JP7444975B2 - 表示パネルの製造方法 - Google Patents
表示パネルの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7444975B2 JP7444975B2 JP2022515867A JP2022515867A JP7444975B2 JP 7444975 B2 JP7444975 B2 JP 7444975B2 JP 2022515867 A JP2022515867 A JP 2022515867A JP 2022515867 A JP2022515867 A JP 2022515867A JP 7444975 B2 JP7444975 B2 JP 7444975B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- sublayer
- barrier
- substrate
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 208
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 140
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 14
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 45
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 15
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 12
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QHMQWEPBXSHHLH-UHFFFAOYSA-N sulfur tetrafluoride Chemical compound FS(F)(F)F QHMQWEPBXSHHLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- DNAUJKZXPLKYLD-UHFFFAOYSA-N alumane;molybdenum Chemical compound [AlH3].[Mo].[Mo] DNAUJKZXPLKYLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti].[Ti] HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Description
本願はＯＬＥＤ表示機器の技術分野に関し、特に表示パネルの製造方法、表示パネル及び表示装置に関する。
表示装置の急速な発展に伴い、ユーザによる画面占有率に対する要求がますます高くなる。スクリーンの頂部にカメラ、センサ、レシーバーなどの素子を取り付ける必要があるため、関連技術において上記素子を取り付けるためにスクリーンの頂部に開孔領域を準備して、高い画面占有率を実現することが一般的である。
本願は、関連技術における欠点を解消するために、表示パネルの製造方法を提供する。
本願の実施例の第１の方面によれば、表示領域と、開孔領域と、前記表示領域と前記開孔領域との間に位置しかつ前記開孔領域を少なくとも部分的に囲むアイソレーション領域と、を含む表示パネルの製造方法を提供する。前記方法は、基板上に、前記開孔領域と前記アイソレーション領域に位置し、第１の支持副層と第２の支持副層を含み、前記第１の支持副層の前記基板における投影が前記開孔領域に位置し、前記第２の支持副層の前記基板における投影が前記アイソレーション領域に位置する、支持層を形成するステップと、前記支持層上に、第１のバリア副層と第２のバリア副層を含み、前記第１のバリア副層が前記第１の支持副層上に位置し、前記第２のバリア副層が前記第２の支持副層の開溝部上に位置する、第１のバリア層を形成するステップと、前記第２のバリア副層をエッチングして前記開溝部を露出させるステップと、少なくとも前記開溝部をエッチングし、互い違いに分布する凹溝とアイソレーション柱を取得するステップと、を含む。
本願の実施例の第２の方面によれば、表示パネルを提供する。前記表示パネルは上記表示パネルの製造方法により製造される。
本開示の実施例の第３の方面によれば、表示装置を提供する。前記表示装置は、デバイス領域を有する装置本体と、上記表示パネルと、を含む。前記表示パネルは前記装置本体を被覆し、かつ前記表示パネルの開孔領域は前記デバイス領域に対応する。
上記実施例によれば分かるように、基板上に、開孔領域に位置する第１の支持副層及びアイソレーション領域に位置する第２の支持副層を形成するとともに、第１の支持副層上に第１のバリア副層を形成し、第２の支持副層上の開溝部上に第２のバリア副層を形成する。続いて、第２のバリア副層をエッチングして開溝部を露出させるとともに、少なくとも開溝部をエッチングして凹溝とアイソレーション柱を取得し、アイソレーション柱と凹溝は互い違いに分布する。このようにすると、例えば有機発光材料層を蒸着する時、外力の助けを借りず凹溝の側壁箇所又はアイソレーション柱の側壁箇所で有機発光材料層を自動的に隔離し、外部の水と酸素の拡散経路を遮断し、開孔領域から表示領域への水と酸素の拡散を回避し、外部装置（例えばレーザ装置）の干渉を回避し、コストを低減する。
以上の一般説明及び以下の詳細説明は、本願を限定するのではなく、単なる例示的及び解釈的なものであることを理解されたい。
明細書の一部として組み込まれた図面は、本願に合致する実施例を示し、さらに明細書とともに本願の原理を説明するために用いられる。
本願の実施例による表示パネルの構造概略図である。
図１の線Ａ－Ａに沿って切断された断面図である。
図１の表示パネルのアイソレーション領域におけるアイソレーション柱と凹溝、及び開孔領域を示す構造概略図である。
本願の実施例による表示パネルの製造方法のフローチャートである。
本願の実施例による表示パネルの製造中に生成される段階的構造の構造概略図である。
本願の実施例による表示パネルの製造中に生成される別の段階的構造の構造概略図である。
本願の実施例による表示パネルの製造中に生成される別の段階的構造の構造概略図である。
本願の実施例による表示パネルの製造中に生成される別の段階的構造の構造概略図である。
本願の実施例による表示パネルの製造方法のフローチャートである。
本願の実施例による表示パネルの製造方法のフローチャートである。
本願の実施例による表示パネルの製造方法のフローチャートである。
本願の実施例による表示パネルの製造中に生成される別の段階的構造の構造概略図である。
本願の実施例による表示パネルの製造方法のフローチャートである。
本願の実施例による表示パネルの製造方法のフローチャートである。
ここで、例示的な実施例について詳細に説明し、その例を図面において表示する。以下の説明が図面にかかわる場合、特に断りのない限り、異なる図における同じの数字は同一又は類似の要素を表す。以下の例示的な実施例において説明される実施形態は、本願に一致するすべての実施形態を示すものではない。これに対して、それらは、添付の特許請求の範囲に詳しく記載されるような、本願のいくつかの方面に一致する装置及び方法の例にすぎない。
