CN111799304A - 显示装置及制造其的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置及制造其的方法。所述显示装置包括：显示面板，包括开口区域、非显示区域和显示区域，光穿过开口区域，非显示区域包括在开口区域的外围周围的开口外围区域，显示区域包括至少一个像素，显示区域位于开口外围区域的外围周围；光学膜层，设置在显示面板上；以及覆盖窗，设置在光学膜层上。显示面板包括：基体基底；发光结构，设置在基体基底上；平坦化绝缘层，设置在开口外围区域中的基体基底上；以及光阻挡图案，设置在平坦化绝缘层上并且在开口外围区域中。

Description

显示装置及制造其的方法
技术领域
发明构思的实施例涉及一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。更具体地，发明构思的实施例涉及一种能够改善显示质量的显示装置和一种制造该显示装置的方法。
背景技术
与传统的阴极射线管(CRT)显示装置相比，诸如等离子体显示装置、液晶显示装置和有机发光显示装置的平板显示装置具有更小的尺寸、更轻的重量并且使用更小的功率。
作为使显示装置的显示区域扩大的尝试，已经开发了无边框显示装置和具有凹口的显示装置。无边框显示装置可以在显示面板的三个侧上具有极薄的边框，并且在顶侧上具有薄边框以容纳诸如相机的传感器。具有凹口的显示装置可以在显示面板的三个侧上具有薄边框，在顶侧的中间部分中具有用于传感器的厚边框(即，凹口)，并且在顶侧的邻近中间部分的左部分和右部分中具有薄边框。近来，已经开发了具有薄边框的显示装置，该薄边框包括位于显示面板的有效区域中的孔以容纳传感器。然而，与其它类型的显示器相比，具有孔的显示装置可能会使显示质量降低。
发明内容
发明构思的至少一个实施例提供了一种具有改善的显示质量和扩大的显示区域的显示装置。
发明构思的至少一个实施例提供了一种制造该显示装置的方法。
根据发明构思的实施例，显示装置包括显示面板、光学膜层和覆盖窗。显示面板包括开口区域、非显示区域和显示区域，光穿过开口区域，非显示区域包括位于开口区域的外围周围的开口外围区域，显示区域包括至少一个像素。显示区域位于开口外围区域的外围周围。光学膜设置在显示面板上。覆盖窗设置在光学膜层上。显示面板包括：基体基底；发光结构，设置在基体基底上；平坦化绝缘层，设置在开口外围区域中的基体基底上；以及光阻挡图案，设置在平坦化绝缘层上并且在开口外围区域中。
在实施例中，显示装置还包括设置为与开口区域叠置的光学模块。
在实施例中，光阻挡图案包括光致抗蚀剂组合物。
在实施例中，基体基底包括彼此交替地堆叠的至少一个聚酰亚胺层和至少一个阻挡层。
在实施例中，基体基底包括在开口外围区域中位于开口区域的外围周围的凹槽。
在实施例中，光学膜层包括偏振膜层和设置在偏振膜层与覆盖窗之间的粘合剂层。
在实施例中，显示装置还包括坝和薄膜封装层，坝设置在开口外围区域中的基体基底上并且位于开口区域的外围周围，薄膜封装层包括设置在发光结构上的第一无机层、设置在第一无机层上的有机层以及设置在有机层上的第二无机层，其中，有机层设置在显示区域中以及坝和与坝相邻的显示区域之间。
在实施例中，显示面板和光学膜层包括通孔，光学模块包括透镜部分和主体部分，其中，透镜部分的部分设置在通孔中，主体部分设置在显示面板下方。
在实施例中，透镜部分的上表面与覆盖窗之间的距离比光阻挡图案与覆盖窗之间的距离小。
在实施例中，基体基底和光阻挡图案包括孔，光阻挡图案接触孔。
根据发明构思的实施例，一种制造显示装置的方法包括以下步骤：在显示区域中的基体基底上形成薄膜晶体管，其中，基体基底包括开口区域、位于开口区域的外围周围的开口外围区域和位于开口外围区域的外围周围的显示区域；形成电连接到薄膜晶体管的发光结构；在发光结构上形成薄膜封装层；在开口外围区域中的薄膜封装层上形成平坦化层；以及在开口外围区域中的平坦化层上形成光阻挡图案。
在实施例中，形成光阻挡图案的步骤包括以下步骤：通过在平坦化层上涂覆光致抗蚀剂组合物来形成光阻挡图案层；以及对光阻挡图案层进行曝光和显影，以形成光阻挡图案。
在实施例中，光阻挡图案层包括其中未曝光的部分被显影的负型光致抗蚀剂组合物，并且使用具有与开口区域对应的开口的掩模对光阻挡图案层进行曝光。
在实施例中，该方法还包括：在形成光阻挡图案之后，通过去除光阻挡图案的部分、平坦化层的部分、薄膜封装层的部分和基体基底的部分来形成与开口区域对应的孔。
在实施例中，该方法还包括在形成薄膜封装层之前，形成设置在开口外围区域中的基体基底上的坝，以使坝在平面图中位于开口区域的外围周围。
在实施例中，形成薄膜封装层的步骤包括以下步骤：在发光结构和坝上形成第一无机层；在平面图中在坝外部在第一无机层上形成有机层；以及在有机层和第一无机层上形成第二无机层。
在实施例中，该方法还包括在形成薄膜封装层之前，在基体基底上形成凹槽，凹槽在开口外围区域中位于开口区域的外围周围。
在实施例中，形成发光结构的步骤包括以下步骤：形成电连接到薄膜晶体管的第一电极；在第一电极上形成发光层；以及在发光层上形成第二电极。
在实施例中，该方法还包括以下步骤：在光阻挡图案和薄膜封装层上形成光学膜层；以及在光学膜层上形成覆盖窗。
在实施例中，该方法还包括形成光学模块以与开口区域叠置。
根据发明构思的实施例，显示装置包括显示面板、偏振器和覆盖窗。显示面板包括开口区域、非显示区域和显示区域，光穿过开口区域，非显示区域包括在开口区域的外围周围的开口外围区域，显示区域包括至少一个像素。显示区域位于开口外围区域的外围周围。偏振器设置在显示面板上。覆盖窗设置在偏振器上。显示面板包括在开口外围区域中设置在偏振器与显示面板之间的光阻挡图案，光阻挡图案位于开口区域内的开口的外围周围。
