CN112447795A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents

显示装置和制造该显示装置的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112447795A
CN112447795A CN202010553825.1A CN202010553825A CN112447795A CN 112447795 A CN112447795 A CN 112447795A CN 202010553825 A CN202010553825 A CN 202010553825A CN 112447795 A CN112447795 A CN 112447795A
Authority
CN
China
Prior art keywords
insulating layer
organic insulating
electrode
display device
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010553825.1A
Other languages
English (en)
Inventor
李昇录
金薛基
权度县
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN112447795A publication Critical patent/CN112447795A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括：基底基板；设置在基底基板上并且包括有源图案、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管；设置在有源图案与栅电极之间的无机绝缘层；设置在薄膜晶体管上的第一有机绝缘层；设置在第一有机绝缘层上的第二有机绝缘层；以及设置在第一有机绝缘层与第二有机绝缘层之间并且与第一有机绝缘层和第二有机绝缘层直接接触的绝缘层。

Description

显示装置和制造该显示装置的方法
技术领域
本发明的示例性实施例涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。更具体地，本发明的示例性实施例涉及一种保护内部元件免受外部冲击的显示装置以及制造该显示装置的方法。
背景技术
近来，已经制造出具有轻的重量和小的尺寸的显示装置。由于高性能和有竞争力的价格，阴极射线管(“CRT”)显示装置先前已经被使用。然而，CRT显示装置在尺寸或可携带性方面有弱点。因此，诸如等离子体显示装置、液晶显示装置和有机发光显示装置的显示装置由于具有小的尺寸、轻的重量和低功耗而受到高度重视。
发明内容
近来，已经开发了能够弯曲或折叠显示装置自身的柔性显示装置。然而，在柔性显示装置的情况下，由于不能采用诸如玻璃的高硬度保护窗，因此显示装置内部的元件容易被外部冲击损坏，并且因此需要补偿这样的损坏。
本发明的示例性实施例提供了一种可以保护内部元件免受外部冲击的显示装置。
本发明的示例性实施例还提供了一种制造可以保护内部元件免受外部冲击的显示装置的方法。
本发明的示例性实施例提供了一种显示装置，包括：基底基板；设置在基底基板上并且包括有源图案、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管；设置在有源图案与栅电极之间的无机绝缘层；设置在薄膜晶体管上的第一有机绝缘层；设置在第一有机绝缘层上的第二有机绝缘层；以及设置在第一有机绝缘层与第二有机绝缘层之间并且与第一有机绝缘层和第二有机绝缘层直接接触的绝缘层。
在示例性实施例中，绝缘层的杨氏模量可以等于或大于大约70吉帕(GPa)。
在示例性实施例中，第一有机绝缘层和第二有机绝缘层的杨氏模量可以等于或小于大约20GPa。
在示例性实施例中，暴露源电极或漏电极的接触孔可以经由第一有机绝缘层和第二有机绝缘层被限定。接触孔所穿过的开口可以被限定在绝缘层中。
在示例性实施例中，绝缘层可以设置在第一有机绝缘层的上表面上，并且绝缘层不接触源电极或漏电极。
在示例性实施例中，接触孔可以包括经由第一有机绝缘层限定的第一接触孔以及经由第二有机绝缘层限定的第二接触孔。第一有机绝缘层的限定第一接触孔的边缘可以与绝缘层在第一方向上间隔开第一距离。第一接触孔的宽度可以大于第二接触孔的宽度。
在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括：设置在第二有机绝缘层上并且通过接触孔电连接到薄膜晶体管的源电极或漏电极的第一电极；设置在第一电极上的发光层；以及设置在发光层上的第二电极。
在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括：设置在第二电极上的薄膜封装层；设置在薄膜封装层上的触摸电极层；以及设置在触摸电极层上并且具有柔性的覆盖窗。基底基板可以是柔性的。
在示例性实施例中，第一有机绝缘层可以包括硅氧烷类树脂。第二有机绝缘层可以包括聚酰亚胺树脂。绝缘层可以包括氮化硅(SiNx)。
在示例性实施例中，绝缘层可以与薄膜晶体管重叠。
在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括：设置在第二有机绝缘层上的第三有机绝缘层；以及设置在第二有机绝缘层与第三有机绝缘层之间并且与第二有机绝缘层和第三有机绝缘层直接接触的第二绝缘层。
本发明的示例性实施例提供了一种显示装置，包括：基底基板；设置在基底基板上并且包括有源图案和栅电极的薄膜晶体管；电连接到薄膜晶体管的电极，设置在薄膜晶体管的有源图案与栅电极之间的栅绝缘层；设置在薄膜晶体管和电极上的第一绝缘层；设置在第一绝缘层上的第二绝缘层；以及设置在第一绝缘层与第二绝缘层之间并且与第一绝缘层和第二绝缘层直接接触的绝缘层。绝缘层的杨氏模量等于或大于大约70GPa。
在示例性实施例中，栅绝缘层可以包括无机绝缘材料。第一绝缘层可以包括有机绝缘材料。第二绝缘层可以包括有机绝缘材料。
在示例性实施例中，绝缘层可以包括氮化硅(SiNx)。
在示例性实施例中，经由第一绝缘层和第二绝缘层暴露电极的接触孔可以被限定。接触孔所穿过的开口可以被限定在绝缘层中。
在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括：在第二绝缘层上并且电连接到薄膜晶体管的发光结构；设置在发光结构上的薄膜封装层；设置在薄膜封装层上的触摸电极层；以及设置在触摸电极层上的柔性覆盖窗。基底基板可以是柔性的。
本发明的示例性实施例提供了一种制造显示装置的方法，包括：在基底基板上形成薄膜晶体管以及薄膜晶体管绝缘层；在薄膜晶体管和薄膜晶体管绝缘层上形成第一有机绝缘层；在第一有机绝缘层中限定暴露薄膜晶体管的电极的第一接触孔；在其中限定有第一接触孔的第一有机绝缘层上形成绝缘层；经由绝缘层限定开口，以暴露第一接触孔；在其中限定有开口的绝缘层和第一有机绝缘层上形成第二有机绝缘层；并且经由第二有机绝缘层限定暴露电极的第二接触孔。
在示例性实施例中，绝缘层可以与薄膜晶体管重叠。
在示例性实施例中，该方法可以进一步包括：在第二有机绝缘层上形成附加绝缘层；并且在附加绝缘层上形成第三有机绝缘层。
在示例性实施例中，当限定第一接触孔时，可以使用第一掩模曝光并显影第一有机绝缘层，以限定第一接触孔。限定开口可以包括：在绝缘层上形成光致抗蚀剂层；使用第二掩模曝光并显影光致抗蚀剂层；并且使用光致抗蚀剂层作为刻蚀阻挡来刻蚀绝缘层，以限定开口。
在本发明的示例性实施例中，显示装置在作为有机绝缘层的第一有机绝缘层与第二有机绝缘层之间具有绝缘层，该绝缘层具有相对大的杨氏模量值。在外部碰撞下，在薄膜晶体管周围的无机绝缘层之前的绝缘层中产生裂缝。在此情况下，绝缘层不具有与导电图案接触的部分，并且仅接触具有相对小的杨氏模量值的第一有机绝缘层和第二有机绝缘层。在绝缘层中产生的裂缝的传播可以被第一有机绝缘层和第二有机绝缘层阻挡，并且因此外部冲击被消散。
作为结果，可以防止传播到邻近的薄膜晶体管和电路布线的、薄膜晶体管周围的无机绝缘层的损坏或裂缝。因此，对电路损坏的问题可以被防止。
应理解，前述的概括描述和下面的详细描述两者是示例性和说明性的，并且旨在提供所要求保护的发明的进一步说明。
附图说明
通过参考附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的以上及其它特征将变得更显而易见，其中：
图1是图示根据本发明的显示装置的示例性实施例的框图；
图2是图示图1的显示面板的像素的电路图；
图3是根据本发明的显示装置的示例性实施例的截面图；
图4A是详细地图示图3的显示装置的接触孔周围的局部放大截面图；
图4B是图示图4A的接触孔的平面图；
图5是根据本发明的显示装置的示例性实施例的截面图；
图6是根据本发明的显示装置的示例性实施例的截面图；
图7是根据本发明的显示装置的示例性实施例的截面图；
图8是根据本发明的显示装置的示例性实施例的截面图；
图9A至图9H是图示制造图3的显示装置的方法的截面图；
图10是图示电子设备的示例性实施例的框图；
图11A是图示在其中图10的电子设备被实现为电视机的示例的图；并且
图11B是图示在其中图10的电子设备被实现为智能电话的示例的图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细解释本发明。
将理解，当元件被称为在另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件“上”，或者该元件和另一元件之间可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在中间元件。
将理解，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分相区分。因此，以下讨论的“第一元件”、“第一部件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二部分，而不脱离本文中的教导。
本文中使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的，并且不旨在限制。如本文中使用的，单数形式“一”和“该”旨在包含包括“至少一个”的复数形式，除非上下文另外清楚地指出。“或”意味着“和/或”。如本文中使用的，术语“和/或”包括所关联列出的项目中的一个或多个的任意和全部组合。将进一步理解，术语“包括”和/或“包含”在本说明书中使用时指明所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或附加。
此外，本文中可以使用诸如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”的相对术语来描述如附图中所图示的一个元件与另一元件的关系。将理解，除了附图中描绘的方位之外，相对术语旨在涵盖设备的不同方位。在示例性实施例中，当附图中的一个附图中的设备被翻转时，被描述为在其他元件“下”侧的元件随之将被定位为在其他元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以涵盖“下”和“上”两种方位，取决于附图的具体方位。类似地，当附图中的一个附图中的设备被翻转时，被描述为在其他元件“下方”或“下面”的元件随之将被定位为在其他元件“上方”。因此，示例性术语“下方”和“下面”可以涵盖上方和下方两种方位。
考虑到讨论中的测量以及与具体量的测量关联的误差(即测量系统的局限性)，如本文中使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并且意味着在由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以意味着在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、20％、10％、5％内。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属的技术领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如那些在常用词典中限定的术语应被解释为具有与它们在相关技术和本发明的语境中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于正式的意义来解释，除非本文中明确如此限定。
本文中参考截面图示描述示例性实施例，该截面图示是理性化实施例的示意图示。这样，作为例如制造技术和/或公差的结果，可以预期从图示的形状的变化。因此，本文中描述的实施例不应被解释为限于本文中图示的区域的具体形状，而应包括由例如制造导致的形状的偏差。在示例性实施例中，被图示或被描述为平坦的区域典型地可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，所图示的尖角可以是圆角。因此，附图中所图示的区域实质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状并且不旨在限制权利要求的范围。
图1是图示根据本发明的显示装置的示例性实施例的框图。
参考图1，显示装置包括显示面板10和显示面板驱动器。显示面板驱动器包括驱动控制器200、栅驱动器300、伽马参考电压发生器400和数据驱动器500。显示装置可以进一步包括触摸驱动器600。显示装置可以进一步包括主机700。
在示例性实施例中，驱动控制器200和数据驱动器500可以是一体的。在示例性实施例中，例如，驱动控制器200、伽马参考电压发生器400和数据驱动器500可以是一体的。
显示面板10包括显示区域和与显示区域邻近的外围区域。
在示例性实施例中，例如，显示面板10可以是包括有机发光二极管的有机发光二极管显示面板。
显示面板10包括多条栅线GL、多条数据线DL以及电连接到栅线GL和数据线DL的多个像素。栅线GL在第一方向D1上延伸，并且数据线DL在与第一方向D1交叉的第二方向D2上延伸。
在所图示的示例性实施例中，显示面板10可以是感知触摸事件的触摸屏面板。
驱动控制器200从主机700接收输入图像数据IMG和输入控制信号CONT。在示例性实施例中，例如，输入图像数据IMG可以包括红色图像数据、绿色图像数据和蓝色图像数据。在示例性实施例中，例如，输入图像数据IMG可以包括白色图像数据。在示例性实施例中，例如，输入图像数据IMG可以包括品红色图像数据、黄色图像数据和青色图像数据。输入控制信号CONT可以包括主时钟信号和数据使能信号。输入控制信号CONT可以进一步包括垂直同步信号和水平同步信号。
