KR20220037524A - 디스플레이 패널의 제조 방법, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치 - Google Patents

디스플레이 패널의 제조 방법, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 디스플레이 패널은 디스플레이 영역, 홀링 영역 및 격리 영역을 포함한다. 격리 영역은 디스플레이 영역과 홀링 영역 사이에 위치하고, 적어도 일부가 상기 홀링 영역을 에워싼다. 상기 방법은, 서브스트레이트에 홀링 영역과 격리 영역에 위치하는 지지층을 형성하되, 상기 지지층은 제1 지지 서브층과 제2 지지 서브층을 포함하고, 상기 제1 지지 서브층의 상기 서브스트레이트에서의 투영은 상기 홀링 영역에 위치하며, 상기 제2 지지 서브층의 상기 서브스트레이트에서의 투영은 상기 격리 영역에 위치하는 단계; 상기 지지층에 제1 저지층을 형성하되, 상기 제1 저지층은 제1 저지 서브층, 제2 저지 서브층을 포함하고, 상기 제1 저지 서브층은 상기 제1 지지 서브층에 위치하며, 상기 제2 저지 서브층은 상기 제2 지지 서브층의 그루빙부에 위치하는 단계; 상기 그루빙부를 노출시키도록 상기 제2 저지 서브층을 에칭하는 단계; 적어도 상기 그루빙부를 에칭하여 요홈과 격리 기둥을 획득하되, 상기 격리 기둥과 상기 요홈은 번갈아 분포되는 단계를 포함한다.

Description

디스플레이 패널의 제조 방법, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치
본 발명은 OLED디스플레이 기기 기술분야에 관한 것으로, 특히 디스플레이 패널의 제조 방법, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.
디스플레이 장치의 신속한 발전과 더불어, 스크린이 차지하는 비율(screen-to-body ratio)에 대한 사용자의 요구는 점점 더 높아진다. 스크린 정상부에는 카메라, 센서, 리시버 등 소자를 장착해야 하므로 관련 기술에서 스크린 정상부에는 통상적으로 홀링 영역을 남겨 상기 소자를 장착함으로써 높은 스크린이 차지하는 비율을 실현한다.
본 발명은 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하여 관련 기술에서의 단점을 해결한다.
본 발명의 실시예의 제1 양태에 따르면, 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 바, 상기 디스플레이 패널은 디스플레이 영역, 홀링 영역 및 격리 영역을 포함하되, 상기 격리 영역은 상기 디스플레이 영역과 상기 홀링 영역 사이에 위치하고, 적어도 일부가 상기 홀링 영역을 에워싼다. 상기 방법은, 서브스트레이트에 지지층을 형성하되, 상기 지지층은 상기 홀링 영역과 상기 격리 영역에 위치하고, 상기 지지층은 제1 지지 서브층과 제2 지지 서브층을 포함하며, 상기 제1 지지 서브층의 상기 서브스트레이트에서의 투영은 상기 홀링 영역에 위치하고, 상기 제2 지지 서브층의 상기 서브스트레이트에서의 투영은 상기 격리 영역에 위치하는 단계; 상기 지지층에 제1 저지층을 형성하되, 상기 제1 저지층은 제1 저지 서브층, 제2 저지 서브층을 포함하고, 상기 제1 저지 서브층은 상기 제1 지지 서브층에 위치하며, 상기 제2 저지 서브층은 상기 제2 지지 서브층의 그루빙부에 위치하는 단계; 상기 그루빙부를 노출시키도록 상기 제2 저지 서브층을 에칭하는 단계; 적어도 상기 그루빙부를 에칭하여 요홈과 격리 기둥을 획득하되, 상기 격리 기둥과 상기 요홈은 번갈아 분포되는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예의 제2 양태에 따르면, 디스플레이 패널을 제공한다. 상기 디스플레이 패널은 상술한 디스플레이 패널의 제조 방법을 통해 제조된다.
본 발명의 실시예의 제3 양태에 따르면, 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 디스플레이 장치는, 부품 영역을 구비하는 기기 본체; 및 상술한 바와 같은 디스플레이 패널을 포함한다. 상기 디스플레이 패널은 상기 기기 본체에 커버되고, 상기 디스플레이 패널의 홀링 영역은 상기 부품 영역에 대응한다.
상기 실시예로부터 알 수 있다 시피, 서브스트레이트에 홀링 영역에 위치하는 제1 지지 서브층과 격리 영역에 위치하는 제2 지지 서브층을 형성하고, 제1 지지 서브층에 제1 저지 서브층을 형성하며, 제2 지지 서브층의 그루빙부에 제2 저지 서브층을 형성한다. 다음, 그루빙부를 노출시키도록 제2 저지 서브층을 에칭하고, 적어도 그루빙부를 에칭하여 요홈과 격리 기둥을 획득하되, 격리 기둥과 요홈은 번갈아 분포된다. 이렇게 되면, 유기 발광 재료층 등을 증착시킬 경우, 외력을 필요로 하지 않고 유기 발광 재료층으로 하여금 요홈의 측벽 또는 격리 기둥의 측벽에서 자동으로 이격되도록 하여 외부 물과 산소가 확산되는 경로를 차단시켜 물과 산소가 홀링 영역으로부터 디스플레이 영역으로 확산되는 것을 방지하고, 외부 기기(예를 들면 레이저 기기)의 간섭을 방지하며, 비용을 저하시킨다.
이해해야 할 것은, 이상의 일반적인 설명과 후문의 세부 절차의 설명은 단지 예시적이고 해석적인 것일 뿐 본 발명을 한정할 수 없다.
여기의 도면은 명세서에 합병되어 본 명세서의 일부분을 구성하고, 본 발명에 부합되는 실시예를 나타내며, 명세서와 함께 본 발명의 원리를 해석한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따라 도시된 디스플레이 패널의 구조 모식도이다;
도 2는 도 1의 라인 A-A에 따라 절단한 단면도이다;
도 3은 도 1의 디스플레이 패널의 격리 영역에서의 격리 기둥과 요홈 및 홀링 영역을 도시한 구조 모식도이다;
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 도시한 디스플레이 패널의 제조 방법의 흐름도이다;
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 도시된 디스플레이 패널을 제조하는 과정에서 생성된 단계적 구조의 구조 모식도이다;
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 도시된 디스플레이 패널을 제조하는 과정에서 생성한 다른 단계적 구조의 구조 모식도이다;
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 도시된 디스플레이 패널을 제조하는 과정에서 생성한 다른 단계적 구조의 구조 모식도이다;
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 도시된 디스플레이 패널을 제조하는 과정에서 생성한 다른 단계적 구조의 구조 모식도이다;
도 9는 본 발명의 실시예에 따라 도시된 디스플레이 패널의 제조 방법의 흐름도이다;
도 10은 본 발명의 실시예에 따라 도시된 디스플레이 패널의 제조 방법의 흐름도이며;
도 11은 본 발명의 실시예에 따라 도시된 디스플레이 패널의 제조 방법의 흐름도이다;
도 12는 본 발명의 실시예에 따라 도시된 디스플레이 패널을 제조하는 과정에서 생성된 다른 단계적 구조의 구조 모식도이다;
도 13은 본 발명의 실시예에 따라 도시된 디스플레이 패널의 제조 방법의 흐름도이다;
도 14는 본 발명의 실시예에 따라 도시된 디스플레이 패널의 제조 방법의 흐름도이다.
여기서 예시적인 실시예를 상세히 설명하고 이를 도면에 예시적으로 나타낸다. 아래의 설명이 도면과 관련될 경우, 별도로 나타내지 않는 한 상이한 도면에서의 동일한 숫자는 동일하거나 유사한 요소를 나타낸다. 아래의 예시적인 실시예에서 설명한 실시형태는 본 발명과 일치한 모든 실시형태를 대표하지 않는다. 반대로, 이들은 단지 첨부된 청구범위에서 상세히 설명한 본 발명의 일부 양태와 일치한 장치 및 방법의 예일 뿐이다.
본 발명의 실시예의 디스플레이 패널의 제조 방법을 소개하기 전에 아래에서는 먼저 본 발명의 실시예의 디스플레이 패널을 소개한다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예는 디스플레이 패널을 제공한다. 여기서, 도 2는 도 1의 AA직선을 따른 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 디스플레이 패널은 디스플레이 영역(11), 홀링 영역(13) 및 격리 영역(12)을 포함한다. 격리 영역(12)은 디스플레이 영역(11)과 홀링 영역(13) 사이에 위치하고, 격리 영역(12)은 적어도 일부가 홀링 영역(13)을 에워싼다. 예를 들면, 홀링 영역(13)의 일부 경계와 디스플레이 영역(11)의 일부 경계가 중합될 경우, 격리 영역(12)의 일부가 홀링 영역(13)을 에워싸고, 홀링 영역(13)의 경계와 디스플레이 영역(11)의 경계가 중합되지 않을 경우, 격리 영역(12)은 홀링 영역(13)을 에워싼다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 디스플레이 패널은 서브스트레이트(21), 버퍼층(미도시), 격리층(미도시), 구동 회로층(22), 지지층(23), 제1 댐(24), 제2 댐(25), 제3 댐(26), 유기 발광 재료층(27), 음극층(미도시), 패키지층(28), 격리 기둥(29), 유기 충진층(210) 및 요홈(216)을 포함한다.
여기서, 버퍼층은 서브스트레이트(21)에 위치하고, 또한 디스플레이 영역(11)에 위치한다. 격리층은 디스플레이 영역(11)에 위치하고, 또한 버퍼층에 위치한다. 버퍼층의 재료는 질화규소 일 수 있고, 격리층의 재료는 산화규소 일 수 있다. 구동 회로층(22)은 디스플레이 영역(11)에 위치하고, 또한 격리층에 위치한다. 구동 회로층(22)은 픽셀의 양극을 포함할 수 있다. 지지층(23)은 서브스트레이트에 위치하고, 또한 홀링 영역(13)과 격리 영역(12)에 위치한다. 제1 댐(24), 제2 댐(25), 제3 댐(26)은 지지층(23)에 위치하여 유기물, 예를 들어 유기 충진층에서 유기물이 넘쳐 흐르는 것을 방지한다. 유기 발광 재료층(27)은 디스플레이 영역(11)과 격리 영역(12)에 위치하고, 유기 발광 재료층(27)의 일부는 구동 회로층(22), 지지층(23), 제1 댐(24), 제2 댐(25), 제3 댐(26), 격리 기둥(29)에 위치하며, 유기 발광 재료층(27)의 다른 일부는 요홈(216)의 개구(opening)를 거쳐 아래로 요홈(216)에 위치한다. 유기 발광 재료층(27)은 요홈(216)의 측벽 또는 격리 기둥(29)의 측벽에서 이격된다. 요홈(216)의 저면(bottom surface)은 지지층(23)에 위치할 수도 있고 서브스트레이트(21)의 유기층에 위치할 수도 있다. 요홈(216)의 저면의 면적은 요홈 개구의 면적보다 크다. 격리 기둥(29)과 요홈(216)은 번갈아 배포된다. 격리 기둥(29)의 서브스트레이트(21)를 멀리하는 표면의 면적은 격리 기둥(29)의 서브스트레이트(21)를 가까이 하는 저면의 면적보다 크다. 음극층은 유기 발광 재료층(27)에 위치하고, 패키지층(28)은 음극층에 위치하며, 유기 충진층(210)은 패키지층(28)의 서브스트레이트(21)를 멀리하는 표면으로 형성된 수용 공간 내에 충진되어 디스플레이 패널의 서브스트레이트(21)를 멀리하는 표면이 가지런히 놓이도록 한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 서브스트레이트(21)는 제1 유기층(211), 무기층(212) 및 제2 유기층(213)을 포함할 수 있다. 요홈(216)의 저면은 서브스트레이트(21)의 제2 유기층(213)에 위치할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 격리 기둥(29)이 홀링 영역(13)을 에워싼 경우, 격리 기둥(29)은 고리 모양 일 수 있다. 격리 기둥(29)의 수량은 두 개 일 수도 있고 하나 또는 둘 이상 일 수도 있다.
