CN117596925A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示装置及其制造方法，显示装置包括：基板，包括发光区域以及与发光区域相邻的非发光区域；发光元件，包括配置在基板上的发光区域中的发光层；封装层，配置在发光层上，并包括至少一个无机层以及至少一个有机层；以及多个遮光图案，配置在封装层上，各自以虚拟的中心线为基准具有非对称形状。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法。更详细而言，本发明涉及一种提供视觉信息的显示装置及其制造方法。
背景技术
随着信息化技术的发展，作为用户和信息之间的连接媒介的显示装置的重要性日益凸显。由此，液晶显示装置(liquid crystal display device)、有机发光显示装置(organic light emitting display device)、等离子显示装置(plasma display device)等之类显示装置的使用正在增加。
另一方面，显示装置可以显示具有广视角的图像或者为了改善安全图像或图像反射现象而显示装置中显示的图像的视角受到限制。
发明内容
本发明的一目的在于，提供一种能够有效限制视角的显示装置。
本发明的另一目的在于，提供一种所述显示装置的制造方法。
然而，本发明的目的不限于以上提及的目的，在不脱离本发明的构思和领域的范围内可以进行各种扩展。
为了达到上述的本发明的一目的，可以是，根据本发明的实施例的显示装置包括：基板，包括发光区域以及与所述发光区域相邻的非发光区域；发光元件，包括配置在所述基板上的所述发光区域中的发光层；封装层，配置在所述发光层上，并包括至少一个无机层以及至少一个有机层；以及多个遮光图案，配置在所述封装层上，并且各自以虚拟的中心线为基准具有非对称形状。
在一实施例中，可以是，所述多个遮光图案的每一个包括：平坦的第一侧面；以及第二侧面，与所述第一侧面面对，并一侧弯曲。
在一实施例中，可以是，所述多个遮光图案的每一个和所述封装层所构成的角度是锐角或者直角。
在一实施例中，可以是，所述多个遮光图案的每一个包括包含钼-钽氧化物(molybdenum-tantalum oxide，MTO)或者黑色颜料的有机物质。
在一实施例中，可以是，所述多个遮光图案的每一个与所述发光区域不重叠，并与所述非发光区域重叠。
在一实施例中，可以是，所述多个遮光图案中的一部分与所述发光区域重叠，所述多个遮光图案中的另一部分与所述非发光区域重叠。
在一实施例中，可以是，所述多个遮光图案的每一个沿第一方向延伸，并沿与所述第一方向交叉的第二方向彼此隔开。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：透光层，配置在所述封装层上，并覆盖所述多个遮光图案，并且包括透明的有机物质。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：触摸感测层，配置在所述封装层和所述多个遮光图案之间，并包括第一触摸电极以及配置在所述第一触摸电极上并与所述第一触摸电极接通的第二触摸电极。
为了达到上述的本发明的另一目的，可以是，根据本发明的实施例的显示装置的制造方法包括：在基板上形成包括发光层的发光元件的步骤；在所述发光层上，形成包括至少一个无机层以及至少一个有机层的封装层的步骤；在所述封装层上形成多个有机图案的步骤；在所述封装层上形成初步遮光图案以填充所述多个有机图案之间的步骤；在所述多个有机图案的每一个上形成第一硬掩模的步骤；以及通过干蚀刻工艺残留与所述第一硬掩模重叠的所述初步遮光图案来形成多个遮光图案的步骤。
在一实施例中，可以是，形成所述多个有机图案的步骤包括：在所述封装层上形成有机膜的步骤；以及通过光刻工艺去除所述有机膜的一部分来形成所述多个有机图案的步骤。
在一实施例中，可以是，所述显示装置的制造方法在形成所述多个遮光图案的步骤之后，还包括去除所述第一硬掩模的步骤。
在一实施例中，可以是，所述第一硬掩模使用金属来形成。
在一实施例中，可以是，形成所述多个有机图案的步骤包括：在所述封装层上形成有机膜的步骤；在所述有机膜上形成多个第二硬掩模的步骤；以及通过干蚀刻工艺残留与所述第二硬掩模重叠的所述有机膜来形成所述多个有机图案的步骤。
在一实施例中，可以是，所述显示装置的制造方法在形成所述多个有机图案的步骤之后，还包括去除所述第二硬掩模的步骤。
在一实施例中，可以是，所述显示装置的制造方法还包括：在所述封装层上形成覆盖所述多个遮光图案的有机膜的步骤；以及所述有机膜与所述多个有机图案结合来形成透光层的步骤。
在一实施例中，可以是，所述多个有机图案的每一个使用正感光物质或者负感光物质来形成。
在一实施例中，可以是，当所述多个有机图案的每一个使用正感光物质来形成时，所述多个有机图案的每一个在截面上具有梯形形状。
在一实施例中，可以是，当所述多个有机图案的每一个使用负感光物质来形成时，所述多个有机图案的每一个在截面上具有长方形的形状。
在一实施例中，可以是，所述初步遮光图案使用包括MTO或者黑色颜料的有机物质来形成。
根据本发明的一实施例的显示装置可以不包括控制视角的单独的遮光膜，并包括控制视角的遮光图案。由此，可以减少显示装置的厚度，降低显示装置的制造费用。
另外，在根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法中，可以在基板上形成多个有机图案，形成填充有机图案之间的初步遮光图案，在有机图案上形成硬掩模以与初步遮光图案部分地重叠，通过干蚀刻工艺残留与硬掩模重叠的初步遮光图案来形成遮光图案。由此，可以形成具有期望的宽度以及高度的遮光图案。
然而，本发明的效果不限于以上提及的所述效果，在不脱离本发明的构思和领域的范围内可以进行各种扩展。
附图说明
图1是示出根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。
图2是放大示出图1的显示装置的显示区域的一部分的平面图。
图3是沿图2的I-I'线截取的截面图。
图4是放大示出图3的A区域的一例的截面图。
图5是放大示出图3的A区域的另一例的截面图。
图6至图13是示出图3的显示装置的制造方法的一例的截面图。
图14以及图15是示出图3的显示装置的制造方法的另一例的截面图。
图16是示出根据本发明的另一实施例的显示装置的截面图。
图17是放大示出根据本发明的又另一实施例的显示装置的显示区域的一部分的平面图。
图18是示出包括图1的显示装置的电子设备的框图。
图19是示出图18的电子设备实现为电视机的一例的图。
图20是示出图18的电子设备实现为智能电话的一例的图。
(附图标记说明)
DD：显示装置
LA1、LA2、LA3：第一至第三发光区域
NLA：非发光区域SUB：基板
LED1、LED2：第一及第二发光元件
EML1、EML2：第一及第二发光层
TFE：封装层TL：触摸感测层
TE1、TE2：第一及第二触摸电极
LP：多个遮光图案LTL：透光层
TFE：封装层
具体实施方式
以下，将参照所附附图，更详细地说明根据本发明的实施例的显示装置及其制造方法。将针对附图中的相同的构成要件使用相同的附图标记并省略针对相同的构成要件的重复说明。
图1是示出根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。
参照图1，根据本发明的一实施例的显示装置DD可以包括显示区域DA以及非显示区域NDA。
在显示区域DA中可以配置多个像素PX。多个像素PX的每一个可以发出光。多个像素PX可以包括第一像素PX1以及第二像素PX2。例如，第一像素PX1以及第二像素PX2可以同时发出光。可选地，当第一像素PX1发出光时，第二像素PX2也可以不发出光。可选地，当第一像素PX1不发出光时，第二像素PX2也可以发出光。随着多个像素PX的每一个发出光，显示区域DA可以显示图像。
多个像素PX可以在平面上沿第一方向DR1以及与第一方向DR1交叉的第二方向DR2重复排列。例如，第二像素PX2可以与第一像素PX1相邻。具体地，第二像素PX2可以在第二方向DR2上与第一像素PX1相邻。
非显示区域NDA可以位于显示区域DA的周边。例如，非显示区域NDA可以包围显示区域DA的至少一部分。在非显示区域NDA中可以配置驱动部。所述驱动部可以向多个像素PX提供信号和/或电压。例如，所述驱动部可以包括数据驱动部、栅极驱动部等。非显示区域NDA可以不显示图像。
在本说明书中，可以在第一方向DR1以及第二方向DR2上定义平面。例如，第一方向DR1可以与第二方向DR2垂直。
本发明的显示装置DD也可以包括有机发光显示装置(organic light emittingdisplay device，OLED)、液晶显示装置(liquid crystal display device，LCD)、场发射显示装置(field emission display device，FED)、等离子显示装置(plasma displaydevice，PDP)、电泳显示装置(electrophoretic display device，EPD)或者无机发光显示装置(inorganic light emitting display device，ILED)。
图2是放大示出图1的显示装置的显示区域的一部分的平面图。
参照图1以及图2，如上所述，可以是，显示装置DD包括显示区域DA以及非显示区域NDA，在显示区域DA中配置多个像素PX。多个像素PX可以包括第一像素PX1以及第二像素PX2。
第一像素PX1以及第二像素PX2的每一个可以包括第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3以及非发光区域NLA。