驱动控制器200基于输入图像数据IMG和输入控制信号CONT产生第一控制信号CONT1、第二控制信号CONT2、第三控制信号CONT3和数据信号DATA。
驱动控制器200基于输入控制信号CONT产生用于控制栅驱动器300的操作的第一控制信号CONT1，并将第一控制信号CONT1输出到栅驱动器300。第一控制信号CONT1可以包括垂直启动信号和栅时钟信号。
驱动控制器200基于输入控制信号CONT产生用于控制数据驱动器500的操作的第二控制信号CONT2，并将第二控制信号CONT2输出到数据驱动器500。第二控制信号CONT2可以包括水平启动信号和负载信号。
驱动控制器200基于输入图像数据IMG产生数据信号DATA。驱动控制器200将数据信号DATA输出到数据驱动器500。在所图示的示例性实施例中，驱动控制器200可以补偿输入图像数据IMG以产生数据信号DATA。
驱动控制器200基于输入控制信号CONT产生用于控制伽马参考电压发生器400的操作的第三控制信号CONT3，并将第三控制信号CONT3输出到伽马参考电压发生器400。
栅驱动器300响应于从驱动控制器200接收的第一控制信号CONT1产生驱动栅线GL的栅信号。栅驱动器300将栅信号输出到栅线GL。在示例性实施例中，例如，栅驱动器300可以将栅信号顺序地输出到栅线GL。
伽马参考电压发生器400响应于从驱动控制器200接收的第三控制信号CONT3产生伽马参考电压VGREF。伽马参考电压发生器400将伽马参考电压VGREF提供到数据驱动器500。伽马参考电压VGREF具有与数据信号DATA的电平对应的值。
数据驱动器500从驱动控制器200接收第二控制信号CONT2和数据信号DATA，并且从伽马参考电压发生器400接收伽马参考电压VGREF。数据驱动器500使用伽马参考电压VGREF将数据信号DATA转化成具有模拟类型的数据电压。数据驱动器500将数据电压输出到数据线DL。
触摸驱动器600可以确定显示面板10的触摸事件。触摸驱动器600可以产生代表触摸事件的发生的触摸中断信号TINT以及代表触摸位置的坐标的触摸坐标信号TC。触摸驱动器600可以将触摸中断信号TINT和触摸坐标信号TC输出到主机700。另外，触摸驱动器600可以将触摸中断信号TINT输出到驱动控制器200。因此，在所图示的示例性实施例中，例如，驱动控制器200可以包括从触摸驱动器600接收触摸中断信号TINT的输入端口。
主机700将输入图像数据IMG和输入控制信号CONT输出到驱动控制器200。
主机700可以从触摸驱动器600接收触摸中断信号TINT和触摸坐标信号TC。主机700可以响应于触摸中断信号TINT和触摸坐标信号TC来改变输入图像数据IMG，以改变显示面板10的显示图像。
图2是图示图1的显示面板的像素的电路图。
参考图2，显示面板10包括多个像素，并且像素中的每个像素包括有机发光元件OLED。
像素接收数据写入栅信号GWP和GWN、数据初始化栅信号GI、有机发光元件初始化信号GB、数据电压VDATA和发射信号EM，并且像素的有机发光元件OLED与数据电压VDATA的电平对应地发光，以显示图像。
在所图示的示例性实施例中，像素可以包括第一类型的开关元件和与第一类型不同的第二类型的开关元件。在示例性实施例中，例如，第一类型的开关元件可以是多晶硅薄膜晶体管。在示例性实施例中，例如，第一类型的开关元件可以是低温多晶硅(“LTPS”)薄膜晶体管。在示例性实施例中，例如，第二类型的开关元件可以是氧化物薄膜晶体管。在示例性实施例中，例如，第一类型的开关元件可以是P型晶体管，并且第二类型的开关元件可以是N型晶体管。
在示例性实施例中，例如，数据写入栅信号GWP和GWN可以包括第一数据写入栅信号GWP和第二数据写入栅信号GWN。第一数据写入栅信号GWP可以被施加到P型晶体管，使得第一数据写入栅信号GWP具有与数据写入时序对应的低电平的激活信号。第二数据写入栅信号GWN可以被施加到N型晶体管，使得第二数据写入栅信号GWN具有与数据写入时序对应的高电平的激活信号。
像素中的至少一个像素可以包括第一像素开关元件T1至第七像素开关元件T7、存储电容器CST以及有机发光元件OLED。
第一像素开关元件T1包括连接到第一节点N1的控制电极、连接到第二节点N2的输入电极以及连接到第三节点N3的输出电极。在示例性实施例中，例如，第一像素开关元件T1可以是多晶硅薄膜晶体管。在示例性实施例中，例如，第一像素开关元件T1可以是P型薄膜晶体管。
第二像素开关元件T2包括被施加有第一数据写入栅信号GWP的控制电极、被施加有数据电压VDATA的输入电极以及连接到第二节点N2的输出电极。在示例性实施例中，例如，第二像素开关元件T2可以是多晶硅薄膜晶体管。在示例性实施例中，例如，第二像素开关元件T2可以是P型薄膜晶体管。
第三像素开关元件T3包括被施加有第二数据写入栅信号GWN的控制电极、连接到第一节点N1的输入电极以及连接到第三节点N3的输出电极。在示例性实施例中，例如，第三像素开关元件T3可以是氧化物薄膜晶体管。在示例性实施例中，例如，第三像素开关元件T3可以是N型薄膜晶体管。
第四像素开关元件T4包括被施加有数据初始化栅信号GI的控制电极、被施加有初始化电压VI的输入电极以及连接到第一节点N1的输出电极。在示例性实施例中，例如，第四像素开关元件T4可以是氧化物薄膜晶体管。在示例性实施例中，例如，第四像素开关元件T4可以是N型薄膜晶体管。
第五像素开关元件T5包括被施加有发射信号EM的控制电极、被施加有高电力电压ELVDD的输入电极以及连接到第二节点N2的输出电极。在示例性实施例中，例如，第五像素开关元件T5可以是多晶硅薄膜晶体管。在示例性实施例中，例如，第五像素开关元件T5可以是P型薄膜晶体管。
第六像素开关元件T6包括被施加有发射信号EM的控制电极、连接到第三节点N3的输入电极以及连接到有机发光元件OLED的阳极电极的输出电极。在示例性实施例中，例如，第六像素开关元件T6可以是多晶硅薄膜晶体管。在示例性实施例中，例如，第六像素开关元件T6可以是P型薄膜晶体管。
第七像素开关元件T7包括被施加有有机发光元件初始化栅信号GB的控制电极、被施加有初始化电压VI的输入电极以及连接到有机发光元件OLED的阳极电极的输出电极。在示例性实施例中，例如，第七像素开关元件T7可以是氧化物薄膜晶体管。在示例性实施例中，例如，第七像素开关元件T7可以是N型薄膜晶体管。在可替代的示例性实施例中，第七像素开关元件T7可以是多晶硅薄膜晶体管。在示例性实施例中，第七像素开关元件T7可以是P型薄膜晶体管。例如，当第七像素开关元件T7是P型薄膜晶体管时，有机发光元件初始化栅信号GB可以具有低电平的激活信号。
存储电容器CST包括被施加有高电力电压ELVDD的第一电极和连接到第一节点N1的第二电极。
有机发光元件OLED包括阳极电极和被施加有低电力电压ELVSS的阴极电极。
图3是根据本发明的显示装置的示例性实施例的截面图。图4A是详细地图示图3的显示装置的接触孔周围的局部放大截面图。图4B是图示图4A的接触孔的平面图。
参考图3至图4B，显示装置包括基底基板100、缓冲层110、有源图案层、第一绝缘层120、第一栅导电图案、和第二绝缘层130、第二栅导电图案、第三绝缘层140、第一源漏导电图案、第一有机绝缘层VIA1、绝缘层CPL、第二有机绝缘层VIA2、和像素限定层PDL、发光结构180、薄膜封装层190、触摸电极层TL和覆盖窗WN。
包括透明或不透明的绝缘材料的基底基板100可以被提供。基底基板100可以包括柔性透明材料，诸如柔性透明树脂基板(例如，聚酰亚胺基板)。在此情况下，聚酰亚胺基板可以包括第一聚酰亚胺层101、设置在第一聚酰亚胺层101上的第一阻挡膜层102、设置在第一阻挡膜层102上的第二聚酰亚胺层103以及设置在第二聚酰亚胺层103上的第二阻挡膜层104。
缓冲层110可以设置在整个基底基板100上。缓冲层110可以防止金属原子和/或杂质从基底基板100扩散到有源图案层中。另外，缓冲层110可以控制用于形成有源图案层的结晶工艺中的热传递的速率，从而获得基本均匀的有源图案层。另外，当基底基板100的表面不均匀时，缓冲层110可以改善基底基板100的表面的平坦度。
有源图案层可以设置在缓冲层110上。有源图案层可以包括多晶硅。在示例性实施例中，有源图案层可以包括氧化物半导体。
有源图案层可以包括第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2。第一有源图案ACT1可以包括掺杂有杂质的漏区和源区以及在漏区与源区之间的沟道区。第二有源图案ACT2可以包括掺杂有杂质的漏区和源区以及在漏区与源区之间的沟道区。
第一绝缘层120可以设置于在其上设置有有源图案层的缓冲层110上。第一绝缘层120可以包括硅化合物、金属氧化物等。在示例性实施例中，例如，第一绝缘层120可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等中的至少一种。第一绝缘层120可以包括多个层。
第一栅导电图案可以设置在第一绝缘层120上。第一栅导电图案可以包括第一栅电极GE1和第二栅电极GE2。第一栅电极GE1可以被设置成与第一有源图案ACT1重叠。第二栅电极GE2可以被设置成与第二有源图案ACT2重叠。第一栅导电图案可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等被提供。
第二绝缘层130可以设置于在其上设置有第一栅导电图案的第一绝缘层120上。第二绝缘层130可以包括硅化合物、金属氧化物等。在示例性实施例中，例如，第二绝缘层130可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等中的至少一种。第二绝缘层130可以包括多个层。
第二栅导电图案可以设置在第二绝缘层130上。第二栅导电图案可以包括存储电极CE。存储电极CE可以与第二栅电极GE2重叠以形成存储电容器(例如，图2中的存储电容器CST)，第二绝缘层130在存储电极CE与第二栅电极GE2之间。第二栅导电图案可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等被提供。
第三绝缘层140可以设置于在其上设置有第二栅导电图案的第二绝缘层130上。第三绝缘层140可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
第一源漏导电图案可以设置在第三绝缘层140上。第一源漏导电图案可以包括第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第一源电极SE1可以通过经由第三绝缘层140、第二绝缘层130和第一绝缘层120限定的接触孔而电连接到第一有源图案ACT1。第一漏电极DE1可以通过经由第三绝缘层140、第二绝缘层130和第一绝缘层120限定的接触孔而电连接到第一有源图案ACT1。第一源漏导电图案可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等被提供。
第一有源图案ACT1、第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以包括在第一薄膜晶体管TFT1中。
第二有源图案ACT2和第二栅电极GE2可以包括在第二薄膜晶体管TFT2中。
第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2可以是构成参考图2描述的像素的像素开关元件T1至T7中的任一个。
第一有机绝缘层VIA1可以设置于在其上设置有第一源漏导电图案的第三绝缘层140上。第一有机绝缘层VIA1可以具有单层结构或包括至少两个绝缘膜的多层结构。第一有机绝缘层VIA1可以使用有机材料被提供。在示例性实施例中，例如，第一有机绝缘层VIA1可以包括光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等。
在此情况下，第一有机绝缘层VIA1的杨氏模量可以等于或小于20GPa。在示例性实施例中，例如，第一有机绝缘层VIA1可以包括硅氧烷类树脂，并且可以具有大约7.5GPa的杨氏模量值。
绝缘层CPL可以设置在第一有机绝缘层VIA1上。绝缘层CPL可以直接接触第一有机绝缘层VIA1和第二有机绝缘层VIA2。
这里，暴露第一漏电极DE1的接触孔CNT可以经由第一有机绝缘层VIA1和第二有机绝缘层VIA2被限定。
接触孔CNT所穿过的开口可以被限定在绝缘层CPL中。第一有机绝缘层VIA1和第二有机绝缘层VIA2的倾斜侧表面设置在接触孔CNT中，并且绝缘层CPL设置在第一有机绝缘层VIA1的上表面上，使得绝缘层CPL可以与第一漏电极DE1不接触。
绝缘层CPL可以包括无机材料。在示例性实施例中，例如，绝缘层CPL可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等中的至少一种。
绝缘层CPL的杨氏模量可以等于或大于70Gpa。随着绝缘层CPL的杨氏模量增大，对防止裂缝传播是有利的。优选地，绝缘层CPL的杨氏模量可以等于或大于150Gpa。在示例性实施例中，例如，绝缘层CPL可以包括氮化硅SiNx，并且可以具有大约151.7GPa的杨氏模量值。当绝缘层CPL包括氮化硅SiNx时，绝缘层CPL的厚度可以为大约1000埃
Figure BDA0002543513400000111
至大约
Figure BDA0002543513400000112
在示例性实施例中，例如，绝缘层CPL的厚度可以为大约
Figure BDA0002543513400000113
绝缘层CPL可以与第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2重叠。
第二有机绝缘层VIA2可以设置于在其上设置有绝缘层CPL的第一有机绝缘层VIA1上。
第二有机绝缘层VIA2可以具有单层结构或包括至少两个绝缘膜的多层结构。第二有机绝缘层VIA2可以使用有机材料被提供。在示例性实施例中，例如，第二有机绝缘层VIA2可以包括光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等。
在此情况下，第二有机绝缘层VIA2的杨氏模量可以等于或小于20GPa。在示例性实施例中，例如，第二有机绝缘层VIA2可以包括聚酰亚胺树脂，并且具有大约10GPa的杨氏模量值。
暴露第一漏电极DE1的接触孔CNT可以经由第一有机绝缘层VIA1、绝缘层CPL的开口和第二有机绝缘层VIA2被限定。
在此情况下，第一有机绝缘层VIA1和第二有机绝缘层VIA2的厚度可以大于绝缘层CPL的厚度。在示例性实施例中，例如，第一有机绝缘层VIA1和第二有机绝缘层VIA2的厚度可以为大约1微米(μm)至大约2μm。在示例性实施例中，例如，第一有机绝缘层VIA1的厚度为大约1.4μm，第二有机绝缘层VIA2的厚度为大约1.6μm，并且绝缘层CPL的厚度为大约
Figure BDA0002543513400000121
接触孔CNT可以包括限定在第一有机绝缘层VIA1中的第一接触孔以及限定在第二有机绝缘层VIA2中的第二接触孔。
限定第一接触孔的第一有机绝缘层VIA1的下表面的边缘在第一方向(例如，图4A中的水平方向)上与绝缘层CPL间隔开第一距离W1。第一接触孔的宽度大于第二接触孔的宽度。在第一漏电极DE1上，限定第二接触孔的第二有机绝缘层VIA2的下表面的边缘可以在第一方向上与第一有机绝缘层VIA1的边缘间隔开第二距离W2(参考图4A和图4B)。在此情况下，第一距离W1可以等于或大于大约1μm，例如，第一距离W1可以为大约2μm。
发光结构180可以包括第一电极181、发光层182和第二电极183。
第一电极181可以设置在第二有机绝缘层VIA2上。根据显示装置的发射类型，第一电极181可以包括反射材料或透射材料。在示例性实施例中，第一电极181可以具有单层结构或多层结构，该单层结构或多层结构可以包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜。
像素限定层PDL可以设置于在其上设置有第一电极181的第二有机绝缘层VIA2上。像素限定层PDL可以使用有机材料被提供。在示例性实施例中，例如，像素限定层PDL可以包括光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等。在一些示例性实施例中，暴露第一电极181的开口可以通过刻蚀像素限定层PDL来限定。显示装置的发射区域和非发射区域可以由像素限定层PDL的开口限定。在示例性实施例中，例如，像素限定层PDL的开口被限定在其中的部分可以和发射区域对应，并且非发射区域可以和与像素限定层PDL的开口邻近的部分对应。
发光层182可以设置在通过像素限定层PDL的开口暴露的第一电极181上。另外，发光层182可以在像素限定层PDL的开口的侧壁上延伸。在一些示例性实施例中，发光层182可以包括有机发光层(“EL”)、空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、电子传输层(“ETL”)、电子注入层(“EIL”)等中的至少一个。在一些示例性实施例中，除了EL之外，HIL、HTL、ETL和EIL可以被共同设置，以与多个像素对应。在一些示例性实施例中，根据显示装置的彩色像素，多个EL可以使用用于产生诸如红色的光、绿色的光和蓝色的光的不同颜色的光的发光材料被提供。在一些示例性实施例中，例如，发光层182的EL可以包括堆叠的用于产生红色的光、绿色的光和蓝色的光的多种发光材料，从而发射白色的光。这里，发光层182的元件共同被提供，以便与多个像素对应，并且每个像素可以被滤色器层划分。
第二电极183可以设置在像素限定层PDL和发光层182上。根据显示装置的发光类型，第二电极183可以包括透射材料或反射材料。在示例性实施例中，第二电极183也可以具有单层结构或多层结构，该单层结构或多层结构可以包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜。
薄膜封装层190可以设置在第二电极183上。薄膜封装层190可以防止水分和氧气从外部渗透。薄膜封装层190可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。至少一个有机层和至少一个无机层可以彼此交替地堆叠。在示例性实施例中，例如，薄膜封装层190可以包括两个无机层以及在两个无机层之间的一个有机层，但不限于此。
触摸电极层TL可以设置在薄膜封装层190上。触摸电极层TL可以包括用于感测用户的触摸输入的触摸电极。
覆盖窗WN可以设置在触摸电极层TL上。覆盖窗WN是用于保护显示装置的内部元件的外部保护层。当显示装置是柔性显示装置时，覆盖窗WN可以是柔性覆盖窗。
尽管未示出，但诸如滤色器或偏振片的光学元件可以进一步设置在覆盖窗WN下方。
根据所图示的示例性实施例，显示装置在是有机绝缘层的第一有机绝缘层VIA1和第二有机绝缘层VIA2之间包括具有相对大的杨氏模量值的绝缘层CPL。在外部碰撞下，在第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2周围的无机绝缘层之前的绝缘层CPL中产生裂缝。在此情况下，绝缘层CPL不具有与导电图案接触的部分，并且仅接触具有相对小的杨氏模量值的第一有机绝缘层VIA1和第二有机绝缘层VIA2。在绝缘层CPL中产生的裂缝的传播可以被第一有机绝缘层VIA1和第二有机绝缘层VIA2阻挡，并且因此外部冲击被消散。
作为结果，可以防止第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2周围的无机绝缘层的损坏或裂缝传播到邻近的薄膜晶体管和电路布线。因此，对电路损坏的问题可以被防止。
图5是根据本发明的显示装置的示例性实施例的截面图。
参考图5，该显示装置与图3的显示装置基本相同，除了绝缘图案CP之外。因此，重复的描述被省略。
与图3的示例性实施例中不同，绝缘图案CP可以以特定形式被图案化。绝缘图案CP可以围绕接触孔CNT，并具有和与第一薄膜晶体管TFT1重叠的部分间隔开的部分。因此，可以保护第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2免受外部冲击的影响。
图6是根据本发明的显示装置的示例性实施例的截面图。
参考图6，该显示装置与图3的显示装置基本相同，除了第三有机绝缘层VIA3和第二源漏导电图案之外。因此，重复的描述将被省略。
第三有机绝缘层VIA3可以设置在第二有机绝缘层VIA2上。第三有机绝缘层VIA3可以具有单层结构或包括至少两个绝缘膜的多层结构。第三有机绝缘层VIA3可以使用有机材料被提供。在示例性实施例中，例如，第三有机绝缘层VIA3可以包括光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等中的至少一种。
第二源漏导电图案可以设置在第二有机绝缘层VIA2上。第二源漏导电图案可以设置在第三有机绝缘层VIA3下方。第二源漏导电图案可以包括连接电极CN。连接电极CN可以通过经由第二有机绝缘层VIA2、绝缘层CPL的开口以及第一有机绝缘层VIA1的暴露第一薄膜晶体管TFT1的第一漏电极DE1的接触孔而电连接到第一漏电极DE1。第二源漏导电图案可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等被提供。
图7是根据本发明的显示装置的示例性实施例的截面图。
参考图7，该显示装置与图6的显示装置基本相同，除了绝缘层CPL设置在第二有机绝缘层VIA2与第三有机绝缘层VIA3之间以及接触孔的形状之外。因此，重复的描述被省略。
图8是根据本发明的显示装置的示例性实施例的截面图。
参考图8，该显示装置与图7的显示装置基本相同，除了该显示装置进一步包括附加绝缘层CPL2之外。因此，重复的描述被省略。
附加绝缘层CPL2可以设置在第一有机绝缘层VIA1与第二有机绝缘层VIA2之间。也就是说，该显示装置可以包括设置在第二有机绝缘层VIA2与第三有机绝缘层VIA3之间的绝缘层CPL以及设置在第一有机绝缘层VIA1与第二有机绝缘层VIA2之间的附加绝缘层CPL2。在此情况下，由于显示装置具有在其中用于绝缘的层被提供为两层的结构，因此能够更有效地防止外部冲击传递到薄膜晶体管TFT1和TFT2以及电路布线。
图9A至图9H是图示制造图3的显示装置的方法的截面图。
参考图9A，薄膜晶体管TFT1和TFT2、存储电极CE、缓冲层110以及薄膜晶体管绝缘层120、130和140可以设置在基底基板100上。
具体来说，缓冲层110可以设置在包括第一聚酰亚胺层101、第一阻挡膜层102、第二聚酰亚胺层103和第二阻挡膜层104的基底基板100上。包括第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2的有源图案层可以设置在缓冲层110上。
第一绝缘层120可以设置在有源图案层上。包括第一栅电极GE1和第二栅电极GE2的第一栅导电图案可以设置在第一绝缘层120上。第二绝缘层130可以设置于在其上设置有第一栅导电图案的第一绝缘层120上。包括存储电极CE的第二栅导电图案可以设置在第二绝缘层130上。第三绝缘层140可以设置于在其上设置有第二栅导电图案的第二绝缘层130上。暴露第一有源图案ACT1的接触孔可以经由第三绝缘层140、第二绝缘层130和第一绝缘层120被限定。包括第一源电极SE1和第一漏电极DE1的第一源漏导电图案可以设置在第三绝缘层140上，第一源电极SE1和第一漏电极DE1通过接触孔电连接到第一有源图案ACT1。
参考图9B，第一有机绝缘层VIA1a可以设置在第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2、缓冲层110以及薄膜晶体管绝缘层120、130和140上。
具体来说，包括光致抗蚀剂组合物的第一有机绝缘层VIA1a可以设置在第三绝缘层140上。在示例性实施例中，例如，第一有机绝缘层VIA1a可以使用旋涂工艺等被提供。
参考图9C，暴露第一漏电极DE1的第一接触孔CNT1可以被限定在第一有机绝缘层VIA1中。
详细地，包括光致抗蚀剂组合物的第一有机绝缘层VIA1a通过第一掩模被曝光并显影，以形成第一有机绝缘层VIA1，第一接触孔CNT1经由第一有机绝缘层VIA1被限定。
参考图9D，绝缘层CPLa可以设置于在其中限定有第一接触孔CNT1的第一有机绝缘层VIA1上。
具体来说，包括无机绝缘材料的绝缘层CPLa可以设置在第一有机绝缘层VIA1上。绝缘层CPLa可以使用化学气相沉积工艺等被提供。
参考图9E，暴露第一接触孔CNT1的开口OP可以被限定在绝缘层CPL中。
具体来说，在绝缘层CPLa上形成光致抗蚀剂层之后，可以使用第二掩模曝光并显影光致抗蚀剂层。并且然后，可以使用光致抗蚀剂层作为刻蚀阻挡来刻蚀绝缘层CPLa，以形成在其中限定有开口OP的绝缘层CPL。
参考图9F，第二有机绝缘层VIA2a可以设置于在其中限定有开口OP的绝缘层CPL和第一有机绝缘层VIA1上。
具体来说，包括光致抗蚀剂组合物的第二有机绝缘层VIA2a可以设置于在其中限定有开口OP的绝缘层CPL和第一有机绝缘层VIA1上。在示例性实施例中，例如，第二有机绝缘层VIA2a可以使用旋涂工艺等被提供。
参考图9G，暴露第一漏电极DE1的第二接触孔CNT2可以被限定在第二有机绝缘层VIA2中。
详细地，包括光致抗蚀剂组合物的第二有机绝缘层VIA2a通过第三掩模被曝光并显影，以形成在其中限定有第二接触孔CNT2的第二有机绝缘层VIA2。这里，第一掩模、第二掩模和第三掩模可以具有不同尺寸的曝光区域。因此，第一接触孔CNT1、开口OP和第二接触孔CNT2的尺寸可以彼此不同。在示例性实施例中，例如，第一接触孔CNT1的宽度可以大于第二接触孔CNT2的宽度，并且开口OP的宽度可以大于第一接触孔CNT1的宽度。
参考图9H，显示装置可以通过在第二有机绝缘层VIA2上堆叠结构来制造。
具体来说，在第一电极181、像素限定层PDL、发光层182、第二电极183、薄膜封装层190和触摸电极层TL设置在第二有机绝缘层VIA2上之后，覆盖窗WN可以被附上，以制造显示装置。第一电极181、像素限定层PDL、发光层182、第二电极183、薄膜封装层190、触摸电极层TL和覆盖窗WN可以通过各种已知的方法来制造，并且将省略其详细描述。
图10是图示电子设备的示例性实施例的框图。图11A是图示在其中图10的电子设备被实现为电视机的示例的图。图11B是图示在其中图10的电子设备被实现为智能电话的示例的图。
参考图10至图11B，电子设备1000可以包括处理器510、存储器设备520、储存设备530、输入/输出(“I/O”)设备540、电源550和显示装置560。这里，显示装置560可以与图1的显示装置对应。另外，电子设备1000可以进一步包括用于与视频卡、声卡、存储卡、通用串行总线(“USB”)设备、其它电子设备等通信的多个端口。在示例性实施例中，如图11A中所图示，电子设备1000可以被实现为电视机。在另一示例性实施例中，如图11B中所图示，电子设备1000可以被实现为智能电话。然而，电子设备1000并不限于此。在示例性实施例中，例如，电子设备1000可以被实现为蜂窝电话、视频电话、智能平板、智能手表、平板个人计算机(“PC”)、汽车导航系统、计算机监视器、膝上型电脑、头戴式显示器(“HMD”)等。
处理器510可以执行各种计算功能。处理器510可以是微处理器、中央处理单元(“CPU”)、应用处理器(“AP”)等。处理器510可以通过地址总线、控制总线、数据总线等耦接到其他部件。此外，处理器510可以耦接到诸如外围部件互连(“PCI”)总线的扩展总线。存储器设备520可以存储用于电子设备1000的操作的数据。在示例性实施例中，例如，存储器设备520可以包括诸如可擦除可编程只读存储器(“EPROM”)设备、电可擦除可编程只读存储器(“EEPROM”)设备、闪存设备、相变随机存取存储器(“PRAM”)设备、电阻随机存取存储器(“RRAM”)设备、纳米浮栅存储器(“NFGM”)设备、聚合物随机存取存储器(“PoRAM”)设备、磁随机存取存储器(“MRAM”)设备、铁电随机存取存储器(“FRAM”)设备等的至少一种非易失性存储器设备，和/或诸如动态随机存取存储器(“DRAM”)设备、静态随机存取存储器(“SRAM”)设备、移动DRAM设备等的至少一种易失性存储器设备。储存设备530可以包括固态驱动器(“SSD”)设备、硬盘驱动器(“HDD”)设备、CD-ROM设备等。I/O设备540可以包括诸如键盘、按键、鼠标设备、触摸板、触摸屏等的输入设备以及诸如打印机、扬声器等的输出设备。电源550可以提供用于电子设备1000的操作的电力。
显示装置560可以通过总线或其它通信链路耦接到其它部件。在一些示例性实施例中，显示装置560可以包括在I/O设备540中。如上所述，显示装置560包括第一有机绝缘层、第二有机绝缘层以及设置在第一有机绝缘层与第二有机绝缘层之间的绝缘层。外部碰撞对内部元件的损坏可以被防止。具体地，显示装置560可以是柔性显示装置或可拆卸可折叠显示装置。即使当使用柔性覆盖窗时，显示装置560也可以有效地防止外部碰撞对内部元件的损坏。
本发明可以应用于有机发光显示装置以及包括有机发光显示装置的各种电子设备。在示例性实施例中，本发明可以应用于移动电话、智能电话、视频电话、智能平板、智能手表、平板电脑、汽车导航系统、电视机、计算机监视器和笔记本等。
上述是本发明的说明，而不应被解释为对本发明的限制。尽管描述了本发明的一些示例性实施例，但本领域技术人员将容易理解，在示例性实施例中很多修改是可能的，而本质上不脱离本发明的新颖的教导和优点。因此，所有这样的修改旨在包括在如权利要求中所限定的本发明的范围内。在权利要求中，装置加功能从句旨在覆盖本文中被描述为实现所记载的功能的结构，并且不仅覆盖结构性等同物还覆盖等同的结构。因此，应理解，上述是本发明的说明，而不应被解释为局限于所公开的特定示例性实施例，而且，对所公开的示例性实施例以及其它示例性实施例的修改旨在包括在所附权利要求的范围内。本发明由所附权利要求限定，权利要求的等同物包括在本发明中。

Claims (15)

1.一种显示装置，包括：
基底基板；
薄膜晶体管，设置在所述基底基板上并且包括有源图案、栅电极、源电极和漏电极；
无机绝缘层，设置在所述有源图案与所述栅电极之间；
第一有机绝缘层，设置在所述薄膜晶体管上；
第二有机绝缘层，设置在所述第一有机绝缘层上；以及
绝缘层，设置在所述第一有机绝缘层与所述第二有机绝缘层之间并且与所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层直接接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层的杨氏模量等于或大于70吉帕。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层的杨氏模量等于或小于20吉帕。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，暴露所述源电极或所述漏电极的接触孔经由所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层被限定，
所述接触孔所穿过的开口被限定在所述绝缘层中。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述绝缘层设置在所述第一有机绝缘层的上表面上，并且所述绝缘层不接触所述源电极或所述漏电极。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述接触孔包括经由所述第一有机绝缘层限定的第一接触孔以及经由所述第二有机绝缘层限定的第二接触孔，
所述第一有机绝缘层的限定所述第一接触孔的边缘与所述绝缘层在第一方向上间隔开第一距离，并且
所述第一接触孔的宽度大于所述第二接触孔的宽度。
7.根据权利要求4所述的显示装置，进一步包括：
第一电极，设置在所述第二有机绝缘层上并且通过所述接触孔电连接到所述薄膜晶体管的所述源电极或所述漏电极；
发光层，设置在所述第一电极上；以及
第二电极，设置在所述发光层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括：
薄膜封装层，设置在所述第二电极上；
触摸电极层，设置在所述薄膜封装层上；以及
覆盖窗，设置在所述触摸电极层上并且具有柔性，并且
其中所述基底基板是柔性的。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一有机绝缘层包括硅氧烷类树脂，
所述第二有机绝缘层包括聚酰亚胺树脂，并且
所述绝缘层包括氮化硅。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层与所述薄膜晶体管重叠。
11.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
第三有机绝缘层，设置在所述第二有机绝缘层上；以及
第二绝缘层，设置在所述第二有机绝缘层与所述第三有机绝缘层之间并且与所述第二有机绝缘层和所述第三有机绝缘层直接接触。
12.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
在基底基板上形成薄膜晶体管以及薄膜晶体管绝缘层；
在所述薄膜晶体管和所述薄膜晶体管绝缘层上形成第一有机绝缘层；
在所述第一有机绝缘层中限定暴露所述薄膜晶体管的电极的第一接触孔；
在其中限定有所述第一接触孔的所述第一有机绝缘层上形成绝缘层；
经由所述绝缘层限定开口，以暴露所述第一接触孔；
在其中限定有所述开口的所述绝缘层和所述第一有机绝缘层上形成第二有机绝缘层；并且
经由所述第二有机绝缘层限定暴露所述电极的第二接触孔。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述绝缘层与所述薄膜晶体管重叠。
14.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：
在所述第二有机绝缘层上形成附加绝缘层；并且
在所述附加绝缘层上形成第三有机绝缘层。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，当限定所述第一接触孔时，
使用第一掩模曝光并显影所述第一有机绝缘层，以限定所述第一接触孔，
其中限定所述开口包括：
在所述绝缘层上形成光致抗蚀剂层；
使用第二掩模曝光并显影所述光致抗蚀剂层；并且
使用所述光致抗蚀剂层作为刻蚀阻挡来刻蚀所述绝缘层，以限定所述开口。
CN202010553825.1A 2019-08-27 2020-06-17 显示装置和制造该显示装置的方法 Pending CN112447795A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2019-0104824 2019-08-27
KR1020190104824A KR20210025738A (ko) 2019-08-27 2019-08-27 표시 장치 및 이의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112447795A true CN112447795A (zh) 2021-03-05

Family

ID=71083348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010553825.1A Pending CN112447795A (zh) 2019-08-27 2020-06-17 显示装置和制造该显示装置的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11257884B2 (zh)
EP (1) EP3787031A1 (zh)
JP (1) JP2021033257A (zh)
KR (1) KR20210025738A (zh)
