CN111653592A - 阵列基板及其制作方法、显示面板以及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供了一种阵列基板，包括包括基底、导电层和绝缘填充层，导电层包括依次层叠设置的第一导电层、第二导电层以及第三导电层，第一导电层形成于基底，绝缘填充层形成于第三导电层的表面，基底、导电层和绝缘填充层共同形成非显示区和显示区，非显示区围绕显示区设置，非显示区设置有隔离槽，以将显示区和非显示区隔离,隔离槽自绝缘填充层延伸进第二导电层。通过在非显示区形成隔离槽，可以有效的隔绝水氧进入显示区内，避免造成老化现象。同时，本申请实施例还提供阵列基板的制作方法、显示面板以及电子设备。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板以及电子设备。
背景技术
柔性OLED显示面板，具有可弯折、轻薄、亮度高、和对比度高等诸多优势，但是柔性OLED的寿命一直是这种新型显示技术的短板；其中造成柔性OLED寿命不长的一个很重要的原因就是水氧侵入造成有机发光材料的老化。
发明内容
本申请的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板以及电子设备，以改善上述技术问题。
第一方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，包括基底、导电层和绝缘填充层，导电层包括依次层叠设置的第一导电层、第二导电层以及第三导电层，第一导电层形成于基底，绝缘填充层形成于第三导电层的表面，基底、导电层和绝缘填充层共同形成非显示区和显示区，非显示区围绕显示区设置，非显示区设置有隔离槽，以将显示区和非显示区隔离,隔离槽自绝缘填充层延伸进第二导电层。
第二方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括阵列基板、柔性基板以及显示层，阵列基板包括基底、导电层和绝缘填充层，导电层包括依次层叠设置的第一导电层、第二导电层以及第三导电层，第一导电层形成于基底，绝缘填充层形成于第三导电层的表面，基底、导电层和绝缘填充层共同形成非显示区和显示区，非显示区围绕显示区设置，非显示区设置有隔离槽，以将显示区和非显示区隔离,隔离槽自绝缘填充层延伸进第二导电层；基底贴附于柔性基板，显示层形成于阵列基板的表面，并覆盖显示区以及非显示区。
第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，电子设备安装有上述的显示面板。
第四方面，本申请实施例提供了一种阵列基板的制作方法，阵列基板包括显示区和非显示区，非显示区环绕显示区设置。制作方法包括：在基底上形成导电层，导电层包括依次层叠设置的第一导电层、第二导电层以及第三导电层；用掩膜版覆盖导电层，在对应于非显示区的位置形成多个微孔，多个微孔围绕显示区形成，且相邻的微孔通过沟槽连通；在导电层的表面形成绝缘填充层；对绝缘填充层进行曝光、显影，在绝缘填充层形成通孔，以漏出显示区的栅电极以及非显示区的微孔，并在显影过程中，在微孔以及沟槽内形成隔离槽。
本申请提供的阵列基板及其制作方法、显示面板以及电子设备，通过在非显示区形成隔离槽，可以有效的隔绝水氧进入显示区内，避免造成老化现象。同时，由于隔离槽自绝缘填充层延伸进第二导电层，隔离槽的深度和内刻量更大，隔绝效果更好。
本申请的这些方面或其他方面在以下实施例的描述中会更加简明易懂。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图；
图2是本申请实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图；
图3是本申请实施例提供的一种阵列基板的制作方法中步骤S120的状态图；
图4是本申请实施例提供的一种阵列基板的制作方法中步骤S140的状态图；
图5是本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图6是本申请实施例中提供的一种电子设备的结构示意图；
图7是本申请实施例中提供的又一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
现有的电子设备中，有一部分电子设备采用了柔性有机发光半导体显示面板(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)，这类显示面板具有可弯折的特性，可以制备屏幕面积更大更易携带的电子设备。但柔性OLED存在有以下缺点，OLED器件中一般使用活泼金属作阴极，容易与水汽发生反应影响电荷的注入，并且器件中的有机发光材料也会与水和氧气发生化学反应，这些反应都降低了OLED器件的性能和使用寿命，所以OLED器件需要隔绝水汽和氧气的侵入。
因此，发明人提出了本申请实施例中的阵列基板及其制作方法、显示面板以及电子设备。下面将结合附图具体描述本申请的各实施例。
请参阅图1，本实施例提供一种阵列基板100，包括基底110、导电层120和绝缘填充层130，其中，基底110作为导电层120的承载体，导电层120承载于基底110上，绝缘填充层130形成于导电层120的远离基底110的表面。
其中，基底110可以包括衬底111、缓冲层112、有源层113、以及栅极绝缘层114，缓冲层112覆盖衬底111，有源层113形成于缓冲层112上，有源层113上形成有沟道区和位于沟道区两侧的源极和漏极。栅极绝缘层114形成于有源层113的远离缓冲层112的表面并覆盖整个衬底111。并且栅极绝缘层114可供承载导电层120。
导电层120由导体形成，本实施例中，导电层120包括依次层叠设置的第一导电层121、第二导电层122以及第三导电层123，第一导电层121形成于基底110并具体形成于栅极绝缘层114的表面，绝缘填充层130形成于第三导电层123的表面。
基底110、导电层120和绝缘填充层130共同形成非显示区和显示区，非显示区围绕显示区设置，并且通常非显示区和显示区之间由封装结构隔离。显示区用于进行图像显示，非显示区可以形成焊盘，以将整个阵列基板100安装到使用位置。非显示区的区域面积通常显著低于显示区的区域面积。
其中，第一导电层121、第三导电层123以及第二导电层122均由导电材料形成，以点导电层120上形成位于显示区的栅电极和位于非显示区的焊盘电极。例如：第三导电层123和第一导电层121由TiN、TaN、Ti或Ta中的一种或多种形成，第二导电层122由Al、Ag或Cu形成。
本实施例中，导电层120由第一导电层121、第二导电层122以及第三导电层123层叠形成，其中第一导电层121和第三导电层123为钛(Ti)金属形成，第二导电层122由铝(Al)形成，且第二导电层122的厚度大于第三导电层123的厚度以及第一导电层121的厚度，
非显示区设置有隔离槽150，隔离槽150用于在非显示区对水氧形成隔离，以将显示区和非显示区隔离,避免水氧进入显示区对显示区产生老化现象。当水氧从阵列基板100的侧面进入非显示区时，会受到隔离槽150的阻挡，不能进一步的侵入到显示区内，对显示区造成影响。
隔离槽150自绝缘填充层130延伸进第二导电层122，即隔离槽150自绝缘填充层130朝向基底110方向延伸，并延伸进第二导电层122内，也即是隔离槽150形成于绝缘填充层130、第三导电层123以及第二导电层122内。使得隔离槽150的深度足够大，进而提供更好的隔离效果。
请继续参阅图1，隔离槽150包括依次连通的第一部分151、第二部分152以及第三部分153，第一部分151形成于绝缘填充层130，第二部分152形成于第三导电层123，第三部分153形成于第二导电层122。由于隔离槽150从绝缘填充层130深入到第二导电层122中，隔离槽150深度更大，隔离效果更好。在形成隔离槽150的显影过程中，由于第二导电层122的厚度较第三导电层123以及第一导电层121更大，显影过程中，显影液的刻蚀量在纵向和横向上都具有较大的刻蚀量，因此可以进一步的增大隔离的效果。
通常，在显影的过程中，通常随着隔离槽150深度的加深，隔离槽150的宽度会逐渐减小，通常呈现“V”字型结构，这是因为当隔离槽150深度增大，显影液与导电层120的接触面积以及蚀刻速度都降低，因此通常隔离槽150的深度不能做得太深，或者增大深度后，隔离槽150的宽度会逐渐降低，不能满足隔离需求。
本实施例中，第三部分153的宽度大于第二部分152的宽度，这样在隔离槽150位于第二导电层122的部分上也具有较好的隔离效果，使得隔离槽150不仅仅在深度上得到了提高，同时在提高隔离槽150深度的同时，隔离槽150的隔离效果并没有降低。
并且，作为一种实施方式，从靠近第一导电层121至靠近绝缘填充层130的方向上，第三部分153的宽度逐渐减小，并且在第三部分153的深度方向上的任一点，第三部分153的宽度均是大于第二部分152的宽度的。这样设置的好处在于：第三部分153的构型呈大致的倒“V”字型，当水氧进入到隔离槽150区域时，由于水氧的比重较大，有向下沉积的趋势，因此会主要集中于隔离槽150的底部，并从底部侵入显示区，由于第三部分153的构型设置成从靠近第一导电层121至靠近绝缘填充层130的方向上逐渐减小的形式，水氧在隔离槽150底部形成侵入需要移动的位移增大吗，因此对水氧的隔离效果更好，更不易侵入显示区。
作为一种实施方式，从靠近第三导电层123至远离第三导电层123的方向上，第一部分151的宽度逐渐增大。相当于第二部分152的宽度最小，这样设置后，隔离槽150的第二部分152相当于在隔离槽150中间形成一个瓶颈状结构，从第一部分151进入的水氧不易侵入到第三部分153中，即使这部分水氧侵入显示区也是位于绝缘填充层130上，对导电层120的侵入效果有限，也能进一步的防止显示区受水氧侵入后发生老化现象。
可以理解的是，在其他的一些实施方式中，第二部分152的宽度也可以设置成与第三部分153的宽度相同的形式。需要说明的是，前述的宽度方向是指从非显示区至显示区的方向，深度方向是指垂直于显示区/非显示区的方向。
在一些实施方式中，阵列基板100还可以包括像素电极，像素电极形成于绝缘填充层130的表面，并位于显示区，像素电极通过形成于绝缘填充层130的通孔与导电层120上的源极以及漏极耦合。
可以理解的是，在一些实施方式中，阵列基板100可以包括两层导电层120，两层导电层120之间由层间绝缘层隔离，此时绝缘填充层130形成于最上方的导电层120的表面，隔离槽150可以形成至最下方的导电层120的第二导电层122内。
本实施例提供的阵列基板100，通过设置隔离槽150，可以隔绝外界的水氧进入阵列基板100内，对显示区形成电化学腐蚀。并且由于隔离槽150伸入到导电层120的第二导电层122中，可以进一步的提高隔离效果。
本实施例还提供上述的阵列基板100的制作方法，参阅图2，包括以下步骤：
步骤S110：在基底110上形成导电层120。
其中，基底110可以由以下方式形成：在衬底111上覆盖缓冲层112，并且缓冲层112完全覆盖衬底111，在缓冲层112上形成有源层113，有源层113可以仅形成于显示区，其中有源层113内形成有有沟道区和位于沟道区两侧的源极和漏极。
有源层113的远离缓冲层112的表面形成栅极绝缘层114，并且栅极绝缘层114覆盖整个衬底111，即同时覆盖显示区和非显示区。
在栅极绝缘层114的表面形成导电层120，由于导电层120为包括第一导电层121、第二导电层122以及第三导电层123的多层结构，因此在形成导电层120的时候，可以依次形成第一导电层121、第二导电层122以及第三导电层123结构。
步骤S120：用掩膜版覆盖导电层120，在对应于非显示区的位置形成多个微孔，多个微孔围绕显示区形成，且相邻的微孔通过沟槽连通。同时在导电层120上形成导电图案，包括位于显示区的栅电极以及位于非显示区的焊盘电极。
即：在形成隔离槽150的过程中，导电层120形成有多个微孔，多个微孔彼此间隔设置，并环绕显示区，相邻两个微孔通过沟槽连通形成隔离槽150。
掩膜版可以使用正常掩膜版，此处正常掩膜版是指为了在显示区形成预定图案的掩膜版。即步骤S120中，需要使用的掩膜版不需要额外定制，与常规方法在导电层120形成图案的掩膜版相同。
请参阅图3，多个微孔围绕显示区形成环状，并且彼此之间间隔设置，相邻的微孔通过沟槽连通，即所有的微孔均连通形成环形的槽状结构，微孔以及沟槽的深度以贯穿第三导电层123即可，此时第二导电层122露出。其中每个微孔的孔径(直径)可以是固定的，并且可以大于沟槽的宽度。
步骤S130：在导电层120的表面形成绝缘填充层130。
绝缘填充层130由有机树脂构成，通过在导电层120涂覆有机树脂形成绝缘填充层130，此时绝缘填充层130会覆盖上述的微孔和沟槽。
步骤S140：对绝缘填充层130进行曝光、显影，在绝缘填充层130形成通孔，以漏出显示区的栅电极以及非显示区的微孔、沟槽等，并在显影过程中，在微孔以及沟槽内形成隔离槽150。
请参阅图4，曝光、显影的过程中，绝缘填充层130上形成多个通孔结构，漏出显示区的栅电极和微孔后，由于微孔伸入到第二导电层122中，显影液在蚀刻绝缘填充层130时，会进入至微孔中，并与第二导电层122接触，此时由于显影液为强电解质，而第二导电层122和第三导电层123为不同材质的金属，整个阵列基板100的外侧裸露在显影液中，第二导电层122的铝作为负极，而非显示区微孔区域的第三导电层123的Ti的侧面作为正极，形成原电池，自发的发生氧化还原反应，蚀刻速度加快，因此会比显示区的显影速度更快。因此位于微孔以及沟槽区域的第二导电层122被蚀刻，形成隔离槽150的第三部分153，并且在蚀刻形成第三部分153的过程中，第三导电层123作为正极发生的反应是：
2H2O+2e-＝H2+2OH-
而作为负极的第二导电层122(Al)处发生的电解反应为：
Al+4OH-＝AlO2 2-+2H2O
因此作为正极的第三导电层123(Ti)不会损失发生蚀刻，使得第二部分152的宽度固定，而第三部分153发生蚀刻，由此在微孔以及沟槽的基础上形成隔离槽150，该隔离槽150由于伸入到第二导电层122区域，因此隔离效果更好。此时虽然显示区也发生蚀刻反应，但由于沟槽连通微孔后，相当于在显示区的外侧形成导体连接，因为外围形成了原电池反应，相当于对显示区形成短路，因此不会影响到显示区的正常显影。
在一些实施方式中，通过控制合理的显影时间，可以控制第三部分153的蚀刻量，例如控制显影的时间为60-70s,此时，蚀刻出的第三部分153的宽度整体上大于第二部分152的宽度，而第一部分151由于是正常蚀刻，形成“V”字型的构型，而第三部分153蚀刻形成倒“V”字型的构型，由此形成更为合理的隔离槽150形状，进一步提高隔绝外部水氧的目的。
当然，可以理解的是，也可以选择其他的显影时间进行显影。其中作为一种示例，上述显影过程中使用的显影液可以是(CH3)4NOH。
本实施例提供的阵列基板100的制作方法，在形成隔离槽150的过程中，利用显影过程中的原电池反应形成自发的氧化还原反应，加快第二导电层122的蚀刻速度，形成延伸至第二导电层122的隔离槽150，同时不需要使用额外的掩膜版，正常显影的过程中即形成上述的隔离槽150，降低成本的同时，形成的阵列基板100的隔绝水氧作用更好。
参阅图5，本实施例还提供一种显示面板10，显示面板10包括上述的阵列基板100、柔性基板11以及显示层12，阵列基板100的基底110贴附于柔性基板11的表面，柔性基板11的边界轮廓小于或等于柔性显示面板10的边界轮廓。显示层12形成于阵列基板100的远离基底110的表面，并覆盖显示区和非显示区，显示层12包括多个发光器件并由阵列基板100内的像素电极驱动显示，显示层12可以是液晶面板或柔性液晶面板。
在一些实施方式中，显示面板10还包括柔性玻璃盖板13，柔性玻璃盖板13贴附于显示层12的表面，并对显示层12提供保护作用。
本实施例提供的显示面板10可以应用于各类电子设备中，特别的，还可以应用于可折叠的电子设备中。由于阵列基板100设置了上述的隔离槽150结构，因此可以提高显示面板10的使用寿命，并且由于防止了外界的水氧侵入，因此显示面板10在使用过程中的老化现象也较为平缓，显示效果更佳。
本实施例还提供一种电子设备20，电子设备20安装有上述的显示面板10，如,6所示，图6示出了一种电子设备20的结构，电子设备20包括壳体21，显示面板10、摄像头22等。其中显示面板10装配于壳体21的一侧，摄像头22设置于壳体21，其中摄像头22可以是一个或多个，并且摄像头22可以位于壳体21的设置显示面板10的一侧，也可以设置于与显示面板10相背离的一侧，或者同时在壳体21的设置显示面板10的一侧以及与显示面板10相背离的一侧设置摄像头22。
尽管图6中未示出，可以理解的是，电子设备20可以包括比图示更多或更少的元件，例如受话器、麦克风、扬声器、指纹模组等等。
图7示出了另一种电子设备20的结构，该电子设备20包括壳体21以及显示面板10，其中壳体21包括第一壳体211和第二壳体212，第一壳体211和第二壳体212通过铰接机构(图未示)铰接连接，并且第一壳体211和第二壳体212可以通过铰接机构实现相对转动，并在转动过程中折叠或展开。显示面板10同时铺设于第一壳体211、第二壳体212以及铰接机构上，当第一壳体211和第二壳体212相对折叠时，显示面板10发生弯折，这样可以减小整个电子设备20的体积，便于携带。
可以理解的是，电子设备20可以是内折式结构(即第一壳体211和第二壳体212折叠时，显示面板10位于内侧)，也可以是外折式结构(即第一壳体211和第二壳体212折叠时，显示面板10位于内侧)。
同样的，尽管图7中未示出，可以理解的是，电子设备20可以包括比图示更多或更少的元件，例如受话器、麦克风、扬声器、指纹模组等等。
本实施例中提供的电子设备20，由于采用了上述的显示面板10，因此显示面板10的使用寿命更长，同时显示面板10的老化不严重，对于显示面板10的显示效果更好。
本申请中的电子设备20可以为移动电话或智能电话(例如，基于iPhone TM，基于Android TM的电话)，便携式游戏设备(例如Nintendo DS TM，PlayStation Portable TM，Gameboy Advance TM，iPhone TM)、膝上型电脑、PDA、便携式互联网设备、音乐播放器以及数据存储设备，其他手持设备以及诸如手表、耳机、吊坠、耳机等，电子设备20还可以为其他的可穿戴设备(例如，诸如电子眼镜、电子衣服、电子手镯、电子项链、电子纹身、电子设备20或智能手表的头戴式设备(HMD))。
电子设备20还可以是多个电子设备20中的任何一个，多个电子设备20包括但不限于蜂窝电话、智能电话、其他无线通信设备、个人数字助理、音频播放器、其他媒体播放器、音乐记录器、录像机、照相机、其他媒体记录器、收音机、医疗设备、车辆运输仪器、计算器、可编程遥控器、寻呼机、膝上型计算机、台式计算机、打印机、上网本电脑、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)便携式医疗设备以及数码相机及其组合。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括基底、导电层和绝缘填充层，所述导电层包括依次层叠设置的第一导电层、第二导电层以及第三导电层，所述第一导电层形成于所述基底，所述绝缘填充层形成于所述第三导电层的表面，所述基底、导电层和绝缘填充层共同形成非显示区和显示区，所述非显示区围绕所述显示区设置，所述非显示区设置有隔离槽，以将所述显示区和所述非显示区隔离,所述隔离槽自所述绝缘填充层延伸进所述第二导电层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层形成有多个微孔，多个微孔彼此间隔设置并环绕所述显示区，相邻两个所述微孔通过沟槽连通，所述隔离槽包括所述多个微孔以及所述沟槽。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述隔离槽包括依次连通的第一部分、第二部分以及第三部分，所述第一部分形成于所述绝缘填充层，所述第二部分形成于所述所述第三导电层，所述第三部分形成于所述第二导电层，所述第三部分的宽度大于第二部分的宽度。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，从靠近所述第一导电层至靠近所述绝缘填充层的方向上，所述第三部分的宽度逐渐减小。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，从靠近所述第三导电层至远离所述第三导电层的方向上，所述第一部分的宽度逐渐增大。
6.根据权利要求1所述的显示器件的阵列基板，其特征在于，所述第三导电层和所述第一导电层由TiN、TaN、Ti或Ta中的一种或多种形成，所述第二导电层由Al、Ag或Cu形成。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素电极，所述像素电极形成于所述绝缘填充层的表面并位于所述显示区，所述像素电极通过形成于所述绝缘填充层的通孔与所述导电层上的源极以及漏极耦合。
8.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板，所述阵列基板包括基底、导电层和绝缘填充层，所述导电层包括依次层叠设置的第一导电层、第二导电层以及第三导电层，所述第一导电层形成于所述基底，所述绝缘填充层形成于所述第三导电层的表面，所述基底、导电层和绝缘填充层共同形成非显示区和显示区，所述非显示区围绕所述显示区设置，所述非显示区设置有隔离槽，以将所述显示区和所述非显示区隔离,所述隔离槽自所述绝缘填充层延伸进所述第二导电层；
柔性基板，所述基底贴附于所述柔性基板；以及
显示层，所述显示层形成于所述阵列基板的表面，并覆盖所述显示区以及所述非显示区。
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备安装有如权利要求7所述的显示面板。
10.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和非显示区，所述非显示区环绕所述显示区设置，所述方法包括：
在基底上形成导电层，所述导电层包括依次层叠设置的第一导电层、第二导电层以及第三导电层；
用掩膜版覆盖所述导电层，在对应于非显示区的位置形成多个微孔，多个微孔围绕所述显示区形成，且相邻的微孔通过沟槽连通；
在所述导电层的表面形成绝缘填充层；
对所述绝缘填充层进行曝光、显影，在所述绝缘填充层形成通孔，以漏出所述显示区的栅电极以及所述非显示区的微孔，并在显影过程中，在所述微孔以及沟槽内形成隔离槽。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，显影的时间为60-70s。
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