JP2016024887A - 画像表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】有機材料を含む平坦化膜に水分が含まれることによる画像表示装置の不良の発生を抑えること。
【解決手段】画像表示装置は、基板と、前記基板上に形成された薄膜トランジスタを覆う有機平坦化膜と、前記有機平坦化膜の上に設けられた無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜の上面の一部に成膜された電極膜と、平面的にみて前記電極膜と異なる位置に成膜される有機絶縁膜を含み前記無機絶縁層の上層に設けられる有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上層に設けられ前記電極膜と下面が接する有機発光膜を含む発光層と、を含み、前記無機絶縁膜には当該無機絶縁膜を貫き平面的にみて前記電極膜と重ならず前記有機絶縁膜と重なる複数の第１の開口が設けられる。
【選択図】図５

Description

本発明は画像表示装置に関する。

近年は有機ＥＬ表示装置などの表示装置の開発がさかんに進められている。有機ＥＬ表示装置の中には、有機平坦化膜と、有機平坦化膜の上に設けられた無機絶縁膜の層と、その上に設けられた電極膜および有機絶縁膜と、電極膜を覆う発光層とを含むものがある。

特許文献１には、有機平坦化膜の上に設けられる下部電極と、その下部電極の上層にある無機絶縁膜および発光膜と、無機絶縁膜および発光膜を覆う上部電極とを含む有機ＥＬ表示装置が開示されている。特許文献２には、第１層間絶縁膜の上に設けられる配線と、配線の上層にある無機絶縁膜である第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜の上に設けられる陽極と、陽極の上の発光領域を囲むように形成される無機材料の絶縁膜とを含む有機ＥＬ表示装置が開示されている。

特開２００９−０１６２３１号公報 特開２０１２−２２７８７号公報

無機絶縁膜や電極膜は水分を通しにくく、一方で、有機材料を含む平坦化膜は成膜時に内在する水分や成膜後の洗浄工程などの間に吸収した水分を含んでいる場合がある。すると、平坦化膜に含まれる水分により有機ＥＬ表示装置に不良が生じてしまう。

本発明は上記課題を鑑みてなされたものであって、その目的は、有機材料を含む平坦化膜に水分が含まれることによる不良の発生が抑えられた画像表示装置を提供することにある。

本出願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。

（１）基板と、前記基板上に形成された薄膜トランジスタを覆う有機平坦化膜と、前記有機平坦化膜の上に設けられた無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜の上面の一部に成膜された電極膜と、平面的にみて前記電極膜と異なる位置に成膜される有機絶縁膜を含み前記無機絶縁膜の上層に設けられる有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上層に設けられ前記電極膜と下面が接する有機発光膜を含む発光層と、を含み、前記無機絶縁膜には当該無機絶縁膜を貫き平面的にみて前記電極膜と重ならず前記有機絶縁膜と重なる複数の第１の開口が設けられ、前記開口の縁の形状は、平面的にみて曲線を含む、ことを特徴とする画像表示装置。

