KR20240029674A - 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
표시 장치는 제1 화소 영역 및 투과 영역을 포함하는 제1 표시 영역 및 제2 화소 영역을 포함하는 제2 표시 영역을 포함하는 기판, 기판 상의 제1 및 제2 표시 영역들에 배치되고, 투과 영역과 중첩하는 개구부가 정의되고, 개구부가 곡률 반경이 서로 상이한 인접하는 적어도 두 개의 곡선들을 포함하도록 구성된 차광층 및 차광층 상의 제1 및 제2 화소 영역들 각각에 배치되고, 각각이 발광 소자를 포함하는 복수의 화소들을 포함한다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 시각 정보를 제공하는 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시 장치의 중요성이 부각되고 있다. 이에 따라, 액정 표시 장치(liquid crystal display device), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display device), 플라즈마 표시 장치(plasma display device) 등과 같은 표시 장치의 사용이 증가하고 있다.
또한, 표시 장치와 함께 사용 가능한 다양한 기능성 모듈이 상기 표시 장치에 추가되고 있다. 예를 들어, 사용자는 표시 장치의 내부에 배치된 카메라 모듈을 이용하여 사진, 동영상 등을 촬영할 수 있다. 다만, 카메라 모듈이 표시 장치의 비표시 영역에 배치될 경우, 카메라 모듈이 배치될 공간을 확보하기 위해 비표시 영역이 증가할 수 있다.
따라서, 기능성 모듈을 표시 장치의 표시 영역에 배치하기 위한 다양한 연구들이 진행되고 있다.
본 발명의 목적은 기능성 모듈 주변에 유입되는 광에 의한 기능성 모듈의 성능 저하를 방지하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 제1 화소 영역 및 투과 영역을 포함하는 제1 표시 영역 및 제2 화소 영역을 포함하는 제2 표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상의 상기 제1 및 제2 표시 영역들에 배치되고, 상기 투과 영역과 중첩하는 개구부가 정의되며, 상기 개구부가 곡률 반경이 서로 상이한 인접하는 적어도 두 개의 곡선들을 포함하는 평면 형상을 갖도록 구성된 차광층 및 상기 차광층 상의 상기 제1 및 제2 화소 영역들 각각에 배치되고, 각각이 발광 소자를 포함하는 복수의 화소들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 평면 상에서, 상기 개구부는 중심을 지나는 제1 방향으로 연장되는 가상의 제1 라인과 중심을 지나는 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 가상의 제2 라인을 기준으로 제1 내지 제4 영역들로 구분되고, 상기 제1 및 제3 영역들은 서로 마주보고, 상기 제2 및 제4 영역들은 서로 마주볼 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제4 영역들은 서로 대칭인 평면 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제4 영역들은 서로 비대칭인 평면 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판은 고분자 필름을 포함하는 제1 베이스층, 상기 제1 베이스층 상에 배치되는 제1 배리어층, 상기 제1 배리어층 상에 배치되고, 고분자 필름을 포함하는 제2 베이스층 및 상기 제2 베이스층 상에 배치되는 제2 배리어층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 화소 영역에 배치된 상기 복수의 화소들의 배열은 상기 제2 화소 영역에 배치된 상기 복수의 화소들의 배열과 동일할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 화소들 각각은 제1 열에 배치되는 청색 서브 화소, 제1 행 및 상기 제1 열에 인접한 제2 열에 배치되는 적색 서브 화소 및 상기 제1 행에 인접한 제2 행 및 상기 제2 열에 배치되는 녹색 서브 화소를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 평면 상에서, 상기 청색 서브 화소의 크기는 상기 적색 서브 화소의 크기 및 상기 녹색 서브 화소의 크기와 상이할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 평면 상에서, 상기 적색 서브 화소, 상기 녹색 서브 화소 및 상기 청색 서브 화소 각각은 직사각형의 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 표시 영역의 투과율은 상기 제1 표시 영역의 투과율보다 낮을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 표시 영역에 대응되는 상기 기판의 하부에 배치되는 기능성 모듈을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기능성 모듈은 카메라 모듈, 얼굴 인식 센서 모듈, 동공 인식 센서 모듈, 가속도 센서 모듈, 근접 센서 모듈, 적외선 센서 모듈 및 조도 센서 모듈 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 화소 영역 및 투과 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상의 상기 화소 영역에 배치되고, 상기 투과 영역과 중첩하는 개구부가 정의되고, 상기 개구부가 곡률 반경이 서로 상이한 인접하는 적어도 두 개의 곡선들을 포함하는 평면 형상을 갖도록 구성된 차광층 및 상기 차광층 상의 상기 화소 영역에 배치되고, 각각이 발광 소자를 포함하는 복수의 화소들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 평면 상에서, 상기 개구부는 중심을 지나는 제1 방향으로 연장되는 가상의 제1 라인과 중심을 지나는 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되는 가상의 제2 라인을 기준으로 제1 내지 제4 영역들로 구분되고, 상기 제1 및 제3 영역들은 서로 마주보고, 상기 제2 및 제4 영역들은 서로 마주볼 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제4 영역들은 서로 대칭인 평면 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제4 영역들은 서로 비대칭인 평면 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판은 고분자 필름을 포함하는 제1 베이스층, 상기 제1 베이스층 상에 배치되는 제1 배리어층, 상기 제1 배리어층 상에 배치되고, 고분자 필름을 포함하는 제2 베이스층 및 상기 제2 베이스층 상에 배치되는 제2 배리어층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 화소들 각각은 제1 열에 배치되는 청색 서브 화소, 제1 행 및 상기 제1 열에 인접한 제2 열에 배치되는 적색 서브 화소 및 상기 제1 행에 인접한 제2 행 및 상기 제2 열에 배치되는 녹색 서브 화소를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 평면 상에서, 상기 청색 서브 화소의 크기는 상기 적색 서브 화소의 크기 및 상기 녹색 서브 화소의 크기와 상이할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 평면 상에서, 상기 적색 서브 화소, 상기 녹색 서브 화소 및 상기 청색 서브 화소 각각은 직사각형의 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 화소 영역 및 투과 영역을 포함하는 제1 표시 영역 및 제2 화소 영역을 포함하는 제2 표시 영역을 포함하는 기판, 기판 상의 상기 제1 및 제2 표시 영역들에 배치되고, 투과 영역과 중첩하는 개구부가 정의되며, 개구부가 곡률 반경이 서로 상이한 인접하는 적어도 두 개의 곡선들을 포함하는 평면 형상을 갖도록 구성된 차광층 및 차광층 상의 상기 제1 및 제2 화소 영역들 각각에 배치되고, 각각이 발광 소자를 포함하는 복수의 화소들을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 표시 영역에 대응되는 기판 하부에 배치되는 기능성 모듈 주변에 유입되는 외광에 의한 기능성 모듈의 성능 저하가 개선될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상기 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치의 제1 표시 영역의 일부를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 A 영역의 일 예를 확대 도시한 평면도이다.
도 5는 도 1의 표시 장치의 제2 표시 영역의 일부를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 3의 I-I' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 7은 도 5의 II-II' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 8 내지 도 11은 도 3의 A 영역의 다른 예들을 확대 도시한 평면도들이다.
도 12는 도 3의 차광층의 개구부의 평면 형상에 따른 차광층의 개구부 주변에서 외광의 회절 영향을 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치의 제1 표시 영역의 일부를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 A 영역의 일 예를 확대 도시한 평면도이다.
도 5는 도 1의 표시 장치의 제2 표시 영역의 일부를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 3의 I-I' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 7은 도 5의 II-II' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 8 내지 도 11은 도 3의 A 영역의 다른 예들을 확대 도시한 평면도들이다.
도 12는 도 3의 차광층의 개구부의 평면 형상에 따른 차광층의 개구부 주변에서 외광의 회절 영향을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치에 대하여 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 표시 장치의 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)는 기판(SUB), 표시부(DP), 반사 방지층(RCL) 및 커버 윈도우(CW)를 포함할 수 있다.
표시 장치(DD)는 제1 표시 영역(DA1), 제2 표시 영역(DA2) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2) 각각은 영상을 표시할 수 있는 영역으로 정의될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 영상을 표시하지 않는 영역으로 정의될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 제2 표시 영역(DA2의 주변에 위치할 수 있다. 예를 들어, 비표시 영역(NDA)은 제2 표시 영역(DA2)의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다.
제1 표시 영역(DA1)은 외광이 투과되는 투과 영역을 포함할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)이 외광이 투과되는 상기 투과 영역을 포함함에 따라, 제1 표시 영역(DA1)의 투과율은 제2 표시 영역(DA2)의 투과율보다 높을 수 있다. 즉, 제2 표시 영역(DA2)의 투과율은 제1 표시 영역(DA1)의 투과율보다 낮을 수 있다. 다시 말하면, 제1 표시 영역(DA1)은 영상을 표시하면서도 제1 표시 영역(DA1)에 입사되는 외광을 투과시킬 수 있다.
제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2) 각각에는 복수의 화소들(PX)이 배치될 수 있다. 복수의 화소들(PX)은 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)을 따라 매트릭스(matrix) 형태로 배열될 수 있다. 복수의 화소들(PX) 각각은 트랜지스터 및 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결된 발광 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 화소들(PX) 각각은 특정 색(예를 들어, 적색, 녹색, 청색 등)의 광을 방출할 수 있다.
제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)은 서로 인접하게 위치할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 표시 영역(DA2)은 제1 표시 영역(DA1)의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다. 예를 들어, 제1 표시 영역(DA1)은 평면 상에서 표시 장치(DD)의 가장자리로부터 이격되어 표시 장치(DD) 내에 위치하고, 제2 표시 영역(DA2)은 제1 표시 영역(DA1)의 전부를 둘러쌀 수 있다.
제1 표시 영역(DA1)은 제2 표시 영역(DA2)보다 화소(PX)의 밀도가 작을 수 있다. 즉, 제1 표시 영역(DA1)은 제2 표시 영역(DA2)보다 단위 면적당 화소(PX)의 개수가 작을 수 있다.
제1 표시 영역(DA1)은 원형의 평면 형상을 가질 수 있다. 다만, 본 발명의 구성은 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 표시 영역(DA1)은 다양한 다각형의 평면 형상들을 가질 수도 있다.
비표시 영역(NDA)에는 복수의 구동부들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 구동부들은 게이트 구동부, 발광 제어 구동부, 데이터 구동부 등을 포함할 수 있다. 상기 구동부들은 복수의 화소들(PX)에 게이트 신호, 데이터 신호, 발광 제어 신호 등을 제공할 수 있다.
기판(SUB) 상에 표시부(DP)가 배치될 수 있다. 표시부(DP)는 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)과 중첩할 수 있다. 표시부(DP)는 영상을 표시하기 위한 복수의 화소들(PX)을 포함할 수 있다. 표시부(DP)에 대한 구체적인 설명은 후술하기로 한다.
기능성 모듈(FM)은 제1 표시 영역(DA1)에 대응되는 기판(SUB)의 하부에 배치될 수 있다. 기능성 모듈(FM)은 제1 표시 영역(DA1)을 통과하는 외광을 수신할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 기능성 모듈(FM)은 표시 장치(DD)의 전면에 위치하는 사물의 화상을 촬영(또는 인식)하기 위한 카메라 모듈, 사용자의 얼굴을 감지하기 위한 얼굴 인식 센서 모듈, 사용자의 눈동자를 감지하기 위한 동공 인식 센서 모듈, 표시 장치(DD)의 움직임을 판단하기 위한 가속도 센서 모듈 및 지자기 센서 모듈, 표시 장치(DD)의 전면의 근접 여부를 감지하기 위한 근접 센서 모듈 및 적외선 센서 모듈, 외부의 밝기의 정도를 측정하기 위한 조도 센서 모듈 등을 포함할 수 있다.
표시부(DP) 상에 반사 방지층(RCL)이 배치될 수 있다. 반사 방지층(RCL)은 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)과 중첩할 수 있다. 반사 방지층(RCL)을 통해 외광 반사를 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 반사 방지층(RCL)은 편광층 및 위상 지연층을 포함할 수 있다. 선택적으로, 반사 방지층(RCL)은 차광 패턴 및 컬러 필터를 포함할 수도 있다.
반사 방지층(RCL) 상에 커버 윈도우(CW)가 배치될 수 있다. 커버 윈도우(CW)는 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)과 중첩할 수 있다. 커버 윈도우(CW)는 표시부(DP) 상에 배치되어 표시부(DP)를 보호할 수 있다. 예를 들어, 커버 윈도우(CW)는 유리 기판 또는 고분자 기판을 포함할 수 있다.
도 3은 도 1의 표시 장치의 제1 표시 영역의 일부를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3의 A 영역의 일 예를 확대 도시한 평면도이다. 도 5는 도 1의 표시 장치의 제2 표시 영역의 일부를 나타내는 평면도이다.
도 3, 도 4 및 도 5를 참조하면, 제1 표시 영역(DA1)은 복수의 제1 화소 영역들(PA1) 및 복수의 투과 영역들(TA)을 포함하고, 제2 표시 영역(DA2)은 복수의 제2 화소 영역들(PA2)을 포함할 수 있다. 투과 영역들(TA) 각각은 제1 화소 영역들(PA1) 사이에 위치할 수 있다.
제1 화소 영역들(PA1) 각각에는 복수의 화소들(PX)이 배치될 수 있다. 또한, 제2 화소 영역들(PA2) 각각에는 복수의 화소들(PX)이 배치될 수 있다.
제1 화소 영역(PA1)에 배치된 복수의 화소들(PX)의 배열은 제2 화소 영역(PA2)에 배치된 복수의 화소들(PX)의 배열과 동일할 수 있다. 선택적으로, 제1 화소 영역(PA1)에 배치된 복수의 화소들(PX)의 배열은 제2 화소 영역(PA2)에 배치된 복수의 화소들(PX)의 배열과 상이할 수도 있다.
복수의 화소들(PX) 각각은 서로 다른 색의 광을 방출하는 복수의 서브 화소들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 화소들(PX) 각각은 적색 광을 방출하는 적색 서브 화소(PXR), 녹색 광을 방출하는 녹색 서브 화소(PXG) 및 청색 광을 방출하는 청색 서브 화소(PXB)를 포함할 수 있다.
제1 화소 영역들(PA1) 각각에는 하나의 적색 서브 화소(PXR), 하나의 녹색 서브 화소(PXG) 및 하나의 청색 서브 화소(PXB)가 배치될 수 있다. 또한, 제2 화소 영역들(PA2) 각각에는 하나의 적색 서브 화소(PXR), 하나의 녹색 서브 화소(PXG) 및 하나의 청색 서브 화소(PXB)가 배치될 수 있다.
예를 들어, 제1 화소 영역(PA1)에서 청색 서브 화소(PXB)는 제1 열에 배치되고, 적색 서브 화소(PXR)는 제1 행 및 상기 제1 열에 인접한 제2 열에 배치되며, 녹색 서브 화소(PXG)는 상기 제1 행에 인접한 제2 행 및 상기 제2 열에 배치될 수 있다. 마찬가지로, 제2 화소 영역(PA2)에서 청색 서브 화소(PXB)는 제1 열에 배치되고, 적색 서브 화소(PXG)는 제1 행 및 상기 제1 열에 인접한 제2 열에 배치되며, 녹색 서브 화소(PXB)는 상기 제1 행에 인접한 제2 행 및 상기 제2 열에 배치될 수 있다. 다만, 본 발명의 구성은 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 화소 영역(PA1) 및 제2 화소 영역(PA2)에서 적색 서브 화소(PXR), 녹색 서브 화소(PXG) 및 청색 서브 화소(PXB)는 다양한 방식으로 배열될 수 있다.
평면 상에서, 청색 서브 화소(PXB)의 크기는 적색 서브 화소(PXR)의 크기 및 녹색 서브 화소(PXG)의 크기와 상이할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 평면 상에서, 청색 서브 화소(PXB)의 크기는 적색 서브 화소(PXR)의 크기 및 녹색 서브 화소(PXG)의 크기보다 클 수 있다. 다만, 본 발명의 구성은 이에 한정되는 것은 아니며, 평면 상에서, 청색 서브 화소(PXB), 적색 서브 화소(PXR) 및 녹색 서브 화소(PXG) 각각은 다양한 크기를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 적색 서브 화소(PXR), 녹색 서브 화소(PXG) 및 청색 서브 화소(PXB)는 동일한 평면 형상을 가질 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 적색 서브 화소(PXR), 녹색 서브 화소(PXG) 및 청색 서브 화소(PXB)는 상이한 평면 형상을 가질 수 있다.
적색 서브 화소(PXR), 녹색 서브 화소(PXG) 및 청색 서브 화소(PXB) 각각은 다각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 적색 서브 화소(PXR), 녹색 서브 화소(PXG) 및 청색 서브 화소(PXB) 각각은 직사각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 다만, 본 발명의 구성은 이에 한정되는 것은 아니며, 적색 서브 화소(PXR), 녹색 서브 화소(PXG) 및 청색 서브 화소(PXB) 각각은 마름모의 평면 형상을 가질 수도 있다.
투과 영역(TA)은 표시 장치(DA)에 입사하는 외광이 투과하는 영역일 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)이 외광이 투과하는 투과 영역(TA)을 포함함에 따라, 제1 표시 영역(DA1)에 대응되는 기판(SUB)의 하부에 배치되는 기능성 모듈(400)이 투과 영역(TA)을 통해 표시 장치(DD)의 전면에 위치하는 사물 또는 사용자를 감지하거나 인식할 수 있다.
제1 표시 영역(DA1)에는 차광층(BL)이 배치될 수 있다. 차광층(BL)은 제2 표시 영역(DA2)에도 배치될 수 있다 (도 7 참조). 일 실시예에 있어서, 차광층(BL)에는 투과 영역(TA)과 중첩하는 개구부(OP)가 정의될 수 있다. 차광층(BL)은 외부에서 입사하는 광이 제1 화소 영역(PA1)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 차광층(BL)은 투과 영역(TA)을 통해 투과하는 외광이 투과 영역(TA) 주변에서 회절되는 것을 방지할 수 있다.
차광층(BL)의 개구부(OP)는 다양한 평면 형상을 가질 수 있다. 차광층(BL)의 개구부(OP)의 평면 형상에 따라, 투과 영역(TA)의 투과율, 기능성 모듈(FM)의 MTF(modulation transfer function), 차광층(BL)의 개구부(OP) 주변에서 외광의 회절 영향 등이 달라질 수 있다. 따라서, 기능성 모듈(FM)의 성능을 확보하기 위하여, 투과 영역(TA)의 투과율, 기능성 모듈(FM)의 MTF, 차광층(BL)의 개구부(OP) 주변에서 외광의 회절 영향 등이 고려될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 차광층(BL)의 개구부(OP)는 곡률 반경이 서로 상이한 인접하는 적어도 두 개의 곡선들을 포함하는 평면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 차광층(BL)의 개구부(OP)는 제1 곡률 반경(R1)을 갖는 제1 곡선 및 제1 곡률 반경(R1)과 상이한 제2 곡률 반경(R2)을 갖는 제2 곡선을 포함하는 평면 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 차광층(BL)의 개구부(OP) 주변에서 발생할 수 있는 외광의 회절의 영향이 감소될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 차광층(BL)의 개구부(OP)는 곡률 반경이 서로 다른 복수의 곡선들을 포함하는 평면 형상을 가질 수도 있다.
차광층(BL)의 개구부(OP)는 제1 내지 제4 영역들(1A, 2A, 3A, 4A)로 구분될 수 있다. 구체적으로, 차광층(BL)의 개구부(OP)는 개구부(OP)의 중심(C)을 지나는 제1 방향(DR1)으로 연장되는 가상의 제1 라인(VL1) 및 개구부(OP)의 중심(C)을 지나는 제2 방향(DR2)으로 연장되는 가상의 제2 라인(VL2)을 기준으로 제1 내지 제4 영역들 제1 내지 제4 영역들(1A, 2A, 3A, 4A)로 구분될 수 있다. 제1 영역(1A)은 제3 영역(3A)과 마주보고, 제2 영역(2A)은 제4 영역(4A)과 마주볼 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 영역(1A) 및 제3 영역(3A)은 개구부(OP)의 중심(C)을 기준으로 대칭이고, 제2 영역(2A) 및 제4 영역(4A)은 개구부(OP)의 중심(C)을 기준으로 대칭일 수 있다. 또한, 제1 영역(1A)은 가상의 제1 라인(VL1)을 기준으로 제2 영역(2A)과 대칭이며, 가상의 제2 라인(VL2)을 기준으로 제4 영역(4A)과 대칭일 수 있다. 즉, 제1 내지 제4 영역들(1A, 2A, 3A, 4A)은 서로 대칭된 평면 형상을 가질 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제1 내지 제4 영역들(1A, 2A, 3A, 4A)은 서로 비대칭인 평면 형상을 가질 수도 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에 있어서, 차광층(BL)의 개구부(OP)는 곡률 반경이 서로 상이한 인접하는 적어도 두 개의 곡선들을 포함하는 평면 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 차광층(BL)의 개구부(OP) 주변에서 발생할 수 있는 외광의 회절의 영향이 감소될 수 있다. 이 경우, 제1 표시 영역(DA1)에 대응되는 기판(SUB) 하부에 배치되는 기능성 모듈(FM) 주변에 유입되는 외광에 의한 기능성 모듈(FM)의 성능 저하가 개선될 수 있다.
도 6은 도 3의 I-I' 라인을 따라 자른 단면도이다. 도 7은 도 5의 II-II' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 2, 도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)는 기판(SUB), 표시부(DP), 반사 방지층(RCL) 및 커버 윈도우(CW)를 포함할 수 있다. 표시부(DP)는 버퍼층(BUF), 차광층(BL), 트랜지스터(TR), 제1 내지 제3 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3), 게이트 절연층(GI), 층간 절연층(ILD), 비아 절연층(VIA), 화소 정의막(PDL), 발광 소자(LED), 제1 내지 제3 발광 소자들(LED1, LED2, LED3) 및 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다.
여기서, 트랜지스터(TR)는 액티브 패턴(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 트랜지스터(TR1)는 제1 액티브 패턴(ACT1), 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)을 포함하고, 제2 트랜지스터(TR2)는 제2 액티브 패턴(ACT2), 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)을 포함하며, 제3 트랜지스터(TR3)는 제3 액티브 패턴(ACT3), 제3 게이트 전극(GE3), 제3 소스 전극(SE3) 및 제3 드레인 전극(DE3)을 포함할 수 있다.
발광 소자(LED)는 화소 전극(PE), 발광층(EML) 및 공통 전극(CE)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 발광 소자(LED1)는 제1 화소 전극(PE1), 제1 발광층(EML1) 및 제1 공통 전극(CE1)을 포함하고, 제2 발광 소자(LED2)는 제2 화소 전극(PE2), 제2 발광층(EML2) 및 제2 공통 전극(CE2)을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 표시 장치(DD)는 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)을 포함할 수 있다. 표시 장치(DD)가 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)을 포함함에 따라, 기판(SUB)도 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 투명한 물질 또는 불투명한 물질을 포함할 수 있다. 기판(SUB)은 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 상기 투명 수지 기판의 예로는, 폴리이미드 기판 등을 들 수 있다. 선택적으로, 기판은 석영(quartz) 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘(calcium fluoride) 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임 유리(sodalime) 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수도 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
기판(SUB)은 다층 구조를 가질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 기판(SUB)은 순차적으로 배치된 제1 베이스층(BS1), 제1 배리어층(BAR1), 제2 베이스층(BS2) 및 제2 배리어층(BAR2)을 포함할 수 있다.
제1 베이스층(BS1) 및 제2 베이스층(BS2) 각각은 고분자 필름을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 베이스층(BS1) 및 제2 베이스층(BS2) 각각은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르술폰, 폴리이미드 등과 같은 고분자 필름을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 베이스층(BS2)에는 제1 배리어층(BAR1)의 상면의 일부를 노출시키고, 투과 영역(TA)과 부분적으로 중첩하는 개구부가 정의될 수 있다.
제1 배리어층(BAR1)은 수분 등의 침투를 방지할 수 있다. 제2 배리어층(BAR2)은 불순물 또는 수분과 같이 불필요한 성분의 침투를 방지할 수 있다. 제1 배리어층(BAR1) 및 제2 배리어층(BAR2) 각각은 무기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 배리어층(BAR1) 및 제2 배리어층(BAR2) 각각은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화, 비정질 실리콘 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 배리어층(BAR2)에는 제1 배리어층(BAR1)의 상면의 일부를 노출시키고, 투과 영역(TA)과 부분적으로 중첩하는 개구부가 정의될 수 있다.
기판(SUB) 상에 차광층(BL)이 배치될 수 있다. 차광층(BL)은 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)과 중첩할 수 있다. 구체적으로, 차광층(BL)은 제1 표시 영역(DA1의 제1 화소 영역(PA1)과 중첩할 수 있다. 차광층(BL)은 트랜지스터(TR, TR1, TR2, TR3)의 전압 특성을 일정하게 유지시키는 역할을 할 수 있다. 차광층(BL)은 금속, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 차광층(BL)은 티타늄(Ti), 몰리브데늄(Mo), 구리(Cu) 등과 같은 금속 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 차광층(BL)에는 투과 영역(TA)과 중첩하는 개구부(OP)가 정의될 수 있다. 즉, 차광층(BL)의 개구부(OP)에 의해 투과 영역(TA)이 정의될 수 있다. 개구부(OP)의 평면 형상은 상술한 바와 같다.
기판(SUB) 상에 버퍼층(BUF)이 배치될 수 있다. 버퍼층(BUF)은 기판(SUB)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 트랜지스터(TR, TR1, TR2, TR3)로 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 버퍼층(BUF)은 기판(SUB)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(SUB)의 표면의 평탄도를 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(BUF)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 사로 조합되어 사용될 수 있다.
버퍼층(BUF) 상의 제1 화소 영역(PA1)에 액티브 패턴(ACT)이 배치될 수 있다. 액티브 패턴(ACT) 각각은 금속 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들어, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)), 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다. 액티브 패턴(ACT)은 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치하는 채널 영역을 포함할 수 있다.
상기 금속 산화물 반도체는 인듐(In), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz) 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 산화물 반도체는 아연 산화물(ZnOx), 갈륨 산화물(GaOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 인듐 갈륨 산화물(IGO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 주석 산화물(IZTO), 인듐 갈륨 아연 산화물(IGZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
버퍼층(BUF) 상의 제2 화소 영역(PA2)에 제1 내지 제3 액티브 패턴들(ACT1, ACT2, ACT3)이 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 액티브 패턴들(ACT1, ACT2, ACT3)은 액티브 패턴(ACT)과 동일한 공정을 통해 형성되고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 액티브 패턴들(ACT1, ACT2, ACT3) 각각은 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치하는 채널 영역을 포함할 수 있다.
버퍼층(BUF) 상에 게이트 절연층(GI)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(GI)은 액티브 패턴(ACT, ACT1, ACT2, ACT3)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브 패턴(ACT, ACT1, ACT2, ACT3)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(GI)은 제 액티브 패턴(ACT, ACT1, ACT2, ACT3)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브 패턴(ACT, ACT1, ACT2, ACT3) 각각의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(GI)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 탄화물(SiCx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy) 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 게이트 절연층(GI)에는 제1 배리어층(BAR1)의 상면의 일부를 노출시키고, 투과 영역(TA)과 부분적으로 중첩하는 개구부가 정의될 수 있다.
게이트 절연층(GI) 상의 제1 화소 영역(PA1)에 게이트 전극(GE)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(GE)은 액티브 패턴(ACT)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 게이트 전극(GE)은 금속, 합금 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투면 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 상기 금속의 예로는, 은(Ag), 몰리브데늄(Mo), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc) 등을 들 수 있다. 상기 도전성 금속 산화물의 예로는, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 들 수 있다. 또한, 상기 금속 질화물의 예로는, 알루미늄 질화물(AlNx), 텅스텐 질화물(WNx), 크롬 질화물(CrNx) 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 절연층(GI) 상의 제2 화소 영역(PA2)에 제1 내지 제3 게이트 전극들(GE1, GE2, GE3)이 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 게이트 전극들(GE1, GE2, GE3)은 게이트 전극(GE)과 동일한 공정을 통해 형성되고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 게이트 전극들(GE1, GE2, GE3) 각각은 제1 내지 제3 액티브 패턴들(ACT1, ACT2, ACT3) 각각의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다.
게이트 절연층(GI) 상에 층간 절연층(ILD)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(ILD)은 게이트 전극(GE, GE1, GE2, GE3)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(GE, GE1, GE2, GE3)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(ILD)은 게이트 전극(GE, GE1, GE2, GE3)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(GE, GE1, GE2, GE3) 각각의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 예를 들어, 층간 절연층(ILD)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 층간 절연층(ILD)에는 제1 배리어층(BAR1)의 상면의 일부를 노출시키고, 투과 영역(TA)과 부분적으로 중첩하는 개구부가 정의될 수 있다.
층간 절연층(ILD) 상의 제1 화소 영역(PA1)에 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치될 수 있다. 소스 전극(SE)은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(ILD)을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브 패턴(ACT)의 상기 소스 영역에 접속될 수 있다. 드레인 전극(DE)은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(ILD)을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브 패턴(ACT)의 상기 드레인 영역에 접속될 수 있다.
예를 들어, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
이에 따라, 액티브 패턴(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 트랜지스터(TR)가 기판(SUB) 상의 제1 화소 영역(PA1)에 배치될 수 있다.
층간 절연층(ILD) 상의 제2 화소 영역(PA2)에 제1 내지 제3 소스 전극들(SE1, SE2, SE3) 및 제1 내지 제3 드레인 전극들(DE1, DE2, DE3)이 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 소스 전극들(SE1, SE2, SE3)은 소스 전극(SE)과 동일한 공정을 통해 형성되고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 드레인 전극들(DE1, DE2, DE3)은 드레인 전극(DE)과 동일한 공정을 통해 형성되고, 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 소스 전극들(SE1, SE2, SE3) 각각은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(ILD)을 관통하는 콘택홀을 통해 제1 내지 제3 액티브 패턴들(ACT1, ACT2, ACT3) 각각의 상기 소스 영역에 접속될 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 드레인 전극들(DE1, DE2, DE3) 각각은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(ILD)을 관통하는 콘택홀을 통해 제1 내지 제3 액티브 패턴들(ACT1, ACT2, ACT3) 각각의 상기 드레인 영역에 접속될 수 있다.
층간 절연층(ILD) 상에 비아 절연층(VIA)이 배치될 수 있다. 비아 절연층(VIA)은 소스 전극(SE, SE1, SE2, SE3) 및 드레인 전극(DE, DE1, DE2, DE3)을 충분히 커버할 수 있다. 비아 절연층(VIA)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비아 절연층(VIA)은 페놀 수지(phenolic resin), 아크릴 수지(polyacrylates resin), 폴리이미드 수지(polyimides rein), 폴리아미드 수지(polyamides resin), 실록산 수지(siloxane resin), 에폭시 수지(epoxy resin) 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 비아 절연층(VIA)에는 제1 배리어층(BAR1)의 상면의 일부를 노출시키고, 투과 영역(TA)과 부분적으로 중첩하는 개구부가 정의될 수 있다.
비아 절연층(VIA) 상의 제1 화소 영역(PA1)에 화소 전극(PE)이 배치될 수 있다. 화소 전극(PE)은 비아 절연층(VIA)을 관통하는 콘택홀을 통해 드레인 전극에 접속될 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(PE)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 화소 전극(PE)은 ITO/Ag/ITO를 포함하는 적층 구조를 가질 수 있다.
비아 절연층(VIA) 상의 제2 화소 영역(PA2)에 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)이 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)은 화소 전극(PE)과 동일한 공정을 통해 형성되고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3) 각각은 비아 절연층(VIA)을 관통하는 콘택홀을 통해 제1 내지 제3 드레인 전극들(DE1, DE2, DE3) 각각에 접속될 수 있다.
비아 절연층(VIA) 상에 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 화소 전극(PE, PE1, PE2, PE3)의 양측부를 덮을 수 있다. 또한, 화소 정의막(PDL)에는 화소 전극(PE, PE1, PE2, PE3)의 상면의 일부를 노출시키는 개구부가 정의될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 화소 정의막(PDL)은 에폭시 수지, 실록산 수지 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 화소 정의막(PDL)은 블랙 안료, 블랙 염료 등을 함유하는 차광 물질을 더 포함할 수도 있다.
일 실시예에 있어서, 화소 정의막(PDL)에는 제1 배리어층(BAR1)의 상면의 일부를 노출시키고, 투과 영역(TA)과 부분적으로 중첩하는 개구부가 정의될 수 있다.
화소 전극(PE) 상에 발광층(EML)이 배치될 수 있다. 발광층(EML)은 기 설정된 색의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)은 적색의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3) 각각의 상에 제1 내지 제3 발광층들(EML1, EML2, EML3) 각각이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 발광층(EML1)은 적색의 광을 방출하는 유기물을 포함하고, 제2 발광층(EML2)은 녹색의 광을 방출하는 유기물을 포함하며, 제3 발광층(EML3)은 청색의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다.
발광층(EML, EML1, EML2, EML3) 및 화소 정의막(PDL) 상에 공통 전극(CE)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 공통 전극(CE)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
공통 전극(CE) 상에 봉지층(TFE)이 배치될 수 있다. 봉지층(TFE)은 외부로부터 발광 소자(LED, LED1, LED2, LED3)에 불순물, 수분 등이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 봉지층(TFE)은 제1 무기 봉지층(IL1), 유기 봉지층(OL) 및 제2 무기 봉지층을 포함할 수 있다.
공통 전극(CE) 상에 제1 무기 봉지층(IL1)이 배치될 수 있다. 제1 무기 봉지층(IL1)은 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)과 중첩할 수 있다. 구체적으로, 제1 무기 봉지층(IL1)은 투과 영역(TA)에서 제2 베이스층(BS2), 제2 배리어층(BAR2), 게이트 절연층(GI), 층간 절연층(ILD), 비아 절연층(VIA) 및 화소 정의막(PDL)의 상기 개구부들의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 무기 봉지층(IL1)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 무기 봉지층(IL1) 상에 유기 봉지층(OL)이 배치될 수 있다. 유기 봉지층(OL)은 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)과 중첩할 수 있다. 구체적으로, 투과 영역(TA)과 중첩하는 유기 봉지층(OL)의 부분은 제2 베이스층(BS2), 제2 배리어층(BAR2), 게이트 절연층(GI), 층간 절연층(ILD), 비아 절연층(VIA) 및 화소 정의막(PDL)의 상기 개구부들을 채울 수 있다. 예를 들어, 유기 봉지층(OL)은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산, 아크릴계 수지 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
유기 봉지층(OL) 상에 제2 무기 봉지층(IL2)이 배치될 수 있다. 제2 무기 봉지층(IL2)은 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 제2 무기 봉지층(IL2)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 8 내지 도 11은 도 3의 A 영역의 다른 예들을 확대 도시한 평면도들이다.
이하에서는, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 표시 장치(DD)와 중복되는 설명은 생략하거나 간략화한다.
도 3, 도 8, 도 9, 도 10 및 도 11을 참조하면, 제1 표시 영역(DA1)은 복수의 제1 화소 영역들(PA1) 및 복수의 투과 영역들(TA)을 포함할 수 있다.
제1 표시 영역(DA1)에는 차광층(BL)이 배치될 수 있다. 상술한 바와 같이, 차광층(BL)에는 투과 영역(TA)과 중첩하는 개구부(OP)가 정의될 수 있다. 차광층(BL)의 개구부(OP)는 다양한 평면 형상을 가질 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 차광층(BL)의 개구부(OP)는 원형의 평면 형상을 가질 수 있다. 즉, 차광층(BL)의 개구부(OP)는 곡률 반경(R)이 서로 동일한 복수의 곡선들을 포함하는 평면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 차광층(BL)의 개구부(OP)는 제1 곡률 반경(R)을 갖는 제1 곡선 및 제1 곡률 반경(R)과 동일한 제2 곡률 반경(R)을 갖는 제2 곡선을 포함할 수 있다. 선택적으로, 차광층(BL)의 개구부(OP)는 타원형의 평면 형상을 가질 수도 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 차광층(BL)의 개구부(OP)는 복수의 직선부들(SP) 및 복수의 곡선부들(CP)을 포함하는 평면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 직선부들(SP)은 각각이 제1 방향(DR1)으로 연장되는 2개의 직선부들(SP 및 각각이 제2 방향(DR2)으로 연장되는 2개의 직선부들(CP)을 포함하고, 곡선부들(CP)은 인접하는 직선부들(SP)을 연결하는 4개의 곡선부들(CP)을 포함할 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 차광층(BL)의 개구부(OP)의 가장자리는 올록부 및 볼록부가 반복되는 엠보(embo) 형태의 평면 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 차광층(BL)의 개구부(OP)는 가장자리에 복수의 돌출부들(PP)이 형성된 평면 형상을 가질 수 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 차광층(BL)의 개구부(OP)는 팔각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 차광층(BL)의 개구부(OP)는 정팔각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 다만, 본 발명의 구성은 이에 한정되는 것은 아니며, 차광층(BL)의 개구부(OP)는 다양한 다각형(예를 들어, 사각형)의 평면 형상을 가질 수도 있다.
도 12는 도 3의 차광층의 개구부의 평면 형상에 따른 차광층의 개구부 주변에서 외광의 회절 영향을 나타내는 도면이다.
도 12를 참조하면, (A)에는 차광층(BL)의 개구부(OP)가 곡률 반경이 서로 상이한 인접하는 적어도 두 개의 곡선들을 포함하는 평면 형상을 갖는 경우(도 4 참조), 차광층(BL)의 개구부(OP) 주변에서 발생한 외광의 회절을 도시되었다. (B)에는 차광층(BL)의 개구부(OP)가 직선부들(SP) 및 곡선부들(CP)을 포함하는 평면 형상을 갖는 경우(도 9 참조), 차광층(BL)의 개구부(OP)의 주변에서 발생한 외광의 회절을 도시하였다. (C)에는 차광층(BL)의 개구부(OP)의 가장자리가 올록부 및 볼록부가 반복되는 엠보 형태의 평면 형상을 갖는 경우(도 10 참조), 차광층(BL)의 개구부(OP)의 주변에서 발생한 외광의 회절을 도시하였다.
그 결과, 차광층(BL)의 개구부(OP)가 곡률 반경이 서로 상이한 인접하는 적어도 두 개의 곡선들을 포함하는 평면 형상을 갖는 경우, 차광층(BL)의 개구부(OP) 주변에서 발생한 외광의 회절이 상대적으로 작게 발생한 것을 확인할 수 있다. 이 경우, 기능성 모듈(예를 들어, 도 2의 기능성 모듈(FM))의 성능이 저하되지 않을 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 고해상도 스마트폰, 휴대폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션 시스템, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북 등에 적용될 수 있다.
DD: 표시 장치
DA1: 제1 표시 영역
DA2: 제2 표시 영역 PA1: 제1 화소 영역
PA2: 제2 화소 영역 TA: 투과 영역
FM: 기능성 모듈 SUB: 기판
BS1, BS2: 제1 및 제2 베이스층
BAR1, BAR2: 제1 및 제2 배리어층
BL: 차광층 OP: 개구부
PX: 복수의 화소들 PXR: 적색 서브 화소
PXG: 녹색 서브 화소 PXB: 청색 서브 화소
DA2: 제2 표시 영역 PA1: 제1 화소 영역
PA2: 제2 화소 영역 TA: 투과 영역
FM: 기능성 모듈 SUB: 기판
BS1, BS2: 제1 및 제2 베이스층
BAR1, BAR2: 제1 및 제2 배리어층
BL: 차광층 OP: 개구부
PX: 복수의 화소들 PXR: 적색 서브 화소
PXG: 녹색 서브 화소 PXB: 청색 서브 화소
Claims (20)
- 제1 화소 영역 및 투과 영역을 포함하는 제1 표시 영역 및 제2 화소 영역을 포함하는 제2 표시 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상의 상기 제1 및 제2 표시 영역들에 배치되고, 상기 투과 영역과 중첩하는 개구부가 정의되며, 상기 개구부가 곡률 반경이 서로 상이한 인접하는 적어도 두 개의 곡선들을 포함하는 평면 형상을 갖도록 구성된 차광층; 및
상기 차광층 상의 상기 제1 및 제2 화소 영역들 각각에 배치되고, 각각이 발광 소자를 포함하는 복수의 화소들을 포함하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서, 평면 상에서, 상기 개구부는 중심을 지나는 제1 방향으로 연장되는 가상의 제1 라인과 중심을 지나는 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 가상의 제2 라인을 기준으로 제1 내지 제4 영역들로 구분되고,
상기 제1 및 제3 영역들은 서로 마주보고, 상기 제2 및 제4 영역들은 서로 마주보는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제2 항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 영역들은 서로 대칭인 평면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제2 항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 영역들은 서로 비대칭인 평면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 기판은,
고분자 필름을 포함하는 제1 베이스층;
상기 제1 베이스층 상에 배치되는 제1 배리어층;
상기 제1 배리어층 상에 배치되고, 고분자 필름을 포함하는 제2 베이스층; 및
상기 제2 베이스층 상에 배치되는 제2 배리어층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서, 상기 제1 화소 영역에 배치된 상기 복수의 화소들의 배열은 상기 제2 화소 영역에 배치된 상기 복수의 화소들의 배열과 동일한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제6 항에 있어서, 상기 복수의 화소들 각각은,
제1 열에 배치되는 청색 서브 화소;
제1 행 및 상기 제1 열에 인접한 제2 열에 배치되는 적색 서브 화소; 및
상기 제1 행에 인접한 제2 행 및 상기 제2 열에 배치되는 녹색 서브 화소를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제7 항에 있어서, 평면 상에서, 상기 청색 서브 화소의 크기는 상기 적색 서브 화소의 크기 및 상기 녹색 서브 화소의 크기와 상이한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제7 항에 있어서, 평면 상에서, 상기 적색 서브 화소, 상기 녹색 서브 화소 및 상기 청색 서브 화소 각각은 직사각형의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 제2 표시 영역의 투과율은 상기 제1 표시 영역의 투과율보다 낮은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 제1 표시 영역에 대응되는 상기 기판의 하부에 배치되는 기능성 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제11 항에 있어서, 상기 기능성 모듈은 카메라 모듈, 얼굴 인식 센서 모듈, 동공 인식 센서 모듈, 가속도 센서 모듈, 근접 센서 모듈, 적외선 센서 모듈 및 조도 센서 모듈 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 화소 영역 및 투과 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상의 상기 화소 영역에 배치되고, 상기 투과 영역과 중첩하는 개구부가 정의되고, 상기 개구부가 곡률 반경이 서로 상이한 인접하는 적어도 두 개의 곡선들을 포함하는 평면 형상을 갖도록 구성된 차광층; 및
상기 차광층 상의 상기 화소 영역에 배치되고, 각각이 발광 소자를 포함하는 복수의 화소들을 포함하는 표시 장치. - 제13 항에 있어서, 평면 상에서, 상기 개구부는 중심을 지나는 제1 방향으로 연장되는 가상의 제1 라인과 중심을 지나는 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되는 가상의 제2 라인을 기준으로 제1 내지 제4 영역들로 구분되고,
상기 제1 및 제3 영역들은 서로 마주보고, 상기 제2 및 제4 영역들은 서로 마주보는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제14 항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 영역들은 서로 대칭인 평면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제14 항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 영역들은 서로 비대칭인 평면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제13 항에 있어서, 상기 기판은,
고분자 필름을 포함하는 제1 베이스층;
상기 제1 베이스층 상에 배치되는 제1 배리어층;
상기 제1 배리어층 상에 배치되고, 고분자 필름을 포함하는 제2 베이스층; 및
상기 제2 베이스층 상에 배치되는 제2 배리어층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서, 상기 복수의 화소들 각각은,
제1 열에 배치되는 청색 서브 화소;
제1 행 및 상기 제1 열에 인접한 제2 열에 배치되는 적색 서브 화소; 및
상기 제1 행에 인접한 제2 행 및 상기 제2 열에 배치되는 녹색 서브 화소를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제18 항에 있어서, 평면 상에서, 상기 청색 서브 화소의 크기는 상기 적색 서브 화소의 크기 및 상기 녹색 서브 화소의 크기와 상이한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제18 항에 있어서, 평면 상에서, 상기 적색 서브 화소, 상기 녹색 서브 화소 및 상기 청색 서브 화소 각각은 직사각형의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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