在实施例中，显示面板还包括包含主体部分和透镜部分的相机，相机设置在显示面板下方，主体部分设置在开口外围区域内，其中，透镜部分定位在开口区域中。
在实施例中，透镜部分的上表面位于光阻挡图案下方。
在实施例中，透镜部分的上表面位于偏振器上方。
根据本发明构思的至少一个实施例，显示装置包括光阻挡图案。光阻挡图案形成为与显示面板的形成开口区域的孔接触。即使考虑光学模块(例如，光学传感器或相机)与开口区域的孔之间的组装公差，也能够使光阻挡图案与光学模块的透镜部分的边缘之间在平面图中的距离最小化。
另外，光阻挡图案可以形成为与开口外围区域对应。由于最靠近开口外围区域的像素的发光结构与光阻挡图案之间的竖直距离相对小，所以发光范围不受光阻挡图案的限制。因此，能够使光阻挡图案与最靠近的像素的发光结构之间在平面图中的距离最小化。
附图说明
通过参照附图详细地描述发明构思的实施例，发明构思将变得更加明显，在附图中：
图1是示出根据发明构思的实施例的显示装置的显示面板的平面图；
图2是示出图1的显示装置的开口区域和开口外围区域的剖视图；
图3是示出图1的显示装置的像素的剖视图；
图4是示出图1的显示装置的显示面板的开口区域和开口外围区域的剖视图；
图5是示出根据发明构思的实施例的显示装置的开口区域和开口外围区域的剖视图；
图6A至图6E是示出制造图1的显示装置的显示面板的方法的剖视图；
图7是示出根据示例实施例的电子装置的框图；
图8A是示出其中图7的电子装置被实施为电视的示例的图；以及
图8B是示出其中图7的电子装置被实施为智能电话的示例的图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地解释发明构思的实施例。
图1是示出根据发明构思的实施例的显示装置的显示面板10的平面图。图2是示出图1的显示装置的开口区域H和开口外围区域BA的剖视图。
参照图1和图2，显示装置的显示面板10包括显示区域DA、开口区域H以及包括在开口区域H的外围周围的开口外围区域BA的非显示区域。开口外围区域BA可以被显示区域DA围绕。尽管未示出，但是作为其中不显示图像的非显示区域的外围区域可以沿着显示区域DA的一个或更多个边缘形成。例如，可以存在在显示区域DA的外围周围的非常薄的边框。
多个像素PX可以布置在显示区域DA中以显示图像。显示区域DA可以在由第一方向D1和与第一方向D1垂直的第二方向D2形成的平面中具有矩形形状。另外，显示区域DA的拐角可以具有倒圆的形状。像素PX中的每个可以包括用于显示图像的薄膜晶体管(见图3中的TFT)和发光结构(见图3中的180)。
开口区域H可以透射光。例如，在开口区域H中，可以形成穿透显示装置的显示面板10的基体基底100的圆形孔。可选地，由能够透射光的材料形成的透明窗可以形成在开口区域H中。例如，透明窗可以由玻璃或塑料形成。
光学模块CM(例如，光学传感器)可以被设置为与开口区域H叠置。例如，光学模块CM可以包括用于捕捉(或识别)对象的图像的相机模块、用于感测用户的面部的面部识别传感器模块、用于感测用户的瞳孔的瞳孔识别传感器模块、用于确定显示装置的移动的加速度和地磁传感器模块、用于检测对显示装置的接近度的接近度和红外传感器模块以及用于测量亮度的程度的光强度传感器模块。例如，当显示装置被留在口袋或包中时，光强度传感器模块可以检测到亮度的程度已经降低。
在本实施例中，光学模块CM是相机模块(例如，相机)。在实施例中，相机模块包括设置在显示面板10下方的主体部分BD以及设置在开口区域H中且连接到主体部分BD的透镜部分LS。
参照图2，显示装置包括其中形成有像素PX的显示面板10、设置在显示面板10上的覆盖窗230以及设置在显示面板10与覆盖窗230之间的光学膜层。
显示面板10可以包括用于显示图像的多个像素。像素中的每个可以包括薄膜晶体管和发光结构180。
在发明构思的实施例中，显示面板10还包括光阻挡图案BM。在实施例中，光阻挡图案BM的光透射率显著低于显示面板10、光学膜层和覆盖窗230的光透射率。在实施例中，光阻挡图案BM在平面图中的厚度比显示面板10在平面中的厚度小。在实施例中，在平面图中，光阻挡图案BM具有一定程度的环形形状。光阻挡图案BM可以设置在开口外围区域BA中以在开口区域H的外围周围。因为用于显示图像的像素PX没有形成在作为非显示区域的开口外围区域BA中，所以当光阻挡图案BM不存在时，开口外围区域BA中的结构会被用户观看到。因此，光阻挡图案BM可以形成为覆盖所述结构。
在实施例中，光阻挡图案BM形成为与显示面板10的形成开口区域H的孔接触。即使考虑到光学模块CM与开口区域H的孔之间的组装公差，也能够使光阻挡图案BM与光学模块CM的透镜部分LS的边缘之间在平面图中的距离d2最小化。在实施例中，如图2中所示，透镜部分LS延伸到开口区域H中，但是不延伸超过光阻挡图案BM。
另外，光阻挡图案BM形成在显示面板10的最上层上并且设置在光学膜层下方。因此，光阻挡图案BM与光学模块CM的透镜部分LS之间在与光阻挡图案BM垂直的方向(即，与第一方向D1和第二方向D2垂直的方向)上的距离可以比光阻挡图案BM形成为更靠近覆盖窗230的情况小。因此，对透镜部分LS的视角的干扰减小，结果，能够减小开口区域H的尺寸。
光阻挡图案BM可以形成为与开口外围区域BA对应。由于最靠近开口外围区域BA的像素的发光结构180与光阻挡图案BM之间的竖直距离相对小，所以发光范围不受光阻挡图案BM的限制。因此，能够使光阻挡图案BM与最靠近的像素的发光结构180之间在平面图中的距离d1最小化。
在实施例中，光学膜层包括偏振膜层210和粘合剂层220。
偏振膜层210可以包括偏振层和粘合剂层(未示出)。偏振层可以改变透射通过其的光的特性。偏振膜层210可以通过粘合剂层附着到显示面板10。
粘合剂层220可以使覆盖窗230和偏振膜层210彼此结合。粘合剂层220可以包括压敏粘合剂(PSA)、光学透明粘合剂(OCA)和光学透明树脂(OCR)中的至少一种。
覆盖窗230可以设置在粘合剂层220上。覆盖窗230可以由玻璃材料或塑料材料形成，但不限于此。同时，覆盖窗230可以形成为单个层或者可以是其中堆叠有多个功能层的层压件。
光学膜层包括与开口区域H对应的孔。因此，除了覆盖窗230之外，显示面板10和光学膜层具有与开口区域H对应的孔。
图3是示出根据发明构思的实施例的图1的显示装置的像素PX的剖视图。
参照图3，显示面板10包括基体基底100、缓冲层110、有源图案ACT、栅极绝缘层120、栅极图案、层间绝缘层130、数据图案、通孔绝缘层140、像素限定层PDL、发光结构180和薄膜封装层190。
基体基底100可以由透明材料或不透明材料制成。例如，基体基底100可以是石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、掺氟的石英基底、钠钙玻璃基底或无碱非碱玻璃基底。可选地，基体基底100可以由透明树脂基底制成。可以用于基体基底100的透明树脂基底的示例是聚酰亚胺树脂。例如，基体基底100可以具有其中至少一个聚酰亚胺层和至少一个阻挡层交替地堆叠的结构。
缓冲层110可以完全设置在基体基底100上。缓冲层110可以防止金属原子或杂质从基体基底100扩散到有源图案ACT中，并且可以在结晶工艺期间控制热传递速率以形成有源图案ACT，从而获得基本上均匀的有源图案ACT。
薄膜晶体管TFT的有源图案ACT可以设置在缓冲层110上。有源图案ACT可以包括非晶硅或者可以包括多晶硅。在一些实施例中，有源图案ACT可以包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种。有源图案ACT可以包括掺杂有杂质的漏区和源区以及在漏区和源区之间的沟道区。
栅极绝缘层120可以设置在缓冲层110上。栅极绝缘层120可以覆盖缓冲层110上的有源图案ACT并且可以沿着有源图案ACT的轮廓以基本上相同的厚度设置。栅极绝缘层120可以包括硅化合物或金属氧化物。栅极绝缘层120可以由多个层形成。
栅极图案可以设置在栅极绝缘层120上。栅极图案可以包括薄膜晶体管TFT的栅电极GE和诸如扫描线的信号布线。栅电极GE可以与有源图案ACT叠置。例如，栅电极GE可以在平面图中与有源图案ACT叠置，并且栅极绝缘层120的部分设置在栅电极GE与有源图案ACT之间。栅极图案可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料来形成。
层间绝缘层130可以设置在其上设置有栅极图案的栅极绝缘层120上。例如，层间绝缘层130可以充分地覆盖栅极绝缘层120上的栅极图案，并且可以具有基本上平坦的上表面，而不在栅极图案周围形成台阶。可选地，层间绝缘层130可以覆盖栅极绝缘层120上的栅极图案，并且可以沿着栅极图案的轮廓以基本上相同的厚度设置。层间绝缘层130可以由多个层形成。例如，栅电极GE可以设置在层间绝缘层130与栅极绝缘层120之间。
数据图案可以设置在层间绝缘层130上。数据图案可以包括薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE以及诸如数据线的信号布线，其中，薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE通过穿过层间绝缘层130和栅极绝缘层120形成的接触孔连接到有源图案ACT。数据图案可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料形成。
通孔绝缘层140可以设置在其上设置有数据图案的层间绝缘层130上。通孔绝缘层140可以具有单层结构，但不限于此。例如，在可选的实施例中，通孔绝缘层140具有包括至少两个绝缘层的多层结构。通孔绝缘层140可以使用诸如光致抗蚀剂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂或硅氧烷类树脂的有机材料形成。根据其它实施例，通孔绝缘层140可以使用诸如硅化合物、金属或金属氧化物的无机材料形成。
在实施例中，发光结构180包括第一电极181、发光层182和第二电极183。
第一电极181可以设置在通孔绝缘层140上。根据显示装置的发射类型，第一电极181可以包括反射材料或透射材料。例如，第一电极181可以使用诸如铝、包含铝的合金、氮化铝、银、包含银的合金、钨、氮化钨、铜、包含铜的合金、镍、包含镍的合金、铬、氮化铬、钼、包含钼的合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、氧化锶钌、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铟锌等的材料形成。这些材料可以单独使用，或者以它们的组合使用。在示例实施例中，第一电极181可以具有可以包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜的单层结构或多层结构。
像素限定层PDL可以设置在其上设置有第一电极181的通孔绝缘层140上。像素限定层PDL可以使用有机材料形成。例如，像素限定层PDL可以包括光致抗蚀剂、丙烯酰类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等。在一些示例实施例中，可以通过蚀刻像素限定层PDL来形成像素限定层PDL的暴露第一电极181的开口。显示装置的发射区域和非发射区域可以由像素限定层PDL的开口限定。例如，定位有像素限定层PDL的开口的部分可以与发射区域对应，并且非发射区域可以对应于与像素限定层PDL的开口相邻的部分。
发光层182可以设置在通过像素限定层PDL的开口暴露的第一电极181上。另外，发光层182可以在像素限定层PDL的开口的侧壁上延伸。例如，发光层182可以是基本上均匀的但是向上延伸以覆盖像素限定层PDL的左侧和右侧。在一些示例实施例中，发光层182可以包括有机发光层(EL)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等。在一些示例实施例中，除了有机发光层之外，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层可以形成为共同地与多个像素对应。在一些示例实施例中，可以根据显示装置的颜色像素使用用于生成诸如红色光、绿色光和蓝色光的不同颜色的光的发光材料来形成多个有机发光层。在一些示例实施例中，发光层182的有机发光层可以包括用于生成红色光、绿色光和蓝色光的多个堆叠的发光材料，从而发射白色光。这里，发光层182的元件共同地形成以与多个像素对应，并且每个像素可以由滤色器层划分。
第二电极183可以设置在像素限定层PDL和发光层182上。例如，第二电极183可以覆盖像素限定层PDL和发光层182。第二电极183可以根据显示装置的发射类型包括透射材料或反射材料。例如，第二电极183可以使用诸如铝、包含铝的合金、氮化铝、银、包含银的合金、钨、氮化钨、铜、包含铜的合金、镍、包含镍的合金、铬、氮化铬、钼、包含钼的合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、氧化锶钌、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铟锌等的材料形成。这些材料可以单独地使用或者以它们的组合使用。在示例实施例中，第二电极183也可以具有可以包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜的单层结构或多层结构。
薄膜封装层190可以设置在第二电极183上。例如，薄膜封装层190可以覆盖第二电极183。薄膜封装层190可以防止湿气和氧从外部渗透。薄膜封装层190可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。至少一个有机层和至少一个无机层可以彼此交替地堆叠。在本实施例中，薄膜封装层190包括第一无机层191、第二无机层193以及在第一无机层191与第二无机层193之间的有机层192。
在实施例中，显示装置还包括设置在显示面板10上的偏振膜层210、粘合剂层220和覆盖窗230。偏振膜层210可以粘合在薄膜封装层190上。粘合剂层220可以设置在覆盖窗230与偏振膜层210之间，并粘合到覆盖窗230和偏振膜层210。
图4是示出根据发明构思的实施例的图1的显示装置的显示面板10的开口区域H和开口外围区域BA的剖视图。
参照图1至图4，显示面板10包括基体基底100、缓冲层110、坝DAM、薄膜封装层190的第一无机层191和第二无机层193、平坦化层OC以及光阻挡图案BM。
在实施例中，在开口外围区域BA中，在开口区域H的外围周围的多个凹槽TC在平面图中形成在基体基底100中。可以在形成缓冲层110之后通过去除缓冲层110的部分和基体基底100的部分来形成凹槽TC。在实施例中，在平面图中，每个凹槽TC具有环绕开口区域H和一个或更多个其它凹槽TC的一定程度的环形形状。
薄膜封装层190的具有优异台阶覆盖率的第一无机层191和第二无机层193可以沿着凹槽TC的侧表面形成。在这种情况下，能够确保水和氧通过第一无机层191和第二无机层193的长的流入路径和/或裂纹扩展路径。因此，能够提供一种显示装置，该显示装置通过确保湿气、氧和裂纹沿着第一无机层191和第二无机层193流入内部元件的长时间来改善可靠性和稳定性。第一无机层191可以形成在凹槽TC内以部分地填充在凹槽TC中。第二无机层193可以形成在第一无机层191上，并且凹槽TC位于坝DAM与开口区域H之间。
在平面图中位于开口区域H的外围周围的坝DAM可以形成在开口外围区域BA中。坝DAM可以通过控制薄膜封装层190的有机层192的形成位置来防止有机边缘尾的形成。坝DAM可以使用诸如通孔绝缘层140和像素限定层PDL的层形成。在实施例中，坝DAM的剖面具有梯形形状。在实施例中，坝DAM的底侧接触缓冲层110并且第一无机层191覆盖坝DAM的外侧、内侧和顶侧。此外，第二无机层193可以覆盖覆盖坝DAM的第一无机层191的部分。在实施例中，坝DAM设置在一对凹槽TC之间，其中该对凹槽TC中的一个未被第二无机层193覆盖，而该对凹槽TC中的另一凹槽TC被第二无机层193覆盖。在实施例中，在平面图中，坝DAM具有环绕开口区域H和一个或更多个凹槽TC的一定程度的环形形状。
平坦化层OC可以形成在开口外围区域BA中的第二无机层193上，以补偿显示装置的总高度。平坦化层OC可以具有平坦的上表面。
在实施例中，光阻挡图案BM设置在平坦化层OC上。在实施例中，光阻挡图案BM设置在开口外围区域BA中以位于开口区域H的外围周围。光阻挡图案BM可以包括用作光阻挡材料的光致抗蚀剂组合物。例如，光阻挡图案BM可以包括包含粘合剂树脂、可聚合单体、可聚合低聚物、颜料、分散剂或光引发剂的光致抗蚀剂组合物。颜料可以是黑色颜料，或者可以使用黑色树脂。
图5是示出根据发明构思的实施例的显示装置的开口区域H和开口外围区域BA的剖视图。
参照图5，除了光学模块CM的透镜部分LS'的形状之外，显示装置与图1至图4的显示装置基本上相同。因此，省略重复的解释。
