CN113571666B - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113571666B CN113571666B CN202110839933.XA CN202110839933A CN113571666B CN 113571666 B CN113571666 B CN 113571666B CN 202110839933 A CN202110839933 A CN 202110839933A CN 113571666 B CN113571666 B CN 113571666B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- organic light
- light emitting
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/30—Organic light-emitting transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本文公开一种显示面板,包括:基底和设置在基底上的至少一个有机发光晶体管;有机发光晶体管包括有机发光结构和晶体管结构;有机发光结构包括:阳极、电致发光层和阴极;晶体管结构包括:漏极、有源层、源极和栅极;显示面板包括依次叠置在基底上的第一电极层、有源发光层、第二电极层、第一电介质层和第三电极层;第一电极层包含的第一电极作为有机发光结构的阳极和晶体管结构的漏极;有源发光层作为有机发光结构的有机功能层和晶体管结构的有源层;第二电极层包含的第二电极作为有机发光结构的阴极和晶体管结构的源极;第三电极层包含的第三电极作为晶体管结构的栅极。本文提供的显示面板能够提高光线透过率。
Description
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域,尤指一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)具有自发光、广视角、高对比度、可弯曲和成本低等优点。以OLED为发光器件,由TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
随着全面屏的兴起,屏下摄像头技术应运而生。屏下摄像头技术可以把前置摄像头和传感器藏在屏幕正下方,不需要通过刘海屏的方式在屏幕上预留摄像头的位置。
TFT的阵列排布会影响屏下摄像头区域的光线透过率。
发明内容
第一方面,本公开提供了一种显示面板,包括:
基底和设置在所述基底上的至少一个有机发光晶体管;所述有机发光晶体管包括有机发光结构和晶体管结构;所述有机发光结构包括:阳极、有机功能层和阴极;所述晶体管结构包括:漏极、有源层、源极和栅极;
所述显示面板包括依次叠置在所述基底上的第一电极层、有源发光层、第二电极层、第一电介质层和第三电极层;
所述第一电极层包括第一电极;所述第一电极作为所述有机发光结构的阳极和所述晶体管结构的漏极;
所述有源发光层作为所述有机发光结构的有机功能层和所述晶体管结构的有源层;
所述第二电极层包括第二电极;所述第二电极作为所述有机发光结构的阴极和所述晶体管结构的源极;
所述第三电极层包括第三电极;所述第三电极作为所述晶体管结构的栅极。
第二方面,本公开提供了一种显示面板的制备方法,包括:
在基底上形成第一电极层,对所述第一电极层进行图案化生成第一电极;
在所述第一电极层上形成有源发光层;
在所述有源发光层上形成第二电极层,对所述第二电极层进行图案化生成第二电极;
在所述第二电极层上形成第一电介质层;
在所述第一电介质层上形成第三电极层,对所述第三电极层进行图案化生成第三电极;
其中,所述第一电极作为有机发光结构的阳极和晶体管结构的漏极,第二电极作为所述有机发光结构的阴极和所述晶体管结构的源极,第三电极作为所述晶体管结构的栅极;所述有源发光层作为所述有机发光结构的电致发光层和所述晶体管结构的有源层;所述有机发光结构和晶体管结构构成有机发光晶体管。
第三方面,本公开提供了一种显示装置,包括上述显示面板。
本公开实施例提供了一种显示面板,包括基底和设置在所述基底上的至少一个有机发光晶体管,所述有机发光晶体管包括有机发光结构和晶体管结构;所述有机发光结构包括:阳极、电致发光层和阴极;所述晶体管结构包括:漏极、有源层、源极和栅极;所述显示面板包括依次叠置在所述基底上的第一电极层、有源发光层、第二电极层、第一电介质层和第三电极层。其中,第一电极层包括第一电极,第二电极层包括第二电极,第三电极层包括第三电极,所述第一电极作为有机发光结构的阳极和晶体管结构的漏极,所述第二电极作为所述有机发光结构的阴极和所述晶体管结构的源极,所述第三电极作为所述晶体管结构的栅极,所述有源发光层作为所述有机发光结构的有机功能层和所述晶体管结构的有源层。显示面板通过设置一体化的有机发光晶体管代替分别独立设置的有机发光二极管和薄膜晶体管,能够减少器件的数量,从而增加光线透过率。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的理解,并且构成说明书的一部分,与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案,并不构成对本公开技术方案的限制。
图1为本公开实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图;
图2为本公开实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图;
