CN217035640U - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开实施例公开了一种显示面板及显示装置，包括：衬底基板，显示面板具有贯穿衬底基板厚度方向的通孔，衬底基板具有显示区以及位于显示区和通孔之间的通孔封装区；第一源漏金属层，位于衬底基板的一侧，且位于显示区；第二源漏金属层，位于第一源漏金属层远离衬底基板的一侧，且位于显示区；至少一个隔离柱，位于衬底基板的一侧，且位于通孔封装区，且围绕通孔设置；其中，隔离柱与第二源漏金属层异层设置。

Description

一种显示面板及显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

相关技术中，全面屏设计的显示面板越来越深得消费者的欢迎，全面屏是采用四周超窄边框设计，再结合在显示区域挖孔放置摄像头等装置设计的面板架构，全面屏是面板显示屏占比最高的面板构架。

实用新型内容

本公开实施例提供了一种显示面板及显示装置，用于解决全面屏摄像孔区域四周的隔离柱产生严重腐蚀和形成Bubble(气泡)等重大不良问题。

本公开实施例提供的一种显示面板，包括：

衬底基板，所述显示面板具有贯穿所述衬底基板厚度方向的通孔，所述衬底基板具有显示区以及位于所述显示区和所述通孔之间的通孔封装区；

第一源漏金属层，位于所述衬底基板的一侧；

第二源漏金属层，位于所述第一源漏金属层远离所述衬底基板的一侧；

至少一个隔离柱，位于所述衬底基板的一侧，且位于所述通孔封装区，且围绕所述通孔设置；其中，所述隔离柱与所述第二源漏金属层异层设置。

可选地，在本公开实施例提供的上述显示面板中，所述隔离柱与所述第一源漏金属层同层同材料设置。

可选地，在本公开实施例提供的上述显示面板中，还包括：位于所述第二源漏金属层远离所述衬底基板一侧的至少一层透明走线层，以及位于所述透明走线层远离所述衬底基板一侧的阳极；所述透明走线层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠，所述阳极在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠。

可选地，在本公开实施例提供的上述显示面板中，还包括：位于所述第二源漏金属层和所述第一源漏金属层之间的第一钝化层，以及位于所述第一钝化层和所述第二源漏金属层之间的第一平坦层；所述第一平坦层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠，所述第一钝化层覆盖所述通孔封装区，且所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠。

可选地，在本公开实施例提供的上述显示面板中，还包括：位于所述透明走线层和所述阳极之间的第二钝化层，所述第二钝化层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠。

可选地，在本公开实施例提供的上述显示面板中，还包括：位于所述第二源漏金属层远离所述衬底基板一侧的至少一层透明走线层，位于所述透明走线层远离所述衬底基板一侧的阳极，以及位于所述透明走线层和所述阳极之间的第一膜层；所述透明走线层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠，所述阳极在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠；

所述隔离柱与所述第一膜层同层同材料设置。

可选地，在本公开实施例提供的上述显示面板中，所述第一膜层的材料与所述第一源漏金属层的材料相同，或所述第一膜层的材料为负性光阻。

可选地，在本公开实施例提供的上述显示面板中，还包括：位于所述第二源漏金属层远离所述衬底基板一侧的至少一层透明走线层，位于所述透明走线层远离所述衬底基板一侧的阳极，位于所述透明走线层和所述第二源漏金属层之间的第二平坦层，以及位于所述第二源漏金属层和所述第二平坦层之间的负性光阻层；所述透明走线层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠，所述阳极在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠；

所述隔离柱与所述负性光阻层同层同材料设置。

可选地，在本公开实施例提供的上述显示面板中，还包括：位于所述第一源漏金属层和所述第二源漏金属层之间的第一平坦层。

可选地，在本公开实施例提供的上述显示面板中，当所述隔离柱的材料为负性光阻时，还包括：位于所述第一平坦层和所述第一源漏金属层之间的第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述通孔封装区，且所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠。

可选地，在本公开实施例提供的上述显示面板中，还包括：位于所述阳极远离所述衬底基板一侧的发光层，位于所述发光层远离所述衬底基板一侧的阴极，以及位于所述阴极远离所述衬底基板一侧的封装层；所述发光层在所述隔离柱的位置处断开；

所述封装层包括层叠设置的第一无机层、有机层和第二无机层，其中，所述第一无机层、所述有机层和所述第二无机层在所述衬底基板上的正投影均覆盖所述显示区和所述通孔封装区。

相应地，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的显示面板。

附图说明

图1为显示面板的俯视结构示意图；

图2为图1中通孔封装区的放大示意图；

图3为图2中DD’方向的layout示意图；

图4为相关技术中的一种显示面板的结构示意图；

图5为相关技术中的又一种显示面板的结构示意图；

图6A为相关技术中的又一种显示面板的结构示意图；

图6B为透明走线的结构示意图；

图7为相关技术中的又一种显示面板的结构示意图；

图8为相关技术中的隔离柱区产生气泡的示意图；

图9为图1中显示区的截面示意图；

图10-图19为本公开实施例提供的显示面板的结构示意图。

具体实施方式

为了使本公开的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本公开实施例提供的显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。应当理解，下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本公开，并不用于限定本公开。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

附图中各层薄膜厚度、大小和形状不反映显示面板的真实比例，目的只是示意说明本公开内容。

随着有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emittingdiode， AMOLED)的快速发展与应用，当前的柔性手机显示屏按其下摄像头放置方式的异形变化可分为：刘海屏、AA hole挖孔屏/盲孔屏以及当下最为热门的屏下相机(underdisplay camera，UDC)屏。

然而，尽管当前的屏下摄像头被认为是AMOLED技术发展最为前沿的一种全面屏摄像头技术，但该技术的发展依然受限于摄像孔位置的透过率低、发光像素寿命低、拍照显示效果差等缺陷。因此，一种将UDC技术应用于人脸解锁的TOF面部解锁技术结合用于摄像头拍照的AA hole技术即“屏下 TOF+AA hole”技术被随之提出，如图1所示在显示面板的显示区AA设置AA hole摄像头通孔01，在通孔01两侧设置屏下TOF人脸解锁发射孔02和接收孔03。该技术的应用集成了当下最为前沿的屏下摄像头技术以及最为成熟且被广泛应用的AAhole摄像头拍照技术。

具体地，如图1所示，显示区AA和通孔01之间具有通孔封装区BB，如图2和图3所示，图2为图1中通孔封装区BB的放大示意图，图3为图2中沿DD’方向的layout(版图)示意图，该通孔封装区BB包括：围绕通孔01设置的至少一个裂缝挡墙04(Crack Dam)，围绕裂缝挡墙04设置的挡墙05(Dam)，围绕挡墙05设置的至少一个隔离柱06，以及位于隔离柱06外围的走线07；其中，通孔01位置处用于放置摄像头，裂缝挡墙04用于阻止挖通孔01时产生的裂纹向显示区AA扩散，挡墙05用于防止封装层中的有机层流向通孔01，隔离柱06用于隔断发光层，防止通孔01处的水汽从发光层进入显示区AA，由于显示区AA挖通孔01，原本设置在通孔01的走线07(如数据线)就需要绕过通孔01。

相关技术中，目前常规AA Hole产品的隔离柱结构如图4和图5所示，图 4和图5为图1中沿CC’方向的截面示意图，包括衬底基板10、依次层叠设置在衬底基板10上的无机膜层20(阻挡层+缓冲层)、栅绝缘层30(例如第一栅绝缘层、第二栅绝缘层和第三栅绝缘层)、层间绝缘层40、第一源漏金属层(未示出)、第一平坦层(未示出)、第二源漏金属层50(Ti/Al/Ti三明治结构)、第二平坦层60，隔离柱06采用第二源漏金属层50设计，即蒸镀Ti/Al/Ti膜层，采用干法刻蚀形成隔离柱06与第二源漏金属层50。通孔封装区BB仅示意隔离柱06，隔离柱06一般设计为undercut(底切)结构。图4中在第二平坦层 60上蒸镀用于制作阳极的金属膜层70，在金属膜层70上涂覆第一光刻胶80，对第一光刻胶80进行曝光显影，并对金属膜层70进行湿法刻蚀，在显示区 AA形成阳极(未示出)，其余区域的金属膜层70去除，由于金属膜层70的湿法刻蚀液为稀酸，刻蚀过程中对隔离柱06(Ti/Al/Ti三明治结构)中的Al产生刻蚀，从而形成undercut(底切)结构的隔离柱06，如图5所示，底Ti层用061 表示，Al层用062表示，顶Ti层用063表示。由于图4和图5的结构为目前未采用TOF人脸解锁设计的显示屏制作得的隔离柱06，但对于采用TOF人脸解锁设计得显示屏，即“屏下TOF+AA hole”技术，由于屏下TOF技术的接收孔 02与发射孔03内保留发光器件发光，但驱动发光器件发光的驱动电路移至显示区AA或边框区，驱动电路通过透明走线(例如ITO)与发光器件的阳极电连接，集透明走线位于阳极和第二源漏层之间。为了避免透明走线的占用空间，一般采用多层透明走线，如图6A所示，例如还包括位于第二平坦层60和金属膜层70之间的三层透明走线(图6A未示出)，各透明走线所在膜层之间分别设置平坦层(例如第三平坦层90、第四平坦层100和第五平坦层110)，如图 6B所示，以图6B为图1中发射孔02的像素排布示意图，发射孔02内包括多个像素单元P，每一像素单元P包括发光器件，发光器件包括层叠设置的阳极、发光层和阴极，用于驱动像素单元P内的发光器件发光的驱动电路移至显示区 AA或边框区，发光器件的阳极通过透明走线300与外围的驱动电路电连接，图6B仅示意出一层透明走线，当然为了节省布线空间，不限制于一层透明走线，可以为两层、三层透明走线……然而由于为提升透过率使用的透明走线，目前只能使用湿法刻蚀方式进行，且该湿法刻蚀液与阳极湿法刻蚀液类似，均采用稀酸，因此，在透明走线形成过程中采用的刻蚀液必将对隔离柱06(Ti/Al/Ti 三明治结构)中的Al产生腐蚀，从而在透明走线及后续工艺(阳极刻蚀)过程中对隔离柱06产生严重腐蚀(如图7所示)以及在AA Hole位置形成Bubble (气泡，如图8所示)等重大不良问题，从而使得屏下摄像头结合AA hole隔离柱设计方案难以进行。

为了解决“屏下TOF+AA hole”技术中在透明走线刻蚀过程中对隔离柱产生严重腐蚀以及在AA Hole位置形成Bubble的不良问题，本公开实施例提供了一种显示面板，如图1、图3、图12、图15、图17、图18所示，图12、图15、图17和图18分别为图1中沿CC’方向的截面示意图，通孔封装区BB仅示意隔离柱，该显示面板包括：

衬底基板10，显示面板具有贯穿衬底基板10厚度方向的通孔01，衬底基板10具有显示区AA以及位于显示区AA和通孔01之间的通孔封装区BB；

第一源漏金属层11，位于衬底基板的一侧；

第二源漏金属层50，位于第一源漏金属层11远离衬底基板10的一侧；

至少一个隔离柱06，本公开以两个隔离柱06为例，隔离柱06位于衬底基板10的一侧，且位于通孔封装区BB，且围绕通孔01设置；其中，隔离柱06 与第二源漏金属层50异层设置。

本公开实施例提供的上述显示面板，通过将隔离柱06设置成与第二源漏金属层50异层设置，即隔离柱06与第二源漏金属层50位于不同层，这样可以将隔离柱06与第一源漏金属层11同层设置，然后在第一源漏金属层11背离衬底基板10一侧沉积一层钝化层保护隔离柱06，然后进行后续工艺如屏下 TOF技术中的多层透明走线的刻蚀，钝化层的设置可以避免透明走线刻蚀过程中对隔离柱的Al层产生严重腐蚀的问题，在透明走线刻蚀完成之后将保护隔离柱06的钝化层去除，然后进行阳极刻蚀，在阳极刻蚀过程中对隔离柱06中的Al层产生刻蚀，从而形成undercut结构的隔离柱；另外，还可以将隔离柱 06采用与位于第二源漏金属层50背离衬底基板10一侧的膜层(例如第三源漏金属层等)同层设置，第三源漏金属层设置成位于多层透明走线背离衬底基板 10的一侧，即在透明走线刻蚀完之后，在制作第三源漏金属层的同时制作隔离柱06，从而也可以避免透明走线刻蚀过程中对隔离柱的Al层产生严重腐蚀的问题，然后进行阳极刻蚀，在阳极刻蚀过程中对隔离柱06中的Al层产生刻蚀，从而形成undercut结构的隔离柱。因此本公开实施例提供的显示面板可以避免“屏下TOF+AA hole”技术中在透明走线刻蚀过程中对隔离柱06产生严重腐蚀以及避免在AA Hole位置形成Bubble的不良问题。

如图9所示，图9为图1中显示区AA的一个像素的截面示意图，包括依次层叠设置在衬底基板10上的阻挡层、缓冲层(阻挡层和缓冲层采用前文中无机膜层20表示)、有源层400、第一栅绝缘层500、第一栅极层600、第二栅绝缘层700、第二栅极层800、层间绝缘层40、第一源漏金属层900、钝化层 1000、第一平坦层31、第二源漏金属层50、第二平坦层60、阳极70、像素界定层1100、发光层190、阴极1200、第一无机层2001、有机层2002和第二无机层2003，第一无机层2001、有机层2002和第二无机层2003构成封装层200；第一源漏金属层900和第二源漏金属层50之间通过贯穿第一平坦层31和钝化层1000的第一过孔V1电连接，阳极70通过贯穿第二平坦层60的第二过孔 V2与第二源漏金属层50电连接。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述显示面板中，如图12所示，隔离柱06与位于衬底基板10和第二源漏金属层50之间的至少一个膜层同层同材料设置。具体地，隔离柱06可以与第一源漏金属层11同层同材料设置，具体制作时，如图10所示，在衬底基板10上依次制作无机膜层20(阻挡层+缓冲层)、栅绝缘层30(例如第一栅绝缘层、第二栅绝缘层和第三栅绝缘层)、层间绝缘层40，在层间绝缘层40上沉积一层Ti/Al/Ti金属膜层，采用一次构图工艺形成位于显示区AA的第一源漏金属层11和位于通孔封装区BB的隔离柱06，接着在第一源漏金属层11背离衬底基板10一侧沉积一层第一钝化膜层 21，第一钝化膜层21覆盖通孔封装区BB以保护隔离柱，接着在第一钝化层材料膜层21背离衬底基板10一侧形成第一平坦层31，第一平坦层31在衬底基板10上的正投影与隔离柱06在衬底基板10上的正投影不交叠，接着在第一平坦层31背离衬底基板10一侧形成第二源漏金属层50，接着在第二源漏金属层50背离衬底基板10一侧形成第二平坦层60，接着在第二平坦层60背离衬底基板10一侧形成多层透明走线(未示出)，多层透明走线中的透明走线用于将位于图1中接收孔02和发射孔03内的发光器件阳极与外围驱动电路(例如位于显示区或边框区)电连接，以三层透明走线为例，相邻两层透明走线之间具有平坦层，图10示意出位于第二平坦层60背离衬底基板10一侧依次层叠设置的第三平坦层90、第四平坦层100和第五平坦层110，第二平坦层60、第三平坦层90、第四平坦层100和第五平坦层110在衬底基板10上的正投影与隔离柱06在衬底基板10上的正投影不交叠，第二平坦层60和第三平坦层 90之间具有一层透明走线，第三平坦层90和第四平坦层100之间具有一层透明走线，第四平坦层100和第五平坦层110之间具有一层透明走线，透明走线在衬底基板10上的正投影与隔离柱06在衬底基板10上的正投影不交叠，接着在第五平坦层110背离衬底基板10的一侧沉积一层第二钝化膜层120，接着在第二钝化膜层120背离衬底基板10的一侧涂覆第二光刻胶130，对第二光刻胶130进行曝光显影，对第一钝化膜层21和第二钝化膜层120进行刻蚀，如图11所示，形成第一钝化层21’，第一钝化层21’覆盖通孔封装区BB，且第一钝化层21’在衬底基板10上的正投影与隔离柱06在衬底基板10上的正投影不交叠，第二钝化膜层120完全去除。接着在第五平坦层110背离衬底基板10 的一侧蒸镀用于制作阳极的金属膜层70，在金属膜层70上涂覆第一光刻胶80，对第一光刻胶80进行曝光显影，并对金属膜层70进行湿法刻蚀，在显示区 AA形成阳极(未示出)，其余区域的金属膜层70去除，即阳极在衬底基板10 上的正投影与隔离柱06在衬底基板10上的正投影不交叠；由于金属膜层70 的湿法刻蚀液为稀酸，刻蚀过程中对隔离柱06(Ti/Al/Ti三明治结构)中的Al 产生刻蚀，从而形成undercut(底切)结构的隔离柱06，如图12所示，底Ti 层用061表示，Al层用062表示，顶Ti层用063表示。因此图10-图12的方案中第一钝化膜层21的设置可以避免透明走线刻蚀过程中对隔离柱的Al层产生严重腐蚀的问题，在透明走线刻蚀完成之后将保护隔离柱06的钝化层去除，然后进行阳极刻蚀，在阳极刻蚀过程中对隔离柱06中的Al层产生刻蚀，从而形成undercut结构的隔离柱06。

需要说明的是，如图11所示，是以形成第五平坦层110，第二钝化膜层 120完全去除为例，当然，也可以不设置第五平坦层110，直接采用第二钝化膜层120代替第五平坦层110，第二钝化膜层120在对应显示区AA的位置保留，在对应通孔封装区BB的位置去除。另外，图11是以设置一层第二钝化膜层120来进行第一钝化膜层21的刻蚀，当然也可以不设置第二钝化膜层120，在形成第五平坦层110之后，直接对第一钝化膜层21进行刻蚀。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述显示面板中，如图15和图17所示，还包括：位于第二源漏金属层50远离衬底基板10一侧的至少一层透明走线层(未示出)，位于透明走线层远离衬底基板10一侧的阳极(未示出)，以及位于透明走线层和阳极之间的第一膜层140；透明走线层在衬底基板10上的正投影与隔离柱06在衬底基板10上的正投影不交叠，阳极在衬底基板 10上的正投影与隔离柱06在衬底基板10上的正投影不交叠；

隔离柱06与第一膜层140同层同材料设置。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述显示面板中，如图15所示，第一膜层140的材料与第一源漏金属层11的材料相同，即第一膜层140 的材料为Ti/Al/Ti。具体制作时，如图13所示，在衬底基板10上依次制作无机膜层20(阻挡层+缓冲层)、栅绝缘层30(例如第一栅绝缘层、第二栅绝缘层和第三栅绝缘层)、层间绝缘层40，在层间绝缘层40上沉积一层Ti/Al/Ti金属膜层，采用构图工艺形成位于显示区AA的第一源漏金属层11，接着在第一源漏金属层11背离衬底基板10一侧形成第一平坦层31，第一平坦层31在衬底基板10上的正投影与隔离柱06在衬底基板10上的正投影不交叠，接着在第一平坦层31背离衬底基板10一侧形成第二源漏金属层50，接着在第二源漏金属层50背离衬底基板10一侧形成第二平坦层60，接着在第二平坦层60背离衬底基板10一侧形成多层透明走线(未示出)，多层透明走线中的透明走线用于将位于图1中接收孔02和发射孔03内的发光器件阳极与外围驱动电路(例如位于显示区或边框区)电连接，以三层透明走线为例，相邻两层透明走线之间具有平坦层，图10示意出位于第二平坦层60背离衬底基板10一侧依次层叠设置的第三平坦层90、第四平坦层100和第五平坦层110，第二平坦层60、第三平坦层90、第四平坦层100和第五平坦层110在衬底基板10上的正投影与隔离柱06在衬底基板10上的正投影不交叠，第二平坦层60和第三平坦层 90之间具有一层透明走线，第三平坦层90和第四平坦层100之间具有一层透明走线，第四平坦层100和第五平坦层110之间具有一层透明走线，透明走线在衬底基板10上的正投影与隔离柱06在衬底基板10上的正投影不交叠，接着在第五平坦层110背离衬底基板10的一侧沉积一层第一材料膜层(Ti/Al/Ti) 140’，在第一材料膜层140’背离衬底基板10的一侧涂覆第三光刻胶150，对第三光刻胶150进行曝光显影，对第一材料膜层140’进行刻蚀，如图14所示，在AA区形成第一膜层140以及在通孔封装区BB形成隔离柱06。接着在第一膜层140背离衬底基板10的一侧蒸镀用于制作阳极的金属膜层70，在金属膜层70上涂覆第一光刻胶80，对第一光刻胶80进行曝光显影，并对金属膜层 70进行湿法刻蚀，在显示区AA形成阳极(未示出)，其余区域的金属膜层70 去除，即阳极在衬底基板10上的正投影与隔离柱06在衬底基板10上的正投影不交叠；由于金属膜层70的湿法刻蚀液为稀酸，刻蚀过程中对隔离柱06 (Ti/Al/Ti三明治结构)中的Al产生刻蚀，从而形成undercut(底切)结构的隔离柱06，如图15所示，底Ti层用061表示，Al层用062表示，顶Ti层用063 表示。因此图13-图15的方案中在透明走线制作完之后在制作一层材料与第一源漏金属11材料相同的第一膜层140，隔离柱06与第一膜层140同层设置，从而避免透明走线刻蚀过程中对隔离柱的Al层产生严重腐蚀的问题。

具体地，如图6B所示，本公开实施例提供的图1中的发射孔02和接收孔 02内的发光器件的阳极通过透明走线300和外围的驱动电路电连接，图6B仅示意一层透明走线300。当然，还可以为2层、3层甚至更多层，当透明走线层为2层、3层甚至更多层时，相邻两层透明走线300之间设置一层平坦层(第三平坦层90、第四平坦层100或第五平坦层110)。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述显示面板中，如图17所示，第一膜层140的材料为负性光阻。图17中隔离柱06的制作过程与图15 的制作过程中，区别在于：如图16所示，在第一平坦层31和第一源漏金属层 11之间具有第一钝化层21’，第一钝化层21’覆盖通孔封装区BB，且第一钝化层21’在衬底基板10上的正投影与隔离柱06在衬底基板10上的正投影不交叠，在形成第五平坦层110之后，在第五平坦层110背离衬底基板10的一侧涂覆一层负性光阻材料的第二材料膜层160，在第二材料膜层160背离衬底基板10的一侧涂覆第四光刻胶170，对第四光刻胶170进行曝光显影，通过控制曝光显影条件，如图17所示，在AA区形成材料为负性光阻的第一膜层140 以及在通孔封装区BB形成Undercut结构的隔离柱06。图17后续制作阳极的过程与图15相同，在此不做赘述。因此图16-图17的方案中在透明走线制作完之后再制作一层材料为负性光阻的第一膜层140，隔离柱06与第一膜层140同层设置，从而避免透明走线刻蚀过程中对隔离柱的Al层产生严重腐蚀的问题。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述显示面板中，如图18所示，还包括：位于第二源漏金属层50远离衬底基板10一侧的至少一层透明走线层(未示出)，位于透明走线层远离衬底基板10一侧的阳极(未示出)，位于透明走线层和第二源漏金属层50之间的第二平坦层60，以及位于第二源漏金属层50和第二平坦层60之间的负性光阻层180；还包括：位于第一平坦层 31和第一源漏金属层11之间的第一钝化层21’，第一钝化层21’覆盖通孔封装区BB，且第一钝化层21’在衬底基板10上的正投影与隔离柱06在衬底基板 10上的正投影不交叠；透明走线层在衬底基板10上的正投影与隔离柱06在衬底基板10上的正投影不交叠，阳极在衬底基板上的正投影与隔离柱06在衬底基板10上的正投影不交叠；

隔离柱06与负性光阻层180同层同材料设置。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述显示面板中，如图18所示，在形成第二源漏金属层50之后，在第二源漏金属层50背离衬底基板的10 的一侧涂覆一层负性光阻材料膜层，在负性光阻材料膜层背离衬底基板10的一侧涂覆第五光刻胶，对第五光刻胶进行曝光显影，通过控制曝光显影条件，如图18所示，在AA区形成负性光阻层180以及在通孔封装区BB形成Undercut 结构的隔离柱06。然后进行后续的透明走线和阳极制作过程，图18的结构也可以避免透明走线刻蚀过程中对隔离柱的Al层产生严重腐蚀的问题。

需要说明的是，图15中在AA区形成的第一膜层140可以排布走线(例如数据线等)，可以缩小走线的占用面积；图17中在AA区形成的第一膜层140 可以起到平坦的作用，图18中在AA区形成的负性光阻层180可以起到平坦的作用。

具体地，如图12、图15、图17和图18所示，隔离柱06的数量一般设置为3个以上，也可以将隔离柱06减少为两个，隔离柱06减少后，封装层中的有机层材料在喷墨打印时会出现Overflow，因此在隔离柱四周设置隔离槽001，可以在两个隔离柱06之间加一个或2个隔离槽001，当然也可以不设置隔离槽 001。具体，衬底基板10可以包括叠层设置的第一柔性衬底、第一阻挡层和第二柔性衬底，第二柔性衬底靠近阻挡层和缓冲层20，隔离槽001可以由贯穿以下膜层形成：层间绝缘层40、第二栅绝缘层700、第一栅绝缘层500、阻挡层和缓冲层20、第二柔性衬底、第一阻挡层、部分的第一柔性衬底，当然不限于此，可以根据实际需要选择贯穿的膜层以形成隔离槽001。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述显示面板中，如图19所示，还包括：位于阳极远离衬底基板10一侧的发光层190，位于发光层190 远离衬底基板10一侧的阴极(未示出)，以及位于阴极远离衬底基板10一侧的封装层200；发光层190在隔离柱06的位置处断开；

封装层200包括层叠设置的第一无机层2001、有机层2002和第二无机层 2003，其中，第一无机层2001、有机层2002和第二无机层2003在衬底基板 10上的正投影均覆盖显示区AA和通孔封装区BB。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述显示面板中，还可以包括本领域技术人员熟知的其它功能性膜层，例如有源层、第栅极层、第二栅极层、第三栅极层，以及位于封装层背离衬底基板一侧的触控层、盖板等。

本公开实施例还提供了一种用于制作上述显示面板的制作方法，包括：

提供衬底基板，衬底基板具有显示区、通孔区以及位于显示区和通孔区之间的通孔封装区；

在衬底基板的显示区一侧形成第一源漏金属层；

在第一源漏金属层远离衬底基板的一侧形成第二源漏金属层；

在衬底基板的通孔封装区一侧形成围绕通孔区设置的至少一个隔离柱，隔离柱与第二源漏金属层异层设置；

对通孔区进行切割，以便形成通孔。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述制作方法中，在衬底基板的通孔封装区一侧形成围绕通孔区设置的至少一个隔离柱，具体包括：

通过一次构图工艺在显示区形成第一源漏金属层以及在通孔封装区形成隔离柱。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述制作方法中，在形成第一源漏金属层之后，且在形成第二源漏金属层之前，还包括：形成第一钝化膜层和第一平坦膜层，并对第一平坦膜层进行构图形成第一平坦层；第一平坦层在衬底基板上的正投影与隔离柱在衬底基板上的正投影不交叠；

在形成第二源漏金属层之后，还包括：

形成至少一层透明走线层；透明走线层在衬底基板上的正投影与隔离柱在衬底基板上的正投影不交叠；

在透明走线层远离衬底基板的一侧形成第二钝化膜层；

采用一次构图工艺对第一钝化膜层和第二钝化膜层进行构图，形成第一钝化层以及第二钝化膜层完全去除；第一钝化层覆盖通孔封装区，且第一钝化层在衬底基板上的正投影与隔离柱在衬底基板上的正投影不交叠；或，采用一次构图工艺对第一钝化膜层和第二钝化膜层进行构图，形成第一钝化层和第二钝化层；第一钝化层覆盖通孔封装区，且第一钝化层在衬底基板上的正投影与隔离柱在衬底基板上的正投影不交叠，第二钝化层在衬底基板上的正投影与隔离柱在衬底基板上的正投影不交叠。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述制作方法中，在形成第一源漏金属层之后，且在形成第二源漏金属层之前，还包括：形成第一平坦层；第一平坦层在衬底基板上的正投影与隔离柱在衬底基板上的正投影不交叠；

在形成第二源漏金属层之后，还包括：形成至少一层透明走线层；透明走线层在衬底基板上的正投影与隔离柱在衬底基板上的正投影不交叠；

在衬底基板的通孔封装区一侧形成围绕通孔区设置的至少一个隔离柱，具体包括：

在透明走线层背离衬底基板的一侧形成与第一源漏金属层的材料相同的第一材料膜层；

对第一材料膜层进行构图，形成位于显示区的第一膜层以及位于通孔封装区的隔离柱。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述制作方法中，在形成第一源漏金属层之后，且在形成第二源漏金属层之前，还包括：形成第一钝化层和第一平坦层；第一钝化层在衬底基板上的正投影与隔离柱在衬底基板上的正投影不交叠，第一平坦层在衬底基板上的正投影与隔离柱在衬底基板上的正投影不交叠；

在形成第二源漏金属层之后，还包括：形成至少一层透明走线层；透明走线层在衬底基板上的正投影与隔离柱在衬底基板上的正投影不交叠；

在衬底基板的通孔封装区一侧形成围绕通孔区设置的至少一个隔离柱，具体包括：

在透明走线层背离衬底基板的一侧形成材料为负性光阻的第二材料膜层；

对第二材料膜层进行构图，形成位于显示区的第一膜层以及位于通孔封装区的隔离柱。

需要说明的是，本公开实施例提供的上述显示面板的制作方法可以参见前述一种显示面板实施例的显示面板制作过程，在此不做赘述。

基于同一实用新型构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的上述任一种显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施例，重复之处不再赘述。

本公开实施例提供的一种显示面板及显示装置，通过将隔离柱设置成与第二源漏金属层异层设置，即隔离柱与第二源漏金属层位于不同层，这样可以将隔离柱与第一源漏金属层同层设置，然后在第一源漏金属层背离衬底基板一侧沉积一层钝化层保护隔离柱，然后进行后续工艺如屏下TOF技术中的多层透明走线的刻蚀，钝化层的设置可以避免透明走线刻蚀过程中对隔离柱的Al层产生严重腐蚀的问题，在透明走线刻蚀完成之后将保护隔离柱的钝化层去除，然后进行阳极刻蚀，在阳极刻蚀过程中对隔离柱中的Al层产生刻蚀，从而形成undercut结构的隔离柱；另外，还可以将隔离柱采用与位于第二源漏金属层背离衬底基板一侧的膜层(例如第三源漏金属层等)同层设置，第三源漏金属层设置成位于多层透明走线背离衬底基板的一侧，即在透明走线刻蚀完之后，在制作第三源漏金属层的同时制作隔离柱，从而也可以避免透明走线刻蚀过程中对隔离柱的Al层产生严重腐蚀的问题，然后进行阳极刻蚀，在阳极刻蚀过程中对隔离柱中的Al层产生刻蚀，从而形成undercut结构的隔离柱。因此本公开实施例提供的显示面板可以避免屏下TOF+AA hole”技术中在透明走线刻蚀过程中对隔离柱产生严重腐蚀以及避免在AA Hole位置形成Bubble的不良问题。

显然，本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (13)

1.一种显示面板，其中，包括：

衬底基板，所述显示面板具有贯穿所述衬底基板厚度方向的通孔，所述衬底基板具有显示区以及位于所述显示区和所述通孔之间的通孔封装区；

第一源漏金属层，位于所述衬底基板的一侧；

第二源漏金属层，位于所述第一源漏金属层远离所述衬底基板的一侧；

至少一个隔离柱，位于所述衬底基板的一侧，且位于所述通孔封装区，且围绕所述通孔设置；其中，所述隔离柱与所述第二源漏金属层异层设置。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述隔离柱与位于所述衬底基板和所述第二源漏金属层之间的至少一个膜层同层同材料设置。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述隔离柱与所述第一源漏金属层同层同材料设置。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，还包括：位于所述第二源漏金属层远离所述衬底基板一侧的至少一层透明走线层，以及位于所述透明走线层远离所述衬底基板一侧的阳极；所述透明走线层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠，所述阳极在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，还包括：位于所述第二源漏金属层和所述第一源漏金属层之间的第一钝化层，以及位于所述第一钝化层和所述第二源漏金属层之间的第一平坦层；所述第一平坦层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠，所述第一钝化层覆盖所述通孔封装区，且所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，还包括：位于所述透明走线层和所述阳极之间的第二钝化层，所述第二钝化层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，还包括：位于所述第二源漏金属层远离所述衬底基板一侧的至少一层透明走线层，位于所述透明走线层远离所述衬底基板一侧的阳极，以及位于所述透明走线层和所述阳极之间的第一膜层；所述透明走线层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠，所述阳极在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠；

所述隔离柱与所述第一膜层同层同材料设置。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述第一膜层的材料与所述第一源漏金属层的材料相同，或所述第一膜层的材料为负性光阻。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，还包括：位于所述第二源漏金属层远离所述衬底基板一侧的至少一层透明走线层，位于所述透明走线层远离所述衬底基板一侧的阳极，位于所述透明走线层和所述第二源漏金属层之间的第二平坦层，以及位于所述第二源漏金属层和所述第二平坦层之间的负性光阻层；所述透明走线层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠，所述阳极在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠；

所述隔离柱与所述负性光阻层同层同材料设置。

10.根据权利要求7-9任一项所述的显示面板，其中，还包括：位于所述第一源漏金属层和所述第二源漏金属层之间的第一平坦层。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其中，当所述隔离柱的材料为负性光阻时，还包括：位于所述第一平坦层和所述第一源漏金属层之间的第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述通孔封装区，且所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠。

12.根据权利要求4、7、9任一项所述的显示面板，其中，还包括：位于所述阳极远离所述衬底基板一侧的发光层，位于所述发光层远离所述衬底基板一侧的阴极，以及位于所述阴极远离所述衬底基板一侧的封装层；所述发光层在所述隔离柱的位置处断开；

所述封装层包括层叠设置的第一无机层、有机层和第二无机层，其中，所述第一无机层、所述有机层和所述第二无机层在所述衬底基板上的正投影均覆盖所述显示区和所述通孔封装区。

13.一种显示装置，其中，包括根据权利要求1-12任一项所述的显示面板。

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