KR20120128966A - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
전기적 특성을 향상하도록 본 발명은 기판, 상기 기판상에 형성되고 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 구비하는 박막 트랜지스터, 상기 기판상에 형성되고 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극,
상기 제1 전극 상에 형성되고 유기 발광층을 구비하는 중간층, 상기 중간층상에 형성되는 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 중간층 사이에 형성되고 산화물을 구비하는 삽입층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
상기 제1 전극 상에 형성되고 유기 발광층을 구비하는 중간층, 상기 중간층상에 형성되는 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 중간층 사이에 형성되고 산화물을 구비하는 삽입층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것으로 더 상세하게는 전기적 특성을 향상하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 표시 장치로 대체되는 추세이다. 평판 표시 장치 중에서도 유기 발광 표시 장치는 자발광형 표시 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가져서 차세대 디스플레이 장치로 주목받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 중간층, 제1 전극 및 제2 전극을 구비한다. 중간층은 유기 발광층을 구비하고, 제1 전극 및 제2 전극에 전압을 가하면 유기 발광층에서 가시광선을 발생하게 된다.
유기 발광층에서의 정공과 전자의 재결합 특성의 제한, 제1 전극과 제2 전극의 효과적 전압 인가 특성 제한 등의 전기적 특성의 제한으로 인하여 유기 발광 표시 장치가 화질 특성이 저하된다. 이로 인하여 유기 발광 표시 장치가 원하는 화질을 갖도록 하려면 소비 전력이 증가되는 경향이 있다.
결과적으로 안정적이고 효율적인 전기적 특성을 갖는 유기 발광 표시 장치를 구현하는데 한계가 있다.
본 발명은 전기적 특성을 용이하게 향상하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명은 기판, 상기 기판상에 형성되고 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 구비하는 박막 트랜지스터, 상기 기판상에 형성되고 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성되고 유기 발광층을 구비하는 중간층, 상기 중간층상에 형성되는 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 중간층 사이에 형성되고 산화물을 구비하는 삽입층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 삽입층에 함유되는 산화물은 In, Zn 및 Ga를 함유하는 산화물 또는 In, Zn 및 Hf를 함유하는 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 활성층은 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 활성층 및 상기 삽입층은 동일한 물질을 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 기판과 상기 게이트 전극 사이에 형성되고 상기 제1 전극과 동일한 재료를 함유하는 제1 도전 패턴을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 도전 패턴은 상기 제1 전극과 동일한 층에 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 게이트 전극상에 상기 게이트 전극과 절연되도록 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 형성되고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극상에 상기 활성층이 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 활성층은 상기 게이트 전극과 대응되도록 형성되고, 상기 활성층은 상기 소스 전극의 측면, 상기 소스 전극의 측면과 마주보는 상기 드레인 전극의 측면, 상기 소스 전극의 상면의 소정의 영역 및 상기 드레인 전극의 상면의 소정의 영역과 접하도록 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 절연하는 게이트 절연막이 형성되고, 상기 활성층의 하면은 상기 게이트 절연막의 상면과 접할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 기판상에 형성되고 제1 캐패시터 전극 및 제2 캐패시터 전극을 구비하는 캐패시터를 더 포함하고, 상기 제1 캐패시터 전극은 상기 게이트 전극과 동일한 재료로 형성되고, 상기 제2 캐패시터 전극은 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 동일한 재료로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 기판과 상기 제1 캐패시터 전극 사이에 형성되고 상기 제1 전극과 동일한 재료를 함유하는 제2 도전 패턴을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면 기판상에 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 구비하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 기판상에 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 구비하는 중간층을 형성하는 단계, 상기 중간층상에 제2 전극을 형성하는 단계 및 상기 제1 전극과 상기 중간층 사이에 배치되고 산화물을 구비하는 삽입층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 활성층 및 상기 삽입층은 동일한 재료를 이용하여 동시에 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 박막 트랜지스터를 형성하는 단계 및 상기 제1 전극을 형성하는 단계는, 상기 제1 전극 및 상기 게이트 전극을 동시에 패터닝하여 상기 기판상에 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 박막 트랜지스터 상부에 패시베이션막을 형성하는 단계 및 상기 패시베이션막 상부에 화소 정의막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 화소 정의막의 패턴을 이용하여 별도의 마스크 없이 상기 패시베이션막의 패터닝 공정을 진행할 수 있다.
