JP2015072770A - 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】有機ＥＬ膜層の信頼性を向上させた有機エレクトロルミネッセンス装置の提供。【解決手段】絶縁基板上に薄膜トランジスタを有する複数の画素回路がマトリクス状に配置された第一の基板と、有機絶縁材料によって形成され、前記第一の基板上に配置される、前記第一の基板の表面の凹凸を平坦化する有機平坦化膜と、前記有機平坦化膜の前記第一の基板側とは反対側の面の一部と接して備えられる陽極と、無機絶縁材料によって形成され、前記陽極の端部を覆って前記有機平坦化膜の前記第一の基板側とは反対側の面の一部と接して備えられる無機バンクと、前記陽極及び前記無機バンクの、前記有機平坦化膜と接する側とは反対側を覆い、一部を前記有機平坦化膜と接して備えられるＯＬＥＤ層と、前記ＯＬＥＤ層の前記有機平坦化膜側とは反対側を覆って備えられる封止膜と、を備える、有機エレクトロルミネッセンス装置。【選択図】図１Ｂ

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）装置及びその製造方法に関する。
特許文献１には、下部電極、有機層、および、上部電極がこの順に形成された発光領域と、発光領域の周辺に設けられた周辺領域と、上部電極の上面を覆う保護膜と、上部電極と電気的に接続され、かつ周辺領域の端部に配設され、保護膜の成膜に起因する帯電電荷を周辺領域外に流出させるための保護電極、とを有する有機ＥＬ表示装置について記載がされている。
また、特許文献２には、基板上において第１電極と第２電極との間に配置された機能層を有する発光素子と、前記発光素子の間において前記機能層を発光領域毎に区画する隔壁と、前記発光素子を駆動させる駆動回路と、を備えた有機ＥＬ装置であって、前記駆動回路の少なくとも一部は、平面的に前記発光素子の間に配置され、前記駆動回路の少なくとも一部と前記発光素子の間とで平面的に重なる領域には、前記隔壁が設けられていない領域を有することを特徴とする有機ＥＬ装置について記載がされている。
特開２００９−１６２３１号公報 特開２０１２−２２７８７号公報
有機発光ダイオードを用いた有機ＥＬ表示装置には、バンクと呼ばれる各画素回路の周囲に配置され、各画素間を区切る構造体が備えられている。バンクは、ＴＦＴ基板の上方に形成される電極（陽極）の端部を覆って備えられることによって、有機ＥＬ膜層の段切れによる陽極−陰極間の電気的短絡を防ぎ、また各画素の発光を区分けする、という機能を有するものである。
例えば、有機材料によって形成された平坦化膜上に一連の無機膜を形成した場合、平坦化膜内の水分を排出できなくなり、気化した水分により平坦化膜と無機膜が剥離してしまう。
本発明の目的は、有機ＥＬ膜層の信頼性を向上させた有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかにする。
上記課題を解決するための本発明にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置は、絶縁基板上に薄膜トランジスタを有する複数の画素回路がマトリクス状に配置された第一の基板と、有機絶縁材料によって形成され、前記第一の基板上に配置される、前記第一の基板の表面の凹凸を平坦化する有機平坦化膜と、前記有機平坦化膜の前記第一の基板側とは反対側の面の一部と接して備えられる陽極と、無機絶縁材料によって形成され、前記陽極の端部を覆って前記有機平坦化膜の前記第一の基板側とは反対側の面の一部と接して備えられる無機バンクと、前記陽極及び前記無機バンクの、前記有機平坦化膜と接する側とは反対側を覆い、一部を前記有機平坦化膜と接して備えられるＯＬＥＤ層と、前記ＯＬＥＤ層の前記有機平坦化膜側とは反対側を覆って備えられる封止膜と、を備えることを特徴とする。
また、上記課題を解決するための本発明にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、絶縁基板上に薄膜トランジスタを有する複数の画素回路がマトリクス状に配置された第一の基板を形成する第一工程と、前記第一の基板上に、前記第一の基板の表面の凹凸を平坦化する有機平坦化膜を、有機絶縁材料によって形成する第二工程と、前記有機平坦化膜の前記第一の基板側とは反対側の面の一部と接する、ＯＬＥＤ層を構成する陽極を形成する第三工程と、前記陽極の端部と前記有機平坦化膜の前記第一の基板側とは反対側の面とを覆って、前記ＯＬＥＤ層を構成する無機バンクを、無機絶縁材料によって形成する第四工程と、前記陽極及び前記無機バンクの、前記有機平坦化膜と接する側とは反対側を覆い、一部を前記有機平坦化膜と接して備えられるＯＬＥＤ層を形成する第五工程と、を含むことを特徴とする。
本発明によって、有機ＥＬ膜層の信頼性を向上させた有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法が提供される。
本発明の第一の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の平面図である。 図１Ａの１Ｂ‐１Ｂ線における断面図である。 本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造プロセスを示す図である。 本発明の第二の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の一例を示す平面図である。 図３Ａの３Ｂ‐３Ｂ線における断面図である。 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の平面図である。 第三の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における周辺領域に形成した無機層に設けた開口部の一部平面図である。 第三の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における周辺領域の断面図である。 第四の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における画素部の断面図である。 第四の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における周辺領域１３の断面図である。 第五の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における画素部の断面図である。 第五の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における周辺領域１３の断面図である。 第四の実施形態及び第五の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造プロセスを示す図である。
有機発光ダイオードを用いた有機ＥＬ表示装置には、バンクと呼ばれる各画素回路の周囲に配置され、各画素間を区切る構造体が備えられている。バンクは、ＴＦＴ基板の上方に形成される電極（陽極）の端部を覆って備えられることによって、有機ＥＬ膜層の段切れによる陽極−陰極間の電気的短絡を防ぎ、また各画素の発光を区分けする、という機能を有するものである。
例えば、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ膜層がなるべく平滑な層を形成するように、ＴＦＴ基板の表面段差を低減することが必要であり、そのため該ＴＦＴ基板上に平坦化膜が形成される。ここで、有機ＥＬ膜層が形成されるＴＦＴ基板の表面段差を低減するためには、該段差の凹凸差を鑑みて、平坦化膜を通常２μｍ〜３μｍの厚さで形成することが好ましい。
そして、２μｍ〜３μｍの厚さの平坦化膜を無機材料で形成することは論理的には不可能ではないが、プロセス上、時間と手間を費やすこととなるため現実的でない。したがって、平坦化膜は通常、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料にて形成される。
そして平坦化膜の上面の一部に有機ＥＬ膜層を構成する電極（陽極）が形成され、該電極の端部および、平坦化膜の上面の該電極が形成されていない他の面を覆ってバンクが形成されることとなる。ここで、通常バンクは、平坦化膜の上面の該電極が形成されていない他の面の全部を覆って形成される。バンクが平坦化膜の上面の該電極が形成されていない他の面の全部を覆って形成される方が、工程上簡便であり又そのように形成したとしても性能上実害がないと考えられるからである。
また、バンクの形成には平坦化膜と同一の材料が用いられることが通常である。すなわち、平坦化膜が、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料にて形成されるため、バンクも同様に有機材料が用いられる。平坦化膜と同一の材料でバンクを形成する方が、工程的に簡便であり、また互いの界面の親和性がよく層間の剥離の発生を低減が期待できるからである。