图3为本公开实施例提供的一种有机发光晶体管的电极分布的平面示意图;
图4为本公开实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意,实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实,就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此,本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下,本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中,有时为了明确起见,夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此,本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸,附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外,附图示意性地示出了理想的例子,本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置,而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如,可以是固定连接,或可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,或电连接;可以是直接相连,或通过中间件间接相连,或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中,晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域,并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意,在本说明书中,沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中,第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极,或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下,“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此,在本说明书中,“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中,“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受,就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线,而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中,“膜”和“层”可以相互调换。例如,有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样,有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本公开中的“约”,是指不严格限定界限,允许工艺和测量误差范围内的数值。
本公开实施例提供一种显示面板。如图1所示,本公开实施例的显示面板包括:
基底10和设置在所述基底上的至少一个有机发光晶体管;所述有机发光晶体管包括有机发光结构和晶体管结构;所述有机发光结构包括:阳极、有机功能层和阴极;所述晶体管结构包括:漏极、有源层、源极和栅极;
所述显示面板包括依次叠置在所述基底上的第一电极层201、有源发光层203、第二电极层205、第一电介质层207和第三电极层209;
所述第一电极层包括第一电极;所述第一电极作为所述有机发光结构的阳极和所述晶体管结构的漏极;
所述有源发光层作为所述有机发光结构的有机功能层和所述晶体管结构的有源层;
所述第二电极层包括第二电极;所述第二电极作为所述有机发光结构的阴极和所述晶体管结构的源极;
所述第三电极层包括第三电极;所述第三电极作为所述晶体管结构的栅极。
上述实施例提供一种显示面板,包括基底和设置在所述基底上的至少一个有机发光晶体管,所述有机发光晶体管包括有机发光结构和晶体管结构;所述有机发光结构包括:阳极、有机功能层和阴极;所述晶体管结构包括:漏极、有源层、源极和栅极;所述显示面板包括依次叠置在所述基底上的第一电极层、有源发光层、第二电极层、第一电介质层和第三电极层。其中,第一电极层包括第一电极,第二电极层包括第二电极,第三电极层包括第三电极,所述第一电极作为有机发光结构的阳极和晶体管结构的漏极,所述第二电极作为所述有机发光结构的阴极和所述晶体管结构的源极,所述第三电极作为所述晶体管结构的栅极,所述有源发光层作为所述有机发光结构的有机功能层和所述晶体管结构的有源层。显示面板通过设置一体化的有机发光晶体管代替分别独立设置的有机发光二极管和薄膜晶体管,能够减少器件的数量,从而增加光线透过率。
上述实施例提供的显示面板,基底上设置有机发光晶体管,所述有机发光晶体管包括有机发光结构和晶体管结构,第一电极作为所述有机发光结构的阳极和所述晶体管结构的漏极,第二电极作为所述有机发光结构的阴极和所述晶体管结构的源极,第三电极作为所述晶体管结构的栅极。栅极可以连接第一驱动信号线,第一驱动信号线可以提供行扫描信号。漏极可以连接第二驱动信号线,第二驱动信号线可以提供数据信号。当第三电极与第二电极之间的压差超过晶体管结构的开启电压阈值时,电流从第一电极流向第二电极,电流强度受第一电极驱动电压的控制,有源发光层发光,发光强度受电流强度影响,电流强度越大,发光强度越大。
在一些示例性的实施方式中,所述有机发光晶体管设置在屏下摄像头区域。通过在屏下摄像头区域排布有机发光晶体管,能够减少薄膜晶体管的数量,从而增加屏下摄像头区域的光线透过率。
在一些示例性的实施方式中,所述第一电极是透明电极;所述第一电极可以采用透明导电氧化物,比如采用ITO(氧化铟锡)。通过采用透明的第一电极,能够提升光线的透过率。
在一些示例性的实施方式中,所述第二电极是金属电极。所述第二电极可以采用Mg-Ag合金。在其他的实施方式中,所述第二电极也可以采用其他的金属材料。
在一些示例性的实施方式中,所述第二电极的厚度为5至8nm。通过采用厚度很薄的第二电极,能够减少金属电极层对光线透过率的影响,并且增加第二电极的阻抗。
在一些示例性的实施方式中,所述第三电极是透明电极;所述第三电极可以采用透明导电氧化物,比如采用IZO(氧化铟锌)。通过采用透明的第三电极,能够提升光线的透过率。
在一些示例性的实施方式中,第一电极、第二电极和第三电极可以通过过孔或引线等方式连接驱动信号线。
在一些示例性的实施方式中,如图2所示,所述显示面板还包括:平坦化层30和像素界定层40;
所述平坦化层设置在所述基底上且位于所述第一电极层与基底之间;
所述像素界定层设置在所述平坦化层上;所述像素界定层包括像素开口区401和设置在所述像素开口区两侧的第一非开口区402、第二非开口区403;所述像素开口区用于限定有机发光晶体管的发光区。所述非开口区用于隔离相邻的像素。
在一些示例性的实施方式中,所述平坦化层和像素界定层采用透明材料。通过采用透明的平坦化层和像素界定层,能够提升光线的透过率。
在一些示例性的实施方式中,如图2所示,所述显示面板还包括:第一搭接电极501;所述第一搭接电极设置在所述平坦化层上,用于连接第一电极和第一驱动线。
在一些示例性的实施方式中,所述第一搭接电极是透明电极;所述第一搭接电极可以采用透明导电氧化物,比如采用ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)。
在一些示例性的实施方式中,如图2所示,所述第一电极为平面电极,所述第一电极包括设置在像素开口区内的第一部分和设置在第二非开口区内的第二部分;所述第一电极的第二部分通过第一过孔与所述第一搭接电极连接;其中,所述第一过孔是平坦化层内的半通孔。其中,第一方向是与基底表面平行的方向。
在一些示例性的实施方式中,所述有机功能层包括:空穴传输层、有机发光层和电子传输层。在其他的实施方式中,所述有机功能层可以包括:空穴注入层、空穴传输层、有机发光层和电子传输层。在其他的实施方式中,所述有机功能层可以包括:空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层。
在一些示例性的实施方式中,如图2所示,所述第二电极包括:首尾连接的第一子部、第二子部、第三子部、第四子部和第五子部;
其中,所述第一子部设置在第一非开口区内的像素界定层上;
所述第二子部与所述像素界定层的像素开口区的第一侧壁接触;
所述第三子部设置在所述有源发光层上;
所述第四子部与所述像素界定层的像素开口区的第二侧壁接触;
所述第五子部设置在第二非开口区内的像素界定层上。
在一些示例性的实施方式中,如图2所示,所述显示面板还包括:有机拓扑绝缘层60;所述有机拓扑绝缘层包括第一部分和第二部分;
所述有机拓扑绝缘层的第一部分设置在第一非开口区内的像素界定层上且与第二电极的第一子部的侧面接触;所述有机拓扑绝缘层的第二部分设置在第二非开口区内的像素界定层上且与第二电极的第五子部的侧面接触。有机拓扑绝缘层具有排斥Mg-Ag金属的特点,在像素界定层上先形成有机拓扑绝缘层,然后形成第二电极层,在对第二电极层进行图案化形成第二电极时,有机拓扑绝缘层可以使第二电极蒸镀在有机拓扑绝缘层材料以外的区域。
在一些示例性的实施方式中,如图2所示,所述显示面板还包括:第二电极辅助电极503;所述第二电极辅助电极设置在所述第二电极的第一子部和有机拓扑绝缘层的第一部分上,用于连接第二电极和第二驱动线。
在一些示例性的实施方式中,所述第二电极辅助电极是透明电极;所述第二电极辅助电极可以采用透明导电氧化物,比如采用IZO(氧化铟锌)。
在一些示例性的实施方式中,所述第二电极辅助电极的厚度大于第二电极的厚度,所述第二电极辅助电极的厚度为100至150nm,比如,所述第二电极辅助电极的厚度为120nm。通过采用第二电极辅助电极,可以降低第二电极的阻抗,并且由于第二电极辅助电极是透明的,因此可以增加光线的透过率。
在一些示例性的实施方式中,如图2所示,所述第一电介质层包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分;
所述第一电介质层的第一部分覆盖所述第二电极的辅助电极;
所述第一电介质层的第二部分覆盖所述第二电极的第二子部;
所述第一电介质层的第三部分覆盖所述第二电极的第三子部;
所述第一电介质层的第四部分覆盖所述第二电极的第四子部;
所述第一电介质层的第五部分覆盖所述第二电极的第五子部和所述有机拓扑绝缘层的第二部分。
在一些示例性的实施方式中,所述第一电介质层采用LiF(氟化锂)材料。
在一些示例性的实施方式中,如图2所示,所述第三电极包括设置在第一电介质层第二部分、第三部分、第四部分和第五部分上的第一子部、以及设置在第二非开口区内的像素界定层上的第二子部。第三电极的形状可以根据需要自由设定,在其他的实施方式中,所述第三电极也可以只包括设置在第一电介质层上的部分,而并不延伸至像素界定层的第二非开口区。
在一些示例性的实施方式中,如图3所示,第一电极在基底上的正投影沿第二方向延伸,第二电极和第三电极在基底上的正投影沿第一方向延伸。三个电极在基底上的正投影交叉重叠,三个电极在基底上的投影重合区域为发光区在基底上的正投影区。
下面通过显示面板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”,对于金属材料、无机材料或透明导电材料,包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理,对于有机材料,包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种,涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种,刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种,本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺,则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺,则在图案化工艺前称为“薄膜”,图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指,A和B通过同一次图案化工艺同时形成,膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示面板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中,“A的正投影包含B的正投影”或者“B的正投影位于A的正投影的范围之内”,是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内,或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
本公开还提供了一种显示面板的制备方法,如图4所示,在示例性实施方式中,所述制备方法可以包括:
S1、在基底上形成第一电极层,对所述第一电极层进行图案化生成第一电极;
S2、在所述第一电极层上形成有源发光层;
S3、在所述有源发光层上形成第二电极层,对所述第二电极层进行图案化生成第二电极;
S4、在所述第二电极层上形成第一电介质层;
S5、在所述第一电介质层上形成第三电极层,对所述第三电极层进行图案化生成第三电极;
其中,所述第一电极作为有机发光结构的阳极和晶体管结构的漏极,第二电极作为有机发光结构的阴极和晶体管结构的源极,第三电极作为晶体管结构的栅极,有源发光层作为有机发光结构的有机功能层和晶体管结构的有源层;所述有机发光结构和晶体管结构构成有机发光晶体管。
上述实施例提供的显示面板制备方法,通过在基底上依次形成第一电极层、有源发光层、第二电极层、第一电介质层和第三电极层,并通过图案化生成第一电极、第二电极和第三电极,第一电极作为有机发光结构的阳极和晶体管结构的漏极,第二电极作为有机发光结构的阴极和晶体管结构的源极,第三电极作为晶体管结构的栅极,有源发光层作为有机发光结构的有机功能层和晶体管结构的有源层,有机发光结构和晶体管结构构成有机发光晶体管。通过形成一体化的有机发光晶体管代替分别独立设置的有机发光二极管和薄膜晶体管,能够减少器件的数量,从而增加光线透过率。
在一些示例性的实施方式中,在基底上形成第一电极层,对所述第一电极层进行图案化生成第一电极,包括:在基底上沉积用于形成第一电极的材料,通过图案化工艺生成第一电极。所述形成第一电极的材料包括透明导电氧化物,比如采用ITO(氧化铟锡)。
在一些示例性的实施方式中,在所述第一电极层上形成有源发光层,包括:在所述第一电极层上蒸镀有机功能层薄膜。
在一些示例性的实施方式中,所述有机功能层包括:空穴传输层、有机发光层和电子传输层。在其他的实施方式中,所述有机功能层可以包括:空穴注入层、空穴传输层、有机发光层和电子传输层。在其他的实施方式中,所述有机功能层可以包括:空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层。
在一些示例性的实施方式中,在所述有源发光层上形成第二电极层,对所述第二电极层进行图案化生成第二电极,包括:在所述有源发光层上蒸镀用于形成第二电极的材料,通过图案化工艺生成第二电极。所述形成第二电极的材料包括金属,比如采用Mg-Ag合金。
在一些示例性的实施方式中,在所述第二电极层上形成第一电介质层,包括:在所述第二电极层上蒸镀第一电介质膜层。所述第一电介质的材料包括LiF(氟化锂)。
在一些示例性的实施方式中,在所述第一电介质层上形成第三电极层,对所述第三电极层进行图案化生成第三电极,包括:在所述第一电介质层上沉积用于形成第三电极的材料,通过图案化工艺生成第三电极。所述形成第三电极的材料包括透明导电氧化物,比如采用IZO(氧化铟锌)。
在一些示例性的实施方式中,所述方法还包括:在形成第一电极层之前,在基底上形成平坦化层;在所述平坦化层上形成像素界定层,对所述像素界定层进行图案化生成像素开口区和设置在所述像素开口区两侧的第一非开口区、第二非开口区;所述像素开口区用于限定有机发光晶体管的发光区。所述平坦化层和像素界定层可以采用透明材料。通过采用透明的平坦化层和像素界定层,能够提升光线的透过率。
在一些示例性的实施方式中,所述方法还包括:在所述平坦化层上形成第一搭接电极。所述第一搭接电极用于连接第一电极和第一驱动线。所述第一搭接电极是透明电极;所述第一搭接电极可以采用透明导电氧化物,比如采用ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)。
在一些示例性的实施方式中,所述方法还包括:在所述平坦化层中形成过孔,所述过孔用于所述第一电极通过所述过孔与所述第一搭接电极连接。
在一些示例性的实施方式中,在所述有源发光层上形成第二电极层之前,所述方法还包括:
在所述第一非开口区的像素界定层和第二非开口区的像素界定层上形成有机拓扑绝缘层的第一部分和第二部分。
在一些示例性的实施方式中,在所述有源发光层上形成第二电极层的同时,所述方法还包括:在第一非开口区的像素界定层上、像素界定层像素开口区的第一侧壁上、像素界定层像素开口区的第二侧壁上和第二非开口区的像素界定层上形成第二电极层;其中,所述第二电极层与有机拓扑绝缘层的第一部分和第二部分的侧面接触。有机拓扑绝缘层具有排斥Mg-Ag金属的特点,在像素界定层上先形成有机拓扑绝缘层,然后形成第二电极层,在对第二电极层进行图案化形成第二电极时,有机拓扑绝缘层可以使第二电极蒸镀在有机拓扑绝缘层材料以外的区域。
在一些示例性的实施方式中,所述方法还包括:在设置在第一非开口区像素界定层上的第二电极上以及有机拓扑绝缘层的第一部分上形成第二电极辅助电极层,对所述第二电极辅助电极层进行图案化生成第二电极辅助电极。所述第二电极辅助电极用于连接第二电极和第二驱动线。所述第二电极辅助电极是透明电极;所述第二电极辅助电极可以采用透明导电氧化物,比如采用IZO(氧化铟锌)。
在一些示例性的实施方式中,在所述第二电极层上形成第一电介质层的同时,所述方法还包括:在第二电极的辅助电极上形成第一电介质层。
在一些示例性的实施方式中,在所述第一电介质层上形成第三电极层的同时,所述方法还包括:在第二非开口区的像素界定层上形成第三电极层。
本公开实施例还提供了一种显示装置,包括上述显示面板。
所述显示装置可以为有机发光显示装置。该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪产品等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的,在此不做赘述,也不应作为对本公开的限制。
虽然本公开所揭露的实施方式如上,但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式,并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员,在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化,但本公开的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (7)
1.一种显示面板,包括:基底和设置在所述基底上的至少一个有机发光晶体管;所述有机发光晶体管包括有机发光结构和晶体管结构;所述有机发光结构包括:阳极、有机功能层和阴极;所述晶体管结构包括:漏极、有源层、源极和栅极;
所述显示面板包括依次叠置在所述基底上的第一电极层、有源发光层、第二电极层、第一电介质层和第三电极层;
所述第一电极层包括第一电极;所述第一电极作为所述有机发光结构的阳极和所述晶体管结构的漏极;
所述有源发光层作为所述有机发光结构的有机功能层和所述晶体管结构的有源层;
所述第二电极层包括第二电极;所述第二电极作为所述有机发光结构的阴极和所述晶体管结构的源极;
所述第三电极层包括第三电极;所述第三电极作为所述晶体管结构的栅极;
所述显示面板还包括:平坦化层、像素界定层、有机拓扑绝缘层和第二电极辅助电极;
所述平坦化层设置在所述基底上且位于所述第一电极层与基底之间;
所述像素界定层设置在所述平坦化层上;所述像素界定层包括像素开口区和设置在所述像素开口区两侧的第一非开口区、第二非开口区;
所述第二电极包括:首尾连接的第一子部、第二子部、第三子部、第四子部和第五子部;所述第一子部设置在第一非开口区内的像素界定层上;所述第二子部与所述像素界定层的像素开口区的第一侧壁接触;所述第三子部设置在所述有源发光层上;所述第四子部与所述像素界定层的像素开口区的第二侧壁接触;所述第五子部设置在第二非开口区内的像素界定层上;
所述有机拓扑绝缘层包括第一部分和第二部分;所述有机拓扑绝缘层的第一部分设置在第一非开口区内的像素界定层上且与第二电极的第一子部的侧面接触;所述有机拓扑绝缘层的第二部分设置在第二非开口区内的像素界定层上且与第二电极的第五子部的侧面接触;
所述第二电极辅助电极设置在所述第二电极的第一子部和有机拓扑绝缘层的第一部分上,用于连接第二电极和第二驱动线;所述第二电极是金属电极;所述第二电极辅助电极是透明电极。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:
所述第一电极和第三电极是透明电极。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:
所述第二电极的厚度为5至8nm。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:
所述显示面板还包括:第一搭接电极;所述第一搭接电极设置在所述平坦化层上;所述第一电极通过设置在所述平坦化层中的通孔与所述第一搭接电极连接;所述第一搭接电极还连接第一驱动线。
5.如权利要求1-4中任一项所述的显示面板,其特征在于:
所述有机发光晶体管设置在屏下摄像头区域。
6.一种显示面板的制备方法,包括:
在基底上形成第一电极层,对所述第一电极层进行图案化生成第一电极;
在所述第一电极层上形成有源发光层;
在所述有源发光层上形成第二电极层,对所述第二电极层进行图案化生成第二电极;
在所述第二电极层上形成第一电介质层;
在所述第一电介质层上形成第三电极层,对所述第三电极层进行图案化生成第三电极;
其中,所述第一电极作为有机发光结构的阳极和晶体管结构的漏极,所述第二电极作为有机发光结构的阴极和晶体管结构的源极,所述第三电极作为晶体管结构的栅极,所述有源发光层作为有机发光结构的有机功能层和晶体管结构的有源层;所述有机发光结构和晶体管结构构成有机发光晶体管;
在形成第一电极层之前,所述方法还包括:在基底上形成平坦化层;在所述平坦化层上形成像素界定层,对所述像素界定层进行图案化生成像素开口区和设置在所述像素开口区两侧的第一非开口区、第二非开口区;
在所述有源发光层上形成第二电极层之前,所述方法还包括:在所述第一非开口区的像素界定层和第二非开口区的像素界定层上形成有机拓扑绝缘层的第一部分和第二部分;所述第二电极层与有机拓扑绝缘层的第一部分和第二部分的侧面接触;
在所述第二电极层上形成第一电介质层之前,所述方法还包括:在设置在第一非开口区像素界定层上的第二电极上以及有机拓扑绝缘层的第一部分上形成第二电极辅助电极层,对所述第二电极辅助电极层进行图案化生成第二电极辅助电极,所述第二电极辅助电极用于连接第二电极和第二驱动线;所述第二电极是金属电极;所述第二电极辅助电极是透明电极。
7.一种显示装置,包括权利要求1-5中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110839933.XA CN113571666B (zh) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110839933.XA CN113571666B (zh) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113571666A CN113571666A (zh) | 2021-10-29 |
CN113571666B true CN113571666B (zh) | 2023-06-30 |
Family
ID=78167061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110839933.XA Active CN113571666B (zh) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113571666B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023108415A1 (zh) * | 2021-12-14 | 2023-06-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光晶体管及其制作方法、显示基板 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7476893B2 (en) * | 2003-08-29 | 2009-01-13 | The Regents Of The University Of California | Vertical organic field effect transistor |
CN100589258C (zh) * | 2007-06-05 | 2010-02-10 | 北京交通大学 | 垂直构型有机/无机复合发光晶体管及其制备方法 |
JP2016528664A (ja) * | 2013-06-07 | 2016-09-15 | コモンウェルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガナイゼーション | エレクトロルミネセントデバイス |
WO2015077629A1 (en) * | 2013-11-21 | 2015-05-28 | Atom Nanoelectronics, Inc. | Devices, structures, materials and methods for vertical light emitting transistors and light emitting displays |
CN104992961B (zh) * | 2015-07-21 | 2018-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置 |
WO2017096058A1 (en) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | LUAN, Xinning | Electron injection based vertical light emitting transistors and methods of making |
CN105977382A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-09-28 | 中国计量大学 | 一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管及其制备方法 |
CN106601920A (zh) * | 2016-12-12 | 2017-04-26 | Tcl集团股份有限公司 | 一种垂直结构量子点发光场效应晶体管及制备方法 |
US10847757B2 (en) * | 2017-05-04 | 2020-11-24 | Carbon Nanotube Technologies, Llc | Carbon enabled vertical organic light emitting transistors |
CN110416427B (zh) * | 2018-04-26 | 2021-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光晶体管及其制造方法、显示面板及电子装置 |
KR20220002324A (ko) * | 2019-04-26 | 2022-01-06 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 발광 디스플레이를 구동하는 방법 및 디스플레이 |
-
2021
- 2021-07-22 CN CN202110839933.XA patent/CN113571666B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113571666A (zh) | 2021-10-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10497763B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same | |
US10658440B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same | |
US10615231B2 (en) | Organic light emitting diode substrate, method for manufacturing the same, and display panel | |
US9105876B2 (en) | Method for fabricating organic light emitting diode display device having improved effective emitting area | |
US8604463B2 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
EP3139410B1 (en) | Amoled array substrate, manufacturing method thereof, and display device | |
CN110890406B (zh) | 一种有机发光显示背板、其制作方法及显示装置 | |
TWI545740B (zh) | 有機發光顯示裝置及製造其之方法 | |
WO2019233391A1 (zh) | Oled基板及显示面板、显示装置 | |
KR20050034427A (ko) | 평판표시장치 및 그의 제조방법 | |
EP3462492B1 (en) | Array substrate and display panel | |
US20210091153A1 (en) | Display Substrate and Preparation Method thereof, and Display Apparatus | |
CN110571361A (zh) | 有机发光显示面板及制作方法、显示装置 | |
EP3506379B1 (en) | Oled device and manufacturing method therefor, display panel, and display apparatus | |
EP1850393A2 (en) | Display device and fabricating method thereof | |
CN103503124B (zh) | 薄膜晶体管元件及其制造方法、有机el显示元件及其制造方法、以及有机el显示装置 | |
US20220085139A1 (en) | Display unit | |
CN113571666B (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
CN111668158B (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
US20220013745A1 (en) | Encapsulating cover plate, fabrication method thereof, display panel and fabrication method thereof | |
CN114420859A (zh) | 一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法 | |
CN113471384A (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
JP5648395B2 (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器 | |
CN113594213B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
JP2012069540A (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |