KR20240068882A - 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기 - Google Patents

표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기 Download PDF

Info

Publication number
KR20240068882A
KR20240068882A KR1020220148972A KR20220148972A KR20240068882A KR 20240068882 A KR20240068882 A KR 20240068882A KR 1020220148972 A KR1020220148972 A KR 1020220148972A KR 20220148972 A KR20220148972 A KR 20220148972A KR 20240068882 A KR20240068882 A KR 20240068882A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
separator
electrode
disposed
display panel
Prior art date
Application number
KR1020220148972A
Other languages
English (en)
Inventor
이종찬
이진숙
양용호
태승규
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to US18/382,200 priority Critical patent/US20240153925A1/en
Publication of KR20240068882A publication Critical patent/KR20240068882A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 상면 및 하면을 구비하되 상기 상면으로부터 상기 하면을 관통하는 관통홀을 포함하는, 기판과, 상기 기판의 상면 상에 배치되며, 제1전극, 제2전극, 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 중간층을 포함하는 발광다이오드와, 상기 발광다이오드와 상기 기판의 관통홀 사이의 중간영역에 배치되며, 제1층, 상기 제1층 상의 제2층, 상기 제1층의 아래에 배치된 제3층을 포함하되, 상기 제2층의 하면의 폭은 상기 제1층의 상면의 보다 큰, 세퍼레이터 및 상기 세퍼레이터 상에 배치되며, 상기 발광다이오드의 상기 제1전극과 동일한 물질을 포함하는 보호층;을 포함하는, 표시 패널을 개시한다.

Description

표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기 {DISPLAY PANEL AND ELECTRONIC APPARATUS COMPRISING THE SAME}
본 발명의 실시예들은, 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기에 관한 것이다.
근래에 표시 패널은 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 패널의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 패널 중 표시영역이 차지하는 면적을 확대하면서, 표시 패널에 접목 또는 연계하는 다양한 기능들이 추가되고 있다. 면적을 확대하면서 다양한 기능을 추가하기 위한 방안으로서 표시영역 중 일부를 이미지를 표현하는 기능 이외의 기능을 위해 사용하는 연구가 계속되고 있다.
본 발명의 실시예들은, 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상면 및 하면을 구비하되 상기 상면으로부터 상기 하면을 관통하는 관통홀을 포함하는, 기판; 상기 기판의 상면 상에 배치되며, 제1전극, 제2전극, 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 중간층을 포함하는 발광다이오드; 상기 발광다이오드와 상기 기판의 관통홀 사이의 중간영역에 배치되며, 제1층, 상기 제1층 상의 제2층, 상기 제1층의 아래에 배치된 제3층을 포함하되, 상기 제2층의 하면의 폭은 상기 제1층의 상면의 보다 큰, 세퍼레이터; 및 상기 세퍼레이터 상에 배치되며, 상기 발광다이오드의 상기 제1전극과 동일한 물질을 포함하는 보호층;을 포함하는, 표시 패널을 개시한다.
상기 중간층에 포함된 기능층은, 상기 중간영역으로 연장되되 상기 중간영역에 위치하며 서로 분리된 복수의 부분들을 포함하며, 상기 기능층의 상기 복수의 부분들은, 상기 세퍼레이터 및 상기 보호층과 중첩하는 제1부분; 상기 제1부분과 분리된 제2부분;을 포함하며, 상기 기판의 상면으로부터 상기 기능층의 상기 제1부분까지의 수직거리는 상기 기판의 상면으로부터 상기 기능층의 상기 제2부분까지의 수직거리 보다 클 수 있다.
상기 발광다이오드의 상기 제2전극은, 상기 중간영역으로 연장되되 상기 중간영역에 위치하며 서로 분리된 복수의 부분들을 포함하며, 상기 제2전극의 상기 복수의 부분들은, 상기 세퍼레이터 및 상기 보호층과 중첩하는 제1부분; 상기 제1부분과 분리된 제2부분;을 포함하며, 상기 기판의 상면으로부터 상기 제2전극의 상기 제1부분까지의 수직거리는 상기 기판의 상면으로부터 상기 제2전극의 상기 제2부분까지의 수직거리 보다 클 수 있다..
상기 보호층은 상기 세퍼레이터의 상기 제2층의 상면 및 측면을 커버할 수있다.
상기 보호층은 상기 세퍼레이터의 상기 제2층의 하면의 일부, 상기 제1층의 측면, 및 상기 제3층의 상면의 일부를 연속적으로 커버하도록 연장될 수 있다.
상기 세퍼레이터의 상기 제2층의 상기 상면 상에 배치된 상기 보호층의 제1부분의 두께는, 상기 세퍼레이터의 상기 제2층의 상기 하면 상에 배치된 상기 보호층의 제2부분의 두께 보다 클 수 있다.
상기 세퍼레이터 아래의 절연층을 더 포함하고, 상기 보호층은 상기 세퍼레이터의 상기 제3층의 측면과 중첩한 채 상기 절연층의 상면의 일부와 직접 접촉할 수 있다.
상기 발광다이오드 상에 배치되며, 무기봉지층 및 유기봉지층을 포함하는 봉지층; 및 상기 중간영역에 위치하는 격벽;을 더 포함할 수 있다.
상기 세퍼레이터는 상기 발광다이오드와 상기 격벽 사이에 배치되고, 상기 유기봉지층은 상기 세퍼레이터에 중첩할 수 있다.
상기 세퍼레이터는 상기 격벽과 상기 기판의 상기 관통홀 사이에 배치되고,
상기 무기봉지층은, 상기 세퍼레이터 상에서 서로 접촉하는 제1무기봉지층 및 제2무기봉지층을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 투과영역 및 투과영역을 둘러싸는 표시영역을 포함하는 표시 패널; 및 상기 표시 패널의 상기 투과영역에 중첩하여 배치되는 컴포넌트를 포함하는 전자 기기이며, 전자 기기의 상기 표시 패널은, 상기 투과영역에 해당하는 관통홀을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 제1전극, 제2전극, 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 중간층을 포함하는 발광다이오드; 상기 발광다이오드와 상기 기판의 관통홀 사이의 중간영역에 배치되며, 제1층, 상기 제1층 상의 제2층, 상기 제1층의 아래에 배치된 제3층을 포함하되, 상기 제2층의 하면의 폭은 상기 제1층의 상면의 보다 큰, 세퍼레이터; 및 상기 세퍼레이터 상에 배치되며, 상기 발광다이오드의 상기 제1전극과 동일한 물질을 포함하는 보호층;을 포함할 수 있다.
상기 중간층에 포함된 기능층 및 제2전극은 각각, 상기 중간영역으로 연장되되 상기 중간영역에 위치하며 서로 분리된 복수의 부분들을 포함하며, 상기 기능층의 상기 복수의 부분들은, 상기 세퍼레이터 및 상기 보호층과 중첩하는 제1부분;상기 제1부분과 분리된 제2부분;을 포함할 수 있다.
상기 보호층은 상기 세퍼레이터의 상기 제2층의 상면 및 측면을 커버할 수있다.
상기 보호층은, 상기 세퍼레이터의 상기 제2층의 하면의 일부, 상기 제1층의 측면, 및 상기 제3층의 상면의 일부를 연속적으로 커버하도록 연장될 수 있다.
상기 세퍼레이터의 상기 제2층의 상기 상면 상에 배치된 상기 보호층의 제1부분의 두께는, 상기 세퍼레이터의 상기 제2층의 상기 하면 상에 배치된 상기 보호층의 제2부분의 두께 보다 클 수 있다.
상기 표시 패널은 상기 세퍼레이터 아래의 절연층을 더 포함하고, 상기 보호층은 상기 세퍼레이터의 상기 제3층의 측면과 중첩한 채 상기 절연층의 상면의 일부와 직접 접촉할 수 있다.
상기 표시 패널은, 상기 발광다이오드 상에 배치되며, 무기봉지층 및 유기봉지층을 포함하는 봉지층; 및 상기 중간영역에 위치하는 격벽;을 더 포함할 수 있다.
상기 세퍼레이터는 상기 발광다이오드와 상기 격벽 사이에 배치되고, 상기 유기봉지층은 상기 세퍼레이터에 중첩할 수 있다.
상기 세퍼레이터는 상기 격벽과 상기 기판의 상기 관통홀 사이에 배치되고,상기 무기봉지층은, 상기 세퍼레이터 상에서 서로 접촉하는 제1무기봉지층 및 제2무기봉지층을 포함할 수 있다.
상기 컴포넌트는 카메라 또는 센서를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 처마구조를 갖는 세퍼레이터의 구조를 보호할 수 있으며, 발광다이오드를 형성하는 공정을 이용하여 보호층을 형성하기에 공정의 추가 없이 보호층을 형성할 수 있다. 또한, 보호층이 도전성 물질을 포함하기에 세퍼레이터를 효과적으로 보호할 수 있다. 이러한 효과는 예시적인 것으로, 전술한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 패널을 간략하게 나타낸 단면도로서 도 1의 II-II'선에 따른 단면을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 표시 패널의 일부를 발췌하여 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 단면도로서, 도 3의 III-III'선에 따른 단면도에 해당할 수 있다.
도 5는 도 4의 V부분에 해당하는 세퍼레이터를 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 단면도로서, 도 3의 III-III'선에 따른 단면도에 해당할 수 있다.
도 7는 도 6의 VI부분에 해당하는 세퍼레이터를 나타낸 단면도이다.
도 8, 도 9, 도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 공정 중 세퍼레이터를 형성하는 공정을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 공정 중 세퍼레이터를 형성하는 공정을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
본 명세서에서 “A 및/또는 B”은 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우, 또는/및 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우, 및/또는 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우를 나타낸다.
x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 전자 기기(1)는 동영상이나 정지영상을 표시하는 장치로서, 모바일 폰(mobile phone), 스마트 폰(smart phone), 태블릿 PC(tablet personal computer), 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(portable multimedia player), 내비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자 기기뿐만 아니라, 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷(internet of things, IOT) 등의 다양한 제품의 표시 화면으로 사용될 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 전자 기기(1)는 스마트 워치(smart watch), 워치 폰(watch phone), 안경형 디스플레이, 및 헤드 장착형 디스플레이(head mounted display, HMD)와 같이 웨어러블 장치(wearable device)에 사용될 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 전자 기기(1)는 자동차의 계기판, 및 자동차의 센터페시아(center fascia) 또는 대쉬보드에 배치된 CID(Center Information Display), 자동차의 사이드 미러를 대신하는 룸 미러 디스플레이(room mirror display), 자동차의 뒷좌석용 엔터테인먼트로, 앞좌석의 배면에 배치되는 디스플레이로 사용될 수 있다. 전술한 전자 기기는 휠 수 있거나(bendable), 접을 수 있거나(foldable), 돌돌 말 수(rollable) 있다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 일 실시예에 따른 전자 기기(1)가 스마트 폰으로 사용되는 것을 도시한다.
전자 기기(1)는 평면상 직사각형 형태로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 전자 기기(1)는 도 1과 같이 x방향의 단변과 y방향의 장변을 갖는 직사각형의 평면 형태를 가질 수 있다. x방향의 단변과 y방향의 장변이 만나는 모서리는 소정의 곡률을 갖도록 둥글게 형성되거나 직각으로 형성될 수 있다. 전자 기기(1)의 평면 형태는 직사각형에 한정되지 않고, 다른 다각형, 타원형, 또는 비정형 형상으로 형성될 수 있다.
전자 기기(1)는 투과영역(TA, 또는 제1영역) 및 투과영역(TA)을 적어도 부분적으로 둘러싸는 표시영역(DA, 또는 제2영역)을 포함할 수 있다. 전자 기기(1)는 투과영역(TA)과 표시영역(DA) 사이에 위치하는 중간영역(IA) 및 표시영역(DA)의 외측을 둘러싸는 외곽영역(PA)을 포함할 수 있다. 중간영역(IA) 및 외곽영역(PA)은 은 각각 빛을 방출하지 않는 비표시영역에 해당할 수 있다.
투과영역(TA)은 표시영역(DA)의 내측에 위치할 수 있다. 일 실시예로, 투과영역(TA)은 도 1에 도시된 바와 같이 표시영역(DA)의 상측 중앙에 배치될 수 있다. 또는, 투과영역(TA)은 표시영역(DA)의 중심에 배치되거나 좌상측에 배치되거나 우상측에 배치되는 것과 같이 다양한 위치에 배치될 수 있다. 본 명세서의 평면도 상에서 "좌", "우", "상", "하"는 전자 기기(1)의 수직한 방향에서 전자 기기(1)를 바라보았을 때의 방향을 가리킨다. 예를 들어, "좌"는 -x 방향, "우"는 +x 방향, "상"은 +y 방향, "하"는 -y 방향을 가리킨다. 도 1a 및 도 1b에서는 투과영역(TA)이 하나 배치된 것을 도시하나, 다른 실시예로서 투과영역(TA)은 복수 개 구비될 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 패널을 간략하게 나타낸 단면도로서 도 1의 II-II'선에 따른 단면을 나타낸다.
도 2를 참조하면, 전자 기기(1)는 표시 패널(10) 및 표시 패널(10)의 투과영역(TA)에 배치되는 컴포넌트(70)를 포함할 수 있다. 표시 패널(10) 및 컴포넌트(70)는 하우징(HS)에 수용될 수 있다.
표시 패널(10)은 기판(100), 표시층(200), 봉지층(300), 입력감지층(400), 광학 기능층(500), 및 커버 윈도우(600)를 포함할 수 있다.
표시층(200)은 이미지를 표시하기 위하여 빛을 방출하는 발광요소들(예컨대, 발광다이오드드들) 및 발광요소들에 전기적으로 연결되며 트랜지스터들을 포함하는 회로요소들을 포함할 수 있다.
봉지층(300)은 표시층(200)의 발광요소들을 밀봉할 수 있다. 일 실시예로 봉지층(300)은 무기봉지층 및 유기봉지층을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 봉지층(300)은 표시 패널(10)에 포함된 기판과 대향하며 실질적으로 동일한 물질을 포함하는 밀봉기판을 포함할 수 잇다.
입력감지층(400)은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 입력감지층(400)은 감지전극(sensing electrode 또는 touch electrode) 및 감지전극과 연결된 신호라인(trace line)들을 포함할 수 있다. 입력감지층(400)은 표시층(200) 위에 배치될 수 있다. 입력감지층(400)은 뮤추얼 캡 방식 또는/및 셀프 캡 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.
입력감지층(400)은 표시층(200) 상에 직접 형성되거나, 별도로 형성된 후 광학 투명 점착제와 같은 점착층을 통해 결합될 수 있다. 예컨대, 입력감지층(400)은 표시층(200)을 형성하는 공정 이후에 연속적으로 이뤄질 수 있으며, 이 경우 점착층은 입력감지층(400)과 표시층(200) 사이에 개재되지 않을 수 있다. 도 2에는 입력감지층(400)이 표시층(200)과 광학 기능층(500) 사이에 개재된 것을 도시하지만, 다른 실시예로서 입력감지층(400)은 광학 기능층(500) 위에 배치될 수 있다.
광학 기능층(500)은 반사 방지층을 포함할 수 있다. 반사 방지층은 커버 윈도우(600)를 통해 외부에서 표시 패널(10)을 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있다. 반사 방지층은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 반사 방지층은 블랙매트릭스와 컬러필터들을 포함할 수 있다. 컬러필터들은 표시층(200)의 발광다이오드들 각각에서 방출되는 빛의 색상을 고려하여 배열될 수 있다. 또 다른 실시예로, 반사 방지층은 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1반사층과 제2반사층을 포함할 있다. 제1반사층 및 제2반사층에서 각각 반사된 제1반사광과 제2반사광은 상쇄 간섭될 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소될 수 있다.
광학 기능층(500)은 렌즈층을 포함할 수 있다. 렌즈층은 표시층(200)에서 방출되는 빛의 출광 효율을 향상시키거나, 색편차를 줄일 수 있다. 렌즈층은 오목하거나 볼록한 렌즈 형상을 가지는 층을 포함하거나, 또는/및 굴절률이 서로 다른 복수의 층을 포함할 수 있다. 광학 기능층(500)은 전술한 반사 방지층 및 렌즈층을 모두 포함하거나, 이들 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
기판(100), 표시층(200), 봉지층(300), 입력감지층(400), 및 광학 기능층(500)이 중에서 선택된 적어도 어느 하나는 관통홀을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 도 2는 기판(100), 표시층(200), 봉지층(300), 입력감지층(400), 및 광학 기능층(500) 각각이 제1 내지 제5관통홀(100H, 200H, 300H, 400H, 500H)를 포함하는 것을 도시한다. 제1 내지 제5관통홀(100H, 200H, 300H, 400H, 500H)은 투과영역(TA)에서 서로 중첩할 수 있다.
제1관통홀(100H)은 기판(100)의 상면으로부터 하면을 관통할 수 있고, 제2관통홀(200H)은 표시층(200)의 상면으로부터 하면을 관통할 수 있다. 제3관통홀(300H)은 봉지층(300)의 상면으로부터 하면을 관통할 수 있고, 제4관통홀(400H)은 입력감지층(400)의 상면으로부터 하면을 관통할 수 있다. 제5관통홀(500H)은 광학 기능층(500)의 상면으로부터 하면을 관통하는 관통홀일 수 있다. 제1 내지 제5관통홀(100H, 200H, 300H, 400H, 500H)는 투과영역(TA)에 서로 중첩하도록 위치할 수 있다. 제1 내지 제5관통홀(100H, 200H, 300H, 400H, 500H)의 크기(또는 직경)은 서로 같거나 서로 다를 수 있다.
커버 윈도우(600)는 광학 기능층(500) 상에 배치될 수 있다. 커버 윈도우(600)는 광학 기능층(500)과의 사이에 개재된 투명 광학 투명 점착제(OCA, optical clear adhesive)와 같은 점착층을 통해 결합될 수 있다.
커버 윈도우(600)는 글래스재 또는 플라스틱재를 포함할 수 있다. 예컨대, 커버 윈도우(600)는 초박형 글래스(ultra-thin glass) 윈도우를 포함할 수 있다. 예컨대, 커버 윈도우(600)는 폴리에테르술폰, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이드, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 등을 포함할 수 있다.
투과영역(TA)은 전자 기기(1)에 다양한 기능을 부가하기 위한 컴포넌트(70)가 위치하는 일종의 컴포넌트 영역(예, 센서 영역, 카메라 영역, 스피커 영역 등)일 수 있다. 컴포넌트(70)는 기판(100)의 제1관통홀(100H)과 중첩하도록 표시 패널(10) 아래에 배치될 수 있다. 예컨대, 컴포넌트(70)는 기판(100)의 하면 상에 배치될 수 있다.
컴포넌트(70)는 전자요소를 포함할 수 있다. 예컨대, 컴포넌트(70)는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예컨대, 전자요소는 적외선 센서와 같이 빛을 이용하는 센서, 빛을 수광하여 이미지를 촬상하는 카메라, 빛이나 음향을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문 등을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 소리를 출력하는 스피커 등을 포함할 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소는, 가시광, 적외선광, 자외선광 등과 같이 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 컴포넌트(70)로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 컴포넌트(70)를 향해 진행하는 빛 또는/및 음향은 투과영역(TA)을 통해 이동할 수 있다.
다른 실시예로, 전자 기기(1)가 스마트 워치나 차량용 계기판으로 이용되는 경우, 컴포넌트(70)는 시계 바늘이나 소정의 정보(예, 차량 속도 등)를 지시하는 바늘 등을 포함하는 부재일 수 있다. 이 경우, 바늘과 같은 컴포넌트(70)가 외부로 노출될 수 있도록 커버 윈도우(600)는 도 2에 도시된 것과 달리 투과영역(TA)에 위치하는 개구를 포함할 수 있다. 또는, 전자 기기(1)가 스피커와 같은 컴포넌트(70)를 포함하는 경우에도 커버 윈도우(600)는 투과영역(TA)에 대응하는 개구를 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명의 표시 패널의 일부를 발췌하여 나타낸 평면도이다. 도 3은 표시 패널(10)의 투과영역(TA), 투과영역(TA)을 둘러싸는 중간영역(IA), 및 중간영역(IA)을 둘러싸는 표시영역(DA)을 나타낸다.
도 3을 참조하면, 부화소(P)들이 표시영역(DA)에 배치되며, 투과영역(TA)과 표시영역(DA) 사이에는 중간영역(IA)이 위치할 수 있다. 부화소(P)들은 표시영역(DA)에서 투과영역(TA) 및 중간영역(IA)을 둘러싸도록 배열될 수 있다.
부화소(P)는 빛이 방출되는 최소면적으로서, 적색, 녹색, 또는 청색의 빛이 방출되는 영역이며, 발광요소, 예컨대 발광다이오드(LED)를 통해 빛이 방출될 수 있다. 부화소(P)의 위치는 발광다이오드(LED)의 위치에 해당할 수 있다. 부화소(P)가 표시영역(DA)에 배치되었다고 함은, 발광다이오드(LED)가 표시영역(DA)에 배치된 것을 나타낼 수 있다.
투과영역(TA)에 인접한 부화소(P)들 및/또는 발광다이오드(LED)들은 평면상에서 투과영역(TA)을 중심으로 상호 이격되어 배치될 수 있다. 부화소(P)들 및/또는 발광다이오드(LED)들은 투과영역(TA)을 중심으로 상하로 이격되어 배치되거나, 투과영역(TA)을 중심으로 좌우로 이격되어 배치될 수 있다.
중간영역(IA)에는 세퍼레이터(SP)들이 상호 이격되어 배열될 수 있다. 각각의 세퍼레이터(SP)들은 평면 상에서(예컨대, 기판의 상면에 수직한 방향에서 보았을 때), 폐루프 형상을 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 세퍼레이터(SP)들은 도 3에 도시된 바와 같이 동심원을 이루도록 배열될 수 있다.
격벽(PW)은 중간영역(IA)에 배치될 수 있다. 격벽(PW)은 평면상에서 폐루프 형상을 가질 수 있다. 격벽(PW)은 이웃한 두 개의 세퍼레이터(SP)들 사이에 위치할 수 있다.
세퍼레이터(SP)는 표시영역(DA)과 격벽(PW) 사이에 및/또는 격벽(PW)과 투과영역(TA) 사이에 위치할 수 있다. 일부 실시예로서, 도 3은 표시영역(DA)과 격벽(PW) 사이에 두 개의 세퍼레이터(SP)가 위치하고, 격벽(PW)과 투과영역(TA) 사이에 두 개의 세퍼레이터(SP)가 위치하는 것을 도시하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로 표시영역(DA)과 격벽(PW) 사이에 하나의 세퍼레이터(SP)가 배치되거나 세 개 이상의 세퍼레이터(SP)들이 배치될 수 있다. 격벽(PW)과 투과영역(TA) 사이에 하나의 세퍼레이터(SP)가 배치되거나 세 개 이상의 세퍼레이터(SP)들이 배치될 수 있다.
표시 패널(10)의 기판은 투과영역(TA)에 해당하는 제1관통홀(100H)을 포함하기에, 본 명세서에서 투과영역(TA)은 제1관통홀(100H)을 지칭하는 것으로 볼 수 있다. 예컨대, 세퍼레이터(SP)가 격벽(PW)과 투과영역(TA) 사이에 위치한다고 함은, 세퍼레이터(SP)가 격벽(PW)과 제1관통홀(100H) 사이에 위치하는 것을 나타낼 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 단면도로서, 도 3의 III-III'선에 따른 단면도에 해당할 수 있으며, 도 5는 도 4의 IV부분에 해당하는 세퍼레이터를 나타낸 단면도이다. 도 5는 표시영역(DA)과 격벽(PW) 사이의 세퍼레이터(SP)의 구조를 설명하고 있으나, 격벽(PW)과 투과영역(TA)의 사이의 세퍼레이터(SP)도 동일한 구조를 가질 수 있다.
도 4를 참조하면, 표시 패널(10)은 표시영역(DA), 투과영역(TA) 및 이들 사이의 중간영역(IA)을 포함할 수 있다. 표시 패널(10)의 기판(100)은 기판(100)의 상면으로부터 하면을 지나고 투과영역(TA)에 위치하는 제1관통홀(100H)을 포함할 수 있다.
도 4의 표시영역(DA)을 참조하면, 기판(100) 상에 부화소회로(PC)가 배치되고, 부화소회로(PC) 상에 발광다이오드(LED)가 배치될 수 있다.
기판(100)은 글래스재 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 고분자 수지는 폴리에테르술폰, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이드, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 등을 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 플렉서블, 롤러블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다. 기판(100)은 전술한 고분자 수지를 포함하는 층 및 무기층(미도시)을 포함하는 다층 구조일 수 있다.
버퍼층(110)은 기판(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(110)은 불순물이 트랜지스터의 반도체층으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 버퍼층(110)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 및 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
부화소회로(PC)는 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 부화소회로(PC)는 복수의 트랜지스터들 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있으며, 이와 관련하여 도 4는 트랜지스터(TFT)를 도시한다.
트랜지스터(TFT)는 버퍼층(110) 상의 반도체층(Act) 및 반도체층(Act)의 채널영역과 중첩하는 게이트전극(GE)을 포함할 수 있다. 반도체층(Act)은 실리콘계 반도체물질, 예컨대 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 반도체층(Act)은 채널영역과 채널영역의 양측에 배치된 불순물 영역들을 포함할 수 있다. 채널영역의 양측에 배치된 불순물 영역 중 어느 하나는 소스영역이고 다른 하나는 드레인영역에 해당할 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이에는 제1게이트절연층(130)이 배치될 수 있다. 제1게이트절연층(130)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드와 같은 무기절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기절연물을 포함하는 단일층 또는 다층 구조를 포함할 수 있다.
게이트전극(GE)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 전술한 물질을 포함하는 단일층 또는 다층 구조를 포함할 수 있다.
제1층간절연층(140)은 게이트전극(GE) 상에 배치될 수 있다. 제1층간절연층(140)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드와 같은 무기절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기절연물을 포함하는 단일층 또는 다층 구조를 포함할 수 있다.
소스전극(SE) 및/또는 드레인전극(DE)은 제1층간절연층(140) 상에 배치될 수 있다. 소스전극(SE) 및/또는 드레인전극(DE)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및/또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.
제2층간절연층(150)은 트랜지스터(TFT) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 제2층간절연층(150)은 소스전극(SE) 및/또는 드레인전극(DE) 상에 배치될 수 있다. 제2층간절연층(150)은 무기절연물 및/또는 유기절연물을 포함할 수 있다. 유기절연물은 아크릴, BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide) 또는 HMDSO(Hexamethyldisiloxane) 등을 포함할 수 있다.
접속금속층(CM)은 제2층간절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 접속금속층(CM)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및/또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.
유기절연층(160)은 접속금속층(CM) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 유기절연층(160)은 아크릴, BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide) 또는 HMDSO(Hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기절연물을 포함할 수 있다.
발광다이오드(LED)는 제1전극(210), 제1전극(210) 상의 중간층(220), 및 중간층(220) 상의 제2전극(230)을 포함할 수 있다. 제1전극(210)은 유기절연층(160) 상에 배치될 수 있다. 도 4는 제1전극(210)이 유기절연층(160)의 콘택홀을 통해 접속금속층(CM)에 전기적으로 연결되고 접속금속층(CM)이 부화소회로(PC)에 전기적으로 연결된 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로서 접속금속층(CM)은 생략될 수 있으며, 이 경우 제1전극(210)은 유기절연층(160)의 콘택홀을 통해 부화소회로(PC)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1전극(210)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1전극(210)은 전술한 반사막의 위 및/또는 아래에 도전성 산화물층을 더 포함할 수 있다. 도전성 산화물층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및/또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1전극(210)은 ITO층/Ag층/ ITO층의 3층 구조를 가질 수 있다.
제1전극(210)의 에지는 뱅크층(170)에 중첩할 수 있다. 뱅크층(170)은 제1전극(210)의 일부에 중첩하는 발광개구를 포함할 수 있다. 뱅크층(170)은 유기절연물을 포함할 수 있다. 일부 실시예로서, 뱅크층(170)은 차광성 물질을 포함할 수 있다.
중간층(220)은 뱅크층(170)의 발광개구를 통해 제1전극(210)과 중첩하는 발광층(222)을 포함할 수 있다. 발광층(222)은 적색, 녹색, 또는 청색의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로서, 발광층(222)은 무기물 또는 양자점을 포함할 수 있다.
중간층(220)은 제1기능층(221) 및/또는 제2기능층(223)을 포함할 수 있다. 제1기능층(221)은 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer) 및/또는 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2기능층(223)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
제2전극(230)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제2전극(230)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 제2전극(230)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
봉지층(300)은 발광다이오드(LED) 상에 배치되며 발광다이오드(LED)를 밀봉할 수 있다. 봉지층(300)은 무기봉지층 및 유기봉지층을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 도 4는 봉지층(300)이 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 이들 사이에 개재된 유기봉지층(320)을 포함하는 것을 도시한다.
제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다. 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층일 수 있다.
유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 유기봉지층(320)은 아크릴레이트(acrylate)를 포함할 수 있다.
도 4의 중간영역(IA)을 참조하면, 표시영역(DA)의 버퍼층(110), 제1게이트절연층(130), 및 제1층간절연층(140)은 기판(100)의 제1관통홀(100H)을 향해 연장될 수 있다. 다르게 말하면, 버퍼층(110), 제1게이트절연층(130), 및 제1층간절연층(140)은 표시영역(DA) 및 중간영역(IA)에 위치할 수 있다. 예컨대, 투과영역(TA)을 향하는 버퍼층(110), 제1게이트절연층(130), 및 제1층간절연층(140) 각각의 에지는 제1관통홀(100H)을 정의하는 기판(100)의 에지와 실질적으로 동일한 수직선 상에 위치할 수 있다.
제2층간절연층(150)의 에지 및 유기절연층(160)의 에지는 중간영역(IA)에 위치할 수 있다. 예컨대, 제2층간절연층(150)의 에지 및 유기절연층(160)의 에지는 중간영역(IA)에 배치된 세퍼레이터(SP)들 중에서 가장 표시영역(DA)에 가까이 배치된 세퍼레이터(SP)와 표시영역(DA) 사이에 위치할 수 있다.
유기절연층(160)의 에지와 기판(100)의 제1관통홀(100H) 사이에서 (또는 중간영역(IA)에서) 세퍼레이터(SP)들은 상호 이격될 수 있다. 유기절연층(160)의 에지와 기판(100)의 제1관통홀(100H) 사이에서 세퍼레이터(SP)들은 무기절연층 상에 배치될 수 있다. 이와 관련하여 도 4는 세퍼레이터(SP)들이 제1층간절연층(140) 상에 배치된 것을 도시한다.
세퍼레이터(SP)는 도 5에 도시된 바와 같이 제1층(L1), 제1층(L1) 상의 제2층(L2), 및 제1층(L1) 아래의 제3층(L3)을 포함할 수 있다. 제1층(L1), 제2층(L2), 및 제3층(L3)은 각각 도전성 물질을 포함할 수 있다. 제1층(L1)은 제2층(L2) 및/또는 제3층(L3)에 포함된 도전성 물질과 다른 도전성 물질을 포함할 수 있다.
일부 실시예로서, 제1층(L1)은 금속을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1층(L1)은구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 및 몰리브데넘(Mo)에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2층(L2) 및/또는 제3층(L3)은 금속 및/또는 투명도전성산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 제2층(L2) 및/또는 제3층(L3)은 티타늄(Ti), 몰리브데넘(Mo), 및 텅스텐(W)에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다른 실시예로서, 제2층(L2) 및/또는 제3층(L3)은 인듐주석산화물(ITO, Indium tin oxide)와 같은 투명도전성산화물(TCO, Transparent Conductive Oxide)을 포함할 수 있다.
제1층(L1)의 두께(Lt1)는 제2층(L2)의 두께(Lt2) 및/또는 제3층(L3)의 두께(Lt3) 보다 클 수 있다. 예컨대, 제1층(L1)의 두께(Lt1)는 제2층(L2)의 두께(Lt2)의 약 10배 내지 약 20배일 수 있다.
일부 실시예로서, 세퍼레이터(SP)는 도 4를 참조하여 설명한 소스전극(SE), 드레인전극(DE), 또는 접속금속층(CM) 중 어느 하나와 동일한 공정에서 함께 형성될 수 있다. 세퍼레이터(SP)가 제1 내지 제3층(L1, L2, L3)의 3층 구조인 경우, 소스전극(SE), 드레인전극(DE), 또는 접속금속층(CM)도 3층 구조일 수 있다.
세퍼레이터(SP)는 팁(PT)을 갖는 단면 구조를 포함할 수 있다. 예컨대, 세퍼레이터(SP)의 제2층(L2)의 하면의 폭은 제1층(L1)의 상면의 폭 보다 클 수 있다. 제1층(L1)의 상면과 측면이 만나는 지점으로부터 폭 방향을 따라 돌출된 제2층(L2)의 일부는 팁(PT)을 형성할 수 있으며, 팁(PT)에 의해 세퍼레이터(SP)는 처마 구조(또는 언더컷 구조)를 가질 수 있다. 일부 실시예로서, 팁(PT)은 세퍼레이터(SP)의 양 측에 각각 배치될 수 있다. 팁(PT)에 의한 세퍼레이터(SP)의 처마 구조에 의해 앞서 설명한 바와 같이 제1기능층(221), 제2기능층(223), 및/또는 제2전극(230)은 중간영역(IA)에서 분리된 부분들을 포함할 수 있다.
보호층(PL)은 세퍼레이터(SP) 상에 배치될 수 있다. 보호층(PL)은 세퍼레이터(SP)의 제2층(L2)의 상면과 측면을 커버할 수 있으며, 세퍼레이터(SP)의 제2층(L2)의 상면 및 측면에 직접 접촉할 수 있다.
보호층(PL)은 세퍼레이터(SP)의 팁(PT)을 커버할 수 있다. 예컨대, 보호층(PL)은 팁(PT)의 상면과 측면을 각각 커버할 수 있다. 보호층(PL)은 비교적 얇은 두께를 갖는 팁(PT)의 손상(예컨대, 부러짐 등)을 방지할 수 있다. 팁(PT)의 측면 상에 위치하는 보호층(PL)의 일 부분은 팁(PT)과 마찬가지로 처마와 같은 기능을 가질 수 있으며, 따라서 보호층(PL)에 의해 처마가 길어지는 효과를 얻을 수 있다. 보호층(PL)의 두께(LPt)는 제2층(L2)의 두께(Lt2)의 약 2배 내지 약 3배일 수 있다.
보호층(PL)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 보호층(PL)은 발광다이오드(LED)의 제1전극(210)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예로서, 발광다이오드(LED)의 제1전극(210)이 다층 구조를 갖는 경우, 보호층(PL)도 다층 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 제1전극(210)에 포함된 서브층들의 개수 및 물질은 보호층(PL)에 포함된 서브층들의 개수 및 물질과 동일할 수 있다.
본 발명의 비교예로서 보호층이 유기절연물질과 같은 절연성물질을 포함하는 경우 세퍼레이터(SP)로부터 박리될 수 있으나, 본 발명의 실시예에서와 같이 세퍼레이터(SP)와 직접 접촉하는 보호층(PL)이 도전성 물질을 포함하기에 세퍼레이터(SP)와의 상대적 접착력(adhesion)을 향상시킬 수 있으며 보호층(PL)의 박리를 방지하거나 최소화할 수 있다. 또한, 도전성 물질을 포함하는 보호층(PL)은 절연물질과 같은 절연성물질로 형성된 보호층에 비하여 투습 방지의 효과가 더 우수하므로 세퍼레이터(SP)를 효과적으로 보호할 수 있다.
표시영역(DA)에 배치된 제1기능층(221), 제2기능층(223), 및/또는 제2전극(230)은 중간영역(IA)에서 세퍼레이터(SP)에 의하여 분리된 부분들을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1기능층(221) 및 제2기능층(223) 각각은 세퍼레이터(SP) 상에 배치된 제1부분(221a, 223a) 및 제1부분(221a, 223a)과 분리된 제2부분(221b, 223b)을 포함할 수 있다. 제2전극(230)은 세퍼레이터(SP) 상에 배치된 제1부분(230a) 및 제1부분(230a)과 분리된 제2부분(230b)을 포함할 수 있다.
제1기능층(221)의 제1부분(221a)은 세퍼레이터(SP) 상의 보호층(PL) 상면 상에 배치되고, 제2기능층(223)의 제1부분(223a)은 제1기능층(221)의 제1부분(221a) 상에 배치되며, 제2전극(230)의 제1부분(230a)은 제2기능층(223)의 제1부분(223a) 상에 배치될 수 있다.
제1기능층(221)의 제2부분(221b), 제2기능층(223)의 제2부분(223b), 및 제2전극(230)의 제2부분(230b) 각각은 제1기능층(221)의 제1부분(221a), 제2기능층(223)의 제1부분(223a), 및 제2전극(230)의 제1부분(230a)과 다른 레벨에 위치할 수 있다. 본 명세서에서, 'A와 B가 서로 다른 레벨에 배치된다”고 함은 기판(100)의 상면으로부터 A까지의 수직거리와 기판(100)의 상면으로부터 B까지의 수직거리가 서로 다른 것을 나타낸다.
예컨대, 기판(100)의 상면으로부터 제1기능층(221)의 제1부분(221a), 제2기능층(223)의 제1부분(223a), 및 제2전극(230)의 제1부분(230a)을 포함하는 적층 구조까지의 제1수직거리(H1)는, 기판(100)의 상면으로부터 제1기능층(221)의 제2부분(221b), 제2기능층(223)의 제2부분(223b), 및 제2전극(230)의 제2부분(230b)을 포함하는 적층 구조까지의 제2수직거리(H2) 보다 클 수 있다.
다르게 말하면, 기판(100)의 상면으로부터 제1기능층(221)의 제1부분(221a)까지의 수직거리는 기판(100)의 상면으로부터 제1기능층(221)의 제2부분(221b)까지의 수직거리 보다 클 수 있다. 기판(100)의 상면으로부터 제2기능층(223)의 제1부분(223a)까지의 수직거리는 기판(100)의 상면으로부터 제2기능층(223)의 제2부분(223b)까지의 수직거리 보다 클 수 있다. 그리고, 기판(100)의 상면으로부터 제2전극(230)의 제1부분(230a)까지의 수직거리는 기판(100)의 상면으로부터 제2전극(230)의 제2부분(230b)까지의 수직거리보다 클 수 있다.
제1기능층(221)의 제2부분(221b), 제2기능층(223)의 제2부분(223b), 및 제2전극(230)의 제2부분(230b) 각각은 후술할 보조보호층(PL') 및 세퍼레이터(SP)의 제3층(L3)의 상면 상에 위치하며, 세퍼레이터(SP)의 제1층(L1)의 측면과 직접 접촉할 수 있다.
유기물을 포함하는 제1기능층(221) 및 제2기능층(223)이 중간영역(IA)에서 분리되므로, 기판(100)의 제1관통홀(100H)을 통해 유입가능한 수분이 제1기능층(221) 및 제2기능층(223)을 통해 발광다이오드(LED)로 진행하는 것을 방지할 수 있다.
도 4를 참조하면, 봉지층(300)은 중간영역(IA)으로 연장될 수 있다. 제1무기봉지층(310)은 상대적으로 스텝 커버리지가 우수하기 때문에, 세퍼레이터(SP)와 전체적으로 그리고 연속적으로 중첩할 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제1무기봉지층(310)은 세퍼레이터(SP)의 상면 및 측면과 중첩하도록 연속적으로 연장될 수 있다. 예컨대, 제1무기봉지층(310)은 세퍼레이터(SP)의 제2층(L2)의 상면과 측면, 제1층(L1)의 측면, 제3층(L3)의 상면과 중첩하도록 연속적으로 연장될 수 있다. 제1무기봉지층(310)은 보호층(PL)의 상면과 측면과 중첩할 수 있다. 보호층(PL)의 상면 및/또는 제2층(L2)의 상면과는 중첩하는 제1무기봉지층(310)의 일 부분의 제1두께(t1)는 팁(PT)의 하면을 커버하는 제1무기봉지층(310)의 다른 부분의 제2두께(t2) 보다 클 수 있다.
세퍼레이터(SP)가 배치된 무기절연층, 예컨대 제1층간절연층(140) 상에는 보호층(PL)과 같은 물질을 포함하는 보조보호층(PL')이 배치될 수 있다. 보조보호층(PL')은 보호층(PL)과 동일한 공정에서 함께 형성될 수 있다. 보호층(PL)을 형성하는 공정에서 보호층(PL)을 이루는 물질이 증착되는 방향 등에 의하여 보조보호층(PL')은 보호층(PL)과 분리된 채 상호 이격될 수 있다. 보조보호층(PL')은 세퍼레이터(SP)의 제3층(L3)의 상면 및 측면과 접촉한 채 절연층, 예컨대 제1층간절연층(140)의 상면과 접촉하도록 제1층간절연층(140) 상으로 연장될 수 있다.
격벽(PW)은 도 4에 도시된 바와 같이 중간영역(IA)에 위치할 수 있다. 격벽(PW)은 앞서 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이 평면 상에서 폐루프 형상을 가질 수 있으며, 격벽(PW)은 유기봉지층(320)의 형성시 사용되는 물질의 흐름을 제어할 수 있다. 유기봉지층(320)의 에지는 격벽(PW) 주변에 위치할 수 있다.
세퍼레이터(SP)들 중 일부는 유기봉지층(320)에 중첩할 수 있다. 예컨대, 표시영역(DA)에 위치하는 발광다이오드(LED)와 격벽(PW) 사이에 배치된 세퍼레이터(SP)는 유기봉지층(320)에 중첩될 수 있다. 격벽(PW)과 기판(100)의 제1관통홀(100H) 사이에 배치되는 세퍼레이터(SP) 상에는 유기봉지층(320)이 존재하지 않는다. 제2무기봉지층(330)과 제1무기봉지층(310)은 격벽(PW)과 기판(100)의 제1관통홀(100H) 사이에 배치되는 세퍼레이터(SP) 상에서 서로 접촉할ㅇ 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 단면도로서, 도 3의 III-III'선에 따른 단면도에 해당할 수 있으며, 도 7는 도 6의 VII부분에 해당하는 세퍼레이터를 나타낸 단면도이다. 도 7은 표시영역(DA)과 격벽(PW) 사이의 세퍼레이터(SP)의 구조를 설명하고 있으나, 격벽(PW)과 투과영역(TA)의 사이의 세퍼레이터(SP)도 동일한 구조를 가질 수 있다.
도 6에 도시된 표시 패널(10)에 따르면 세퍼레이터(SP)를 커버하는 보호층(PL)의 형상에 차이가 있을 뿐 다른 구성은 앞서 도 4를 참조하여 설명한 구조와 동일하므로 동일한 구성에 대해서는 앞서 도 4를 참조하여 설명한 내용으로 갈음하고 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 세퍼레이터(SP)들은 상호 이격될 수 있다. 각 세퍼레이터(SP)는 제1층(L1), 제2층(L2), 및 제3층(L3)을 포함할 수 있으며, 세퍼레이터(SP)의 구조 및 물질에 대한 설명은 앞서 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 바와 같다.
각 세퍼레이터(SP) 상에는 보호층(PL)이 배치될 수 있다. 보호층(PL)은 세퍼레이터(SP)의 상면과 측면을 전체적으로 그리고 연속적으로 커버할 수 있다. 예컨대, 보호층(PL)은 세퍼레이터(SP)의 제2층(L2)의 상면, 측면, 및 하면(예컨대, 팁(PT)의 바닥면에 해당하는 하면), 제1층(L1)의 측면, 및 제3층(L3)의 상면의 일부 및 측면을 연속적으로 커버하도록 연장될 수 있다.
보호층(PL)은 세퍼레이터(SP)와 직접 접촉할 수 있다. 예컨대, 보호층(PL)은 세퍼레이터(SP)의 제2층(L2)의 상면과 측면, 팁(PT)에 해당하는 제2층(L2)의 하면, 제1층(L1)의 측면, 및 제3층(L3)의 상면의 일부 및 측면과 직접 접촉할 수 있다.
보호층(PL)은 전술한 세퍼레이터(SP)를 연속적으로 커버한 채 세퍼레이터(SP) 아래에 배치된 절연층, 예컨대 제1층간절연층(140)의 상면과 직접 접촉하도록 제1층간절연층(140) 상으로 연장될 수 있다.
보호층(PL)은 도전성 물질, 예컨대 발광다이오드(LED)의 제1전극(210)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 발광다이오드(LED)의 제1전극(210)이 다층 구조를 갖는 경우, 보호층(PL)도 다층 구조를 가질 수 있다.
보호층(PL)은 세퍼레이터(SP)의 팁(PT)을 커버할 수 있다. 예컨대, 보호층(PL)은 팁(PT)의 상면, 측면, 및 하면을 각각 커버할 수 있다. 세퍼레이터(SP)의 제2층(L2) 상면 상에 배치된 보호층(PL)의 제1부분의 두께(LPt)는 세퍼레이터(SP)의 제2층(L2) 하면(또는 팁(PT)의 바닥면) 상에 배치된 보호층(PL)의 제2부분의 두께(LPbt) 보다 클 수 있다.
보호층(PL)은 비교적 얇은 두께를 갖는 팁(PT)의 손상(예컨대, 부러짐 등)을 방지할 수 있다. 팁(PT)의 측면 상에 위치하는 보호층(PL)의 일 부분은 팁(PT)과 마찬가지로 처마와 같은 기능을 가질 수 있으며, 따라서 보호층(PL)에 의해 처마가 길어지는 효과를 얻을 수 있다. 보호층(PL)의 제1부분의 두께(LPt) 및 세퍼레이터(SP)에 해당하는 제1 내지 제3층(L1, L2, L3) 각각의 두께에 대한 내용은 앞서 도 5를 참조하여 설명한 바와 같다.
세퍼레이터(SP)를 중심으로 분리된 제1기능층(221) 및 제2기능층(223)의 제1부분(221a, 223a) 및 제2부분(221b, 223b)은 서로 다른 레벨에 위치할 수 있다. 유사하게, 세퍼레이터(SP)를 중심으로 분리된 제2전극(230)의 제1부분(230a) 및 제2부분(230b)은 서로 다른 레벨에 위치할 수 있다. 예컨대, 기판(100)의 상면으로부터 제1기능층(221)의 제1부분(221a), 제2기능층(223)의 제1부분(223a), 및 제2전극(230)의 제1부분(230a)을 포함하는 적층 구조까지의 제1수직거리(H1)는, 기판(100)의 상면으로부터 제1기능층(221)의 제2부분(221b), 제2기능층(223)의 제2부분(223b), 및 제2전극(230)의 제2부분(230b)을 포함하는 적층 구조까지의 제2수직거리(H2) 보다 클 수 있다.
제1기능층(221)의 제1부분(221a), 제2기능층(223)의 제1부분(223a), 및 제2전극(230)의 제1부분(230a)을 포함하는 적층 구조는 세퍼레이터(SP)에 포함된 제1 내지 제3층(L1, L2, L3) 및 보호층(PL)의 일 부분과 중첩하도록 위치할 수 있다.
제1기능층(221)의 제2부분(221b), 제2기능층(223)의 제2부분(223b), 및 제2전극(230)의 제2부분(230b)을 포함하는 적층 구조는 세퍼레이터(SP)를 중심으로 양측에 각각 배치될 수 있다. 제1기능층(221)의 제2부분(221b), 제2기능층(223)의 제2부분(223b), 및 제2전극(230)의 제2부분(2301b)을 포함하는 적층 구조는, 제1층간절연층(140) 및 제1층간절연층(140) 상의 보호층(PL)의 다른 부분과 중첩하도록 위치할 수 있다.
보호층(PL)이 세퍼레이터(SP)의 측면, 예컨대 제1층(L1)의 측면을 커버하기에, 제1기능층(221)의 제2부분(221b), 제2기능층(223)의 제2부분(223b), 및 제2전극(230)의 제2부분(230b) 각각은 세퍼레이터(SP)와 직접 접촉하지 않을 수 있다.
제1무기봉지층(310)은 상대적으로 스텝 커버리지가 우수하기 때문에 전체적으로 그리고 연속적으로 세퍼레이터(SP)와 중첩할 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다.
도 8, 도 9, 도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 공정 중 세퍼레이터를 형성하는 공정을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8를 참조하면, 중간영역(IA)에 예비-세퍼레이터(P-SP)들을 형성할 수 있다. 예비-세퍼레이터(P-SP)들을 형성하기 전에 기판(100) 상에는 무기절연층, 예컨대 버퍼층(110), 제1게이트절연층(130), 제1층간절연층(140)이 형성될 수 있다.
예비-세퍼레이터(P-SP)들은 상호 이격되어 배치될 수 있다. 각각의 예비-세퍼레이터(P-SP)는 제1층(L1), 제1층(L1) 상의 제2층(L2), 및 제1층(L1) 아래의 제3층(L3)을 포함할 수 있다.
제1층(L1), 제2층(L2), 및 제3층(L3)은 각각 도전성 물질을 포함할 수 있다. 제1층(L1)은 제2층(L2) 및/또는 제3층(L3)에 포함된 도전성 물질과 다른 도전성 물질을 포함할 수 있다.
일부 실시예로서, 제1층(L1)은 금속을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1층(L1)은구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 및 몰리브데넘(Mo)에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2층(L2) 및/또는 제3층(L3)은 금속 및/또는 투명도전성산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 제2층(L2) 및/또는 제3층(L3)은 티타늄(Ti), 몰리브데넘(Mo), 및 텅스텐(W)에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다른 실시예로서, 제2층(L2) 및/또는 제3층(L3)은 인듐주석산화물(ITO, Indium tin oxide)와 같은 투명도전성산화물(TCO, Transparent Conductive Oxide)을 포함할 수 있다.
다음으로, 도 8의 예비-세퍼레이터(P-SP)를 식각하여 도 9에 도시된 바와 같이 처마 구조를 갖는 세퍼레이터(SP)를 형성한다. 예비-세퍼레이터(P-SP)의 식각 공정은 표시영역(DA, 도 4)에 포함된 유기절연층(160)의 콘택홀 형성을 위한 식각 공정과 동일한 공정에서 수행될 수 있다. 제1층(L1)은 제2층(L2) 및 제3층(L3)과 식각 선택비가 다른 물질(예컨대, 식각 선택비가 다른 도전성 물질)을 포함하기에 제1층(L1)의 일부가 제거되면서 팁(PT)을 갖는 처마 구조가 형성될 수 있다.
이 후, 도 10a에 도시된 바와 같이 보호층(PL) 및 보조보호층(PL')을 형성할 수 있다. 보호층(PL) 및 보조보호층(PL')은 표시영역(DA, 도 4)에 위치하는 발광다이오드(LED)의 제1전극(210)을 형성하기 위한 물질을 증착하는 공정에서 함께 형성될 수 있다. 보호층(PL) 및 보조보호층(PL')은 발광다이오드(LED)의 제1전극(210)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 보호층(PL)은 세퍼레이터(SP)의 제2층(L2) 상에 형성되고 보조보호층(PL')은 세퍼레이터(SP)의 제3층(L3) 및 절연층(예컨대 제1층간절연층(140)) 상에 형성될 수 있다.
다음으로, 도 10b에 도시된 바와 같이 세퍼레이터(SP)를 보호하는 포토레지스트(PR)를 형성한다. 포토레지스트(PR)는 세퍼레이터(SP)와 보호층(PL)을 커버할 수 있으며, 보조보호층(PL')의 일 부분도 커버할 수 있다. 포토레지스트(PR)는 발광다이오드(LED)의 제1전극(210)의 평면 형상을 패터닝하기 위한 식각 공정에서 세퍼레이터(SP) 및 보호층(PL)을 보호할 수 있다. 포토레지스트(PR)는 발광다이오드(LED)의 제1전극(210)의 형성을 위한 식각 공정 후 제거된다. 포토레지스트(PR)가 제거되면 도 10c에 도시된 바와 같이 보호층(PL)에 의해 보호된 세퍼레이터(SP)의 구조가 중간영역(IA)에 남아 있을 수 있다. 발광다이오드(LED)의 제1전극(210)의 형성을 위한 식각 공정에서 포토레지스트(PR)로 커버되지 않은 보조보호층(PL')의 일부분도 함꼐 제거될 수 있다. 따라서, 도 10c에 도시된 바와 같이, 이웃한 두 개의 세퍼레이터(SP) 사이에 위치하는 보조보호층(PL')의 일부분은 제거될 수 있다. 다르게 말하면, 이웃한 두 개의 세퍼레이터(SP) 사이에 상호 이격된 두 개의 보조보호층(PL')이 위치하는 것으로 볼 수 있다.
도 10b에는 세퍼레이터(SP)들 각각이 포토레지스트(PR)들 각각에 중첩하는 것을 도시하고 있으며, 따라서 이웃한 두 개의 세퍼레이터(SP) 사이에 두 개의 보조보호층(PL')이 위치하는 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로, 하나의 포토레지스트(PR)가 복수 개의 세퍼레이터(SP)와 중첩할 수 있다. 이 경우, 이웃한 두 개의 세퍼레이터(SP) 사이는 하나의 보조보호층(PL')이 위치할 수 있다. 다르게 말하면, 도 10c에 도시된 이웃한 두 개의 세퍼레이터(SP) 사이에 위치한 보조보호층(PL')들은 서로 일체로 연결될 수 있다.
도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 공정 중 세퍼레이터를 형성하는 공정을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8 및 도 9의 공정을 진행하여 중간영역(IA)에 팁(PT)을 갖는 세퍼레이터(SP)를 형성한 후, 보호층(PL)을 형성하는 공정에서 증착 공정의 조건을 제어함으로써 도 11a에 도시된 바와 같은 보호층(PL)을 형성할 수 있다.
보호층(PL)은 세퍼레이터(SP)의 상면 및 측면을 연속적으로 커버한 채 세퍼레이터(SP) 아래에 있는 절연층, 예컨대 제1층간절연층(140) 상으로 연장될 수 있다. 보호층(PL)은 세퍼레이터(SP)의 제2층(L2)의 상면, 측면, 및 하면(예컨대, 팁(PT)의 바닥면에 해당하는 하면), 제1층(L1)의 측면, 및 제3층(L3)의 상면의 일부 및 측면을 연속적으로 커버할 수 있다.
보호층(PL)은 세퍼레이터(SP)와 직접 접촉할 수 있다. 예컨대, 보호층(PL)은 세퍼레이터(SP)의 제2층(L2)의 상면과 측면, 팁(PT)에 해당하는 제2층(L2)의 하면, 제1층(L1)의 측면, 및 제3층(L3)의 상면의 일부 및 측면과 직접 접촉할 수 있다. 보호층(PL)은 전술한 세퍼레이터(SP)를 연속적으로 커버한 채 세퍼레이터(SP) 아래에 배치된 절연층, 예컨대 제1층간절연층(140)의 상면과 직접 접촉하도록 제1층간절연층(140) 상으로 연장될 수 있다.
이 후, 도 11b에 도시된 바와 같이 세퍼레이터(SP)를 보호하는 포토레지스트(PR)를 형성한다. 포토레지스트(PR)는 세퍼레이터(SP)와 보호층(PL)을 커버할 수 있다. 포토레지스트(PR)는 발광다이오드(LED)의 제1전극(210)을 패터닝하기 위한 식각 공정에서 세퍼레이터(SP) 및 보호층(PL)을 보호하기 위한 것으로, 발광다이오드(LED)의 제1전극(210)의 형성을 위한 식각 공정 후 제거될 수 있다. 포토레지스트(PR)가 제거되면 도 11c에 도시된 바와 같은 구조의 보호층(PL) 및 세퍼레이터(SP)가 중간영역(IA)에 형성될 수 있다. 보호층(PL)과 발광다이오드(LED)의 제1전극(210)은 동일한 물질을 포함하기에, 식각 공정에서 포토레지스트(PR)에 의해 보호되지 않은 부분, 예컨대 이웃한 두 개의 세퍼레이터(SP)들 사이에 위치하는 보호층(PL)의 일 부분이 제거될 수 있다. 따라서, 도 11c에 도시된 바와 같이 이웃한 두 개의 세퍼레이터(SP) 사이에 위치하는 보호층(PL)의 일부영역이 제거될 수 있다. 다르게 말하면, 이웃한 두 개의 세퍼레이터(SP)를 커버하는 보호층(PL)들도 상호 이격될 수 있다.
도 11b에는 세퍼레이터(SP)들 각각이 포토레지스트(PR)들 각각에 중첩하는 것을 도시하고 있으며, 따라서 이웃한 두 개의 세퍼레이터(SP) 사이에 보호층(PL)의 제거영역이 위치하는 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로, 하나의 포토레지스트(PR)가 복수 개의 세퍼레이터(SP)와 중첩할 수 있다. 이 경우, 하나의 보호층(PL)은 이웃한 두 개의 세퍼레이터(SP)들을 연속적으로 커버할 수 있다.
도 11c에 도시된 바와 같이 보호층(PL)이 세퍼레이터(SP)의 상면과 측면을 전체적으로 커버하는 경우, 표시 패널을 제조하는 공정에서 중간영역(IA)에 잔존할 수 있는 금속 입자(예컨대, 포토레지스트(PR)에 의해 커버되지 않아 제거되는 보호층(PL)의 일부 영역에서 석출된 금속 입자)가 세퍼레이터(SP) 및 세퍼레이터(SP) 주변을 오염시키는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
1: 전자 기기
10: 표시 패널
100: 기판
SP: 세퍼레이터
PL: 보호층

Claims (20)

  1. 상면 및 하면을 구비하되 상기 상면으로부터 상기 하면을 관통하는 관통홀을 포함하는, 기판;
    상기 기판의 상면 상에 배치되며, 제1전극, 제2전극, 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 중간층을 포함하는 발광다이오드;
    상기 발광다이오드와 상기 기판의 관통홀 사이의 중간영역에 배치되며,
    제1층, 상기 제1층 상의 제2층, 상기 제1층의 아래에 배치된 제3층을 포함하되, 상기 제2층의 하면의 폭은 상기 제1층의 상면의 보다 큰, 세퍼레이터; 및
    상기 세퍼레이터 상에 배치되며, 상기 발광다이오드의 상기 제1전극과 동일한 물질을 포함하는 보호층;을 포함하는, 표시 패널.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 중간층에 포함된 기능층은, 상기 중간영역으로 연장되되 상기 중간영역에 위치하며 서로 분리된 복수의 부분들을 포함하며,
    상기 기능층의 상기 복수의 부분들은,
    상기 세퍼레이터 및 상기 보호층과 중첩하는 제1부분;
    상기 제1부분과 분리된 제2부분;을 포함하며,
    상기 기판의 상면으로부터 상기 기능층의 상기 제1부분까지의 수직거리는 상기 기판의 상면으로부터 상기 기능층의 상기 제2부분까지의 수직거리 보다 큰, 표시 패널.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 발광다이오드의 상기 제2전극은, 상기 중간영역으로 연장되되 상기 중간영역에 위치하며 서로 분리된 복수의 부분들을 포함하며,
    상기 제2전극의 상기 복수의 부분들은,
    상기 세퍼레이터 및 상기 보호층과 중첩하는 제1부분;
    상기 제1부분과 분리된 제2부분;을 포함하며,
    상기 기판의 상면으로부터 상기 제2전극의 상기 제1부분까지의 수직거리는 상기 기판의 상면으로부터 상기 제2전극의 상기 제2부분까지의 수직거리 보다 큰, 표시 패널.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 보호층은 상기 세퍼레이터의 상기 제2층의 상면 및 측면을 커버하는, 표시 패널.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 보호층은
    상기 세퍼레이터의 상기 제2층의 하면의 일부, 상기 제1층의 측면, 및 상기 제3층의 상면의 일부를 연속적으로 커버하도록 연장된, 표시 패널.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 세퍼레이터의 상기 제2층의 상기 상면 상에 배치된 상기 보호층의 제1부분의 두께는,
    상기 세퍼레이터의 상기 제2층의 상기 하면 상에 배치된 상기 보호층의 제2부분의 두께 보다 큰, 표시 패널.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 세퍼레이터 아래의 절연층을 더 포함하고,
    상기 보호층은 상기 세퍼레이터의 상기 제3층의 측면과 중첩한 채 상기 절연층의 상면의 일부와 직접 접촉하는, 표시 패널.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 발광다이오드 상에 배치되며, 무기봉지층 및 유기봉지층을 포함하는 봉지층; 및
    상기 중간영역에 위치하는 격벽;을 더 포함하는, 표시 패널.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 세퍼레이터는 상기 발광다이오드와 상기 격벽 사이에 배치되고, 상기 유기봉지층은 상기 세퍼레이터에 중첩하는, 표시 패널.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 세퍼레이터는 상기 격벽과 상기 기판의 상기 관통홀 사이에 배치되고,
    상기 무기봉지층은,
    상기 세퍼레이터 상에서 서로 접촉하는 제1무기봉지층 및 제2무기봉지층을 포함하는, 표시 패널.
  11. 투과영역 및 투과영역을 둘러싸는 표시영역을 포함하는 표시 패널; 및
    상기 표시 패널의 상기 투과영역에 중첩하여 배치되는 컴포넌트를 포함하며,
    상기 표시 패널은,
    상기 투과영역에 해당하는 관통홀을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 제1전극, 제2전극, 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 중간층을 포함하는 발광다이오드;
    상기 발광다이오드와 상기 기판의 관통홀 사이의 중간영역에 배치되며,
    제1층, 상기 제1층 상의 제2층, 상기 제1층의 아래에 배치된 제3층을 포함하되, 상기 제2층의 하면의 폭은 상기 제1층의 상면의 보다 큰, 세퍼레이터; 및
    상기 세퍼레이터 상에 배치되며, 상기 발광다이오드의 상기 제1전극과 동일한 물질을 포함하는 보호층;을 포함하는, 전자 기기.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 중간층에 포함된 기능층 및 제2전극은 각각, 상기 중간영역으로 연장되되 상기 중간영역에 위치하며 서로 분리된 복수의 부분들을 포함하며,
    상기 기능층의 상기 복수의 부분들은,
    상기 세퍼레이터 및 상기 보호층과 중첩하는 제1부분;
    상기 제1부분과 분리된 제2부분;을 포함하는, 전자 기기.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 보호층은 상기 세퍼레이터의 상기 제2층의 상면 및 측면을 커버하는, 전자 기기.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 보호층은,
    상기 세퍼레이터의 상기 제2층의 하면의 일부, 상기 제1층의 측면, 및 상기 제3층의 상면의 일부를 연속적으로 커버하도록 연장된, 전자 기기.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 세퍼레이터의 상기 제2층의 상기 상면 상에 배치된 상기 보호층의 제1부분의 두께는,
    상기 세퍼레이터의 상기 제2층의 상기 하면 상에 배치된 상기 보호층의 제2부분의 두께 보다 큰, 전자 기기.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 표시 패널은 상기 세퍼레이터 아래의 절연층을 더 포함하고,
    상기 보호층은 상기 세퍼레이터의 상기 제3층의 측면과 중첩한 채 상기 절연층의 상면의 일부와 직접 접촉하는, 전자 기기.
  17. 제11 항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    상기 발광다이오드 상에 배치되며, 무기봉지층 및 유기봉지층을 포함하는 봉지층; 및
    상기 중간영역에 위치하는 격벽;을 더 포함하는, 전자 기기.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 세퍼레이터는 상기 발광다이오드와 상기 격벽 사이에 배치되고, 상기 유기봉지층은 상기 세퍼레이터에 중첩하는, 전자 기기.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 세퍼레이터는 상기 격벽과 상기 기판의 상기 관통홀 사이에 배치되고,
    상기 무기봉지층은,
    상기 세퍼레이터 상에서 서로 접촉하는 제1무기봉지층 및 제2무기봉지층을 포함하는, 전자 기기.
  20. 제11 항에 있어서,
    상기 컴포넌트는 카메라 또는 센서를 포함하는, 전자 기기.
KR1020220148972A 2022-11-09 2022-11-09 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기 KR20240068882A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18/382,200 US20240153925A1 (en) 2022-11-09 2023-10-20 Display panel and electronic apparatus including the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240068882A true KR20240068882A (ko) 2024-05-20

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11380875B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
KR20200120845A (ko) 표시 장치
US20240179963A1 (en) Display panel and a display apparatus including the same
EP3866207B1 (en) Display device and electronic apparatus
US11735121B2 (en) Display apparatus
US11706945B2 (en) Display apparatus comprisng a partition wall on an organic insulating layer and method of manufacturing the same
CN218353026U (zh) 显示装置
KR20210044943A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20220216283A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
CN115835691A (zh) 基板、显示面板和包括该显示面板的显示装置
KR20230134029A (ko) 표시 장치의 제조방법
KR20240068882A (ko) 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기
US20240153925A1 (en) Display panel and electronic apparatus including the same
CN113066826A (zh) 显示设备和制造显示设备的方法
KR20210110468A (ko) 표시 장치 및 그의 제조방법
US20230320178A1 (en) Display panel, method of manufacturing the display panel, and electronic apparatus including the display panel
US20240164184A1 (en) Display panel
US20230006174A1 (en) Display panel and display apparatus
US20220216276A1 (en) Display device and method of manufacturing the display device
KR20240029685A (ko) 표시 패널, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 기기
KR20240032263A (ko) 표시 패널
KR20240054475A (ko) 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기
KR102668184B1 (ko) 표시 장치
KR20240077581A (ko) 디스플레이 패널
KR20240078304A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법