本願の実施例における表示パネルの製造方法を説明する前に、以下はまず本願の実施例における表示パネルを説明する。
図１～図３に示すように、本願の一実施例は表示パネルを提供する。そのうち、図２は図１の直線Ａ－Ａに沿う断面図である。
図１に示すように、この表示パネルは表示領域１１と開孔領域１３とアイソレーション領域１２とを含む。アイソレーション領域１２は表示領域１１と開孔領域１３との間に位置し、かつアイソレーション領域１２は開孔領域１３を少なくとも部分的に囲む。例えば、開孔領域１３の境界の一部と表示領域１１の境界の一部が重なる場合、アイソレーション領域１２は開孔領域１３を部分的に囲み、開孔領域１３の境界と表示領域１１の境界が重ならない場合、アイソレーション領域１２は開孔領域１３を囲む。
図２に示すように、この表示パネルは、基板２１、バッファ層（図示せず）、アイソレーション層（図示せず）、駆動回路層２２、支持層２３、第１のバンク２４、第２のバンク２５、第３のバンク２６、有機発光材料層２７、陰極層（図示せず）、封止層２８、アイソレーション柱２９、有機充填層２１０及び凹溝２１６を含む。
そのうち、バッファ層は基板２１上に位置し、かつ表示領域１１に位置する。アイソレーション層は表示領域１１に位置し、かつバッファ層に位置する。バッファ層の材料は窒化ケイ素であってもよく、アイソレーション層の材料は酸化ケイ素であってもよい。駆動回路層２２は表示領域１１に位置し、かつアイソレーション層上に位置する。駆動回路層２２は画素の陽極を含んでもよい。支持層２３は基板上に位置し、かつ開孔領域１３とアイソレーション領域１２に位置する。第１のバンク２４、第２のバンク２５、及び第３のバンク２６は支持層２３上に位置し、有機物のオーバーフロー、例えば有機充填層における有機物のオーバーフローを回避するために用いられる。有機発光材料層２７は表示領域１１とアイソレーション領域１２に位置し、かつ有機発光材料層２７の一部は駆動回路層２２、支持層２３、第１のバンク２４、第２のバンク２５、第３のバンク２６及びアイソレーション柱２９の上に位置し、有機発光材料層２７の他の部分は凹溝２１６の開口を経由して落下し、凹溝２１６内に位置する。有機発光材料層２７は凹溝２１６の側壁箇所又はアイソレーション柱２９の側壁箇所で隔離される。凹溝２１６の底面は、支持層２３内に位置してもよいし、基板２１の有機層内に位置してもよい。凹溝２１６の底面の面積は溝の開口の面積よりも大きい。アイソレーション柱２９と凹溝２１６は互い違いに分布する。アイソレーション柱２９における基板２１と反対側の表面の面積はアイソレーション柱２９における基板２１側の底面の面積よりも大きい。陰極層は有機発光材料層２７上に位置し、封止層２８は陰極層上に位置し、有機充填層２１０は、表示パネルにおける基板２１と反対側の表面が平面となるように、封止層２８における基板２１と反対側の表面に形成された収容空間内に充填される。
図２に示すように、基板２１は第１の有機層２１１と、無機層２１２と、第２の有機層２１３と、を含んでもよい。凹溝２１６の底面は、基板２１の第２の有機層２１３内に位置してもよい。
図３に示すように、アイソレーション柱２９が開孔領域１３を囲む場合、アイソレーション柱２９は環状になってもよい。アイソレーション柱２９の数は２つであってもよく、１つ又は２つ以上であってもよい。
一実施例では、第１のバンク２４のみを含んでもよい。別の実施例では、第２のバンク２５又は第３のバンク２６を含んでもよい。別の実施例では、第２のバンク２５と第三バンク２６とを含んでもよい。別の実施例では、第１のバンク２４と第２のバンク２５とを含んでもよい。別の実施例では、第１のバンク２４と第３のバンク２６とを含んでもよい。別の実施例では、第１のバンク２４と、第２のバンク２５と、第３のバンク２６とを含んでもよい。
以上は本願の実施例における表示パネルを説明し、以下は本願の実施例における表示パネルの製造方法を説明する。
本願の一実施例は表示パネルの製造方法を提供する。図４に示すように、本実施例では、表示パネルの製造方法は、以下のステップ４０１～４０４を含んでもよい。
ステップ４０１において、基板上に支持層を形成し、支持層は開孔領域とアイソレーション領域に位置し、支持層は第１の支持副層と第２の支持副層を含み、第１の支持副層の基板における投影は開孔領域に位置し、第２の支持副層の基板における投影はアイソレーション領域に位置する。
本ステップでは、図５に示すように、基板２１の開孔領域とアイソレーション領域に位置する部分上に支持層２３を形成してもよく、ただし、支持層２３は第１の支持副層２３１と第２の支持副層２３２を含み、第１の支持副層２３１の基板２１における投影は開孔領域１３に位置し、第２の支持副層２３２の基板２１における投影はアイソレーション領域１２に位置する。
ステップ４０２において、支持層上に第１のバリア層を形成し、第１のバリア層は第１のバリア副層６１１と第２のバリア副層６１２を含み、第１のバリア副層６１１は第１の支持副層２３１上に位置し、第２のバリア副層６１２は第２の支持副層２３２上の開溝部上に位置する。
本ステップでは、図６に示すように、支持層２３上に第１のバリア層６１を形成し、第１のバリア層６１は第１のバリア副層６１１と第２のバリア副層６１２を含む。第１のバリア副層６１１は第１の支持副層２３１上に位置し、第２のバリア副層６１２は第２の支持副層２３２上の開溝部上（図示せず）に位置する。第２の支持副層２３２上の開溝部は後続する工程において溝開けを行って凹溝を形成する部分であり、開溝部に対して溝開けを行うと、凹溝２１６を取得することができる。再び図６を参照すると、第１のバリア層６１は第３のバリア副層６１３をさらに含む。第３のバリア副層６１３は第２の支持副層２３２上の前記開溝部以外の残り部分上に形成される。第３のバリア副層６１３は、第１のバリア副層６１１と第２のバリア副層６１２と同時に形成されてもよい。
ステップ４０３において、第２のバリア副層６１２をエッチングして開溝部を露出させる。
本ステップでは、第２のバリア副層６１２をエッチングし、図７に示す構造を取得する。第２のバリア副層６１２をエッチングすると、上記開溝部を露出させることができる。
ステップ４０４において、少なくとも開溝部をエッチングし、凹溝とアイソレーション柱を取得し、アイソレーション柱と凹溝は互い違いに分布する。
本ステップでは、上記開溝部をエッチングし、凹溝２１６とアイソレーション柱２９を取得する。本ステップで得られた構造は図８に示すようであり、アイソレーション柱２９と凹溝２１６は互い違いに分布し、例えば開孔領域から表示領域に向かう方向に沿って互い違いに分布する。さらに、凹溝２１６の底面の面積は凹溝の開口の面積よりも大きく形成されてもよく、アイソレーション柱２９における基板２１と反対側の表面の面積はアイソレーション柱２９における基板２１側の底面の面積よりも大きく形成されてもよい。
本実施例では、基板上に開孔領域に位置する第１の支持副層２３１及びアイソレーション領域に位置する第２の支持副層２３２を形成するとともに、第１の支持副層２３１上に第１のバリア副層６１１を形成し、第２の支持副層２３２における開溝部上に第２のバリア副層６１２を形成する。続いて、第２のバリア副層をエッチングして開溝部を露出させるとともに、少なくとも開溝部をエッチングし、凹溝とアイソレーション柱を取得し、アイソレーション柱２９と凹溝２１６は互い違いに分布する。このようにすると、例えば有機発光材料層を蒸着する時、外力の助けを借りず凹溝の側壁箇所又はアイソレーション柱の側壁箇所で有機発光材料層を自動的に隔離し、外部の水と酸素の拡散経路を遮断し、開孔領域から表示領域への水と酸素の拡散を回避し、外部装置（例えばレーザ装置）の干渉を回避し、コストを低減する。
本願の別の実施例は表示パネルの製造方法を提供する。図９に示すように、本実施例では、表示パネルの製造方法は、以下のステップ９０１～９１０を含んでもよい。
ステップ９０１において、基板２１上に表示領域に位置するバッファ層を形成する。
本ステップでは、基板２１の表示領域１１に位置する部分上にバッファ層を形成してもよい。バッファ層の材料は窒化ケイ素であってもよい。
ステップ９０２において、基板２１上に開孔領域１３とアイソレーション領域１２とに位置する支持層２３を形成し、バッファ層上に表示領域に位置するアイソレーション層を形成する。
本ステップでは、基板２１の開孔領域１３とアイソレーション領域１２に位置する部分上に上記支持層２３を形成してもよい。また、基板２１の表示領域１１に位置する部分上にアイソレーション層を形成する。支持層２３とアイソレーション層は同一の工程において形成される。支持層２３の材料は酸化ケイ素であってもよく、アイソレーション層の材料は酸化ケイ素であってもよい。支持層２３とアイソレーション層が同一の工程において形成されるため、このようにすると、工程を節約し、コストを低減することができる。
本実施例では、支持層２３上に第１のバンク２４、第２のバンク２５、第３のバンク２６を形成してもよく、アイソレーション領域１２が開孔領域１３を囲む場合、第１のバンク２４、第２のバンク２５及び第３のバンク２６は環状になってもよい。
ステップ９０３において、アイソレーション層上に表示領域に位置する駆動回路層を形成する。
本ステップでは、図５に示すように、アイソレーション層上に表示領域１１に位置する駆動回路層２２を形成してもよい。駆動回路層２２における基板２１と反対側の表面は支持層２３における基板２１と反対側の表面と同一平面上にある。
ステップ９０４において、支持層上に第１のバリア副層と、第２のバリア副層と、第３のバリア副層とを含む第１のバリア層を形成し、駆動回路層上に第２のバリア層を形成する。
本ステップでは、図６に示すように、支持層２３に上記第１のバリア層６１を形成し、駆動回路層２２上に第２のバリア層６２を形成してもよく、ただし、第１のバリア層６１は第１のバリア副層６１１と、第２のバリア副層６１２と、第３のバリア副層６１３と、を含む。
本実施例では、第２のバリア層６２における基板２１と反対側の表面は第１のバリア層６１における基板２１と反対側の表面と同一平面上にある。
本実施例では、第１のバリア層６１の材料は酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯと略称する）、酸化インジウムガリウム（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ、ＩＧＯと略称する）又は酸化インジウムガリウム亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＧＺＯと略称する）であってもよい。
本実施例では、第２のバリア層６２の材料は酸化インジウムスズ、酸化インジウムガリウム又は酸化インジウムガリウム亜鉛である。
好ましくは、第２のバリア層６２の材料と第１のバリア層６１の材料は同じであり、かつ第２のバリア層６２と第１のバリア層６１は同一の工程において形成される。第２のバリア層と第１のバリア層が同一の工程において形成されるため、このようにすると、工程を節約し、コストを低減することができる。
ステップ９０５において、第２のバリア副層をエッチングして開溝部を露出させる。
本ステップでは、第２のバリア副層６１２をエッチングし、図７に示すような構造を取得するようにしてもよい。第２のバリア副層６１２をエッチングすると、上記開溝部を露出させることができる。
本実施例では、第２のバリア副層６１２に対してウェットエッチングを行ってもよく、ウェットエッチングを行うために用いられる酸液の成分はリン酸を含んでもよい。別の実施例では、ウェットエッチングを行うために用いられる酸液の成分はシュウ酸を含んでもよい。別の実施例では、ウェットエッチングを行うために用いられる酸液の成分は酢酸を含む。別の実施例では、ウェットエッチングを行うために用いられる酸液の成分はシュウ酸及び酢酸を含んでもよい。別の実施例では、ウェットエッチングを行うために用いられる酸液の成分はリン酸と、シュウ酸と、酢酸とを含んでもよい。つまり、ウェットエッチングを行うために用いられる酸液の成分はリン酸、シュウ酸又は酢酸のうちの少なくとも１つを含んでもよい。
本実施例では、図１０に示すように、ステップ９０５の前に、以下のステップ１００１～１００３をさらに含んでもよい。
ステップ１００１において、第１のバリア層上にポジ型フォトレジストを塗布する。
ステップ１００２において、ポジ型フォトレジスト上に第２のバリア副層に対応する第１の光透過領域を含むマスクを配置する。
ステップ１００３において、ポジ型フォトレジストの第１の光透過領域に対応する部分に対して露光、現像処理を行い、第１の光透過領域に対応するポジ型フォトレジストを除去して、第２のバリア副層を露出させる。
本実施例では、第２のバリア層６２にポジ型フォトレジストを塗布してもよく、第２のバリア層６２にポジ型フォトレジストを塗布することは第１のバリア層６１にポジ型フォトレジストを塗布することと同一の工程において完成する。第２のバリア層６２上のポジ型フォトレジストはマスクの光不透過領域に対応する。
ステップ９０６において、開溝部をエッチングし、凹溝とアイソレーション柱を取得する。
本ステップでは、第２の支持副層２３２の開溝部及び基板２１における第２の有機層２１３をエッチングし、凹溝２１６とアイソレーション柱２９を取得するようにしてもよい。本ステップで得られた構造を図８に示す。
本実施例では、図１１に示すように、ステップ９０６は以下のステップ１１０１～１１０２を含んでもよい。
ステップ１１０１において、第１のガスと第２のガスを含む第１の混合ガスを用いて第２の支持副層の開溝部に対してドライエッチングを行い、第１の混合ガス中の第１のガスと第２のガスとの成分比は２：１～１０：１である。
例えば、第１の混合ガス中の第１のガスと第２のガスとの成分比は２：１であり、又は、第１の混合ガス中の第１のガスと第２のガスとの成分比は５．５：１であり、又は、第１の混合ガス中の第１のガスと第２のガスとの成分比は１０：１である。
一実施例では、第１のガスは、四フッ化炭素（ＣＦ４）又は四フッ化硫黄（ＳＦ４）のうちの少なくとも１つを含んでもよく、第２のガスは酸素である。例えば、第１のガスは四フッ化炭素を含み、又は第１のガスは四フッ化硫黄を含み、又は第１のガスは四フッ化炭素と四フッ化硫黄とを含む。
本ステップでは、エッチングプロセスのパラメータを制御して凹溝の底面の面積を開口の面積よりも大きくさせることができる。
ステップ１１０２において、第１のガスと第２のガスを含む第２の混合ガスを用いて基板に含まれる有機層の開溝部に対応する部分に対してドライエッチングを行い、第２の混合ガス中の第１のガスと第２のガスとの成分比は１：４～１：１０である。
例えば、第２の混合ガス中の第１のガスと第１のガスとの成分比は１：４であり、又は、第２の混合ガス中の第１のガスと第２のガスとの成分比は１：７であり、又は、第２の混合ガス中の第１のガスと第２のガスとの成分比は１：１０である。
本ステップでは、第１のガスと第２のガスとの成分比が１：４～１：１０の第２の混合ガスを用いて基板に含まれる有機層の開溝部に対応する部分に対してドライエッチングを行うと、第２の支持副層を保護することができる。
本実施例では、ドライエッチングを行う電力は２０００～１００００ワットである。例えば、ドライエッチングを行う電力は２０００ワットであってもよく、５５００ワットであってもよく、１００００ワットであってもよい。
当然のことながら、別の実施例では、第２の支持副層２３２の開溝部のみをエッチングし、凹溝２１６とアイソレーション柱２９を取得するようにしてもよい。
ステップ９０７において、第１のバリア副層、第３のバリア副層及び第２のバリア層をエッチングし、アレイ基板を取得する。
本ステップでは、第１のバリア副層、第３のバリア副層及び第２のバリア層に対してウェットエッチングを行ってもよい。
好ましくは、ウェットエッチングを行うために用いられる酸液の成分はリン酸、シュウ酸又は酢酸のうちの少なくとも１つを含む。具体的には、一実施例では、ウェットエッチングを行うために用いられる酸液の成分はシュウ酸を含んでもよい。別の実施例では、ウェットエッチングを行うために用いられる酸液の成分は酢酸を含んでもよい。別の実施例では、ウェットエッチングを行うために用いられる酸液の成分はシュウ酸及び酢酸を含んでもよい。別の実施例では、ウェットエッチングを行うために用いられる酸液の成分はリン酸と、シュウ酸と、酢酸とを含んでもよい。ウェットエッチングを行うために用いられる酸液の成分はリン酸、シュウ酸又は酢酸のうちの少なくとも１つを含むため、駆動回路層における陽極の損壊を防止することができる。
本ステップでは、得られたアレイ基板は図１２に示すとおりであってもよい。
アイソレーション柱の形状は、図１２に示すような逆台形に限定されず、Ｔ字形や「工」字形であってもよい。
ステップ９０８において、アレイ基板上に有機発光材料層を形成する。
本ステップでは、アレイ基板上に有機発光材料を蒸着して有機発光材料層２７を形成してもよい。
ステップ９０９において、有機発光材料層上に陰極層を形成する。
本ステップでは、有機発光材料層２７上に陰極層を形成してもよい。
本実施例では、陰極層の材料はマグネシウム銀合金、マグネシウムアルミニウム合金、リチウムアルミニウム合金などの合金、又はマグネシウム、アルミニウム、リチウム、銀などの単一金属であってもよいが、これに限定されるものではない。
ステップ９１０において、陰極層上に封止層を形成する。
本ステップでは、陰極層上に封止層２８を形成してもよい。図２に示すように、封止層２８は第１の有機封止層２８１と、無機封止層２８２と、第２の有機封止層２８３と、を含んでもよい。
ステップ９１０の後に、開孔領域１３を開孔し、図２に示す表示パネルを取得するようにしてもよい。
本願の別の実施例は表示パネルの製造方法を提供する。図１３に示すように、本実施例では、表示パネルの製造方法は、以下のステップ１３０１～１３１１を含んでもよい。
ステップ１３０１において、基板上に表示領域に位置するバッファ層を形成し、基板上に開孔領域とアイソレーション領域に位置する支持層を形成する。
本ステップでは、基板２１上にバッファ層を形成してもよく、バッファ層は表示領域に位置し、バッファ層の材料は窒化ケイ素であってもよい。また、基板２１上に開孔領域１３とアイソレーション領域１２とに位置する支持層を形成する。
好ましくは、支持層の材料とバッファ層の材料は同じである。支持層とバッファ層は同一の工程において形成される。支持層とバッファ層が同一の工程において形成されるため、このようにすると、工程を節約し、コストを低減することができる。
ステップ１３０２において、バッファ層上に表示領域に位置するアイソレーション層を形成する。
本ステップでは、バッファ層上にアイソレーション層を形成してもよく、アイソレーション層の材料は酸化ケイ素であってもよい。
ステップ１３０３において、アイソレーション層上に表示領域に位置する駆動回路層を形成する。
本ステップでは、アイソレーション層上に駆動回路層２２を形成してもよく、駆動回路層２２における基板２１と反対側の表面は支持層２３における基板２１と反対側の表面と同一平面上にある。
ステップ１３０４において、支持層上に第１のバリア副層と、第２のバリア副層と、第３のバリア副層とを含む第１のバリア層を形成し、駆動回路層上に第２のバリア層を形成する。
本実施例におけるステップ１３０４は上記ステップ９０４に類似するため、ここでは詳細は再度説明しない。
ステップ１３０５において、第２のバリア層をエッチングして、開溝部を露出させるとともに、第１のバリア副層をエッチングする。
本ステップでは、第２のバリア副層６１２と第１のバリア副層６１１を同時にエッチングしてもよい。すなわち、第１のバリア副層６１１のエッチングと第２のバリア副層６１２のエッチングは同一の工程において完成する。
本実施例では、第２のバリア副層６１２と第１のバリア副層６１１に対してウェットエッチングを行ってもよい。ウェットエッチングを行うために用いられる酸液の成分はリン酸、シュウ酸又は酢酸のうちの少なくとも１つを含んでもよい。
本実施例では、図１４に示すように、ステップ１３０５の前に、以下のステップ１４０１～１４０３をさらに含んでもよい。
ステップ１４０１において、第１のバリア層上にポジ型フォトレジストを塗布する。
ステップ１４０２において、ポジ型フォトレジスト上に、第２のバリア副層に対応する第１の光透過領域と、第１のバリア副層に対応する第２の光透過領域とを含むマスクを配置する。
ステップ１４０３において、第１の光透過領域と第２の光透過領域のポジ型フォトレジストに対して露光、現像処理を行い、第１の光透過領域と第２の光透過領域のポジ型フォトレジストを除去して、第２のバリア副層と第１のバリア副層を露出させる。
本実施例では、第２のバリア層６２にポジ型フォトレジストを塗布してもよく、第２のバリア層６２にポジ型フォトレジストを塗布することは第１のバリア層６１にポジ型フォトレジストを塗布することと同一の工程において完成する。第２のバリア層６２上のポジ型フォトレジストはマスクの光不透過領域に対応する。マスクは第１の光透過領域と第２の光透過領域を含み、第２のバリア副層は第１の光透過領域に対応し、第１のバリア副層は第２の光透過領域に対応する。第１の光透過領域と第２の光透過領域のポジ型フォトレジストに対して露光、現像処理を行うと、後続するエッチングを行うために、第１の光透過領域と第２の光透過領域のポジ型フォトレジストを除去し、第２のバリア副層と第１のバリア副層を露出させることができる。
ステップ１３０６において、開溝部をエッチングし、凹溝とアイソレーション柱を取得する。
本実施例では、第２のバリア副層の開溝部に対応する部分のみに対してドライエッチングを行ってもよい。
本ステップでは、第１のガスと第２のガスを含む第１の混合ガスを用いて第２のバリア副層の開溝部に対応する部分に対してドライエッチングを行ってもよく、ただし、第１の混合ガス中の第１のガスと第２のガスとの成分比は６：１である。
本実施例では、ドライエッチングを行う電力は６０００ワットであってもよい。
ステップ１３０７において、第３のバリア副層及び第２のバリア層をエッチングし、アレイ基板を取得する。
本ステップでは、第３のバリア副層及び第２のバリア層に対してウェットエッチングを行い、図１２に示すようなアレイ基板を取得するようにしてもよい。ウェットエッチングを行うために用いられる酸液の成分はリン酸、シュウ酸又は酢酸のうちの少なくとも１つを含んでもよい。ウェットエッチングを行うために用いられる酸液の成分はリン酸、シュウ酸又は酢酸のうちの少なくとも１つを含むため、駆動回路層における陽極の損壊を防止することができる。
ステップ１３０８において、アレイ基板上に有機発光材料層を形成する。
ステップ１３０９において、有機発光材料層上に陰極層を形成する。
ステップ１３１０において、陰極層上に封止層を形成する。
本実施例におけるステップ１３０８～１３１０は上記実施例におけるステップ９０８～９１０に類似するため、ここでは詳細は再度説明しない。
ステップ１３１１において、封止層上に有機充填層を形成する。
本実施例では、封止層２８における基板２１と反対側の表面は平らでないため、封止層２８上に有機接着剤を充填して、有機充填層２１０を形成してもよい。封止層における基板と反対側の表面に形成された収容空間内に有機充填層が充填されているため、後続する工程による凹溝に対する損傷の発生を防止することができ、さらに、後続する工程における配線の破断、及び気泡不良の発生を防止することができる。
上記実施例では、支持層の材料は窒化ケイ素又は酸化ケイ素である。別の実施形態では、支持層の材料は金属であってもよい。例えば、支持層の材料は、チタン－アルミニウム－チタンのサンドイッチ構造、又はモリブデン－アルミニウム－モリブデンのサンドイッチ構造であってもよい。駆動回路層２２は、チタン－アルミニウム－チタンのサンドイッチ構造、又はモリブデン－アルミニウム－モリブデンのサンドイッチ構造である接続線層を含んでもよい。支持層と接続線層は同一の工程において形成されてもよい。
本願の実施例は装置本体といずれかの上記実施例に記載の表示パネルとを含む表示装置をさらに提供する。
そのうち、装置本体はデバイス領域を有し、デバイス領域に電子デバイスが設けられている。表示パネルは装置本体を被覆し、電子デバイスは開孔領域の開孔内に埋め込まれる。
一実施例では、上記電子デバイスは距離センサ、マイクロフォン、スピーカ、フラッシュ、画素カメラ、赤外線レンズ、投光誘導素子、環境光センサ又はドットマトリクス投影器のうちの少なくとも１つを含んでもよいが、これらに限定されものではない。
本実施例における表示装置は、電子ペーパー、携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーションなど、表示機能を有するあらゆる製品又は部品であってもよい。
ただし、上記フローに用いられる形成プロセスは、例えば堆積、スパッタリングなどの成膜プロセスと、エッチングなどのパターニングプロセスとを含んでもよい。
当業者は、明細書を考慮し、ここで開示された開示を実施すると、本願の他の実施形態を容易に想到し得る。本願は本願のいずれかの変形、用途又は適応的変化をカバーすることを意図しており、これらの変形、用途又は適応的変化は本願の一般的な原理に従い、本願に開示されていない本技術分野における周知の知識又は慣用技術手段を含む。明細書及び実施例は単なる例示的なものとして見なされ、本願の真の範囲及び趣旨は特許請求の範囲によって示される。
Claims (9)
- 表示領域と、開孔領域と、前記表示領域と前記開孔領域との間に位置しかつ前記開孔領域を少なくとも部分的に囲むアイソレーション領域と、を含む表示パネルの製造方法であって、
基板上に、前記開孔領域と前記アイソレーション領域に位置し、第１の支持副層と第２の支持副層を含み、前記第１の支持副層の前記基板における投影が前記開孔領域に位置し、前記第２の支持副層の前記基板における投影が前記アイソレーション領域に位置する、支持層を形成するステップと、
前記支持層上に、第１のバリア副層と第２のバリア副層を含み、前記第１のバリア副層が前記第１の支持副層上に位置し、前記第２のバリア副層が前記第２の支持副層上の開溝部上に位置する、第１のバリア層を形成するステップと、
前記第２のバリア副層をエッチングして前記開溝部を露出させるステップと、
少なくとも前記開溝部をエッチングし、凹溝とアイソレーション柱とが交互に分布する前記凹溝と前記アイソレーション柱とを取得するステップと、を含み、
前記凹溝は前記凹溝の底面の面積が前記凹溝の開口の面積よりも大きいテーパー形状で、前記アイソレーション柱は前記アイソレーション柱における前記基板と反対側の表面の面積が前記アイソレーション柱における前記基板側の底面の面積よりも大きいテーパー形状である、ことを特徴とする表示パネルの製造方法。 - 前記第１のバリア層は第３のバリア副層をさらに含み、前記第３のバリア副層は前記第２の支持副層上の前記開溝部以外の残り部分上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
- 前記基板上に、前記表示領域に位置し、前記支持層と同一の工程において形成される、バッファ層を形成するステップ、又は、
前記基板上に、前記表示領域に位置するバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層上に、前記表示領域に位置し、前記支持層と同一の工程において形成される、アイソレーション層を形成するステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の表示パネルの製造方法。 - 前記基板上に、前記表示領域に位置し、前記基板と反対側の表面が前記支持層における前記基板と反対側の表面と同一平面上にある、駆動回路層を形成するステップと、
前記駆動回路層上に、前記基板と反対側の表面が前記第１のバリア層における前記基板と反対側の表面と同一平面上にある、第２のバリア層を形成するステップと、
少なくとも前記開溝部をエッチングし、凹溝とアイソレーション柱を取得するステップの後に、前記第１のバリア副層、前記第３のバリア副層及び前記第２のバリア層に対してウェットエッチングを行い、アレイ基板を取得するステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の表示パネルの製造方法。 - 前記第２のバリア層と前記第１のバリア層は同一の工程において形成され、
及び/又は、
前記駆動回路層は接続線層を含み、
前記支持層と前記接続線層は同一の工程で形成されることを特徴とする請求項４に記載の表示パネルの製造方法。 - 前記第２のバリア副層をエッチングするステップの前に、
前記第１のバリア層上にポジ型フォトレジストを塗布するステップと、
前記ポジ型フォトレジスト上に、前記第２のバリア副層に対応する第１の光透過領域を含むマスクを配置するステップと、
前記ポジ型フォトレジストにおける前記第１の光透過領域に対応する部分に対して露光、現像処理を行い、前記第１の光透過領域に対応するポジ型フォトレジストを除去して、前記第２のバリア副層を露出させるステップと、を含み、
前記第２のバリア副層をエッチングするステップは、
前記第２のバリア副層に対してウェットエッチングを行って、前記開溝部を露出させることと、
前記第１のバリア副層をエッチングすることと、を含み、前記第１のバリア副層のエッチングと前記第２のバリア副層のエッチングは同一の工程において完成することを特徴とする請求項１に記載の表示パネルの製造方法。 - 同一の工程において前記第１のバリア副層と前記第２のバリア副層をエッチングすることは、
前記第１のバリア層上にポジ型フォトレジストを塗布することと、
前記ポジ型フォトレジスト上に、前記第２のバリア副層に対応する第１の光透過領域と、前記第１のバリア副層に対応する第２の光透過領域とを含むマスクを配置することと、
前記第１の光透過領域と前記第２の光透過領域のポジ型フォトレジストに対して露光、現像処理を行い、前記第１の光透過領域と前記第２の光透過領域のポジ型フォトレジストを除去して、前記第２のバリア副層と前記第１のバリア副層を露出させることと、
前記第１のバリア副層及び前記第２のバリア副層に対してウェットエッチングを行うことと、を含むことを特徴とする請求項６に記載の表示パネルの製造方法。 - 少なくとも前記開溝部をエッチングし、凹溝とアイソレーション柱を取得するステップは、
第１のガスと第２のガスを含む第１の混合ガスを用いて前記第２の支持副層の前記開溝部に対してドライエッチングを行い、前記第１の混合ガス中の前記第１のガスと前記第２のガスとの成分比は２：１～１０：１であることと、
前記基板は有機層を含み、前記第１のガスと前記第２のガスを含む第２の混合ガスを用いて前記基板の有機層における前記開溝部に対応する部分に対してドライエッチングを行い、前記第２の混合ガス中の前記第１のガスと前記第２のガスとの成分比は１：４～１：１０であることと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネルの製造方法。 - 前記アレイ基板上に有機発光材料層を形成するステップと、
前記有機発光材料層上に陰極層を形成するステップと、
前記陰極層上に封止層を形成するステップと、
前記封止層上に有機充填層を形成するステップと、をさらに含み、
前記有機充填層は前記封止層における前記基板と反対側の表面に形成された収容空間内に充填され、
前記基板は有機層を有し、前記有機発光材料層は凹溝の側壁箇所又はアイソレーション柱の側壁箇所で隔離され、前記凹溝の底面は、前記支持層、又は前記基板の有機層内に位置することを特徴とする請求項４に記載の表示パネルの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911138907.3A CN110854304B (zh) | 2019-11-20 | 2019-11-20 | 显示面板的制备方法 |
| CN201911138907.3 | 2019-11-20 | ||
| PCT/CN2020/107393 WO2021098287A1 (zh) | 2019-11-20 | 2020-08-06 | 显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022547310A JP2022547310A (ja) | 2022-11-11 |
| JP7444975B2 true JP7444975B2 (ja) | 2024-03-06 |
Family
ID=69602668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022515867A Active JP7444975B2 (ja) | 2019-11-20 | 2020-08-06 | 表示パネルの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220077438A1 (ja) |
| EP (1) | EP4064381A4 (ja) |
| JP (1) | JP7444975B2 (ja) |
| KR (1) | KR20220037524A (ja) |
| CN (1) | CN110854304B (ja) |
| WO (1) | WO2021098287A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110854304B (zh) * | 2019-11-20 | 2021-03-26 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板的制备方法 |
| CN111463249B (zh) * | 2020-04-14 | 2023-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
| CN111725421B (zh) * | 2020-06-09 | 2023-02-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及显示装置 |
| CN111834546A (zh) * | 2020-07-07 | 2020-10-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置、显示面板及其制作方法 |
| CN114651328A (zh) * | 2020-09-02 | 2022-06-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN114335374A (zh) * | 2020-09-30 | 2022-04-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
| WO2022193058A1 (zh) * | 2021-03-15 | 2022-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、其制作方法及显示装置 |
| CN113078197A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-07-06 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板制造方法 |
| CN114694508B (zh) * | 2022-03-29 | 2023-12-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011505687A (ja) | 2007-11-20 | 2011-02-24 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス有機光学素子、およびその製造方法 |
| WO2013011602A1 (ja) | 2011-07-19 | 2013-01-24 | パナソニック株式会社 | 表示装置、及び表示装置の製造方法 |
| JP2013102154A (ja) | 2011-10-19 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
| US20170148856A1 (en) | 2015-11-20 | 2017-05-25 | Samsung Display Co., Ltd | Organic light-emitting display and method of manufacturing the same |
| JP2015109429A5 (ja) | 2014-10-21 | 2017-11-24 | ||
| CN110429118A (zh) | 2019-07-31 | 2019-11-08 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
| CN110459700A (zh) | 2019-07-31 | 2019-11-15 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板制备方法、显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9455349B2 (en) | 2013-10-22 | 2016-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion |
| US9722090B2 (en) | 2014-06-23 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate |
| CN109802052B (zh) * | 2019-01-25 | 2021-05-07 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板及其制作方法 |
| CN110265471B (zh) * | 2019-07-04 | 2022-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
| CN110265583B (zh) * | 2019-07-26 | 2022-08-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN110444576B (zh) * | 2019-08-14 | 2022-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
| CN110444690B (zh) * | 2019-08-20 | 2022-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN110416282A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-11-05 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示装置及其显示基板 |
| CN110416435B (zh) * | 2019-08-28 | 2022-01-14 | 武汉天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
| CN110854304B (zh) * | 2019-11-20 | 2021-03-26 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板的制备方法 |
-
2019
- 2019-11-20 CN CN201911138907.3A patent/CN110854304B/zh active Active
-
2020
- 2020-08-06 WO PCT/CN2020/107393 patent/WO2021098287A1/zh unknown
- 2020-08-06 EP EP20888785.1A patent/EP4064381A4/en active Pending
- 2020-08-06 KR KR1020227007642A patent/KR20220037524A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-08-06 JP JP2022515867A patent/JP7444975B2/ja active Active
-
2021
- 2021-11-12 US US17/525,156 patent/US20220077438A1/en active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011505687A (ja) | 2007-11-20 | 2011-02-24 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス有機光学素子、およびその製造方法 |
| WO2013011602A1 (ja) | 2011-07-19 | 2013-01-24 | パナソニック株式会社 | 表示装置、及び表示装置の製造方法 |
| JP2013102154A (ja) | 2011-10-19 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
| JP2015109429A5 (ja) | 2014-10-21 | 2017-11-24 | ||
| JP2016027626A5 (ja) | 2015-06-22 | 2018-08-02 | 半導体装置 | |
| US20170148856A1 (en) | 2015-11-20 | 2017-05-25 | Samsung Display Co., Ltd | Organic light-emitting display and method of manufacturing the same |
| CN110429118A (zh) | 2019-07-31 | 2019-11-08 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
| CN110459700A (zh) | 2019-07-31 | 2019-11-15 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板制备方法、显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022547310A (ja) | 2022-11-11 |
| US20220077438A1 (en) | 2022-03-10 |
| KR20220037524A (ko) | 2022-03-24 |
| CN110854304A (zh) | 2020-02-28 |
| EP4064381A1 (en) | 2022-09-28 |
| EP4064381A4 (en) | 2023-01-11 |
| CN110854304B (zh) | 2021-03-26 |
| WO2021098287A1 (zh) | 2021-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7444975B2 (ja) | 表示パネルの製造方法 | |
| CN110416434B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| US10872932B2 (en) | Organic electroluminescent display substrate, method for manufacturing the same and display device | |
| US10297792B2 (en) | Display device having a micro-cavity structure and method for forming the same | |
| US11264410B2 (en) | Display device, display panel and manufacturing method thereof | |
| WO2020238467A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN107452894B (zh) | 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| US9638976B2 (en) | Liquid crystal display device, thin film transistor array substrate and method of fabricating the same | |
| KR20200060002A (ko) | 표시 장치 | |
| US11302892B2 (en) | Display substrate and manufacture method thereof, and display device | |
| US10707449B2 (en) | Array substrate, method of preparing the same and display panel | |
| US10937998B1 (en) | Display panel and method for preparing the same, and display device | |
| WO2019206027A1 (zh) | 感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置 | |
| WO2019218623A1 (zh) | 阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法、显示装置 | |
| CN109560114B (zh) | 显示面板的制造方法、显示面板和显示装置 | |
| JP2008262796A (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| US11257868B2 (en) | Display substrate, fabricating method thereof and display device | |
| US11882716B2 (en) | Display panel, method for manufacturing same, and display apparatus | |
| US11398523B2 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device | |
| US11957039B2 (en) | Organic light-emitting display substrates and methods of preparing the same, and organic light-emitting display apparatuses | |
| US11489028B2 (en) | Display substrate, method for fabricating the same, and display device | |
| US11796913B2 (en) | Organic light-emitting display device and manufacturing method thereof | |
| US20160036004A1 (en) | Electroluminescence display device and fabrication method thereof | |
| US20210408472A1 (en) | Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate | |
| US11527738B2 (en) | Display substrate comprising metal layer structure in non-display region and with recessed side surface,preparation method thereof, and display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220310 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220310 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230324 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230411 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230706 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231003 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231206 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240206 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240222 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7444975 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |