995A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

显示装置包括基础衬底、薄膜晶体管、绝缘层、连接电极、第一通孔绝缘层、第一电极、发光层和第二电极，其中，薄膜晶体管布置在基础衬底上并且包括有源图案，绝缘层布置在薄膜晶体管的有源图案上，连接电极布置在绝缘层上并且电连接到薄膜晶体管，其中，连接电极包括弯折布线部，第一通孔绝缘层覆盖连接电极，第一电极布置在第一通孔绝缘层上，发光层布置在第一电极上并且与连接电极至少部分地重叠，并且第二电极布置在发光层上。

Description

显示装置
技术领域
本发明概念的示例性实施方式总体上涉及显示装置。更具体地，本发明概念的示例性实施方式涉及具有连接电极的显示装置。
背景技术
随着技术的改善，正在生产具有更小尺寸、更轻重量和更好性能的显示产品。常规的阴极射线管(CRT)电视由于其性能和价格而已被广泛用于显示装置。然而，近来，诸如等离子显示装置、液晶显示装置和有机发光二极管显示装置的显示装置已被越来越多地使用，因为当与CRT相比时，这些显示装置提供了增加的小型化或便携性，重量轻，并且具有相对低的功耗。
有机发光二极管显示装置通常包括衬底、布置在衬底上的多个布线和布置在布线上的发光结构物。
发明内容
根据本发明概念的示例性实施方式，显示装置包括基础衬底、薄膜晶体管、绝缘层、连接电极、第一通孔绝缘层、第一电极、发光层和第二电极，其中，薄膜晶体管布置在基础衬底上并且包括有源图案，绝缘层布置在薄膜晶体管的有源图案上，连接电极布置在绝缘层上并且电连接到薄膜晶体管，其中，连接电极包括弯折布线部，第一通孔绝缘层覆盖连接电极，第一电极布置在第一通孔绝缘层上，发光层布置在第一电极上并且与连接电极至少部分地重叠，并且第二电极布置在发光层上。
在本发明概念的示例性实施方式中，显示装置还包括多个数据线，其中，多个数据线沿着第一方向排列，其中，多个数据线中的每个在与第一方向相交的第二方向上延伸，其中，连接电极包括第一接触部、在第二方向上与第一接触部间隔开的第二接触部以及将第一接触部连接到第二接触部的弯折布线部。
在本发明概念的示例性实施方式中，多个数据线中与连接电极相邻的数据线包括直线部和连接到直线部的弯折线部，其中，弯折线部与连接电极的弯折布线部相邻。
在本发明概念的示例性实施方式中，发光层包括配置成发射蓝色光的蓝色发光层。
在本发明概念的示例性实施方式中，显示装置还包括红色发光层和绿色发光层，其中，红色发光层与蓝色发光层间隔开并且配置成发射红色光，并且绿色发光层与蓝色发光层和红色发光层间隔开并且配置成发射绿色光，其中，蓝色发光层的厚度小于红色发光层和绿色发光层的每个的厚度。
在本发明概念的示例性实施方式中，显示装置还包括多个电源线，其中，多个电源线沿着第一方向排列，其中，多个电源线中的每个在与第一方向相交的第二方向上延伸，其中，连接电极包括第一接触部、在第二方向上与第一接触部间隔开的第二接触部以及将第一接触部连接到第二接触部的弯折布线部，并且其中，多个电源线中与连接电极相邻的电源线包括直线部和连接到直线部的弯折线部，其中，弯折线部与连接电极的弯折布线部相邻。
在本发明概念的示例性实施方式中，连接电极包括第一接触部、与第一接触部间隔开的第二接触部以及将第一接触部连接到第二接触部的弯折布线部，并且其中，弯折布线部具有环形形状。
在本发明概念的示例性实施方式中，弯折布线部与发光层重叠。
在本发明概念的示例性实施方式中，连接电极包括第一接触部、与第一接触部间隔开的第二接触部以及将第一接触部连接到第二接触部的弯折布线部，并且其中，弯折布线部具有弯折形状。
在本发明概念的示例性实施方式中，显示装置还包括源电极、漏电极和第二通孔绝缘层，其中，源电极和漏电极布置在基础衬底与连接电极之间，并且第二通孔绝缘层布置在源电极及漏电极与连接电极之间，其中，连接电极通过穿过第二通孔绝缘层形成的接触孔电连接到漏电极。
在本发明概念的示例性实施方式中，连接电极包括接触部和连接到接触部的弯折布线部，并且其中，连接电极的接触部通过穿过第一通孔绝缘层形成的接触孔电连接到第一电极。
在本发明概念的示例性实施方式中，连接电极的弯折布线部具有环形形状，并且其中，弯折布线部与发光层重叠。
在本发明概念的示例性实施方式中，连接电极的弯折布线部具有弯折形状，并且其中，弯折布线部与发光层重叠。
在本发明概念的示例性实施方式中，连接电极包括第一接触部、与第一接触部间隔开的第二接触部以及将第一接触部连接到第二接触部的弯折布线部，并且其中，第一接触部和第二接触部中的每个通过穿过第二通孔绝缘层形成的接触孔电连接到另一层的导电图案。
在本发明概念的示例性实施方式中，第一通孔绝缘层的顶表面上形成有与连接电极对应的凹凸部。
在本发明概念的示例性实施方式中，第一电极的顶表面上形成有与第一通孔绝缘层的凹凸部对应的凹凸部。
根据本发明概念的示例性实施方式，显示装置包括基础衬底、薄膜晶体管、绝缘层、连接电极、通孔绝缘层、第一电极、发光层和第二电极，其中，薄膜晶体管布置在基础衬底上并且包括有源图案，绝缘层布置在薄膜晶体管的有源图案上，连接电极布置在绝缘层上并且电连接到薄膜晶体管，其中，连接电极包括包含有在第一方向上延伸的横向部的虚设部，通孔绝缘层覆盖连接电极，第一电极布置在通孔绝缘层上，发光层布置在第一电极上并且与连接电极的虚设部重叠，并且第二电极布置在发光层上。
在本发明概念的示例性实施方式中，虚设部还包括在与第一方向实质上垂直的第二方向上延伸的纵向部。
在本发明概念的示例性实施方式中，连接电极还包括第一接触部、在第二方向上与第一接触部间隔开的第二接触部以及将第一接触部连接到第二接触部的连接布线部，并且其中，虚设部从第一接触部、第二接触部或连接布线部延伸，并且其中，虚设部与发光层重叠。
在本发明概念的示例性实施方式中，发光层为配置成发射蓝色光的蓝色发光层，其中，显示装置还包括与蓝色发光层间隔开并且配置成发射红色光的红色发光层以及与蓝色发光层和红色发光层间隔开并且配置成发射绿色光的绿色发光层，并且其中，蓝色发光层的厚度小于红色发光层和绿色发光层的每个的厚度。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的示例性实施方式，本发明概念的上述和其它特征将变得更加明确，在附图中：
图1是示出根据本发明概念的示例性实施方式的显示装置的框图；
图2是示出包括在图1的显示装置中的像素的实例的电路图；
图3是示出根据本发明概念的示例性实施方式的显示装置的剖面图；
图4是示出图3的显示装置的源-漏导电层、像素电极和发光层的平面图；
图5A、图5B、图5C和图5D是示出根据本发明概念的示例性实施方式的显示装置的连接电极的各种实例的平面图；
图6是根据本发明概念的示例性实施方式的显示装置的剖面图；
图7是示出图6的显示装置的电极、像素电极和发光层的平面图；
图8是示出根据本发明概念的示例性实施方式的电子装置的框图；
图9A是示出图8的电子装置实现为电视的实例的图；以及
图9B是示出图8的电子装置实现为智能电话的实例的图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图对本发明概念的示例性实施方式进行详细解释。
图1是示出根据本发明概念的示例性实施方式的显示装置的框图。
参照图1，显示装置可包括显示面板10、扫描驱动器20、数据驱动器30、发射控制驱动器40和控制器50。
显示面板10可包括用于显示图像的多个像素PX。例如，显示面板10可包括位于扫描线SL1至SLn与数据线DL1至DLm之间的相交部分处的n×m个像素PX(例如，其中n和m分别是大于1的整数)。将参照图2对像素PX的结构进行详细描述。
扫描驱动器20可基于第一控制信号CTL1，通过扫描线SL1至SLn将第一扫描信号顺序地提供给像素PX，并且通过反相扫描线/SL1至/SLn将第二扫描信号顺序地提供给像素PX。例如，第二扫描信号可为第一扫描信号的反相信号。
数据驱动器30可基于第二控制信号CTL2，通过数据线DL1至DLm将数据信号提供给像素PX。
发射控制驱动器40可基于第三控制信号CTL3，通过发射控制线EM1至EMn将发射控制信号顺序地提供给像素PX。
控制器50可控制扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40。控制器50可生成第一控制信号CTL1至第三控制信号CTL3以分别控制扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40。例如，用于控制扫描驱动器20的第一控制信号CTL1可包括扫描起始信号、扫描时钟信号和类似物。例如，用于控制数据驱动器30的第二控制信号CTL2可包括图像数据、水平起始信号和类似物。例如，用于控制发射控制驱动器40的第三控制信号CTL3可包括发射控制起始信号、发射控制时钟信号和类似物。
另外，显示装置还可包括配置成将第一电源电压ELVDD、第二电源电压ELVSS和初始化电压VINT供给到显示面板10的电源单元。
图2是示出包括在图1的显示装置中的像素的实例的电路图。
参照图2，像素PX可包括第一晶体管T1至第七晶体管T7、存储电容器CST和有机发光二极管OLED。像素PX可位于第i像素行(例如，其中，i是在1与n之间的整数)和第j像素列(例如，其中，j是在1与m之间的整数)。
第一晶体管T1可为配置成将与接收到的数据信号对应的驱动电流提供给有机发光二极管OLED的驱动晶体管。第一晶体管T1可包括连接到第一节点N1的栅电极、连接到第二节点N2的第一电极和连接到第三节点N3的第二电极。
第二晶体管T2可响应于第一扫描信号GS1而将数据信号提供给第一晶体管T1。在本发明概念的示例性实施方式中，第二晶体管T2可包括配置成从第i扫描线SLi接收第一扫描信号GS1的栅电极、配置成从第j数据线DLj接收数据信号的第一电极以及连接到第一晶体管T1的第一电极的第二电极。例如，第二晶体管T2的第二电极可连接到第二节点N2。
第三晶体管T3可响应于第二扫描信号GS2而将第一晶体管T1的第二电极连接到第一晶体管T1的栅电极。在本发明概念的示例性实施方式中，第三晶体管T3可包括配置成从第i反向扫描线/SLi接收第二扫描信号GS2的栅电极、连接到第一晶体管T1的第二电极的第一电极以及连接到第一晶体管T1的栅电极的第二电极。例如，第三晶体管T3的第一电极可连接到第三节点N3。例如，第三晶体管T3的第二电极可连接到第一节点N1。
第四晶体管T4可响应于第三扫描信号GS3而将初始化电压VINT施加到第一晶体管T1的栅电极。在本发明概念的示例性实施方式中，第四晶体管T4可包括栅电极、连接到初始化电压VINT的第一电极以及在第一节点N1处连接到第一晶体管T1的栅电极的第二电极。第四晶体管T4的栅电极配置成从第(i-1)反向扫描线/SL(i-1)接收第三扫描信号GS3。