そして、該バンクの高さが低いと、対向基板（カラーフィルタ等）との距離（ギャップ）を接近させることとなり、塗り分けの精度（例えば、ＲＧＢ塗り分け精度）が向上するため、混色の低減が可能となる。混色の低減効果を得るためには、バンクは０．５μｍ以下、好ましくは０．２μｍ〜０．３μｍで形成することが効果的である。そして、通常、無機材料で形成されるバンクの高さは、有機材料で形成されるバンクの高さと比較して低く形成できるため、この様な効果を得るためにはバンクを無機材料にて形成することが効果的であると発明者らは考えた。
しかしながら、有機材料によって形成される平坦化膜と、無機材料によって形成されるバンクと、の組み合わせには以下の問題がある。
それは、該平坦化膜上に電極（陽極）を形成し、該電極（陽極）の端部および、平坦化膜の上面の該電極が形成されていない他の面を覆ってバンクが形成されたものは、次いで有機ＥＬ膜層を構成する発光層形成工程に移行する前に、前処理として（真空）ベークを実施することとなる。この前処理は、平坦化膜を構成する有機材料には水分が多く含有されており、該水分は有機ＥＬ素子の信頼性を低下させるため、該水分を除去するために行われるものである。
ここで、有機材料によって形成された平坦化膜の上面には、金属によって形成された電極と、無機材料によって形成されたバンクが、該平坦化膜の上面の全部を覆って配置されているため、（真空）ベークを実施した際、平坦化膜を構成する有機材料に含まれる水分の逃げ場がなくなってしまう。このため、（真空）ベーク時に外部に揮散できずに残された水分は膨張し、バンク−平坦化膜間、あるいは電極−平坦化膜間の剥離を引き起こすことがある。
発明者らは、有機絶縁材料によって形成される平坦化膜と、無機絶縁材料によって形成されるバンクと、を備え、塗り分けの精度が向上し、混色の低減が可能となる有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することについて鋭意検討を行った。
以下に、混色を低減するとともに、有機ＥＬ膜層の信頼性を向上させた有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法について説明する。
［第一の実施形態］
本発明にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置は、絶縁基板上に薄膜トランジスタを有する複数の画素回路がマトリクス状に配置された第一の基板と、有機絶縁材料によって形成され、前記第一の基板上に配置される、前記第一の基板の表面の凹凸を平坦化する有機平坦化膜と、前記有機平坦化膜の前記第一の基板側とは反対側の面の一部と接して備えられる陽極と、無機絶縁材料によって形成され、前記陽極の端部を覆って前記有機平坦化膜の前記第一の基板側とは反対側の面の一部と接して備えられる無機バンクと、前記陽極及び前記無機バンクの、前記有機平坦化膜と接する側とは反対側を覆い、一部を前記有機平坦化膜と接して備えられるＯＬＥＤ層と、前記ＯＬＥＤ層の前記有機平坦化膜側とは反対側を覆って備えられる封止膜と、を備えることを特徴とする。
以下、図面を参照しながら、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の実施態様について説明する。図１Ａは、本発明の第一の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の画素部の一部を拡大した平面図である。なお、図４は、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１の平面図であり、図１Ａの画素は、図４にて示される本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１の表示領域１２内に配置されている。
図１Ａに示されるように、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１は、絶縁基板上に薄膜トランジスタを有する複数の画素回路１００がマトリクス状に配置された第一の基板を有するものである。そして、平面視においてマトリクス状に配置された複数の画素回路１００のそれぞれに対応する位置に陽極２０（画素電極）が配置されており、該陽極２０の一部又は全部の領域に画素開口部１１０が形成されている。
本発明におけるマトリックス状の複数の画素回路１００を区画する配線７０は、例えば、薄膜トランジスタに含まれるゲート電極、ソース電極及びドレイン電極のそれぞれと接続されるゲート電極線Ｖｇ（走査配線）、信号配線Ｖｓｉｇや、薄膜トランジスタに電源を供給する電源供給線ＶＤＤによって構成されることとしてもよい。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１において、陽極２０の上面にはＯＬＥＤ層（図１Ａにおいて図示なし）が備えられている。本発明におけるＯＬＥＤ層（ＯＬＥＤ： Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、陰極（透明電極：図１Ａにおいて図示なし）と、発光層４０ａを含むものであり、ＯＬＥＤ層に含まれる発光層４０ａは、該陰極と、平面視においてマトリクス状に配置された複数の画素回路１００のそれぞれに対応する位置に配置された陽極２０と、の間で挟持されている。
そして、陽極２０には、第一の基板に備えられた薄膜トランジスタを介して電流が供給される。そして陽極２０に供給された電流は、ＯＬＥＤ層（発光層）を経て、陰極へと流れ込む。陽極２０および陰極に挟持される発光層では、陰極からの電子及び陽極２０からの正孔が再結合することにより発光する。そして、発光した光は、前述の画素開口部１１０を介して外部に照射されることとなる。
図１Ｂは、図１Ａの１Ｂ‐１Ｂ線における断面図である。図１Ｂを参照し、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１の構成について具体的に説明する。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置１に含まれる第一の基板は、絶縁基板上に薄膜トランジスタを有する複数の画素回路１００がマトリクス状に配置されたものである。ここで、絶縁基板とは、例えばガラス、プラスチック（ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアクリレート等）等で構成されることとしてもよい。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置１に含まれる第一の基板は、例えば光透過性材料からなることとしてもよい。ここで光透過性材料とは、ガラス、プラスチック（ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアクリレート等）、ＩＴＯ、ＩＺＯ等であり、またこれらに限定されるこのではない。
また、薄膜トランジスタが配置される第一の基板６０は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板ともよばれる。ここで、薄膜トランジスタは、ポリシリコンなどの半導体膜と、半導体膜を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して半導体膜の上方に配置されたゲート電極と、ゲート絶縁膜を貫通して半導体膜に電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、を含むこととしてもよい。また、第一の基板６０に配置される薄膜トランジスタを駆動させるための、駆動回路（図示なし）が、第一の基板６０上に配置されることとしてもよい。
また、第一の基板６０上には、前述した画素回路１００を区画する配線７０が備えられている。該配線７０は、薄膜トランジスタに含まれるゲート電極、ソース電極及びドレイン電極のそれぞれと接続されるゲート電極線Ｖｇ（走査配線）、信号配線Ｖｓｉｇや、薄膜トランジスタに電源を供給する電源供給線ＶＤＤによって構成されることとしてもよい。
これらの配線７０は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属によって形成されることとしてもよい。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置１に含まれる平坦化膜５０は、有機絶縁材料によって形成され、第一の基板６０上に配置される。また、平坦化膜５０は、その上表面を平坦化するものであり、平坦化膜５０上表面は、平坦化膜５０の下側（第一の基板６０側）に形成された層の表面の凹凸よりも平坦化されている。例えば、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置においては、ＯＬＥＤ層がなるべく平滑な層を形成するように、ＴＦＴ基板の表面段差を低減することが必要であり、そのため該ＴＦＴ基板上に有機平坦化膜５０が形成される。
すなわち、第一の基板６０上には、画素回路１００を区画する配線７０が備えられているため、その表面には配線７０の厚みに起因する凹凸が存在することとなる。該凹凸が存在すると、第一の基板６０上に陽極２０、ＯＬＥＤ膜を形成することが段切れ等の影響により困難なものとなる。そのため、第一の基板６０上の凹凸を低減するために、第一の基板６０上に有機平坦化膜５０が備えられることとなる。
ここで、ＯＬＥＤ層が形成されるＴＦＴ基板の表面段差を低減するためには、該段差の凹凸差を鑑みて、有機平坦化膜５０を１．５μｍ以上、３．５μｍ以下の厚さで形成することとしてもよい。また、有機平坦化膜５０を２μｍ以上で形成することは好ましく、また、３μｍ以下の厚さで形成することは好ましい。
なお、１．５μｍ以上、３．５μｍ以下の厚さの有機平坦化膜５０を無機絶縁材料で形成することは論理的には不可能ではないが、プロセス上時間と手間を費やすこととなるため現実的でない。したがって、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置１に含まれる有機平坦化膜５０は有機絶縁材料によって形成される。より具体的には、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置１に含まれる有機平坦化膜５０は例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、及びこれらの混合物からなる化合物群より選択される有機絶縁材料にて形成されることとしてもよい。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置１に含まれる有機平坦化膜５０は例えば、有機樹脂のワニス（有機樹脂を溶媒に溶かした液状物）を凹凸表面に塗布し、該ワニスに含まれる溶媒を揮散させることによって形成することとしてもよい。このように形成することによって第一の基板６０表面の凹部に優先的にワニスが流れ込むこととなり、第一の基板６０の表面の凹凸を効果的に平坦化することとなる。
なお、ポリイミド樹脂で有機平坦化膜５０を構成する場合、その後イミド化の処理を行うこととしてもよい。また、熱硬化性の有機樹脂で有機平坦化膜５０を構成する場合、その後加熱処理を行い、熱硬化を促進させることとしてもよい。また、光硬化性の有機樹脂で有機平坦化膜５０を構成する場合、その後光照射処理を行い、光硬化を促進させることとしてもよい。なお、有機平坦化膜５０の材料、及び形成方法は、上記のものに限られるものではない。
第一の基板６０表面の凹凸を平坦化する有機平坦化膜５０上には、陽極２０（画素電極）が配置される。すなわち、陽極２０は、有機平坦化膜５０の第一の基板６０側とは反対側の面の一部と接して備えられることとなる。
陽極２０の役割は正孔をＯＬＥＤ層４０に含まれる正孔注入層や正孔輸送層などの有機層へ注入することであるため、仕事関数が大きなことが必要である。例えば、陽極２０は酸化スズ（ＳｎＯ２）、アルミニウムドープの酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ（ＩＺＯ））等によって形成されることとしてもよい。なお、ＩＴＯの仕事関数は４．６〜５．０ｅＶ程度であり正孔輸送材料のＨＯＭＯ準位（５．０〜５．５ｅＶ）に近いため正孔の注入に適している。
そして、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置１に含まれる無機のバンク３０は、陽極２０の端部を覆って有機平坦化膜５０の第一の基板６０側とは反対側の面の一部と接して備えられる。通常、バンク３０は、陽極２０の端部および、有機平坦化膜５０の上面の該陽極２０が形成されていない他の面の全てを覆って無機のバンク３０が形成される。バンク３０が有機平坦化膜５０の上面の陽極２０が形成されていない他の面の全部を覆って形成されるのは工程上その方が簡便であり、性能上実害がないと考えられるからである。
しかしながら、本実施形態においては、バンク３０は有機平坦化膜５０の上面の該陽極２０が形成されていない他の面の全てを覆うことなく、無機層の一部に開口部３１が形成されている。このため、バンク３０は有機平坦化膜５０の上面の該陽極２０が形成されていない他の面の全てを覆うことなく、有機平坦化膜５０の上面の一部をＯＬＥＤ層４０と接するように露出させて形成されることとなる。
また、通常、バンク３０の形成には有機平坦化膜５０と同一の材料が用いられる。すなわち、有機平坦化膜５０が通常、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料にて形成される場合、バンク３０も同様に有機材料が用いられるが、本発明においては、バンク３０は有機平坦化膜５０と異なる材料であり、無機絶縁材料によって形成される。
これは、無機絶縁材料で形成されるバンク３０の高さは、有機絶縁材料で形成されるバンクの高さと比較して低く形成できるからである。バンクの高さを低く形成することによって、対向基板（カラーフィルタ等）との距離（ギャップ）を接近させることとなり、塗り分けの精度が向上するため、混色の低減が可能となる。
また、混色の低減効果を得るためには、バンク３０は０．１５μｍ以上、０．３５μｍ以下で形成することが効果的である。したがって、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置１に含まれるバンク３０の高さは、０．１５μｍ以上、０．３５μｍ以下であることとしてもよい。また、バンク３０の高さは０．５μｍ以下とすればよく、０．２μｍ以上０．３μｍ以下であることとしてもよい。
また、バンク３０を形成する無機絶縁材料は、ＳｉＮ、ＳｉＯ、及びこれらの混合物からなる群から選択される材料であることとしてもよい。また、バンク３０は、ＳｉＮ又はＳｉＯによって形成されることとしてもよい。
また、バンク３０は、各画素で分離した陽極２０の端部を覆うことによって発光領域を規定する役割を果たしている。すなわち、陽極２０の端部を覆ったバンク３０によって、画素開口部１１０の外縁が決定されることとなる。また、バンク３０は、第一の基板６０とＯＬＥＤ層４０を介して対向して備えられるカラーフィルター基板（図示なし）に備えられたブラックマトリクス（図示なし）と対応する位置に備えられていることとしてもよい。
また、バンク３０は、第一の基板６０上に形成される陽極２０端部の段差を覆うことによってＯＬＥＤ層４０に含まれる発光層４０ａの段切れによる、陽極２０−陰極４０ｂ間の短絡を防ぐ役割も果たしている。そのためバンク３０は、なだらかな曲面表面を有するように形成されることとしてもよい。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置１に含まれるＯＬＥＤ層４０は、前述のように陰極４０ｂ（透明電極）と、発光層４０ａを含むものであり、ＯＬＥＤ層４０に含まれる発光層４０ａは、該陰極４０ｂと、平面視においてマトリクス状に配置された複数の画素回路１００のそれぞれに対応する位置に配置された陽極２０と、の間で挟持されている。そして、陽極２０には、第一の基板６０に備えられた薄膜トランジスタを介して電流が供給される。そして陽極２０に供給された電流は、発光層４０ａを経て、陰極４０ｂへと流れ込む。陽極２０および陰極４０ｂに挟持される発光層４０ａでは、陰極４０ｂからの電子及び陽極２０からの正孔が再結合することにより発光する。そして、発光した光は、前述の画素開口部１１０を介して外部に照射されることとなる。
陰極４０ｂは、ＯＬＥＤ層４０の最上面（ＯＬＥＤ層４０の第一の基板６０側とは反対側の面）に形成されるベタ電極である。そして、陰極４０ｂは本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置１の表示面のほぼ全面にわたって形成されている。
陰極４０ｂは、電子を有機層へ注入するために仕事関数が小さいほうが有利である。このため、Ａｌ、Ｍｇ、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ等の金属にて形成されることが一般的には好ましい。ここで、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１のようなトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス装置１の場合、陰極４０ｂ側からＯＬＥＤ層４０で発光した光を取り出すこととなるので、陰極４０ｂはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ（ＩＺＯ））等のような透明金属から形成される透明電極であることとしてもよい。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置１は、ＯＬＥＤ層４０の有機平坦化膜５０側とは反対側を覆って備えられる封止膜８０を備える。ここで、封止膜８０は、外部からの水分、酸素等からＯＬＥＤ層４０を保護するために備えられるものである。したがって、封止膜８０を形成する材料は、通水性、通気性を考慮して選定されることとなる。
例えば、封止膜８０は、無機材料によって形成されることとしてもよい。また、封止膜８０は、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、Ｐ２Ｏ５・ＳｉＯ２（ＰＳＧ）、Ａｌ２Ｏ３、ＰｂＯ・ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、ＰｂＯ・Ｂ２Ｏ３、及びこれらの混合物からなる群から選択される化合物によって形成されることとしてもよい。また、封止膜８０は、有機材料ではあるが、例えばポリイミド樹脂及び／又はその誘導体によって形成されることとしてもよい。なかでも封止膜８０は、ＳｉＮによって形成されることは好適である。また、封止膜８０は、例えばＣＶＤによって成膜されることとしてもよい。なお、封止膜８０の材料、及び形成方法は、上記のものに限られるものではない。
また、封止膜８０の厚さは、０．５μｍ〜１０μｍであることとしてもよい。封止膜８０の厚さが０．５μｍ〜１０μｍであることによって、ＯＬＥＤ層４０に対する保護効果が高まり好ましい。
封止膜８０が０．５μｍより小さいと膜に穴が空きやすくなる。また、０．５μｍより小さいと防水機能が損なわれる。封止膜８０が３．０μｍ以上あればゴミを被覆が容易となり好ましい。また、封止膜８０が１０μｍより大きくなると、ＴＦＴ基板に対向して配置されるカラーフィルターと発光面との距離が長くなり、混色が発生してしまう。１０μｍより大きくなると、製造時間が長くなる、膜応力が大きくなる、膜の均一性が悪くなる等の問題が発生する。
図１Ａ、１Ｂにて示されるように、無機層には画素間に無機のバンク３０が形成されていない開口部３１を有している。これによって、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置１は、ＯＬＥＤ層４０の一部が有機平坦化膜５０と直接接する構造を有することとなる。
本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置１のＯＬＥＤ層４０が有機平坦化膜５０と、平面視において陽極２０と重なる領域以外の場所で直接接することによって、有機平坦化膜５０を構成する有機絶縁材料に含まれる水分を（真空）ベークを実施して除去する工程を行った場合、ＯＬＥＤ層４０と有機平坦化膜５０とが直接接している領域から水分が外部に揮散し、バンク３０と平坦化膜５０の間、あるいは電極−有機平坦化膜５０間の剥離の発生を抑制することとなる。
また、第二の実施形態の説明において後に詳細に説明を行うが、第一の基板は、マトリックス状の複数の画素回路を区画する、配線を有し、ＯＬＥＤ層４０と有機平坦化膜５０とは、平面視において該配線と重なる領域で接していることとしてもよい。ＯＬＥＤ層４０と有機平坦化膜５０とは、平面視においてマトリックス状の複数の画素回路を区画する配線と重なる領域で接することによって、画素回路を省スペース化する、あるいは、画素開口部１１０を大きくすることが可能となる。
ここで、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置１の製造プロセスについて具体的に説明を行い、有機平坦化膜５０を構成する有機絶縁材料に含まれる水分を真空中でベークを実施して除去する工程について具体的に説明を行う。
図２は本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置１の製造プロセスを示す図である。図２に示されるように、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置１は、ＴＦＴ工程（Ｓ−１）と、ＯＬＥＤ工程（Ｓ−２）と、に大きく分類される。なお、有機平坦化膜５０上に形成される陽極２０と、バンク３０は、本来的にはＯＬＥＤ層４０を構成するものとも考えられるため、陽極２０と、バンク３０と、を形成する工程は、ＯＬＥＤ工程（Ｓ−２）に含まれるものであるとも考えられるが、本発明においては説明の便宜上、有機平坦化膜５０上に形成される陽極２０と、バンク３０の形成工程は、ＴＦＴ工程（Ｓ−１）に含まれることとして下記説明を行うこととする。
ＴＦＴ工程は、絶縁基板上に薄膜トランジスタを有する複数の画素回路１００がマトリクス状に配置された第一の基板６０を形成する第一工程Ｓ−１ａと、前記第一の基板上６０に、前記第一の基板６０の表面の凹凸を平坦化する有機平坦化膜５０を、有機絶縁材料によって形成する第二工程Ｓ−１ｂと、前記有機平坦化膜５０の前記第一の基板６０側とは反対側の面の一部と接する、ＯＬＥＤ層４０を構成する陽極２０を形成する第三工程Ｓ−１ｃと、前記陽極２０の端部と前記有機平坦化膜５０の前記第一の基板６０側とは反対側の面とを覆って、前記無機層となるバンク３０を、無機絶縁材料によって形成する第四工程Ｓ−１ｄと、を含む。また、第四工程Ｓ−１ｄは、前記無機層に開口部３１を形成し、前記有機平坦化膜４０の前記第一の基板６０側とは反対側の面の一部を露出させる工程を含む。
絶縁基板上に薄膜トランジスタを有する複数の画素回路１００がマトリクス状に配置された第一の基板６０を形成する第一の基板６０（図２における薄膜トランジスタ製造工程）は、既知の写真蝕刻技術（ＰＥＰあるいはリソグラフィ）を用いて行われることとしてもよい。
次いで、前述の第一の基板６０によって得られた第一の基板６０の表面の凹凸を平坦化する平坦化膜５０を、有機絶縁材料によって形成する第二工程Ｓ−１ｂ（図２における有機平坦化膜製造工程）を行う。
有機平坦化膜５０は、前述のように有機樹脂のワニス（有機樹脂を溶媒に溶かした液状物）を凹凸表面に塗布することによって、凹部に優先的にワニスが流れ込ませた後、乾燥させることによって形成することとしてもよい。また、有機樹脂のワニスはスピンコーター、スリットコーター等の方法を用いて行うこととしてもよいが、該方法に限定されることはない。
次いで、前述の第二工程Ｓ−１ｂによって形成された有機平坦化膜５０の第一の基板６０側とは反対側の面の一部と接する、ＯＬＥＤ層４０を構成する陽極２０を形成する第三工程Ｓ−１ｃ（図２における陽極製造工程）を行う。なお、第三工程Ｓ−１ｃ前、第二工程Ｓ−１ｂ後に、形成された有機平坦化膜５０中に含まれる水分を除去するために、例えば２００℃の条件にてベーク（あるいは真空ベーク）処理を行うこととしてもよい。
なお、有機平坦化膜５０は、有機絶縁材料により形成されるため、大気中の水分を吸収する場合がある、したがって、下記説明を行う工程の前に有機平坦化膜５０に含まれる水分を除去する目的で、ベーク（あるいは真空ベーク）処理を行うこととしてもよい。
陽極２０は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ２）、アルミニウムドープの酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ（ＩＺＯ））等によって形成され、既知の写真蝕刻技術（ＰＥＰあるいはリソグラフィ）を用いて行われることとしてもよい。
次いで、前述の第三工程Ｓ−１ｃによって形成された陽極２０の端部と有機平坦化膜５０の第一の基板６０側とは反対側の面とを覆って、ＯＬＥＤ層４０を構成するバンク３０を、無機絶縁材料によって形成する第四工程（図２におけるバンク製造工程）Ｓ−１ｄを行う。バンク３０は、ＳｉＮ、ＳｉＯ、及びこれらの混合物からなる群から選択される無機絶縁材料によって形成され、例えば、ＣＶＤ法を用いて形成されることとしてもよい。
第四工程Ｓ−１ｄにおいては、初めに陽極２０の端部と有機平坦化膜５０の第一の基板６０側とは反対側の面の陽極２０が形成されていない表面の全面を覆って、ベタでバンク３０を形成する。その後、第四工程Ｓ−１ｄにおいて、ベタで形成されたバンク３０に開口部３１を形成し、有機平坦化膜５０の第一の基板６０側とは反対側の面の一部を露出させる工程を行う。
第四工程によって形成された開口部３１は、後に詳細に説明するが、バンク３０が有機平坦化膜５０の上面の全部を覆って配置された場合、ＯＬＥＤ工程Ｓ−２前に（真空）ベークを実施した際に、有機平坦化膜５０を構成する有機材料に含まれる水分の逃げ場がなくなってしまわないように、水分の逃げ道を確保するためのものである。このように水分の逃げ道を確保することによって、水分は（真空）ベーク時に有機平坦化膜内で留まって膨張することなく、外部に揮散することとなり、バンク−平坦化膜間、あるいは電極−平坦化膜間の剥離を引き起こすおそれは低減する。
上記第一工程Ｓ−１ａ乃至第四工程Ｓ−１ｄを経て、ＴＦＴ工程Ｓ−１は終了となり、ＯＬＥＤ工程Ｓ−２へと進むこととなる。ここで、第四工程Ｓ−１ｄ後、得られたＴＦＴ基板には、微粒子や分子レベルの汚染物質が付着していることが考えられる。この様な汚染物質は素子特性の劣化等を引き起こすことがあるため、この様な汚染物質を除去するため洗浄工程を行うことが好ましい。
したがって、第四工程Ｓ−１ｄ後、得られたＴＦＴ基板を、純水等を用いて洗浄する工程を行う。なお、洗浄工程は、適宜ブラシスクラブ洗浄、超音波洗浄、高圧ジェット洗浄等を併用して行うこととしてもよい。
ＯＬＥＤ工程Ｓ−２は、無機層の開口部３１の形成によって露出した前記有機平坦化膜５０の前記第一の基板６０側とは反対側の面の一部と、バンク３０の前記有機平坦化膜５０側とは反対側の面と、を接して覆う発光層４０ａ等を形成する第五工程Ｓ−２ａ（図２におけるＯＬＥＤ製造工程）を含むものである。
ここで、第五工程Ｓ−２ａ前に、前述のＴＦＴ工程によって得られたＴＦＴ基板に対し、前処理として（真空）ベークを実施することとしてもよい。これは、前述の洗浄工程によって有機平坦化膜５０を構成する有機材料には水分が多く含有されているため、該水分は有機ＥＬ素子の信頼性を低下させるため、該水分を除去するためである。すなわち、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置１の製造方法は、前述の第四工程Ｓ−１ｄと、第五工程Ｓ−２ａと、の間に有機平坦化膜５０を構成する有機材料に含まれる水分を、前記第四工程Ｓ−１ｄによって形成された無機層の開口部３１から揮散させて除去するベーク工程Ｓ−３を含むこととしてもよい。
また、該ベーク工程Ｓ−３は、真空ベーク工程であることとしてもよい。真空ベーク工程を行うことによって、有機平坦化膜５０を構成する有機材料に含まれる水分をより確実に除去することとなるからである。
第五工程Ｓ−２ａは、陽極２０及びバンク３０の、有機平坦化膜５０と接する側とは反対側を覆い、一部を有機平坦化膜５０と接して備えられるＯＬＥＤ層４０を形成する。すなわち、第五工程Ｓ−２ａは、無機層の開口部３１の形成によって露出した有機平坦化膜５０の第一の基板６０側とは反対側の面の一部と、バンク３０の有機平坦化膜５０側とは反対側の面と、を接して覆うＯＬＥＤ層４０を形成する工程である。
本発明におけるＯＬＥＤ層４０（ＯＬＥＤ： Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、前述のように陰極４０ｂ（透明電極）と、発光層４０ａを含むものであり、ＯＬＥＤ層４０に含まれる発光層４０ａは、該陰極４０ｂと、平面視においてマトリクス状に配置された複数の画素回路１００のそれぞれに対応する位置に配置された陽極２０と、の間で挟持されるように形成される。
また、発光層４０ａは有機材料によって形成されるため、例えば既知の塗布法を用いて形成されることとしてもよい。また、陰極４０ｂ（透明電極）は、既知のＣＶＤ等の蒸着方法を用いて形成されることとしてもよい。
上記説明した、第一の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１は、有機ＥＬ膜層の信頼性を向上させた有機エレクトロルミネッセンス装置１である。
また、上記説明した、有機エレクトロルミネッセンス装置１の製造方法によって製造された有機エレクトロルミネッセンス装置１は、絶縁基板上に薄膜トランジスタを有する複数の画素回路１００がマトリクス状に配置された第一の基板６０と、有機絶縁材料によって形成され、前記第一の基板６０上に配置される、前記第一の基板６０の表面の凹凸を平坦化する有機平坦化膜５０と、前記有機平坦化膜５０の前記第一の基板６０側とは反対側の面の一部と接して備えられる陽極２０と、無機絶縁材料によって形成され、前記陽極２０の端部を覆って前記有機平坦化膜５０の前記第一の基板６０側とは反対側の面の一部と接して備えられる無機バンク３０と、前記陽極２０及び前記無機バンク３０の、前記有機平坦化膜５０と接する側とは反対側を覆い、一部を前記有機平坦化膜５０と接して備えられるＯＬＥＤ層４０と、前記ＯＬＥＤ層４０の前記有機平坦化膜５０側とは反対側を覆って備えられる封止膜８０と、を備えることを特徴とするものである。そして、前記ＯＬＥＤ層４０は、前記無機バンク３０に形成された無機バンク開口部３１を介して前記有機平坦化膜５０の一部の表面と直接接していることを特徴とすることとしてもよい。
バンクが有機材料によって形成された場合、バンクが無機材料によって形成された場合と比較して水分含有量が増加してしまうため、水分により劣化が促進されるＯＬＥＤ層（有機ＥＬ膜層）の信頼性を低下させ、また、有機材料によって形成されたバンクは、無機材料によって形成されたバンクと比較して、厚みが大きくなるためＯＬＥＤ層において発光した光が隣接する画素から出射されるという光学的混色を発生させるおそれもある。
したがって、有機絶縁材料によって形成される平坦化膜５０と、無機絶縁材料によって形成される無機バンク３０と、を備える第一の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１は、混色を低減するとともに、有機ＥＬ膜層の信頼性を向上させた有機エレクトロルミネッセンス装置１である。
［第二の実施形態］
本実施形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置１は、絶縁基板上に薄膜トランジスタを有する複数の画素回路１００がマトリクス状に配置された第一の基板６０と、有機絶縁材料によって形成され、前記第一の基板６０上に配置される、前記第一の基板６０に形成した層の表面の凹凸を平坦化する平坦化膜５０と、前記平坦化膜５０の前記第一の基板６０側とは反対側の面の一部と接して備えられる陽極２０と、無機絶縁材料によって形成され、前記陽極２０の端部を覆って前記平坦化膜５０の前記第一の基板６０側とは反対側の面の一部と接して備えられるバンク３０と、前記陽極２０及び前記バンク３０の、前記平坦化膜５０と接する側とは反対側を覆い、一部を前記有機膜５０と接して備えられるＯＬＥＤ層４０と、前記ＯＬＥＤ層４０の前記平坦化膜５０側とは反対側を覆って備えられる封止膜８０と、を備え、前記第一の基板６０は、マトリックス状の複数の前記画素回路１００を区画する、配線７０を有し、前記ＯＬＥＤ層４０と前記平坦化膜５０とは、平面視において前記配線７０と重なる領域で接していることを特徴とする。
ここで、第二の実施形態におけるマトリックス状の複数の前記画素回路１００を区画する配線７０は、薄膜トランジスタに含まれるゲート電極、ソース電極及びドレイン電極のそれぞれと接続されるゲート電極線Ｖｇ（走査配線）、信号配線Ｖｓｉｇ、及び薄膜トランジスタに電源を供給する電源供給線ＶＤＤから選択されるいずれかの配線７０であることとしてもよい。
図３Ａは、本発明の第二の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１の一例を示す平面図である。また、図３Ｂは、図１Ａの１Ｂ‐１Ｂ線における断面図である。
図３Ａに示されるように、第二の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１は、絶縁基板上に薄膜トランジスタを有する複数の画素回路１００がマトリクス状に配置された第一の基板６０を有するものである。そして、平面視においてマトリクス状に配置された複数の画素回路１００のそれぞれに対応する位置に陽極２０（画素電極）が配置されており、該陽極２０の一部又は全部の領域に画素開口部１１０が形成されている。
そして、図３Ａに示されるように、開口部３１は、平面視においてゲート電極線Ｖｇ（走査配線）と重なる領域に配置されている。このため、平面視において、第一の基板６０におけるマトリックス状の複数の画素回路１００を区画するゲート電極線Ｖｇ（走査配線）と重なる領域でＯＬＥＤ層４０と有機平坦化膜５０とが直接接している。
マトリックス状の複数の前記画素回路１００を区画する配線７０は、平面視において画素開口部１１０と重なることがないため、画素開口領域に干渉することなく、製造時におけるバンク３０有機平坦化膜５０間、あるいは電極−有機平坦化膜５０間の剥離を引き起こすことなく、有機エレクトロルミネッセンス装置１を製造することとなる。
第二の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置１の製造方法は、前述の第一の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置１の製造方法の第一の基板６０が、マトリックス状の複数の前記画素回路１００を区画する、配線７０を形成する工程を含み、そして、第四工程Ｓ−１ｄで形成される開口部３１が、平面視において配線７０と重なる領域に形成されることとなる点以外は、第一の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置１の製造方法と同様であることとしてもよい。
上記説明した、第二の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１は、有機ＥＬ膜層の信頼性を向上させた有機エレクトロルミネッセンス装置１である。
また、有機絶縁材料によって形成される有機平坦化膜５０と、無機絶縁材料によって形成される無機バンク３０と、を備える第二の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１は、混色を低減するとともに、有機ＥＬ膜層の信頼性を向上させた有機エレクトロルミネッセンス装置１である。
[第三の実施形態]
図４は、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１の平面図である。有機エレクトロルミネッセンス１には、前述の図１に示される画素を複数配置して表示領域１２が形成されている。表示領域１２の外側には、表示領域１２を囲んで周辺領域１３（図４における斜線で示される領域）が形成されている。周辺領域１３には各画素にデータを送信するための配線や画像表示に寄与しないダミー画素等が配置されている。
図５は、第三の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における周辺領域１３に形成した無機層に設けた開口部３１の一部平面図で、図６は、第三の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における周辺領域１３の断面図である。ＴＦＴ基板６０上の配線７０を覆って有機材料による平坦化膜５０が形成されている。平坦化膜５０の上には平坦化膜５０を覆ってバンクと同層の無機（ＳｉＮ）層３０ｂが配置されている。無機層の一部には開口部３１が形成され、この開口部３１を介して、発光層４０aと同層の有機層４０ｃと、平坦化膜５０と、が接触している。図４では、周辺領域１３の開口部３１は表示領域１２の開口部３１と同じ形状としたが、周辺領域１３は表示領域１２と異なり画素開口が無いため、周辺領域１３の開口３１が画素開口より大きくしてもよい。
このような構成として図２に示すベーク処理を実施することで、平坦化膜５０に含まれる水分を除去できる。
[第四の実施形態]
図７は、第四の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における画素部の断面図である。第一の実施形態と同じ機能を有する部位には同じ参照番号を付してある。
図７の画素には、画素電極である陽極２０の下層に絶縁膜３２を介して電極２１を配置した。電極２１は陽極２０と絶縁膜３２とでコンデンサを形成している。一方、平坦化膜５０の下層に形成された回路層にも保持容量のコンデンサが形成されている。電極２１と陽極２０とでコンデンサを形成することで、回路層に形成したコンデンサを補強することができ、画素容量を増加できる。特に、高精細化が進み、回路層に形成したコンデンサだけでは所定の保持容量が確保できない場合は、図７の構成とすることで、所望の容量を確保することができる。
本実施形態では、平坦化膜５０上に形成したコンデンサ用電極２１を覆って無機の絶縁膜３２が形成されている。絶縁膜３２は一部に開口部３１を備えた一連の膜として形成されている。また、絶縁膜３２上には画素電極である陽極２０が形成されている。陽極２０の端部と開口部３１を覆って無機のバンク３０が形成されている。無機のバンク３０の一部には絶縁膜３２の開口部と位置を合わせて開口部３１が形成されている。その結果、開口部３１を介してＯＬＥＤ層４０aと平坦化膜５０が接触する構造となっている。この構成により、平坦化膜５０の水分を除去することができる。
本実施形態では平坦化膜５０上に一面に形成した無機の絶縁膜３２の一部に開口部３１を形成することで、平坦化膜５０に含まれる水分を除去することができる。
図８は、第四の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における周辺領域１３の断面図である。ＴＦＴ基板６０上の配線７０を覆って有機材料による平坦化膜５０が形成されている。平坦化膜５０の上にはコンデンサ用電極２１と同層の配線２２が形成され、この配線２２を覆って絶縁膜３２が形成されている。絶縁膜３２は一部に開口部３１が形成されている。また、絶縁膜３２の上にはバンクと同層の無機（ＳｉＮ）層３０ｂが配置され、無機層３０ｂは絶縁膜３２の開口部と位置を合わせて開口部３１が形成されている。無機層３０ｂと絶縁層３２に形成された開口部３１通して、有機層４０ｃと、平坦化膜５０と、が接触している。
このような構成とすることで、平坦化膜５０に含まれる水分を除去できる。
[第五の実施形態]
図９は、第五の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における画素部の断面図である。第四の実施形態と同じ機能を有する部位には同じ参照番号を付してある。
本実施形態では、第四の実施形態と同様に、絶縁膜３２は一部に開口部３１を備えた一連の膜として形成され、コンデンサを構成する電極２１を覆っている。絶縁膜３２上には画素電極である陽極２０が形成され、陽極２０の端部と開口部３１を覆って絶縁性のバンク３３が形成されている。
絶縁性のバンク３３は有機材料で形成されている。絶縁性のバンク３３は下面が開口部３１で平坦化膜５０と接触し、上面がＯＬＥＤ層４０ｂと接触している。本実施形態によれば、ＯＬＥＤ層と平坦化膜の間に有機材料で形成した絶縁性のバンク３３が介在しているので、ＯＬＥＤ層と平坦化膜５０を接触させること無く平坦化膜５０の水分を除去することができる。また、絶縁膜による段差を小さくでき、段差の少ない面にＯＬＥＤ層を形成できる。段差が小さいのでＯＬＥＤ層の断裂を防止できる。
本実施形態では平坦化膜５０上に一面に形成した無機の絶縁膜３２の一部に開口部３１を形成することで、平坦化膜５０に含まれる水分を除去することができる。
図１０は、第五の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における周辺領域１３の断面図である。ＴＦＴ基板６０上の配線７０を覆って有機材料による平坦化膜５０が形成されている。平坦化膜５０の上にはコンデンサ用電極２１と同層の配線２２が形成され、この配線２２を覆って絶縁膜３２が形成されている。絶縁膜３２は一部に開口部３１が形成されている。
絶縁膜３２の上には絶縁性のバンク３３と同層の有機膜３３ｂが形成され、開口部３１を通して平坦化膜５０と有機膜３３ｂとが接触している。また有機膜３３ｂの上面にはＯＬＥＤ層４０aと同層の有機層４０ｃが形成されている。
このような構成とすることで、平坦化膜５０に含まれる水分を除去できる。
[第六の実施形態]
図１１は第四の実施形態及び第五の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置１の製造プロセスを示す図である。図２に示した工程と同様に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置１は、ＴＦＴ工程（Ｓ−１）と、ＯＬＥＤ工程（Ｓ−２）と、に大きく分類される。また図２と同様に、平坦化膜５０上に形成される陽極２０と、バンクの形成工程は、ＴＦＴ工程（Ｓ−１）に含まれることとして説明する。
複数の画素回路１００を第一の基板６０を形成する第一工程Ｓ−１ａと、平坦化膜５０を形成する第二工程Ｓ−１ｂとは、第一の実施形態と同じなので、説明は省略する。また、平坦化膜５０に含まれる水分を除去するために、例えば２００℃の条件にてベーク（あるいは真空ベーク）処理を行うこととしてもよい。
第二工程Ｓ−１ｂの後は、コンデンサ用の電極２１及び電極２１と同層の配線２２を形成する電極製造工程Ｓ−１ｅをおこなう。電極製造工程Ｓ−１ｅでは、前述の第二工程Ｓ−１ｂによって形成された平坦化膜５０の第一の基板６０側とは反対側の面にコンデンサ用の電極及び配線２２を形成する。
次いで、電極製造工程Ｓ−１ｅで形成された電極２１と配線２２を覆う絶縁層製造工程Ｓ−１ｆを行う。この工程では開口部３１も形成される。
次いで、絶縁層製造工程Ｓ−１ｆで形成した絶縁層３２上に陽極２０を形成する陽極製造工程Ｓ−１ｃを行う。陽極２０は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ２）、アルミニウムドープの酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ（ＩＺＯ））等によって形成され、既知の写真蝕刻技術（ＰＥＰあるいはリソグラフィ）を用いて行われることとしてもよい。
次いで、前述の陽極製造工程Ｓ−１ｃによって形成された陽極２０の端部を覆うようにバンク３０形成する有機又は無機バンク工程（バンク製造工程）Ｓ−１ｄを行う。
有機バンクを形成する場合、有機バンクは、絶縁膜製造工程Ｓ−１ｆで形成した開口部３１を埋めるように形成される。また有機バンクは陽極２０上に画素開口を備える。
無機バンクの場合は、無機バンクは、絶縁層３２の開口部３１に合わせて開口部を形成する。また無機バンクは陽極２０上に画素開口を備える。
なお、開口の形成方法については、第一の実施形態と同様の方法が可能である。
次いで、ベーク工程Ｓ−３、ＯＬＥＤ製造工程Ｓ−２を行う。ベーク工程Ｓ−３、ＯＬＥＤ製造工程Ｓ−２については、第一の実施形態と同じため、詳細は省略する。
開口部３１は、平坦化膜５０を構成する有機材料に含まれる水分の逃げ道を確保するためのものである。このように水分の逃げ道を確保することによって、水分は（真空）ベーク時に有機平坦化膜内で留まって膨張することなく、外部に揮散することとなり、絶縁膜と平坦化膜の間、あるいは電極と平坦化膜の間の剥離を引き起こすおそれは低減する。
上記説明した、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１は、混色を低減するとともに、有機ＥＬ膜層の信頼性を向上させた有機エレクトロルミネッセンス装置１である。
１ 有機エレクトロルミネッセンス装置、２０ 陽極（画素電極）、３０ バンク、３１開口部、４０ ＯＬＥＤ層、４０ａ 発光層、４０ｂ 陰極、５０ 平坦化膜、６０ 第一の基板（ＴＦＴ基板）、７０ 配線、８０ 封止膜、１００ 画素回路、１１０ 画素開口部、ＶＤＤ 電源供給線、Ｖｇ ゲート電極線（走査配線）、Ｖｓｉｇ 信号配線。

Claims (12)

  1. 絶縁基板上に薄膜トランジスタを有する複数の画素回路がマトリクス状に配置された第一の基板と、
    有機絶縁材料によって形成され、前記第一の基板上に配置される、前記第一の基板の表面の凹凸を平坦化する有機平坦化膜と、
    前記有機平坦化膜の前記第一の基板側とは反対側の面の一部と接して備えられる陽極と、
    無機絶縁材料によって形成され、前記陽極の端部を覆って前記有機平坦化膜の前記第一の基板側とは反対側の面の一部と接して備えられる無機バンクと、
    前記陽極及び前記無機バンクの、前記有機平坦化膜と接する側とは反対側を覆い、一部を前記有機平坦化膜と接して備えられるＯＬＥＤ層と、
    前記ＯＬＥＤ層の前記有機平坦化膜側とは反対側を覆って備えられる封止膜と、を備える、
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
  2. 前記無機バンクには、無機バンク開口部が形成されており、
    前記ＯＬＥＤ層は、前記無機バンク開口部を介して前記有機平坦化膜と接して備えられている、
    ことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
  3. 前記第一の基板は、マトリックス状の複数の前記画素回路を区画する、配線を有し、
    前記無機バンク開口部は、平面視において前記配線と重なる領域に配置されている、
    ことを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
  4. 前記無機バンクを形成する無機絶縁材料は、ＳｉＮ、ＳｉＯ、及びこれらの混合物からなる群から選択される材料である、
    ことを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
  5. 前記有機平坦化膜の厚さは、１．５μｍ以上、３．５μｍ以下であり、
    前記無機バンクの厚さは、０．１５μｍ以上、０．３５μｍ以下である、
    ことを特徴とする請求項１乃至４いずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
  6. 前記配線は、薄膜トランジスタに含まれるゲート電極、ソース電極及びドレイン電極のそれぞれと接続される、ゲート電極線（走査配線）、信号配線、及び薄膜トランジスタに電源を供給する電源供給線から選択されるいずれかの配線である、
    ことを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
  7. 絶縁基板上に薄膜トランジスタを有する複数の画素回路がマトリクス状に配置された第一の基板を形成する第一工程と、
    前記第一の基板上に、前記第一の基板の表面の凹凸を平坦化する有機平坦化膜を、有機絶縁材料によって形成する第二工程と、
    前記有機平坦化膜の前記第一の基板側とは反対側の面の一部と接する、ＯＬＥＤ層を構成する陽極を形成する第三工程と、
    前記陽極の端部と前記有機平坦化膜の前記第一の基板側とは反対側の面とを覆って、前記ＯＬＥＤ層を構成する無機バンクを、無機絶縁材料によって形成する第四工程と、
    前記陽極及び前記無機バンクの、前記有機平坦化膜と接する側とは反対側を覆い、一部を前記有機平坦化膜と接して備えられるＯＬＥＤ層を形成する第五工程と、
    を含む、
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
  8. 前記第四工程は、前記無機バンクに無機バンク開口部を形成し、前記有機平坦化膜の前記第一の基板側とは反対側の面の一部を露出させる工程を含み、
    前記第五工程は、前記無機バンクに形成された無機バンク開口部の形成によって露出した前記有機平坦化膜の前記第一の基板側とは反対側の面の一部と、前記無機バンクの前記平坦化膜側とは反対側の面と、を接して覆う前記ＯＬＥＤ層を形成する工程である、
    ことを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
  9. 前記第一工程は、マトリックス状の複数の前記画素回路を区画する、配線を形成する工程を含み、前記第四工程で形成される前記無機バンク開口部は、平面視において前記配線と重なる領域に形成される、
    ことを特徴とする請求項７又は８に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
  10. 前記無機バンクを形成する無機絶縁材料は、ＳｉＮ、ＳｉＯ、及びこれらの混合物からなる群から選択される材料である、
    ことを特徴とする請求項７乃至９いずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
  11. 前記有機平坦化膜の厚さは、１．５μｍ以上、３．５μｍ以下であり、
    前記無機バンクの厚さは、０．１５μｍ以上、０．３５μｍ以下である、
    ことを特徴とする請求項７乃至１０いずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
  12. 前記配線は、薄膜トランジスタに含まれるゲート電極、ソース電極及びドレイン電極のそれぞれと接続される、ゲート電極線（走査配線）、信号配線、及び薄膜トランジスタに電源を供給する電源供給線から選択されるいずれかの配線である、
    ことを特徴とする請求項９に記載の有有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017009884A (ja) * 2015-06-25 2017-01-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107665903A (zh) * 2016-07-29 2018-02-06 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
JP2019067525A (ja) * 2017-09-28 2019-04-25 キヤノン株式会社 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法
KR20190068954A (ko) * 2017-12-11 2019-06-19 주식회사 디비하이텍 애노드 셀 어레이 유닛, 이의 제조 방법 및 유기 발광 다이오드 표시 장치
WO2022097344A1 (ja) * 2020-11-06 2022-05-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法
WO2022153665A1 (ja) * 2021-01-12 2022-07-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015072770A (ja) * 2013-10-02 2015-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法
KR102201827B1 (ko) * 2014-09-16 2021-01-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 그 제조방법
WO2018061056A1 (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
KR20180059280A (ko) * 2016-11-25 2018-06-04 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
JP6817862B2 (ja) * 2017-03-24 2021-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN111602190B (zh) * 2018-01-18 2022-04-15 夏普株式会社 显示设备、显示设备的制造方法、显示设备的制造装置
CN111903185B (zh) * 2018-03-27 2023-07-04 夏普株式会社 显示设备及其制造方法
US11416108B2 (en) * 2018-07-25 2022-08-16 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN110858629B (zh) * 2018-08-23 2023-06-16 上海新微技术研发中心有限公司 一种有机发光二极管结构及其制造方法
KR20200027600A (ko) * 2018-09-04 2020-03-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그의 제조방법
KR20200082504A (ko) * 2018-12-28 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 조명 장치
CN111969121A (zh) 2019-05-20 2020-11-20 乐金显示有限公司 发光显示装置
US11864420B2 (en) * 2019-08-23 2024-01-02 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel with anode electrode comprising first transparent conductive layer and metal layer, and manufacturing method thereof, and display apparatus
KR20210033586A (ko) 2019-09-18 2021-03-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111293147B (zh) * 2020-02-19 2024-02-09 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示用基板及其制备方法、显示装置
WO2021212333A1 (zh) * 2020-04-21 2021-10-28 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
CN112670247B (zh) * 2020-12-23 2024-02-02 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003228302A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Toshiba Electronic Engineering Corp 表示装置及びその製造方法
JP2004259692A (ja) * 2003-02-06 2004-09-16 Seiko Epson Corp 配線基板、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP2007141838A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
WO2007066573A1 (ja) * 2005-12-05 2007-06-14 Sharp Kabushiki Kaisha 有機エレクトロルミネセンスパネル及び有機エレクトロルミネセンス表示装置
JP2007273446A (ja) * 2006-03-06 2007-10-18 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置
JP2007294413A (ja) * 2006-03-29 2007-11-08 Canon Inc 有機ｅｌパネル及びその製造方法
WO2010146653A1 (ja) * 2009-06-15 2010-12-23 富士電機ホールディングス株式会社 色変換フィルター基板
JP2011003522A (ja) * 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
JP2012253036A (ja) * 2002-01-15 2012-12-20 Seiko Epson Corp 表示装置および電子機器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002358031A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
JP4869157B2 (ja) * 2006-07-05 2012-02-08 キヤノン株式会社 有機発光装置の製造方法
JP4752818B2 (ja) 2007-07-06 2011-08-17 ソニー株式会社 有機ｅｌ表示装置、電子機器、有機ｅｌ表示装置用の基板および有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR20100012287A (ko) * 2008-07-28 2010-02-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법
WO2010038514A1 (ja) * 2008-10-02 2010-04-08 シャープ株式会社 表示装置用基板、表示装置用基板の製造方法、表示装置、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス表示装置
KR101084191B1 (ko) * 2010-02-16 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
JP2012022787A (ja) 2010-07-12 2012-02-02 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、及び電子機器
KR101818451B1 (ko) * 2010-12-24 2018-01-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법
KR101818471B1 (ko) * 2011-10-28 2018-01-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광소자 및 그 제조방법
KR101981071B1 (ko) * 2012-12-31 2019-05-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP2014170686A (ja) * 2013-03-04 2014-09-18 Toshiba Corp 表示素子の製造方法、表示素子及び表示装置
KR101548304B1 (ko) * 2013-04-23 2015-08-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
JP6242121B2 (ja) * 2013-09-02 2017-12-06 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子表示装置及び発光素子表示装置の製造方法
JP2015072770A (ja) * 2013-10-02 2015-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012253036A (ja) * 2002-01-15 2012-12-20 Seiko Epson Corp 表示装置および電子機器
JP2003228302A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Toshiba Electronic Engineering Corp 表示装置及びその製造方法
JP2004259692A (ja) * 2003-02-06 2004-09-16 Seiko Epson Corp 配線基板、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP2007141838A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
WO2007066573A1 (ja) * 2005-12-05 2007-06-14 Sharp Kabushiki Kaisha 有機エレクトロルミネセンスパネル及び有機エレクトロルミネセンス表示装置
JP2007273446A (ja) * 2006-03-06 2007-10-18 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置
JP2007294413A (ja) * 2006-03-29 2007-11-08 Canon Inc 有機ｅｌパネル及びその製造方法
JP2011003522A (ja) * 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
WO2010146653A1 (ja) * 2009-06-15 2010-12-23 富士電機ホールディングス株式会社 色変換フィルター基板

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017009884A (ja) * 2015-06-25 2017-01-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107665903A (zh) * 2016-07-29 2018-02-06 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN107665903B (zh) * 2016-07-29 2022-01-25 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
JP2019067525A (ja) * 2017-09-28 2019-04-25 キヤノン株式会社 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法
KR20190068954A (ko) * 2017-12-11 2019-06-19 주식회사 디비하이텍 애노드 셀 어레이 유닛, 이의 제조 방법 및 유기 발광 다이오드 표시 장치
KR102521836B1 (ko) * 2017-12-11 2023-04-13 주식회사 디비하이텍 애노드 셀 어레이 유닛, 이의 제조 방법 및 유기 발광 다이오드 표시 장치
WO2022097344A1 (ja) * 2020-11-06 2022-05-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法
WO2022153665A1 (ja) * 2021-01-12 2022-07-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP7472323B2 (ja) 2021-01-12 2024-04-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

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