显示装置包括显示面板10、覆盖窗230和光学膜层，显示面板10包括发光结构180和光阻挡图案BM，覆盖窗230设置在显示面板10上，光学膜层设置在显示面板10与覆盖窗230之间。光学膜层可以包括偏振膜层210和粘合剂层220。
光学模块CM可以是相机模块。相机模块包括在显示面板10下方的主体部分BD和连接到主体部分BD并设置在开口区域H中的透镜部分LS'。
这里，透镜部分LS'的上表面设置为比光阻挡图案BM高。也就是说，透镜部分LS'的上表面可以设置为比光阻挡图案BM靠近覆盖窗230。因此，透镜部分LS'的视角未被光阻挡图案BM遮挡，使得其中定位有光学模块CM的透镜部分LS'的开口区域H的尺寸能够被最小化。例如，透镜部分LS'可以延伸经过光阻挡图案BM，或者可以延伸经过光阻挡图案BM和偏振膜层210。此外，透镜部分LS'的上表面可以比粘合剂层220的下表面高。例如，透镜部分LS'的上表面与覆盖窗230之间的距离可以比光阻挡图案BM与覆盖窗230之间的距离小。
图6A至图6E是示出根据发明构思的实施例的制造图1的显示装置的显示面板10的方法的剖视图。
参照图6A，在基体基底100上形成缓冲层110。可以在缓冲层110上形成有源图案ACT。可以在其上形成有有源图案ACT的缓冲层110上形成栅极绝缘层120。可以在栅极绝缘层120上形成包括栅电极GE的栅极图案。可以在其上形成有栅极图案的栅极绝缘层120上形成层间绝缘层130。可以在层间绝缘体层130上形成包括源电极SE和漏电极DE的数据图案。可以在其上形成有数据图案的层间绝缘层130上形成通孔绝缘层140。可以在通孔绝缘层140上形成第一电极181。可以在其上形成有第一电极181的通孔绝缘层140上形成像素限定层PDL。可以在第一电极181上形成发光层182。可以在发光层182上形成第二电极183。
在实施例中，通过在开口外围区域BA中去除缓冲层110的部分和基体基底100的部分来形成凹槽TC，这将在稍后描述。例如，可以重复本工艺以形成彼此间隔开的数个凹槽TC。第一对凹槽TC可以间隔开第一距离，并且凹槽TC中的剩余的凹槽TC可以间隔开第二距离，其中第一距离可以比第二距离大以容纳坝DAM。虽然图6A示出了坝DAM与开口区域H之间的两个凹槽TC，但是发明构思不限于此。例如，在可选的实施例中，在坝DAM与开口区域H之间可以不存在凹槽TC、仅存在一个凹槽TC或两个以上凹槽TC。
此外，在开口外围区域BA中形成坝DAM。可以使用诸如通孔绝缘层140和像素限定层PDL的层来形成坝DAM。例如，可以在形成凹槽TC之后形成坝DAM。可以在缓冲层110上在第一对凹槽TC之间形成坝DAM。
参照图6B，在其上形成有第二电极183和坝DAM的基体基底100上形成第一无机层191。第一无机层191可以形成为与基体基底100的整体对应。例如，第一无机层191可以形成为覆盖凹槽TC和坝DAM。例如，第一无机层191可以形成为接触凹槽TC的内部并且接触坝DAM的外侧、内侧和顶侧。
参照图6C，在第一无机层191上形成有机层192。在实施例中，仅在显示区域DA中和坝DAM外部(即，相对于坝DAM朝向显示区域DA)形成有机层192。也就是说，坝DAM可以通过控制有机层192的形成位置来防止有机边缘尾的形成。
随后，在有机层192和第一无机层191上形成第二无机层193。第二无机层193可以形成为与基体基底100的整体对应。例如，可以在显示区域DA与坝DAM之间的有机层192以及第一无机层191的部分上形成第二无机层193，第一无机层191的所述部分覆盖坝DAM和定位在坝DAM与开口区域H之间的凹槽TC。
参照图6D，在第二无机层193上形成平坦化层OC。可以在开口外围区域BA中的第二无机层193上形成平坦化层OC，以补偿显示装置的总高度。也就是说，可以在坝DAM的内部和坝DAM的没有形成有机层192的外围形成平坦化层OC，并且平坦化层OC可以具有平坦的上表面。
参照图6E，在平坦化层OC上形成光阻挡图案BM。在实施例中，光阻挡图案BM形成在开口外围区域BA中并且形成为直到开口区域H的至少部分。
可以通过在平坦化层OC上涂覆光致抗蚀剂组合物、形成光阻挡图案层、然后对光阻挡图案层进行曝光和显影来形成光阻挡图案BM。例如，光阻挡图案层可以由负型光致抗蚀剂组合物形成，其中对未曝光部分进行显影。可以通过使用具有与开口区域H和开口外围区域BA对应的开口的掩模(未示出)对光阻挡图案层进行曝光和显影来形成光阻挡图案BM。
随后，可以切割光阻挡图案BM的部分、平坦化层OC的部分、第二无机层193的部分、第一无机层191的部分、缓冲层110的部分和基体基底100的部分以形成与开口区域H对应的孔(见附图中的虚线)。例如，可以去除光阻挡图案BM的在虚线之后的部分和下面的层以形成孔，因此光学模块CM可以置入到孔中。
因此，可以制造包括栅极绝缘层120、栅极图案、层间绝缘层130、数据图案、通孔绝缘层140、像素限定层PDL、发光结构180、薄膜封装层190、坝DAM和平坦化层OC的显示面板10。
然后，可以通过在显示面板10上形成光学膜层和覆盖窗230来制造显示装置(见图2)。例如，可以形成光学膜层以覆盖显示面板10和光阻挡图案BM，并且可以形成覆盖窗230以覆盖光学膜层。光学膜层的区域可以覆盖第一孔，第一孔被切割穿过光阻挡图案BM的部分、平坦化层OC的部分、第二无机层193的部分、第一无机层191的部分、缓冲层110的部分和基体基底100的部分，并且该区域可以被切割以产生穿过光学膜层的与第一孔重合的第二孔。根据本发明构思的至少一个实施例，能够在没有单独的设计变化的情况下通过形成光阻挡图案BM的工艺来防止开口外围区域BA的结构对用户可见。此外，因为在形成光阻挡图案BM之后形成与开口区域H对应的孔，所以光阻挡图案BM可以被设置为接触该孔。因此，能够使开口区域H的尺寸和开口外围区域BA的尺寸最小化。
图7是示出根据发明构思的实施例的电子装置500的框图。图8A是示出其中图7的电子装置500被实施为电视的示例的图。图8B是示出其中图7的电子装置500被实施为智能电话的示例的图。
参照图7至图8B，电子装置500包括处理器510、存储器装置520、存储装置530、输入/输出(I/O)装置540、电源550和显示装置560。这里，显示装置560可以与图1的显示装置对应。另外，电子装置500还可以包括用于与显卡、声卡、存储卡、通用串行总线(USB)装置、其它电子装置等进行通信的多个端口。在实施例中，如图8A中所示，电子装置500被实施为电视。在另一实施例中，如图8B中所示，电子装置500被实施为智能电话。然而，电子装置500不限于此。例如，电子装置500可以被实施为蜂窝电话、视频电话、智能板、智能手表、平板个人计算机(PC)、车辆导航系统、计算机监视器、膝上型计算机、头戴式显示器(HMD)等。
处理器510可以执行各种计算功能。处理器510可以是微处理器、中央处理单元(CPU)、应用处理器(AP)等。处理器510可以经由地址总线、控制总线、数据总线等结合到其它组件。此外，处理器510可以结合到诸如外围组件互连(PCI)总线的扩展总线。存储器装置520可以存储用于电子装置500的操作的数据。例如，存储器装置520可以包括诸如可擦除可编程只读存储器(EPROM)装置、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)装置、快闪存储器装置、相变随机存取存储器(PRAM)装置、电阻随机存取存储器(RRAM)装置、纳米浮动栅极存储器(NFGM)装置、聚合物随机存取存储器(PoRAM)装置、磁性随机存取存储器(MRAM)装置、铁电随机存取存储器(FRAM)装置等的至少一种非易失性存储器装置，和/或诸如动态随机存取存储器(DRAM)装置、静态随机存取存储器(SRAM)装置、移动DRAM装置等的至少一种易失性存储器装置。存储装置530可以包括固态驱动(SSD)装置、硬盘驱动(HDD)装置、CD-ROM装置等。I/O装置540可以包括诸如键盘、小键盘、鼠标装置、触摸垫、触摸屏等的输入装置和诸如打印机、扬声器等的输出装置。电源550可以为电子装置500的操作提供电力。
显示装置560可以经由总线或其它通信链路结合到其它组件。在发明构思的实施例中，显示装置560被包括在I/O装置540中。
另外，电子装置500的显示装置560可以是其中在显示区域中形成有孔使得如图8A和图8B中所示的光学模块CM(即，相机)设置在该孔中的显示装置。
如上面所描述的，由于显示装置560包括显示面板，显示面板包括基体基底和设置在基体基底上并且在开口外围区域中的平坦化绝缘层(即，平坦化层)以及设置在开口外围区域中并且设置在平坦化绝缘层上的光阻挡图案，所以能够提供其中即使非显示区域减小显示区域也扩大的显示装置。
前述内容是发明构思的说明并且不将被解释为发明构思的限制。尽管已经描述了一些发明构思的实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在实质上不脱离发明构思的情况下，能够对实施例进行许多修改。因此，所有这样的修改旨在被包括在发明构思的范围内。

Claims (24)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括开口区域、非显示区域和显示区域，光穿过所述开口区域，所述非显示区域包括位于所述开口区域的外围周围的开口外围区域，所述显示区域包括至少一个像素，所述显示区域位于所述开口外围区域的外围周围；
光学膜层，设置在所述显示面板上；以及
覆盖窗，设置在所述光学膜层上，
其中，所述显示面板包括：基体基底；发光结构，设置在所述基体基底上；平坦化绝缘层，设置在所述开口外围区域中的所述基体基底上；以及光阻挡图案，设置在所述平坦化绝缘层上并且在所述开口外围区域中。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置为与所述开口区域叠置的光学模块。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光阻挡图案包括光致抗蚀剂组合物。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基体基底包括彼此交替地堆叠的至少一个聚酰亚胺层和至少一个阻挡层。
5.根据权利要求1所述的显示装置，所述基体基底包括在所述开口外围区域中位于所述开口区域的外围周围的凹槽。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光学膜层包括偏振膜层以及设置在所述偏振膜层与所述覆盖窗之间的粘合剂层。
7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
坝，设置在所述开口外围区域中的所述基体基底上，并且位于所述开口区域的外围周围；以及
薄膜封装层，包括设置在所述发光结构上的第一无机层、设置在所述第一无机层上的有机层和设置在所述有机层上的第二无机层，并且
其中，所述有机层设置在所述显示区域中以及所述坝和与所述坝相邻的所述显示区域之间。
8.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述显示面板和所述光学膜层包括通孔，所述光学模块包括透镜部分和主体部分，其中，所述透镜部分的部分设置在所述通孔中，并且所述主体部分设置在所述显示面板下方。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述透镜部分的上表面与所述覆盖窗之间的距离比所述光阻挡图案与所述覆盖窗之间的距离小。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基体基底和所述光阻挡图案包括孔，所述光阻挡图案接触所述孔。
11.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
在显示区域中的基体基底上形成薄膜晶体管，其中，所述基体基底包括开口区域、开口外围区域和显示区域，所述开口外围区域位于所述开口区域的外围周围，所述显示区域位于所述开口外围区域的外围周围；
形成电连接到所述薄膜晶体管的发光结构；
在所述发光结构上形成薄膜封装层；
在所述开口外围区域中的所述薄膜封装层上形成平坦化层；以及
在所述开口外围区域中的所述平坦化层上形成光阻挡图案。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述光阻挡图案的步骤包括以下步骤：
通过在所述平坦化层上涂覆光致抗蚀剂组合物来形成光阻挡图案层；以及
对所述光阻挡图案层进行曝光和显影以形成所述光阻挡图案。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述光阻挡图案层包括其中未曝光的部分被显影的负型光致抗蚀剂组合物，并且
使用具有与所述开口区域对应的开口的掩模来对所述光阻挡图案层进行曝光。
14.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：
在形成所述光阻挡图案之后，通过去除所述光阻挡图案的部分、所述平坦化层的部分、所述薄膜封装层的部分和所述基体基底的部分来形成与所述开口区域对应的孔。
15.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：
在形成所述薄膜封装层之前，形成设置在所述开口外围区域中的所述基体基底上的坝以使所述坝在平面图中位于所述开口区域的外围周围。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述薄膜封装层的步骤包括以下步骤：
在所述发光结构和所述坝上形成第一无机层；
在平面图中，在所述坝外部在所述第一无机层上形成有机层；以及
在所述有机层和所述第一无机层上形成第二无机层。
17.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括：
在形成所述薄膜封装层之前，在所述基体基底上形成凹槽，所述凹槽在所述开口外围区域中位于所述开口区域的外围周围。
18.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述发光结构的步骤包括以下步骤：
形成电连接到所述薄膜晶体管的第一电极；
在所述第一电极上形成发光层；以及
在所述发光层上形成第二电极。
19.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：
在所述光阻挡图案和所述薄膜封装层上形成光学膜层；以及
在所述光学膜层上形成覆盖窗。
20.根据权利要求19所述的方法，所述方法还包括：
形成光学模块以与所述开口区域叠置。
21.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括开口区域、非显示区域和显示区域，光穿过所述开口区域，所述非显示区域包括位于所述开口区域的外围周围的开口外围区域，所述显示区域包括至少一个像素，所述显示区域位于所述开口外围区域的外围周围；
偏振器，设置在所述显示面板上；以及
覆盖窗，设置在所述偏振器上，
其中，所述显示面板包括在所述开口外围区域中设置在所述偏振器与所述显示面板之间的光阻挡图案，所述光阻挡图案位于所述开口区域内的开口的外围周围。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括包含主体部分和透镜部分的相机，所述相机设置在所述显示面板下方，所述主体部分设置在所述开口外围区域内，所述透镜部分定位在所述开口区域中。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述透镜部分的上表面位于所述光阻挡图案下方。
24.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述透镜部分的上表面位于所述偏振器上方。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113421988A (zh) * 2021-06-23 2021-09-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN211180477U (zh) * 2018-12-07 2020-08-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 显示面板及显示装置
CN109742111B (zh) * 2019-01-07 2020-12-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110853497B (zh) * 2019-10-25 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其终端装置
CN113013177B (zh) * 2019-12-20 2024-05-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
US11600800B2 (en) * 2020-07-31 2023-03-07 Innolux Corporation Electronic device having a curved profile interface corresponding to a recess
KR20220063790A (ko) * 2020-11-09 2022-05-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
US11721001B2 (en) 2021-02-16 2023-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Multiple point spread function based image reconstruction for a camera behind a display
US11722796B2 (en) 2021-02-26 2023-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Self-regularizing inverse filter for image deblurring
CN113035928A (zh) * 2021-03-10 2021-06-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及其制备方法
TWI831316B (zh) * 2022-08-02 2024-02-01 敦泰電子股份有限公司 光學指紋感測裝置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08107120A (ja) * 1994-10-06 1996-04-23 Mitsubishi Electric Corp 高周波半導体集積回路装置，及びその製造方法
JP3778256B2 (ja) * 2000-02-28 2006-05-24 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP5877992B2 (ja) * 2010-10-25 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8467177B2 (en) * 2010-10-29 2013-06-18 Apple Inc. Displays with polarizer windows and opaque masking layers for electronic devices
WO2018020368A1 (en) * 2016-07-29 2018-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display method, display device, electronic device, non-temporary memory medium, and program
JP6807223B2 (ja) 2016-11-28 2021-01-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20180063633A (ko) 2016-12-02 2018-06-12 삼성전자주식회사 디스플레이를 포함하는 전자 장치 및 디스플레이의 제조 방법
JP6889064B2 (ja) 2017-08-09 2021-06-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102083315B1 (ko) 2017-09-11 2020-03-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN108540603A (zh) 2018-04-20 2018-09-14 深圳市隆利科技股份有限公司 一种全面屏防漏光手机
CN108881543A (zh) 2018-06-28 2018-11-23 Oppo广东移动通信有限公司 显示组件和电子设备
CN109411519A (zh) 2018-10-23 2019-03-01 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
KR102663324B1 (ko) * 2018-11-01 2024-05-02 엘지디스플레이 주식회사 표시 영역 내에 관통-홀을 구비한 전계 발광 표시장치
KR20200073544A (ko) * 2018-12-14 2020-06-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200082496A (ko) * 2018-12-28 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2020148942A (ja) * 2019-03-14 2020-09-17 シャープ株式会社 画像表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113421988A (zh) * 2021-06-23 2021-09-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

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