第五晶体管T5可响应于发射控制信号而将第一电源电压ELVDD施加到第一晶体管T1的第一电极。在本发明概念的示例性实施方式中，第五晶体管T5可包括栅电极、连接到第一电源电压ELVDD的第一电极以及在第二节点N2处连接到第一晶体管T1的第一电极的第二电极。第五晶体管T5的栅电极配置成从第i发射控制线EMi接收发射控制信号。
第六晶体管T6可响应于发射控制信号而将第一晶体管T1的第二电极连接到有机发光二极管OLED的第一电极。在本发明概念的示例性实施方式中，第六晶体管T6可包括栅电极、在第三节点N3处连接到第一晶体管T1的第二电极的第一电极以及在第四节点N4处连接到有机发光二极管OLED的第一电极的第二电极。第六晶体管T6的栅电极配置成从第i发射控制线EMi接收发射控制信号。
第七晶体管T7可响应于第四扫描信号GS4而将初始化电压VINT施加到有机发光二极管OLED的第一电极。在本发明概念的示例性实施方式中，第七晶体管T7可包括栅电极、连接到初始化电压VINT的第一电极以及连接到有机发光二极管OLED的第一电极(即，第四节点N4)的第二电极。第七晶体管T7的栅电极配置成从第(i-1)反相扫描线/SL(i-1)接收第四扫描信号GS4。
存储电容器CST可包括连接到第一电源电压ELVDD的第一电极以及在第一节点N1处连接到第一晶体管T1的栅电极的第二电极。
图3是示出根据本发明概念的示例性实施方式的显示装置的剖面图。
参照图3，显示装置可包括基础衬底100、缓冲层110、有源图案ACT、第一绝缘层120、栅极导电层、第二绝缘层130、源-漏导电层、通孔绝缘层VIA、像素限定层PDL、发光结构物180和薄膜封装层TFE。
基础衬底100可由透明或不透明的材料形成。例如，基础衬底100可包括石英衬底、合成石英衬底、氟化钙衬底、掺杂氟石英衬底(例如，掺杂F石英衬底)、钠钙玻璃衬底、非碱性玻璃衬底和类似物。在本发明概念的示例性实施方式中，基础衬底100可为具有柔性的透明树脂衬底。可用作基础衬底100的透明树脂衬底的实例包括聚酰亚胺衬底。
缓冲层110可布置在基础衬底100上。缓冲层110可防止金属原子或杂质从基础衬底100扩散到有源图案ACT中，并且可在用于形成有源图案ACT的结晶化工艺期间控制传热率以获得实质上均匀的有源图案ACT。另外，当基础衬底100的表面不均匀时，缓冲层110可用于增加基础衬底100的表面的平坦度。例如，缓冲层110可使基础衬底100的上表面平坦化。
薄膜晶体管TFT的有源图案ACT可布置在缓冲层110上。例如，有源图案ACT可包括多晶硅。有源图案ACT可包括掺杂有杂质的漏区D和源区S以及布置在漏区D与源区S之间的沟道区C。例如，多晶硅可通过沉积非晶硅并且使非晶硅结晶化来形成。在本发明概念的示例性实施方式中，有源图案ACT可包括氧化物半导体。例如，氧化物半导体可为包括包含有锡(Sn)、铟(In)，锌(Zn)、镓(Ga)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)和类似物的二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)、四元化合物(ABxCyDz)和类似物的半导体氧化物层。
第一绝缘层120可布置在有源图案ACT上。例如，第一绝缘层120可沿着有源图案ACT的轮廓以实质上均匀的厚度布置以覆盖缓冲层110上的有源图案ACT。另外，第一绝缘层120可覆盖缓冲层110上的有源图案ACT，并且可具有实质上平坦的顶表面，而不会在有源图案ACT周围产生台阶。第一绝缘层120可包括诸如硅化合物和金属氧化物的无机绝缘材料。
栅极导电层可布置在第一绝缘层120上。栅极导电层可包括薄膜晶体管TFT的栅电极GE。栅极导电层可通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料和类似物来形成。
第二绝缘层130可覆盖第一绝缘层120上的栅极导电层，并且可具有实质上平坦的顶表面，而不会在栅极导电层周围产生台阶。另外，第二绝缘层130可沿着栅极导电层的轮廓以实质上均匀的厚度布置以覆盖第一绝缘层120上的栅极导电层。第二绝缘层130可包括诸如硅化合物和金属氧化物的无机绝缘材料。
源-漏导电层可布置在第二绝缘层130上。源-漏导电层可包括连接电极CE和接触焊盘CP。源-漏导电层还可包括信号线和电压线，诸如数据线(例如，参见图4的DL)和电源线(例如，参见图4的PL)。源-漏导电层可通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料和类似物来形成。连接电极CE和接触焊盘CP可各自通过形成在第一绝缘层120和第二绝缘层130中的相应的接触孔分别与源区S和漏区D接触。
通孔绝缘层VIA可布置在源-漏导电层上。通孔绝缘层VIA可具有单层结构，并且也可具有包括至少两个绝缘膜的多层结构。通孔绝缘层VIA可通过使用诸如光致抗蚀剂、丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和硅氧烷基树脂的有机材料来形成。
发光结构物180可包括第一电极181、发光层182和第二电极183。