본 발명에 관한 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법은 전기적 특성을 용이하게 향상할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 2a 내지 도 2g는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 순차적으로 도시한 개략적인 단면도들이다.
도 2a 내지 도 2g는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 순차적으로 도시한 개략적인 단면도들이다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면 유기 발광 표시 장치(100)는 크게 기판(101), 박막 트랜지스터(TFT), 제1 전극(110), 중간층(115), 제2 전극(116), 삽입층(112) 및 캐패시터(CAP)를 포함한다.
박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(105), 소스 전극(108), 드레인 전극(109) 및 활성층(111)을 구비한다. 캐패시터(CAP)는 제1 캐패시터 전극(106) 및 제2 캐패시터 전극(126)을 구비한다.
각 부재의 구성에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
기판(101)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 기판(101)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재질로 형성할 수도 있다. 이 때 기판(101)을 형성하는 플라스틱 재질은 다양한 유기물들 중 선택된 하나 이상일 수 있다.
기판(101)상에 버퍼층(102)이 형성된다. 버퍼층(102)은 SiO2또는 SiNx 를 함유할 수 있다. 버퍼층(102)은 기판(101)의 상부에 평탄한 면을 제공하고 기판(101)방향으로 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지한다.
버퍼층(102)상에 제1 전극(110), 제1 도전 패턴(103) 및 제2 도전 패턴(104)이 형성된다. 제1 도전 패턴(103) 및 제2 도전 패턴(104)은 제1 전극(110)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 제1 전극(110)은 투과형 도전물질을 함유하는데 구체적으로 ITO를 함유할 수 있다.
제1 도전 패턴(103)상에 게이트 전극(105)이 형성된다. 게이트 전극(105)은 Mo, MoW, Al계 합금 등과 같은 금속 또는 금속의 합금을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 도전 패턴(104)상에 제1 캐패시터 전극(106)이 형성된다. 제1 캐패시터 전극(106)은 게이트 전극(105)과 동일한 재질로 형성할 수 있다.
제1 전극(110)상부, 특히 가장자리 중 소정의 영역에 도전 부재(110a)가 배치된다. 도전 부재(110a)는 게이트 전극(105)과 동일한 재료를 함유한다.
게이트 전극(105) 및 제1 캐패시터 전극(106)상에 게이트 절연막(107)이 형성된다. 게이트 절연막(107)은 제1 전극(110)의 소정의 영역을 노출하도록 형성된다. 또한 게이트 절연막(107)은 개구부(107a)를 구비하는데 개구부(107a)를 통하여 도전 부재(110a)의 소정의 영역이 노출된다.
게이트 절연막(107)상에 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)이 형성된다. 이 때 드레인 전극(109)은 제1 전극(110)과 전기적으로 연결되는데, 구체적으로 드레인 전극(109)은 개구부(107a)를 통하여 도전 부재(110a)와 접한다. 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)은 Mo, MoW, Al계 합금 등과 같은 금속 또는 금속의 합금을 포함할 수 있다.
게이트 절연막(107)상에 적어도 제1 캐패시터 전극(106)과 중첩되는 영역을 갖도록 제2 캐패시터 전극(126)이 형성된다. 제2 캐패시터 전극(126)은 소스 전극(108) 또는 드레인 전극(109)과 동일한 재질로 형성할 수 있다.
소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)상에 소정 패턴의 활성층(111)이 형성된다. 활성층(111)은 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)의 측면 들 중 서로 마주보는 측면들과 접하도록 형성된다. 또한 활성층(111)은 소스 전극(108)의 상면 및 드레인 전극(109)의 상면과 접하도록 형성된다. 활성층(111)은 게이트 전극(105)과 중첩되는 영역을 갖도록 형성된다.
활성층(111)은 산화물 반도체 물질을 함유한다. 구체적으로 활성층(111)은GaInZnO 또는 HfInZnO를 함유할 수 있다. 활성층(111)의 In, Zn은 50wt%미만이 것이 바람직하고, Ga는 40wt%인 것이 바람직하고, Hf는 10wt%미만인 것이 바람직하다.
