CN111244136A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了显示装置和显示装置的制造方法。显示装置包括基础衬底、导电层、缓冲层、薄膜晶体管、电极、绝缘图案和布线，基础衬底包括显示区域和外围区域，导电层在外围区域和显示区域的整体中形成在基础衬底上，缓冲层位于导电层上，薄膜晶体管在显示区域中位于缓冲层上，电极在外围区域中位于形成为穿过缓冲层以暴露导电层的侧表面的接触孔中，电极与导电层接触，绝缘图案在接触孔中位于电极上，并且布线位于绝缘图案上并且电连接到电极。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
实施方式涉及显示装置和显示装置的制造方法。
背景技术
近来，已制造出重量轻且尺寸小的显示装置。阴极射线管(CRT)显示装置已经因性能和有竞争力的价格而被使用。CRT显示装置的大小或便携性可能受到限制。因此，诸如等离子显示装置、液晶显示装置和有机发光显示装置的显示装置已经因尺寸小、重量轻和功耗低而备受推崇。
发明内容
实施方式涉及显示装置，显示装置包括基础衬底、导电层、缓冲层、薄膜晶体管、电极、绝缘图案和布线，基础衬底包括显示区域和外围区域，导电层在外围区域和显示区域的整体中形成在基础衬底上，缓冲层位于导电层上，薄膜晶体管在显示区域中位于缓冲层上，电极在外围区域中位于形成为穿过缓冲层以暴露导电层的侧表面的接触孔中，电极与导电层接触，绝缘图案在接触孔中位于电极上，并且布线位于绝缘图案上并且电连接到电极。
电极可耦接到接地电压或恒定电压。
外围区域可包括焊盘区域和折叠区域，其中，焊盘区域中布置有电连接到驱动单元的焊盘部，并且折叠区域位于焊盘部与显示区域之间，并且接触孔可位于折叠区域中。
缓冲层可不存在于折叠区域中。
绝缘图案可覆盖折叠区域中不存在有缓冲层的部分。
导电层可为n+掺杂的非晶硅层。
基础衬底可包括第一聚酰亚胺层、位于第一聚酰亚胺层上的阻挡膜层和位于阻挡膜层上的第二聚酰亚胺层。
基础衬底还可包括布置在阻挡膜层与第二聚酰亚胺层之间或者在阻挡膜层与第一聚酰亚胺层之间的第二导电层，并且第二导电层可由接触孔暴露，并且第二导电层可与电极接触。
基础衬底可包括第一聚酰亚胺层、位于第一聚酰亚胺层上的阻挡膜层和位于阻挡膜层上的第二聚酰亚胺层，并且导电层可布置在阻挡膜层与第二聚酰亚胺层之间或者在阻挡膜层与第一聚酰亚胺层之间。
接触孔可形成为穿过导电层以暴露导电层的侧表面，并且导电层的侧表面可与电极接触。
接触孔可为通过去除基础衬底的一部分而形成的。
薄膜晶体管可包括有源图案、栅电极、源电极和漏电极，并且显示装置还可包括布置在有源图案与栅电极之间的栅极绝缘层以及位于栅电极与源电极和漏电极之间的层间绝缘层。
显示装置还可包括通孔绝缘层、第一电极、发光层和第二电极，通孔绝缘层位于源电极和漏电极上，第一电极位于通孔绝缘层上并且电连接到漏电极，发光层位于第一电极上，并且第二电极位于发光层上。
通孔绝缘层可覆盖布线。
电极可延伸到层间绝缘层的上表面，并且布线可与层间绝缘层上的电极接触。
实施方式也涉及显示装置的制造方法，该方法包括：在基础衬底上形成导电层；在导电层上形成缓冲层；在缓冲层上形成有源图案；在有源图案上形成绝缘层；通过部分地去除绝缘层和缓冲层来形成接触孔以暴露导电层；在接触孔中形成与导电层接触的电极；在电极上形成绝缘图案以暴露电极的一部分；以及在绝缘图案上形成电连接到电极的布线。
导电层可为n+掺杂的非晶硅层。
该方法还可包括：在形成接触孔之前，在绝缘层上形成栅电极；以及在栅电极上形成层间绝缘层。在形成接触孔时，可通过部分地去除层间绝缘层、绝缘层和缓冲层来形成接触孔。
在形成接触孔时，可去除导电层的一部分以形成接触孔，并且可暴露导电层的侧表面，并且导电层的侧表面可与电极接触。
基础衬底可包括至少一个聚酰亚胺层和至少一个阻挡膜层。
附图说明
通过参考附图对示例实施方式进行详细描述，特征将对本领域技术人员变得显而易见，在附图中：
图1示出了根据示例实施方式的显示装置的平面图；
图2示出了沿图1的线I-I'截取的剖面图。
图3示出了沿图1的线II-II'截取的剖面图。
图4示出了根据示例实施方式的显示装置的剖面图；
图5示出了根据示例实施方式的显示装置的剖面图；
图6示出了根据示例实施方式的显示装置的剖面图；
图7示出了根据示例实施方式的显示装置的剖面图；
图8示出了根据示例实施方式的显示装置的剖面图；
图9A至图9I示出了在形成图1至图3的显示装置的方法中的阶段的剖面图；
图10示出了根据示例实施方式的电子设备的框图；
图11A示出了图10的电子设备被实现为电视机的示例的图；以及
图11B示出了图10的电子设备被实现为智能电话的示例的图。
具体实施方式
当前将在下文中参考附图对示例实施方式进行更加全面地描述；然而，它们可以以不同的形式实施，并且不应被解释为受限于本文中所记载的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达示例实现方式。在附图中，为了清楚地示出，层和区的尺寸可被放大。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的元件。
图1是示出根据示例实施方式的显示装置的平面图。
参照图1，显示装置可包括显示图像的显示区域DA、围绕显示区域DA的外围区域PA、焊盘区域PAa和折叠区域FA。
显示区域DA可位于由第一方向D1和与第一方向D1垂直的第二方向D2形成的平面上。显示装置可在显示区域DA中包括多个像素。显示装置还可包括在外围区域PA中用于驱动像素的驱动单元、用于向像素供给电力的电源单元以及用于连接像素和驱动单元的布线单元。
像素中的每个可设置为用于显示图像的最小单位。像素可包括用于发射彩色光的显示元件。例如，显示元件可为液晶显示设备(LCD)、电泳显示设备(EPD设备)、电润湿显示设备(EWD设备)或有机发光显示设备(OLED设备)。为了解释的便利，有机发光显示装置将被描述为显示元件的示例。
例如，每个像素可发射红色、绿色和蓝色中的一个。例如，像素中的每个可发射诸如青色、品红色、黄色和白色的颜色。下面将参考图2和图3对这些像素进行详细描述。
外围区域PA可包括布置有焊盘部PAD(驱动单元连接到其上)的焊盘区域PAa以及使显示装置可折叠的布置在焊盘部PAD与显示区域DA之间的折叠区域FA。折叠区域FA和焊盘区域PAa可分别在第一方向D1上延伸。
电极GD可位于折叠区域FA中。电极GD可将恒定电压(诸如接地电压)施加到基础衬底上的导电层。因此，可防止因外部因素(屏蔽效应)而导致像素中的薄膜晶体管的特性的变化。下面将参考图2和图3对其描述进行详细描述。
图2是沿图1的线I-I'截取的剖面图。图3是沿图1的线II-II'截取的剖面图。
参照图2和图3，显示装置可包括基础衬底100、导电层108、缓冲层110、有源图案ACT、栅极绝缘层120、栅极图案、层间绝缘层130、电极GD、绝缘图案135、数据图案、通孔绝缘层140、像素限定层PDL和薄膜封装层TFE。
基础衬底100可包括透明或不透明的绝缘材料。例如，基础衬底100可包括石英衬底、合成石英衬底、氟化钙衬底、氟化物掺杂的石英衬底、钠钙玻璃衬底、无碱玻璃衬底等。在另一实现方式中，基础衬底100可包括柔性透明材料，诸如柔性透明树脂衬底，例如，聚酰亚胺衬底。聚酰亚胺衬底可包括第一聚酰亚胺层102、阻挡膜层104、第二聚酰亚胺层106等。例如，聚酰亚胺衬底可具有第一聚酰亚胺层102、阻挡膜层104和第二聚酰亚胺层106堆叠在刚性玻璃衬底上的配置。
导电层108可位于基础衬底100上。导电层108可与显示区域DA和外围区域PA的整体对应地形成，并且可配置成施加接地电压或恒定电压。例如，导电层108可为n+掺杂的非晶硅(a-Si)层。
缓冲层110可位于导电层108上。缓冲层110可位于整个基础衬底100上。缓冲层110可防止金属原子和/或杂质从基础衬底100和导电层108扩散到有源图案ACT中。另外，缓冲层110可控制用于形成有源图案ACT的结晶工艺中的热传递速率，而这可有助于向有源图案ACT提供均匀性。
有源图案ACT可在缓冲层110上位于显示区域DA中。有源图案ACT可包括非晶硅或多晶硅。在另一实施方式中，有源图案ACT可包括氧化物半导体。有源图案ACT可包括掺杂有杂质的漏区和源区以及位于漏区与源区之间的沟道区。
栅极绝缘层120可位于布置有有源图案ACT的缓冲层110上。栅极绝缘层120可覆盖缓冲层110上的有源图案ACT，并且可沿着有源图案ACT的轮廓以基本上相同的厚度形成。栅极绝缘层120可包括无机绝缘材料，诸如硅化合物或金属氧化物。
栅极图案可位于栅极绝缘层120上。栅极图案可包括信号线(诸如栅极线)和栅电极GE以与有源图案ACT重叠。栅极图案可使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。
层间绝缘层130可位于布置有栅极图案的栅极绝缘层120上。例如，层间绝缘层130可充分地覆盖栅极绝缘层120上的栅极图案，并且可具有基本平坦的上表面，而不会在栅极图案周围形成台阶。在另一实现方式中，层间绝缘层130可覆盖栅极绝缘层120上的栅极图案，并且可沿着栅极图案的轮廓以基本上相同的厚度形成。层间绝缘层130可包括硅化合物、金属氧化物等。层间绝缘层130可由多个层形成。
在外围区域PA的折叠区域FA中，可不形成层间绝缘层130、栅极绝缘层120和缓冲层110。因此，层间绝缘层130、栅极绝缘层120和缓冲层110可不形成在折叠区域FA中，或者可在折叠区域FA中去除。折叠区域FA为最终产品中的折叠部。如果在折叠区域FA中形成作为无机膜的层间绝缘层130、栅极绝缘层120和缓冲层110，则当显示装置在折叠区域FA中折叠时，可能会发生层间绝缘层130、栅极绝缘层120和缓冲层110的损坏(诸如裂纹)。
在去除无机膜时，可去除基础衬底100的一部分。例如，可去除折叠区域FA中的第二聚酰亚胺层106的一部分。因此，可形成接触孔以通过层间绝缘层130、栅极绝缘层120和缓冲层110暴露导电层108。
电极GD可布置在折叠区域FA中的接触孔内。因此，电极GD可位于接触孔中，该接触孔暴露导电层108的侧表面以与导电层108的侧表面接触(侧接触)。因此，接触孔可形成为穿过导电层108，以使得导电层108的侧表面由接触孔暴露，并且导电层108的侧表面可与电极GD接触。电极GD可形成为延伸到层间绝缘层130的上表面，并且可在层间绝缘层130上由绝缘图案135暴露的部分处与布线GL(将在下面描述)接触。电极GD可使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。
在实现方式中，接触孔可仅形成到缓冲层110为止，以使得导电层108不被去除，并且电极GD可与导电层108的上表面接触。
接地电压或恒定电压可施加到电极GD。电连接到电极GD的导电层108可与包括有源图案ACT和栅电极GE的薄膜晶体管TFT重叠。因此，可防止薄膜晶体管TFT受到从基础衬底100流入的外部影响(诸如静电)的影响(屏蔽效应)。电连接到电极GD的导电层108可与包括有源图案ACT和栅电极GE的薄膜晶体管TFT重叠，并且可布置在薄膜晶体管TFT与基础衬底100之间。因此，可防止薄膜晶体管TFT的特性的变化受到从基础衬底100流入的外部影响(诸如静电)的影响(屏蔽效应)。
绝缘图案135可位于接触孔中。因此，绝缘图案135可与去除了层间绝缘层130、栅极绝缘层120和缓冲层110的部分对应地形成。绝缘图案135可形成为减少与折叠区域FA中的层间绝缘层130的台阶。在附图中，为了理解，台阶示出为与层间绝缘层130形成，尽管实际上该台阶可被最小化。绝缘图案135可包括有机绝缘材料，并且即使折叠区域FA被折叠时，也可使绝缘图案135不容易损坏。
数据图案可位于布置有绝缘图案135的层间绝缘层130上。数据图案可包括薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE以及信号线SL(诸如布线GL和数据线)。数据图案可使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。例如，数据图案可由具有高导电性的金属(诸如铜、铝等)形成。数据图案可具有多个分层结构。例如，数据图案可包括钛层、位于钛层上的铝层和位于铝层上的钛。
布线GL可在外围区域PA中在第二方向(参照图1中的D2)上延伸，并且可与绝缘图案135相交。布线GL可配置成施加接地电压。例如，布线GL可延伸到焊盘区域PAa，并且可连接到焊盘部(参照图1中的PAD)的接地端子PE_G以从驱动单元接收接地电压。另外，布线GL可延伸到显示区域DA以将接地电压供给到像素结构。
通孔绝缘层140可位于薄膜晶体管TFT上。通孔绝缘层140可位于薄膜晶体管TFT上。通孔绝缘层140可覆盖布线GL。通孔绝缘层140可形成为单层结构，但是可形成为包括至少两个绝缘层的多层结构。通孔绝缘层140可使用诸如光致抗蚀剂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂或硅氧烷基树脂的有机材料来形成。
发光结构180可包括第一电极181、发光层182和第二电极183。
第一电极181可位于通孔绝缘层140上。根据显示装置的发射类型，第一电极181可包括反射材料或透射材料。在示例实施方式中，第一电极181可具有可包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜的单层结构或多层结构。
像素限定层PDL可位于布置有第一电极181的通孔绝缘层140上。像素限定层PDL可使用有机材料形成。例如，像素限定层PDL可包括光刻胶、丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂、硅氧烷基树脂等。在示例实施方式中，可通过蚀刻像素限定层PDL来形成暴露第一电极181的开口。显示装置的发射区域和非发射区域可通过像素限定层PDL的开口来限定。例如，定位有像素限定层PDL的开口的部分可对应于发射区域，并且非发射区域可对应于与像素限定层PDL的开口相邻的部分。
发光层182可位于通过像素限定层PDL的开口暴露的第一电极181上。另外，发光层182可在像素限定层PDL的开口的侧壁上延伸。在示例实施方式中，发光层182可包括有机发光层(EL)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等。在示例实施方式中，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层可公共地形成为对应于多个像素。在示例实施方式中，多个有机发光层可使用根据显示装置的彩色像素而生成不同颜色的光(诸如红色光、绿色光和蓝色光)的发光材料形成。在示例实施方式中，发光层182的有机发光层可包括用于生成红色光、绿色光和蓝色光的多个堆叠的发光材料，从而发射白色光。发光层182的元件可公共地形成为对应于多个像素，并且每个像素可由滤色器层划分。
第二电极183可位于像素限定层PDL和发光层182上。根据显示装置的发射类型，第二电极183可包括透射材料或反射材料。在示例实施方式中，第二电极183可具有可包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜的单层结构或多层结构。
薄膜封装层TFE可位于第二电极183上。薄膜封装层TFE可防止湿气和氧气从外部渗透。薄膜封装层TFE可包括至少一个有机层和至少一个无机层。至少一个有机层和至少一个无机层可彼此交替地堆叠。例如，薄膜封装层TFE可包括两个无机层和位于两个无机层之间的一个有机层。在示例实施方式中，代替提供薄膜封装层TFE，密封衬底可提供为用于屏蔽外部空气和湿气渗透到显示装置中。
根据示例实施方式，为了形成折叠区域，无机膜可被去除，电极可在形成绝缘图案之前形成，并且电极可配置成将接地电压或恒定电压施加到布置在薄膜晶体管与基础衬底之间的导电层。在这种结构中，可改善显示品质。
图4是示出根据示例实施方式的显示装置的剖面图。
参照图4，显示装置与图1至图3的显示装置基本上相同，除了它还包括第二导电层103，并且第二导电层103电连接到电极GD。因此，重复的说明可被省略。
显示装置可包括基础衬底100、导电层108、缓冲层110、有源图案ACT、栅极绝缘层120、包括栅电极GE的栅极图案、层间绝缘层130、电极GD、绝缘图案135、包括布线GL的数据图案、通孔绝缘层140、像素限定层PDL和薄膜封装层TFE。
基础衬底100可包括第一聚酰亚胺层102、位于第一聚酰亚胺层102上的第二导电层103、位于第二导电层103上的阻挡膜层104和位于阻挡膜层104上的第二聚酰亚胺层106。与导电层108相似地，第二导电层103可为n+掺杂的非晶硅(a-Si)层。
在折叠区域FA中，接触孔可形成为穿过层间绝缘层130、栅极绝缘层120、缓冲层110、导电层108、第二聚酰亚胺层106、阻挡膜层104和第二导电层103以暴露导电层108和第二导电层103的侧表面。
电极GD可位于接触孔中。因此，电极GD可位于暴露导电层108的侧表面和第二导电层103的侧表面的接触孔中，以使得导电层108的侧表面和第二导电层103的侧表面可与电极GD接触。
在实现方式中，接触孔可仅形成到阻挡膜层104为止，第二导电层103可不被去除，并且第二导电层103的上表面可与电极GD接触。
图5是示出根据示例实施方式的显示装置的剖面图。
参照图5，显示装置与图1至图3的显示装置基本上相同，除了显示装置包括第二导电层103来代替导电层108，并且第二导电层103电连接到电极GD。因此，重复的解释可被省略。
显示装置可包括基础衬底100、缓冲层110、有源图案ACT、栅极绝缘层120、包括栅电极GE的栅极图案、层间绝缘层130、电极GD、绝缘图案135、包括布线GL的数据图案、通孔绝缘层140、像素限定层PDL和薄膜封装层TFE。
基础衬底100可包括第一聚酰亚胺层102、位于第一聚酰亚胺层102上的第二导电层103、位于第二导电层103上的阻挡膜层104和位于阻挡膜层104上的第二聚酰亚胺层106。
在折叠区域FA中，接触孔可形成为穿过层间绝缘层130、栅极绝缘层120、缓冲层110、第二聚酰亚胺层106、阻挡膜层104和第二导电层103以暴露第二导电层103。
电极GD可布置在接触孔内。因此，电极GD可位于暴露第二导电层103的侧表面的接触孔中，并且可与第二导电层103的侧表面接触。
在实现方式中，接触孔可仅形成到阻挡膜层104为止，以使得第二导电层103可不被去除，并且第二导电层103的上表面可与电极GD接触。
图6是示出根据示例实施方式的显示装置的剖面图。
参照图6，除了显示装置还包括第三导电层105以外，显示装置与图5的显示装置基本上相同。因此，重复的解释可被省略。
显示装置可包括基础衬底100、导电层108、缓冲层110、有源图案ACT、栅极绝缘层120、包括栅电极GE的栅极图案、层间绝缘层130、电极GD、绝缘图案135、包括布线GL的数据图案、通孔绝缘层140、像素限定层PDL和薄膜封装层TFE。
基础衬底100可包括第一聚酰亚胺层102、位于第一聚酰亚胺层102上的第二导电层103、位于第二导电层103上的阻挡膜层104、位于阻挡膜层104上的第三导电层105和位于第三导电层105上的第二聚酰亚胺层106。如导电层108那样，第三导电层105可为n+掺杂的非晶硅(a-Si)层。
在折叠区域FA中，接触孔可形成为穿过层间绝缘层130、栅极绝缘层120、缓冲层110、导电层108、第二聚酰亚胺层106、第三导电层105、阻挡膜层104和第二导电层103以暴露第二导电层103。
电极GD可布置在接触孔内。因此，电极GD可位于暴露导电层108的侧表面、第三导电层105的侧表面、第二导电层103的侧表面的接触孔中，并且可与第二导电层103的侧表面接触。
在实现方式中，接触孔可仅形成到阻挡膜层104为止，并且第二导电层103可不被去除，并且第二导电层103的上表面可与电极GD接触。
图7是示出根据示例实施方式的显示装置的剖面图。
参照图7，显示装置与图1至图3的显示装置基本上相同，除了形成第三导电层105来代替导电层108，并且接触孔形成到阻挡膜层104的一部分。因此，重复的解释可被省略。
显示装置可包括基础衬底100、缓冲层110、有源图案ACT、栅极绝缘层120、包括栅电极GE的栅极图案、层间绝缘层130、电极GD、绝缘图案135、包括布线GL的数据图案、通孔绝缘层140、像素限定层PDL和薄膜封装层TFE。
基础衬底100可包括第一聚酰亚胺层102、位于第一聚酰亚胺层102上的阻挡膜层104、位于阻挡膜层104上的第三导电层105和位于第三导电层105上的第二聚酰亚胺层106。
在折叠区域FA中，接触孔可形成为穿过层间绝缘层130、栅极绝缘层120、缓冲层110、第二聚酰亚胺层106、第三导电层105和阻挡膜层104的一部分以暴露第三导电层105的侧表面。
电极GD可布置在接触孔内。因此，电极GD可位于暴露第三导电层105的侧表面的接触孔中，并且可与第三导电层105的侧表面接触。
图8是示出根据示例实施方式的显示装置的剖面图。
参照图8，除了基础衬底100以外，显示装置与图1至图3的显示装置基本上相同。因此，重复的解释可被省略。
显示装置可包括基础衬底100、导电层108、缓冲层110、有源图案ACT、栅极绝缘层120、包括栅电极GE的栅极图案、层间绝缘层130、电极GD、绝缘图案135、包括漏电极DE和布线GL的数据图案、通孔绝缘层140、像素限定层PDL和薄膜封装层TFE。
基础衬底100可由透明或不透明的材料制成。例如，基础衬底100可包括石英衬底、合成石英衬底、氟化钙衬底、掺杂氟化物的石英衬底、钠钙玻璃衬底、无碱非碱玻璃衬底等。
在外围区域PA中，接触孔可形成为穿过层间绝缘层130、栅极绝缘层120、缓冲层110、导电层108和基础衬底100的一部分以暴露导电层108的侧表面。
电极GD可位于接触孔中。因此，电极GD可位于暴露导电层108的侧表面的接触孔中，并且可与导电层108的侧表面接触。
图9A至图9I是示出在形成图1至图3的显示装置的方法中的阶段的剖面图。
参照图9A，可在基础衬底100上形成导电层108。基础衬底100可包括第一聚酰亚胺层102、阻挡膜层104和第二聚酰亚胺层106。可通过在基础衬底100上形成非晶硅(a-Si)层且然后用杂质掺杂来形成导电层108。例如，导电层108可为n+掺杂的非晶硅层。
参照图9B，可在导电层108上顺序地形成缓冲层110、有源图案ACT、栅极绝缘层120、包括栅电极GE的栅极图案和层间绝缘层130。
例如，缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可通过化学气相沉积工艺、旋涂工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、溅射工艺、真空沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺、印刷工艺等来形成。
例如，可在缓冲层110上形成非晶硅层，且然后可使非晶硅层结晶化以形成多晶硅层。然后，可通过由光刻方法等对多晶硅层进行图案化来形成有源图案ACT。
例如，可通过在栅极绝缘层120上形成导电膜，并且使用光刻工艺或使用附加蚀刻掩模的蚀刻工艺对导电膜进行图案化来形成栅极图案。可使用印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积(PLD)工艺、真空沉积工艺、原子层沉积(ALD)工艺等来形成导电层。
参照图9C，可形成源极接触孔SCNT和漏极接触孔DCNT以通过层间绝缘层130和栅极绝缘层120来暴露有源图案ACT。
源极接触孔SCNT和漏极接触孔DCNT可通过在层间绝缘层130上形成光致抗蚀剂层，且然后曝光和显影光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案，且然后使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻阻挡层来部分地蚀刻层间绝缘层130和栅极绝缘层120来形成。
参照图9D，可形成暴露导电层108的侧表面的接触孔CNT。例如，在折叠区域FA中与作为无机绝缘层的层间绝缘层130、栅极绝缘层120和缓冲层110对应的部分可被去除。此时，接触孔CNT可形成为穿过层间绝缘层130、栅极绝缘层120、缓冲层110、导电层108和第二聚酰亚胺层106以暴露导电层108的侧表面，其中将形成有电极(参照图9E的GD)。
接触孔CNT可通过在层间绝缘层130上形成光致抗蚀剂层，曝光和显影光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案，且然后部分地蚀刻层间绝缘层130和栅极绝缘层120来形成。
此处，接触孔CNT的深度可根据显示装置的工艺和结构而变化。深度可足以暴露导电层108(在其它实施方式中，暴露第二导电层103或第三导电层105)。
形成接触孔CNT、源极接触孔SCNT和漏极接触孔DCNT的顺序可被改变，或者它们可使用半色调掩模等来同时形成。
参照图9E，可在接触孔CNT中形成电极GD以与导电层108的侧表面接触。电极GD可沿着接触孔CNT的侧表面延伸，并且可延伸到层间绝缘层130的上表面以与下面描述的布线(参照图9G中的GL)连接。
参照图9F，可在形成有电极GD的接触孔CNT中形成绝缘图案135。绝缘图案135可形成为对应于作为无机绝缘层的层间绝缘层130、栅极绝缘层120和缓冲层110被去除的部分。绝缘图案135可形成为减少与折叠区域FA中的层间绝缘层130的台阶。在附图中，台阶示出为与层间绝缘层130形成，但是该台阶可被最小化。
绝缘图案135可暴露电极GD的形成到层间绝缘层130的上表面为止的部分。
参照图9G，可在绝缘图案135和层间绝缘层130上形成包括布线GL、源电极SE和漏电极DE的数据图案。
参照图9H，可在形成有数据图案的层间绝缘层130上形成通孔绝缘层140。可通过通孔绝缘层140形成暴露漏电极DE的像素接触孔PCNT和暴露接地端子PE_G(其为布线GL的一部分)的开口OP。
参照图9I，可在通孔绝缘层140上形成发光层182、第二电极183和薄膜封装层TFE以形成显示装置。可通过各种合适的方法形成第一电极181、像素限定层PDL、发光层182、第二电极183和薄膜封装层TFE，并且省略细节。
根据示例实施方式，当形成导电层108并且去除折叠区域FA中的无机绝缘层时，可形成接触孔CNT、电极GD、绝缘图案135和布线GL。因此，可通过相对简单的结构和工艺来改善显示品质。
在图9A至图9I中，已描述了图1至图3的显示装置的制造方法。图4至图8的显示装置可以以相似的方式来制造。
图10是示出根据示例实施方式的电子设备的框图。图11A是示出图10的电子设备被实现为电视机的示例的图。图11B是示出图10的电子设备被实现为智能电话的示例的图。
参照图10到图11B，电子设备500可包括处理器510、存储设备520、储存设备530、输入/输出(I/O)设备540、电源550和显示设备560。显示设备560可对应于图1的显示装置。另外，电子设备500还可包括用于与视频卡、声卡、存储卡、通用串行总线(USB)设备、其它电子设备等进行通信的多个端口。在示例实施方式中，如图11A中所示，电子设备500可实现为电视机。在另一示例实施方式中，如图11B中所示，电子设备500可实现为智能电话。在其它示例中，电子设备500可实现为蜂窝电话、视频电话、智能平板、智能表、平板电脑、汽车导航系统、计算机显示屏、膝上型电脑、头戴式显示器(HMD)等。
处理器510可执行各种计算功能。处理器510可为微处理器、中央处理单元(CPU)、应用处理器(AP)等。处理器510可经由地址总线、控制总线、数据总线等耦接到其它部件。此外，处理器510可耦接到诸如外围部件互连(PCI)总线的扩展总线。存储设备520可存储用于电子设备500的操作的数据。例如，存储设备520可包括至少一个非易失性存储设备和/或至少一个易失性存储设备，至少一个非易失性存储设备诸如可擦除可编程只读存储(EPROM)设备、电可擦除可编程只读存储(EEPROM)设备、闪速存储设备、相变随机存取存储(PRAM)设备、电阻随机存取存储(RRAM)设备、纳米浮动栅极存储(NFGM)设备、聚合物随机存取存储(PoRAM)设备、磁随机存取存储(MRAM)设备、铁电随机存取存储(FRAM)设备等，并且至少一个易失性存储设备诸如动态随机存取存储(DRAM)设备、静态随机存取存储(SRAM)设备、移动DRAM设备等。储存设备530可包括固态驱动(SSD)设备、硬盘驱动(HDD)设备、CD-ROM设备等。I/O设备540可包括输入设备和输出设备，输入设备诸如键盘、小键盘、鼠标装置、触摸板、触摸屏等，并且输出设备诸如打印机、扬声器等。电源550可为电子设备500的操作提供电力。
显示设备560可经由总线或其它通信链路耦接到其它部件。在示例实施方式中，显示设备560可包括在I/O设备540中。根据示例实施方式，显示设备560可包括位于折叠区域中并且其上施加有接地电压或恒定电压的电极和电连接到电极并且与薄膜晶体管重叠的导电层，从而可改善显示品质。
示例实施方式可应用于有机发光显示装置和包括有机发光显示装置的各种电子设备。例如，示例实施方式可应用于移动电话、智能电话、视频电话、智能平板、智能表、平板电脑、汽车导航系统、电视机、电脑显示屏、笔记本电脑等。
通过总结和回顾，在包括薄膜晶体管的显示装置中，当薄膜晶体管的特性(如，阈值电压Vth)取决于外部因素而改变时，显示品质可能下降。
如上所述，示例实施方式涉及可表现出经改善的显示品质的显示装置以及显示装置的制造方法。
示例实施方式可提供能够通过稳定薄膜晶体管的特性来改善显示品质的显示装置。
根据示例实施方式，为了形成折叠区域，无机膜被去除，电极可在形成绝缘图案之前形成，并且电极配置成将接地电压或恒定电压施加到布置在薄膜晶体管与基础衬底之间的导电层。因此，可改善显示品质。
本文中已公开了示例实施方式，并且尽管采用了具体术语，但是它们仅以一般和描述性意义使用和解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如本领域普通技术人员随着本申请的提交而将显而易见的是，除非另有明确指示，否则结合特定实施方式描述的特征、特性和/或元件可单独使用或者与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。相应地，本领域技术人员将理解，在不背离如所附权利要求书中所记载的本发明的精神和范围的情况下，可进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基础衬底，所述基础衬底包括显示区域和外围区域；
导电层，所述导电层在所述外围区域和所述显示区域的整体中形成在所述基础衬底上；
缓冲层，所述缓冲层位于所述导电层上；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在所述显示区域中位于所述缓冲层上；
电极，所述电极在所述外围区域中位于形成为穿过所述缓冲层以暴露所述导电层的侧表面的接触孔中，所述电极与所述导电层接触；
绝缘图案，所述绝缘图案在所述接触孔中位于所述电极上；以及
布线，所述布线位于所述绝缘图案上并且电连接到所述电极。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述电极耦接到接地电压或恒定电压。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述外围区域包括：
焊盘区域，所述焊盘区域中布置有电连接到驱动单元的焊盘部；以及
折叠区域，所述折叠区域位于所述焊盘部与所述显示区域之间；以及
所述接触孔位于所述折叠区域中。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述缓冲层不存在于所述折叠区域中。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中，所述绝缘图案覆盖所述折叠区域中不存在有所述缓冲层的部分。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电层为n+掺杂的非晶硅层。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述基础衬底包括第一聚酰亚胺层、位于所述第一聚酰亚胺层上的阻挡膜层和位于所述阻挡膜层上的第二聚酰亚胺层。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述基础衬底还包括布置在所述阻挡膜层与所述第二聚酰亚胺层之间或者在所述阻挡膜层与所述第一聚酰亚胺层之间的第二导电层，以及
所述第二导电层由所述接触孔暴露，并且所述第二导电层与所述电极接触。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述基础衬底包括第一聚酰亚胺层、位于所述第一聚酰亚胺层上的阻挡膜层和位于所述阻挡膜层上的第二聚酰亚胺层，以及
所述导电层布置在所述阻挡膜层与所述第二聚酰亚胺层之间或者在所述阻挡膜层与所述第一聚酰亚胺层之间。
10.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述接触孔形成为穿过所述导电层以暴露所述导电层的侧表面，并且所述导电层的所述侧表面与所述电极接触。
11.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述接触孔是通过去除所述基础衬底的一部分而形成的。
12.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括有源图案、栅电极、源电极和漏电极，以及
所述显示装置还包括：
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层布置在所述有源图案与所述栅电极之间；以及
层间绝缘层，所述层间绝缘层位于所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间。
13.如权利要求12所述的显示装置，还包括：
通孔绝缘层，所述通孔绝缘层位于所述源电极和所述漏电极上；
第一电极，所述第一电极位于所述通孔绝缘层上并且电连接到所述漏电极；
发光层，所述发光层位于所述第一电极上；以及
第二电极，所述第二电极位于所述发光层上。
14.如权利要求13所述的显示装置，其中，所述通孔绝缘层覆盖所述布线。
15.如权利要求12所述的显示装置，其中，所述电极延伸到所述层间绝缘层的上表面，以及
所述布线与所述层间绝缘层上的所述电极接触。
16.一种显示装置的制造方法，所述方法包括：
在基础衬底上形成导电层；
在所述导电层上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成有源图案；
在所述有源图案上形成绝缘层；
通过部分地去除所述绝缘层和所述缓冲层来形成接触孔以暴露所述导电层；
在所述接触孔中形成与所述导电层接触的电极；
在所述电极上形成绝缘图案以暴露所述电极的一部分；以及
在所述绝缘图案上形成电连接到所述电极的布线。
17.如权利要求16所述的方法，其中，所述导电层为n+掺杂的非晶硅层。
18.如权利要求16所述的方法，还包括：
在形成所述接触孔之前，在所述绝缘层上形成栅电极；以及
在所述栅电极上形成层间绝缘层，
其中，在形成所述接触孔时，通过部分地去除所述层间绝缘层、所述绝缘层和所述缓冲层来形成所述接触孔。
19.如权利要求16所述的方法，其中，在形成所述接触孔时，去除所述导电层的一部分以形成所述接触孔，并且暴露所述导电层的侧表面，以及
所述导电层的所述侧表面与所述电极接触。
20.如权利要求16所述的方法，其中，所述基础衬底包括至少一个聚酰亚胺层和至少一个阻挡膜层。
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