CN112310306B - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制作方法，通过在显示面板的平坦层中设置镂空区，对应镂空区设置辅助电极，并对应所述镂空区设置第一悬空部、第二悬空部、第一挡墙、第三悬空部以及第四悬空部以对所述辅助电极进行局部遮挡，使得阴极被隔断并延伸至所述镂空区与所述辅助电极搭接，相比于现有技术，本申请实现了单独控制阴极的目的，并改善了压降问题，使得显示面板显示均匀。

Description

显示面板及其制作方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板因具有超越LCD的显示特性与品质，例如：轻薄化、短的反应时间、低的驱动电压、更好的显示色彩以及显示视角等优点，受到大家广泛的关注，近些年其发展日新月异，不仅可以制作曲面显示，同时也逐渐向大尺寸发展。
目前，大尺寸OLED显示面板由于尺寸比较大，由于阴极较薄导致压降的问题更加亟待解决，尤其是顶发射的面板，极易产生目视可见的Mura(显示不均)。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法，能够解决现有技术中因阴极较薄而导致压降问题的产生，使得显示面板产生显示不均的现象，进而影响显示效果的技术问题。
本申请实施例为解决上述技术问题，提供一种显示面板的制作方法，所述方法包括：
S10、制备辅助电极于衬底基板上，所述衬底基板配置有电晶体阵列层；
S20、制备平坦层以覆盖所述辅助电极以及所述衬底基板，且所述平坦层上形成有镂空区，所述辅助电极对应所述镂空区并籍由所述镂空区暴露出来；
S30、制备导电层于所述平坦层上，所述导电层包括对应所述镂空区的第一悬空部以及对应所述显示面板的非显示区的信号走线，且所述第一悬空部遮挡部分所述辅助电极；
S40、制备第一金属层于所述平坦层和所述导电层上，所述第一金属层包括覆盖于所述平坦层表面的阳极和位于所述第一悬空部上的第二悬空部；
S50、制备像素定义层于所述第一金属层上，所述像素定义层包括位于所述第二悬空部上的第一挡墙；
S60、制备功能层于所述第一金属层上，所述功能层在对应所述辅助电极的所述镂空区处隔断并分隔为位于所述第一挡墙上的第三悬空部，以及位于所述阳极上的发光层；以及
S70、制备第二金属层于所述功能层上，所述第二金属层在对应所述辅助电极的所述镂空区处隔断并分隔为位于所述第三悬空部上的第四悬空部，以及位于所述发光层上的阴极，且所述阴极延伸至所述镂空区与所述辅助电极搭接。
在本申请的一种实施例中，所述第一悬空部、所述第二悬空部、所述第一挡墙、所述第三悬空部以及所述第四悬空部各自在所述辅助电极上的投影面积依次增加。
在本申请的一种实施例中，所述第四悬空部在所述辅助电极上的投影覆盖所述辅助电极的部分上表面。
在本申请的一种实施例中，所述步骤S60中，所述发光层延伸至所述镂空区并覆盖部分所述辅助电极。
在本申请的一种实施例中，所述镂空区的形状包括圆形或多边形。
在本申请的一种实施例中，所述阴极与所述辅助电极相搭接区域在俯视图下的形状包括U型或L型。
在本申请的一种实施例中，所述像素定义层还包括呈阵列分布的多个像素区以及围绕所述多个像素区的第二挡墙，且所述多个像素区中的每一者或每多者皆对应设置有一个所述辅助电极。
在本申请的一种实施例中，所述辅助电极均匀分布于所述显示面板的显示区内。
在本申请的一种实施例中，由所述显示面板的边缘沿朝向所述显示面板的显示区的方向上，所述辅助电极的排列密度递减。
根据本申请的上述目的，提供一种显示面板，包括：
衬底基板，所述衬底基板配置有电晶体阵列层；
辅助电极，设置于所述衬底基板上；
平坦层，设置于所述衬底基板上，且所述平坦层上设置有镂空区，其中所述辅助电极对应所述镂空区，并藉由所述镂空区暴露出来；
导电层，设置于所述平坦层上，所述导电层包括对应所述镂空区的第一悬空部以及对应所述显示面板的非显示区的信号走线，且所述第一悬空部遮挡部分所述辅助电极；
第一金属层，设置于所述导电层上，所述第一金属层包括位于所述平坦层上的阳极以及位于所述第一悬空部上的第二悬空部；
像素定义层，设置于所述第一金属层上，所述像素定义层包括位于所述第二悬空部上的第一挡墙；
功能层，设置于所述像素定义层上，所述功能层包括位于所述第一挡墙上的第三悬空部以及位于所述阳极上的发光层；以及
第二金属层，设置于所述功能层上，所述第二金属层包括位于所述第三悬空部上的第四悬空部以及位于所述发光层上的阴极，且所述阴极延伸至所述镂空区并与所述辅助电极搭接。
本申请的有益效果：本申请通过在平坦层的镂空区内设置辅助电极，并在制备信号走线的同一制程中制备第一悬空部对辅助电极进行局部遮挡，接着在第一悬空部上依次制备第二悬空部、第一挡墙、第三悬空部以及第四悬空部，在隔断阴极的同时，使得辅助电极的上方留有空间，便于阴极与辅助电极搭接，且第一悬空部与信号走线同时制备，既节省了工艺制程和工艺成本，同时，第一悬空部的制备增加了辅助电极到悬空部之间的空间，更有利于阴极延伸至镂空区与辅助电极搭接，从而实现单独控制阴极，改善压降问题，使得显示面板显示均匀。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的显示面板制作方法流程图。
图2A为本申请实施例提供的显示面板制作流程结构示意图。
图2B为本申请实施例提供的显示面板制作流程结构示意图。
图2C为本申请实施例提供的显示面板制作流程结构示意图。
图2D为本申请实施例提供的显示面板制作流程结构示意图。
图2E为本申请实施例提供的显示面板制作流程结构示意图。
图2F为本申请实施例提供的显示面板制作流程结构示意图。
图3A为本申请实施例提供的一种辅助电极搭接形状示意图。
图3B为本申请实施例提供的另一种辅助电极搭接形状示意图。
图4A为本申请实施例提供的一种镂空区形状示意图。
图4B为本申请实施例提供的另一种镂空区形状示意图。
图5A为本申请实施例提供的一种辅助电极分布示意图。
图5B为本申请实施例提供的另一种辅助电极分布示意图。
图5C为本申请实施例提供的另一种辅助电极分布示意图。
图5D为本申请实施例提供的另一种辅助电极分布示意图。
图5E为本申请实施例提供的另一种辅助电极分布示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例针对现有的显示面板，因现有技术中阴极较薄而导致压降问题的产生，使得显示面板产生显示不均的现象，进而影响显示效果的技术问题。
为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种显示面板的制作方法，请参照1所示，所述方法包括：
S10、制备辅助电极于衬底基板上，所述衬底基板配置有电晶体阵列层。
S20、制备平坦层以覆盖所述辅助电极以及所述衬底基板，且所述平坦层上形成有镂空区，所述辅助电极对应所述镂空区并籍由所述镂空区暴露出来。
S30、制备导电层于所述平坦层上，所述导电层包括对应所述镂空区的第一悬空部以及对应所述显示面板的非显示区的信号走线，且所述第一悬空部遮挡部分所述辅助电极。
S40、制备第一金属层于所述平坦层和所述导电层上，所述第一金属层包括覆盖于所述平坦层表面的阳极和位于所述第一悬空部上的第二悬空部。
S50、制备像素定义层于所述第一金属层上，所述像素定义层包括位于所述第二悬空部上的第一挡墙。
S60、制备功能层于所述第一金属层上，所述功能层在对应所述辅助电极的所述镂空区处隔断并分隔为位于所述第一挡墙上的第三悬空部，以及位于所述阳极上的发光层。
S70、制备第二金属层于所述功能层上，所述第二金属层在对应所述辅助电极的所述镂空区处隔断并分隔为位于所述第三悬空部上的第四悬空部，以及位于所述发光层上的阴极，且所述阴极延伸至所述镂空区与所述辅助电极搭接。
在实施应用过程中，由于现有的显示面板的尺寸比较大，且阴极较薄导致压降的问题极为突出，极易产生目视可见的显示不均现象，而本申请实施例提供的显示面板的制作方法，通过在平坦层的镂空区内设置辅助电极，并在辅助电极上方设置悬空部，以将发光层和阴极隔断，使得阴极在镂空区内与辅助电极搭接，以实现单独控制阴极，改善压降问题，使得显示面板显示均匀。
具体地，请结合图1以及图2A至图2F所示，下面将对本申请实施例提供的显示面板的制作方法进行详述。
S10、制备辅助电极102于衬底基板101上，所述衬底基板101配置有电晶体阵列层。
提供基板1011，并制备电晶体阵列层于所述基板1011上，其中，所述电晶体阵列层包括设置于所述基板1011上电晶体器件1017以及包覆所述电晶体器件1017的间隔层，所述间隔层包括依次设置于所述基板1011上的阻挡层1012、钝化层1013、第一绝缘层1014、第二绝缘层1015以及层间绝缘层1016，且所述电晶体器件包括设置于所述钝化层1013上的有源层、设置于所述第一绝缘层1014上的栅极、设置于所述第二绝缘层1015上的源极和漏极，且所述源极和所述漏极通过贯穿所述第一绝缘层1014和所述第二绝缘层1015的过孔分别与所述有源层的两侧搭接，需要说明的是，本申请实施例中提供的电晶体器件不限于LTPS、Oxide TFT或者SPC等电晶体器件。
制备辅助电极102于所述衬底基板101上，即将所述辅助电极102制备于所述层间绝缘层1016上，且所述辅助电极102的材料包括Mo、AL、Ti、Cu以及ITO中的任意一种或者几种的组合。
S20、制备平坦层103以覆盖所述辅助电极102以及所述衬底基板101，且所述平坦层103上形成有镂空区109，所述辅助电极102对应所述镂空区109并籍由所述镂空区109暴露出来。
制备平坦层103于所述衬底基板101上，可以采用化学气相沉积法制备膜层结构于所述衬底基板101上，并通过涂覆光阻、曝光以及显影等制程形成所述镂空区109以及对应所述源极的过孔于所述膜层结构中，以形成所述平坦层103，且所述过孔暴露所述源极的上表面，所述镂空区109对应暴露所述辅助电极102的部分上表面，且请参照图4A以及4B所示，所述镂空区109在俯视图中的形状包括圆形或多边形，且对应的，所述镂空区109可以开设于挡墙结构之间或挡墙结构之下，根据实际情况进行选择，在此不作限定。
S30、制备导电层104于所述平坦层103上，所述导电层104包括对应所述镂空区109的第一悬空部1041以及对应所述显示面板的非显示区的信号走线，且所述第一悬空部1041遮挡部分所述辅助电极102。
制备导电层104于所述平坦层103上，并对所述导电层104进行图案化处理，控制光罩过程的工艺参数以形成对应所述镂空区109的第一悬空部1041以及对应所述显示面板的非显示区的信号走线(图中并未示出)，所述第一悬空部1041形成于所述平坦层103上，并向所述镂空区109的上方突出悬空一部分，以遮挡部分所述辅助电极102的上方，且所述第一悬空部1041于所述非显示区内的信号走线一起制备，节省了工艺制程和工艺成本。
所述导电层104的材料包括ITO材料或导电金属材料，且所述第一悬空部1041可由金属材料制成，则本申请实施例中的所述第一悬空部1041在形成之后的结构稳定性相对于采用有机材料制备的悬空部结构的稳定性更好，更有利于后续悬空结构的制备，进而提高了本申请实施例中显示面板膜层结构的稳定性。
S40、制备第一金属层105于所述平坦层103和所述导电层104上，所述第一金属层105包括覆盖于所述平坦层103表面的阳极1052和位于所述第一悬空部1041上的第二悬空部1051。
制备第一金属层105于所述平坦层103和所述导电层104上，并对所述第一金属层105进行图案化处理，控制光罩过程的工艺参数以形成覆盖所述平坦层103表面的阳极1052以及位于所述第一悬空部1041上的所述第二悬空部1051，所述第二悬空部1051相对于所述第一悬空部1041的突出部分更大。
所述第一金属层105包括层叠的导电薄膜以及金属层，且所述导电薄膜的材料包括ITO材料，所述金属层的材料包括Ag，但不限于此，所述第一金属层105的材料还可以为其他可行阳极材料。
S50、制备像素定义层106于所述第一金属层105上，所述像素定义层106包括位于所述第二悬空部1051上的第一挡墙1061。
制备所述像素定义层106于所述第一金属层105上，且经过光刻工艺形成位于所述第二悬空部1051上的所述第一挡墙1061，以及位于所述阳极1052上的第二挡墙1062，其中，所述第一挡墙1061相对于所述第二悬空部1051的突出部分更大。
所述像素定义层106还包括呈阵列分布的多个像素区，且所述第二挡墙1062围绕所述多个像素区，所述多个像素区中的每一者或每多者皆对应设置有一个所述辅助电极102，具体请参照图5A至5C所示，可以由三个所述像素区112组成一个像素单元，且每个所述像素单元对应设置一个所述辅助电极102，以实现单独控制阴极，降低压降，实现显示均一的目的。
S60、制备功能层107于所述第一金属层105上，所述功能层107在对应所述辅助电极102的所述镂空区109处隔断并分隔为位于所述第一挡墙1061上的第三悬空部1071，以及位于所述阳极1052上的发光层1072。
蒸镀有机发光材料于所述第一金属层105上，以形成所述功能层107，且由于第一挡墙1061、第二悬空部1051以及第一悬空部1041对所述镂空区109的遮挡作用，使得所述功能层107在对应所述辅助电极102的所述镂空区109的位置被隔断，且分隔为位于所述第一挡墙1061上的第三悬空部1071，以及位于所述阳极1052上的发光层1072，且所述发光层1072延伸至所述镂空区109并覆盖部分所述辅助电极102。
S70、制备第二金属层108于所述功能层107上，所述第二金属层108在对应所述辅助电极102的所述镂空区109处隔断并分隔为位于所述第三悬空部1071上的第四悬空部1081，以及位于所述发光层1072上的阴极1082，且所述阴极1082延伸至所述镂空区109与所述辅助电极102搭接。
制备第二金属层108于所述功能层107上，且由于第三悬空部1071、第一挡墙1061、第二悬空部1051以及第一悬空部1041对所述镂空区109的遮挡作用，使得所述第二金属层108在对应所述辅助电极102的所述镂空区109的位置被隔断，且分隔为位于所述第三悬空部1071上的第四悬空部，以及位于所述发光层1072上的阴极1082，且控制光刻工艺参数，使得所述阴极1082延伸至所述镂空区109内，覆盖对应所述镂空区109的所述发光层1072，并与所述辅助电极102搭接，以实现单独控制阴极，改善压降问题，使得显示面板显示均匀。
请参照图3A和3B所示，所述阴极1082与所述辅助电极102相搭接区域在俯视图下的形状包括U型或L型，但并不限于此。
需要说明的是，所述第一悬空部1041、所述第二悬空部1051、所述第一挡墙1061、所述第三悬空部1071以及所述第四悬空部1081各自在所述辅助电极102上的投影面积依次增加，且所述第四悬空部1081在所述辅助电极102上的投影覆盖所述辅助电极102的部分上表面，以使得所述阴极1082可以延伸至所述镂空区109并与所述辅助电极102搭接。
请参照5D和5E所示，所述显示面板包括显示区110以及非显示区111，在本申请的一种实施例中，所述辅助电极102可以均匀的分布于所述显示区110内，在本申请的另一种实施例中，所述辅助电极102也可以非均匀的分布于所述显示区110内，且由所述显示面板的边缘，即所述非显示区111，沿朝向所述显示面板的显示区110的方向上，所述辅助电极102的排列密度递减，具体设置可根据实际情况进行选择，在此不作限定。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板的制作方法，通过在平坦层的镂空区内设置辅助电极，并在制备信号走线的同一制程中制备第一悬空部以遮挡部分辅助电极，接着在第一悬空部上依次制备第二悬空部、第一挡墙、第三悬空部以及第四悬空部，在隔断阴极的同时，使得辅助电极的上方留有空间，便于阴极与辅助电极搭接，且第一悬空部与信号走线同时制备，既节省了工艺制程和工艺成本，同时增加了辅助电极到悬空部之间的空间，更有利于阴极延伸至镂空区与辅助电极搭接，从而实现单独控制阴极，改善压降问题，使得显示面板显示均匀。
另外，本申请实施例还提供一种由上述实施例中所述的制作方法制得的显示面板，请参照图2F所示，所述显示面板包括：衬底基板101，所述衬底基板101配置有电晶体阵列层；辅助电极102，设置于所述衬底基板101上；平坦层103，设置于所述衬底基板101上，且所述平坦层103上设置有镂空区109，其中所述辅助电极102对应所述镂空区109，并藉由所述镂空区109暴露出来；导电层104，设置于所述平坦层103上，所述导电层104包括对应所述镂空区109的第一悬空部1041以及对应所述显示面板的非显示区111的信号走线，且所述第一悬空部1041遮挡部分所述辅助电极102；第一金属层105，设置于所述导电层104上，所述第一金属层105包括位于所述平坦层103上的阳极1052以及位于所述第一悬空部1041上的第二悬空部1051；像素定义层106，设置于所述第一金属层105上，所述像素定义层106包括位于所述第二悬空部1051上的第一挡墙1061；功能层107，设置于所述像素定义层106上，所述功能层107包括位于所述第一挡墙1061上的第三悬空部1071以及位于所述阳极1052上的发光层1072；以及第二金属层108，设置于所述功能层107上，所述第二金属层108包括位于所述第三悬空部1071上的第四悬空部1081以及位于所述发光层1072上的阴极1082，且所述阴极1082延伸至所述镂空区109并与所述辅助电极102搭接。
所述显示面板的其他结构均可与上述实施例中所述相同，在此不再赘述。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板，通过在显示面板的平坦层上设置镂空区，并对应设置辅助电极，同时设置悬空部对辅助电极进行局部遮挡，以隔断阴极并使得阴极与辅助电极搭接，从而实现单独控制阴极，改善压降问题，使得显示面板显示均匀。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
S10、制备辅助电极于衬底基板上，所述衬底基板配置有电晶体阵列层，由所述显示面板的边缘沿朝向所述显示面板的显示区的方向上，所述辅助电极的排列密度递减；
S20、制备平坦层以覆盖所述辅助电极以及所述衬底基板，且所述平坦层上形成有镂空区，所述辅助电极对应所述镂空区并藉由所述镂空区暴露出来；
S30、制备导电层于所述平坦层上，所述导电层包括对应所述镂空区的第一悬空部以及对应所述显示面板的非显示区的信号走线，且所述第一悬空部遮挡部分所述辅助电极；
S40、制备第一金属层于所述平坦层和所述导电层上，所述第一金属层包括覆盖于所述平坦层表面的阳极和位于所述第一悬空部上的第二悬空部；
S50、制备像素定义层于所述第一金属层上，所述像素定义层包括位于所述第二悬空部上的第一挡墙；
S60、制备功能层于所述第一金属层上，所述功能层在对应所述辅助电极的所述镂空区处隔断并分隔为位于所述第一挡墙上的第三悬空部，以及位于所述阳极上的发光层；以及
S70、制备第二金属层于所述功能层上，所述第二金属层在对应所述辅助电极的所述镂空区处隔断并分隔为位于所述第三悬空部上的第四悬空部，以及位于所述发光层上的阴极，且所述阴极延伸至所述镂空区与所述辅助电极搭接。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一悬空部、所述第二悬空部、所述第一挡墙、所述第三悬空部以及所述第四悬空部各自在所述辅助电极上的投影面积依次增加。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第四悬空部在所述辅助电极上的投影覆盖所述辅助电极的部分上表面。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S60中，所述发光层延伸至所述镂空区并覆盖部分所述辅助电极。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述镂空区的形状包括圆形或多边形。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述阴极与所述辅助电极相搭接区域在俯视图下的形状包括U型或L型。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述像素定义层还包括呈阵列分布的多个像素区以及围绕所述多个像素区的第二挡墙，且所述多个像素区中的每一者或每多者皆对应设置有一个所述辅助电极。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述辅助电极均匀分布于所述显示面板的显示区内。
9.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板配置有电晶体阵列层；
辅助电极，设置于所述衬底基板上，由所述显示面板的边缘沿朝向所述显示面板的显示区的方向上，所述辅助电极的排列密度递减；
平坦层，设置于所述衬底基板上，且所述平坦层上设置有镂空区，其中所述辅助电极对应所述镂空区，并藉由所述镂空区暴露出来；
导电层，设置于所述平坦层上，所述导电层包括对应所述镂空区的第一悬空部以及对应所述显示面板的非显示区的信号走线，且所述第一悬空部遮挡部分所述辅助电极；
第一金属层，设置于所述导电层上，所述第一金属层包括位于所述平坦层上的阳极以及位于所述第一悬空部上的第二悬空部；
像素定义层，设置于所述第一金属层上，所述像素定义层包括位于所述第二悬空部上的第一挡墙；
功能层，设置于所述像素定义层上，所述功能层包括位于所述第一挡墙上的第三悬空部以及位于所述阳极上的发光层；以及
第二金属层，设置于所述功能层上，所述第二金属层包括位于所述第三悬空部上的第四悬空部以及位于所述发光层上的阴极，且所述阴极延伸至所述镂空区并与所述辅助电极搭接。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113871433A (zh) * 2021-09-17 2021-12-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN114171566B (zh) * 2021-12-02 2023-05-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN117529977A (zh) * 2022-06-02 2024-02-06 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN116782712B (zh) * 2023-08-24 2023-11-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180013226A (ko) * 2016-07-29 2018-02-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN109524437A (zh) * 2018-10-16 2019-03-26 云谷（固安）科技有限公司 Oled结构及其制备方法、显示面板以及电子设备

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008288075A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
KR20160030596A (ko) * 2014-09-10 2016-03-21 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법
KR102642369B1 (ko) * 2016-03-25 2024-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102593335B1 (ko) * 2016-06-10 2023-10-23 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법
KR20180046229A (ko) * 2016-10-27 2018-05-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN110047886B (zh) * 2019-04-11 2021-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器及其制作方法
CN110911461B (zh) * 2019-11-26 2023-06-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180013226A (ko) * 2016-07-29 2018-02-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN109524437A (zh) * 2018-10-16 2019-03-26 云谷（固安）科技有限公司 Oled结构及其制备方法、显示面板以及电子设备

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