CN (1) CN112447795A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102624491B1 (ko) * 2018-11-06 2024-01-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112635530B (zh) * 2020-12-21 2022-09-16 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN114188385B (zh) * 2021-12-08 2023-05-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6664732B2 (en) 2000-10-26 2003-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4417027B2 (ja) 2003-05-21 2010-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US20060091397A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Kengo Akimoto Display device and method for manufacturing the same
KR101482762B1 (ko) 2012-12-17 2015-01-16 김기형 디스플레이 패널 보호용 필름
KR102108362B1 (ko) * 2013-10-25 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
KR102136790B1 (ko) * 2013-11-15 2020-07-23 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
KR20150090744A (ko) * 2014-01-29 2015-08-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2017138416A1 (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置
KR102659422B1 (ko) 2016-10-17 2024-04-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR20180064600A (ko) 2016-12-05 2018-06-15 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR20180079503A (ko) 2016-12-30 2018-07-11 삼성디스플레이 주식회사 도전 패턴 및 이를 구비하는 표시 장치
JP6947536B2 (ja) 2017-05-26 2021-10-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN112820766A (zh) * 2018-03-28 2021-05-18 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
US11249716B2 (en) * 2018-12-11 2022-02-15 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for driving the same
US11699363B2 (en) * 2019-06-28 2023-07-11 Lg Display Co., Ltd. Stretchable display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210025738A (ko) 2021-03-10
US11257884B2 (en) 2022-02-22
EP3787031A1 (en) 2021-03-03
US20210066423A1 (en) 2021-03-04
JP2021033257A (ja) 2021-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3787031A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US11957034B2 (en) Display apparatus having an improved display quality and a reduced peripheral (non-display) region for use in electronic device having a bypass data line arranged in the display and peripheral regions
EP3716002B1 (en) Display device
KR20200118266A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN110660812A (zh) 显示装置
KR20210086869A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN111244136A (zh) 显示装置及其制造方法
US20230141982A1 (en) Display apparatus
CN110890384A (zh) 显示设备
US11088236B2 (en) Display apparatus
CN111384132A (zh) 显示装置
US11594702B2 (en) Window glass, display device including the same, and method of manufacturing a display device
US11587996B2 (en) Display apparatus
US11024697B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
CN110943107A (zh) 显示装置和制造该显示装置的方法
US20220045149A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
KR20200116568A (ko) 표시 장치
KR20200047832A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20240015818A (ko) 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치
CN115295580A (zh) 显示装置
KR20200072615A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20210305

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication