CN108281432A - 显示面板以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种显示面板以及显示装置，该显示面板包括第一基板、第二基板、显示介质层、多个像素单元及遮光导电图案层。第一基板具有第一外表面及第一内表面，第一外表面作为显示面板的显示面。第二基板与第一基板对向设置且具有第二外表面及第二内表面。显示介质层位于第一与第二内表面间。像素单元位于显示介质层与第一内表面间，且至少一像素单元包括主动元件。遮光导电图案层位于显示介质层与第二内表面间，与主动元件于垂直投影方向上至少部分重叠，且包括第一图案化遮光导电层及第一图案化低反射层，第一图案化遮光导电层位于第一图案化低反射层与第二基板间。

Description

显示面板以及显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示面板以及显示装置，且特别是涉及一种可在户外强环境光(例如：太阳光)下使用的显示面板以及显示装置。
背景技术
随着电子技术的进步，显示装置在户外使用的时间越来越多。然而，传统的显示装置在户外强环境光(例如：太阳光)长时间的照射下，容易会有显示异常的问题。据此，如何解决现有显示装置在户外强环境光(例如：太阳光)下难以长时间使用的问题为目前所欲研究的主题。
发明内容
本发明提供一种显示面板以及显示装置，其能在户外强环境光(例如：太阳光)下长时间使用，并具有良好的可靠度。
本发明的显示面板包括第一基板、第二基板、显示介质层、多个像素单元以及遮光导电图案层。第一基板具有第一外表面及第一内表面，其中第一外表面作为显示面板的显示面。第二基板与第一基板对向设置且具有第二外表面及第二内表面。显示介质层位于第一内表面与第二内表面之间。多个像素单元配置于显示介质层与第一内表面之间，像素单元其中至少一个包括至少一主动元件及至少一像素电极，像素电极与主动元件电连接。遮光导电图案层配置于显示介质层与第二内表面之间且与主动元件于垂直投影方向上至少一部分重叠，其中遮光导电图案层包括第一图案化遮光导电层及第一图案化低反射层，第一图案化遮光导电层位于第一图案化低反射层与第二基板之间。
本发明的显示装置包括如前所述的显示面板以及背光模块。背光模块配置于显示面板的一侧。
基于上述，在本发明的显示面板中，第一基板具有作为显示面板的显示面的第一外表面及第一内表面；与第一基板对向设置的第二基板具有第二外表面及第二内表面；显示介质层位于第一内表面与第二内表面之间；遮光导电图案层配置于显示介质层与第二内表面之间；遮光导电图案层与配置于显示介质层与第一内表面之间的至少一像素单元所包括的至少一主动元件于垂直投影方向上至少一部分重叠；且遮光导电图案层包括第一图案化低反射层以及位于第一图案化低反射层与第二基板之间的第一图案化遮光导电层，由此使得在户外强环境光(例如：太阳光)下使用包括所述显示面板的显示装置时，遮光导电图案层能够遮蔽背光模块所发出的光线以及防止自显示面入射的强环境光(例如：太阳光)反射，因而可避免主动元件受到背光模块所发出的光线直接照射以及受到强环境光(例如：太阳光)的反射光照射。如此一来，本发明的显示装置能够在户外强环境光(例如：太阳光)下长时间使用，并具有良好的可靠度。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方式，并配合所附的附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明的一实施方式的显示装置的剖面示意图；
图2是图1中的显示面板的局部上视示意图；
图3是沿图2中的剖线I-I’的剖面示意图；
图4是沿图2中的剖线II-II’的剖面示意图；
图5为本发明的另一实施方式的显示面板的局部剖面示意图；
图6为本发明的另一实施方式的显示面板的局部剖面示意图；
图7为本发明的另一实施方式的显示面板的局部剖面示意图；
图8为本发明的另一实施方式的显示面板的局部剖面示意图。
符号说明
10：显示装置
100、200、300、400：显示面板
102：第一基板
102i：第一内表面
102o：第一外表面
104：第二基板
104i：第二内表面
104o：第二外表面
106：显示介质层
108：遮光导电图案层
108a：第一图案化遮光导电层
108b：第一图案化低反射层
110：背光模块
112：光源
114：导光板
120：软性电路板
130：电路板
140：壳体
208a、208c、408a、408c：第二图案化遮光导电层
208b、208d、408b、408d：第二图案化低反射层
CF：色彩转换层
CH：通道层
CL：共用线
CM：共用电极层
CR：通道区
D：漏极
DL：数据线
DR：漏极区
G：栅极
GI：栅绝缘层
H1、H2、H3：接触窗
L1、L2、L3、L4：绝缘层
LR：图案化低反射层
n：垂直投影方向
P：像素电极
S：源极
SC：半导体层
SL：扫描线
SM：遮光导电图案
SR：源极区
T：主动元件(有源元件)
U：像素单元
具体实施方式
以下将以附图揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些现有惯用的结构与元件在附图中将以简单示意地方式为之。
本文使用的「约」、「近似」、「本质上」、或「实质上」包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，「约」可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或例如±30％、±20％、±15％、±10％、±5％内。再者，本文使用的「约」、「近似」、「本质上」、或「实质上」可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。
在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图元件符号表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件「上」或「连接到」另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者与来一元件之间可以存在中间元件。相反地，当元件被称为「直接在另一元件上」或「直接连接到」另一元件时，其间不存在中间元件。如本文所使用的，「连接」可以指物理及/或电连接(耦接或耦合)。因此，二元件间的电连接(或耦接/耦合)可存在中间元件。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
在本发明中，为了便于理解，晶体管的源极与漏极的位置于图中的标示为示范例，并不用以限定本发明。这是因为晶体管的源极与漏极会随着电流的流向改变，或是晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管而有所不同。
图1是依照本发明的一实施方式的显示装置的剖面示意图。图2是图1中的显示面板的局部上视示意图。图3是沿图2中的剖线I-I’的剖面示意图。图4是沿图2中的剖线II-II’的剖面示意图。值得注意的是，请同时参照图1及图2，图2的视角是自第二基板104向第一基板102观看。
请参照图1，显示装置10至少包括显示面板100，但不限于此。在部分实施方式中，显示装置10可选择性地还包含背光模块110，但不限于此。另外，显示装置10可选择性地还包括软性电路板120、电路板130以及壳体140，但不限于此。
请同时参照图1至图4，显示面板100至少包括第一基板102、第二基板104、显示介质层106、像素单元U以及遮光导电图案层108。另外，显示面板100可还包括共用电极层CM、色彩转换层CF、栅绝缘层GI、绝缘层L1以及绝缘层L2其中至少二者。值得一提的是，图2中仅绘示出单一像素单元U，但发明所属领域中具有通常知识者应理解，显示面板100实际上包括排列成阵列的多个像素单元U。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，显示面板100可包括至少一像素单元U以及不同于像素单元U的多个其他的像素单元或者是单一个像素单元U包含二个显示区域(例如:二个像素电极P所在的区域)。为了清楚绘示显示装置10中的各构件的配置关系，图1中省略绘示显示面板100中的像素单元U、遮光导电图案层108、共用电极层CM、色彩转换层CF、栅绝缘层GI、绝缘层L1以及绝缘层L2等构件。另一方面，为了方便说明起见，图2中省略绘示第二基板104、显示介质层106、遮光导电图案层108、共用电极层CM、色彩转换层CF、栅绝缘层GI、绝缘层L1以及绝缘层L2等构件。
在本实施方式中，第一基板102具有第一外表面102o及第一内表面102i。在本实施方式中，第一外表面102o可作为显示面板100的显示面，则第一外表面102o可为显示面板100中最接近使用者的表面。另外，第一基板102的材质可为透明或至少半透明的材料，例如:玻璃、塑胶、或其它合适的材质，但不限于此。若第一基板102的材质除了前述材质之外，另有包含不透光材料，例如：金属、合金、或其它合适的材质，则不透光材料的厚度仍可让第一基板102呈现透明或至少半透明，其中不透光材料的厚度例如小于60埃，但不限于此。
在本实施方式中，第二基板104与第一基板102对向设置，且具有第二外表面104o及第二内表面104i。在本实施方式中，相较于第一基板102，第二基板104较远离使用者。若显示装置10包含背光模块110，第二基板104就较邻近于背光模块110，则第二外表面104o可为显示面板100中最接近背光模块110的表面。另外，第二基板104的材质可为玻璃、塑胶、或其它合适的材质，但不限于此。若第二基板104的材质除了前述材质之外，另有包含不透光材料，例如：金属、合金、或其它合适的材质，则不透光材料的厚度仍可让第二基板104呈现透明或至少半透明，其中不透光材料的厚度例如小于60埃，但不限于此。
在本实施方式中，显示介质层106设置于第一内表面102i与第二内表面104i之间。在本实施方式中，显示介质层106可为液晶层。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，显示介质层106也可以是其他的非自发光材料(例如电泳层、电湿润层、或是其它合适的材料)。在其他实施方式中，显示介质层106也可以是自发光材料(例如有机发光层、无机发光层、或是其它合适的材料)，而此时，显示装置10可以选择性地省略背光模块110的配置。
在本实施方式中，像素单元U配置于显示介质层106与第一内表面102i之间。举例而言，在本实施方式中，像素单元U至少包括主动元件T及像素电极P。在本实施方式中，像素单元U可还包括至少二信号线，其中至少二信号线举例为扫描线SL、数据线DL、共用线CL、或是其它合适的线(例如：电源供应线或其它合适的线)。
在本实施方式中，信号线举例的扫描线SL及数据线DL配置于显示介质层106与第一内表面102i之间。信号线举例的扫描线SL与数据线DL的延伸方向不相同，较佳的是信号线举例的扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向交错(例如：实质上垂直)。此外，信号线举例的扫描线SL及数据线DL可位于不相同的膜层，且两者之间夹有栅绝缘层GI(于后文进行详细描述)。基于导电性的考虑，信号线举例的扫描线SL及数据线DL一般是使用金属。然而，本发明并不限于此，根据其他实施方式，信号线举例的扫描线SL及数据线DL也可以使用例如合金、前述材料的氮化物、前述材料的氧化物、前述材料的氮氧化物、透明导电材料、其他非金属但具导电特性的材料、或是其它合适的材料。
在本实施方式中，主动元件T配置于显示介质层106与第一内表面102i之间，且与信号线(例如：扫描线SL以及数据线DL)电连接。举例而言，主动元件T至少包括栅极G、通道层CH、源极S以及漏极D，其中栅极G与信号线举例的扫描线SL电连接，通道层CH的垂直投影，例如：可完全位于栅极G的垂直投影内，但不限于此。源极S以及漏极D分别与通道层CH的两端电连接，且源极S与信号线举例的数据线DL电连接。从另一观点而言，在本实施方式中，就自第二基板104向第一基板102观看的视角而言，主动元件T属于底部栅极型薄膜晶体管，但本发明不限于此。在其他实施方式中，主动元件T也可以是顶部栅极型薄膜晶体管、立体型薄膜晶体管、或是其它合适的薄膜晶体管。
在本实施方式中，栅极G与信号线举例的扫描线SL可为一连续的导电图案，例如:栅极G与信号线举例的扫描线SL具有实质上相同的材质；源极S与信号线举例的数据线DL可为一连续的导电图案，例如:源极S与信号线举例的数据线DL具有实质上相同的材质；漏极D与源极S可具有实质上相同的材质，但不限于此。在本实施方式中，栅极G与信号线举例的扫描线SL可属于同一膜层，而源极S、漏极D与数据线DL可属于同一膜层，但不限于此。另外，在本实施方式中，通道层CH的材质例如包括非晶硅、纳米晶硅、微晶硅、多晶硅、单晶硅、纳米碳管/杆、氧化物半导体材料(例如：氧化铟镓锌(Indium-Gallium-Zinc Oxide，IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO)、氧化铟锌(Indium-Zinc Oxide，IZO)、氧化镓锌(Gallium-ZincOxide，GZO)、氧化锌锡(Zinc-Tin Oxide，ZTO)或氧化铟锡(Indium-Tin Oxide，ITO)、或是其它合适的材质)、有机半导体材质、或其它合适的材质、或前述至少二种的组合或堆叠。
在本实施方式中，栅绝缘层GI可全面地形成在第一基板100上，且配置在栅极G与通道层CH之间。栅绝缘层GI可为单层或多层结构，且其材质可包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料)、有机材料、或其它合适的材料。
在本实施方式中，绝缘层L1可全面地形成于第一基板100上，且覆盖主动元件T，以提供绝缘与保护的功能。绝缘层L1可为单层或多层结构，且其材质可包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其他合适的材料)、有机材料、或其它合适的材料。在其它实施方式中，显示面板100也可选择性的不包含绝缘层L1。
在本实施方式中，像素电极P与主动元件T电连接。在本实施方式中，像素电极P可经由接触窗H1与漏极D电连接，其中接触窗H1形成在绝缘层L1、色彩转换层CF(在后文进行详细描述)及绝缘层L2(在后文进行详细描述)中，然而本发明并不限于此。在本实施方式中，像素电极P的材质可为透明导电材料(例如：氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锡(aluminumtinoxide，ATO)、氧化铝锌(aluminum zinc oxide，AZO)、氧化铟镓锌、小于60埃的金属或合金、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层)、其它合适的材质、或前述至少二种材料的的组合/堆叠。
在本实施方式中，信号线举例的共用线CL可配置于显示介质层106与第一内表面102i之间。在本实施方式中，信号线举例的共用线CL实质上平行于信号线举例的扫描线SL，但不限于此。在其它实施方式中，信号线举例的共用线CL可与不同方向的线路实质上平行或者是选择性的不存在信号线举例的共用线CL。在本实施方式中，信号线举例的共用线CL与像素电极P于垂直投影方向n上部分重叠，以耦合形成存储电容器(Cst，未标示)，然而本发明并不限与此。在其它实施方式中，存储电容器(Cst，未标示)也可由像素电极P与信号线举例的扫描线SL于垂直投影方向n上部分重叠来形成或者是本发明所述的存储电容器(Cst，未标示)形成方式都可使用。另外，在本实施方式中，信号线举例的共用线CL与信号线举例的扫描线SL可属于同一膜层，而与信号线举例的数据线DL分属不同膜层，然而本发明并不限于此。
在本实施方式中，色彩转换层CF配置于显示介质层106与第一内表面102i之间。在本实施方式中，色彩转换层CF例如包括彩色滤光图案，其中彩色滤光图案可以是红色滤光图案、绿色滤光图案或蓝色滤光图案，但本发明不限于此。在其他实施方式中，色彩转换层CF也可以是配置于显示介质层106与第二内表面104i之间或者是色彩转换层CF也可以是配置于第一内表面102i与主动元件T之间。在其它实施方式中，色彩转换层CF的材料也可包含量子点/杆、彩色滤光图案混合量子点/杆、或其它合适的材料、或前述至少二种材料的组合或堆叠层。
在本实施方式中，绝缘层L2可全面地形成于第一基板100上，且覆盖主色彩转换层CF，以提供保护的功能。绝缘层L2可为单层或多层结构，且其材质可包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其他合适的材料)、有机材料、或其它合适的材料。在其它实施方式中，显示面板100也可选择性的不包含绝缘层L2。
在本实施方式中，遮光导电图案层108配置于显示介质层106与第二内表面104i之间。遮光导电图案层108与像素单元U所述的相关元件对向设置。
在本实施方式中，如图3所示，遮光导电图案层108与主动元件T于垂直投影方向n上至少部分重叠。举例而言，主动元件T的垂直投影可完全位于遮光导电图案层108的垂直投影内。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，遮光导电图案层108与主动元件T于垂直投影方向n上也可以仅部分重叠，只要遮光导电图案层108能够遮蔽住主动元件T的通道层CH。
另一方面，如图3及图4所示，遮光导电图案层108与信号线(例如：扫描线SL及数据线DL或者是扫描线SL、数据线DL及共用线CL)于垂直投影方向n上至少一部分重叠。举例而言，信号线(例如：扫描线SL及数据线DL或者是扫描线SL、数据线DL及共用线CL)的垂直投影都完全位于遮光导电图案层108的垂直投影内。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，遮光导电图案层108与信号线(例如：扫描线SL及数据线DL或者是扫描线SL、数据线DL及共用线CL)于垂直投影方向n上也可以仅部分重叠。
在本实施方式中，遮光导电图案层108可包括第一图案化遮光导电层108a及第一图案化低反射层108b，其中第一图案化遮光导电层108a位于第一图案化低反射层108b与第二基板104的第二内表面104i之间。举例而言，在本实施方式中，第一图案化遮光导电层108a及第一图案化低反射层108b依序堆叠于第二基板104的第二内表面104i上。
在本实施方式中，第一图案化遮光导电层108a可为单层或多层结构，且其材质包括(但不限于)：铝、钼、铜、银、铝钕合金、钼钛合金、钼钨合金、氧化铜、氧化钼、或其它合适具有遮光效果与导电的材料，第一图案化低反射层108b可为单层或多层结构，且其材质包括(但不限于)：铝氧化物、铬氧化物、铜氧化物、钼氧化物、铝氮化物、铬氮化物、铜氮化物、钼氮化物、钼钽合金氧化物、钼钛合金氧化物、钼钽合金氮化物、钼钛合金氮化物、或其它合适具有低反射的材料、或具有低反射与导电的材料。在本实施方式中，较佳地，第一图案化低反射层108b的反射率可介于约2％至约20％之间，但不限于此。在本实施方式中，第一图案化遮光导电层108a的厚度可介于约50埃至约10,000埃之间，第一图案化低反射层108b的厚度可介于约50埃至约600埃之间，但不限于此。
另外，在本实施方式中，较佳地，遮光导电图案层108的光学密度(无单位)介于约5至约6.5之间，则遮光导电图案层108可具有较良好的遮光能力，但不限于此。
以下，通过表1来说明，遮光导电图案层108的光学密度与传统的黑矩阵的光学密度之间的差异，其中在相同的测量条件下，传统的黑矩阵的厚度约为1微米(μm)，遮光导电图案层108中的第一图案化遮光导电层108a及第一图案化低反射层108b的厚度分别为约及约并且，对于遮光导电图案层108而言，分别使测量光(例如：可见光)自第一图案化遮光导电层108a侧以及第一图案化低反射层108b侧入射以进行两次光学密度的测量。
表1
由表1可知，在遮光导电图案层108与传统的黑矩阵的厚度相近的情况下，遮光导电图案层108的光学密度明显高于传统的黑矩阵，因而具有较佳的遮光能力。
在本实施方式中，共用电极层CM可选择性地配置于第二基板104的第二内表面104i上且覆盖遮光导电图案层108，则共用电极层CM也与像素单元U的相关元件对向设置，但不限于此。于其它实施方式中，可依设计与电场驱动方式等需求可不配置共用电极层CM于第二基板104的第二内表面104i上。在本实施方式中，如图3及图4所示范例，共用电极层CM可与部分的第一图案化遮光导电层108a接触。如前文所述，由于第一图案化遮光导电层108a的材质包括导电材料，因此通过共用电极层CM与部分的第一图案化遮光导电层108a接触，共用电极层CM的阻值得以降低，而使得共用电极层CM所配置的共用电压能够更均匀地传递。
在本实施方式中，背光模块110可选择性地配置于显示面板100的一侧。举例而言，请参照图1，背光模块110可用以向第二基板104提供光线，并且光线将依序经过第二基板104、显示介质层106与第一基板102，而自第一基板102的第一外表面102o(亦即显示面)射出。在本实施方式中，背光模块110可得以提供例如介于约7.5×104至约15×104尼特(nits)之间的高亮度。基于此，显示装置10能够在户外强环境光(例如：太阳光)下使用。这是因为，在户外强环境光(例如：太阳光)下，提供高亮度的显示装置才能让使用者看清其所显示的影像画面。另外，在本实施方式中，背光模块110可采用测入式的设计，其中背光模块110可包括光源112、导光板114或其他适合元件。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，背光模块110也可采用直下式的设计及其适合此设计的光学元件。
在本实施方式中，软性电路板120贴合于第一基板102，用以将第一基板102以及第二基板104上的电路连接至电路板130。在本实施方式中，壳体140可用以装载显示装置10。
由前述可知，在本实施方式中，通过遮光导电图案层108配置于显示介质层106与第二内表面104i之间，与主动元件T于垂直投影方向n上至少一部分重叠，且包括第一图案化低反射层108b以及位于第一图案化低反射层108b与第二基板104之间的第一图案化遮光导电层108a，使得在户外强环境光(例如：太阳光)下使用显示装置10时，遮光导电图案层108能够完全遮蔽背光模块110所发出的光线，由此可避免与遮光导电图案层108至少一部分重叠的主动元件T受到背光模块110所发出的光线直接照射；以及遮光导电图案层108中的第一图案化低反射层108b能够防止自显示面入射的环境光(例如：太阳光)反射，由此可避免与遮光导电图案层108至少一部分重叠的主动元件T受到环境光(例如：太阳光)的反射光照射。如此一来，显示装置10能够在户外强环境光(例如：太阳光)下长时间使用，并可具有较良好的可靠度。
另外，在图1至图4的实施方式中，像素单元U包括一个主动元件T及一个像素电极P，但本发明并不限于此，只要像素单元U包括至少一主动元件T及至少一像素电极P即落入本发明的范畴。
另外，在图1至图4的实施方式中，显示装置10未设置有黑矩阵，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，显示装置10也可以选择性地在第一基板102或第二基板104上设置黑矩阵，可较为增加像素单元U遮光性能。
图5是依照本发明的另一实施方式的显示面板的局部剖面示意图。图6是依照本发明的另一实施方式的显示面板的局部剖面示意图。在此需说明的是，图5的剖面位置可参照图2中的剖线I-I’的位置，而图6的剖面位置可参照图2中的剖线II-II’的位置。另外，请同时参照图5～图6与图3～图4，图5～图6的显示面板200与图3-4的显示面板100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式。以下，将就两者间的差异处做说明。
请同时参照图5及图6，在本实施方式中，信号线举例的扫描线SL、信号线举例的共用线CL以及主动元件T的栅极G其中至少一者分别包括第二图案化遮光导电层208a及第二图案化低反射层208b。较佳地，信号线举例的扫描线SL、信号线举例的共用线CL以及主动元件T的栅极G分别包括第二图案化遮光导电层208a及第二图案化低反射层208b，但不限于此。第二图案化低反射层208b位于第二图案化遮光导电层208a与第一基板102之间。举例而言，在本实施方式中，第二图案化低反射层208b及第二图案化遮光导电层208a依序堆叠于第一基板102的第一内表面102i上。
另一方面，在本实施方式中，信号线举例的数据线DL、主动元件T的漏极D以及主动元件T的源极S其中至少一者也可选择性地分别包括第二图案化遮光导电层208c及第二图案化低反射层208d。较佳地，信号线举例的数据线DL、主动元件T的漏极D以及主动元件T的源极S也可选择性地分别包括第二图案化遮光导电层208c及第二图案化低反射层208d，但不限于此。第二图案化低反射层208d位于第二图案化遮光导电层208c与第一基板102之间。举例而言，在本实施方式中，第二图案化低反射层208d及第二图案化遮光导电层208c依序堆叠于第一基板102的第一内表面102i上。如上所述，信号线举例的数据线DL、主动元件T的漏极D以及主动元件T的源极S其中至少一者可分别包括第二图案化遮光导电层208c及第二图案化低反射层208d及/或信号线举例的扫描线SL、共用线CL以及主动元件T的栅极G其中至少一者可分别包括第二图案化遮光导电层208a及第二图案化低反射层208b。
在本实施方式中，第二图案化遮光导电层208a及第二图案化遮光导电层208c的材质可选用前述实施方式中第一图案化遮光导电层108a所述的材质，且本实施方式的第二图案化遮光导电层208a及第二图案化遮光导电层208c其中至少一者的材料可实质上相同或不同于前述实施方式中第一图案化遮光导电层108a所述的材质。另外，在本实施方式中，较佳地，第二图案化遮光导电层208a及第二图案化遮光导电层208c其中至少一者的光学密度(无单位)介于约5至约6.5之间，则第二图案化遮光导电层208a及第二图案化遮光导电层208c其中至少一者可具有较良好的遮光能力，但不限于此。另外，在本实施方式中，第二图案化遮光导电层208a及第二图案化遮光导电层208c的厚度分别可介于约至约之间，但不限于此。
在本实施方式中，第二图案化低反射层208b以及第二图案化低反射层208d的材质可选用前述实施方式中第一图案化低反射层108b所述的材质，且本实施方式的第二图案化低反射层208b以及第二图案化低反射层208d其中至少一者的材料可实质上相同或不同于前述实施方式中第一图案化低反射层108b所述的材质。在本实施方式中，第二图案化低反射层208b以及第二图案化低反射层208d的反射率分别可介于约2％至约20％之间，但不限于此。另外，在本实施方式中，第二图案化低反射层208b以及第二图案化低反射层208d的厚度分别可介于约至约之间，但不限于此。
基于图1至图4的实施方式可知，通过遮光导电图案层108配置于显示介质层106与第二内表面104i之间，与主动元件T于垂直投影方向n上至少一部分重叠，且包括第一图案化低反射层108b以及位于第一图案化低反射层108b与第二基板104之间的第一图案化遮光导电层108a，使得包括显示面板200的显示装置能够在户外强环境光(例如：太阳光)下长时间使用，并具有良好的可靠度。
另一方面，在本实施方式中，通过信号线举例的扫描线SL、信号线举例的共用线CL以及主动元件T的栅极G其中至少一者可分别包括第二图案化遮光导电层208a及位于第二图案化遮光导电层208a与第一基板102之间的第二图案化低反射层208b以及/或者信号线举例的数据线DL、主动元件T的漏极D以及主动元件T的源极S其中至少一者可分别包括第二图案化遮光导电层208c及位于第二图案化遮光导电层208c与第一基板102之间的第二图案化低反射层208d，使得第二图案化低反射层208b以及/或者第二图案化低反射层208d能够防止自显示面(例如：第一外表面102o))入射的环境光(例如：太阳光)反射，由此可避免信号线举例的扫描线SL、信号线举例的数据线DL、信号线举例的共用线CL以及主动元件T其中至少一者被使用者观看到。如此一来，包括显示面板200的显示装置能够在不需设置黑矩阵的情况下具有良好的视觉效果。
另外，在前述实施方式中，就自第二基板104向第一基板102观看的视角而言，主动元件T是以底部栅极型薄膜晶体管为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施方式中，主动元件T也可以是顶部栅极型薄膜晶体管、立体薄膜晶体管或其它合适的薄膜晶体管。
图7是依照本发明的另一实施方式的显示面板的局部剖面示意图。在此需说明的是，图7的剖面位置可参照图2中的剖线I-I’的位置。另外，请同时参照图7与图3，图7的显示面板300与图3的显示面板100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式。以下，将就两者间的差异处做说明。
请参照图7，在本实施方式中，主动元件T包括栅极G、半导体层SC、源极S以及漏极D，其中半导体层SC包括源极区SR、漏极区DR以及通道区CR，栅极G配置在栅绝缘层GI上且通道区CR的垂直投影可例如完全位于栅极G的垂直投影内，源极S经由形成在栅绝缘层GI及绝缘层L4(在后文进行详细描述)中的接触窗H2与源极区SR电连接，漏极D经由形成在栅绝缘层GI及绝缘层L4(于后文进行详细描述)中的接触窗H3与漏极区DR电连接。在本实施方式中，半导体层SC的材质例如包括多晶硅、氧化物半导体材料(例如：氧化铟镓锌、氧化锌、氧化锡、氧化铟锌、氧化镓锌、氧化锌锡、或氧化铟锡)、或其它合适的材料、或前述至少二种材料的组合或堆叠。
在本实施方式中，显示面板300包括配置于主动元件T与第一内表面102i之间的遮光导电图案SM。在本实施方式中，遮光导电图案SM与半导体层SC的通道区CR于垂直投影方向n上至少一部分重叠。从另一观点而言，在本实施方式中，通道区CR的垂直投影可完全位于遮光导电图案SM的垂直投影内，但不限于此。在本实施方式中，遮光导电图案SM可为单层或多层结构，且其材质可包括任一种导电遮光材料(例如：钼、铝、钛、或其它合适的材料、或前述的合金)、任一种非导电遮光材料(例如：黑色光阻、或其它合适的材料)、或其它合适的材料。
在本实施方式中，显示面板300可包括全面地形成于第一基板100上，且覆盖遮光导电图案SM的绝缘层L3。绝缘层L3可为单层或多层结构，且其材质可包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其他合适的材料)、有机材料、或其它合适的材料。
在本实施方式中，显示面板300可包括全面性形成于栅绝缘层GI上，且覆盖栅极G的绝缘层L4。绝缘层L4可为单层或多层结构，且其材质可包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其他合适的材料)、有机材料、或其它合适的材料。在部分实施方式中，显示面板300也可选择性地不设置绝缘层L4。
基于图1至图4的实施方式可知，通过遮光导电图案层108配置于显示介质层106与第二内表面104i之间，与主动元件T于垂直投影方向n上至少一部分重叠，且包括第一图案化低反射层108b以及位于第一图案化低反射层108b与第二基板104之间的第一图案化遮光导电层108a，使得包括显示面板300的显示装置能够在户外强环境光(例如：太阳光)下长时间使用，并具有良好的可靠度。
图8是依照本发明的另一实施方式的显示面板的局部剖面示意图。在此需说明的是，图8的剖面位置可参照图2中的剖线I-I’的位置。另外，请同时参照图8与图7，图8的显示面板400与图7的显示面板300相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式。以下，将就两者间的差异处做说明。
请参照图8，在本实施方式中，显示面板400包括与遮光导电图案层SM(或称为另一遮光导电图案层)堆叠的图案化低反射层LR(或称为另一图案化低反射层)，且图案化低反射层LR(或称为另一图案化低反射层)位于遮光导电图案层SM(或称为另一遮光导电图案层)与第一内表面102i间。在本实施方式中，图案化低反射层LR以及遮光导电图案层SM依序配置于第一基板102上。在本实施方式中，图案化低反射层LR的材质可选用前述实施方式中第一图案化低反射层108b所述的材质，且本实施方式的图案化低反射层LR的材质可实质上相同或不同于前述实施方式中第一图案化低反射层108b所述的材质。在本实施方式中，图案化低反射层LR的反射率，较佳地介于约2％至约20％之间，但不限于此。另外，在本实施方式中，图案化低反射层LR的厚度分别可介于约至约之间，但不限于此。
在本实施方式中，主动元件T的栅极G包括第二图案化遮光导电层408a及第二图案化低反射层408b，其中第二图案化低反射层408b位于第二图案化遮光导电层408a与第一基板102之间。举例而言，在本实施方式中，第二图案化低反射层408b及第二图案化遮光导电层408a依序堆叠于第一基板102上。
另一方面，在本实施方式中，信号线举例的数据线DL、主动元件T的漏极D以及主动元件T的源极S其中至少一者可分别包括第二图案化遮光导电层408c及第二图案化低反射层408d，其中第二图案化低反射层408d位于第二图案化遮光导电层408c与第一基板102之间。举例而言，在本实施方式中，第二图案化低反射层408d及第二图案化遮光导电层408c依序堆叠于第一基板102上。
在本实施方式中，第二图案化遮光导电层408a及第二图案化遮光导电层408c的材质可选用前述实施方式中第一图案化遮光导电层108a所述的材质，且本实施方式的第二图案化遮光导电层408a及第二图案化遮光导电层408c其中至少一者的材料可实质上相同或不同于前述实施方式中第一图案化遮光导电层108a所述的材质。另外，在本实施方式中，较佳地，遮光导电图案层SM(或称为另一遮光导电图案层)、第二图案化遮光导电层408a及第二图案化遮光导电层408c其中至少一者的光学密度(无单位)介于约5至约6.5之间，则遮光导电图案层SM(或称为另一遮光导电图案层)、第二图案化遮光导电层408a及第二图案化遮光导电层408c其中至少一者可具有较良好的遮光能力，但不限于此。在本实施方式中，第二图案化遮光导电层408a及第二图案化遮光导电层408c的厚度分别可介于约至约之间，但不限于此。
在本实施方式中，第二图案化低反射层408b以及第二图案化低反射层408d的材质可选用前述实施方式中第一图案化低反射层108b所述的材质，且本实施方式的第二图案化低反射层408b以及第二图案化低反射层408d其中至少一者的材质可实质上相同或不同于前述实施方式中第一图案化低反射层108b所述的材质。在本实施方式中，较佳地第二图案化低反射层408b以及第二图案化低反射层408d的反射率可分别介于约2％至约20％之间。另外，在本实施方式中，第二图案化低反射层408b以及第二图案化低反射层408d的厚度分别可介于约至约之间。
基于图1至图4的实施方式可知，通过遮光导电图案层108配置于显示介质层106与第二内表面104i之间，与主动元件T于垂直投影方向n上至少一部分重叠，且包括第一图案化低反射层108b以及位于第一图案化低反射层108b与第二基板104之间的第一图案化遮光导电层108a，使得包括显示面板400的显示装置能够在户外强环境光(例如：太阳光)下长时间使用，并具有良好的可靠度。
另一方面，在本实施方式中，显示面板400通过图案化低反射层LR与遮光导电图案层SM堆叠，且图案化低反射层LR位于遮光导电图案层SM与第一内表面102i间、主动元件T的栅极G包括第二图案化遮光导电层408a及位于第二图案化遮光导电层408a与第一基板102之间的第二图案化低反射层408b、以及/或信号线举例的数据线DL、主动元件T的漏极D以及主动元件T的源极S其中至少一者可分别包括第二图案化遮光导电层408c及位于第二图案化遮光导电层408c与第一基板102之间的第二图案化低反射层408d，使得图案化低反射层LR、第二图案化低反射层408b以及/或者第二图案化低反射层408d能够防止自显示面入射的环境光(例如：太阳光)反射，由此可避免信号线举例的数据线DL以及主动元件T被使用者观看到。如此一来，包括显示面板400的显示装置能够在不需设置黑矩阵的情况下具有良好的视觉效果。
综上所述，在上述实施方式的显示面板中，第一基板具有作为显示面板的显示面的第一外表面及第一内表面；与第一基板对向设置的第二基板具有第二外表面及第二内表面；显示介质层位于第一内表面与第二内表面之间；遮光导电图案层配置于显示介质层与第二内表面之间；遮光导电图案层与配置于显示介质层与第一内表面之间的至少一像素单元所包括的至少一主动元件于垂直投影方向上至少一部分重叠；且遮光导电图案层包括第一图案化低反射层以及位于第一图案化低反射层与第二基板之间的第一图案化遮光导电层，由此使得在户外强环境光(例如：太阳光)下使用包括所述显示面板的显示装置时，遮光导电图案层能够遮蔽背光模块所发出的光线以及防止自显示面入射的强环境光(例如：太阳光)反射，因而可避免主动元件受到背光模块所发出的光线直接照射以及受到强环境光(例如：太阳光)的反射光照射。如此一来，本发明的显示装置能够在户外强环境光(例如：太阳光)下长时间使用，并具有良好的可靠度。
虽然结合以上实施方式公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (14)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
第一基板，具有第一外表面及第一内表面，其中该第一外表面作为该显示面板的显示面；
第二基板，与该第一基板对向设置，且具有第二外表面及第二内表面；
显示介质层，位于该第一内表面与该第二内表面之间；
多个像素单元，配置于该显示介质层与该第一内表面之间，该些像素单元其中至少一个包括至少一主动元件及至少一像素电极，该像素电极与该主动元件电连接；以及
遮光导电图案层，配置于该显示介质层与该第二内表面之间且与该主动元件于一垂直投影方向上至少一部分重叠，其中该遮光导电图案层包括第一图案化遮光导电层及第一图案化低反射层，该第一图案化遮光导电层位于该第一图案化低反射层与该第二基板之间。
2.如权利要求1所述的显示面板，其中该遮光导电图案层的光学密度介于5至6.5之间。
3.如权利要求1所述的显示面板，其中该第一图案化低反射层的反射率介于2％至20％之间。
4.如权利要求1所述的显示面板，还包括：
共用电极层，配置于该第二内表面上且覆盖该遮光导电图案层，且该共用电极层接触部分该第一图案化遮光导电。
5.如权利要求1所述的显示面板，其中该些像素单元其中至少一个还包括：
至少二信号线，配置于该显示介质层与该第一内表面之间，其中该些信号线其中至少一者包括第二图案化遮光导电层及第二图案化低反射层，且该第二图案化低反射层位于该第二图案化遮光导电层与该第一基板之间。
6.如权利要求5所述的显示面板，其中该遮光导电图案层与该些信号线其中至少一者于该垂直投影方向上至少一部分重叠。
7.如权利要求5所述的显示面板，其中该些信号线其中至少一者包括至少一数据线、至少一扫描线、至少一共用线或至少一电源供应线。
8.如权利要求5所述的显示面板，其中该主动元件，包括至少一栅极、至少一源极与至少一漏极，该栅极电连接于该些信号线其中一者，该源极电连接于该些信号线其中另一者，其中该栅极、该源极与该漏极其中至少一者包括该第二图案化遮光导电层及该第二图案化低反射层。
9.如权利要求5所述的显示面板，其中，该第二图案化低反射层的反射率介于2％至20％之间。
10.如权利要求1所述的显示面板，还包括：
另一遮光导电图案层，配置于该些主动元件与该第一内表面之间且与该些主动元件至少一部分重叠；以及
另一图案化低反射层，与该另一遮光导电图案层堆叠，其中该另一图案化低反射层位于该另一遮光导电图案层与该第一内表面之间。
11.如权利要求10所述的显示面板，其中，该另一图案化低反射层的反射率介于2％至20％之间。
12.如权利要求1所述的显示面板，还包括至少一色彩转换层，配置于该显示介质层与该第一内表面之间或者于该显示介质层与该第二内表面之间。
13.一种显示装置，其特征在于，包括：
如权利要求1所述的显示面板；以及
背光模块，配置于该显示面板的一侧。
14.如权利要求13所述的显示装置，其中该背光模块的亮度介于7.5×104至15×104尼特(nits)之间。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110767660A (zh) * 2018-07-24 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102536116B1 (ko) * 2018-04-12 2023-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN111883574A (zh) * 2020-09-02 2020-11-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN114253027B (zh) * 2020-09-24 2023-10-20 京东方科技集团股份有限公司 光源组件、显示模组及光源组件的制造方法
CN112736095A (zh) * 2021-01-15 2021-04-30 武汉华星光电技术有限公司 显示面板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1154012C (zh) * 1998-12-28 2004-06-16 精工爱普生株式会社 电光学装置及其制造方法和电子机器
US20090051860A1 (en) * 2006-04-24 2009-02-26 Asahi Glass Company, Limited Blank, black matrix, and color filter
US20150129985A1 (en) * 2013-11-13 2015-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Display panel
TW201518808A (zh) * 2013-11-11 2015-05-16 Toppan Printing Co Ltd 液晶顯示裝置
JP2016161761A (ja) * 2015-03-02 2016-09-05 日本精機株式会社 表示装置
CN106201043A (zh) * 2015-05-08 2016-12-07 群创光电股份有限公司 触控结构及其应用

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1101080C (zh) 1996-01-05 2003-02-05 比特联创电子（北京）有限公司 具有显示功能的智能开关
KR100404225B1 (ko) * 2000-12-28 2003-11-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
TWI407231B (zh) * 2009-05-26 2013-09-01 Innolux Corp 影像顯示系統
KR20160069628A (ko) * 2014-12-08 2016-06-17 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN104880879A (zh) 2015-06-19 2015-09-02 京东方科技集团股份有限公司 Coa阵列基板及其制造方法、显示装置
CN105093654B (zh) 2015-08-27 2018-12-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置
CN108121098B (zh) 2017-12-19 2019-08-06 友达光电股份有限公司 金属结构及其制作方法与应用的显示面板

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1154012C (zh) * 1998-12-28 2004-06-16 精工爱普生株式会社 电光学装置及其制造方法和电子机器
US20090051860A1 (en) * 2006-04-24 2009-02-26 Asahi Glass Company, Limited Blank, black matrix, and color filter
TW201518808A (zh) * 2013-11-11 2015-05-16 Toppan Printing Co Ltd 液晶顯示裝置
US20150129985A1 (en) * 2013-11-13 2015-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Display panel
JP2016161761A (ja) * 2015-03-02 2016-09-05 日本精機株式会社 表示装置
CN106201043A (zh) * 2015-05-08 2016-12-07 群创光电股份有限公司 触控结构及其应用

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110767660A (zh) * 2018-07-24 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
US11275200B2 (en) 2018-07-24 2022-03-15 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device

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