제1 전극(110)상에 삽입층(112)이 형성된다. 삽입층(112)은 산화물 반도체 물질을 함유하고, 구체적으로 활성층(111)과 동일한 물질로 형성된다. 즉 삽입층(112)은 GaInZnO 또는 HfInZnO를 함유한다. 삽입층(112)의 In, Zn은 50wt%미만이 것이 바람직하고, Ga는 40wt%인 것이 바람직하고, Hf는 10wt%미만인 것이 바람직하다.
소스 전극(108), 드레인 전극(109), 제2 캐패시터 전극(126)상에 패시베이션막(113)이 형성된다. 패시베이션막(113)은 삽입층(112)상면의 적어도 소정의 영역을 노출하도록 형성된다. 패시베이션막(113)은 다양한 절연 물질을 포함할 수 있고, 박막 트랜지스터(TFT)를 보호한다.
패시베이션막(113)상에 화소 정의막(114)이 형성된다. 화소 정의막(114)은 패시베이션막(113)을 덮도록 형성되고, 삽입층(112)상면의 적어도 소정의 영역을 노출하도록 형성된다.
노출된 삽입층(112)상면과 접하도록 중간층(115)이 형성된다. 중간층(115)은 유기 발광층(미도시)을 구비한다.
중간층(115)상에는 제2 전극(116)이 형성된다. 제1 전극(110) 및 제2 전극(116)을 통하여 전압이 인가되면 중간층(115)의 유기 발광층에서 가시 광선이 구현된다.
제2 전극(116) 상에 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 밀봉 부재(미도시)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 중간층(115) 및 기타층을 보호하기 위해 형성하는 것으로 밀봉 부재(미도시)는 투명한 재질로 형성된다. 이를 위해 글라스, 플라스틱 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구조일 수도 있다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100)는 제1 전극(110)과 중간층(115)사이에 삽입층(112)이 배치된다. 삽입층(112)은 GaInZnO 또는 HfInZnO를 함유한다. GaInZnO 또는 HfInZnO는 에너지 밴드의 특성 상 청색 가시 광선의 파장 또는 그보다 작은 파장의 에너지를 흡수하고, 흡수한 에너지에 의하여 광전자를 발생한다.
즉 외부광 또는 중간층(115)에서 발생한 광의 일부가 삽입층(112)에 입사되면 삽입층(112)에서 광전자를 발생한다. 또한 이러한 광전자는 제1 전극(110)으로부터 중간층(115)으로 정공의 주입 및 수송을 용이하도록 한다. 특히 전기적 특성이 낮은 ITO를 함유하도록 제1 전극(110)이 형성되는 경우에 정공의 수송에 대한 장벽이 낮아지고, 이를 통하여 중간층(115)의 유기 발광층이 가시 광선을 구현하기 위한 구동 전압이 감소한다. 결과적으로 유기 발광 표시 장치(100)의 휘도 특성을 향상하고 소비 전력을 감소한다.
또한 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100)는 박막 트랜지스터(TFT)를 구비하는데, 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(105)상에 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)이 형성되고, 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)상에 활성층(111)이 형성된다. 즉 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)을 형성하고 나서 별도의 절연막을 형성하지 않고 바로 활성층(111)을 형성한다. 이를 통하여 활성층(111)의 하면이 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)과 접하게 된다. 구체적으로 활성층(111)은 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)의 측면 및 상면과 접한다.
콘택홀을 통한 연결 구조, 즉 활성층(111)과 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)사이에 콘택홀을 갖는 절연층을 형성하고 콘택홀을 통하여 활성층(111)과 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)이 접하는 구조에 비하여 본 발명은 박막 트랜지스터(TFT)의 폭을 용이하게 줄일 수 있다. 이를 통하여 효율적이고 전기적 특성이 향상된 유기 발광 표시 장치(100)의 설계가 용이해진다.
또한 게이트 전극(105)과 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)이 중첩되는 부분을 최소화하여 게이트 전극(105)과 소스 전극(108) 및 게이트 전극(105)과 드레인 전극(109)간의 기생 용량(parasitic capacitance)를 최소화할 수 있다.
도 2a 내지 도 2g는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 순차적으로 도시한 개략적인 단면도들이다.
먼저 도 2a를 참조하면 기판(101)상에 버퍼층(102)이 형성된다. 버퍼층(102)상에 제1 전극(110), 제1 도전 패턴(103) 및 제2 도전 패턴(104)이 형성된다. 제1 전극(110)상부에 도전 부재(110a)가 배치되고, 제1 도전 패턴(103)상에 게이트 전극(105)이 형성되고, 제2 도전 패턴(104)상에 제1 캐패시터 전극(106)이 형성된다.
제1 전극(110), 제1 도전 패턴(103) 및 제2 도전 패턴(104)은 동일 재질이고, 도전 부재(110a), 게이트 전극(105) 및 제1 캐패시터 전극(106)은 동일 재질이다.
버퍼층(102)상에 제1 전극(110)을 형성할 재료 즉 ITO를 함유하는 박막을 형성하고 나서, 패터닝 공정 없이 게이트 전극(105)을 형성하는 물질 즉 Mo, MoW, Al계 합금 등과 같은 금속 또는 금속의 합금을 함유하는 박막을 그 위에 형성한다. 그리고 나서 1회의 패터닝 공정을 통하여 제1 전극(110), 제1 도전 패턴(103), 제2 도전 패턴(104), 도전 부재(110a), 게이트 전극(105) 및 제1 캐패시터 전극(106)을 형성한다. 이를 통하여 1개의 마스크를 통하여 간편하게 공정을 진행할 수 있다.
그리고 나서 도 2b를 참조하면 게이트 전극(105), 제1 캐패시터 전극(106) 및 도전 부재(110a)상에 게이트 절연막(107)이 형성된다. 게이트 절연막(107)은 도전 부재(110a)의 소정의 영역을 노출하도록 형성된다. 즉 도전 부재(110a)의 중앙 영역을 노출하도록 게이트 절연막(107)이 형성된다. 또한 게이트 절연막(107)은 개구부(107a)를 구비하는데 개구부(107a)를 통하여 도전 부재(110a)의 가장자리 근처의 소정의 영역이 노출된다.
그리고 나서 도 2c를 참조하면 게이트 절연막(107)상에 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)이 형성된다. 또한 도전 부재(110a)의 소정 영역을 제거하여 제1 전극(110)이 노출되도록 한다. 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)의 패터닝 시에 도전 부재(110a)의 소정 영역을 동시에 제거할 수 있다.
드레인 전극(109)은 개구부(107a)를 통하여 도전 부재(110a)와 접한다. 이를 통하여 드레인 전극(109)은 제1 전극(110)과 전기적으로 연결된다. 제1 캐패시터 전극(106)과 중첩되는 영역을 갖도록 제2 캐패시터 전극(126)이 형성된다. 제1 캐패시터 전극(106), 제2 캐패시터 전극(126) 및 게이트 절연막(107)을 포함하는 캐패시터(CAP)가 완성된다.
제2 캐패시터 전극(126)은 소스 전극(108) 또는 드레인 전극(109)과 동일한 재질로 형성되고 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)을 패터닝 할 때 동시에 패터닝된다.
즉 소스 전극(108), 드레인 전극(109), 제2 캐패시터 전극(126)은 1개의 마스크를 이용하여 동시에 패터닝되어 형성된다.
그리고 나서 도 2d를 참조하면 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)상에 소정 패턴의 활성층(111)이 형성된다. 활성층(111)은 게이트 전극(105)과 중첩되는 영역을 갖도록 형성된다. 또한 활성층(111)은 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)의 서로 마주보는 측면들과 접하고 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)의 상면과 접하도록 형성된다. 활성층(111)은 산화물 반도체 물질을 함유한다. 구체적으로 활성층(111)은GaInZnO 또는 HfInZnO를 함유할 수 있다.
제1 전극(110)상에 삽입층(112)이 형성된다. 삽입층(112)은 산화물 반도체 물질을 함유하고, 구체적으로 활성층(111)과 동일한 물질로 형성된다. 즉 삽입층(112)은 GaInZnO 또는 HfInZnO를 함유한다.
활성층(111)을 형성하기 위한 물질 즉 GaInZnO 또는 HfInZnO를 함유하는 박막을 스퍼터링을 통하여 소스 전극(108), 드레인 전극(109) 및 제1 전극(110)의 상부를 포함하는 영역에 별도의 마스크 없이 형성한다. 그리고 나서 마스크등을 이용하여 활성층(111) 및 삽입층(112)을 동시에 패터닝하여 형성한다. 이를 통하여 삽입층(112)을 위한 추가적인 마스크 및 추가적인 패터닝 공정없이 삽입층(112)을 용이하게 형성할 수 있다.
그리고 나서 도 2e를 참조하면 소스 전극(108), 드레인 전극(109), 제2 캐패시터 전극(126) 및 삽입층(112)상에 패시베이션막(113)이 형성된다.
그리고 나서 도 2f를 참조하면 패시베이션막(113)상에 화소 정의막(114)이 형성된다. 이 때 패시베이션막(113)은 삽입층(112)상면의 적어도 소정의 영역을 노출하도록 패터닝된다. 또한 화소 정의막(114)은 패시베이션막(113)을 덮도록 형성되고, 삽입층(112)상면의 적어도 소정의 영역을 노출하도록 형성된다. 패시베이션막(113)의 영역 중 삽입층(112)의 상면의 영역에 대응하는 부분을 제거하는 패터닝 공정을 진행한 후에 화소 정의막(114)의 영역 중 삽입층(112)의 상면의 영역에 대응하는 부분을 제거하는 패터닝 공정을 진행할 수 있다.
그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양한 공정을 이용할 수 있는데, 화소 정의막(114)의 영역 중 삽입층(112)의 상면의 영역에 대응하는 부분을 제거하는 패터닝 공정을 먼저 진행한 후에 화소 정의막(114)의 패턴을 이용하여 별도의 마스크 없이 패시베이션막(113)의 영역 중 삽입층(112)의 상면의 영역에 대응하는 부분을 제거하는 공정을 진행할 수도 있다.
그리고 나서 도 2g를 참조하면 노출된 삽입층(112)상면과 접하도록 중간층(115)이 형성된다. 중간층(115)은 유기 발광층(미도시)을 구비한다.
중간층(115)상에는 제2 전극(116)이 형성된다. 제2 전극(116)은 별도의 패터닝없이 전체 화소(미도시)들에 걸쳐서 형성할 수 있다. 제2 전극(116) 상에 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 밀봉 부재(미도시)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 중간층(115) 및 기타층을 보호하기 위해 형성하는 것으로 밀봉 부재(미도시)는 투명한 재질로 형성된다. 이를 위해 글라스, 플라스틱 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구조일 수도 있다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100) 제조 방법은 제1 전극(110)과 중간층(115)사이에 삽입층(112)을 형성하는 것을 포함한다. 또한 삽입층(112)을 형성 시 별도의 마스크 추가 없이 활성층(111)과 동시에 패터닝한다. 이를 통하여 추가적인 공정의 지연 없이 삽입층(112)을 제1 전극(110)과 중간층(115)사이에 형성하고, 유기 발광 표시 장치(100)의 휘도 특성을 향상하고 소비 전력을 감소한다.
또한 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100) 제조 방법은 제1 전극(110), 게이트 전극(105) 및 제1 캐패시터 전극(106)을 동시에 형성하고, 소스 전극(108), 드레인 전극(109) 및 제2 캐패시터 전극(126)을 동시에 형성한다. 이를 통하여 공정의 편이성을 증대하고 공정 중 불량 발생을 최소화 할 수 있다.
또한 패시베이션막(113) 및 화소 정의막(114)을 형성 시 화소 정의막(114)을 패터닝한 후에 이러한 패턴을 이용하여 패시베이션막(113)을 형성하는 경우에는 패시베이션막(113)의 패터닝을 위한 별도의 마스크가 필요하지 않으므로 공정 편이성 증대 효과가 향상된다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 유기 발광 표시 장치 101: 기판
102: 버퍼층 103: 제1 도전 패턴
104: 제2 도전 패턴 105: 게이트 전극
106: 제1 캐패시터 전극 107: 게이트 절연막
108: 소스 전극 109: 드레인 전극
110: 제1 전극 111: 활성층
112: 삽입층 113: 패시베이션막
114: 화소 정의막 115: 중간층
116: 제2 전극 126: 제2 캐패시터 전극
TFT: 박막 트랜지스터 CAP: 캐패시터
102: 버퍼층 103: 제1 도전 패턴
104: 제2 도전 패턴 105: 게이트 전극
106: 제1 캐패시터 전극 107: 게이트 절연막
108: 소스 전극 109: 드레인 전극
110: 제1 전극 111: 활성층
112: 삽입층 113: 패시베이션막
114: 화소 정의막 115: 중간층
116: 제2 전극 126: 제2 캐패시터 전극
TFT: 박막 트랜지스터 CAP: 캐패시터
Claims (16)
- 기판;
상기 기판상에 형성되고 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 구비하는 박막 트랜지스터;
상기 기판상에 형성되고 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 형성되고 유기 발광층을 구비하는 중간층;
상기 중간층상에 형성되는 제2 전극; 및
상기 제1 전극과 상기 중간층 사이에 형성되고 산화물을 구비하는 삽입층을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 삽입층에 함유되는 산화물은 In, Zn 및 Ga를 함유하는 산화물 또는 In, Zn 및 Hf를 함유하는 산화물을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 활성층은 산화물 반도체 물질을 함유하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 활성층 및 상기 삽입층은 동일한 물질을 함유하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 기판과 상기 게이트 전극 사이에 형성되고 상기 제1 전극과 동일한 재료를 함유하는 제1 도전 패턴을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 제1 도전 패턴은 상기 제1 전극과 동일한 층에 형성되는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 게이트 전극상에 상기 게이트 전극과 절연되도록 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 형성되고,
상기 소스 전극 및 드레인 전극상에 상기 활성층이 형성되는 유기 발광 표시 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 활성층은 상기 게이트 전극과 대응되도록 형성되고, 상기 활성층은 상기 소스 전극의 측면, 상기 소스 전극의 측면과 마주보는 상기 드레인 전극의 측면, 상기 소스 전극의 상면의 소정의 영역 및 상기 드레인 전극의 상면의 소정의 영역과 접하도록 형성되는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 절연하는 게이트 절연막이 형성되고,
상기 활성층의 하면은 상기 게이트 절연막의 상면과 접하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 기판상에 형성되고 제1 캐패시터 전극 및 제2 캐패시터 전극을 구비하는 캐패시터를 더 포함하고,
상기 제1 캐패시터 전극은 상기 게이트 전극과 동일한 재료로 형성되고, 상기 제2 캐패시터 전극은 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 동일한 재료로 형성되는 유기 발광 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 기판과 상기 제1 캐패시터 전극 사이에 형성되고 상기 제1 전극과 동일한 재료를 함유하는 제2 도전 패턴을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 기판상에 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 구비하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 기판상에 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 구비하는 중간층을 형성하는 단계;
상기 중간층상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및
상기 제1 전극과 상기 중간층 사이에 배치되고 산화물을 구비하는 삽입층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 활성층 및 상기 삽입층은 동일한 재료를 이용하여 동시에 형성하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터를 형성하는 단계 및 상기 제1 전극을 형성하는 단계는,
상기 제1 전극 및 상기 게이트 전극을 동시에 패터닝하여 상기 기판상에 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터 상부에 패시베이션막을 형성하는 단계 및
상기 패시베이션막 상부에 화소 정의막을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제15 항에 있어서,
상기 화소 정의막의 패턴을 이용하여 별도의 마스크 없이 상기 패시베이션막의 패터닝 공정을 진행하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| US7220611B2 (en) * | 2003-10-14 | 2007-05-22 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and fabricating method thereof |
| US7049741B2 (en) * | 2004-01-27 | 2006-05-23 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode with improved light emission through substrate |
| KR101107252B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 일렉트로-루미네센스 표시 패널의 박막 트랜지스터 기판및 그 제조 방법 |
| GB0517195D0 (en) * | 2005-08-23 | 2005-09-28 | Cambridge Display Tech Ltd | Molecular electronic device structures and fabrication methods |
| JP5016831B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2012-09-05 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体薄膜トランジスタを用いた発光素子及びこれを用いた画像表示装置 |
| JP5489445B2 (ja) * | 2007-11-15 | 2014-05-14 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
| US7786481B2 (en) * | 2008-08-26 | 2010-08-31 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and fabricating method thereof |
| KR101050461B1 (ko) * | 2009-04-23 | 2011-07-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 |
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| KR101560430B1 (ko) * | 2011-08-12 | 2015-10-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
-
2011
- 2011-05-18 KR KR1020110046939A patent/KR20120128966A/ko not_active Application Discontinuation
-
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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