（２）（１）において、前記開口は前記無機絶縁膜を貫く溝であり、平面的にみて前記溝の端部は丸みを有することを特徴とする画像表示装置。

（３）（２）において、平面的にみて前記開口の縁のうち前記溝の端部と端部との間の形状は波状の曲線を含むことを特徴とする画像表示装置。

（４）基板と、前記基板上に形成された薄膜トランジスタを覆う有機平坦化膜と、前記有機平坦化膜の上に設けられた無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜の上面の一部に成膜された電極膜と、平面的にみて前記電極膜と異なる位置に成膜される有機絶縁膜を含み前記無機絶縁膜の上層に設けられる有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上層に設けられ前記電極膜と下面が接する有機発光膜を含む発光層と、を含み、前記無機絶縁膜には当該無機絶縁膜を貫き平面的にみて前記電極膜と重ならず前記有機絶縁膜と重なる複数の第１の開口が設けられ、前記基板は、平面的にみて映像信号に応じて発光する複数の表示画素が設けられる表示領域と、前記表示領域を囲み発光しない複数のダミー画素が設けられるダミー領域と、前記ダミー領域を囲む周辺領域とを含み、前記電極膜は前記表示画素ごとに設けられ、前記有機絶縁膜は平面的にみて前記表示画素に含まれる電極膜を囲むバンクを構成する第１の領域と、前記ダミー領域に設けられる第２の領域と、前記周辺領域に設けられる第３の領域とを含み、前記無機絶縁層には前記複数の第１の開口と、複数の第２の開口とが設けられ、前記複数の第１の開口は平面的に見て前記第１の領域と重なり、前記複数の第２の開口は平面的にみて前記第２の領域と重なり、前記有機絶縁膜は前記第２の開口を介して前記平坦化膜と接する、ことを特徴とする画像表示装置。

本発明によれば、画像表示装置において、有機平坦化膜に含まれる水分に起因する不良の発生を抑えることができる。

本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ表示パネルの一例を示す平面図である。 図１に示す有機ＥＬ表示パネルのII−II切断線における断面図である。 本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ表示パネルの等価回路の一例を示す回路図である。 表示領域、ダミー領域および周辺領域の一例を示す平面図である。 図４のＶ−Ｖ切断線における断面図である。 開口の一例を示す平面図である。 開口の他の一例を示す平面図である。 図４のVII−VII切断線における断面図である。 本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示す図である。 表示領域の他の一例を示す平面図である。 表示領域の他の一例を示す平面図である。

以下では、本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。出現する構成要素のうち同一機能を有するものには同じ符号を付し、その説明を省略する。

図１は、本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ表示パネルの一例を示す平面図である。また図２は、図１に示す有機ＥＬ表示パネルのII−II切断線における断面図である。有機ＥＬ表示パネルは、アレイ基板１と、アレイ基板１の一面のうち一部を覆う対向基板２と、アレイ基板１のうち対向基板２に覆われていない領域に接続されるフレキシブル回路基板３と、アレイ基板１上の対向基板２とフレキシブル回路基板３との間に設けられるドライバ集積回路４とを含む。本実施形態にかかる有機ＥＬ表示パネルはトップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルであり、白色のＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）素子（以下では発光素子ともいう）とカラーフィルタとを組み合わせてフルカラー表示をするものである。図２においては、説明の容易のため高さを強調するように記載している。他の断面図においても高さの表現については実際と異なる場合がある。

図２に示すように、アレイ基板１の上には回路層１０と、回路層１０の上にある封止膜２０とが形成されており、対向基板２と封止膜２０との間には、平面的にみて対向基板２の外周に設けられるシール２２が設けられ、対向基板２のうちアレイ基板１側の面にはカラーフィルタ２１が設けられ、カラーフィルタ２１と封止膜２０との間には充填材２３が封入されている。なお、有機ＥＬ表示装置はカラーフィルタ２１や対向基板２、シール２２や充填材２３を含んでいなくてもよい。回路層１０の詳細については後述する。

アレイ基板１上の対向基板２に覆われている領域は、表示領域１１と、表示領域１１を囲むダミー領域１２と、ダミー領域１２を囲む周辺領域１３とに分けられる。表示領域１１にはマトリクス状に並ぶ複数の表示画素が設けられている。表示画素は表示領域１１に表示される画像を構成する画素のうち１つの色のサブ画素に対応し、そのサブ画素に対する画像データが示すそのサブ画素の表示階調に応じた強さの光を出力する。

ダミー領域１２には複数のダミー画素が配置されている。表示領域１１の上下にはそれぞれ２〜３行のダミー画素が設けられ、表示領域１１の左右にはそれぞれ２〜３列のダミー画素が設けられる。ダミー画素の構造は表示画素の構造に近いが、ダミー画素は表示画素と異なり発光しない。表示画素とダミー画素との構造の違いの詳細については後述する。周辺領域１３には表示画素もダミー画素も形成されていない。

図３は、本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ表示パネルの等価回路の一例を示す回路図である。これらの回路は物理的にはアレイ基板１上やドライバ集積回路４内に形成されている。アレイ基板１上には表示領域１１内をマトリクス状に並ぶ複数の画素回路３３が設けられている。画素回路３３はそれぞれ１つの表示画素に相当する。画素回路３３の行につき１本の走査線３１が設けられており、走査線３１のそれぞれは対応する画素回路３３に接続されている。また画素回路３３の列につき１本の映像信号線３２が設けられており、映像信号線３２のそれぞれは対応する画素回路３３に接続されている。なお、複数の走査線３１は表示領域１１内を図３の左右方向に延び、複数の映像信号線３２は表示領域１１内を図３の上下方向に延びている。

走査線３１の一端は走査線駆動回路３４に接続されている。走査線駆動回路３４は、走査線３１に走査信号を出力し、その走査信号が出力された走査線３１に接続される画素回路３３が、映像信号線３２に供給される映像信号に応じた電位を記憶するように制御する。映像信号線３２の一端は映像信号供給回路３５に接続されている。映像信号供給回路３５は映像信号線３２に映像信号を出力する。映像信号供給回路３５は映像信号線３２に水平期間ごとに異なる行の画素回路３３に対する映像信号を出力し、走査線駆動回路３４はその映像信号が出力される行に対応する走査線３１に走査信号を出力する。

画素回路３３のそれぞれは、発光素子４２と、駆動トランジスタ４１と、キャパシタ４３と、画素スイッチ４４とを含む。駆動トランジスタ４１は発光素子４２を流れる電流の量を制御する素子であり、電源線に電気的に接続されるドレインと、発光素子４２のアノードに電気的に接続されるソースと、画素スイッチ４４の一端に接続されるゲートとを有する。画素スイッチ４４の他端は映像信号線３２に接続される。画素スイッチ４４は薄膜トランジスタであり、ゲートは走査線３１に接続されている。発光素子４２のカソードは接地電位を供給する配線に電気的に接続されている。キャパシタ４３は駆動トランジスタ４１のソースとゲートとの間に設けられ、キャパシタ４３の一端はゲートに、他端はソースにそれぞれ電気的に接続される。

図４は、表示領域１１、ダミー領域１２および周辺領域１３の一例を示す平面図である。図４の表示領域１１では、２列×３行の表示画素が記載され、その右側のダミー領域１２には１列×３行のダミー画素が記載されている。実際にはその上下左右に多くの表示画素やダミー画素が配置されている。またダミー領域１２のさらに外側には周辺領域１３が存在する。

図５は、図４のＶ−Ｖ切断線における断面図である。アレイ基板１は絶縁基板であり、アレイ基板１の上には順に、下地膜５２、半導体膜５３の層、第１の絶縁膜５４、ゲート電極５５の層、第２の絶縁膜５６、配線５７の層、平坦化膜５８、キャパシタ下部電極５９、第３の絶縁膜６０、陽極６１の層、バンク６２の層、発光層６３、陰極６４の層、封止膜２０が設けられている。下地膜５２から陰極６４までが回路層１０に相当する。なおアレイ基板１は例えばガラス、プラスチックなどで構成されてよい。

半導体膜５３と、半導体膜５３の上にあるゲート電極５５と、平面的にみてゲート電極５５の両側にある半導体膜５３にそれぞれ接続する配線５７の一部とが１つのトランジスタ７１を構成している。ゲート電極５５と半導体膜５３との間にある第１の絶縁膜５４は、ＳｉＮなどの無機絶縁膜である。トランジスタ７１は、駆動トランジスタ４１や画素スイッチ４４に相当する。平坦化膜５８はトランジスタ７１や第２の絶縁膜５６を覆うように設けられている。第２の絶縁膜５６は無機絶縁膜であり、平坦化膜５８はアクリルやポリイミドなどの有機樹脂からなる絶縁膜である。

図４において、バンク６２は表示領域１１およびダミー領域１２のうち、バンク開口７４の無い領域に設けられている。バンク開口７４は、１つの表示画素または１つのダミー画素につき１つ設けられている。また１つの表示画素につき１つのキャパシタ下部電極５９と１つの陽極６１とが設けられている。陽極６１は平面的にみて、その陽極６１を含む表示画素の画素回路３３が設けられる領域とほぼ重なる矩形の電極であり、バンク開口７４を囲んでいる。

キャパシタ下部電極５９は平坦化膜５８の上面に接しており、その上を第３の絶縁膜６０が覆っている。なお第３の絶縁膜６０の下面の一部はキャパシタ下部電極５９に、第３の絶縁膜６０の上面の一部は陽極６１に接しており、キャパシタ４３を構成している。第３の絶縁膜６０はＳｉＮなどからなる無機絶縁膜であり、こうすることで十分な容量をもつキャパシタ４３を設けることが可能である。陽極６１の層の上には、平面的にみて陽極６１がない部分および陽極６１の縁の部分と重なる領域にバンク６２が設けられている。バンク開口７４にある陽極６１およびバンク６２の上には発光層６３が形成されている。発光層６３の下面の一部は陽極６１の上面と接している。発光層６３の上には表示領域１１、ダミー領域１２および周辺領域１３を覆う陰極６４と封止膜２０とが設けられている。陽極６１、発光層６３、陰極６４は発光素子４２を構成する。発光層６３は実際には複数の層からなり、また平面的にみて陽極６１と接する部分のみ発光する。なお、図５では発光層６３は画素ごとに分割されていない１つの膜であるが、画素ごとに分割されていてもよい。

陽極６１と配線５７とは、第３の絶縁膜６０および平坦化膜５８を貫くコンタクトホール７３を介して駆動トランジスタ４１のドレインに相当する配線５７と接続されている。また平面的にみてコンタクトホール７３はバンク６２に覆われている。キャパシタ下部電極５９は図４では図示していないが、平面的にみて陽極６１が設けられる領域のうち、コンタクトホール７３およびその近傍以外に形成されている。キャパシタ下部電極５９は、図示しないコンタクトホールを介して駆動トランジスタ４１のゲート電極５５と電気的に接続されている。

次に、第３の絶縁膜６０のうち表示領域１１内に設けられる複数の開口７２について説明する。開口７２は平面的にみてある方向とその反対方向（図４では上下）にそれぞれ隣接する２つの表示画素がある領域に設けられている。また１つの表示画素につき１つの開口７２が設けられている。また、開口７２は第３の絶縁膜６０を貫く溝であり、その２つの表示画素が並ぶ向きと直交する方向に延びている。開口７２は平面的にみて表示領域１１内にあるバンク６２に覆われており、また陽極６１とは重なっていない。平坦化膜５８とバンク６２とは開口７２を介して接している。

無機絶縁膜である第３の絶縁膜６０に開口７２を設け、さらにその開口７２が陽極６１により覆われていないことにより、ベークなどの際に平坦化膜５８に含まれる水分をこの開口７２から放出することが可能になり、有機ＥＬ表示パネルの不具合を抑制することが可能になる。この効果は製造工程の簡略化も可能にする。

図６Ａは、開口７２の一例を示す平面図である。図６Ａは、開口７２を拡大した図である。開口７２の縁の形状は、平面的にみて曲線を含んでいる。より具体的には平面的にみて開口７２の端部は丸みを有する。図６Ａに示す開口７２の縁の形は平面的にみて溝の延びる方向に延びる２つの直線と、それらの２つの線を接続する滑らかな曲線とを含んでいる。

開口７２の形状は他の形であってもよい。図６Ｂは、開口７２の他の一例を示す平面図である。図６Ｂに示す開口７２の縁の形は平面的にみて溝の延びる方向に延びる２つの波状の曲線と、それらの２つの線を接続する滑らかな曲線とを含んでいる。

開口７２に丸みをもたせることで、バンク６２を形成する際に有機樹脂を塗布する際に、角の部分により流体力学的に生じる特異的な挙動を抑えることができ、塗布された有機樹脂の厚さのムラを抑えたり、有機樹脂が塗布されない領域の発生を抑えることができる。なお、開口７２の丸みは、その丸みを表現するためのマスクを用いたレジストのフォトリソグラフィとフォトリソグラフィ後のエッチングとにより形成される。

次にダミー領域１２内のダミー画素について説明する。ダミー画素の構造は表示画素と同様であり、図４の例では、１つのダミー画素につき１つの陽極６１が設けられており、また陽極６１ごとにコンタクトホール７３も設けられている。ダミー画素では表示画素に物理的な条件を近づけるため、表示画素と同じ形状のバンク６２も設けられている。一方、ダミー画素では画素回路３３そのものは形成されておらず、陽極６１は走査線３１や映像信号線３２とは間接的にも接続されていない。またダミー画素ではトランジスタ７１は形成されていなくてもよいし、コンタクトホール７３が形成されていなくてもよい。

次に、第３の絶縁膜６０のうちダミー領域１２内に設けられる複数の開口７５について説明する。開口７５は平面的にみてある方向とその反対方向（図４では上下）にそれぞれ隣接する２つのダミー画素がある領域に設けられている。１つのダミー画素につき１つの開口７５が設けられている。また、開口７５は開口７２と同様に第３の絶縁膜６０を貫く溝であり、その２つのダミー画素が並ぶ向きと直交する方向に延びている。開口７５は平面的にみてダミー領域１２内にあるバンク６２に覆われており、また陽極６１とは重なっていない。平坦化膜５８とバンク６２とは開口７５を介しても接している。

ダミー領域１２に形成された開口７５も、平坦化膜５８に含まれる水分を放出する。また開口７５の平面的な構造は開口７２と同様であるが、物理的な条件の違いなどが存在する場合には大きさなどを調整してもよい。

次に周辺領域１３について説明する。周辺領域１３には表示画素もダミー画素も形成されておらず、走査線３１や映像信号線３２を走査線駆動回路３４や映像信号供給回路３５に接続するための配線などが配置されている。

周辺領域１３に形成される開口７６について説明する。図７は、図４のVII−VII切断線における断面図である。周辺領域１３では画素回路３３の代わりに配線が形成されているが、図７では図示していない。また周辺領域１３でもアレイ基板１の上には下地膜５２と、第１の絶縁膜５４と、第２の絶縁膜５６と平坦化膜５８とが形成されている。平坦化膜５８の上には第３の絶縁膜６０が形成されており、周辺領域１３内の第３の絶縁膜６０には開口７６が設けられている。そして開口７６の上には陽極６１は設けられておらず、バンク６２と同じ層にあり同じ工程で形成される有機絶縁膜６６は開口７６を介して平坦化膜５８と接している。また有機絶縁膜６６の上には順に発光層６３、陰極６４、封止膜２０が形成されている。

開口７６は、平面的にみて周辺領域１３内を開口７２や開口７５が延びる方向と同じ方向に延びており、また開口７２や開口７５が延びる方向の延長線の上に配置されている。周辺領域１３に形成された開口７６についても、平坦化膜５８に含まれる水分を放出する効果を有する。また開口７６の平面的な構造は開口７２と同様であるが、物理的な条件の違いが存在する場合には大きさなどを調整してもよい。

このようにダミー領域１２や周辺領域１３にも開口７５，７６があることにより、ここから平坦化膜５８の水分が放出されやすくなり、これらダミー領域１２や周辺領域１３に隣接する表示領域１１の発光層６３に対する水分ダメージを防ぎ、表示品質や寿命を向上させる。

有機ＥＬ表示パネルの製造方法について説明する。図８は本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示す図である。本製造工程は、順に、薄膜トランジスタ形成工程Ｓ１と、平坦化膜形成工程Ｓ２と、下部電極形成工程Ｓ３と、無機絶縁膜形成工程Ｓ４と、陽極形成工程Ｓ５と、バンク形成工程Ｓ６と、ベーク工程Ｓ７と、発光層蒸着工程Ｓ８と、陰極形成工程Ｓ９と、封止膜形成工程Ｓ１０とを含む。また、図示しないが、封止膜形成工程Ｓ１０のあとに対向基板２やフレキシブル回路基板３、ドライバ集積回路４をアレイ基板１に取付ける工程も存在する。

薄膜トランジスタ形成工程Ｓ１は、画素回路３３を構成するトランジスタ７１や画素回路３３内の配線、走査線３１，映像信号線３２などをアレイ基板１上に形成する工程であり、ＳｉＮなどからなる下地膜５２を形成する工程、半導体膜５３を形成する工程、第１の絶縁膜５４を形成する工程、ゲート電極５５を形成する工程、無機絶縁膜である第２の絶縁膜５６を形成する工程、配線５７を形成する工程を含む。この工程は既知のフォトリソグラフィなどの方法を用いて行われてよい。配線５７は、例えばアルミニウム、クロム、モリブデン等の金属によって形成されてよい。

平坦化膜形成工程Ｓ２は、薄膜トランジスタ形成工程Ｓ１により形成されたトランジスタ７１や第２の絶縁膜５６の表面を覆い、かつその表面の凹凸を平坦化する平坦化膜５８を形成する工程である。本工程では、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などの有機樹脂のワニス（有機樹脂を溶媒に溶かした液状物）を凹凸表面に塗布することによって、凹部に優先的にワニスが流れ込ませた後、乾燥させることによって平坦化膜５８を形成してもよい。また、有機樹脂の塗布はスピンコーター、スリットコーター等の方法を用いて行ってもよいが、該方法に限定されない。また、平坦化膜５８に含まれる水分を除去するために、本工程で例えば２００℃の条件にてベーク（あるいは真空ベーク）処理を行ってもよい。また本工程ではフォトリソグラフィにより平坦化膜５８にコンタクトホール７３が形成される。

下部電極形成工程Ｓ３は、キャパシタ下部電極５９を形成する工程である。本工程は既知のスパッタリングやフォトリソグラフィの手法により行われてよい。キャパシタ下部電極５９は例えばアルミニウム、クロム、モリブデン等の金属によって形成されてよい。なお、本工程においてキャパシタ下部電極５９の形成に用いるレジストを除去する際などに、平坦化膜５８が水分を吸収する場合がある。したがって、次の工程に移る前にさらにベーク（あるいは真空ベーク）処理を行い、平坦化膜５８に含まれる水分を除去してもよい。

次に、キャパシタ下部電極５９を覆う第３の絶縁膜６０を形成する無機絶縁膜形成工程Ｓ４が行われる。この工程ではフォトリソグラフィも行い、開口７２，７５，７６が形成され、またコンタクトホール７３の底の配線５７も露出する。

陽極製造工程Ｓ５は、陽極６１を形成する工程である。陽極６１は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ２）、アルミニウムドープの酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ（ＩＺＯ））等によって形成される。また既知のフォトリソグラフィなどの技術によりパターニングされる。

バンク形成工程Ｓ６は、バンク６２や有機絶縁膜６６の層を形成する工程である。バンク形成工程Ｓ６では、平坦化膜形成工程Ｓ２と同じように、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などの有機樹脂（一般的には平坦化膜５８と同じ樹脂である）を塗布し、フォトリソグラフィによりバンク開口７４を形成する。

ここで、バンク形成工程Ｓ６の後、アレイ基板１の表面には、微粒子や分子レベルの汚染物質が付着していることが考えられる。この様な汚染物質は素子特性の劣化等を引き起こすことがある。この様な汚染物質を除去するため次の工程に移る前に洗浄工程を行うことが好ましい。

次にベーク工程Ｓ７が行われる。このベーク工程Ｓ７により、平坦化膜５８やバンク６２を構成する有機材料などに含有される水分（先の洗浄工程により含むこととなった水分を含む）が除去される。これにより有機ＥＬ素子の信頼性が向上する。平坦化膜５８においても開口７２、７５、７６があるためにこれらの開口から水分が除去されるため、有機ＥＬ素子の信頼性が向上する効果が得られる。このベーク工程Ｓ７は、真空ベーク工程であってもよい。真空ベーク工程によって平坦化膜５８を構成する有機材料に含まれる水分をより確実に除去することができる。なお、この工程で開口７２などを介して平坦化膜５８の水分も除去されるので、これより前のベーク工程は行わなくてもよい。

発光層蒸着工程Ｓ８は、バンク開口７４により露出した陽極６１と、バンク６２などを覆いかつこれらの上面に接する発光層６３を形成する工程である。発光層６３は、実際には複数の層からなり、既知の蒸着法により形成されてもよいし、既知の塗布法を用いて形成されてもよい。

陰極形成工程Ｓ９は、陰極６４を形成する工程である。陰極６４は透明電極であり、例えばインジウムスズ化合物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛化合物（ＩＺＯ）などの膜である。陰極６４は、既知のＣＶＤ等の蒸着方法を用いて形成されてよい。

封止膜形成工程Ｓ１０は、封止膜２０を形成する工程である。封止膜２０は、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ_２、Ｐ_２Ｏ_５・ＳｉＯ_２（ＰＳＧ）、Ａｌ_２Ｏ_３、ＰｂＯ・ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯＮ、ＰｂＯ・Ｂ_２Ｏ_３、及びこれらの混合物からなる群から選択される化合物によって形成されてよい。また封止膜２０はポリイミド樹脂などの有機材料で形成されてもよい。この中では封止膜２０としてＳｉＮを用いると好適である。また本工程では、封止膜２０をＣＶＤにより形成してよい。

なお、表示領域１１内の第３の絶縁膜６０に、開口７２以外の開口が形成されていてもよい。図９は、表示領域１１の他の一例を示す平面図である。図９の例では、第３の絶縁膜６０には、ある方向に延びる複数の開口７２だけでなく、それに交差する方向に延びる複数の開口７８も設けられている。開口７８は、平面的にみてその交差する方向とその反対方向（図９では左右）にそれぞれ隣接する２つの表示画素がある領域に設けられている。また開口７８は開口７２と同様に第３の絶縁膜６０を貫く溝であり、平面的にみて表示領域１１内にあるバンク６２に覆われ、陽極６１とは重なっていない。また平坦化膜５８とバンク６２とは開口７８を介しても接している。このようにして第３の絶縁膜６０の開口を増やすことで、水分の放出をより容易にすることができる。

また、１つの表示画素につき複数の開口が設けられていてもよい。図１０は、表示領域１１の他の一例を示す平面図である。図１０においては、表示画素は平面的にみて図１０の上下方向に細長く延びる矩形（短冊形）の形状であり、陽極８１の形状も細長い矩形である点で陽極６１と異なっている。コンタクトホール７３に対応するコンタクトホール８２は陽極８１の下端に近い部分に形成されている。またバンク開口８３は矩形でありコンタクトホール８２より図１０の上方かつ陽極６１と重なる領域に設けられている。そして、開口７９のそれぞれは、平面的にみて上下方向と交わる方向（図１０では左右）に２つの表示画素がある領域に設けられる。開口７９は図１０の上下方向に延び、また１つの表示画素とそれに隣り合うもう１つの表示画素との間には２つの開口７９が設けられている。開口７９は、開口７２と同じく、第３の絶縁膜６０を貫く溝であり、平面的にみて表示領域１１内にあるバンク６２に覆われ、陽極６１とは重なっていない。また平坦化膜５８とバンク６２とは開口７９を介して接している。

また、本発明は対向基板２やカラーフィルタ２１が形成されないなどの他のタイプの有機ＥＬ表示パネルにも適用できる。このような有機ＥＬ表示パネルでも平坦化膜５８の上面に接する無機絶縁膜が形成される場合があるからである。

１ アレイ基板、２ 対向基板、３ フレキシブル回路基板、４ ドライバ集積回路、１０ 回路層、１１ 表示領域、１２ ダミー領域、１３ 周辺領域、２０ 封止膜、２１ カラーフィルタ、２２ シール、２３ 充填材、３１ 走査線、３２ 映像信号線、３３ 画素回路、３４ 走査線駆動回路、３５ 映像信号供給回路、４１ 駆動トランジスタ、４２ 発光素子、４３ キャパシタ、４４ 画素スイッチ、５２ 下地膜、５３ 半導体膜、５４ 第１の絶縁膜、５５ ゲート電極、５６ 第２の絶縁膜、５７ 配線、５８ 平坦化膜、５９ キャパシタ下部電極、６０ 第３の絶縁膜、６１，８１ 陽極、６２ バンク、６３ 発光層、６４ 陰極、６６ 有機絶縁膜、７１ トランジスタ、７２，７５，７６，７８，７９ 開口、７３，８２ コンタクトホール、７４，８３ バンク開口。

Claims (4)

1. 基板と、
   前記基板上に形成された薄膜トランジスタを覆う有機平坦化膜と、
   前記有機平坦化膜の上に設けられた無機絶縁膜と、
   前記無機絶縁膜の上面の一部に成膜された電極膜と、
   平面的にみて前記電極膜と異なる位置に成膜される有機絶縁膜を含み前記無機絶縁膜の上層に設けられる有機絶縁層と、
   前記有機絶縁層の上層に設けられ前記電極膜と下面が接する有機発光膜を含む発光層と、
   を含み、
   前記無機絶縁膜には当該無機絶縁膜を貫き平面的にみて前記電極膜と重ならず前記有機絶縁膜と重なる複数の第１の開口が設けられ、
   前記開口の縁の形状は、平面的にみて曲線を含む、
   ことを特徴とする画像表示装置。
2. 前記開口は前記無機絶縁膜を貫く溝であり、平面的にみて前記溝の端部は丸みを有する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
3. 平面的にみて前記開口の縁のうち前記溝の端部と端部との間の形状は波状の曲線を含む、
   ことを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
4. 基板と、
   前記基板上に形成された薄膜トランジスタを覆う有機平坦化膜と、
   前記有機平坦化膜の上に設けられた無機絶縁膜と、
   前記無機絶縁膜の上面の一部に成膜された電極膜と、
   平面的にみて前記電極膜と異なる位置に成膜される有機絶縁膜を含み前記無機絶縁膜の上層に設けられる有機絶縁層と、
   前記有機絶縁層の上層に設けられ前記電極膜と下面が接する有機発光膜を含む発光層と、
   を含み、
   前記無機絶縁膜には当該無機絶縁膜を貫き平面的にみて前記電極膜と重ならず前記有機絶縁膜と重なる複数の第１の開口が設けられ、
   前記基板は、平面的にみて映像信号に応じて発光する複数の表示画素が設けられる表示領域と、前記表示領域を囲み発光しない複数のダミー画素が設けられるダミー領域と、前記ダミー領域を囲む周辺領域とを含み、
   前記電極膜は前記表示画素ごとに設けられ、
   前記有機絶縁膜は平面的にみて前記表示画素に含まれる電極膜を囲むバンクを構成する第１の領域と、前記ダミー領域に設けられる第２の領域と、前記周辺領域に設けられる第３の領域とを含み、
   前記無機絶縁層には前記複数の第１の開口と、複数の第２の開口とが設けられ、
   前記複数の第１の開口は平面的に見て前記第１の領域と重なり、前記複数の第２の開口は平面的にみて前記第２の領域と重なり、
   前記有機絶縁膜は前記第２の開口を介して前記平坦化膜と接する、
   ことを特徴とする画像表示装置。

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