일 실시예에서는, 제1 댐(24)만 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 제2 댐(25) 또는 제3 댐(26)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 제2 댐(25)과 제3 댐(26)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 제1 댐(24)과 제2 댐(25)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 제1 댐(24)과 제3 댐(26)을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서는, 제1 댐(24), 제2 댐(25), 제3 댐(26)을 포함할 수 있다.
이상은 본 발명의 실시예의 디스플레이 패널을 소개하였고, 아래는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 제조 방법을 소개한다.
본 발명의 일 실시예는 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서, 디스플레이 패널의 제조 방법은 아래 단계401 내지 단계404를 포함할 수 있다.
단계401에서, 서브스트레이트에 지지층을 형성하되, 지지층은 홀링 영역과 격리 영역에 위치하고; 지지층은 제1 지지 서브층과 제2 지지 서브층을 포함하며; 제1 지지 서브층의 서브스트레이트에서의 투영은 홀링 영역에 위치하고, 제2 지지 서브층의 서브스트레이트에서의 투영은 격리 영역에 위치한다.
본 단계에서, 도 5에 도시된 바와 같이, 서브스트레이트(21)의 홀링 영역과 격리 영역에 위치하는 부분에 지지층(23)을 형성하되, 여기서, 지지층(23)은 제1 지지 서브층(231)과 제2 지지 서브층(232)을 포함하고, 제1 지지 서브층(231)의 서브스트레이트(21)에서의 투영은 홀링 영역(13)에 위치하며, 제2 지지 서브층(232)의 서브스트레이트(21)에서의 투영은 격리 영역(12)에 위치할 수 있다.
단계402에서, 지지층에 제1 저지층을 형성하되; 제1 저지층은 제1 저지 서브층(611)과 제2 저지 서브층(612)을 포함하고, 제1 저지 서브층(611)은 제1 지지 서브층(231)에 위치하며, 제2 저지 서브층(612)은 제2 지지 서브층(232)의 그루빙부에 위치한다.
본 단계에서, 도 6에 도시된 바와 같이, 지지층(23)에 제1 저지층(61)을 형성하고, 제1 저지층(61)은 제1 저지 서브층(611), 제2 저지 서브층(612)을 포함한다. 제1 저지 서브층(611)은 제1 지지 서브층(231) 위에 위치하고, 제2 저지 서브층(612)은 제2 지지 서브층(232)의 그루빙부(미도시) 위에 위치한다. 제2 지지 서브층(232)의 그루빙부는 후속적인 공정에서 그루빙하여 요홈을 형성하는 부분으로서, 그루빙부를 그루빙하여 요홈(216)을 얻을 수 있다. 다시 도 6을 참조하면, 제1 저지층(61)은 제3 저지 서브층(613)을 더 포함한다. 제3 저지 서브층(613)은 제2 지지 서브층(232)에서 상기 그루빙부를 제외한 나머지 부분에서 형성된다. 제3 저지 서브층(613)은 제1 저지 서브층(611) 및 제2 저지 서브층(612)과 동시에 형성될 수 있다.
단계403에서, 그루빙부를 노출시키도록 제2 저지 서브층(612)을 에칭한다.
본 단계에서, 제2 저지 서브층(612)을 에칭하여 도 7에 도시된 바와 같은 구조를 얻는다. 제2 저지 서브층(612)을 에칭한 후, 상술한 그루빙부를 노출시킬 수 있다.
단계404에서, 적어도 그루빙부를 에칭하여 요홈과 격리 기둥을 획득하되, 격리 기둥과 요홈은 번갈아 분포된다.
본 단계에서, 상술한 그루빙부를 에칭하여 요홈(216)과 격리 기둥(29)을 얻는다. 본 단계에서 얻은 구조는 도 8에 도시된 바와 같은 바, 격리 기둥(29)과 요홈(216)은 번갈아 분포되며, 예를 들면 홀링 영역을 따라 디스플레이 영역의 방향을 향해 번갈아 분포된다. 더 나아가, 요홈(216)의 저면의 면적은 요홈 개구보다 큰 면적을 이룰 수 있고; 격리 기둥(29)의 서브스트레이트(21)를 멀리하는 표면의 면적은 격리 기둥(29)의 서브스트레이트(21)를 가까이 하는 저면의 면적보다 크게 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 서브스트레이트에 홀링 영역에 위치하는 제1 지지 서브층(231)과 격리 영역에 위치하는 제2 지지 서브층(232)을 형성하고, 제1 지지 서브층(231)에 제1 저지 서브층(611)을 형성하며, 제2 지지 서브층(232)의 그루빙부에 제2 저지 서브층(612)을 형성한다. 다음, 그루빙부를 노출시키도록 제2 저지 서브층을 에칭하고, 적어도 그루빙부를 에칭하여 요홈과 격리 기둥을 획득하되, 격리 기둥(29)과 요홈(216)은 번갈아 분포된다. 이렇게 되면, 유기 발광 재료층 등을 증착시킬 경우, 외력을 필요로 하지 않고 유기 발광 재료층으로 하여금 요홈의 측벽 또는 격리 기둥의 측벽에서 자동으로 이격되도록 하여 외부 물과 산소가 확산되는 경로를 차단시켜 물과 산소가 홀링 영역으로부터 디스플레이 영역으로 확산되는 것을 방지하고, 외부 기기(예를 들면 레이저 기기)의 간섭을 방지하며, 비용을 저하시킨다.
본 발명의 다른 실시예는 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공한다. 도 9에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서, 디스플레이 패널의 제조 방법은 아래 단계901 내지 단계910을 포함할 수 있다.
단계901에서, 서브스트레이트(21)에 버퍼층이 형성되고, 버퍼층은 디스플레이 영역에 위치한다.
본 단계에서, 서브스트레이트(21)의 디스플레이 영역(11)에 위치하는 부분에 버퍼층을 형성할 수 있다. 버퍼층의 재료는 질화규소 일 수 있다.
단계902에서, 서브스트레이트(21)에 지지층(23)을 형성하되, 지지층(23)은 홀링 영역(13)과 격리 영역(12)에 위치하고, 버퍼층에 격리층을 형성하되, 격리층은 디스플레이 영역에 위치한다.
본 단계에서, 서브스트레이트(21)의 홀링 영역(13)과 격리 영역(12)에 위치하는 부분에 상술한 지지층(23)을 형성할 수 있다. 동시에 서브스트레이트(21)의 디스플레이 영역(11)에 위치하는 부분에 격리층을 형성할 수 있다. 지지층(23)과 격리층은 동일한 공정에서 형성된다. 지지층(23)의 재료는 산화규소 일 수 있고, 격리층의 재료는 산화규소 일 수 있다. 지지층(23)과 격리층이 동일한 공정에서 형성되므로 공정을 절약할 수 있고 비용을 저하시킬 수 있다.
본 실시예에서, 지지층(23)에 제1 댐(24), 제2 댐(25), 제3 댐(26)을 더 형성할 수 있으며, 격리 영역(12)이 홀링 영역(13)을 에워싼 경우, 제1 댐(24), 제2 댐(25), 제3 댐(26)은 환형을 이룬다.
단계903에서, 격리층에 구동 회로층을 형성하되, 구동 회로층은 디스플레이 영역에 위치한다.
본 단계에서, 도 5에 도시된 바와 같이, 격리층에 구동 회로층(22)을 형성하되, 구동 회로층(22)은 디스플레이 영역(11)에 위치할 수 있다. 구동 회로층(22)의 서브스트레이트(21)를 멀리하는 표면과 지지층(23)의 서브스트레이트(21)를 멀리하는 표면은 가지런히 놓인다.
단계904에서, 지지층에 제1 저지층을 형성하되, 구동 회로층에 제2 저지층을 형성하되, 제1 저지층은 제1 저지 서브층, 제2 저지 서브층 및 제3 저지 서브층을 포함한다.
본 단계에서, 도 6에 도시된 바와 같이, 지지층(23)에 상술한 제1 저지층(61)을 형성하고, 구동 회로층(22)에 제2 저지층(62)을 형성하되, 여기서, 제1 저지층(61)은 제1 저지 서브층(611), 제2 저지 서브층(612) 및 제3 저지 서브층(613)을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제2 저지층(62)의 서브스트레이트(21)를 멀리하는 표면과 제1 저지층(61)의 서브스트레이트(21)를 멀리하는 표면은 가지런히 놓인다.
본 실시예에서, 제1 저지층(61)의 재료는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, 약칭은 ITO), 인듐 갈륨 산화물(Indium Gallium Oxide, 약칭은 IGO) 또는 인듐 갈륨 아연 산화물(Indium Gallium Zinc Oxide, 약칭은 IGZO) 일 수 있다.
본 실시예에서, 제2 저지층(62)의 재료는 인듐 주석 산화물, 인듐 갈륨 산화물 또는 인듐 갈륨 아연 산화물이다.
선호적으로, 제2 저지층(62)의 재료와 제1 저지층(61)의 재료는 동일하고, 제2 저지층(62)과 제1 저지층(61)은 동일한 공정에서 형성된다. 제2 저지층과 제1 저지층이 동일한 공정에서 형성되므로 공정을 절약할 수 있고 비용을 저하시킬 수 있다.
단계905에서, 그루빙부를 노출시키도록 제2 저지 서브층을 에칭한다.
본 단계에서, 제2 저지 서브층(612)을 에칭하여 도 7에 도시된 바와 같은 구조를 얻는다. 제2 저지 서브층(612)을 에칭한 후, 상술한 그루빙부를 노출시킬 수 있다.
본 실시예에서, 제2 저지 서브층(612)에 대해 습식 에칭을 수행할 수 있으며, 습식 에칭에 사용되는 산액의 성분은 인산을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 습식 에칭에 사용되는 산액의 성분은 수산을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 습식 에칭에 사용되는 산액의 성분은 초산을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 습식 에칭에 사용되는 산액의 성분은 수산과 초산을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 습식 에칭에 사용되는 산액의 성분은 인산, 수산, 초산을 포함할 수 있다. 요컨대, 습식 에칭에 사용되는 산액의 성분은 인산, 수산 또는 초산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 도 10에 도시된 바와 같이, 단계905 이전에 아래 단계1001 내지 단계1003을 더 포함할 수 있다.
단계1001에서, 제1 저지층에 포지티브 포토레지스트를 코팅한다.
단계1002에서, 포지티브 포토레지스트에 마스크를 안착하되, 마스크는 제1 투광 영역을 포함하고, 제2 저지 서브층은 제1 투광 영역에 대응한다.
단계1003에서, 포지티브 포토레지스트의 제1 투광 영역에 대응하는 부분에 대해 노출, 현상 처리를 수행하여 제1 투광 영역에 대응하는 포지티브 포토레지스트를 제거함으로써 제2 저지 서브층을 노출시킨다.
본 실시예에서, 제2 저지층(62)에 포지티브 포토레지스트를 코팅할 수도 있으며, 제2 저지층(62)에 포지티브 포토레지스트를 코팅하는 것과 제1 저지층(61)에 포지티브 포토레지스트를 코팅하는 것은 동일한 공정에서 완성된다. 제2 저지층(62)의 포지티브 포토레지스트는 마스크의 불투광 영역에 대응한다.
단계906에서, 그루빙부를 에칭하여 요홈과 격리 기둥을 획득한다.
본 단계에서, 제2 지지 서브층(232)의 그루빙부와 서브스트레이트(21) 중의 제2 유기층(213)을 에칭하여 요홈(216)과 격리 기둥(29)을 얻을 수 있다. 본 단계에서 얻은 구조는 도 8에 도시된 바와 같다.
본 실시예에서, 도 11에 도시된 바와 같이, 단계906은 아래 단계1101 내지 단계1102를 포함할 수 있다.
단계1101에서, 제1 기체와 제2 기체를 포함하는 제1 혼합기체를 사용하여 제2 지지 서브층의 그루빙부에 대해 건식 에칭을 수행하되, 제1 혼합기체 중 제1 기체와 제2 기체의 성분 비율은 2:1 내지 10:1이다.
예를 들면, 제1 혼합기체 중 제1 기체와 제2 기체의 성분 비율은 2:1이거나, 또는, 제1 혼합기체 중 제1 기체와 제2 기체의 성분 비율은 5.5:1이거나, 또는, 제1 혼합기체 중 제1 기체와 제2 기체의 성분 비율은 10:1이다.
일 실시예에서, 제1 기체는 사플루오르화탄소(CF4) 또는 테트라플루오라이드 황(SF4) 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 제2 기체는 산소 일 수 있다. 예를 들면, 제1 기체가 사플루오르화탄소를 포함하거나, 또는, 제1 기체가 테트라플루오라이드 황을 포함하거나, 또는, 제1 기체가 사플루오르화탄소와 테트라플루오라이드 황을 포함한다.
본 단계에서, 에칭 프로세스의 파라미터를 제어하여 요홈의 저면 면적이 개구의 면적보다 크도록 할 수 있다.
단계1102에서, 제1 기체와 제2 기체를 포함하는 제2 혼합기체를 사용하여 서브스트레이트에 포함되는 유기층의 그루빙부에 대응하는 부분에 대해 건식 에칭을 수행하되, 여기서, 제2 혼합기체 중 제1 기체와 제2 기체의 성분 비율은 1:4 내지 1:10이다.
예를 들면, 제2 혼합기체 중 제1 기체와 제2 기체의 성분 비율은 1:4이거나, 또는, 제2 혼합기체 중 제1 기체와 제2 기체의 성분 비율은 1:7이거나, 제2 혼합기체에서 제1 기체와 제2 기체의 성분 비율은 1:10이다.
본 단계에서, 제1 기체와 제2 기체의 성분 비율이 1:4 내지 1:10인 제2 혼합기체를 사용하여 서브스트레이트에 포함되는 유기층의 그루빙부와 대응하는 부분에 대해 건식 에칭을 수행할 경우, 제2 지지 서브층을 보호할 수 있다.
본 실시예에서, 건식 에칭을 수행하는 공률은 2000 내지 10000와트이다. 예를 들면, 건식 에칭을 수행하는 공률은 2000와트 일 수도 있고 5500와트 일 수도 있으며 10000와트 일 수도 있다.
물론, 다른 실시예에서, 제2 지지 서브층(232)의 그루빙부만 에칭하여 요홈(216)과 격리 기둥(29)을 얻을 수 있다.
단계907에서, 제1 저지 서브층, 제3 저지 서브층 및 제2 저지층을 에칭하여 어레이 기판을 획득할 수 있다.
본 단계에서, 제1 저지 서브층, 제3 저지 서브층 및 제2 저지층에 대해 습식 에칭을 수행할 수 있다.
선호적으로, 습식 에칭에 사용되는 산액의 성분은 인산, 수산 또는 초산 중 적어도 하나를 포함한다. 구체적으로, 일 실시예에서, 습식 에칭에 사용되는 산액의 성분은 수산을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 습식 에칭에 사용되는 산액의 성분은 초산을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 습식 에칭에 사용되는 산액의 성분은 수산과 초산을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 습식 에칭에 사용되는 산액의 성분은 인산, 수산, 초산을 포함할 수 있다. 습식 에칭에 사용되는 산액의 성분이 인산, 수산 또는 초산 중 적어도 하나를 포함하므로 구동 회로층 중의 양극을 파손하는 것을 방지할 수 있다.
본 단계에서 얻은 어레이 기판은 도 12에 도시된 바와 같다.
격리 기둥의 모양은 도 12에 도시된 역 사다리 모양에 한정되지 않고 T형 또는 "工”자형 일 수도 있다.
단계908에서, 어레이 기판에 유기 발광 재료층을 형성한다.
본 단계에서, 어레이 기판에 유기 발광 재료를 증착하여 유기 발광 재료층(27)을 형성할 수 있다.
단계909에서, 유기 발광 재료층에 음극층을 형성한다.
본 단계에서, 유기 발광 재료층(27)에 음극층을 형성할 수 있다.
본 실시예에서, 음극층의 재료는 마그네슘 은 합금, 마그네슘 알루미늄 합금, 리튬 알루미늄 합금 등 합금이거나, 또는 마그네슘, 알루미늄, 리튬, 은 등 단일 금속 일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
단계910에서, 음극층에 패키지층을 형성한다.
본 단계에서, 음극층에 패키지층(28)을 형성할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 패키지층(28)은 제1 유기 패키지층(281), 무기 패키지층(282) 및 제2 유기 패키지층(283)을 포함할 수 있다.
단계910 다음에, 홀링 영역(13)에 대해 홀링을 수행하여 도 2에 도시된 바와 같은 디스플레이 패널을 얻을 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공한다. 도 13에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서, 디스플레이 패널의 제조 방법은 아래 단계1301 내지 단계1311을 포함할 수 있다.
단계1301에서, 서브스트레이트에 버퍼층을 형성하되, 버퍼층은 디스플레이 영역에 위치하고, 서브스트레이트에 지지층을 형성하되, 지지층은 홀링 영역과 격리 영역에 위치한다.
본 단계에서, 서브스트레이트(21)에 버퍼층을 형성할 수 있으며, 버퍼층은 디스플레이 영역에 위치하고, 버퍼층의 재료는 질화규소 일 수 있다. 동시에, 서브스트레이트(21)에 지지층을 형성하되, 지지층은 홀링 영역(13)과 격리 영역(12)에 위치한다.
선호적으로, 지지층의 재료와 버퍼층의 재료는 동일하다. 지지층과 버퍼층은 동일한 공정에서 형성된다. 지지층과 버퍼층은 동일한 공정에서 형성되므로 공정을 절약할 수 있고 비용을 저하시킬 수 있다.
단계1302에서, 버퍼층에 격리층을 형성하되, 격리층은 디스플레이 영역에 위치한다.
본 단계에서, 버퍼층에 격리층을 형성하되, 격리층의 재료는 산화규소 일 수 있다.
단계1303에서, 격리층에 구동 회로층을 형성하되, 구동 회로층은 디스플레이 영역에 위치한다.
본 단계에서, 격리층에 구동 회로층(22)을 형성할 수 있고, 구동 회로층(22)의 서브스트레이트(21)를 멀리하는 표면과 지지층(23)의 서브스트레이트(21)를 멀리하는 표면은 가지런히 놓인다.
단계1304에서, 지지층에 제1 저지층을 형성하되, 구동 회로층에 제2 저지층을 형성하며, 제1 저지층은 제1 저지 서브층, 제2 저지 서브층 및 제3 저지 서브층을 포함한다.
본 실시예의 단계1304는 상술한 단계904와 유사한 바, 여기서 더 이상 설명하지 않는다.
단계1305에서, 그루빙부를 노출시키도록 제2 저지 서브층을 에칭하고, 제1 저지 서브층을 에칭한다.
본 단계에서, 동시에 제2 저지 서브층(612)과 제1 저지 서브층(611)을 에칭 할 수 있다. 즉, 제1 저지 서브층(611)을 에칭하는 것과 제2 저지 서브층(612)을 에칭하는 것은 동일한 공정에서 완성된다.
본 실시예에서, 제2 저지 서브층(612)과 제1 저지 서브층(611)에 대해 습식 에칭을 수행할 수 있다. 습식 에칭에 사용되는 산액의 성분은 인산, 수산 또는 초산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 도 14에 도시된 바와 같이, 단계1305 이전에 아래 단계1401 내지 단계1403을 더 포함할 수 있다.
단계1401에서, 제1 저지층에 포지티브 포토레지스트를 코팅한다.
단계1402에서, 포지티브 포토레지스트에 마스크를 안착하되, 마스크는 제1 투광 영역과 제2 투광 영역을 포함하고, 제2 저지 서브층은 제1 투광 영역에 대응하며, 제1 저지 서브층은 제2 투광 영역에 대응한다.
단계1403에서, 제1 투광 영역과 제2 투광 영역의 포지티브 포토레지스트에 대해 노출, 현상 처리를 수행하여 제1 투광 영역과 제2 투광 영역의 포지티브 포토레지스트를 제거함으로써 제2 저지 서브층과 제1 저지 서브층을 노출시킨다.
본 실시예에서, 제2 저지층(62)에 포지티브 포토레지스트를 코팅할 수도 있으며, 제2 저지층(62)에 포지티브 포토레지스트를 코팅하는 것과 제1 저지층(61)에 포지티브 포토레지스트를 코팅하는 것은 동일한 공정에서 완성된다. 제2 저지층(62)의 포지티브 포토레지스트는 마스크의 불투광 영역에 대응한다. 마스크는 제1 투광 영역과 제2 투광 영역을 포함하되, 제2 저지 서브층은 제1 투광 영역에 대응하고, 제1 저지 서브층은 제2 투광 영역에 대응한다. 제1 투광 영역과 제2 투광 영역의 포지티브 포토레지스트에 대해 노출, 현상 처리를 수행하여 제1 투광 영역과 제2 투광 영역의 포지티브 포토레지스트를 제거함으로써 제2 저지 서브층과 제1 저지 서브층을 노출시켜 후속적인 에칭에 편리하도록 할 수 있다.
단계1306에서, 그루빙부를 에칭하여 요홈과 격리 기둥을 획득한다.
본 실시예에서, 제2 저지 서브층의 그루빙부에 대응하는 부분만 건식 에칭 할 수 있다.
본 단계에서, 제1 기체와 제2 기체를 포함하는 제1 혼합기체를 사용하여 제2 저지 서브층의 그루빙부에 대응하는 부분을 건식 에칭할 수 있으며, 여기서, 제1 혼합기체 중 제1 기체와 제2 기체의 성분 비율은 6:1 이다.
본 실시예에서, 건식 에칭을 수행하는 공률은 6000와트 일 수 있다.
단계1307에서, 제3 저지 서브층과 제2 저지층을 에칭하여 어레이 기판을 획득한다.
본 단계에서, 제3 저지 서브층과 제2 저지층에 대해 습식 에칭을 수행하여 도 12에 도시된 바와 같은 어레이 기판을 얻을 수 있다. 습식 에칭에 사용되는 산액의 성분은 인산, 수산 또는 초산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 습식 에칭에 사용되는 산액의 성분이 인산, 수산 또는 초산 중 적어도 하나를 포함하므로 구동 회로층 중의 양극을 파손하는 것을 방지할 수 있다.
단계1308에서, 어레이 기판에 유기 발광 재료층을 형성한다.
단계1309에서, 유기 발광 재료층에 음극층을 형성한다.
단계1310에서, 음극층에 패키지층을 형성한다.
본 실시예의 단계1308 내지 단계1310는 상기 실시예의 단계908 내지 단계910과 유사한 바, 여기서 더 이상 설명하지 않는다.
단계1311에서, 패키지층에 유기 충진층을 형성한다.
본 실시예에서, 패키지층(28)의 서브스트레이트(21)를 멀리하는 표면이 울퉁불퉁하므로 패키지층(28)에 유기 접착제(organic adhesive)를 충진하여 유기 충진층(210)을 형성한다. 패키지층의 서브스트레이트를 멀리하는 표면으로 형성된 수용 공간 내에 유기 충진층이 충진되므로 후속적인 공정이 요홈을 손상시키는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 후속적인 공정에서 배선이 끊기는 것을 방지할 수 있으며, 또한 기포 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상술한 실시예에서, 지지층의 재료는 질화규소 또는 산화규소이다. 다른 실시예에서, 지지층의 재료는 금속이다. 예를 들면, 지지층의 재료는 티타늄-알루미늄-티타늄의 샌드위치 구조이거나 또는 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴의 샌드위치 구조 일 수 있다. 구동 회로층(22)은 선 연결층을 포함할 수 있으며, 상기 선 연결층은 티타늄-알루미늄-티타늄의 샌드위치 구조이거나 또는 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴의 샌드위치 구조이다. 지지층과 선 연결층은 동일한 공정에서 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예는 디스플레이 장치를 더 제공하는 바, 이는 기기 본체 및 상기 임의의 한 실시예에 따른 디스플레이 패널을 포함한다.
여기서, 기기 본체는 부품 영역을 구비하고, 부품 영역에는 전자 부품이 설치된다. 디스플레이 패널은 기기 본체에 커버되고; 전자 부품은 홀링 영역의 홀링 내에 임베딩된다.
일 실시예에서, 상술한 전자 부품은 거리 센서, 마이크, 스피커, 플래시 라이트, 픽셀 카메라, 적외선 렌즈, 플러드 라이트 감지 소자(flood light sensing element), 주변 광 센서 또는 도트 매트릭스 프로젝터 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 실시예에 따른 디스플레이 장치는: 전자 종이, 휴대폰, 태블릿 컴퓨터, 텔레비전, 노트북, 디지털 액자, 내비게이터 등 임의의 디스플레이 기능을 구비한 제품 또는 부품 일 수 있다.
여기서, 상기 과정에서 사용하는 형성 프로세스는 예를 들어 침적(deposition), 스퍼터링 등 필름 형성(patterning) 프로세스 및 에칭 등 구도(film formation) 프로세스를 포함할 수 있다.
본 개시내용의 다른 구현들은 본 개시내용의 고려 및 여기서의 본 개시내용의 실시로부터 본 기술분야의 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 본 개시내용은, 본 개시내용의 일반적인 원리들을 따르고 본 개시내용에서 있지 않은 플로차트가 의도된 관련 기술에서의 통상적인 지식 또는 통상적인 기술 수단을 포함하는 본 개시내용의 임의의 변형, 이용법, 수정 또는 적합화를 포괄하도록 의도한 것이다. 본 개시내용 및 실시예들은 단지 예시적인 것으로 간주되며, 본 개시내용의 진정한 범위 및 사상은 이하의 청구항들에 의해 표시되는 것으로 의도한다.

Claims (20)

  1. 디스플레이 영역, 홀링 영역 및 상기 디스플레이 영역과 상기 홀링 영역 사이에 위치하고 적어도 일부가 상기 홀링 영역을 에워싸는 격리 영역을 포함하는 디스플레이 패널에 있어서,
    서브스트레이트에 지지층(support layer)을 형성하되, 상기 지지층은 상기 홀링 영역과 상기 격리 영역에 위치하고, 상기 지지층은 제1 지지 서브층과 제2 지지 서브층을 포함하며, 상기 제1 지지 서브층의 상기 서브스트레이트에서의 투영은 상기 홀링 영역에 위치하고, 상기 제2 지지 서브층의 상기 서브스트레이트에서의 투영은 상기 격리 영역에 위치하는 단계;
    상기 지지층에 제1 저지층(blocking layer)을 형성하되, 상기 제1 저지층은 제1 저지 서브층, 제2 저지 서브층을 포함하고, 상기 제1 저지 서브층은 상기 제1 지지 서브층에 위치하며, 상기 제2 저지 서브층은 상기 제2 지지 서브층의 그루빙부에 위치하는 단계;
    상기 그루빙부를 노출시키도록 상기 제2 저지 서브층을 에칭하는 단계;
    적어도 상기 그루빙부를 에칭하여 요홈과 격리 기둥을 획득하되, 상기 격리 기둥과 상기 요홈은 번갈아 분포되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 저지층은,
    상기 제1 저지층은, 상기 제2 지지 서브층에서 상기 그루빙부를 제외한 나머지 부분에 형성되는 제3 저지 서브층을 더 포함하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 요홈의 저면(bottom surface)의 면적은 상기 요홈 개구(opening)의 면적보다 크고, 상기 격리 기둥의 상기 서브스트레이트를 멀리하는 표면의 면적은 상기 격리 기둥의 상기 서브스트레이트를 가까이 하는 저면의 면적보다 큰 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 서브스트레이트에 버퍼층을 형성하되, 상기 버퍼층은 상기 디스플레이 영역에 위치하고, 상기 지지층과 상기 버퍼층은 동일한 공정에서 형성되는 단계; 또는,
    상기 서브스트레이트에 버퍼층을 형성하되, 상기 버퍼층은 상기 디스플레이 영역에 위치하는 단계; 및
    상기 버퍼층에 격리층을 형성하되, 상기 격리층은 상기 디스플레이 영역에 위치하고, 상기 지지층과 상기 격리층은 동일한 공정에서 형성되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 서브스트레이트에 구동 회로층을 형성하되, 상기 구동 회로층은 상기 디스플레이 영역에 위치하고, 상기 구동 회로층의 상기 서브스트레이트를 멀리하는 표면은 상기 지지층의 상기 서브스트레이트를 멀리하는 표면과 가지런히 놓이는 단계; 및
    상기 구동 회로층에 제2 저지층을 형성하되, 상기 제2 저지층의 상기 서브스트레이트를 멀리하는 표면과 상기 제1 저지층의 상기 서브스트레이트를 멀리하는 표면은 높이가 같은 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 저지층과 상기 제1 저지층은 동일한 공정에서 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 구동 회로층은 선 연결층을 포함하고;
    상기 지지층과 상기 선 연결층은 동일한 공정에서 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 적어도 상기 그루빙부를 에칭하여 요홈과 격리 기둥을 획득한 후,
    상기 제1 저지 서브층, 상기 제3 저지 서브층 및 상기 제2 저지층을 습식 에칭하여 어레이 기판을 획득하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제1 저지층의 재료는 인듐 주석 산화물ITO, 인듐 갈륨 산화물IGO 또는 인듐 갈륨 아연 산화물IGZO이고; 상기 제2 저지층의 재료는 인듐 주석 산화물ITO, 인듐 갈륨 산화물IGO 또는 인듐 갈륨 아연 산화물IGZO인 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 저지 서브층을 에칭하는 단계는,
    상기 제1 저지층에 포지티브 포토레지스트를 코팅하는 단계;
    상기 포지티브 포토레지스트에 마스크를 안착하되, 상기 마스크는 제1 투광 영역(Light transmission area)을 포함하고, 상기 제2 저지 서브층은 상기 제1 투광 영역에 대응하는 단계;
    상기 포지티브 포토레지스트가 상기 제1 투광 영역에 대응하는 부분에 대해 노출, 현상 처리를 수행하여 상기 제1 투광 영역과 대응하는 상기 포지티브 포토레지스트를 제거함으로써 상기 제2 저지 서브층을 노출시키는 단계를 포함하고;
    상기 제2 저지 서브층을 에칭하는 단계는,
    상기 그루빙부를 노출시키도록 상기 제2 저지 서브층에 대해 습식 에칭을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 저지 서브층을 에칭하는 것, 상기 제1 저지 서브층을 에칭하는 것 및 상기 제2 저지 서브층을 에칭하는 것이 동일한 공정에서 완성되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    동일한 공정에서 상기 제1 저지 서브층을 에칭하는 것과 상기 제2 저지 서브층을 에칭하는 단계는,
    상기 제1 저지층에 포지티브 포토레지스트를 코팅하는 단계;
    상기 포지티브 포토레지스트에 마스크를 안착하되, 상기 마스크는 제1 투광 영역과 제2 투광 영역을 포함하고, 상기 제2 저지 서브층은 상기 제1 투광 영역에 대응되며, 상기 제1 저지 서브층은 상기 제2 투광 영역에 대응하는 단계;
    상기 제1 투광 영역과 상기 제2 투광 영역의 포지티브 포토레지스트에 대해 노출, 현상 처리를 수행하여 상기 제1 투광 영역과 상기 제2 투광 영역의 포지티브 포토레지스트를 제거함으로써 상기 제2 저지 서브층과 상기 제1 저지 서브층을 노출시키는 단계;
    상기 제1 저지 서브층과 상기 제2 저지 서브층에 대해 습식 에칭을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    습식 에칭에 사용되는 산액의 성분은 인산(phosphoric acid), 수산(oxalic acid) 또는 초산(acetic acid)중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    적어도 상기 그루빙부를 에칭하여 요홈과 격리 기둥을 획득하는 단계는,
    제1 기체와 제2 기체를 포함하는 제1 혼합기체를 사용하여 상기 제2 지지 서브층의 상기 그루빙부(grooving portion)에 대해 건식 에칭을 수행하되, 상기 제1 혼합기체 중 상기 제1 기체와 상기 제2 기체의 성분 비율은 2:1 내지 10:1인 단계; 및
    서브스트레이트는 유기층을 포함하고, 상기 제1 기체와 상기 제2 기체를 포함하는 제2 혼합기체를 사용하여 상기 서브스트레이트의 유기층에서 상기 그루빙부에 대응하는 부분에 대해 건식 에칭을 수행하되, 상기 제2 혼합기체 중 상기 제1 기체와 상기 제2 기체의 성분 비율은 1:4 내지 1:10인 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 기체는 사플루오르화탄소 또는 테트라플루오라이드 황 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 기체는 산소를 포함하거나, 및/또는,
    상기 지지층의 재료는 질화규소 또는 산화규소이거나, 및/또는,
    건식 에칭을 수행하는 공률은 2000 내지 1000와트인 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  16. 제8항에 있어서,
    상기 어레이 기판(Array substrates)에 유기 발광 재료층이 형성되는 단계;
    상기 유기 발광 재료층에 음극층이 형성되는 단계;
    상기 음극층에 패키지층이 형성되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 서브스트레이트는 유기층을 구비하고, 상기 유기 발광 재료층은 요홈의 측벽 또는 격리 기둥의 측벽에서 이격되며, 상기 요홈의 저면은 상기 지지층, 또는 상기 서브스트레이트의 유기층에 위치하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 패키지층에서 유기 충진층(filling layer)이 형성되고, 상기 유기 충진층은 상기 패키지층의 상기 서브스트레이트를 멀리하는 표면으로 형성된 수용 공간 내에 충진되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조 방법.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따른 디스플레이 패널의 제조 방법을 통해 제조되는 디스플레이 패널.
  20. 디스플레이 장치에 있어서,
    부품 영역을 구비하는 기기 본체; 및
    상기 기기 본체에 커버되고, 홀링 영역(holing area)이 상기 부품 영역에 대응하는 제19항에 따른 상기 디스플레이 패널을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.

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