可以是，第一发光区域LA1发出第一颜色的光，第二发光区域LA2发出第二颜色的光，第三发光区域LA3发出第三颜色的光。在一实施例中，可以是，所述第一颜色是红色，所述第二颜色是绿色，所述第三颜色是蓝色。随着所述第一颜色的光，所述第二颜色的光以及所述第三颜色的光的组合，第一像素PX1以及第二像素PX2的每一个可以发出各种颜色的光。非发光区域NLA可以不发出光。
在一实施例中，显示装置DD可以包括多个遮光图案LP。多个遮光图案LP的每一个可以与非发光区域NLA重叠。然而，多个遮光图案LP的每一个可以与第一发光区域LA1、第二发光区域LA2以及第三发光区域LA3不重叠。
图3是沿图2的I-I'线截取的截面图。图4是放大示出图3的A区域的一例的截面图。图5是放大示出图3的A区域的另一例的截面图。
参照图3、图4以及图5，根据本发明的一实施例的显示装置DD可以包括基板SUB、缓冲层BUF、第一至第三晶体管TR1、TR2、TR3、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、通孔绝缘层VIA、像素界定膜PDL、第一及第二发光元件LED1、LED2、封装层TFE、多个遮光图案LP以及透光层LTL。
在此，可以是，第一晶体管TR1包括第一有源图案ACT1、第一栅极电极GAT1、第一源极电极SE1以及第一漏极电极DE1，第二晶体管TR2包括第二有源图案ACT2、第二栅极电极GAT2、第二源极电极SE2以及第二漏极电极DE2，第三晶体管TR3包括第三有源图案ACT3、第三栅极电极GAT3、第三源极电极SE3以及第三漏极电极DE3。
另外，可以是，第一发光元件LED1包括第一像素电极PE1、第一发光层EML1以及第一公共电极CE1，第二发光元件LED2包括第二像素电极PE2、第二发光层EML2以及第二公共电极CE2。
基板SUB可以包括透明的物质或者不透明的物质。基板SUB可以由透明树脂基板构成。作为所述透明树脂基板的例，可以举出聚酰亚胺基板等。在这种情况下，所述聚酰亚胺基板SUB可以包括第一有机层、第一阻挡层、第二有机层等。可选地，基板SUB也可以包括石英(quartz)基板、合成石英(synthetic quartz)基板、氟化钙(calcium fluoride)基板、掺杂氟的石英(F-doped quartz)基板、钠钙玻璃(sodalime)基板、无碱(non-alkali)玻璃基板等。这些可以单独或者彼此组合来使用。
在基板SUB上可以配置缓冲层BUF。缓冲层BUF可以防止金属原子或杂质从基板SUB扩散到第一至第三晶体管TR1、TR2、TR3的现象。另外，当基板SUB的表面不均匀时，缓冲层BUF可以提高基板SUB的表面的平坦度。例如，缓冲层BUF可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物等之类无机物质。这些可以单独或者彼此组合来使用。
在缓冲层BUF上可以配置第一至第三有源图案ACT1、ACT2、ACT3。第一至第三有源图案ACT1、ACT2、ACT3的每一个可以包括金属氧化物半导体、无机物半导体(例如，非晶硅(amorphous silicon)、多晶硅(poly silicon))或者有机物半导体等。第一至第三有源图案ACT1、ACT2、ACT3的每一个可以包括源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域。第一至第三有源图案ACT1、ACT2、ACT3可以通过相同的工艺形成，并包括相同的物质。
所述金属氧化物半导体可以包括含有铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)等的二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)、四元化合物(ABxCyDz)等。例如，所述金属氧化物半导体可以包括锌氧化物(ZnOx)、镓氧化物(GaOx)、锡氧化物(SnOx)、铟氧化物(InOx)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌氧化物(IGZO)等。这些可以单独或者彼此组合来使用。
在缓冲层BUF上可以配置栅极绝缘层GI。栅极绝缘层GI可以充分覆盖第一至第三有源图案ACT1、ACT2、ACT3，可以在第一至第三有源图案ACT1、ACT2、ACT3的周围不产生台阶并具有实质上平坦的上面。可选地，栅极绝缘层GI也可以覆盖第一至第三有源图案ACT1、ACT2、ACT3，并以均匀的厚度沿第一至第三有源图案ACT1、ACT2、ACT3的每一个的轮廓配置。例如，栅极绝缘层GI可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅碳化物(SiCx)、硅氧氮化物(SiOxNy)、硅氧碳化物(SiOxCy)等之类无机物质。这些可以单独或者彼此组合来使用。
在栅极绝缘层GI上可以配置第一至第三栅极电极GAT1、GAT2、GAT3。可以是，第一栅极电极GAT1与第一有源图案ACT1的所述沟道区域重叠，第二栅极电极GAT2与第二有源图案ACT2的所述沟道区域重叠，第三栅极电极GAT3与第三有源图案ACT3的所述沟道区域重叠。
第一至第三栅极电极GAT1、GAT2、GAT3的每一个可以包括金属、合金金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。作为所述金属的例，可以举出银(Ag)、钼(Mo)、铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)等。作为所述导电性金属氧化物的例，可以举出铟锡氧化物、铟锌氧化物等。另外，作为所述金属氮化物的例，可以举出铝氮化物(AlNx)、钨氮化物(WNx)、铬氮化物(CrNx)等。这些可以分别单独或者彼此组合来使用。
第一至第三栅极电极GAT1、GAT2、GAT3可以通过相同的工艺形成，并包括相同的物质。
在栅极绝缘层GI上可以配置层间绝缘层ILD。层间绝缘层ILD可以充分覆盖第一至第三栅极电极GAT1、GAT2、GAT3，可以在第一至第三栅极电极GAT1、GAT2、GAT3的周围不产生台阶并具有实质上平坦的上面。可选地，层间绝缘层ILD也可以覆盖第一至第三栅极电极GAT1、GAT2、GAT3，并以均匀的厚度沿第一至第三栅极电极GAT1、GAT2、GAT3的每一个的轮廓配置。例如，层间绝缘层ILD可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅碳化物、硅氧氮化物、硅氧碳化物等之类无机物质。这些可以单独或者彼此组合来使用。
在层间绝缘层ILD上可以配置第一至第三源极电极SE1、SE2、SE3。第一源极电极SE1可以通过贯通栅极绝缘层GI以及层间绝缘层ILD的接触孔接通于第一有源图案ACT1的所述源极区域。第二源极电极SE2可以通过贯通栅极绝缘层GI以及层间绝缘层ILD的接触孔接通于第二有源图案ACT2的所述源极区域。第三源极电极SE3可以通过贯通栅极绝缘层GI以及层间绝缘层ILD的接触孔接通于第三有源图案ACT3的所述源极区域。
在层间绝缘层ILD上可以配置第一至第三漏极电极DE1、DE2、DE3。第一漏极电极DE1可以通过贯通栅极绝缘层GI以及层间绝缘层ILD的接触孔接通于第一有源图案ACT1的所述漏极区域。第二漏极电极DE2可以通过贯通栅极绝缘层GI以及层间绝缘层ILD的接触孔接通于第二有源图案ACT2的所述漏极区域。第三漏极电极DE3可以通过贯通栅极绝缘层GI以及层间绝缘层ILD的接触孔接通于第三有源图案ACT3的所述漏极区域。
例如，第一至第三源极电极SE1、SE2、SE3的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。这些可以单独或者彼此组合来使用。第一至第三漏极电极DE1、DE2、DE3可以与第一至第三源极电极SE1、SE2、SE3通过相同的工艺形成，并包括相同的物质。
由此，可以是，包括第一有源图案ACT1、第一栅极电极GAT1、第一源极电极SE1以及第一漏极电极DE1的第一晶体管TR1配置在基板SUB上，包括第二有源图案ACT2、第二栅极电极GAT2、第二源极电极SE2以及第二漏极电极DE2的第二晶体管TR2配置在基板SUB上，包括第三有源图案ACT3、第三栅极电极GAT3、第三源极电极SE3以及第三漏极电极DE3的第三晶体管TR3配置在基板SUB上。
在层间绝缘层ILD上可以配置通孔绝缘层VIA。通孔绝缘层VIA可以充分覆盖第一至第三源极电极SE1、SE2、SE3以及第一至第三漏极电极DE1、DE2、DE3。通孔绝缘层VIA可以包括有机物质。例如，通孔绝缘层VIA可以包括酚醛树脂(phenolic resin)、丙烯酸树脂(polyacrylates resin)、聚酰亚胺树脂(polyimides resin)、聚酰胺树脂(polyamidesresin)、硅氧烷树脂(siloxane resin)、环氧树脂(epoxy resin)等之类有机物质。这些可以单独或者彼此组合来使用。
在通孔绝缘层VIA上可以配置第一及第二像素电极PE1、PE2。可以是，第一像素电极PE1与第一发光区域LA1重叠，第二像素电极PE2与第二发光区域LA2重叠。可以是，第一像素电极PE1的每一个通过贯通通孔绝缘层VIA的接触孔接通于第一及第三漏极电极DE1的每一个，第二像素电极PE2通过贯通通孔绝缘层VIA的接触孔接通于第二漏极电极DE2。
例如，第一及第二像素电极PE1、PE2的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。这些可以单独或者彼此组合来使用。在一实施例中，第一及第二像素电极PE1、PE2的每一个可以具有包括ITO/Ag/ITO的层叠结构。第一及第二像素电极PE1、PE2可以通过相同的工艺形成，并包括相同的物质。例如，第一及第二像素电极PE1、PE2的每一个可以作为阳极(anode)工作。
在通孔绝缘层VIA上可以配置像素界定膜PDL。像素界定膜PDL可以与非发光区域NLA重叠。像素界定膜PDL可以覆盖第一及第二像素电极PE1、PE2的每一个的两侧部。另外，在像素界定膜PDL中可以界定暴露第一及第二像素电极PE1、PE2的每一个的上面的一部分的开口部。例如，像素界定膜PDL可以包括无机物质或者有机物质。在一实施例中，像素界定膜PDL可以包括环氧树脂、硅氧烷树脂等之类有机物质。这些可以单独或者彼此组合来使用。在另一实施例中，像素界定膜PDL也可以还包括含有黑色颜料、黑色染料等的遮光物质。
可以是，在第一像素电极PE1上配置第一发光层EML1，在第二像素电极PE2上配置第二发光层EML2。第一及第二发光层EML1、EML2的每一个可以包括发出预设定的颜色的光的有机物。例如，可以是，第一发光层EML1包括发出红色的光的有机物，第二发光层EML2包括发出绿色的光的有机物。
可以是，在第一发光层EML1以及像素界定膜PDL上配置第一公共电极CE1，在第二发光层EML2以及像素界定膜PDL上配置第二公共电极CE2。第一及第二公共电极CE1、CE2可以一体形成。例如，第一及第二公共电极CE1、CE2的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。这些可以单独或者彼此组合来使用。第一及第二公共电极CE1、CE2可以作为阴极(cathode)工作。
由此，可以是，包括第一像素电极PE1、第一发光层EML1以及第一公共电极CE1的第一发光元件LED1配置在基板SUB上的第一发光区域LA1中，包括第二像素电极PE2、第二发光层EML2以及第二公共电极CE2的第二发光元件LED2配置在基板SUB上的第二发光区域LA2中。
在第一及第二公共电极CE1、CE2上可以配置封装层TFE。封装层TFE可以防止杂质、水分、外部气体等从外部渗透到第一及第二发光元件LED1、LED2。封装层TFE可以包括至少一个无机层以及至少一个有机层。例如，所述无机层可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物等。这些可以单独或者彼此组合来使用。所述有机层可以包括聚丙烯酸酯等之类高分子固化物。
在封装层TFE上可以配置多个遮光图案LP。多个遮光图案LP可以彼此隔开。多个遮光图案LP的每一个可以与非发光区域NLA重叠。
从发光元件LED1、LED2发出的光可以入射到多个遮光图案LP或穿过多个遮光图案LP之间。入射到多个遮光图案LP的光可以在多个遮光图案LP中反射、透射多个遮光图案LP或者被多个遮光图案LP吸收。在一实施例中，入射到多个遮光图案LP的光的大部分可以被多个遮光图案LP吸收。由此，多个遮光图案LP可以控制显示装置DD的视角。
在一实施例中，多个遮光图案LP的每一个可以包括钼-钽氧化物(molybdenum-tantalum oxide，MTO)。多个遮光图案LP的每一个可以具有多层结构。例如，多个遮光图案LP的每一个可以具有MTO单层结构。可选地，多个遮光图案LP也可以具有包括MTO/Mo、MTO/Cu、MTO/Al等的双层结构。可选地，多个遮光图案LP的每一个也可以具有包括MTO/Mo/MTO、MTO/Cu/MTO、MTO/Al/MTO等的三层结构。这些可以分别单独或者彼此组合来使用。然而，多个遮光图案LP的每一个不限于包括MTO，多个遮光图案LP可以包括透射率和反射率相对低且吸收率相对高的各种物质。在另一实施例中，多个遮光图案LP的每一个也可以包括包含黑色颜料的有机物质。
在一实施例中，多个遮光图案LP的每一个可以以虚拟的中心线VCL为基准具有非对称形状。例如，多个遮光图案LP的每一个可以包括第一侧面S1以及与第一侧面S1面对的第二侧面S2。在一实施例中，可以是，第一侧面S1是平坦的，第二侧面S2是一侧弯曲成倒圆化。
多个遮光图案LP的每一个的高度h可以实质上相同。另外，多个遮光图案LP之间的距离d可以实质上相同。
例如，将多个遮光图案LP的每一个的高度h除以多个遮光图案LP之间的距离d的值可以是约2.83以上。另外，将多个遮光图案LP的每一个的平均宽度w除以多个遮光图案LP之间的距离d的值可以是约0.25以下。当多个遮光图案LP的每一个的高度h、多个遮光图案LP的每一个的平均宽度w以及多个遮光图案LP之间的距离d的关系满足上述的数值范围时，可以在期望的视角中获得期望的亮度。
多个遮光图案LP的每一个与封装层TFE构成的角度θ可以是锐角(参照图4)。可选地，多个遮光图案LP的每一个和封装层TFE所构成的角度θ也可以是直角(参照图5)。
在封装层TFE上可以配置透光层LTL。从发光元件LED1、LED2发出的光可以穿过透光层LTL。透光层LTL可以具有实质上平坦的上面。透光层LTL可以充分覆盖多个遮光图案LP。即，透光层LTL的上面可以位于比多个遮光图案LP的上面高的水平。可选地，透光层LTL的上面也可以位于与多个遮光图案LP的上面相同的水平。
在一实施例中，透光层LTL可以包括透明的有机物质。例如，透光层LTL可以包括环氧树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂、光刻胶等之类透明的有机物质。这些可以单独或者彼此组合来使用。
图6至图13是示出图3的显示装置的制造方法的一例的截面图。具体地，图6至图13是示出包括在图3的显示装置DD中的多个遮光图案LP的制造方法的一例的截面图。
参照图3以及图6，在基板SUB上可以依次形成缓冲层BUF、第一至第三有源图案ACT1、ACT2、ACT3、栅极绝缘层GI、第一至第三栅极电极GAT1、GAT2、GAT3、层间绝缘层ILD、第一至第三源极电极SE1、SE2、SE3、第一至第三漏极电极DE1、DE2、DE3、通孔绝缘层VIA、第一及第二像素电极PE1、PE2、像素界定膜PDL、第一及第二发光层EML1、EML2、第一及第二公共电极CE1、CE2以及封装层TFE。
在封装层TFE上可以形成对准标记AM。对准标记AM可以在形成后述的多个遮光图案LP的工艺中作为用于对准(align)的识别标记使用。
在封装层TFE上可以形成有机膜OF。例如，有机膜OF可以使用透明的有机物质来形成。在一实施例中，有机膜OF可以使用透明的感光有机物质来形成。
参照图7以及图8，可以通过光刻工艺去除有机膜OF的一部分，从而形成多个有机图案OP。例如，此时，多个有机图案OP的每一个可以形成为具有约10微米的高度h1。
在一实施例中，如图7所示，多个有机图案OP的每一个可以在截面上具有长方形的形状。此时，多个有机图案OP的每一个可以使用负感光物质来形成。在另一实施例中，如图8所示，多个有机图案OP的每一个可以在截面上具有梯形的形状。此时，多个有机图案OP的每一个可以使用正感光物质来形成。
参照图9，在封装层TFE上可以形成初步遮光图案IL。例如，初步遮光图案IL可以使用包括MTO或者黑色颜料的有机物质来形成。初步遮光图案IL可以填充多个有机图案OP之间。此时，初步遮光图案IL的上面可以位于与多个有机图案OP的每一个的上面相同的水平。
参照图10，在多个有机图案OP的每一个上可以形成硬掩模HM。具体地，硬掩模HM可以形成为与初步遮光图案IL部分地重叠。例如，硬掩模HM可以使用金属来形成。
参照图11，在一实施例中，可以利用硬掩模HM通过干蚀刻工艺去除初步遮光图案IL的一部分，从而形成多个遮光图案LP。即，可以残留与硬掩模HM重叠的初步遮光图案IL来形成多个遮光图案LP，并去除与硬掩模HM不重叠的初步遮光图案IL。可以通过硬掩模HM调节多个遮光图案LP的宽度。即，可以通过硬掩模HM形成具有期望的高度以及宽度的多个遮光图案LP。
参照图12，在形成多个遮光图案LP之后，可以去除硬掩模HM(参照图11)。可选地，在形成多个遮光图案LP之后，也可以不去除硬掩模HM。此时，硬掩模HM可以使用透明的导电性物质来形成。
参照图13，在封装层TFE上可以形成有机膜。例如，所述有机膜可以使用透明的有机物质来形成。即，所述有机膜可以使用与多个有机图案OP相同的物质来形成。所述有机膜可以填充多个遮光图案LP之间。另外，所述有机膜可以充分覆盖多个遮光图案LP以及多个有机图案OP。由此，所述有机膜可以与多个有机图案OP结合，从而形成充分覆盖多个遮光图案LP的透光层LTL。
图14以及图15是示出图3的显示装置的制造方法的另一例的截面图。具体地，图14至图13是示出包括在图3的显示装置DD中的多个遮光图案LP的制造方法的另一例的截面图。
以下，省略或简化与参照图6至图13说明的包括在显示装置DD中的遮光图案LP的制造方法重复的说明。
参照图14，在封装层TFE上可以形成对准标记AM。在封装层TFE上可以形成有机膜OF'。例如，有机膜OF'可以使用透明的有机物质来形成。
在有机膜OF'上可以形成硬掩模HM'。硬掩模HM'可以彼此隔开。例如，硬掩模HM'的每一个可以使用金属来形成。
参照图14以及图15，可以利用硬掩模HM'通过干蚀刻工艺去除有机膜OF'的一部分，从而形成多个有机图案OP'。即，可以残留与硬掩模HM'重叠的有机膜OF'来形成多个有机图案OP'，并去除与硬掩模HM'不重叠的有机膜OF'。例如，多个有机图案OP'的每一个可以形成为具有约5微米的厚度h2。在形成多个有机图案OP'之后，可以去除硬掩模HM'。
之后的制造过程可以与参照图9至图13说明的制造过程实质上相同。
即，在封装层TFE上可以形成包括MTO的初步遮光图案以填充多个有机图案OP'之间。
在其之后，可以利用包括金属的硬掩模通过干蚀刻工艺去除所述初步遮光图案的一部分，从而形成多个遮光图案。在形成所述遮光图案之后，可以去除所述硬掩模。
最后，在封装层TFE上可以形成包括与多个有机图案OP'相同的物质的有机膜以充分覆盖所述遮光图案。由此，所述有机膜可以与多个有机图案结合，从而形成充分覆盖所述遮光图案的透光层。
图16是示出根据本发明的另一实施例的显示装置的截面图。
参照图16，根据本发明的另一实施例的所述显示装置可以包括基板SUB、缓冲层BUF、第一至第三晶体管TR1、TR2、TR3、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、通孔绝缘层VIA、像素界定膜PDL、第一及第二发光元件LED1、LED2、封装层TFE、触摸感测层TL、多个遮光图案LP以及透光层LTL。然而，参照图16说明的所述显示装置除了还包括触摸感测层TL之外，可以与参照图3说明的显示装置DD实质上相同或类似。以下，省略或简化重复的说明。
在封装层TFE上可以配置触摸感测层TL。触摸感测层TL可以包括第一触摸电极TE1、配置在第一触摸电极TE1上的第一触摸绝缘层TI1、配置在第一触摸绝缘层TI1上的第二触摸电极TE2以及配置在第二触摸电极TE2上的第二触摸绝缘层TI2。第二触摸绝缘层TI2可以具有实质上平坦的上面。第二触摸电极TE2可以通过贯通第一触摸绝缘层TI1的接触孔接通于第一触摸电极TE1。触摸感测层TL可以作为所述显示装置的输入构件发挥功能。
图17是放大示出根据本发明的又另一实施例的显示装置的显示区域的一部分的平面图。
参照图17，根据本发明的又另一实施例的所述显示装置可以包括多个遮光图案LP。以下，省略或简化与参照图2说明的显示装置DD重复的说明。
多个遮光图案LP可以在平面上彼此并排排列。多个遮光图案LP的每一个可以在第一方向DR1上延伸。多个遮光图案LP可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上彼此隔开。多个遮光图案LP可以彼此平行。另外，可以是，多个遮光图案LP中的一部分与第一至第三发光区域LA1、LA2、LA3重叠，多个遮光图案LP中的另一部分与非发光区域NLA重叠
图18是示出包括图1的显示装置的电子设备的框图。图19是示出图18的电子设备实现为电视机的一例的图。图20是示出图18的电子设备实现为智能电话的一例的图。
参照图18、图19以及图20，在一实施例中，电子设备900可以包括处理器910、内存装置920、存储装置930、输入输出装置940、电源950以及显示装置960。此时，显示装置960可以与参照图1至图3说明的显示装置DD相对应。电子设备900可以还包括能够与显卡、声卡、内存卡、USB装置等通信的各种端口。
在一实施例中，如图19所示，电子设备900可以实现为电视机。在另一实施例中，如图20所示，电子设备900可以实现为智能电话。然而，电子设备900不限于此，例如，电子设备900也可以实现为移动电话、视频电话、智能平板(smart pad)、智能手表(smart watch)、平板(tablet)PC、车用导航装置、计算机显示器、笔记本计算机、头戴式显示器(head mounteddisplay；HMD)等。
处理器910可以执行特定计算或者任务(tasks)。在一实施例中，处理器910可以是微型处理器(microprocessor)、中央处理单元(central processing unit；CPU)、应用程序处理器(application processor；AP)等。处理器910可以通过地址总线(address bus)、控制总线(control bus)以及数据总线(data bus)等连接于其它构成要件。处理器910可以还连接于外设组件互连(peripheral component interconnect；PCI)总线等之类扩展总线。
内存装置920可以存储电子设备900的工作所需的数据。例如，内存装置920可以包括可擦除可编程只读存储器(erasable programmable read-only memory；EPROM)装置、带电可擦可编程只读存储器(electrically erasable programmable read-only memory；EEPROM)装置、闪存装置(flash memory device)、相变随机存取存储器(phase changerandom access memory；PRAM)装置、可变电阻式存取存储器(resistance random accessmemory；RRAM)装置、纳米浮栅存储器(nano floating gate memory；NFGM)装置、聚合物随机存取存储器(polymer random access memory；PoRAM)装置、磁性随机存取存储器(magnetic random access memory；MRAM)、铁电随机存取存储器(ferroelectric randomaccess memory；FRAM)装置等之类非挥发性内存装置和/或动态随机存取存储器(dynamicrandom access memory；DRAM)装置、静态随机存取存储器(static random accessmemory；SRAM)装置、移动DRAM装置等之类挥发性内存装置。
存储装置930可以包括固态驱动器(solid state drive；SSD)、硬盘驱动器(harddisk drive；HDD)、只读光盘(CD-ROM)等。
输入输出装置940可以包括键盘、数字键盘、触摸板、触摸屏、鼠标等之类输入构件以及扬声器、打印机等之类输出构件。
电源950可以供应电子设备900的工作所需的电源。显示装置960可以通过总线或者其它通信链路连接于其它构成要件。在一实施例中，显示装置960也可以包括在输入输出装置940中。
在上文中，虽然参照本发明的示例性实施例进行了说明，但在所属技术领域中具有通常知识的人应能理解，在不脱离所附的权利要求书中记载的本发明的构思和领域的范围内可以以多种方式修改及变更本发明。
本发明可以适用于能够具备显示装置的各种显示设备。例如，本发明可以适用于高分辨率智能电话、移动电话、智能平板、智能手表、平板PC、车用导航系统、电视机、计算机显示器、笔记本计算机等。
Claims (10)
1.一种显示装置，其中，包括：
基板，包括发光区域以及与所述发光区域相邻的非发光区域；
发光元件，包括配置在所述基板上的所述发光区域中的发光层；
封装层，配置在所述发光层上，并包括至少一个无机层以及至少一个有机层；以及
多个遮光图案，配置在所述封装层上，并且各自以虚拟的中心线为基准具有非对称形状。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述多个遮光图案的每一个包括：
平坦的第一侧面；以及
第二侧面，与所述第一侧面面对，并一侧弯曲。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述多个遮光图案的每一个和所述封装层所构成的角度是锐角或者直角。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述多个遮光图案的每一个包括包含钼-钽氧化物或者黑色颜料的有机物质。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述多个遮光图案的每一个与所述发光区域不重叠，并与所述非发光区域重叠。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述多个遮光图案中的一部分与所述发光区域重叠，所述多个遮光图案中的另一部分与所述非发光区域重叠。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述多个遮光图案的每一个沿第一方向延伸，并沿与所述第一方向交叉的第二方向彼此隔开。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括：
透光层，配置在所述封装层上，并覆盖所述多个遮光图案，并且包括透明的有机物质。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括：
触摸感测层，配置在所述封装层和所述多个遮光图案之间，并包括第一触摸电极以及配置在所述第一触摸电极上并与所述第一触摸电极接通的第二触摸电极。
10.一种显示装置的制造方法，其中，包括：
在基板上形成包括发光层的发光元件的步骤；
在所述发光层上，形成包括至少一个无机层以及至少一个有机层的封装层的步骤；
在所述封装层上形成多个有机图案的步骤；
在所述封装层上形成初步遮光图案以填充所述多个有机图案之间的步骤；
在所述多个有机图案的每一个上形成第一硬掩模的步骤；以及
通过干蚀刻工艺残留与所述第一硬掩模重叠的所述初步遮光图案来形成多个遮光图案的步骤。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| KR10-2022-0102143 | 2022-08-16 | ||
| KR1020220102143A KR20240024408A (ko) | 2022-08-16 | 2022-08-16 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (1)
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|---|---|
| CN117596925A true CN117596925A (zh) | 2024-02-23 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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