CN105304648A - 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，其中，所涉及的阵列基板中包括：衬底基板，位于衬底基板之上的信号线，还包括：位于衬底基板与信号线之间的减反层，减反层用于在阵列基板位于出光侧时吸收外界环境光，其中，信号线在衬底基板所在平面内的正投影覆盖减反层在衬底基板所在平面内的正投影。从而，在保证不影响透过率的情况下，利用减反层吸收外界环境光的方式，减少进入信号线的外界环境光，减少信号线反射出的光线，提升了显示对比度，改善了显示质量。

Description

一种阵列基板及其制作方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

窄边框产品已成为当前显示技术领域的发展趋势，甚至出现了无边框产品。目前的无边框产品中，阵列基板与彩膜基板仍按照现有方式贴合，只是贴合后的显示面板的阵列基板位于出光侧，而不是彩膜基板位于出光侧。虽然这种设计方式实现了无边框，但是，由于阵列基板位于出光侧，相应地，阵列基板上的栅线、公共电极线等金属信号线则靠近出光面，而考虑到金属材料具有一定的反射率，这就容易导致外界环境光被金属信号线反射回去，造成显示对比度的下降，影响画面质量，以及观看者的观看效果。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以解决现有技术中为了实现显示面板的无边框效果而存在的金属信号线反射外界环境光进而导致显示面板对比度下降的问题。

本发明实施例采用以下技术方案：

一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板之上的信号线，还包括：

位于所述衬底基板与所述信号线之间的减反层，所述减反层用于在所述阵列基板位于出光侧时吸收外界环境光，其中，所述信号线在所述衬底基板所在平面内的正投影覆盖所述减反层在所述衬底基板所在平面内的正投影。

该实施例中的减反层能够吸收部分外界环境光，从而减少照进信号线的环境光，相应的，信号线反射出的光线随之减少，从而改善了由于信号线反射外界环境光而导致显示对比度下降的问题。

优选地，所述信号线为栅线和/或公共电极线。

在本发明实施例中，能够很好的解决栅线和公共电极线反射环境光的问题。

优选地，所述减反层的厚度为10nm-100nm。

在本发明实施例中，该厚度能够保证减反层尽可能多的吸收环境光，减少进入信号线的环境光。

优选地，所述减反层的材质为掺杂有铟、锡单质的铟锡氧化物。

在本发明实施例中，提出一种新的减反层的材质，有效改善由于信号线反射外界环境光而导致显示对比度下降的问题。

优选地，所述减反层的材质为黑色树脂材料。

在本发明实施例中，该材质可以尽可能多的吸收外界环境光，减少信号线对外界环境光的反射。

优选地，所述信号线在所述衬底基板所在平面内的正投影与所述减反层在所述衬底基板所在平面内的正投影重合。

在本发明实施例中，减反层的图案与信号线的图案相同，以实现对信号线的全部遮挡，较佳的减少对外界环境光的反射，改善显示对比度。

一种显示装置，包括所述的阵列基板，所述阵列基板位于该显示装置的出光面。

该实施例中包括的阵列基板中的减反层能够吸收部分外界环境光，从而减少照进信号线的环境光，相应的，信号线反射出的光线随之减少，从而改善了由于信号线反射外界环境光而导致显示对比度下降的问题。

一种制作所述的阵列基板的方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板之上形成减反层以及位于所述减反层之上的信号线。

在本发明实施例中，通过该制作方法形成用于吸收部分外界环境光的减反层，从而减少照进信号线的环境光，相应的，信号线反射出的光线随之减少，从而改善了由于信号线反射外界环境光而导致显示对比度下降的问题。

优选地，在所述衬底基板之上形成减反层以及位于所述减反层之上的信号线，具体包括：

在所述衬底基板之上形成减反膜层，通过第一次构图工艺在所述衬底基板之上形成减反层；

在形成有减反层的衬底基板上形成信号线膜层，通过第二次构图工艺形成位于所述减反层之上的信号线。

在本发明实施例中，通过该制作方式，可以形成至少两种图案类型的减反层，以实现对信号线的部分或全部遮挡，减少对外界环境光的反射，改善显示对比度。

优选地，在所述衬底基板之上形成减反层以及位于所述减反层之上的信号线，具体包括：

在所述衬底基板之上形成减反膜层；

在所述减反膜层之上形成信号线膜层；

对所述减反膜层以及信号线膜层进行一次构图工艺，得到减反层和信号线，其中，所述信号线在所述衬底基板所在平面内的正投影与所述减反层在所述衬底基板所在平面内的正投影重合。

在本发明实施例中，通过该方式形成的减反层的图案与信号线的图案相同，以实现对信号线的全部遮挡，较佳的减少对外界环境光的反射，改善显示对比度。

优选地，所述减反膜层的材质为掺杂有铟、锡单质的铟锡氧化物；在所述衬底基板之上形成减反膜层，具体包括：

在所述衬底基板之上形成铟锡氧化物膜层，在真空腔体中，对形成有铟锡氧化物膜层的衬底基板进行还原处理，形成掺杂有铟、锡单质的铟锡氧化物膜层。

优选地，对形成有铟锡氧化物膜层的衬底基板进行还原处理所需的还原剂为等离子态H₂。

在本发明实施例中，可以很好的还原铟锡氧化物。

优选地，对形成有铟锡氧化物膜层的衬底基板进行还原处理所需的时长为0.5min-2min。

在本发明实施例中，达到较好的还原效果，实现铟、锡掺杂在铟锡氧化物中的均匀性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种较为优选的阵列基板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的了一种显示装置的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图；

图5为具体执行步骤42的流程图之一；

图6为利用方式一制作阵列基板时的工艺流程图；

图7为具体执行步骤42的流程图之二；

图8为利用方式二制作阵列基板时的工艺流程图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

下面通过具体的实施例对本发明所涉及的技术方案进行详细描述，本发明包括但并不限于以下实施例。

如图1所示，为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板主要包括衬底基板11，位于衬底基板11之上的信号线12，此外，还包括位于衬底基板11与信号线12之间的减反层13，该减反层13用于在阵列基板位于出光侧时吸收外界环境光，其中，信号线12在衬底基板11所在平面内的正投影覆盖减反层13在衬底基板11所在平面内的正投影。

此外，该阵列基板还包括：TFT器件、数据线以及过孔、像素电极等结构。本发明未在图中示出，也并不在此进行赘述。

在本发明所涉及的阵列基板中，为了改善无边框显示面板存在的信号线反射外界环境光而导致显示对比度下降的问题，在衬底基板与信号线之间，设置一用于在阵列基板位于出光侧时吸收外界环境光的减反层，该方案相比于现有技术中信号线与衬底基板直接接触的方案而言，通过减反层吸收外界环境光的方式减少了进入信号线的外界环境光，进而，减少了信号线反射的外界环境光，提升了显示面板的显示对比度，而且，该减反层在衬底基板所在平面内的正投影被信号线在衬底基板所在平面内的正投影覆盖，即该减反层的图案不大于信号线的图案，从而不会影响显示面板的透过率，在提升显示对比度的同时，保证了显示面板的透过率，改善了画面显示质量。

优选地，本发明实施例中所涉及的信号线为栅线和/或公共电极线。

优选地，本发明实施例中减反层的厚度为10nm-100nm。从而，能够保证减反层尽可能多的吸收环境光，减少进入信号线表面的环境光。

优选地，本发明实施例中减反层的材质为掺杂有铟、锡单质的铟锡氧化物。

具体地，减反层的厚度与减反层的材质的折射率n以及反射光中人眼最敏感的光的波长有关，其中，减反层的厚度d＝λ/4n，以铟锡氧化物ITO为例，其折射率n为1.8左右，人眼对绿光最为敏感，绿光波长λ＝540nm左右，故ITO作为减反层的最佳厚度大概为75nm。考虑到外界环境光进入减反层后的光路较为复杂，其中，一部分被还原后的ITO吸收，剩余的部分会散射向不同的方向，形成较为复杂的光路，而不会出现现有技术中的镜面反射的效果。

优选地，本发明实施例中减反层的材质为黑色树脂材料。

优选地，如图2所示，为本发明实施例提供的一种较为优选的阵列基板的结构示意图，在该阵列基板中，信号线22在衬底基板21所在平面内的正投影与减反层23在衬底基板21所在平面内的正投影重合。减反层23相比于图1中减反层13的结构而言，其吸光效果更佳，因此，该减反层23不仅可以通过尽可能多的吸收外界环境光的方式提升显示对比度，还可以保证显示面板的透过率，提升了显示面板的显示质量。

同时，本发明实施例还提供了一种显示装置，尤其涉及一种无边框显示装置，如图3所示，该显示装置包括上述实施例所涉及的阵列基板31，以及相对设置的彩膜基板32，其中，阵列基板31位于该显示装置的出光面。由于该显示装置的阵列基板中设置有减反层，因此，在实现无边框的同时，可以通过吸收外界环境光的方式减少信号线反射出的环境光，提升显示对比度，改善显示装置的显示质量。

与本发明实施例提供的阵列基板的发明构思相同，本发明实施例还提供了一种制作所述的阵列基板的方法，下面通过详细的实施例具体介绍。

如图4所示，为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图，该方法主要包括：

步骤41：提供一衬底基板。

步骤42：在衬底基板之上形成减反层以及位于减反层之上的信号线。

优选地，在本发明实施例中，可以通过两种不同的制作工艺形成如图1所示的阵列基板，其中，

方式一：

如图5所示，步骤42可以具体执行为：

步骤51：在衬底基板之上形成减反膜层，通过第一次构图工艺在所述衬底基板之上形成减反层。

步骤52：在形成有减反层的衬底基板上形成信号线膜层，通过第二次构图工艺形成位于所述减反层之上的信号线。

具体地，如图6所示，为利用方式一制作阵列基板时的工艺流程图，首先，在衬底基板61之上，利用物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺形成减反膜层62；然后，利用相应地第一掩膜版对减反膜层62进行第一次构图工艺，形成减反层63；接着，在形成有减反层63的衬底基板61之上，利用类似的沉积工艺形成信号线膜层64，最后，利用相应地第二掩膜版对信号线膜层64进行第二次构图工艺，形成信号线65。

在此需要说明的是，由于该方式一中的信号线和减反层是通过两次构图工艺形成的，因此，第一次构图工艺形成的减反层63的图案可以与第二次构图工艺形成的信号线65的图案相同(参照图2所示)，也可以不同(参照图1所示)，但是，形成的减反层63在衬底基板61上的正投影必须被信号线65的正投影所覆盖。

方式二：

如图7所示，步骤42可以具体执行为：

步骤71：在衬底基板之上形成减反膜层。

步骤72：在减反膜层之上形成信号线膜层。

步骤73：对减反膜层以及信号线膜层进行一次构图工艺，得到减反层和信号线，其中，信号线在衬底基板所在平面内的正投影与减反层在衬底基板所在平面内的正投影重合。

具体地，如图8所示，为利用方式二制作阵列基板时的工艺流程图，首先，在衬底基板81之上，利用物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺形成减反膜层82；然后，利用类似的沉积工艺形成信号线膜层83；接着，利用相应地掩膜版对减反膜层82和信号线膜层83进行一次构图工艺，形成减反层84和信号线85。由于该方式二中的信号线和减反层是通过一次构图工艺形成的，因此，减反层84的图案与信号线85的图案相同。

优选地，在本发明实施例中，减反膜层的材质为为掺杂有铟、锡单质的铟锡氧化物；则步骤51以及步骤71中在衬底基板之上形成减反膜层，具体可以通过以下制备工艺实现：

采用现有的沉积工艺，在衬底基板之上形成铟锡氧化物膜层，在真空腔体中，对形成有铟锡氧化物膜层的衬底基板进行还原处理，形成掺杂有铟、锡单质的铟锡氧化物膜层。具体地，在进行还原处理时，可以通过调整还原剂的用量以及处理时长来控制还原出的铟、锡单质的多少，进而，制作出吸收程度不同的掺杂有铟、锡单质的铟锡氧化物膜层。其中，对形成有铟锡氧化物膜层的衬底基板进行还原处理所需的还原剂可以为具有还原作用的气体，优选的还原剂为等离子态H₂。另外，对形成有铟锡氧化物膜层的衬底基板进行还原处理所需的时长可以根据该铟锡氧化物膜层的厚度选择，优选时长为0.5min-2min。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (13)

1.一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板之上的信号线，其特征在于，还包括：

位于所述衬底基板与所述信号线之间的减反层，所述减反层用于在所述阵列基板位于出光侧时吸收外界环境光，其中，所述信号线在所述衬底基板所在平面内的正投影覆盖所述减反层在所述衬底基板所在平面内的正投影。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线为栅线和/或公共电极线。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述减反层的厚度为10nm-100nm。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述减反层的材质为掺杂有铟、锡单质的铟锡氧化物。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述减反层的材质为黑色树脂材料。

6.如权利要求1-5任一所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线在所述衬底基板所在平面内的正投影与所述减反层在所述衬底基板所在平面内的正投影重合。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一所述的阵列基板，所述阵列基板位于该显示装置的出光面。

8.一种制作权利要求1-6任一所述的阵列基板的方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板之上形成减反层以及位于所述减反层之上的信号线。

9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板之上形成减反层以及位于所述减反层之上的信号线，具体包括：

在所述衬底基板之上形成减反膜层，通过第一次构图工艺在所述衬底基板之上形成减反层；

在形成有减反层的衬底基板上形成信号线膜层，通过第二次构图工艺形成位于所述减反层之上的信号线。

10.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板之上形成减反层以及位于所述减反层之上的信号线，具体包括：

在所述衬底基板之上形成减反膜层；

在所述减反膜层之上形成信号线膜层；

对所述减反膜层以及信号线膜层进行一次构图工艺，得到减反层和信号线，其中，所述信号线在所述衬底基板所在平面内的正投影与所述减反层在所述衬底基板所在平面内的正投影重合。

11.如权利要求9或10所述的制作方法，其特征在于，

所述减反膜层的材质为掺杂有铟、锡单质的铟锡氧化物；在所述衬底基板之上形成减反膜层，具体包括：

在所述衬底基板之上形成铟锡氧化物膜层，在真空腔体中，对形成有铟锡氧化物膜层的衬底基板进行还原处理，形成掺杂有铟、锡单质的铟锡氧化物膜层。

12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，对形成有铟锡氧化物膜层的衬底基板进行还原处理所需的还原剂为等离子态H₂。

13.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，对形成有铟锡氧化物膜层的衬底基板进行还原处理所需的时长为0.5min-2min。