CN111599836A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置及其制造方法。显示装置包括：基底基板；有源层，配置在所述基底基板上且包括第1有源图案；第1绝缘层，配置在所述有源层上；第1栅极导电层，配置在所述第1绝缘层上；第2绝缘层，配置在所述第1栅极导电层上；以及第3栅极导电层，包括配置在所述第2绝缘层上的第3a栅极图案。所述第3栅极导电层不与所述第1栅极导电层直接连接。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置及所述显示装置的制造方法，更加详细而言，涉及一种提高显示品质的显示装置及所述显示装置的制造方法。
背景技术
最近，借助技术的发展，生产出了小型、轻量化且性能更加出色的显示器产品。迄今为止，在显示装置中，现有的阴极射线管(cathode ray tube，CRT)电视机无论是在性能方面还是在价格方面都具有很多优点而得到了广泛的应用，但在小型化或者便携性方面克服了CRT的缺点且具有小型化、轻量化以及功耗低等优点的显示装置、例如等离子显示装置、液晶显示装置或有机发光显示装置等逐渐受到瞩目。
所述显示装置包括构成扫描布线等的栅极导电层。在所述显示装置变得大型化且分辨率增加而需要高速驱动的情况下，通过所述栅极导电层传递的扫描信号会延迟，从而显示品质会降低。由此，有必要降低所述栅极导电层的电阻值的同时解决在工序中可能会发生的问题。
发明内容
对此，本发明所要解决的技术问题是鉴于如上所述的情况而提出的，本发明的目的在于提供一种包括低电阻栅极导电层来提高显示品质的显示装置。
本发明的另一目的在于提供一种所述显示装置的制造方法。
用于实现所述的本发明的目的的根据一实施例的显示装置包括：基底基板；配置在所述基底基板上且包括第1有源图案的有源层；配置在所述有源层上的第1绝缘层；配置在所述第1绝缘层上的第1栅极导电层；配置在所述第1栅极导电层上的第2绝缘层；以及包括配置在所述第2绝缘层上的第3a栅极图案的第3栅极导电层。所述第3栅极导电层不与所述第1栅极导电层直接连接。
在本发明的一实施例中，所述第3a栅极图案可以通过第1接触孔与所述第1有源图案直接连接，其中，所述第1接触孔经过所述第2绝缘层以及所述第1绝缘层而形成。
在本发明的一实施例中，所述显示装置还可以包括：配置在所述第3栅极导电层上的第4绝缘层；以及配置在所述第4绝缘层上且包括第1SD图案以及第2SD图案的源漏极导电层。所述第1栅极导电层包括第1a栅极图案以及第1b栅极图案，所述第1a栅极图案与所述第1有源图案重叠，所述第1b栅极图案可以与所述第1a栅极图案分开。所述第1SD图案可以通过第2接触孔与所述第3a栅极图案直接连接，其中，所述第2接触孔经过所述第4绝缘层而形成。所述第2SD图案可以通过第3接触孔与所述第1b栅极图案直接连接，其中，所述第3接触孔经过所述第4绝缘层以及所述第2绝缘层而形成。
在本发明的一实施例中，所述显示装置还可以包括：配置在所述第2绝缘层上的第2栅极导电层；以及配置在所述第2栅极导电层上且配置在所述第3栅极导电层的下部的第3绝缘层。所述第3栅极导电层可以不与所述第2栅极导电层直接连接。
在本发明的一实施例中，所述有源层可以包括多晶硅。
在本发明的一实施例中，所述第1栅极导电层可以由铝或者铝合金的单层形成。
在本发明的一实施例中，所述第1栅极导电层可以包括主导电层以及配置在所述主导电层上的覆盖层。
在本发明的一实施例中，所述主导电层由铝或者铝合金的单层形成，所述覆盖层包括钛(Ti)且可以具有
Figure BDA0002381327910000021
以下的厚度。
在本发明的一实施例中，所述显示装置还可以包括：配置在显示图像的显示区域与包围所述显示区域的周边区域之间的密封部件；以及与所述密封部件一起密封所述显示区域内的构造物的密封基板。所述第1栅极导电层还可以包括与所述密封部件重叠配置的第1连接布线。所述第3栅极导电层还可以包括配置在所述第1连接布线与所述密封部件之间的屏蔽电极。
用于实现上述的本发明的目的的根据一实施例的显示装置包括：包括显示图像的显示区域以及与所述显示区域相邻的作为非显示区域的周边区域的基底基板；配置在所述基底基板上的有源层；配置在所述有源层上的第1绝缘层；配置在所述第1绝缘层上且包括第1连接布线的第1栅极导电层；配置在所述第1栅极导电层上的第2绝缘层；配置在所述第2绝缘层上且包括与所述第1连接布线重叠的第1屏蔽电极的第3栅极导电层；配置在所述第3栅极导电层上的第4绝缘层；配置在所述第4绝缘层上且配置在所述显示区域与所述周边区域之间并与所述第1屏蔽电极重叠的密封部件；以及与所述密封部件一起密封所述显示区域内的构造物的密封基板。
用于实现上述的本发明的目的的根据一实施例的显示装置的制造方法包括：在基底基板上形成包括第1有源图案的有源层的步骤；在所述有源层上形成第1绝缘层的步骤；在所述第1绝缘层上形成第1栅极导电层的步骤；在所述第1栅极导电层上形成第2绝缘层的步骤；形成经由所述第2绝缘层以及所述第1绝缘层使所述第1有源图案露出的第1接触孔的步骤；以及在所述第2绝缘层上形成第3栅极导电层的步骤，所述第3栅极导电层包括通过所述第1接触孔与所述第1有源图案直接连接的第3a栅极图案。在形成所述第1接触孔的步骤中，所述第1栅极导电层被所述第2绝缘层全部覆盖。
在本发明的一实施例中，所述制造方法在形成所述第1接触孔的步骤之后，且在形成所述第3栅极导电层之前，还可以包括：利用针对金属具有蚀刻力的清洗溶液清洗经由所述第1接触孔露出的所述第1有源图案的表面的步骤。
在本发明的一实施例中，在进行清洗的所述步骤中，可以利用BOE(BufferedOxide Etchant，缓冲氧化蚀刻剂)清洗溶液进行湿式清洗。
在本发明的一实施例中，所述制造方法在形成所述第1栅极导电层之后，且在形成所述第2绝缘层之前，还可以包括：向所述有源层的一部分掺杂杂质来形成源漏区的步骤；以及为了所述有源层的掺杂物活性化(dopant activation)而进行热处理来使所述有源层活性化(activation)的步骤。
在本发明的一实施例中，所述第1栅极导电层可以包括连接布线。所述第3栅极导电层可以包括与所述连接布线重叠的屏蔽电极。
在本发明的一实施例中，所述制造方法还可以包括：在密封基板上形成密封部件的步骤；利用所述密封部件贴合所述密封基板和形成有所述第3栅极导电层的所述基底基板的步骤；以及隔着所述密封基板向所述密封部件照射激光来使所述密封部件固化的步骤。所述屏蔽电极位于所述密封部件与所述连接布线之间，从而可以阻断所述激光照射至所述连接布线。
在本发明的一实施例中，所述制造方法在形成所述第3栅极导电层的步骤之前，还可以包括：在所述第2绝缘层上形成第2栅极导电层的步骤；以及在所述第2栅极导电层上形成第3绝缘层的步骤。
在本发明的一实施例中，所述第1栅极导电层可以由铝或者铝合金的单层形成。
在本发明的一实施例中，所述第3栅极导电层可以包括钼或者钼合金。
根据本实施例，显示装置包括：基底基板；配置在所述基底基板上且包括第1有源图案的有源层；配置在所述有源层上的第1绝缘层；配置在所述第1绝缘层上的第1栅极导电层；配置在所述第1栅极导电层上的第2绝缘层；以及包括配置在所述第2绝缘层上的第3a栅极图案的第3栅极导电层。所述第3栅极导电层不会通过接触孔与所述第1栅极导电层或者第2栅极导电层直接连接，由此，在需要利用清洗溶液实施清洗的工序时，所述第1栅极导电层以及所述第2栅极导电层整体被所述第2绝缘层以及所述第3绝缘层覆盖，因此所述第1栅极导电层及所述第2栅极导电层不需要额外的覆盖层，或者仅用非常薄的覆盖层也不成问题。由此，利用降低布线电阻的同时解决工序上的问题且降低制造费用的简单的结构，就可以实现所述显示装置。
此外，用于使密封部件固化的激光是隔着密封基板照射至所述密封部件的，因此屏蔽电极可以阻断所述激光照射至连接布线。由此，可以预防因所述激光的照射而包括铝等的所述连接布线受损的问题。
但是，本发明的效果并不限于上述的效果，在不脱离本发明的思想及宗旨的范围内可以进行多种扩展。
附图说明
图1是根据本发明的一实施例的显示装置的剖视图。
图2是根据本发明的一实施例的显示装置的俯视图。
图3是沿着图2的I-I’线以及II-II’线截取的剖视图。
图4是根据本发明的一实施例的显示装置的部分放大剖视图。
图5A至图5F是用于说明图3的显示装置的制造方法的剖视图。
图6是示出根据本发明的实施例的电子设备的框图。
图7A是示出由电视机实现图6的电子设备的一个例子的图。
图7B是示出由智能手机实现图6的电子设备的一个例子的图。
图中：100―基底基板；110―缓冲层；120―第1绝缘层；130―第2绝缘层；140―第3绝缘层；150―第4绝缘层；180―发光构造物；200―密封基板。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的优选实施例进行更详细的说明。
图1是根据本发明的一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1，所述显示装置可以包括基底基板100、缓冲层110、有源层、第1绝缘层120、第1栅极导电层、第2绝缘层130、第2栅极导电层、第3绝缘层140、第3栅极导电层、第4绝缘层150以及源漏极导电层。
所述基底基板100可以由透明或者不透明的材料构成。例如，所述基底基板100可以包括石英基板、合成石英(synthetic quartz)基板、氟化钙基板、掺杂了氟的石英(F-doped quartz)基板、碱石灰(sodalime)玻璃基板、无碱(non-alkali)玻璃基板等。可选地，所述基底基板100还可以由具有柔性的透明树脂基板形成。作为可用作所述基底基板100的透明树脂基板的例子，可以列举聚酰亚胺基板。
所述缓冲层110可以配置在整个所述基底基板100上。所述缓冲层110可以防止金属原子或杂质从所述基底基板100向所述有源层扩散的现象，且在用于形成所述有源层的结晶化工序期间调节热的传递速度，从而可以得到实质上均匀的所述有源层。此外，在所述基底基板100的表面不均匀的情况下，所述缓冲层110可以发挥提高所述基底基板100的表面的平坦度的作用。
所述有源层可以配置在所述缓冲层110上。所述有源层可以包括第1有源图案ACTa以及第2有源图案ACTb。所述有源层可以包括多晶硅(Poly Crystal Silicon)。有源图案ACT可以包括：掺杂(doping)了杂质的漏区和源区；以及所述漏区与所述源区之间的沟道区。可以先沉积非晶硅后使其结晶化来形成所述多晶硅。在此，非晶硅可通过RTA(rapidthermal annealing，快速热退火)法、SPC(solid phase crystallization，固相晶化)法、ELA(excimer laser annealing，准分子激光退火)法、MIC(metal inducedcrystallization，金属诱导晶化)法、MILC(metal induced lateral crystallization，金属诱导横向晶化)法、SLS(sequential lateral solidification，顺序横向凝固)法等多种方法来实现结晶化。
所述第1绝缘层120可以配置在设置有所述有源层的所述缓冲层110上。所述第1绝缘层120可以在所述缓冲层110上充分地覆盖所述有源层，且可具有在所述有源层的周围不产生高低差而实质上平坦的上表面。与此不同地，所述第1绝缘层120可以在所述缓冲层110上覆盖所述有源层，且可以沿着所述有源层的轮廓(Profile)以实质上相等的厚度配置。所述第1绝缘层120可以包括硅化合物、金属氧化物等无机绝缘物质。
所述第1栅极导电层可以配置在所述第1绝缘层120上。所述第1栅极导电层可以包括第1a栅极图案GAT1a以及与所述第1a栅极图案GAT1a分开的第1b栅极图案GAT1b。所述第1a栅极图案GAT1a可以与所述第1有源图案ACTa重叠而构成第1薄膜晶体管的栅电极。所述第1b栅极图案GAT1b可以与所述第2有源图案ACTb重叠而构成第2薄膜晶体管的栅电极。所述第1栅极导电层还可以包括传递扫描信号的扫描线等信号布线。所述第1薄膜晶体管可以是像素的开关元件，所述第2薄膜晶体管可以是所述像素的驱动元件。
所述第1栅极导电层可以使用金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等来形成。例如，所述第1栅极导电层可以是包括电阻低且导电性高的铝(Al)或者铝合金的单层。由此，可以减少布线电阻。
所述第2绝缘层130可以配置在设置有所述第1栅极导电层的所述第1绝缘层120上。所述第2绝缘层130可以在所述第1绝缘层120上充分地覆盖所述第1栅极导电层，且可以具有在所述第1栅极导电层的周围不产生高低差而实质上平坦的上表面。与此不同地，所述第2绝缘层130可以在所述第1绝缘层120上覆盖所述第1栅极导电层，且可以沿着所述第1栅极导电层的轮廓以实质上相等的厚度配置。所述第2绝缘层130可以包括硅化合物、金属氧化物等无机绝缘物质。
所述第2栅极导电层可以配置在所述第2绝缘层130上。所述第2栅极导电层可以包括第2a栅极图案GAT2a以及与所述第2a栅极图案GAT2a分开的第2b栅极图案GAT2b。所述第2栅极导电层还可以包括传递扫描信号的扫描线等信号布线。
所述第2栅极导电层可以使用金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等来形成。例如，所述第2栅极导电层可以是包括电阻低且导电性高的铝(Al)或者铝合金的单层。由此，能够减少布线电阻。
所述第3绝缘层140可以配置在设置有所述第2栅极导电层的所述第2绝缘层130上。所述第3绝缘层140可以在所述第2绝缘层130上充分覆盖所述第2栅极导电层，且可以具有在所述第2栅极导电层的周围不产生高低差而实质上平坦的上表面。与此不同地，所述第3绝缘层140可以在所述第2绝缘层130上覆盖所述第2栅极导电层，且可以沿着所述第2栅极导电层的轮廓以实质上相等的厚度配置。所述第3绝缘层140可以包括硅化合物、金属氧化物等无机绝缘物质。
所述第3栅极导电层可以配置在所述第3绝缘层140上。所述第3栅极导电层可以包括第3a栅极图案GAT3a以及与所述第3a栅极图案GAT3a分开的第3b栅极图案GAT3b。
所述第3栅极导电层可以使用金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等形成。例如，所述第3栅极导电层可以是包括钼(Mo)或者钼合金的单层。根据其他实施例，所述第3栅极导电层可以具有层叠结构，该层叠结构包括：包括钼(Mo)或者钼合金的主导电层；以及配置在所述主导电层上的包括钛(Ti)的覆盖层。
所述第3栅极导电层可以通过接触孔与所述有源层直接连接，其中，所述接触孔经过所述第3绝缘层140至第1绝缘层120而形成。但是，所述第3栅极导电层不会通过接触孔与所述第1栅极导电层或者所述第2栅极导电层直接连接。
例如，所述第3a栅极图案GAT3a可通过第1接触孔与所述第1有源图案ACTa直接连接，其中，所述第1接触孔经过所述第3绝缘层140至第1绝缘层120而形成。
所述第4绝缘层150可以配置在设置有所述第3栅极导电层的所述第3绝缘层140上。所述第4绝缘层150可以在所述第3绝缘层140上充分覆盖所述第3栅极导电层，且可以具有在所述第3栅极导电层的周围不产生高低差而实质上平坦的上表面。与此不同地，所述第4绝缘层150可以在所述第3绝缘层140上覆盖所述第3栅极导电层，且可以沿着所述第3栅极导电层的轮廓以实质上相等的厚度配置。所述第4绝缘层150可以包括硅化合物、金属氧化物等无机绝缘物质。
所述源漏极导电层可以配置在所述第4绝缘层150上。所述源漏极导电层可以包括第1SD(source-drain，源漏极)图案SDa、第2SD图案SDb、第3SD图案SDc。
所述源漏极导电层可以通过接触孔与所述第3栅极导电层、所述第2栅极导电层或者所述第1栅极导电层直接连接。例如，所述第1SD图案SDa可以通过第2接触孔与所述第3a栅极图案GAT3a直接连接，其中，所述第2接触孔经过所述第4绝缘层150形成。所述第2SD图案SDb可以通过第3接触孔与所述第2a栅极图案GAT2a直接连接，其中，所述第3接触孔经过所述第4绝缘层150以及所述第3绝缘层140形成。所述第3SD图案SDc可以通过第4接触孔与所述第1b栅极图案GAT1b直接连接，其中，所述第4接触孔经过所述第4绝缘层150、所述第3绝缘层140以及所述第2绝缘层130形成。
所述源漏极导电层可以使用金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等来形成。所述源漏极导电层可以形成为多个层。例如，所述源漏极导电层可以包括钛(Ti)层以及所述钛层上的钼(Mo)层(Ti/Mo结构)。或者，源漏极导电层可以包括钛(Ti)层、所述钛层上的铝(Al)层以及所述铝层上的钛(Ti)层(Ti/Al/Ti结构)。
所述显示装置还可以包括配置在所述源漏极导电层上的发光构造物等(参照图3等)。省略对此的详细说明。
随着所述显示装置的大型化，分辨率会增加，从而高速驱动的必要性也会增加。由此，需要降低所述第1栅极导电层或所述第2栅极导电层的布线电阻，在所述第1栅极导电层或所述第2栅极导电层形成为包括钼的导电层的情况下，为了降低布线电阻而增加导电层的厚度是有限的。
相反，即使作为所述第1栅极导电层或所述第2栅极导电层而使用了电阻值低、导电性优异且工序容易的金属，由于工序中针对所述第1栅极导电层或所述第2栅极导电层的热处理、BOE(Buffered Oxide Etchant，缓冲氧化蚀刻剂)清洗溶液等，发生不良的可能性依然会存在。由此，需要在导电层上进一步设置具有数千
Figure BDA0002381327910000091
级别的较厚厚度的覆盖层。这样一来，就会存在如下的问题，即，与所增加的厚度相应地不利于布线设计，且难以实现图案的精细加工。
相反，根据本实施例，所述第3栅极导电层不会通过接触孔与所述第1栅极导电层或者所述第2栅极导电层直接连接，由此，在实施需要利用了所述BOE清洗溶液的清洗的工序时，所述第1栅极导电层以及所述第2栅极导电层整体被所述第2绝缘层130以及所述第3绝缘层140覆盖，因此所述第1栅极导电层及所述第2栅极导电层不需要额外的覆盖层，或者仅利用非常薄的覆盖层也不成问题。由此，可以以降低布线电阻的同时解决工序上的问题且降低制造费用的简单的结构实现所述显示装置。
图2是根据本发明的一实施例的显示装置的俯视图。图3是沿着图2的I-I’线以及II-II’线截取的剖视图。
参照图2以及图3，所述显示装置可以包括显示图像的显示区域DA以及包围所述显示区域DA且作为非显示区域的周边区域PA。
所述显示装置可以包括以矩阵形态配置在所述显示区域DA内的多个像素PX。
所述显示装置还可以包括：配置在所述周边区域PA内且产生用于驱动所述多个像素PX的驱动信号的驱动电路；以及将驱动信号传递至所述显示区域DA内的连接布线SL。例如，所述连接布线SL可以包括第1连接布线SL1以及第2连接布线SL2。
密封部件CS可以配置在所述显示区域DA与所述周边区域PA之间，所述密封部件CS可以配置在密封基板200与基底基板100之间，从而密封形成有发光构造物180的所述显示区域DA。所述密封部件CS可以由施加规定的热能就会熔化的物质构成。所述密封部件CS可以包括借助光而固化的物质。例如，所述密封部件CS可以包括玻璃料(glass frit)。
在此，所述连接布线SL可以被配置成经过所述显示区域DA与所述周边区域PA的边界，且可以被配置成与所述密封部件CS重叠。
再次参照图3，所述显示装置可以包括基底基板100、缓冲层110、有源层、第1绝缘层120、第1栅极导电层、第2绝缘层130、第2栅极导电层、第3绝缘层140、第3栅极导电层、第4绝缘层150、源漏极导电层、通孔绝缘层(via insulation layer)160、像素定义膜PDL、所述发光构造物180、所述密封部件CS以及所述密封基板200。
所述显示装置的各构成要素除了所述第1连接布线SL1及所述第2连接布线SL2、屏蔽电极、所述密封部件CS、所述通孔绝缘层160、所述像素定义膜PDL、所述发光构造物180、所述密封基板200之外，实质上与图1中说明过的显示装置的各构成要素相同。因此省略重复的说明。
所述缓冲层110可以配置在所述基底基板100上。所述有源层可以配置在所述缓冲层110上。所述有源层可以包括第1有源图案ACTa以及第2有源图案ACTb。所述第1绝缘层120可以配置在设置有所述有源层的所述缓冲层110上。
所述第1栅极导电层可以配置在所述第1绝缘层120上。所述第1栅极导电层可以包括第1a栅极图案GAT1a以及与所述第1a栅极图案GAT1a分开的第1b栅极图案GAT1b。所述第1栅极导电层还可以包括所述第1连接布线SL1。
所述第2绝缘层130可以配置在设置有所述第1栅极导电层的所述第1绝缘层120上。
所述第2栅极导电层可以配置在所述第2绝缘层130上。所述第2栅极导电层可以包括第2a栅极图案GAT2a以及与所述第2a栅极图案GAT2a分开的第2b栅极图案GAT2b(图3中未图示)。所述第2栅极导电层还可以包括所述第2连接布线SL2。
所述第3绝缘层140可以配置在设置有所述第2栅极导电层的所述第2绝缘层130上。
所述第3栅极导电层可以配置在所述第3绝缘层140上。所述第3栅极导电层可以包括第3a栅极图案GAT3a以及与所述第3a栅极图案GAT3a分开的第3b栅极图案GAT3b(图3中未图示)。所述第3栅极导电层还可以包括所述屏蔽电极。所述屏蔽电极可以包括第1屏蔽电极SE1以及第2屏蔽电极SE2。所述第1屏蔽电极SE1可以被配置成与所述第1连接布线SL1重叠。所述第2屏蔽电极SE2可以被配置成与所述第2连接布线SL2重叠。根据其他实施例，所述第1屏蔽电极SE1及所述第2屏蔽电极SE2可以形成为一个图案，从而还可以同时与所述第1连接布线SL1及所述第2连接布线SL2重叠。所述第1屏蔽电极SE1以及所述第2屏蔽电极SE2可以浮动(floating)，或者可以被施加一定的电压。
所述第4绝缘层150可以配置在设置有所述第3栅极导电层的所述第3绝缘层140上。所述源漏极导电层可以配置在所述第4绝缘层150上。所述源漏极导电层可以包括第1SD图案SDa、第2SD图案SDb以及第3SD图案SDc。
所述通孔绝缘层160可以配置在所述源漏极导电层上。所述通孔绝缘层160可以形成为单层结构，也可以形成为包括至少2层以上的绝缘膜的多层结构。所述通孔绝缘层160可以使用光致抗蚀剂、丙烯酸系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂、硅氧烷类(siloxane-based)树脂等有机物质来形成。
所述发光构造物180可以包括第1电极181、发光层182以及第2电极183。
所述第1电极181可以配置在所述通孔绝缘层160上。根据所述显示装置的发光方式，所述第1电极181可以使用具有反射性的物质或者具有透光性的物质来形成。在示例性的实施例中，所述第1电极181可以由包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电性金属氧化物膜和/或透明导电性物质膜的单层结构或者多层结构形成。
所述像素定义膜PDL可以配置在设置有所述第1电极181的所述通孔绝缘层160上。所述像素定义膜PDL可以使用有机物质、无机物质等来形成。例如，所述像素定义膜PDL可以使用光致抗蚀剂、聚丙烯酸系树脂、聚酰亚胺系树脂、丙烯酸系树脂、硅化合物等来形成。根据示例性的实施例，可以对所述像素定义膜PDL进行蚀刻来形成使所述第1电极181的一部分露出的开口(opening)。可通过这样的所述像素定义膜PDL的开口来定义所述显示装置的发光区域和非发光区域。例如，所述像素定义膜PDL的开口所处的部分可以相当于所述发光区域，所述非发光区域可以相当于与所述像素定义膜PDL的开口相邻的部分。
所述发光层182可以配置在通过所述像素定义膜PDL的开口露出的所述第1电极181上。此外，所述发光层182可以延伸至所述像素定义膜PDL的所述开口的侧壁上。在示例性的实施例中，所述发光层182可以具有包括有机发光层(EL)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等的多层结构。在其他实施例中，除了所述有机发光层之外，可以与多个像素对应地共同形成所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述电子传输层以及所述电子注入层等。所述发光层182的有机发光层可以使用可根据所述显示装置的各像素产生红色光、绿色光、蓝色光等互相不同的颜色的光的发光物质来形成。根据其他示例性的实施例，所述发光层182的有机发光层可以具有如下结构，即，可以呈现红色光、绿色光、蓝色光等不同颜色的光的多个发光物质层叠而发出白色光。此时，与多个像素对应地共同形成所述发光构造物，可以由滤色器层区分各个像素。
所述第2电极183可以配置在所述像素定义膜PDL以及所述发光层182上。根据所述显示装置的发光方式，所述第2电极183可以包括具有透光性的物质或者具有反射性的物质。在示例性的实施例中，所述第2电极183也可以由包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电性金属氧化物膜和/或透明导电性物质膜的单层结构或者多层结构形成。
所述密封部件CS可以在所述第4绝缘层150上被配置成与所述第1连接布线SL1、所述第2连接布线SL2、所述第1屏蔽电极SE1以及第2屏蔽电极SE2重叠。所述密封基板200和所述密封部件CS可以对配置在所述显示区域DA内的所述发光构造物180进行密封来防止外部的湿气以及氧的渗透。
所述密封部件CS形成在所述密封基板200上后，与所述基底基板100贴合，然后通过激光照射等而被固化，从而可以密封配置有所述发光构造物180的所述显示区域DA。此时，所述激光隔着所述密封基板200照射所述密封部件CS，由此，包括钼的所述屏蔽电极可以阻断所述激光照射至所述第1连接布线SL1及所述第2连接布线SL2。由此，可以预防包括铝的所述第1连接布线SL1及所述第2连接布线SL2因所述激光的照射而发生损坏的问题。
图4是根据本发明的一实施例的显示装置的部分放大剖视图。
参照图1以及图4，在所述显示装置中，除了第1栅极导电层由第1主导电层和第1覆盖层形成且第2栅极导电层由第2主导电层和第2覆盖层形成的点之外，与图1的显示装置相同。因此省略重复的说明。
第1b栅极导电图案GAT1b可以包括第1主导电层M1以及配置在所述第1主导电层M1上的第1覆盖层C1。所述第1主导电层M1可以由铝或者铝合金的单层形成，所述第1覆盖层C1可以包括钛(Ti)且具有
Figure BDA0002381327910000131
以下的厚度。
第2a栅极导电图案GAT2a可以包括第2主导电层M2以及配置在所述第2主导电层M2上的第2覆盖层C2。所述第2主导电层M2可以由铝或者铝合金的单层形成，所述第2覆盖层C2可以包括钛(Ti)且具有
Figure BDA0002381327910000132
以下的厚度。
图5A至图5F是用于说明图3的显示装置的制造方法的剖视图。
参照图5A，缓冲层110可以形成在基底基板100上。有源层可以形成在所述缓冲层110上。所述有源层可以包括第1有源图案ACTa以及第2有源图案ACTb。第1绝缘层120可以形成在配置有所述有源层的所述缓冲层110上。
第1栅极导电层可以形成在所述第1绝缘层120上。所述第1栅极导电层可以包括第1a栅极图案GAT1a以及与所述第1a栅极图案GAT1a分开的第1b栅极图案GAT1b。所述第1栅极导电层还可以包括所述第1连接布线SL1。
然后，可以向所述有源层的一部分掺杂杂质，形成源漏区。然后，为了所述有源层的掺杂物活性化(dopant activation)，进行热处理，从而可以使所述有源层活性化(activation)(rapid thermal annealing：RTA，快速热退火)。
第2栅极导电层可以形成在设置有所述第1栅极导电层的所述第1绝缘层120上。所述第2栅极导电层可以包括第2a栅极图案GAT2a以及与所述第2a栅极图案GAT2a分开的第2b栅极图案GAT2b(在图5A中未图示)。所述第2栅极导电层还可以包括所述第2连接布线SL2。
所述第3绝缘层140可以形成在配置有所述第2栅极导电层的所述第2绝缘层130上。
参照图5B，可以形成第1接触孔CNT1，第1接触孔CNT1贯通所述第3绝缘层140、所述第2绝缘层130以及所述第1绝缘层120，使所述第1有源图案ACTa露出。
在此，为了提高基于所述第1接触孔CNT1的电连接，可以清洗经由所述第1接触孔CNT1露出的所述第1有源图案ACTa的上表面。例如，可以利用针对金属具有蚀刻力的BOE(Buffered Oxide Etchant，缓冲氧化蚀刻剂)清洗溶液来实施湿式清洗工序。可以使用所述BOE溶液实施清洗工序来去除所述第1接触孔CNT1下部残留物以及所露出的所述第1有源图案ACTa的氧化膜。
此时，在形成所述第1接触孔CNT1的期间，所述第1栅极导电层以及所述第2栅极导电层被所述第2绝缘层130以及所述第3绝缘层140全部覆盖，因此无需担心所述第1栅极导电层及所述第2栅极导电层被所述清洗溶液蚀刻的情况。即，即使所述第1栅极导电层及所述第2栅极导电层由铝等容易受所述BOE(Buffered Oxide Etchant，缓冲氧化蚀刻剂)清洗溶液影响的物质形成，也可以预防在工序上发生损坏的问题。
参照图5C，第3栅极导电层可以形成在设置有所述第1接触孔CNT1的所述第3绝缘层140上。所述第3栅极导电层可以包括第3a栅极图案GAT3a以及与所述第3a栅极图案GAT3a分开的第3b栅极图案GAT3b(在图5C中未图示)。所述第3栅极导电层还可以包括所述屏蔽电极。所述屏蔽电极可以包括第1屏蔽电极SE1以及第2屏蔽电极SE2。
参照图5D，可以将第4绝缘层150形成在设置有所述第3栅极导电层的所述第3绝缘层140上。可以形成：贯通所述第4绝缘层150的第2接触孔CNT2；贯通所述第4绝缘层150以及所述第3绝缘层140的第3接触孔CNT3；贯通所述第4绝缘层150、所述第3绝缘层140以及所述第2绝缘层130的第4接触孔CNT4。
所述第2接触孔CNT2至所述第4接触孔CNT4使所述第3栅极导电层、所述第2栅极导电层以及所述第1栅极导电层露出，但不使所述有源层露出，因此可以利用针对金属不具有蚀刻力的清洗液来充分地清洗所述第2接触孔CNT2至所述第4接触孔CNT4。例如，即使使用DI water清洗也可以充分地清洗。由此，由铝等形成的所述第1栅极导电层及第2栅极导电层可以不受损。
根据其他实施例，所述第1栅极导电层及所述第2栅极导电层可以在由铝等形成的主导电层上包括覆盖层，该覆盖层包括钛等，在该情况下，所述覆盖层只要发挥形成所述第2接触孔CNT2至所述第4接触孔CNT4时的蚀刻终止层的作用即可，因此可以具有较薄的厚度。
参照图5E，源漏极导电层可以形成在所述第4绝缘层150上。所述源漏极导电层可以包括第1SD图案SDa、第2SD图案SDb以及第3SD图案SDc。
所述通孔绝缘层160可以形成在所述源漏极导电层上。第1电极181可以形成在所述通孔绝缘层160上。像素定义膜PDL可以形成在配置有所述第1电极181的所述通孔绝缘层160上。发光层182可以形成在经由所述像素定义膜PDL的开口露出的所述第1电极181上。第2电极183可以形成在所述像素定义膜PDL以及所述发光层182上。
参照图5F，密封部件CS可以形成在密封基板200上。可以在将所述密封部件CS与所述基底基板100贴合后，向所述密封部件CS照射激光(LASER)，使所述密封部件CS固化。由此，可以密封配置有发光构造物180的显示区域。
此时，所述激光是隔着所述密封基板200向所述密封部件CS照射的，由此，包括钼等的所述屏蔽电极可以阻断所述激光照射至所述第1连接布线SL1及所述第2连接布线SL2。由此，可以预防包括铝等的所述第1连接布线SL1及所述第2连接布线SL2因所述激光的照射而受损的问题。
由此，可以制造所述显示装置。
图6是示出根据本发明的实施例的电子设备的框图，图7A是示出由电视机实现图6的电子设备的一个例子的图，图7B是示出由智能手机实现图6的电子设备的一个例子的图。
参照图6至图7B，电子设备500可以包括处理器510、存储(memory)装置520、贮存(storage)装置530、输入输出装置540、供电装置550以及显示装置560。此时，所述显示装置560可以对应于图1的显示装置。所述电子设备500还可以包括与录像卡、声卡、存储卡(memory card)、USB装置等进行通信或者可以与其他系统进行通信的多个端口(port)。在一实施例中，如图7A所示，可以由电视机实现所述电子设备500。在其他实施例中，如图7B所示，可以由智能手机实现所述电子设备500。但是这些是示例性的，所述电子设备500并不限于此。例如，还可以由便携式手机、录像手机、智能平板设备(smart pad)、智能手表(smartwatch)、平板(tablet)PC、车辆用导航装置、计算机显示器、笔记本电脑、头戴式显示器(head mounted display，HMD)等实现所述电子设备500。
所述处理器510可以执行特定的计算或者任务(task)。根据实施例，所述处理器510可以是微处理器(micro processor)、中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、应用处理器(Application Processor，AP)等。所述处理器510可以通过地址总线(addressbus)、控制总线(control bus)以及数据总线(data bus)等与其他构成要素连接。根据实施例，所述处理器510还可以与外围设备互连(Peripheral Component Interconnect，PCI)总线等扩展总线连接。所述存储装置520可以存储所述电子设备500工作时所需的数据。例如，所述存储装置520可以包括：如可擦可编程只读存储(Erasable Programmable Read-OnlyMemory，EPROM)装置、带电可擦可编程只读存储(Electrically Erasable ProgrammableRead-Only Memory，EEPROM)装置、闪存装置(flash memory device)、相变随机存储(PhaseChange Random Access Memory，PRAM)装置、阻变随机存储(Resistance Random AccessMemory，RRAM)装置、纳米浮栅存储(Nano Floating Gate Memory，NFGM)装置、聚合物随机存取存储(Polymer Random Access Memory，PoRAM)装置、磁性随机存取存储(MagneticRandom Access Memory，MRAM)、铁电随机存取存储(Ferroelectric Random AccessMemory，FRAM)装置等非易失性存储装置；和/或如动态随机存取存储(Dynamic RandomAccess Memory，DRAM)装置、静态随机存取存储(Static Random Access Memory，SRAM)装置、移动DRAM装置等易失性存储装置。所述贮存装置530可以包括固态驱动器(Solid StateDrive，SSD)、硬盘驱动器(Hard Disk Drive，HDD)、CD-ROM等。所述输入输出装置540可以包括如键盘、小键盘(Keypad)、触摸板、触摸屏、鼠标等输入单元以及如扬声器、打印机等输出单元。所述供电装置550可以供给所述电子设备500工作时所需的电力。
所述显示装置560可以通过所述总线或者其他通信链路与其他构成要素连接。根据实施例，所述显示装置560还可以包括在所述输入输出装置540中。如上所述，所述显示装置560可以降低布线电阻来提高显示品质，且可以防止在制造工序中会发生的问题。但是，对此已在上述内容中说明过，因此省略对此的重复说明。
本发明可以应用于有机发光显示装置及包括该有机发光显示装置的多种电子设备中。例如，本发明可以应用于便携式手机、智能手机、录像手机、智能平板设备、智能手表、平板PC、车辆用导航装置、电视机、计算机显示器、笔记本电脑、头戴式显示器等中。
以上，参照本发明的示例性的实施例进行了说明，但是所属技术领域的技术人员可以理解，在不脱离权利要求书记载的本发明的思想及宗旨的范围内可以对本发明进行修改和变更。

Claims (19)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基底基板；
有源层，配置在所述基底基板上且包括第1有源图案；
第1绝缘层，配置在所述有源层上；
第1栅极导电层，配置在所述第1绝缘层上；
第2绝缘层，配置在所述第1栅极导电层上；以及
第3栅极导电层，包括配置在所述第2绝缘层上的第3a栅极图案，
所述第3栅极导电层不与所述第1栅极导电层直接连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第3a栅极图案通过第1接触孔与所述第1有源图案直接连接，其中，所述第1接触孔经过所述第2绝缘层以及所述第1绝缘层而形成。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，还包括：
第4绝缘层，配置在所述第3栅极导电层上；以及
源漏极导电层，配置在所述第4绝缘层上且包括第1源漏极图案以及第2源漏极图案，
所述第1栅极导电层包括第1a栅极图案以及第1b栅极图案，所述第1a栅极图案与所述第1有源图案重叠，所述第1b栅极图案与所述第1a栅极图案分开，
所述第1源漏极图案通过第2接触孔与所述第3a栅极图案直接连接，其中，所述第2接触孔经过所述第4绝缘层而形成，
所述第2源漏极图案通过第3接触孔与所述第1b栅极图案直接连接，其中，所述第3接触孔经过所述第4绝缘层以及所述第2绝缘层而形成。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
第2栅极导电层，配置在所述第2绝缘层上；以及
第3绝缘层，配置在所述第2栅极导电层上且配置在所述第3栅极导电层的下部，
所述第3栅极导电层不与所述第2栅极导电层直接连接。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述有源层包括多晶硅。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第1栅极导电层由铝或者铝合金的单层形成。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述第1栅极导电层包括主导电层以及配置在所述主导电层上的覆盖层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述主导电层由铝或者铝合金的单层形成，所述覆盖层包括钛且具有
Figure FDA0002381327900000021
以下的厚度。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
密封部件，配置在显示图像的显示区域与包围所述显示区域的周边区域之间；以及
密封基板，与所述密封部件一起密封所述显示区域内的构造物，
所述第1栅极导电层还包括与所述密封部件重叠配置的第1连接布线，
所述第3栅极导电层还包括配置在所述第1连接布线与所述密封部件之间的屏蔽电极。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：
基底基板，包括显示图像的显示区域以及作为非显示区域的周边区域，其中所述周边区域与所述显示区域相邻；
有源层，配置在所述基底基板上；
第1绝缘层，配置在所述有源层上；
第1栅极导电层，配置在所述第1绝缘层上且包括第1连接布线；
第2绝缘层，配置在所述第1栅极导电层上；
第3栅极导电层，配置在所述第2绝缘层上且包括与所述第1连接布线重叠的第1屏蔽电极；
第4绝缘层，配置在所述第3栅极导电层上；
密封部件，配置在所述第4绝缘层上并配置在所述显示区域与所述周边区域之间，且与所述第1屏蔽电极重叠；以及
密封基板，与所述密封部件一起密封所述显示区域内的构造物。
11.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
在基底基板上形成包括第1有源图案的有源层的步骤；
在所述有源层上形成第1绝缘层的步骤；
在所述第1绝缘层上形成第1栅极导电层的步骤；
在所述第1栅极导电层上形成第2绝缘层的步骤；
形成经由所述第2绝缘层以及所述第1绝缘层使所述第1有源图案露出的第1接触孔的步骤；以及
在所述第2绝缘层上形成第3栅极导电层的步骤，所述第3栅极导电层包括通过所述第1接触孔与所述第1有源图案直接连接的第3a栅极图案，
在形成所述第1接触孔的步骤中，所述第1栅极导电层被所述第2绝缘层全部覆盖。
12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述第1接触孔的步骤之后，且在形成所述第3栅极导电层之前，还包括：
利用针对金属具有蚀刻力的清洗溶液清洗经由所述第1接触孔露出的所述第1有源图案的表面的步骤。
13.根据权利要求12所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在进行清洗的所述步骤中，利用缓冲氧化蚀刻剂清洗溶液进行湿式清洗。
14.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述第1栅极导电层之后，且在形成所述第2绝缘层之前，还包括：
向所述有源层的一部分掺杂杂质来形成源漏区的步骤；以及
为了所述有源层的掺杂物活性化而进行热处理来使所述有源层活性化的步骤。
15.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
所述第1栅极导电层包括连接布线，
所述第3栅极导电层包括与所述连接布线重叠的屏蔽电极。
16.根据权利要求15所述的显示装置的制造方法，其特征在于，还包括：
在密封基板上形成密封部件的步骤；
利用所述密封部件贴合所述密封基板和形成有所述第3栅极导电层的所述基底基板的步骤；以及
隔着所述密封基板向所述密封部件照射激光来使所述密封部件固化的步骤，
所述屏蔽电极位于所述密封部件与所述连接布线之间，从而阻断所述激光照射至所述连接布线。
17.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述第3栅极导电层的步骤之前，还包括：
在所述第2绝缘层上形成第2栅极导电层的步骤；以及
在所述第2栅极导电层上形成第3绝缘层的步骤。
18.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
所述第1栅极导电层由铝或者铝合金的单层形成。
19.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
所述第3栅极导电层包括钼或者钼合金。
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