CN113224112A - 显示装置及制造显示装置的方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示装置和制造显示装置的方法，并且在制造显示装置的方法中，该方法包括：制备支承衬底；在支承衬底的表面上形成金属氧化物层，金属氧化物层包括第一电荷；在金属氧化物层的表面上形成剥离层，剥离层包括与第一电荷相反的第二电荷；在剥离层的表面上形成柔性衬底；在柔性衬底的表面上形成显示元件和薄膜封装层，显示元件包括薄膜晶体管和有机发光二极管；并且将柔性衬底与支承衬底分离。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年1月20日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0007391号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
本公开的一些示例性实施例的各方面涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
近来，已经积极地进行了对可以弯曲的柔性显示装置的研究。柔性显示装置可以在折叠或弯曲状态下使用，并且可以在各种应用中被利用。柔性显示装置包括在柔性衬底上的诸如有机发光二极管的显示设备。
由于在柔性显示装置中使用的柔性衬底的柔性特性，在制造过程中处理柔性衬底可能是相对困难的。因此，可以在多个制造过程操作中将柔性衬底放置在具有足够刚度的支承衬底上，并且然后可以将柔性衬底与支承衬底分离。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解，并且因此，在本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
本公开的一些示例性实施例的各方面涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法，并且例如，涉及一种具有改善的品质的显示装置和制造该显示装置的方法。
在显示装置以及制造相关系统和方法的显示装置的方法中，当例如通过使用激光将柔性衬底与支承衬底分离时，柔性衬底可能由于激光而损坏。因此，将柔性衬底与支承衬底分离的操作可能导致对柔性衬底的损坏，而该损坏引起显示装置的品质下降。
根据本公开的一个或多个示例性实施例包括显示装置和制造该显示装置的方法，在该显示装置中，防止或降低对柔性衬底的损坏以改善品质。然而，以上技术特征和特性仅是示例，并且根据本公开的实施例的范围不限于此。
另外的方面将在下面的描述中部分地被阐述，并且部分地通过该描述将是显而易见的，或者可以通过实践本公开的所呈现的示例性实施例而获知。
根据一个或多个示例性实施例，在制造显示装置的方法中，该方法包括制备支承衬底，在支承衬底的表面上形成金属氧化物层，金属氧化物层包括第一电荷，在金属氧化物层的表面上形成剥离层，剥离层包括与第一电荷相反的第二电荷，在剥离层的表面上形成柔性衬底，在柔性衬底的表面上形成显示元件和薄膜封装层，显示元件包括薄膜晶体管和有机发光二极管，以及将柔性衬底与支承衬底分离。
根据一些示例性实施例，在柔性衬底与支承衬底分离时，可以基于剥离层将柔性衬底与支承衬底分离。
根据一些示例性实施例，在柔性衬底与支承衬底分离时，剥离层可以至少部分地保留在柔性衬底的相反表面上。
根据一些示例性实施例，支承衬底可以包括第二电荷。
根据一些示例性实施例，支承衬底的制备可以包括将等离子体照射到支承衬底上。
根据一些示例性实施例，金属氧化物层可以包括选自由氧化硅(SiO2)、氧化锰(MnO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铬(CrO3)、四氧化三铁(Fe3O4)、氧化铅(PbO)、氧化镍(NiO)、氧化镉(CdO)和氧化镁(MgO)构成的组中的至少一种金属氧化物材料。
根据一些示例性实施例，在金属氧化物层的形成中，金属氧化物层可以在支承衬底上形成为约
至约
的厚度。
根据一些示例性实施例，剥离层可以包括氧化石墨烯。
根据一些示例性实施例，在剥离层的形成中，剥离层可以在金属氧化物层上形成为约
至约
的厚度。
根据一些示例性实施例，在剥离层的形成中，剥离层可以具有约2gf/in至约5gf/in的粘合力。
根据一些示例性实施例，在剥离层的形成中，剥离层可以通过包括喷涂、浸涂、旋涂、丝网涂、胶版印刷、喷墨印刷、移印、刀涂、吻涂、凹版印刷涂、刷涂、超声微粉化喷涂和雾化喷涂的方法中的任何一种来形成。
根据一些示例性实施例，第一电荷可以包括正电荷并且第二电荷包括负电荷。
根据一个或多个示例性实施例，显示装置包括包含显示区域和围绕显示区域的非显示区域的柔性衬底、在柔性衬底的表面上的薄膜晶体管、在薄膜晶体管上的有机发光二极管以及在柔性衬底的相反表面上的剥离层，剥离层包括负电荷。
根据一些示例性实施例，剥离层可以包括氧化石墨烯。
根据一些示例性实施例，剥离层可以在柔性衬底的相反表面上为约
至约
的厚度。
根据一些示例性实施例，剥离层可以具有约2gf/in至约5gf/in的粘合力。
根据一些示例性实施例，有机发光二极管可以包括像素电极、在像素电极上的中间层以及在中间层上的相对电极，中间层包括发射层。
根据一些示例性实施例，显示装置还可以包括存储电容器，存储电容器包括在柔性衬底的表面上的下电极以及与下电极重叠的上电极。
根据一些示例性实施例，显示装置还可以包括在有机发光二极管上的薄膜封装层，薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
根据一些示例性实施例，柔性衬底可以包括选自由聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和乙酸丙酸纤维素构成的组中的至少一种材料。
通过附图、权利要求书和详细的描述，根据本公开的实施例的其他方面、特征和特性将变得更好理解。
附图说明
通过结合附图的下面的描述，本公开的某些示例性实施例的以上和其他方面、特征和特性将更加显而易见，在附图中：
图1至图6是用于描述根据一些示例性实施例的显示装置的制造过程的剖面视图；
图7是示出根据在根据一些示例性实施例的显示装置中的金属氧化物层的厚度的剥离层的粘合力的表；
图8是根据一些示例性实施例的显示装置的透视图；
图9是根据一些示例性实施例的显示装置的平面视图；
图10和图11是根据一些示例性实施例的显示装置中包括的像素的等效电路图；以及
图12是根据一些示例性实施例的显示装置的剖面视图。
具体实施方式
现在将更详细地参照附图中示出的一些示例性实施例的各方面，其中，相似的附图标记始终指的是相似的元件。就这一点而言，本示例性实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。相应地，以下仅通过参照附图描述示例性实施例，以解释根据本描述的实施例的各方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b这两者、a和c这两者、b和c这两者、a、b和c的全部或其变体。
由于根据本公开的实施例允许各种改变和多种实施例，因此示例性实施例将在附图中被示出并且在书面描述中被详细描述。为了获得对根据本公开的实施例的特性的充分理解，参照了用于示出一个或多个实施例的附图。然而，示例性实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。
尽管可以使用如“第一”、“第二”等这样的术语来描述各种组件，但是这样的组件不限于以上术语。以上术语仅用于区分一个组件和另一组件。
除非在上下文中其具有清楚地不同的含义，否则以单数形式使用的表达涵盖复数形式的表达。
在本说明书中，将理解的是，术语“包括(including)”、“具有”和“含有(comprising)”旨在指示说明书中所公开的特征、数字、步骤、动作、组件、部件或其组合的存在，并且不旨在排除可能存在或可以添加一个或多个其他特征、数字、步骤、动作、组件、部件或其组合的可能性。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成”在另一层、区域或组件上时，它可以直接或间接地形成在其他层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、区域或组件。
为了解释的便利，附图中的组件的大小可能被夸大。换句话说，由于为了解释的便利而任意地示出了附图中的组件的大小和厚度，因此下面的实施例不限于此。
在说明书中，短语“A和/或B”表示A、B或者A和B。另外，短语“A和B中的至少一个”表示A、B或者A和B。
在本文中的说明书中，“在第一方向或第二方向上延伸”的线表示以之字形或以曲线在第一方向或第二方向上延伸，以及在第一方向或第二方向上笔直延伸。
在整个说明书中，短语“在平面视图中”表示从顶部观看目标部分，而短语“在剖面视图中”表示从横向方向观看垂直切割的目标部分的剖面。在整个说明书中，表述“重叠”包括“在平面视图中”重叠和“在剖面视图中”重叠。
以下将参照附图更详细地描述示例性实施例。与图编号无关，相同或对应的那些部件被赋予相同的附图标记。
图1至图6是用于描述根据一些示例性实施例的显示装置的制造过程的剖面视图。
在下文中，将参照图1至图6顺序地描述在根据一些示例性实施例的制造显示装置的方法中的各种操作。尽管在图中描述和示出了制造显示装置的方法中的各种操作，但是在不脱离根据本公开的实施例的精神和范围的情况下，一些示例性实施例可以包括附加的操作或较少的操作。
参照图1至图6，根据一些示例性实施例的制造显示装置的方法包括：制备支承衬底10；在支承衬底10的表面10a(例如，第一表面)上形成包括第一电荷的金属氧化物层20；在金属氧化物层20的表面20a(例如，金属氧化物层20的背对支承衬底10的第一表面20a)上形成包括与第一电荷相反的第二电荷的剥离层30；在剥离层30的表面30a(例如，背对金属氧化物层20的第一表面30a)上形成柔性衬底100；在柔性衬底100的表面100a(例如，背对剥离层30的第一表面100a)上形成包括薄膜晶体管和有机发光二极管的显示元件200以及薄膜封装层300；以及将柔性衬底100和支承衬底10彼此分离。这里，第一电荷可以包括正电荷，并且第二电荷可以包括负电荷。
参照图1，可以执行制备支承衬底10的过程。根据一些示例性实施例，支承衬底10可以包括各种材料，例如，玻璃材料、金属材料或具有足够刚度的任何其他合适的材料(或多种材料)。例如，支承衬底10可以包括玻璃材料。因为柔性衬底100具有柔性特性，所以在包括薄膜晶体管和有机发光二极管的显示元件200布置在柔性衬底100上时，支承衬底10可以支承柔性衬底100。
当支承衬底10包括玻璃材料时，支承衬底10可以包括第二电荷。例如，当支承衬底10包括玻璃材料时，支承衬底10可以包括负电荷。
根据一些示例性实施例，在制备支承衬底10的过程中，可以将等离子体照射到支承衬底10上。当将等离子体照射到支承衬底10上时，支承衬底10的表面可以充电有负电荷，并且支承衬底10可以包括更多的负电荷。
因为支承衬底10和稍后将描述的剥离层30包括负电荷，所以当包括负电荷的剥离层30被涂覆在包括负电荷的支承衬底10上时，剥离层30可能不容易被涂覆在支承衬底10上。
为了解决这个，可以在包括负电荷的支承衬底10和包括负电荷的剥离层30之间提供包括正电荷的层，以便使支承衬底10容易涂覆有剥离层30。
参照图2，在支承衬底10的制备之后，可以执行在支承衬底10的表面10a上形成包括第一电荷的金属氧化物层20的过程。金属氧化物层20可以包括正电荷，即，第一电荷。金属氧化物层20可以包括具有在稍后将描述的剥离层30的涂覆条件下的正ζ(zeta)电位的材料。这里，剥离层30的涂覆条件可以包括约5.5至约7的pH。德拜(Debye)长度表示可以影响具有相反电荷的离子/粒子的长度。随着德拜长度增加，可以改善稍后将更详细描述的剥离层30中的材料的涂覆特性。因为德拜长度与介电常数(ε)成比例，所以根据一些示例性实施例的金属氧化物层20可以包括具有在稍后将更详细描述的剥离层30的涂覆条件下的正ζ电位并且具有高介电常数(ε)的材料。
金属氧化物层20可以包括选自由氧化硅(SiO2)、氧化锰(MnO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铬(CrO3)、四氧化三铁(Fe3O4)、氧化铅(PbO)、氧化镍(NiO)、氧化镉(CdO)和氧化镁(MgO)构成的组中的至少一种金属氧化物材料。例如，金属氧化物层20可以包括氧化铝(Al2O3)或氧化钛(TiO2)，而氧化铝(Al2O3)或氧化钛(TiO2)具有在剥离层30的涂覆条件下的正ζ电位并且具有相对大的介电常数(ε)。然而，根据本公开的实施例的金属氧化物层20不限于以上陈述的材料。
金属氧化物层20可以通过溅射方法、物理气相沉积(PVD)方法、化学气相沉积(CVD)方法等形成在支承衬底10的表面10a上。
参照图3，在支承衬底10的表面10a上形成包括第一电荷的金属氧化物层20之后，还可以执行在金属氧化物层20的表面20a上形成包括与第一电荷相反的第二电荷的剥离层30的过程。即，在具有负电荷的支承衬底10的表面10a上形成包括正电荷的金属氧化物层20之后，具有负电荷的剥离层30可以在具有正电荷的金属氧化物层20的表面20a上。
根据实施例的剥离层30可以包括氧化石墨烯。通过包括喷涂、浸涂、旋涂、丝网涂、胶版印刷、喷墨印刷、移印、刀涂、吻涂、凹版印刷涂、刷涂、超声微粉化喷涂和雾化喷涂的多种方法中的任何方法，包括氧化石墨烯的剥离层30可以形成在金属氧化物层20的表面20a上。例如，凭借喷嘴喷雾器，通过喷出分散有具有负电荷的氧化石墨烯的溶液，剥离层30可以形成在金属氧化物层20的表面20a上。
图7是示出根据在根据一些示例性实施例的显示装置中的金属氧化物层20的厚度的剥离层30的粘合力的表。例如，图7是一表，而该表示出了在根据一些示例性实施例的显示装置中，根据包括氧化铝(A)的金属氧化物层20的厚度和包括氧化钛(B)的金属氧化物层20的厚度的、包括氧化石墨烯的剥离层30的涂覆厚度和包括氧化石墨烯的剥离层30的粘合力。
因为氧化石墨烯通常是不透明的并且随着包括氧化石墨烯的剥离层30的涂覆，透射率降低，所以可以经由透射率变化量(△T(％))来确定包括氧化石墨烯的剥离层30的涂覆厚度。而且，在当在包括聚酰亚胺(PI)的柔性衬底上形成阻挡层之后将柔性衬底和支承衬底彼此分离时，测量剥离层30的粘合力。通常，当剥离层30具有大的粘合力时，柔性衬底和支承衬底可能不容易彼此分离。
如图7中所示，至于根据包括氧化铝(A)的金属氧化物层20和包括氧化钛(B)的金属氧化物层20的厚度的、包括氧化石墨烯的剥离层30的涂覆厚度，因为透射率变化量(△T(％))随着金属氧化物层20的厚度增加而降低，所以可以确认的是，随着金属氧化物层20的厚度增加，剥离层30在金属氧化物层20的表面20a上涂覆较少。
可以确认的是，随着透射率变化量(△T(％))增加，包括氧化石墨烯的剥离层30的粘合力降低。
因此，随着包括氧化铝(A)的金属氧化物层20和包括氧化钛(B)的金属氧化物层20的厚度降低，形成在金属氧化物层20上的包括氧化石墨烯的剥离层30的厚度可以增加，并且可以降低包括氧化石墨烯的剥离层30的粘合力。
因此，根据一些示例性实施例的金属氧化物层20可以在支承衬底10的表面10a上形成为约
至约
约
至约
约
至约
等的厚度。例如，金属氧化物层20可以在支承衬底10的表面10a上形成为约
至约
的厚度。
而且，根据一些示例性实施例的剥离层30可以在金属氧化物层20的表面20a上形成为约
至约
约
至约
约
至约
等的厚度。例如，剥离层30可以在金属氧化物层20的表面20a上形成为约
至约
的厚度。
根据一些示例性实施例的剥离层30可以具有约2克力/英寸(gf/in)至约6gf/in、约2gf/in至约5gf/in、约1gf/in至约5gf/in等的粘合力，为了使稍后将更详细描述的柔性衬底100容易与支承衬底10分离。例如，粘合层30可以具有约2gf/in至约3gf/in的粘合力。
参照图4，在金属氧化物层20的表面20a上形成包括与第一电荷相反的第二电荷的剥离层30之后，可以执行在剥离层30的表面30a上形成柔性衬底100的过程。
根据一些示例性实施例的柔性衬底100可以包括选自由聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和乙酸丙酸纤维素构成的组中的至少一种材料。例如，柔性衬底100可以包括聚酰亚胺。
在剥离层30的表面30a上形成柔性衬底100的过程中，将聚酰亚胺施涂至剥离层30的表面30a上以及使聚酰亚胺固化，并且于是，包括聚酰亚胺的柔性衬底100可以形成在剥离层30的表面30a上。
参照图5，在剥离层30的表面30a上形成柔性衬底100之后，还可以执行在柔性衬底100的表面100a上形成包括薄膜晶体管TFT(见图12)和有机发光二极管OLED(见图12)的显示元件200和薄膜封装层300的过程。
在柔性衬底100的表面100a上形成的显示元件200可以包括稍后将更详细描述的薄膜晶体管TFT(见图12)和有机发光二极管OLED(见图12)。薄膜晶体管TFT(见图12)可以包括半导体层134(见图12)、栅极电极136(见图12)和连接电极，并且有机发光二极管OLED(见图12)可以包括像素电极210(见图12)、中间层220(见图12)和相对电极230(见图12)。
薄膜封装层300覆盖包括薄膜晶体管TFT(见图12)和有机发光二极管OLED(见图12)的显示元件200，并且可以形成在柔性衬底100的表面100a上。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
稍后将参照图12更详细描述薄膜晶体管TFT(见图12)、有机发光二极管OLED(见图12)和薄膜封装层300。
参照图6，在柔性衬底100的表面100a上形成包括薄膜晶体管TFT(见图12)和有机发光二极管OLED(见图12)的显示元件200以及薄膜封装层300之后，还可以执行将柔性衬底100与支承衬底10分离的过程。
在根据实施例的将柔性衬底100与支承衬底10分离的过程中，柔性衬底100和支承衬底10可以基于剥离层30而彼此分离。例如，柔性衬底100和支承衬底10可以彼此分离，以使得剥离层30可以至少部分地保留在与柔性衬底100的表面100a相反的相反表面100b上。而且，剥离层30可以至少部分地保留在位于支承衬底10的表面10a上的金属氧化物层20的表面20a上。
至少一部分保留在柔性衬底100的相反表面100b上的剥离层30可以具有约
至约
约
至约
约
至约
等的厚度。例如，至少一部分保留在柔性衬底100的相反表面100b上的剥离层30可以具有约
至约
的厚度。
至少一部分保留在支承衬底10上的剥离层30可以具有约
至约
约
至约
约
至约
等的厚度。例如，至少一部分保留在支承衬底10上的剥离层30可以具有约
至约
的厚度。例如，保留在柔性衬底100的相反表面100b上的剥离层30的至少一部分和保留在支承衬底10上的剥离层30的至少一部分可以具有相同的厚度，保留在柔性衬底100的相反表面100b上的剥离层30的至少一部分可以具有比保留在支承衬底10上的剥离层30的至少一部分的厚度大的厚度，或者保留在柔性衬底100的相反表面100b上的剥离层30的至少一部分可以具有比保留在支承衬底10上的剥离层30的至少一部分的厚度小的厚度。
图8是根据一些示例性实施例的显示装置1的透视图。
参照图8，显示装置1可以包括显示区域DA和在显示区域DA的外围上的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。显示装置1可以通过使用从显示区域DA中的多个像素P发射的光来提供图像。非显示区域NDA可以不显示图像。
在下文中，根据一些示例性实施例，尽管显示装置1被描述为有机发光显示装置，但是本公开不限于此。在另一实施例中，显示装置1可以包括无机发光显示器(或无机EL显示装置)或量子点发光显示装置。例如，显示装置1中包括的显示元件的发光层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点或者无机材料和量子点。
图8示出了具有平坦的显示表面的显示装置1，但是一个或多个实施例不限于此。根据一些示例性实施例，显示装置1可以包括三维显示表面或弯曲显示表面。
当显示装置1包括三维显示表面时，显示装置1包括彼此不同地指向的多个显示区域，例如，多棱镜型显示表面。根据一些示例性实施例，当显示装置1包括弯曲显示表面时，显示装置1可以以各种类型来实现，例如，柔性显示装置、可折叠显示装置、可卷曲显示装置等。
图8示出了可以应用于移动终端的显示装置1。根据一些示例性实施例，可以通过将安装在主板上的电子模块、相机模块、电力模块等与显示装置1一起布置在支架/壳体中来构造移动终端。根据一些示例性实施例的显示装置1可以应用于诸如电视机、监视器等的大型电子装置，以及诸如平板终端、汽车导航系统、游戏机、智能手表等的中小型电子装置。
在图8中，显示装置1的显示区域DA具有矩形形状，但是显示区域DA可以具有圆形形状、椭圆形形状或诸如三角形形状、五边形形状等的多边形形状。
图9是根据一些示例性实施例的显示装置1的平面视图。
参照图9，显示装置1在显示区域DA中包括多个像素P。多个像素P中的每个可以包括有机发光二极管OLED。多个像素P中的每个可以通过有机发光二极管OLED发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。在说明书中，如上所述，像素P可以发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光。
多个像素P中的每个可以电连接到布置在非显示区域NDA中的外部像素。非显示区域NDA可以包括第一扫描驱动电路110、第一发射驱动电路115、第二扫描驱动电路120、第二发射驱动电路125、端子140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170。
第一扫描驱动电路110可以经由扫描线SL为每个像素P提供扫描信号。第一发射驱动电路115可以经由发射控制线EL向多个像素P中的每个提供发射控制信号。第二扫描驱动电路120可以与第一扫描驱动电路110并联布置，其中显示区域DA在他们之间。布置在显示区域DA中的多个像素P中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路110，并且其他像素P可以电连接到第二扫描驱动电路120。在实施例中，第二发射驱动电路125可以与第一发射驱动电路115并联，其中显示区域DA在他们之间。布置在显示区域DA中的多个像素P中的一些可以电连接到第一发射驱动电路115，而其他像素P可以电连接到第二发射驱动电路125。
第一发射驱动电路115在非显示区域NDA上在x方向上与第一扫描驱动电路110分开。根据一些示例性实施例，第一发射驱动电路115和第一扫描驱动电路110可以在y方向上交替地布置。
端子140可以布置在柔性衬底100的一侧处。端子140可以不被绝缘层覆盖，而是被暴露并且可以电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接到显示装置1的端子140。印刷电路板PCB可以将信号或电力从控制器传递到显示装置1。由控制器生成的控制信号可以经由印刷电路板PCB分别被传递到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120、第一发射驱动电路115和第二发射驱动电路125。控制器可以通过第一连接线161和第二连接线171分别向第一电源线160和第二电源线170提供第一电力电压ELVDD和第二电力电压ELVSS(见图10和图11)。经由连接到第一电源线160的驱动电压线PL向每个像素P供给第一电力电压ELVDD，并且可以将第二电力电压ELVSS提供给每个像素P的连接到第二电源线170的相对电极。
数据驱动电路150电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以经由连接到端子140的连接线151和连接到连接线151的数据线DL提供给多个像素P中的每个。
虽然图9示出了数据驱动电路150在印刷电路板PCB上，但是在另一实施例中，数据驱动电路150可以在柔性衬底100上。例如，数据驱动电路150可以在端子140和第一电源线160之间。
第一电源线160可以包括第一子线162和第二子线163，而第一子线162和第二子线163在x方向上彼此平行延伸，其中显示区域DA在它们之间。第二电源线170具有环形形状并且可以部分地围绕显示区域DA，而该环形形状具有开口侧。
图10和图11是根据一些示例性实施例的显示装置中包括的像素P的等效电路图。
参照图10，每个像素P包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC，以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传递到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储与从开关薄膜晶体管T2传递的电压和供给到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD(或驱动电压)之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流向有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流而发射具有某一亮度的光。
图10示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的示例，但是根据本公开的示例性实施例不限于此。如图11中所示，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。
参照图11，像素P包括像素电路PC和电连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1至T7以及存储电容器Cst。多个薄膜晶体管T1至T7和存储电容器Cst可以连接到信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2以及驱动电压线PL。
信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL可以包括构造为传递扫描信号Sn的扫描线SL、构造为将前扫描信号Sn-1传递到第一初始化薄膜晶体管T4的前扫描线SL-1、构造为将扫描信号Sn传递到第二初始化薄膜晶体管T7的后扫描线SL+1、构造为将发射控制信号En传递到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制线EL以及与扫描线SL相交并且构造为传递数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL可以构造为将驱动电压ELVDD传递到驱动薄膜晶体管T1，第一初始化电压线VL1可以构造为将初始化电压Vint传递到第一初始化薄膜晶体管T4，并且第二初始化电压线VL2可以构造为将初始化电压Vint传递到第二初始化薄膜晶体管T7。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1连接到存储电容器Cst的下电极CE1，驱动薄膜晶体管T1的驱动源极电极S1经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL，并且驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极电极D1经由发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，以向有机发光二极管OLED供给驱动电流IOLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅极电极G2连接到扫描线SL，开关薄膜晶体管T2的开关源极电极S2连接到数据线DL，开关薄膜晶体管T2的开关漏极电极D2连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源极电极S1，并且同时，经由操作控制薄膜晶体管T5连接到在下侧处的驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并且执行用于将通过数据线DL传递的数据信号Dm传递到驱动薄膜晶体管T1的驱动源极电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅极电极G3连接到扫描线SL，补偿薄膜晶体管T3的补偿源极电极S3连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极电极D1并且同时，经由发射控制薄膜晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极，并且补偿薄膜晶体管T3的补偿漏极电极D3连接到存储电容器Cst的下电极CE1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏极电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1。补偿薄膜晶体管T3根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，以使驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1和驱动漏极电极D1彼此电连接并且二极管连接驱动薄膜晶体管T1。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅极电极G4连接到前扫描线SL-1，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源极电极S4连接到第一初始化电压线VL1，并且第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏极电极D4连接到存储电容器Cst的下电极CE1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏极电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4根据通过前扫描线SL-1传递的前扫描信号Sn-1而导通，以将初始化电压Vint传递到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1并且执行用于在驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1处初始化电压的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅极电极G5连接到发射控制线EL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源极电极S5连接到在下侧处的驱动电压线PL，并且操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏极电极D5连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源极电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏极电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅极电极G6连接到发射控制线EL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源极电极S6连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源极电极S3，并且发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏极电极D6电连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源极电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
根据通过发射控制线EL传递的发射控制信号En，操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6同步(例如，同时)导通，以将驱动电压ELVDD传递到有机发光二极管OLED并且允许驱动电流IOLED在有机发光二极管OLED中流动。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅极电极G7连接到后扫描线SL+1，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源极电极S7连接到发射控制漏极电极D6以及有机发光二极管OLED的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏极电极D7连接到第二初始化电压线VL2。
另外，扫描线SL和后扫描线SL+1彼此电连接，并且相同的扫描信号Sn可以施加到扫描线SL和后扫描线SL+1。因此，第二初始化薄膜晶体管T7根据通过后扫描线SL+1传递的扫描信号Sn而导通，并且执行初始化有机发光二极管OLED的像素电极的操作。
存储电容器Cst的上电极CE2连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的公共电极连接到第二电力电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED通过从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流IOLED来发射光，以显示图像。
在图11中，补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4具有双栅极电极，但是补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以各自具有一个栅极电极。
图12是根据实施例的显示装置1的剖面视图。例如，图12示出了沿图9的线I-I’截取的显示装置1的剖面视图。
图12示出了根据一些示例性实施例的包括与支承衬底10分离的柔性衬底100的显示装置1。
参照图12，柔性衬底100可以包括聚合物树脂。当柔性衬底100包括聚合物树脂时，显示装置1可以是柔性的、可卷曲的或可弯折的。
根据一些示例性实施例的柔性衬底100可以包括选自由聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和乙酸丙酸纤维素构成的组中的至少一种材料。例如，柔性衬底100可以包括聚酰亚胺。
根据一些示例性实施例，阻挡层可以在柔性衬底100的一个表面100a上。例如，柔性衬底100可以包括按顺序堆叠的包括聚酰亚胺的第一衬底、第一阻挡层、包括聚酰亚胺的第二衬底以及第二阻挡层。
缓冲层101可以在柔性衬底100的表面100a上。缓冲层101在柔性衬底100的表面100a上，以降低或防止杂质、湿气或外部空气从柔性衬底100的下方渗透，并且可以提供在柔性衬底100上的平坦表面。缓冲层101可以包括诸如氧化物材料或氮化物材料的无机材料、有机材料或无机-有机复合材料，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。
剥离层30可以至少部分地在与柔性衬底100的表面100a相反的相反表面100b上。剥离层30可以包括氧化石墨烯，并且可以包括负电荷。剥离层30可具有约2gf/in至约6gf/in、约2gf/in至约5gf/in、约1gf/in至约5gf/in等的粘合力。例如，剥离层30可以具有约2gf/in至约3gf/in的粘合力。
根据实施例的剥离层30可以具有约
至约
约
至约
约
至约
等的厚度。例如，剥离层30可以在柔性衬底100的相反表面100b上为约
至约
的厚度。
薄膜晶体管TFT和电连接到薄膜晶体管TFT的有机发光二极管OLED可以在柔性衬底100的表面100a上。
薄膜晶体管TFT可以在缓冲层101上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层134、与半导体层134重叠的栅极电极136以及电连接到半导体层134的连接电极。薄膜晶体管TFT连接到有机发光二极管OLED以驱动有机发光二极管OLED。
半导体层134在缓冲层101上，并且可以包括与栅极电极136重叠的沟道区131，以及在沟道区131的相反侧处并且具有比沟道区131的杂质浓度高的杂质浓度的源极区132和漏极区133。这里，杂质可以包括N型杂质或P型杂质。源极区132和漏极区133可以电连接到连接电极。
半导体层134可以包括氧化物半导体和/或硅半导体。当半导体层134包括氧化物半导体时，半导体层134可以包括选自由例如铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)构成的组中的至少一种的氧化物材料。例如，有源层134可以包括ITZO(InSnZnO)、IGZO(InGaZnO)等。当半导体层134包括硅半导体时，半导体层134可以包括例如非晶硅(a-Si)或通过结晶a-Si而获得的低温多晶硅(LPTS)。
第一绝缘层103可以在半导体层134上。第一绝缘层103可以包括选自由氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)构成的组的至少一种无机绝缘材料。第一绝缘层103可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
栅极电极136可以在第一绝缘层103上。栅极电极136可以具有单层或多层结构，该单层或多层结构包括选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)的一种或多种金属。栅极电极136可以连接到将电信号施加到栅极电极136的栅极线。半导体层134和栅极电极136可以经由第一绝缘层103彼此绝缘。
第二绝缘层105可以在栅极电极136上。第二绝缘层105可以包括选自由氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)构成的组的至少一种无机绝缘材料。第二绝缘层105可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
存储电容器Cst可以在第一绝缘层103上。存储电容器Cst可以包括下电极144和与下电极144重叠的上电极146。存储电容器Cst的下电极144与薄膜晶体管TFT的栅极电极136重叠，并且存储电容器Cst的下电极144可以与薄膜晶体管TFT的栅极电极136一体地设置。在实施例中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT重叠，并且存储电容器Cst的下电极144可以是与薄膜晶体管TFT的栅极电极136分离的独立元件。
存储电容器Cst的上电极146可以包括例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以具有包括以上陈述材料的单层或多层结构。
第三绝缘层107可以在上电极146上。第三绝缘层107可以包括选自由氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)构成的组的至少一种无机绝缘材料。第三绝缘层107可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
作为连接电极的数据线DL、下驱动电压线PL1、源极电极137和漏极电极138可以在第三绝缘层107上
数据线DL、下驱动电压线PL1、源极电极137和漏极电极138(例如，连接电极)可以各自包括导电材料，而该导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。数据线DL、下驱动电压线PL1以及源极电极137和漏极电极138，即，连接电极，可以各自具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。根据一些示例性实施例，数据线DL、下驱动电压线PL1以及源极电极137和漏极电极138，即，连接电极，可以包括相同的材料。
数据线DL、下驱动电压线PL1、源极电极137和漏极电极138可以由第一平坦化层111覆盖。第一平坦化层111可以包括单层或多层结构，该单层或多层结构包括有机材料或无机材料。第一平坦化层111可以包括一般的通用聚合物，诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化物类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其混合物。另外，第一平坦化层111可以包括氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)等。在布置第一平坦化层111之后，可以执行化学和机械抛光以提供平坦的上表面。
上驱动电压线PL2和接触金属层CM可以在第一平坦化层111上。上驱动电压线PL2和接触金属层CM可以各自包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以具有单层或多层结构。上驱动电压线PL2和接触金属层CM可以各自具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。在实施例中，上驱动电压线PL2和接触金属层CM可以包括相同的材料。
接触金属层CM可以经由穿透第一平坦化层111的接触孔电连接到薄膜晶体管TFT，并且像素电极210可以经由穿透第二平坦化层113的接触孔电连接到接触金属层CM。
第二平坦化层113可以在上驱动电压线PL2和接触金属层CM上。第二平坦化层113可以包括单层或多层结构，而单层或多层结构包括有机材料或无机材料。第二平坦化层113可以包括一般的通用聚合物，诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化物类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其混合物。另外，第二平坦化层113可以包括氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)等。
包括像素电极210、中间层220和相对电极230的有机发光二极管OLED可以在第二平坦化层113上。像素电极210可以经由穿透第二平坦化层113的接触孔电连接到接触金属层CM，接触金属层CM可以经由穿透第一平坦化层111的接触孔电连接到薄膜晶体管TFT，并且因此，有机发光二极管OLED可以电连接到薄膜晶体管TFT。
像素电极210可以在第二平坦化层113上。像素电极210可以包括(半)透射电极或反射电极。像素电极210可以包括反射层以及在反射层上的透明或半透明电极层，该反射层包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)及其化合物。透明或半透明电极层可以包括选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓以及氧化铝锌(AZO)构成的组中的至少一种电极材料。像素电极210可以包括堆叠结构，而堆叠结构包括ITO/Ag/ITO。
像素限定层180可以在第二平坦化层113上，并且像素限定层180可以包括至少部分地暴露像素电极210的开口。由像素限定层180的开口暴露的区域可以被限定为发射区域EA。发射区域EA的外围是非发射区域NEA，并且非发射区域NEA可以围绕发射区域EA。即，显示区域DA包括多个发射区域EA和围绕多个发射区域EA的非发射区域NEA。像素限定层180增加了像素电极210和像素电极210上的相对电极230之间的距离，以便防止在像素电极210的边缘处的电弧的生成。像素限定层180可以包括例如有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)和酚树脂，并且可以通过旋涂等获得。
中间层220可以在经由像素限定层180至少部分地被暴露的像素电极210上。中间层220可以包括发射层220b，并且第一功能层220a和第二功能层220c可以选择性地被提供在发射层220b下和发射层220b上。
第一功能层220a可以包括空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)，并且第二功能层220c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
发射层220b可以包括有机材料，该有机材料包括发射红色、绿色、蓝色或白色光的荧光或磷光材料。发射层220b可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。
当发射层220b包括低分子量有机材料时，中间层220可以在单层或多层结构中包括HIL、HTL、发射层220b、ETL和EIL，并且低分子量有机材料的示例可以包括酞菁铜(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。可以通过真空沉积方法来制造以上层。
当发射层220b包括聚合物有机材料时，中间层220可以包括HTL和发射层220b。这里，HTL可以包括PEDOT，并且发射层220b可以包括苯撑乙烯(phenylene vinylene)(PPV)类或聚芴类聚合物材料。可以通过使用丝网印刷方法、喷墨印刷方法、激光诱导热成像(LITI)方法等来布置发光层。
通过使用开口掩模，可以在整个显示面板上一体地提供在发射层220b下和发射层220b上的第一功能层220a和第二功能层220c。
相对电极230可以在中间层220上。相对电极230在中间层220上，并且相对电极230可以完全覆盖中间层220。相对电极230可以在显示区域DA上并且可以整体覆盖显示区域DA。即，可以在整个显示面板上一体地提供相对电极230，以便通过使用开口掩模覆盖显示区域DA中的多个像素P。
相对电极230可以包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极230可以包括(半)透明层，而(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金。可替代地，相对电极230还可以包括在包括以上材料的(半)透明层上的、包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
有机发光二极管OLED可以被薄膜封装层300覆盖。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在一个实施例中，薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330，以及在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自包括一种或多种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、硅氮化物和/或氮氧化硅。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。例如，有机封装层320可以包括丙烯酸类树脂，例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等。
如果在相关的制造过程中通过使用激光将柔性衬底与支承衬底分离，则包括聚合物材料的柔性衬底可能劣化。
而且，当通过交替堆叠包括正电荷的氧化石墨烯和包括负电荷的氧化石墨烯来涂覆剥离层时，可能利用大的设备面积和更长的处理时间，并且相应地，处理成本可以是相对较高的。
为了解决以上问题，根据一些示例性实施例，通过在支承衬底和剥离层之间布置包括正电荷的金属氧化物层，可以通过使用剥离层将柔性衬底与支承衬底分离，并且剥离层可以包括单一材料，即含有负电荷的氧化石墨烯，并且因此，设备所占的面积、处理时间和处理成本可以是相对较低的。
根据本公开的一个或多个示例性实施例，通过使用剥离层来将柔性衬底与支承衬底分离，其中，剥离层包括单一材料，并且因此，设备所占的面积、处理时间以及处理成本可以比替代制造方法相对低。同时，可以防止或降低对柔性衬底的损坏，并且因此，可以实现具有相对改善的品质的显示装置以及制造该显示装置的方法。然而，根据本公开的实施例的范围不限于以上特性。
应理解的是，本文中描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，可以在不脱离如由所附权利要求和它们的对等物所限定的精神和范围的情况下在其中进行形式和细节上的各种改变。
Claims (20)
1.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
制备支承衬底；
在所述支承衬底的表面上形成金属氧化物层，所述金属氧化物层包括第一电荷；
在所述金属氧化物层的表面上形成剥离层，所述剥离层包括与所述第一电荷相反的第二电荷；
在所述剥离层的表面上形成柔性衬底；
在所述柔性衬底的表面上形成显示元件和薄膜封装层，所述显示元件包括薄膜晶体管和有机发光二极管；以及
将所述柔性衬底与所述支承衬底分离。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述柔性衬底与所述支承衬底分离时，基于所述剥离层将所述柔性衬底与所述支承衬底分离。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在将所述柔性衬底与所述支承衬底分离时，所述剥离层至少部分地保留在所述柔性衬底的相反表面上。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支承衬底包括所述第二电荷。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述支承衬底的制备包括将等离子体照射到所述支承衬底上。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属氧化物层包括选自由氧化硅(SiO2)、氧化锰(MnO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铬(CrO3)、四氧化三铁(Fe3O4)、氧化铅(PbO)、氧化镍(NiO)、氧化镉(CdO)和氧化镁(MgO)构成的组中的至少一种金属氧化物材料。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在形成所述金属氧化物层时，所述金属氧化物层在所述支承衬底上形成为80埃至120埃的厚度。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述剥离层包括氧化石墨烯。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，在形成所述剥离层时，所述剥离层在所述金属氧化物层上形成为30埃至50埃的厚度。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，在形成所述剥离层时，所述剥离层具有2克力/英寸至5克力/英寸的粘合力。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，在形成所述剥离层时，所述剥离层通过喷涂、浸涂、旋涂、丝网涂、胶版印刷、喷墨印刷、移印、刀涂、吻涂、凹版印刷涂、刷涂、超声微粉化喷涂和雾化喷涂中的至少一种来形成。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电荷包括正电荷并且所述第二电荷包括负电荷。
13.一种显示装置，包括：
柔性衬底，包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；
在所述柔性衬底的表面上的薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上的有机发光二极管；以及
在所述柔性衬底的相反表面上的剥离层，所述剥离层包括负电荷。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述剥离层包括氧化石墨烯。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述剥离层在所述柔性衬底的所述相反表面上为10埃至30埃的厚度。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述剥离层具有2克力/英寸至5克力/英寸的粘合力。
17.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述有机发光二极管包括：
像素电极；
在所述像素电极上的中间层，所述中间层包括发射层；以及
在所述中间层上的相对电极。
18.根据权利要求13所述的显示装置，还包括存储电容器，所述存储电容器包括：
在所述柔性衬底的所述表面上的下电极；以及
与所述下电极重叠的上电极。
19.根据权利要求13所述的显示装置，还包括在所述有机发光二极管上的薄膜封装层，所述薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
20.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述柔性衬底包括选自由聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和乙酸丙酸纤维素构成的组中的至少一种材料。
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