第一电极181可布置在通孔绝缘层VIA上。另外，第一电极181可通过形成在通孔绝缘层VIA中的接触孔连接到接触焊盘CP。取决于显示装置的发光方案，第一电极181可通过使用例如反射材料或透射材料来形成。在本发明概念的示例性实施方式中，第一电极181可具有包括例如金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电材料膜的单层结构或多层结构。
像素限定层PDL可布置在其上布置有第一电极181的通孔绝缘层VIA上。像素限定层PDL可通过使用有机材料、无机材料和类似物来形成。例如，像素限定层PDL可通过使用光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯基树脂、聚酰亚胺基树脂、丙烯酸基树脂、硅化合物和类似物来形成。在本发明概念的示例性实施方式中，可对像素限定层PDL进行蚀刻以形成使第一电极181部分地露出的开口。显示装置的发射区域和非发射区域可通过像素限定层PDL的开口来形成。例如，像素限定层PDL的开口可对应于发射区域，并且非发射区域可对应于像素限定层PDL的、与像素限定层PDL的开口相邻的部分。
发光层182可布置在通过像素限定层PDL的开口露出的第一电极181上。例如，发光层182可布置在像素限定层PDL的开口中。另外，发光层182可延伸到像素限定层PDL的开口的侧壁上。在本发明概念的示例性实施方式中，发光层182可具有包括有机发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和类似物的多层结构。在本发明概念的示例性实施方式中，除了有机发光层以外，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和类似物可共同地形成为对应于多个像素。发光层182的有机发光层可通过使用根据显示装置的每个像素而生成不同颜色的光(例如，红色光、绿色光和蓝色光)的发光材料来形成(例如，参见图4的182a、182b和182c)。
第二电极183可布置在像素限定层PDL和发光层182上。取决于显示装置的发光方案，第二电极183可包括透射材料或反射材料。在本发明概念的示例性实施方式中，第二电极183可具有包括例如金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电材料膜的单层结构或多层结构。
薄膜封装层TFE可布置在第二电极183上。薄膜封装层TFE可防止湿气和氧从外部渗透显示装置。薄膜封装层TFE可包括至少一个有机层和至少一个无机层。至少一个有机层和至少一个无机层可被彼此交替地堆叠。例如，薄膜封装层TFE可包括两个无机层和布置在它们之间的一个有机层，但是本发明概念不限于此。在本发明概念的示例性实施方式中，可提供密封衬底来代替薄膜封装层以阻挡外气和湿气渗透到显示装置中。
图4是示出图3的显示装置的源-漏导电层、像素电极和发光层的平面图。在图4中，平面图示出了与一个红色子像素(参见182a)、一个蓝色子像素(参见182c)和四个绿色子像素(参见182b)对应的区域。
参照图3和图4，源-漏导电层可包括数据线DL、电源线PL、接触焊盘CP和连接电极CE。
数据线DL可在第二方向D2上延伸。数据线DL可具有实质上直线的形状。另外，数据线DL可包括弯折线部DLb和连接到弯折线部DLb的直线部DLa。另外，数据线DL与作为发射区域的发光层182c相邻。例如，直线部DLa与弯折线部DLb之间的连接与发光层182c相邻。
电源线PL可在第一方向D1上与第一数据线DL间隔开的同时在第二方向D2上延伸。另外，电源线PL可包括弯折线部PLb和连接到弯折线部PLb的直线部PLa。另外，电源线PL与作为发射区域的发光层182c相邻。例如，直线部PLa与弯折线部PLb之间的连接与发光层182c相邻。
上述的配置是为了当连接电极CE具有在与第二方向D2实质上垂直的第一方向D1上增加的尺寸的环形的形状或类似形状时，防止连接电极CE在没有设计余量的情况下与数据线DL或电源线PL相邻。
红色子像素可包括第一电极181a、红色发光层182a和第二电极。绿色子像素可包括第一电极181b、绿色发光层182b和第二电极。蓝色子像素可包括第一电极181c、蓝色发光层182c和第二电极。
在蓝色子像素中，接触焊盘CP可通过穿过通孔绝缘层VIA(例如，参见图3)形成的接触孔电连接到第一电极181c。接触焊盘CP可不与布置在像素限定层PDL的开口中的蓝色发光层182c重叠。
另外，在红色子像素或绿色子像素中，与相应的像素对应的接触焊盘CP可分别通过穿过通孔绝缘层VIA形成的接触孔电连接到第一电极181a和181b。接触焊盘CP可不与红色发光层182a和绿色发光层182b重叠。
连接电极CE可与蓝色发光层182c重叠。连接电极CE可包括第一接触部、在第二方向D2上与第一接触部间隔开的第二接触部以及将第一接触部连接到第二接触部的弯折布线部。下面将参照图5C和图5D对该配置进行详细描述。
连接电极CE可形成为对应于子像素中的每个，并且与蓝色发光层182c重叠的连接电极CE可包括弯折布线部。相应地，与连接电极CE对应的凹凸部可形成在通孔绝缘层VIA的顶表面(例如，参见图3的通孔绝缘层VIA的顶表面)上。例如，通孔绝缘层VIA的顶表面可为不平坦的并且包括突起和凹陷。由于通孔绝缘层VIA未被完全平坦化，因此通孔绝缘层VIA可具有沿着作为布置在通孔绝缘层VIA下方的布线的连接电极CE的倾斜部(例如，凹凸部)，并且与通孔绝缘层VIA的凹凸部对应的凹凸部可形成在第一电极181c的顶表面(例如，参见图3的181的顶表面)上。
例如，连接电极CE是源-漏导电层的一部分，并且源-漏导电层通常在第二方向D2上延伸，其中，白角差(White Angular Difference，WAD)可根据方位角而变化。例如，当从显示装置的左侧或右侧倾斜地观察显示装置时，以及从显示装置的上侧或下侧倾斜地观察显示装置时，可能发生WAD的偏差。
根据本实施方式，连接电极CE包括弯折布线部，以使得凹凸部可形成为弯折线。相应地，可改善WAD分布，并且可减少根据方位角的亮度和色坐标的变化。
此处，WAD是用于评估相对于有机发光二极管显示装置的白光发射特性根据观察角度的变化的因素，并且是用于检查广视角的改善程度的指标。例如，参考WAD，与不应用根据本发明概念的示例性实施方式的连接电极的形状结构的情况相比，可减小基于与显示装置的屏幕垂直的前侧的根据观察角的变化的亮度变化和色坐标变化，从而可提高显示品质。
此处，随着WAD改善率变高，与从显示装置的前侧观察显示装置的情况相比，当从显示装置的侧面倾斜地观察显示装置时，亮度变化和色坐标变化中没有很大差异。
另外，由于通过连接电极CE的弯折布线部在第一电极的顶表面上形成的凹凸部，可减小根据方位角的亮度和色坐标的变化。换言之，当在诸如上、下、左和右方向的各种方向上倾斜地观察显示装置时，可减小根据观察方位角的变化的亮度变化和色坐标变化，从而可提高显示品质。
另外，蓝色发光层182c的厚度可小于红色发光层182a和绿色发光层182b中的每个的厚度。例如，绿色发光层182b的厚度可大于蓝色发光层182c的厚度，并且红色发光层182a的厚度可大于绿色发光层182b的厚度。因此，具有最小厚度的蓝色发光层182c因形成在第一电极的顶表面上的凹凸部而可具有根据方位角的大的WAD或大的偏差，并且根据方位角的WAD或偏差因连接电极CE的弯折布线部而增加。
图5A、图5B、图5C和图5D是示出根据本发明概念的示例性实施方式的显示装置的连接电极的各种实例的平面图。
参照图5A，连接电极CE可包括第一接触部CT1、在第二方向D2上与第一接触部CT1间隔开的第二接触部CT2、将第一接触部CT1连接到第二接触部CT2的连接布线部CL以及包括横向部DMa和纵向部DMb的虚设部DM，其中，横向部DMa在第一方向D1上延伸并且连接到第二接触部CT2，纵向部DMb在第二方向D2上延伸并且连接到横向部DMa。虚设部DM可与发光层182c重叠。例如，发光层182c可与虚设部DM完全重叠。
与图4中描述的弯折布线部相似地，虚设部DM可在第一电极的顶表面上形成倾斜部(凹凸部)。相应地，可改善WAD和根据方位角的亮度和色坐标中的偏差。
参照图5B，连接电极CE可包括第一接触部CT1、在第二方向D2上与第一接触部CT1间隔开的第二接触部CT2、将第一接触部CT1连接到第二接触部CT2的连接布线部CL以及包括分别从连接布线部CL在第一方向D1上向左和右延伸的第一横向部DMa1和第二横向部DMa2的虚设部。虚设部可电连接到连接电极CE的第一接触部CT1、第二接触部CT2和连接布线部CL，并且可具有除图5A和图5B中所示的形状以外的各种形状。例如，虚设部可具有弯折线形状和直线形状。
参照图5C，连接电极CE可包括第一接触部CT1、在第二方向D2上与第一接触部CT1间隔开的第二接触部CT2以及将第一接触部CT1连接到第二接触部CT2的第一弯折布线部CL1和第二弯折布线部CL2。第一弯折布线部CL1和第二弯折布线部CL2可具有环形形状。具有环形形状的第一弯折布线部CL1和第二弯折布线部CL2可与发光层182c重叠。例如，第一弯折布线部CL1和第二弯折布线部CL2可与发光层182c完全重叠。
参照图5D，连接电极CE可包括第一接触部CT1、在第二方向D2上与第一接触部CT1间隔开的第二接触部CT2以及将第一接触部CT1连接到第二接触部CT2的弯折布线部CCL。弯折布线部CCL可具有弧形形状或弯折形状。弯折布线部CCL可与发光层182c重叠。例如，发光层182c可与弯折布线部CCL完全重叠。
图6是根据本发明概念的示例性实施方式的显示装置的剖面图，并且图7是示出图6的显示装置的电极、像素电极和发光层的平面图。
参照图6和图7，显示装置可包括基础衬底100、缓冲层110、薄膜晶体管TFT的有源图案ACT、第一绝缘层120、第一栅极导电层、第二绝缘层130、第二栅极导电层、第三绝缘层140、第一源-漏导电层、第一通孔绝缘层VIA1、第二源-漏导电层、第二通孔绝缘层VIA2、像素限定层PDL、发光结构物180和薄膜封装层TFE。除了图6的显示装置还包括第二源-漏导电层以外，图6的显示装置的部件可分别与图3和图4的显示装置的部件实质上相同。因此，可省略其任何冗余描述。
第一栅导电层可包括薄膜晶体管TFT的栅电极GE。第二栅导电层可包括与栅电极GE重叠以形成存储电容器的存储电极STE。
第一源-漏导电层可包括薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE。第二源-漏导电层可包括电极EL。电极EL可包括接触部CP、在第二方向D2上与接触部CP间隔开的虚设弯折布线部DM以及将虚设弯折布线部DM连接到接触部CP的连接布线部CL。虚设弯曲布线部DM可具有弯折线形状，并且可具有例如环形形状。虚设弯曲布线部DM可与发光结构物180的发光层182重叠。例如，虚设弯曲布线部DM可与发光层182完全重叠。
电极EL的接触部CP可通过穿过第二通孔绝缘层VIA2形成的接触孔电连接到发光结构物180的第一电极181。电极EL的接触部CP可通过穿过第一通孔绝缘层VIA1形成的接触孔电连接到薄膜晶体管TFT。
在本发明概念的示例性实施方式中，电极EL可与图5A至图5D中的连接电极相似。例如，电极EL可包括第一接触部、与第一接触部间隔开的第二接触部以及将第一接触部和第二接触部彼此连接的弯折布线部。例如，第一接触部或第二接触部可连接到薄膜晶体管TFT。然而，本发明概念不限于此。例如，第一接触部和第二接触部中的每个可通过穿过第一通孔绝缘层VIA1形成的接触孔电连接到导电图案(例如，薄膜晶体管TFT)。
图8是示出根据本发明概念的示例性实施方式的电子装置的框图，图9A是示出图8的电子装置实现为电视的实例的图，并且图9B是示出图8的电子装置实现为智能电话的实例的图。
参照图8和图9，电子装置500可包括处理器510、记忆装置520、存储装置530、输入/输出(I/O)装置540、电源550和显示装置560。此处，显示装置560可为图1的显示装置。另外，电子装置500还可包括用于与例如视频卡、声卡、存储卡、通用串行总线(“USB”)装置、其它电子装置等进行通信的多个端口。在本发明概念的示例性实施方式中，如图9A中所示，电子装置500可实现为电视。在本发明概念的示例性实施方式中，如图9B中所示，电子装置500可实现为智能电话。然而，电子装置500不限于此。例如，电子装置500可实现为蜂窝电话、视频电话、智能平板、智能表、平板个人计算机(PC)、汽车导航系统、计算机显示屏、膝上型电脑、头戴式显示(HMD)装置等。
处理器510可执行各种计算功能。处理器510可为微处理器、中央处理单元(CPU)、应用处理器(AP)等。处理器510可经由地址总线、控制总线、数据总线等联接到其它部件。此外，处理器510可联接到如外围部件互连(Peripheral Component Interconnection，PCI)总线的扩展总线。记忆装置520可存储用于电子装置500的操作的数据。例如，记忆装置520可包括至少一个非易失性记忆装置和/或至少一个易失性记忆装置，其中，至少一个非易失性记忆装置诸如可擦除可编程只读记忆(EPROM)装置、电可擦除可编程只读记忆(EEPROM)装置、闪速记忆装置、相变随机存取记忆(PRAM)装置、电阻随机存取记忆(RRAM)装置、纳米浮动栅极记忆(NFGM)装置、聚合物随机存取记忆(PoRAM)装置、磁随机存取记忆(MRAM)装置、铁电随机存取记忆(FRAM)装置等，并且至少一个易失性记忆装置诸如动态随机存取记忆(DRAM)装置、静态随机存取记忆(SRAM)装置、移动DRAM装置等。例如，存储装置530可包括固态驱动(SSD)装置、硬盘驱动(HDD)装置、CD-ROM装置等。I/O装置540可包括输入装置和输出装置，其中，输入装置诸如键盘、小键盘、鼠标装置、触摸板、触摸屏等，并且输出装置诸如打印机、扬声器等。电源550可为电子装置500的操作提供电力。
显示装置560可经由总线或其它通信链路联接到其它部件。在本发明概念的示例性实施方式中，I/O装置540可包括显示装置560。如上所述，在显示装置560中，布置在发光结构物的发光层下方的源-漏导电层的连接电极包括弯折布线部或虚设部，以使得凹凸部可形成在发光结构物的第一电极的顶表面上。相应地，可改善WAD分布，并且可减少根据方位角的亮度和色坐标的变化。由于在上文中描述了这些，所以不对与其相关的重复描述进行复述。
本发明概念的实施方式可应用于显示装置和包括显示装置的电子装置。例如，本发明概念可应用于智能电话、蜂窝电话、视频电话、智能平板、智能表、平板电脑、汽车导航系统、电视、计算机显示屏、膝上型电脑、头戴式显示装置等。
虽然已参照本发明概念的示例性实施方式对发明概念进行了描述，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离本发明概念的范围和精神的情况下可在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基础衬底；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管布置在所述基础衬底上并且包括有源图案；
绝缘层，所述绝缘层布置在所述薄膜晶体管的所述有源图案上；
连接电极，所述连接电极布置在所述绝缘层上并且电连接到所述薄膜晶体管，其中，所述连接电极包括弯折布线部；
第一通孔绝缘层，所述第一通孔绝缘层覆盖所述连接电极；
第一电极，所述第一电极布置在所述第一通孔绝缘层上；
发光层，所述发光层布置在所述第一电极上并且与所述连接电极至少部分地重叠；以及
第二电极，所述第二电极布置在所述发光层上。
2.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
多个数据线，所述多个数据线沿着第一方向排列，其中，所述多个数据线中的每个在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，
其中，所述连接电极包括第一接触部、在所述第二方向上与所述第一接触部间隔开的第二接触部以及将所述第一接触部连接到所述第二接触部的所述弯折布线部。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个数据线中与所述连接电极相邻的数据线包括直线部和连接到所述直线部的弯折线部，其中，所述弯折线部与所述连接电极的所述弯折布线部相邻。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光层包括配置成发射蓝色光的蓝色发光层。
5.如权利要求4所述的显示装置，还包括：
红色发光层，所述红色发光层与所述蓝色发光层间隔开并且配置成发射红色光；以及
绿色发光层，所述绿色发光层与所述蓝色发光层及所述红色发光层间隔开并且配置成发射绿色光，
其中，所述蓝色发光层的厚度小于所述红色发光层和所述绿色发光层的每个的厚度。
6.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
多个电源线，所述多个电源线沿着第一方向排列，其中，所述多个电源线中的每个在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，
其中，所述连接电极包括第一接触部、在所述第二方向上与所述第一接触部间隔开的第二接触部以及将所述第一接触部连接到所述第二接触部的所述弯折布线部，以及
其中，所述多个电源线中与所述连接电极相邻的电源线包括直线部和连接到所述直线部的弯折线部，其中，所述弯折线部与所述连接电极的所述弯折布线部相邻。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接电极包括第一接触部、与所述第一接触部间隔开的第二接触部以及将所述第一接触部连接到所述第二接触部的所述弯折布线部，并且
其中，所述弯折布线部具有环形形状。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述弯折布线部与所述发光层重叠。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接电极包括第一接触部、与所述第一接触部间隔开的第二接触部以及将所述第一接触部连接到所述第二接触部的所述弯折布线部，以及
其中，所述弯折布线部具有弯折形状。
10.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极布置在所述基础衬底与所述连接电极之间；以及
第二通孔绝缘层，所述第二通孔绝缘层布置在所述源电极及所述漏电极与所述连接电极之间，
其中，所述连接电极通过穿过所述第二通孔绝缘层形成的接触孔电连接到所述漏电极。
11.如权利要求10所述的显示装置，其中，所述连接电极包括接触部和连接到所述接触部的所述弯折布线部，并且
其中，所述连接电极的所述接触部通过穿过所述第一通孔绝缘层形成的接触孔电连接到所述第一电极。
12.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述连接电极的所述弯折布线部具有环形形状，并且
其中，所述弯折布线部与所述发光层重叠。
13.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述连接电极的所述弯折布线部具有弯折形状，并且
其中，所述弯折布线部与所述发光层重叠。
14.如权利要求10所述的显示装置，其中，所述连接电极包括第一接触部、与所述第一接触部间隔开的第二接触部以及将所述第一接触部连接到所述第二接触部的所述弯折布线部，并且
其中，所述第一接触部和所述第二接触部中的每个通过穿过所述第二通孔绝缘层形成的接触孔电连接到另一层的导电图案。
15.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一通孔绝缘层的顶表面上形成有与所述连接电极对应的凹凸部。
16.如权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一电极的顶表面上形成有与所述第一通孔绝缘层的所述凹凸部对应的凹凸部。
17.一种显示装置，包括：
基础衬底；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管布置在所述基础衬底上并且包括有源图案；
绝缘层，所述绝缘层布置在所述薄膜晶体管的所述有源图案上；
连接电极，所述连接电极布置在所述绝缘层上并且电连接到所述薄膜晶体管，其中，所述连接电极包括包含有在第一方向上延伸的横向部的虚设部；
通孔绝缘层，所述通孔绝缘层覆盖所述连接电极；
第一电极，所述第一电极布置在所述通孔绝缘层上；
发光层，所述发光层布置在所述第一电极上并且与所述连接电极的所述虚设部重叠；以及
第二电极，所述第二电极布置在所述发光层上。
18.如权利要求17所述的显示装置，其中，所述虚设部还包括在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的纵向部。
19.如权利要求17所述的显示装置，其中，所述连接电极还包括第一接触部、在第二方向上与所述第一接触部间隔开的第二接触部以及将所述第一接触部连接到所述第二接触部的连接布线部，并且其中，所述虚设部从所述第一接触部、所述第二接触部或所述连接布线部延伸，以及
其中，所述虚设部与所述发光层重叠。
20.如权利要求17所述的显示装置，其中，所述发光层为配置成发射蓝色光的蓝色发光层，
其中，所述显示装置还包括：
红色发光层，所述红色发光层与所述蓝色发光层间隔开并且配置成发射红色光；以及
绿色发光层，所述绿色发光层与所述蓝色发光层和所述红色发光层间隔开并且配置成发射绿色光，以及
其中，所述蓝色发光层的厚度小于所述红色发光层和所述绿色发光层的每个的厚度。
CN202010945531.3A 2019-09-18 2020-09-10 显示装置 Pending CN112530995A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2019-0114783 2019-09-18
KR1020190114783A KR20210033586A (ko) 2019-09-18 2019-09-18 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112530995A true CN112530995A (zh) 2021-03-19

Family

ID=74868090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010945531.3A Pending CN112530995A (zh) 2019-09-18 2020-09-10 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11545533B2 (zh)
KR (1) KR20210033586A (zh)
CN (1) CN112530995A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230066175A (ko) * 2021-11-05 2023-05-15 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
KR20230095331A (ko) * 2021-12-22 2023-06-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5892B2 (ja) 1978-11-08 1983-01-05 松下電器産業株式会社 熱転写用磁気記録媒体
JP3580092B2 (ja) 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JP2004191627A (ja) 2002-12-11 2004-07-08 Hitachi Ltd 有機発光表示装置
US20080157081A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting device and method for manufacturing the same
JP2015072770A (ja) 2013-10-02 2015-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20230141982A1 (en) 2023-05-11
KR20210033586A (ko) 2021-03-29
US11545533B2 (en) 2023-01-03
US20210083034A1 (en) 2021-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11238794B2 (en) Display apparatus having a notch
KR102632740B1 (ko) 표시 장치
US11957034B2 (en) Display apparatus having an improved display quality and a reduced peripheral (non-display) region for use in electronic device having a bypass data line arranged in the display and peripheral regions
CN110808265A (zh) 有机发光显示设备
KR102568920B1 (ko) 표시 장치
KR20200115925A (ko) 표시 장치
US20230141982A1 (en) Display apparatus
US20210074801A1 (en) Display apparatus
CN110890384A (zh) 显示设备
US20240122017A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US20230232686A1 (en) Display apparatus
CN114008790A (zh) 显示设备
KR20200116568A (ko) 표시 장치
KR20200084964A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20210057503A1 (en) Display apparatus
US12035595B2 (en) Display apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination