JP2016528664A - エレクトロルミネセントデバイス - Google Patents
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Abstract
エレクトロルミネセントデバイスは、有機エレクトロルミネセント素子と、接合トランジスタとを有し、接合トランジスタは、第1の領域と、第2の領域と、第1及び第2の領域間での電荷の流れを制御するように構成された中間の半導電性領域とを有し、接合トランジスタの少なくとも2つの隣接する領域が、1つ以上の半導電性無機金属化合物から基本的に成り、接合トランジスタの各領域及びエレクトロルミネセント素子が、共通の方向に沿って続けて積層されている。
Description
本発明は、発光デバイスに関し、特に、有機エレクトロルミネセント(EL)素子を組み入れてトランジスタ内に有機発光ダイオード(OLED)を形成するトランジスタ、及びそのようなデバイスを製造する方法に関する。
OLEDテクノロジにおける進展が、最近、OLEDテクノロジに基づく表示装置を製造及び最適化する努力をもたらしている。OLEDテクノロジにおける最近の進歩にかかわらず、OLED表示装置の性能並びにそのような装置を製造することの容易さ及びコストを改善することが依然として望まれる。OLEDテクノロジを向上させることは、安価な液晶ディスプレイと比較してOLEDディスプレイの競争力を向上させることになる。
アクティブマトリクス構造を持つ典型的なOLEDディスプレイは、マトリクス状の画素回路を有する。各画素回路が、OLEDデバイスと、OLEDデバイスのスイッチング及び駆動を行うための薄膜トランジスタ(TFT)及びマトリクス配線を持つバックプレーンとを有する。
このような画素回路は、各OLEDデバイスを通り抜ける電流の送達及び制御を行うことに難しさを有する。これは何故なら、各駆動TFTが、低いキャリア移動度を持つアモルファス(非晶質)シリコン(a−Si)から成るためである。低いキャリア移動度は、小さいa−Si TFTが大きい駆動電流を送り届けることを妨げる。従って、このようなa−Si TFTは、連続的な電流印加を受けるときに特性の大きな変化に悩まされ、駆動回路の制御を困難にする。
これらの困難性を解消するために提案されてきた幾つかの取り組みを以下に説明する。
提案された第1のソリューションは、駆動TFTに多結晶シリコンTFTを使用するものである。これは、より高いキャリア移動度を持つ駆動TFTを提供する。しかしながら、この技術は、一般にガラス基板上での、多結晶シリコンを得るための結晶化アニールプロセスを必要とする。結晶化アニールは典型的に、1000℃を超える温度までのレーザ加熱により行われ、これは、より低いスループット及びより低い歩留りという欠点に悩まされ、a−Si TFTと比較してかなり高いコストをもたらす。
提案された第2のソリューションは、駆動TFTにアモルファス酸化物TFTを使用するものである。この技術は、例えばIn又はZnの酸化物などの金属酸化物の非結晶半導体を使用し、従って、例えばレーザアニールプロセスなどの結晶化プロセスの必要性を排除するという利点を有する。しかしながら、この技術も、かなり低めの歩留りという欠点に悩まされる。この低い歩留りは、およそ5ミクロンルールの微細加工を必要とすることによる。また、既存のa−Si製造ラインを用いてアモルファス酸化物TFTを製造することにも困難がある。
提案された第3のソリューションは、TFTに発光機能を与えることによって発光トランジスタを実現し、それにより、画素回路に必要なトランジスタの数を減らすものである。そのような試みの一例が特許文献1に開示されており、そこでは、TFTが、表面上の微細な線として見える光信号を持つ。しかしながら、そのようなTFTは、狭い発光領域を持つことに悩まされる。狭い線発光は、表示ユニットを伴う用途において限られた範囲を有する。また、発光トランジスタ製造プロセスとバックプレーン製造プロセスとを分離することは困難である。
提案された第4のソリューションは、電界効果トランジスタであるTFTとは対照的に、接合トランジスタとしての機能に基づいて動作する発光トランジスタを実現するものである。接合トランジスタ機能と有機EL機能とをインテグレートすることにより、TFT駆動トランジスタを用いるのと比較して、駆動トランジスタ上の負荷が低減される。
接合トランジスタ機能に基づく発光トランジスタは、TFT機能よりも現実的である。何故なら、TFTと異なり、接合トランジスタは電流を狭いチャネルに閉じ込めないからである。従って、接合トランジスタ技術は、TFTの場合よりも大きい発光領域を持つ画素を作り出すことができる。このような技術は、特許文献2−6に開示されている。これらの文献中には、有機半導体層の中央部に配置された電流制御ベース電極が開示されており、該ベース電極は、スリット状の導電体、平面状の導電体、又は積層構造を持つ導電体/半導体である。これらの技術の欠点は、電流制御ベース電極を中央部に配置した半導体層を製造するのが困難なことである。
この技術は、一部のその他の技術においてよりも、例えば、アニールを要する技術においてよりも、低い温度(例えば、300℃又はそれ未満)でのプロセスの使用を可能にする。このような技術は、故に、発光トランジスタ製造プロセスとバックプレーン製造プロセスとの間の分離を可能にするという利点を有する。
しかしながら、有機半導体に導電体を挿入した構造は、接合トランジスタとして良好には機能しない。また、この構造は不安定であり、その不安定性が、大量生産及び大判パネルの製造にとっての妨げとなる。
従来技術のこれらの問題のうちの少なくとも1つを解決又は少なくとも改善することが望ましい。故に、本発明の様々な実施形態は、安定した、安価な、且つ/或いは高性能な発光トランジスタ又はアクティブマトリクスOLEDディスプレイを提供し得る。様々な実施形態は、発光トランジスタ製造プロセスとバックプレーン製造プロセスとの間の分離を可能にし、且つ/或いはバックプレーンにおける電流制御の負荷を低減し得る。
本明細書における如何なる従来技術の参照も、その従来技術が豪州若しくはその他の法域における常識の一部を形成すること、又は当業者によってその従来技術が関連するものとして確認、理解及び考慮されると合理的に期待され得ることを、認めたり何らかの形で示唆したりしているとして見なされるものでなく、また、そのように見なされるべきでない。
本発明の第1の態様において、有機エレクトロルミネセント素子と、接合トランジスタとを有するエレクトロルミネセントデバイスが提供され、接合トランジスタは、第1の領域と、第2の領域と、第1及び第2の領域間での電荷の流れを制御するように構成された中間の半導電性領域とを有する。少なくとも2つの隣接する領域が、1つ以上の半導電性無機金属化合物から基本的に成る。接合トランジスタの各領域及びエレクトロルミネセント素子が、共通の方向に沿って続けて積層される。
好ましくは、エレクトロルミネセントデバイスは発光トランジスタである。発光トランジスタは好ましくは、3つの電極、具体的には、上記の中間の領域に接続される第1の電極と、接合トランジスタ又はエレクトロルミネセント素子の一方に接続される第2の電極と、接合トランジスタ又はエレクトロルミネセント素子の他方に接続される第3の電極とを有する。
配置
好ましくは、中間の半導電性領域はベース領域であり、第1の領域はエミッタ領域であり、第2の領域はコレクタ領域であり、ベース領域と、エミッタ領域又はコレクタ領域の少なくとも一方とは、隣接する領域である。
好ましくは、中間の半導電性領域はベース領域であり、第1の領域はエミッタ領域であり、第2の領域はコレクタ領域であり、ベース領域と、エミッタ領域又はコレクタ領域の少なくとも一方とは、隣接する領域である。
好ましくは、有機エレクトロルミネセント素子は、接合トランジスタとは別であり、より好ましくは、接合トランジスタに隣接する。しかしながら、他の実施形態において、エレクトロルミネセント素子と接合トランジスタとの間に、これらを電気的に結合して、1つ以上の層(例えば、導電層)が存在してもよい。
好ましくは、エレクトロルミネセント素子及び接合トランジスタの各領域は、互いに上下にされた層である。例えば、これらの領域及び接合トランジスタは各々が平面状であって、各々が異なる面内にあるようにし得る。
より好ましくは、エレクトロルミネセント素子及び接合トランジスタの各領域は、垂直方向に沿って順次に積層される。
材料
好ましくは、上記2つの隣接する領域は、金属の酸化物、窒化物、硫化物又は炭化物から選択された1つ以上の半導電性無機金属化合物から基本的に成る。
好ましくは、上記2つの隣接する領域は、金属の酸化物、窒化物、硫化物又は炭化物から選択された1つ以上の半導電性無機金属化合物から基本的に成る。
好ましくは、中間の半導電性領域及び第1の領域が、金属の酸化物、窒化物、硫化物又は炭化物から選択された1つ以上の半導電性無機金属化合物から基本的に成る隣接する領域であり、第2の領域は、1つ以上の電荷輸送有機キャリア材料又は金属を有する。一実施形態において、第2の領域は、2.5eVよりも低い又は4.0eVよりも高い(<2.5eV、又は>4.0eV)仕事関数を持った、1つ以上の電荷輸送有機キャリア材料又は金属を有する。
他の例では、中間の半導電性領域及び第2の領域が、金属の酸化物、窒化物、硫化物又は炭化物から選択された1つ以上の半導体材料から基本的に成る隣接する領域であり、第1の領域は、1つ以上の有機材料又は金属を有する。一実施形態において、第1の領域は、2.5eVよりも低い又は4.0eVよりも高い仕事関数を持った、1つ以上の電荷輸送有機キャリア材料又は金属を有する。
PNP、NPN、N型のみ、及びP型のみの接合トランジスタ
好ましくは、中間の領域と、第1及び第2の領域の各々とが、少なくとも1つの半導電性材料から基本的に成る。1つ以上の実施形態において、第1の領域と中間領域との間及び中間領域と第2の領域との間にそれぞれ背中合わせのpn接合が作り出され、それにより、PNP接合トランジスタ又はNPN接合トランジスタが形成される。
好ましくは、中間の領域と、第1及び第2の領域の各々とが、少なくとも1つの半導電性材料から基本的に成る。1つ以上の実施形態において、第1の領域と中間領域との間及び中間領域と第2の領域との間にそれぞれ背中合わせのpn接合が作り出され、それにより、PNP接合トランジスタ又はNPN接合トランジスタが形成される。
他の実施形態において、中間の領域と第1及び第2の領域の各々とが全て、n型又はp型の半導電性材料から形成される。中間領域への高抵抗(絶縁)層の追加は、第1及び第2の領域間での電荷の流れに対して電位エネルギー障壁を作り出す。中間領域の電位を調節することは、電荷の流れを制御することを可能にする。
あらゆる場合において中間の半導電層領域は接合トランジスタのベースであり、第1及び第2の領域はそれぞれ接合トランジスタの(i)エミッタ及びコレクタ又は(ii)コレクタ及びエミッタの何れかを形成する。
一実施形態において、中間、第1及び第2の領域は、金属の酸化物、窒化物、硫化物又は炭化物から選択された1つ以上の半導体材料から基本的に成る。
ショットキー実施形態
しかしながら、一実施形態において、中間領域と第1の領域との間及び/又は中間領域と第2の領域との間に、更にショットキーダイオード又はショットキー接合が含められる。
しかしながら、一実施形態において、中間領域と第1の領域との間及び/又は中間領域と第2の領域との間に、更にショットキーダイオード又はショットキー接合が含められる。
場合により、中間領域と第1及び第2の領域のうちの一方のみとが半導電性材料から基本的に成り、第1及び第2の領域のうちの他方は、中間領域とショットキー接合を形成する少なくとも1つの金属から基本的に成る。
中間領域/ベース
好ましくは、中間の半導電性領域は、Zn、Cu、Ru、Al、In、Ga、Sn又はTiの酸化物から選択された1つ以上の半導電性無機金属化合物から基本的に成る。
好ましくは、中間の半導電性領域は、Zn、Cu、Ru、Al、In、Ga、Sn又はTiの酸化物から選択された1つ以上の半導電性無機金属化合物から基本的に成る。
一実施形態において、中間の半導電性領域は、半導体材料の2つ以上の層を有する積層された薄膜の構造を有し、これら2つ以上の層は高抵抗層及び低抵抗層を含む。
他の実施形態において、中間の半導電性領域は、2つの層を形成するように高抵抗層と導電層若しくは低抵抗層とが積層された構造を有し、それにより、n型のみ又はp型のみの接合を形成する。
コレクタ/エミッタ
好ましくは、第1の領域は、Zn、Cu、Ru、Al、In、Ga、Sn又はTiの酸化物から選択された1つ以上の半導体材料から基本的に成る。
好ましくは、第1の領域は、Zn、Cu、Ru、Al、In、Ga、Sn又はTiの酸化物から選択された1つ以上の半導体材料から基本的に成る。
好ましくは、第2の領域は、Zn、Cu、Ru、Al、In、Ga、Sn又はTiの酸化物から選択された1つ以上の半導体材料から基本的に成る。
光の放射/透過
好ましくは、接合トランジスタは透明である。好ましくは、エレクトロルミネセントデバイスを透過する光は、入射する光のうちの少なくとも30%であり、すなわち、外部で発生されて当該エレクトロルミネセントデバイスに入射する光に関して、その光のうちの少なくとも30%が当該デバイスを透過し、当該デバイスに少なくとも30%の透過率を与える。
好ましくは、接合トランジスタは透明である。好ましくは、エレクトロルミネセントデバイスを透過する光は、入射する光のうちの少なくとも30%であり、すなわち、外部で発生されて当該エレクトロルミネセントデバイスに入射する光に関して、その光のうちの少なくとも30%が当該デバイスを透過し、当該デバイスに少なくとも30%の透過率を与える。
エレクトロルミネセント素子からの発光
好ましくは、エレクトロルミネセントデバイスは、エレクトロルミネセント素子内の有機発光層から光が発生されるように構成され、発光層は、接合トランジスタと有機エレクトロルミネセント素子の更なる層との間に配置される。
好ましくは、エレクトロルミネセントデバイスは、エレクトロルミネセント素子内の有機発光層から光が発生されるように構成され、発光層は、接合トランジスタと有機エレクトロルミネセント素子の更なる層との間に配置される。
一実施形態において、これら更なる層は、正孔輸送層及び/又は電子輸送層を含む。好ましくは、エレクトロルミネセント素子は更に、正孔注入層又は電子注入層を含む。
理解されるように、エレクトロルミネセント素子は、有機発光層に起因して“有機”であるとして参照されているが、とはいえ、この素子は無機層を含むことができる。例えば、それは、例えばLiFなどの無機電子注入層を含んでいてもよい。好ましくは、エレクトロルミネセント素子は、有機発光ダイオードであり、あるいはそれを含んでいる。しかしながら、他の実施形態において、有機エレクトロルミネセント素子は有機発光ダイオードの一部のみを形成し、有機発光ダイオードのその他の部分は接合トランジスタ(例えば、接合トランジスタのコレクタ)によって供される。
トップ又はボトムエミッション
場合により、発光層から発生された光は、接合トランジスタを透過し、有機エレクトロルミネセント素子の上記更なる層のうちの1つ以上によって反射される。
場合により、発光層から発生された光は、接合トランジスタを透過し、有機エレクトロルミネセント素子の上記更なる層のうちの1つ以上によって反射される。
他の例では、発光層から発生された光は、有機エレクトロルミネセント素子の上記更なる層を透過し、接合トランジスタと基板との間に配置されたリフレクタ領域によって反射される。
トップ及びボトムエミッション
他の例では、発光層から発生された光は、接合トランジスタ及び有機エレクトロルミネセント素子の上記更なる層を透過する。
他の例では、発光層から発生された光は、接合トランジスタ及び有機エレクトロルミネセント素子の上記更なる層を透過する。
アクティブマトリクス画素回路
本発明の第2の態様において、本発明の第1の態様に従ったエレクトロルミネセントデバイスを有する画素回路が提供され、エレクトロルミネセントデバイスは、当該エレクトロルミネセントデバイスの動作を制御する制御回路に接続され、この制御回路は、スイッチング手段と、電流設定トランジスタと、キャパシタとを有する。
本発明の第2の態様において、本発明の第1の態様に従ったエレクトロルミネセントデバイスを有する画素回路が提供され、エレクトロルミネセントデバイスは、当該エレクトロルミネセントデバイスの動作を制御する制御回路に接続され、この制御回路は、スイッチング手段と、電流設定トランジスタと、キャパシタとを有する。
好ましくは、スイッチング手段は、当該スイッチング手段がオンであるときに、第1の制御ラインをエレクトロルミネセントデバイスの入力電極に選択的に結合して、入力電極における電圧を設定するように構成され、電流設定トランジスタは、当該電流設定トランジスタがバイアスされた状態にあるときに、上記入力電極を介して、エレクトロルミネセントデバイスに電流を送り届ける又はエレクトロルミネセントデバイスから電流を引き抜くように構成され、且つキャパシタは、スイッチング手段がターンオフされたときに、送り届けられる電流又は引き抜かれる電流を長引かせるよう、電流設定トランジスタがバイアスされた状態にあることを長引かせるように構成される。
接合トランジスタがNPNトランジスタである実施形態において、電流設定トランジスタは、エレクトロルミネセントデバイスに電流を送り届けるように構成され、接合トランジスタがPNPトランジスタである場合には、電流設定トランジスタは、エレクトロルミネセントデバイスから電流を引き抜く。
好ましくは、スイッチング手段は、ゲートが第2の制御ラインに接続され且つソース及びドレインが第1の制御ラインの上記入力電極への結合のために構成された薄膜トランジスタ(TFT)である。
好ましくは、電流設定トランジスタは、ゲートが上記キャパシタに接続されたTFTである。
好ましくは、スイッチング手段は更に、当該スイッチング手段がオンであるときに、第1の制御ラインを選択的に結合して、電流設定トランジスタをバイアスされた状態にする。
一実施形態において、スイッチング手段がオンであるときに、第2のスイッチング手段が、第1の制御ラインを選択的に結合して、上記入力電極における電圧を設定し、上記キャパシタは上記入力電極からアイソレートされる。
パッシブマトリクス画素回路
本発明の第3の態様において、本発明に従ったエレクトロルミネセントデバイスを有する画素回路が提供され、エレクトロルミネセントデバイスは、当該エレクトロルミネセントデバイスの動作を制御するマトリクス回路に接続され、当該画素回路は、
エレクトロルミネセントデバイスの入力電極に結合されて、該入力電極における電圧を設定する第1の制御ラインと、
エレクトロルミネセントデバイスに接続されて、エレクトロルミネセントデバイスのアノードとカソードとの間に電圧を印加する第2の制御ラインと
を有し、
第1及び第2の制御ラインが同期されて、第1の制御ラインが、エレクトロルミネセントデバイスから発せられるルミネセンスを制御するパルスを提供するようにされる。
本発明の第3の態様において、本発明に従ったエレクトロルミネセントデバイスを有する画素回路が提供され、エレクトロルミネセントデバイスは、当該エレクトロルミネセントデバイスの動作を制御するマトリクス回路に接続され、当該画素回路は、
エレクトロルミネセントデバイスの入力電極に結合されて、該入力電極における電圧を設定する第1の制御ラインと、
エレクトロルミネセントデバイスに接続されて、エレクトロルミネセントデバイスのアノードとカソードとの間に電圧を印加する第2の制御ラインと
を有し、
第1及び第2の制御ラインが同期されて、第1の制御ラインが、エレクトロルミネセントデバイスから発せられるルミネセンスを制御するパルスを提供するようにされる。
好ましくは、画素マトリクス回路が、複数の上記画素回路を有し、各画素回路の第2の制御ラインが走査コントローラに接続され、各画素回路の第1の制御ラインが信号コントローラに接続される。
好ましくは、上述の画素マトリクス回路用の多重化駆動装置(ドライブ)が、各画素回路を独立に制御するように構成される信号コントローラ及び走査コントローラを有する。
本発明の第4の態様において、本発明の第3の態様に従った画素回路を少なくとも2つ有する多重化駆動装置が提供され、各回路の信号コントローラ及び走査コントローラが独立に動作するように構成される。
本発明の第5の態様において、フロントプレーンとバックプレーンとを有するエレクトロルミネセントディスプレイパネルが提供され、フロントプレーンは少なくとも、本発明に従ったエレクトロルミネセントデバイスを含み、バックプレーンは少なくとも、少なくとも2つのTFTと少なくとも1つのキャパシタとを含んだ制御回路を含む。
好ましくは、これらのTFTは、多結晶Si TFT、アモルファスSi TFT、酸化物TFT、又は有機TFTから選択される。
好ましくは、上記少なくとも2つのTFT及び上記少なくとも1つのキャパシタは、本発明の第3の態様に従った画素回路を形成するように構成される。
製造方法
本発明の第6の態様において、本発明の従ったエレクトロルミネセントデバイスを製造する方法が提供され、当該方法は、
a)1つ以上の半導電性無機金属化合物で構成される層をスパッタリングによって堆積し、その後、
b)エレクトロルミネセント素子を真空蒸着によって堆積する
ことを含む。
本発明の第6の態様において、本発明の従ったエレクトロルミネセントデバイスを製造する方法が提供され、当該方法は、
a)1つ以上の半導電性無機金属化合物で構成される層をスパッタリングによって堆積し、その後、
b)エレクトロルミネセント素子を真空蒸着によって堆積する
ことを含む。
本発明の第7の態様において、本発明に従ったエレクトロルミネセントディスプレイパネルを製造する方法が提供され、バックプレーンが、少なくとも第1の種類のプロセスによって製造され、フロントプレーンを製造することは、第1の種類とは異なる第2の種類のプロセスを含む。
好ましくは、第1の種類のプロセスは、250−350℃の間の温度で実行され、第2の種類のプロセスは、200℃より低い基板温度で実行される。好ましくは、基板温度は室温と100℃との間である。
好ましくは、第2の種類のプロセスは、1つ以上の半導電性無機金属で構成された層の上に、少なくともエレクトロルミネセント素子を含む1つ以上の有機層を堆積するために使用される。
好ましくは、本発明の第7の態様に従った方法において、エレクトロルミネセントデバイスが、本発明の第6の態様に従った方法によって製造される。
ここで使用されるとき、文脈が別のことを要求する場合を除いて、用語“有する”並びに例えば“有している”、“有し”及び“有した”などの該用語のバリエーションは、更なる付加物、コンポーネント、整数、又はステップを排斥することを意図したものではない。
本発明の更なる態様、及び以下の段落に記述される態様の更なる実施形態が、添付の図面を参照して例により与えられる以下の説明から明らかになる。
本発明に従ったエレクトロルミネセントデバイスの例示的な一実施形態を、図1に模式的に示す。エレクトロルミネセンストランジスタ100の形態のエレクトロルミネセントデバイスは、積み重ねられた複数の薄膜又は層の構造(ここでは、“積層構造”150として参照する)を形成するように接合トランジスタ11の上に積み重ねられたエレクトロルミネセント(EL)素子12で構成されている。積層構造150は、各層を実質的に平坦にし且つ互いの上に置いて、基板1の上に平らに座している。基板がある平面及び先行する層がある平面に対して概して垂直な共通の方向に沿って各層がスタック(積層体)を進展させるように、各層が順次に先行層上に積層される。このような構成結果は、製造中に基板は水平面内にあるので、‘縦型’構成と称される。
接合トランジスタ11は、半導体のスタックを形成するようにエミッタ3とコレクタ5との間に挟まれたベース4を有する。ここに記載される様々な実施形態において、接合トランジスタ11は、PNP、NPN、N型のみ、又はP型のみの構成を有し得る。“P”は、正孔が主なキャリアとして機能するp型半導体を意味し、“N”は、電子が主なキャリアとして機能するn型半導体を意味する。3つの層を形成するようにこれらが交互に結合された接合(ジャンクション)構造を“PNP”又は“NPN”として参照する。
PNPバージョン
図1の実施形態において、エミッタ3、ベース4、及びコレクタ5は、それぞれ、p型、n型、及びp型の半導体であり、故にPNP接合を形成している。
図1の実施形態において、エミッタ3、ベース4、及びコレクタ5は、それぞれ、p型、n型、及びp型の半導体であり、故にPNP接合を形成している。
EL素子12は、接合トランジスタ11のコレクタ5の上に座してコレクタ5と低い障壁高さのコンタクトを為す正孔輸送層6を含んでいる。EL素子12は、互いの上に順次に積み重ねられた更なる層を有している。それらの層は、スタックの一端から他端まで順に、正孔輸送層6、発光層7、電子輸送層8、及び電子注入層9である。
積層構造150の下端154及び上端156として図1に示される積層構造150の外端は各々、それぞれ、電極2、10と接触している。
電極2及び10は、構造150に電圧158を印加することを可能にする電気コンタクトを積層構造150に提供する。ベース−エミッタ接合が順バイアスされるようにベースをバイアスするよう、第2の電圧159が印加されるとき、層3−9の各々に電流が流れる。図1のPNPエレクトロルミネセンストランジスタの場合、通常使用において、電流(概念上の正電荷に関して)はエミッタ3に流れ込んで電子注入層9から出て行き、エミッタ3と接触した電極2がアノードとして作用し、電子注入層9と接触した電極10がカソードとして作用する。ベース4からも電流が引き出されるが、その電流は、アノード2からカソード10へと流れる電流と比較して小さい。一方、NPNトランジスタの場合には、PNPトランジスタとは反対の方向に電流が伝わる。
接合トランジスタ11の少なくとも2つの隣接した半導体層は、例えば金属酸化物などの1つ以上の半導電性の無機金属化合物で構成又は基本的に構成される。例えば、ベース4及びエミッタ3が、例えば金属酸化物などの1つ以上の半導電性の無機金属化合物で構成又は基本的に構成され得る。故に、一実施形態において、接合トランジスタ素子11を構成する半導体層3、4、5のうち、層数の大部分、そして一般に、接合トランジスタの体積の大部分が、様々な金属酸化物の形態の無機材料から成る。オプションとして、トランジスタ素子11の半導体層3、4、5の全てが、及び、更なるオプションとして、トランジスタ素子11と接触する電極(すなわち、図1の場合にはアノード2)が、無機材料を有し得る。一実施形態において、半導体層3、4、5の各々が金属酸化物である。
ベース4の電圧を制御するため、ベース4は低抵抗すなわち良好な導電率(概して100kΩ/シートより低い)のものである必要がある。しかしながら、ベース4の導電率は、コレクタ5が金属酸化物半導体である場合に悪影響を受ける傾向にある。故に、コレクタ5がこの実施形態において、酸化物半導体又はその他の無機半導体に代えて、有機材料から成ることが有利である。この有機材料はまた、EL素子12と有利に接触する。コレクタ5に好適な1つの有機半導体はTcTaである。その他の好適な有機半導体は、NPD、TAPC、PDA、TPD、及びm−MTDATAを含む。
図2に示す他の一実施形態において、接合トランジスタ11のベース層4は、2つ以上の層を形成するように低抵抗層(概して100kΩ/シートより低い)と少なくとも1つの高抵抗層(概して1MΩ/シートより高い)とが積層された構造から成っている。より具体的には、ベース4Bは、エミッタ3と接触する高抵抗層13とコレクタ5と接触する高抵抗層15との間に低抵抗層14が挟まれた3つの層で構成されている。
ベース層は典型的に、エミッタ又はコレクタよりも薄く、エミッタ又はコレクタとの界面制御と同時に適正な導電率を必要とする。この理由により、2つ以上の層を形成するように低抵抗層と高抵抗層とが積層された構造は、有効なオプションである。
ベース層、及びベース4Bの各層は、Ga、Zn、Cu、Ru、Al、In、及びTiの金属酸化物のうちの少なくとも1つを含有する。これらの金属から選択された金属酸化物の使用及びその製造条件は、エネルギー準位、キャリア密度、及びP型/N型を制御することを可能にする。例えば、図1の実施形態において、ベース層4は、ZnOをInでドーピングして透明アモルファス酸化物半導体(transparent amorphous oxide semiconductor)TAOSを作り出すことによって得られる金属酸化膜(N型)を使用する。他の好適なTAOS材料は、In及びGaを有するZnO(IGZO)である。他の好適なTAOS材料は、IZO、IGO、及びInOを含む。
接合トランジスタ11がPNP型トランジスタであるので、当業者によって理解されるように、エミッタ3に入る電流のうちの小さい部分が、コレクタ5ではなくベース4から出て行くことになる。
NPNバージョン
図3に示す他の一実施形態において、接合トランジスタ11BはNPN型トランジスタであり、故に通常使用において、電流はコレクタからエミッタに流れ、総エミッタ電流のうちの小さい部分が、ベースに流れ込んでエミッタから流れ出る電流成分を有する。この実施形態においては、エレクトロルミネセンストランジスタ100Bは、図1及び図2に示したものとは反対の方向に電流が流れるように構成されているので、図1のデバイスの反転である。エレクトロルミネセンストランジスタ100Bでは、カソード10の底面153が基板1と隣接し、カソード10の頂面155が積層構造150Bの底面154との低抵抗コンタクトを形成する。アノード2は、積層構造150Bの頂面156と低抵抗コンタクトを形成する。EL素子12Bの層6−8は、EL素子12の層6−8と同じ材料を有することができるが、これらの層は逆順で配置されている。故に、アノード2からコレクタ5Bまでの層は、順に、正孔輸送層6、発光層7、及び電子輸送層8である。この実施形態において、アノード2はEL素子12Bの正孔注入層として作用し、コレクタ5BはEL素子12Bの電子注入層として作用する。コレクタ5B、ベース4B、及びエミッタ3Bは、それぞれ、N型、P型、及びN型の半導体であり、故にNPN接合トランジスタ素子11Bを形成している。接合トランジスタ素子11Bは大部分が無機であり、N及びPの半導体は、ELデバイス100に関して説明したのと同じ材料を有し得る。具体的には、N及びPの半導体材料は、ここで既に述べたような金属酸化物である。例えば、n型エミッタは、Zn、Cu、Ru、Al、In、Ga、Sn、又はTiの酸化物から選択された1つ以上の金属酸化物とすることができ、p型エミッタは、Zn、Cu、Ru、Al、In、Ga、Sn、又はTiの酸化物から選択された1つ以上の金属酸化物とすることができる。コレクタ5Bもp型金属酸化物とし得るが、デバイス100の場合においてのように、コレクタ5Bが有機半導体であることが、よりいっそう有利である。コレクタ5Bに適切な有機半導体は、TmPyPB、BPhene、PBD、TAZ、BND、OXD、及びTPBiを含む。
図3に示す他の一実施形態において、接合トランジスタ11BはNPN型トランジスタであり、故に通常使用において、電流はコレクタからエミッタに流れ、総エミッタ電流のうちの小さい部分が、ベースに流れ込んでエミッタから流れ出る電流成分を有する。この実施形態においては、エレクトロルミネセンストランジスタ100Bは、図1及び図2に示したものとは反対の方向に電流が流れるように構成されているので、図1のデバイスの反転である。エレクトロルミネセンストランジスタ100Bでは、カソード10の底面153が基板1と隣接し、カソード10の頂面155が積層構造150Bの底面154との低抵抗コンタクトを形成する。アノード2は、積層構造150Bの頂面156と低抵抗コンタクトを形成する。EL素子12Bの層6−8は、EL素子12の層6−8と同じ材料を有することができるが、これらの層は逆順で配置されている。故に、アノード2からコレクタ5Bまでの層は、順に、正孔輸送層6、発光層7、及び電子輸送層8である。この実施形態において、アノード2はEL素子12Bの正孔注入層として作用し、コレクタ5BはEL素子12Bの電子注入層として作用する。コレクタ5B、ベース4B、及びエミッタ3Bは、それぞれ、N型、P型、及びN型の半導体であり、故にNPN接合トランジスタ素子11Bを形成している。接合トランジスタ素子11Bは大部分が無機であり、N及びPの半導体は、ELデバイス100に関して説明したのと同じ材料を有し得る。具体的には、N及びPの半導体材料は、ここで既に述べたような金属酸化物である。例えば、n型エミッタは、Zn、Cu、Ru、Al、In、Ga、Sn、又はTiの酸化物から選択された1つ以上の金属酸化物とすることができ、p型エミッタは、Zn、Cu、Ru、Al、In、Ga、Sn、又はTiの酸化物から選択された1つ以上の金属酸化物とすることができる。コレクタ5Bもp型金属酸化物とし得るが、デバイス100の場合においてのように、コレクタ5Bが有機半導体であることが、よりいっそう有利である。コレクタ5Bに適切な有機半導体は、TmPyPB、BPhene、PBD、TAZ、BND、OXD、及びTPBiを含む。
N型のみバージョン
図17に示す他の一実施形態において、接合トランジスタ11Eは、N型のみのトランジスタである。ベース4Eは、2つの層を形成するように高抵抗層300(概して1MΩ/シートより高い)と導電層若しくは低抵抗層302(概して100kΩ/シートより低い)とが積層された構造から成っており、故にN型のみの接合を形成する。
図17に示す他の一実施形態において、接合トランジスタ11Eは、N型のみのトランジスタである。ベース4Eは、2つの層を形成するように高抵抗層300(概して1MΩ/シートより高い)と導電層若しくは低抵抗層302(概して100kΩ/シートより低い)とが積層された構造から成っており、故にN型のみの接合を形成する。
高抵抗層300に使用されるのに好適な材料は高抵抗ITOであり、導電層に使用されるのに好適な材料は導電性IGZOである。
通常使用において、高抵抗(絶縁)層300は、エミッタ3とコレクタ5との間の電荷の流れに対する電位エネルギー障壁を作り出す。ベース4Eの電位を調節することは、そのエネルギー障壁に打ち勝って電荷の流れを制御することを可能にする。
説明として、図18は、図17のエレクトロルミネセンストランジスタの半導体バンド構造を示している。図18に示すように、電子がカソード10から最高被占分子軌道(HOMO)にて輸送され、他の電子がアノード2から伝導帯にて輸送される。正孔が、正孔輸送層(HTL)6と正孔注入層(HIL)すなわちコレクタ5との間の境界面のPN接合で生成される。正孔とカソード10からの電子とが発光層7内で再結合し、光の放射を生じさせる。注入される電流は、ベース電極4Eの電位を制御することによって調整されることができる。
エミッタは、導電性のITO、InO、ZnO、IGZO、SnOから形成され得る。
P型のみバージョン
他の一実施形態(図示せず)において、接合トランジスタは、P型のみのトランジスタである。この場合も、ベースは、2つの層を形成するように高抵抗層と導電層若しくは低抵抗層とが積層された構造から成り、故にP型のみの接合を形成する。
他の一実施形態(図示せず)において、接合トランジスタは、P型のみのトランジスタである。この場合も、ベースは、2つの層を形成するように高抵抗層と導電層若しくは低抵抗層とが積層された構造から成り、故にP型のみの接合を形成する。
エミッタは、導電性のCuO、CuAlOから形成され得る。
電極
ここに記載されるNPN、PNP、n型のみ、及びp型のみの実施形態に関し、電極2、10は、正孔注入又は電子注入のための半導体と境界を為すという、すなわち、積層構造150の下端及び上端154、156で正孔注入(アノードによる)又は電子注入(カソードによる)を提供するというそれらの役割に好適な材料で構築される。正孔注入端にあるアノードは、一部の実施形態において、Ga、Zn、Cu、In、Ti、及びSiの金属酸化物半導体のうちの少なくとも1つを含有する。電子注入端にあるカソードは、一部の実施形態において、Al、Li、Mg、K、Na、Ba、Sr、Ag、Ca、及びCsの金属又は金属化合物のうちの少なくとも1つを含有する。これらの材料の使用は、正孔又は電子が注入されるときの障壁高さを制御することを可能にする。
ここに記載されるNPN、PNP、n型のみ、及びp型のみの実施形態に関し、電極2、10は、正孔注入又は電子注入のための半導体と境界を為すという、すなわち、積層構造150の下端及び上端154、156で正孔注入(アノードによる)又は電子注入(カソードによる)を提供するというそれらの役割に好適な材料で構築される。正孔注入端にあるアノードは、一部の実施形態において、Ga、Zn、Cu、In、Ti、及びSiの金属酸化物半導体のうちの少なくとも1つを含有する。電子注入端にあるカソードは、一部の実施形態において、Al、Li、Mg、K、Na、Ba、Sr、Ag、Ca、及びCsの金属又は金属化合物のうちの少なくとも1つを含有する。これらの材料の使用は、正孔又は電子が注入されるときの障壁高さを制御することを可能にする。
図1に従った一実施形態に関し、エミッタ3はCuAlO2で形成された無機金属酸化物半導体である。エミッタ3に付着されるアノード2は、ITO(インジウム錫酸化物)を有し、あるいは主としてITOを有する。電子注入端156では、Al金属(又は主としてAl)がカソード10に使用され、KF又はLiFが電子注入層9に使用される。
発光構成
Alカソードは、発光層7から発生された光を反射することになる。しかしながら、この実施形態において、基板1は透明であり、図3Aに示しように、発生された光160が基板1を通って放たれることを可能にする。十分な光透過を可能にするため、基板1は、400nmから800nmの光波長(すなわち、可視光のスペクトルをカバーする)で少なくとも50%の光透過率を有する。トランジスタ素子11も透明であり、400nmから800nmの光波長で少なくとも50%の光透過率を有する。有機EL素子12の発光層7から発生されてカソード10に当たる光は、カソード10によって反射されて、ガラス基板1を通って放射される。故に、光放射160は主として透明基板を通って放射される。この構成は、ボトムエミッション構成と称される。このような構造は、接合トランジスタ11の製造後に有機EL素子12の製造を行うことを可能にし、それにより、接合トランジスタ11の製造プロセスが有機EL素子12を損傷させることを防止する。
Alカソードは、発光層7から発生された光を反射することになる。しかしながら、この実施形態において、基板1は透明であり、図3Aに示しように、発生された光160が基板1を通って放たれることを可能にする。十分な光透過を可能にするため、基板1は、400nmから800nmの光波長(すなわち、可視光のスペクトルをカバーする)で少なくとも50%の光透過率を有する。トランジスタ素子11も透明であり、400nmから800nmの光波長で少なくとも50%の光透過率を有する。有機EL素子12の発光層7から発生されてカソード10に当たる光は、カソード10によって反射されて、ガラス基板1を通って放射される。故に、光放射160は主として透明基板を通って放射される。この構成は、ボトムエミッション構成と称される。このような構造は、接合トランジスタ11の製造後に有機EL素子12の製造を行うことを可能にし、それにより、接合トランジスタ11の製造プロセスが有機EL素子12を損傷させることを防止する。
この実施形態の一バリエーションにおいて、カソードは、反射性の金属ではなく、可視光に関して少なくとも50%の透過率を有する例えば金属酸化物(例えば、ITO)などの透明材料で製造されることができる。図3bのトランジスタ100Cに関して示すように、これは、トランジスタの頂面とその反対側の底面との双方から光が放たれることを可能にする。カソード10が透明であるという要件を別にして、トランジスタ100Cのその他の構成要素はトランジスタ100と同じとし得る。例えば、トランジスタ100Cは、電子注入層9にLiF、コレクタ5にTcTa、ベース4にZnO−In、エミッタ3にCuAlO2、アノード2にITO、そして基板1にガラスを含むことができる。
更なる他の実施形態において、エレクトロルミネセンストランジスタは、図4(及び図5)に示される実施形態に示すように、基板とは反対の端部(すなわち、上端)にあるエレクトロルミネセンストランジスタの端部のみから光が放たれるように構成され得る。このような構成は、トップエミッション構成と称される。
図4は、光が主として透明カソード10を通って放射されるようにデバイス100Aの基板端が透明ではなく反射性であることを除いて、図3Bのエレクトロルミネセンストランジスタ100Cに関して説明したのと同じ特徴を持つエレクトロルミネセンストランジスタ100Aの一実施形態を示している。基板側の反射性は、基板1とアノード2との間のクロムのリフレクタ46によって提供されている。
図3と一致するNPN発光トランジスタ100Bに関して、トップエミッション構成の他の一実施形態を図5に示す。この実施形態においては、EL素子12のトランジスタ側すなわち基板側に反射面が設けられる。しかしながら、図4の実施形態とは対照的に、発光トランジスタ100Bは別個のリフレクタ層を必要としない。むしろ、基板と接触する接合トランジスタ電極(カソード10)が、例えばアルミニウムなどの反射性の金属である。基板とは反対側の端部にあるアノード2は、例えば金属酸化物半導体(例えば、ITO)などの透明材料であり、故に、光が主としてデバイス100Bの頂面から放たれることを可能にする。
製造例
例1
図6A及び図6Bは、それぞれ、接合型トランジスタ11Cの例示的な製造の上面図及び断面図を示している。接合型トランジスタ11Cの製造は、頂部電極25の代わりに、図1−3に関して説明したようにEL素子12及びカソード10を設けることによってエレクトロルミネセンストランジスタ100を製造するように適応され得る。
例1
図6A及び図6Bは、それぞれ、接合型トランジスタ11Cの例示的な製造の上面図及び断面図を示している。接合型トランジスタ11Cの製造は、頂部電極25の代わりに、図1−3に関して説明したようにEL素子12及びカソード10を設けることによってエレクトロルミネセンストランジスタ100を製造するように適応され得る。
接合トランジスタ11Cは、約150nmの膜厚を持つITOのアノード21と、ベースコンタクト26とを有している。アノード21及びベースコンタクト26は、ガラス基板20上に形成される。エミッタ22は、約80nmの膜厚を持つP型CuAlO2膜であり、これは、アノード21上にスパッタリングすることによって形成される。ステンシルマスクの使用に起因して、ベース23を有する膜の領域は面積的に制限され、それにより、電流が横方向に逸れることが制限されるとともに、基板20の発光領域(すなわち、その領域で基板20の底面164から光が放たれる領域)が、基板の中央部、すなわち、ベース23によって覆われた基板20の部分に制限される。
ベース23は、発光領域を覆うとともにベースコンタクト26と接触するように形成される。ベースは、下部の高抵抗ZnO層27と上部の高抵抗ZnO層29との間に挟まれた、より低抵抗のITO層28で構成される3つのn型層を有する。ZnO層27、29の各々は15nmの膜厚を持ち、ITO層28は5nmの膜厚を持つ。ベース層27−29は、ステンシルマスクを用いて各層を順次にスパッタリングすることによって形成される。ITO層28の膜厚を変えることは、ベース23の導電率を調節することを可能にする。
コレクタ24は、約25nmの膜厚を持つTcTaのP型有機半導体膜である。コレクタ24は、発光領域を覆うようにステンシルマスクを用いてベース23上に真空蒸着される。
次に、金を有する頂部電極25が真空蒸着される。頂部電極25の膜厚は約100nmである。
接合トランジスタ11Cのこの製造を、その特性に関して評価した。図7Aは、エミッタ22とベース23との間及びコレクタ24とベース23との間に形成されるそれぞれのpn接合についての電流−電圧特性を示している。ベース−エミッタpn接合特性について、エミッタ22からベース23(グランド)にそれぞれアノード21及びベースコンタクト26の電極を介して電圧VEBを印加した。アノード21及びベースコンタクト26は、それぞれ、エミッタ22及びベース23と同じ電圧である。これは、電極21、26とそれらそれぞれの半導体22、23との間の低抵抗コンタクトによる。図7Aにおいて、VEBは、ボルト単位で測定されるバイアス電圧66として、x軸に沿って示されている。結果として得られたミリアンペア単位でのエミッタ22からベース23への電流が、カーブ67によって示されており、y軸はミリアンペア単位での電流69を示している。同様に、ベースコンタクト26及び頂部電極25に電圧を印加することによって、ベース23からコレクタ24に電圧VBCが印加される。結果として得られたベース23からコレクタ24への電流が、カーブ70によって示されている。
図7Bは、接合トランジスタ11Cの動作からトランジスタ特性カーブを取得した実験の結果を示している。y軸は、x軸上のエミッタ22からコレクタ24へのバイアス電圧に対するエミッタ22からコレクタ24への電流をミリアンペア単位で示している。0から−1.0μAまでの範囲の6つの異なるベース電流について特性カーブを示している。負のベース電流は、電流がベース23からトランジスタ11Cを立ち去ることを指し示す。電圧VECを印加して、電流IECのベース電流IB依存性(エミッタ22とコレクタ24との間の電流がベース電流IBに応じて変化することを示す)を測定した。
例1
図6A及び図6Bは、それぞれ、接合型トランジスタ11Cの例示的な製造の上面図及び断面図を示している。接合型トランジスタ11Cの製造は、頂部電極25の代わりに、図1−3に関して説明したようにEL素子12及びカソード10を設けることによってエレクトロルミネセンストランジスタ100を製造するように適応され得る。
図6A及び図6Bは、それぞれ、接合型トランジスタ11Cの例示的な製造の上面図及び断面図を示している。接合型トランジスタ11Cの製造は、頂部電極25の代わりに、図1−3に関して説明したようにEL素子12及びカソード10を設けることによってエレクトロルミネセンストランジスタ100を製造するように適応され得る。
接合トランジスタ11Cは、約150nmの膜厚を持つITOのアノード21と、ベースコンタクト26とを有している。アノード21及びベースコンタクト26は、ガラス基板20上に形成される。エミッタ22は、約80nmの膜厚を持つP型CuAlO2膜であり、これは、アノード21上にスパッタリングすることによって形成される。ステンシルマスクの使用に起因して、ベース23を有する膜の領域は面積的に制限され、それにより、電流が横方向に逸れることが制限されるとともに、基板20の発光領域(すなわち、その領域で基板20の底面164から光が放たれる領域)が、基板の中央部、すなわち、ベース23によって覆われた基板20の部分に制限される。
ベース23は、発光領域を覆うとともにベースコンタクト26と接触するように形成される。ベースは、下部の高抵抗ZnO層27と上部の高抵抗ZnO層29との間に挟まれた、より低抵抗のITO層28で構成される3つのn型層を有する。ZnO層27、29の各々は15nmの膜厚を持ち、ITO層28は5nmの膜厚を持つ。ベース層27−29は、ステンシルマスクを用いて各層を順次にスパッタリングすることによって形成される。ITO層28の膜厚を変えることは、ベース23の導電率を調節することを可能にする。
コレクタ24は、約25nmの膜厚を持つTcTaのP型有機半導体膜である。コレクタ24は、発光領域を覆うようにステンシルマスクを用いてベース23上に真空蒸着される。
次に、金を有する頂部電極25が真空蒸着される。頂部電極25の膜厚は約100nmである。
接合トランジスタ11Cのこの製造を、その特性に関して評価した。図7Aは、エミッタ22とベース23との間及びコレクタ24とベース23との間に形成されるそれぞれのpn接合についての電流−電圧特性を示している。ベース−エミッタpn接合特性について、エミッタ22からベース23(グランド)にそれぞれアノード21及びベースコンタクト26の電極を介して電圧VEBを印加した。アノード21及びベースコンタクト26は、それぞれ、エミッタ22及びベース23と同じ電圧である。これは、電極21、26とそれらそれぞれの半導体22、23との間の低抵抗コンタクトによる。図7Aにおいて、VEBは、ボルト単位で測定されるバイアス電圧66として、x軸に沿って示されている。結果として得られたミリアンペア単位でのエミッタ22からベース23への電流が、カーブ67によって示されており、y軸はミリアンペア単位での電流69を示している。同様に、ベースコンタクト26及び頂部電極25に電圧を印加することによって、ベース23からコレクタ24に電圧VBCが印加される。結果として得られたベース23からコレクタ24への電流が、カーブ70によって示されている。
図7Bは、接合トランジスタ11Cの動作からトランジスタ特性カーブを取得した実験の結果を示している。y軸は、x軸上のエミッタ22からコレクタ24へのバイアス電圧に対するエミッタ22からコレクタ24への電流をミリアンペア単位で示している。0から−1.0μAまでの範囲の6つの異なるベース電流について特性カーブを示している。負のベース電流は、電流がベース23からトランジスタ11Cを立ち去ることを指し示す。電圧VECを印加して、電流IECのベース電流IB依存性(エミッタ22とコレクタ24との間の電流がベース電流IBに応じて変化することを示す)を測定した。
図8A及び図8Bは、それぞれ、発光トランジスタ100Dの例示的な製造の上面図及び断面図を示している。
基板30、アノード31、エミッタ32、ベースコンタクト40、及びベース33は、接合トランジスタ11Cの対応する基板20、アノード21、エミッタ22、ベースコンタクト26、及びベース23と同じ材料で、同量で、且つ同様にして形成される。
しかしながら、接合トランジスタ11Cとは異なり、コレクタ34が、この例では、2nmの膜厚を持つHATの形態の有機半導体である。コレクタ34のHAT有機半導体は、ベース33上に真空蒸着される。接合トランジスタ11Dのコレクタ34はまた、EL素子12Dの正孔注入層としても機能する。
約25nmの膜厚を持つTcTaから成るP型有機半導体膜が、コレクタ34上に真空蒸着されて、正孔輸送層35を形成する。次に、mCP及びFIrpicが共に、正孔輸送層35上に真空蒸着されて、約40nmの膜厚を持つ発光層36を形成する。mCP及びFIrpicは、それぞれ、約94%及び6%の体積割合で堆積される。
次に、層36の上に約20nmの膜厚を持つTmPyPBを真空蒸着することにより、電子輸送層37が設けられる。
コレクタ34、正孔輸送層35、発光層36、及び電子輸送層37は各々、発光領域を覆うようにステンシルマスクを用いて真空蒸着される。
次に、約1nmの膜厚のLiFから成る電子注入層38と、それに次ぐ、約100nmの膜厚を持つAlから成るカソード39とが、発光領域を覆うようにステンシルマスクを用いて順次に真空蒸着される。このステンシルマスクは、外部電極部39D(図8A)を設けるために、カソード39が発光領域の外側まで延在するように形成されることを可能にするよう構成される。
発光トランジスタ100Dについての実験の結果を図8Cに示す。これは、ベース電流IBの増加がどのように発光輝度の増加を変化させるかを示している。y軸は、ルミネセンスをcd/m2単位で示し、x軸は、アノード31からカソード39へのバイアス電圧VAC(カソード39はグランドにされている)を示している。図8Cは、0から−1μAまでの範囲の5つのベース電流IB値について、VACに対するルミネセンスを示している。
アクティブマトリクスディスプレイ
図9は、格子状の画素201Aを有するアクティブマトリクス有機発光ダイオードディスプレイ(AMOLED)201を示している。各画素が、それぞれ、赤色光、緑色光、及び青色光にて発光するように構成された本発明に従ったエレクトロルミネセント素子(例えば、エレクトロルミネセンストランジスタ100)を各回路が有した、後述する3つの画素回路を含んでいる。各画素回路は、横方向の走査ライン219a(r,g,b)から219n(r,g,b)と縦方向の信号ライン218a(r,g,b)から218n(r,g,b)との、それ固有の交点によってアドレスされる。赤色光、緑色光、及び青色光の画素回路は各々、単一の画素(ピクセル)のサブピクセルと見なされ得る。しかしながら、便宜上、以下ではピクセルとサブピクセルとの区別は行わずに双方を“画素”と称する。
図9は、格子状の画素201Aを有するアクティブマトリクス有機発光ダイオードディスプレイ(AMOLED)201を示している。各画素が、それぞれ、赤色光、緑色光、及び青色光にて発光するように構成された本発明に従ったエレクトロルミネセント素子(例えば、エレクトロルミネセンストランジスタ100)を各回路が有した、後述する3つの画素回路を含んでいる。各画素回路は、横方向の走査ライン219a(r,g,b)から219n(r,g,b)と縦方向の信号ライン218a(r,g,b)から218n(r,g,b)との、それ固有の交点によってアドレスされる。赤色光、緑色光、及び青色光の画素回路は各々、単一の画素(ピクセル)のサブピクセルと見なされ得る。しかしながら、便宜上、以下ではピクセルとサブピクセルとの区別は行わずに双方を“画素”と称する。
図10Aは、本発明の一態様に従った画素回路200Aを示すアクティブマトリクスディスプレイの一部の回路図である。
回路200Aは、例えば、発光トランジスタ100、又は本発明に従ったその他のpnp型エレクトロルミネセンストランジスタなどの、発光トランジスタ202を含んでいる。
発光トランジスタ202は、カソード204及びアノード206を有しており、それらを通って電流がアノード206からカソード204へと流れる(単純化のため、ベース電流による電流ロスは無視する)。電流は、接合トランジスタのエミッタ(アノード206の位置)とコレクタとの間を通り、そして、発光素子を介してカソード204へと通り抜ける。アノード206は電源ライン210に直接的に電気接続され、カソード204はグランドライン212に電気接続され、それにより、カソードに対してアノードに、グランドラインに対する電源ラインの電圧に等しい一定の電源電圧VAC207が保持される。
発光素子を通る電流は、ベース208に入る又はそれから出るベース電流IBの関数である。図10Aに示した画素回路では、発光トランジスタの接合トランジスタ素子はPNP型接合トランジスタであり、発光トランジスタは、ベース電流IBがベース208から出るときにオンである。接合トランジスタがPNP型であるので、発光トランジスタ202は、ベース208の電圧が(グランドライン212に向けて)ロー(低)に引き下げられるときにターンオンすることになり、ベース208の電圧が(電源ライン210に向けて)ハイ(高)に引き上げられるときにターンオフすることになる。
薄膜トランジスタ(TFT)221の形態のスイッチング手段が、走査ライン219a(r,g,又はb)によって制御されて、信号ライン218a(r,g,又はb)の形態の第1の制御ラインをベース208に選択的に結合する。
信号ライン218aがローであり且つ走査ライン219aがハイであるとき、TFT221はオンであり、ベース電圧をローに引き下げてベースから電流を引き込む。ベースを通る電流が、エミッタとベースとの間に電圧を生成し、それがキャパシタによって保持される。図10A及び10Bでは、キャパシタ220がベース208と電源ライン210との間に接続されている。ベースにおける電圧は、信号ラインの電圧によって決定される所定の定常レベルに落ち着くことになり、それにより、発光トランジスタ202のエレクトロルミネセント素子を通り抜ける所定の電流がもたらされる。故に、所定の強度又は輝度での発光が得られる。ベース208から引き込まれる正確な電流は、主として、そのゲートとソース又はドレインの一方とがベース208に結合され且つソース又はドレインの他方がグランドライン212に接続された電流設定トランジスタ222によって決定される。故に、電流設定トランジスタ222が電流源として作用して、ベース208からグランドへと電流を引き抜く。
走査ライン219aがハイに引き上げられると、TFT221はターンオフする。しかし、キャパシタ220が、電流設定トランジスタ222のゲートがバイアスされた状態となる電圧を保持し、それ故に、同じレベルの電流がベース208から引き込まれることが続き、ひいては、発光トランジスタ202の所定の照明レベルが続く。
時間が経過するにつれて、キャパシタ220に跨って接続された発光トランジスタ202のベース208とアノード206との間の抵抗により、キャパシタ220は徐々に放電することになる。故に、電流設定トランジスタがもはやベース208から電流を引き込まなくなって発光トランジスタがターンオフするまで、ベース電圧が徐々に上昇することになる。しかしながら、キャパシタの存在は、キャパシタのない同じ回路と比較して、トランジスタ202のオン時間を引き延ばす。
他の例示的な画素回路200B(図10B)は、エレクトロルミネセントデバイスのベースに接続されるスイッチングトランジスタ221が、キャパシタ及び電流設定トランジスタのゲートからの接続を断たれていることを除いて、画素回路200Aと同じである。第2のスイッチングトランジスタ223が、独立して、信号ラインをキャパシタ及び電流設定トランジスタのゲートに結合する。斯くして、走査ラインがハイになってスイッチングトランジスタ221及び223がターンオフするとき、キャパシタがその電荷を遥かに長きにわたって保持する。何故なら、キャパシタは、発光トランジスタのベースからアイソレートされており、それ以外の低抵抗放電パスも有しないからである。
図10Bの構成は、ディスプレイを構成する以下のような画素構成を提供するものとして要約され得る。すなわち、発光トランジスタと、少なくとも2つの薄膜トランジスタと、少なくとも1つのキャパシタとを含み、これらの薄膜トランジスタのうちの1つの薄膜トランジスタのゲート電圧を、発光トランジスタのベースを通らされる電流によって生成される電圧によって保持し、それにより、所定の輝度を与える画素構成であって、この薄膜トランジスタのソース又はゲート電極が発光トランジスタのベース層に接続され、キャパシタの1つの端子がこの薄膜トランジスタのゲート電極に接続され、且つこの薄膜トランジスタのゲート電圧が、信号ラインから与えられる電圧によって決定され、そして同時に、キャパシタに蓄積された電荷によって保持され、さらに、発光トランジスタのベース層を流れ抜ける電流が保持され、それにより所定の輝度が設定される画素構成を提供するものとして要約され得る。
図10A及び10Bのこれらの構成の双方において、電流制御トランジスタのゲート電圧は、発光トランジスタのベースを通過した電流の結果として発光トランジスタのベースとエミッタとの間に生成される電圧によって設定される。発光トランジスタは、それにより、所定の輝度レベルを与えるようにバイアスされることができる。
この構成を用いて、所定の輝度レベルが、発光トランジスタ内に設定され、そして、次の走査サイクルで信号ラインの電圧レベルによって新たな輝度レベルが設定されるまで保持される。
このベース電流設定方法は、発光トランジスタの電気特性におけるバラつきにかかわらずに高度に再現可能な発光を提供する能力において利点を有する。特開2008−171580号公報は、1つ又は2つのTFTによって発光トランジスタが駆動される画素回路を開示しているが、その画素回路は、図10Aの画素回路とは対照的に、ベースを通過する電流によって生成される電圧を介して薄膜トランジスタのゲート電圧を保持することができない。
上述の画素回路は、図10C及び10Dに例示するように、npn型発光トランジスタ(例えば、発光トランジスタ100B)上で動作するように変更されることができる。回路コンポーネントの各々の機能は、トポロジーにおいて幾つかのバリエーションがあるが、図10A及び10Bにおいてと同じである。npnの場合、発光トランジスタのエミッタは、pnpの場合の電源ライン側とは反対に、回路のグランドライン側にある。従って、発光トランジスタは、そのベース電極をハイに引き上げることによってターンオンする。故に、キャパシタ及び電流設定トランジスタの位置がpnpの場合と比較して逆にされ、それに従って、npnの場合には、ベースとグランドとの間にキャパシタが接続され、ベースと電源ラインとの間に電流設定トランジスタが置かれる。発光トランジスタは、信号ライン及び走査ラインがハイであるときにターンオンされて、ベース中に電流を駆動する。走査ラインがローであるとき、発光トランジスタはオフである。
図10A、10B、10C及び10Dの画素回路は、アクティブなキャパシタ、1つ又は複数のスイッチングトランジスタ、及び電流設定トランジスタを基板1上の平坦化層18(図11)の中に形成するように形成される。基板1は、光が当該基板を透過することができるように(例えば、ボトムエミッション構成)、可視光の下で透明とし得る。この構造は、スイッチングTFT及び電流設定TFT(1つのTFT19のみを図示している)と、キャパシタ(図示せず)と、マトリクス配線とを有するバックプレーン層16の製造プロセスと、発光トランジスタを有する別の層17の製造プロセスとの間の分離を可能にするという利点を持つ。しかしながら、理解されるように、より基本的な制御回路を採用して、図10A−10Dの画素回路においてのような2つ又は3つのトランジスタとキャパシタではなく、例えば図11に示すように唯一のTFT(すなわち、スイッチングトランジスタ221)をバックプレーン層が含むようにしてもよい。
何れにしても、バックプレーンの平坦化はとりわけ有益である。何故なら、既存の製造設備を用いてバックプレーンを製造することができ、投資を要するのは、発光トランジスタ自体のための製造設備を開発することだけだからである。
本発明において、このような二層構造を持つ構成は、主として非結晶シリコン又は金属酸化物から成る活性層を薄膜トランジスタが含む場合の画素構成において、特に有効である。これは、大量生産プロセスとして既に確立されたテクノロジを使用することができるからである。従って、図11に示した実施形態において、薄膜トランジスタはその活性層に関して主としてa−Siから成る。しかしながら、それに代えて、多結晶シリコン又は有機半導体を、薄膜トランジスタに、その活性層として使用することもできる。同様に、図10A、10B、10C及び10Dの薄膜トランジスタ221、222及び223は、好ましくはa−Si型TFTである。
図12は、各々が図10Aの画素回路200Aに従った2つの画素回路51a、51bを示している。図13は、第1の画素回路51aの走査ライン52aに与えられる走査パルス53aと、それに次いで第2の画素回路51bの走査ライン52bに与えられる走査パルス53bと、それらの結果として信号ライン54を介して引かれる電流55aとを示している。走査パルスがハイであるとき、電流が、より負となるよう、大きさ的に増大する。
上述したように、発光トランジスタの所定の輝度が、走査サイクルと同期して繰り返し設定される。
走査サイクルとは、或る走査ラインに定期的にパルス電圧が与えられるサイクルを意味する。パルス電圧が与えられる度に、適当な画素輝度設定が更新される。これは、所定の輝度を適切な画素に繰り返し設定することを可能にする。
図14は、第1の画素回路51aの輝度56を設定することに同期して、走査ライン52a中に反復的に与えられる走査パルス53aと、結果として得られる信号ライン54内の電流55bとを示している。信号電流55bが53dにて示す負振幅の増大は、別の走査ライン(例えば、走査ライン52b)上のパルスに起因するものであり、画素回路51aからの電流輝度信号56には影響しない。走査ライン52a上の走査パルスが53cで終了するとき、輝度は、次のサイクルで輝度情報が更新されるまで殆ど維持される。この駆動方法は、毎秒30フレーム以上の高走査レートに適している。
図15は、発光トランジスタの駆動及び制御のためにバックプレーン内の2つのTFTを使用する本発明に従った発光トランジスタに基づくRGBアクティブマトリクス式カラーディスプレイの画素の例示的なレイアウトを示している。このレイアウトは、5μm目盛のライン/スペースを示している。このレイアウトは、50%の開口率(すなわち、画素のうちの発光を供する割合)を達成している。有利なことに、この率は、FET型の発光トランジスタで一般的に達成可能な30%という率よりもかなり大きい。
パッシブマトリクス構成
図16は、本発明に従ったエレクトロルミネセントデバイスを駆動するパッシブマトリクス式の画素回路60を示している。パッシブマトリクス画素回路60は、個々の画素回路60aを複数含んでいる。個々の画素回路60aは各々、エレクトロルミネセントデバイス100の入力電極40に結合されて該入力電極における電圧を設定する第1の制御ライン(例えば、信号ライン)61と、エレクトロルミネセントデバイスに接続されて該デバイスのアノードとカソードとの間に電圧を印加する第2の制御ライン(例えば、走査ライン)62とを有している。第1及び第2の制御ラインは同期され、第1の制御ラインが、エレクトロルミネセントデバイスから発せられるルミネセンスを制御するパルスを提供する。各マトリクス回路の走査ラインはまた、走査コントローラに接続され、各マトリクス回路の信号ラインはまた、信号コントローラ(図示せず)に接続される。各回路の信号コントローラ及び走査コントローラが各画素回路を独立に制御するように構成されるよう、パッシブマトリクス回路60の多重化ドライブ(図示せず)が構成される。
図16は、本発明に従ったエレクトロルミネセントデバイスを駆動するパッシブマトリクス式の画素回路60を示している。パッシブマトリクス画素回路60は、個々の画素回路60aを複数含んでいる。個々の画素回路60aは各々、エレクトロルミネセントデバイス100の入力電極40に結合されて該入力電極における電圧を設定する第1の制御ライン(例えば、信号ライン)61と、エレクトロルミネセントデバイスに接続されて該デバイスのアノードとカソードとの間に電圧を印加する第2の制御ライン(例えば、走査ライン)62とを有している。第1及び第2の制御ラインは同期され、第1の制御ラインが、エレクトロルミネセントデバイスから発せられるルミネセンスを制御するパルスを提供する。各マトリクス回路の走査ラインはまた、走査コントローラに接続され、各マトリクス回路の信号ラインはまた、信号コントローラ(図示せず)に接続される。各回路の信号コントローラ及び走査コントローラが各画素回路を独立に制御するように構成されるよう、パッシブマトリクス回路60の多重化ドライブ(図示せず)が構成される。
理解されるように、本明細書にて開示されて規定された発明は、言及した個々の特徴又は本明細書若しくは図面から明らかな個々の特徴のうちの2つ以上の代替的な組み合わせの全てにまで及ぶものである。それら様々な組み合わせの全てが、本発明の様々な代替的な態様を構成する。
Claims (40)
- 有機エレクトロルミネセント素子と、
第1の領域と、第2の領域と、前記第1及び第2の領域間での電荷の流れを制御するように構成された中間の半導電性領域とを有する接合トランジスタであり、少なくとも2つの隣接する領域が、1つ以上の半導電性無機金属化合物から基本的に成る、接合トランジスタと
を有し、
前記接合トランジスタの各領域及び前記エレクトロルミネセント素子が、共通の方向に沿って続けて積層されている、
エレクトロルミネセントデバイス。 - 発光トランジスタである請求項1に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記中間の半導電性領域はベース領域であり、前記第1の領域はエミッタ領域であり、前記第2の領域はコレクタ領域であり、前記ベース領域と、前記エミッタ領域又は前記コレクタ領域の少なくとも一方とは、隣接する領域である、請求項1又は2に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記エレクトロルミネセント素子及び前記接合トランジスタの各領域が、垂直方向に沿って続けて積層されている、請求項1乃至3の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記エレクトロルミネセント素子及び前記接合トランジスタの各領域は、互いに上下にされた層である、請求項1乃至4の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記有機エレクトロルミネセント素子は、前記接合トランジスタとは別であり、且つ前記接合トランジスタに隣接している、請求項1乃至5の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記2つの隣接する領域は、金属の酸化物、窒化物、硫化物又は炭化物から選択された1つ以上の半導電性無機金属化合物から基本的に成る、請求項1乃至6の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記中間の半導電性領域及び前記第1の領域は、金属の酸化物、窒化物、硫化物又は炭化物から選択された1つ以上の半導電性無機金属化合物から基本的に成る隣接する領域であり、前記第2の領域は、1つ以上の電荷輸送有機キャリア材料又は金属を有する、請求項7に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記第2の領域は、2.5eVよりも低い又は4.0eVよりも高い仕事関数を持った、1つ以上の電荷輸送有機キャリア材料又は金属を有する、請求項8に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記中間の半導電性領域及び前記第2の領域は、金属の酸化物、窒化物、硫化物又は炭化物から選択された1つ以上の半導体材料から基本的に成る隣接する領域であり、前記第1の領域は、1つ以上の有機材料又は金属を有する、請求項7に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記第1の領域は、2.5eVよりも低い又は4.0eVよりも高い仕事関数を持った、1つ以上の電荷輸送有機キャリア材料又は金属を有する、請求項10に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記中間、第1及び第2の領域は、金属の酸化物、窒化物、硫化物又は炭化物から選択された1つ以上の半導体材料から基本的に成る、請求項7に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記中間の半導電性領域は、Zn、Cu、Ru、Al、In、Ga、Sn又はTiの酸化物から選択された1つ以上の半導電性無機金属化合物から基本的に成る、請求項1乃至12の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記中間の半導電性領域は、半導体材料の2つ以上の層を有する積層された薄膜の構造を有し、前記2つ以上の層は高抵抗層及び低抵抗層を含む、請求項1乃至13の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記中間の半導電性領域は、2つの層を形成するように高抵抗層と導電層若しくは低抵抗層とが積層された構造を有する、請求項1乃至13の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記第2の領域は、Zn、Cu、Ru、Al、In、Ga、Sn又はTiの酸化物から選択された1つ以上の半導体材料から基本的に成る、請求項1乃至15の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記第1の領域は、Zn、Cu、Ru、Al、In、Ga、Sn又はTiの酸化物から選択された1つ以上の半導体材料から基本的に成る、請求項1乃至16の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記接合トランジスタは透明である、請求項1乃至17の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 当該エレクトロルミネセントデバイスは、前記エレクトロルミネセント素子内の有機発光層から光が発生されるように構成され、前記発光層は、前記接合トランジスタと前記有機エレクトロルミネセント素子の更なる層との間に配置される、請求項1乃至18の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記発光層から発生された光は、前記接合トランジスタを透過し、前記有機エレクトロルミネセント素子の前記更なる層のうちの1つ以上によって反射される、請求項19に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記発光層から発生された光は、前記有機エレクトロルミネセント素子の前記更なる層を透過し、前記接合トランジスタと基板との間に配置されたリフレクタ領域によって反射される、請求項19に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 前記発光層から発生された光は、前記接合トランジスタ及び前記有機エレクトロルミネセント素子の前記更なる層を透過する、請求項19に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 当該エレクトロルミネセントデバイスから透過される光は入射光のうちの少なくとも30%である、請求項1乃至22の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
- 請求項1乃至23の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイスを有する画素回路であって、
前記エレクトロルミネセントデバイスは、前記エレクトロルミネセントデバイスの動作を制御する制御回路に接続され、
前記制御回路は、
スイッチング手段と、
電流設定トランジスタと、
キャパシタと
を有する、
画素回路。 - 前記スイッチング手段は、前記スイッチング手段がオンであるときに、第1の制御ラインを前記エレクトロルミネセントデバイスの入力電極に選択的に結合して、前記入力電極における電圧を設定するように構成され、
前記電流設定トランジスタは、前記電流設定トランジスタがバイアスされた状態にあるときに、前記入力電極を介して、前記エレクトロルミネセントデバイスに電流を送り届ける又は前記エレクトロルミネセントデバイスから電流を引き抜くように構成され、且つ
前記キャパシタは、前記スイッチング手段がターンオフされたときに、前記送り届けられる電流又は引き抜かれる電流を長引かせるよう、前記電流設定トランジスタが前記バイアスされた状態にあることを長引かせるように構成される、
請求項24に記載の画素回路。 - 前記スイッチング手段は、ゲートが第2の制御ラインに接続され且つソース及びドレインが前記第1の制御ラインの前記入力電極への前記結合のために構成された薄膜トランジスタ(TFT)である、請求項24又は25に記載の画素回路。
- 前記電流設定トランジスタは、ゲートが前記キャパシタに接続されたTFTである、請求項24乃至26の何れか一項に記載の画素回路。
- 前記スイッチング手段は更に、前記スイッチング手段がオンであるときに、前記第1の制御ラインを選択的に結合して、前記電流設定トランジスタをバイアスされた状態にする、請求項24乃至27の何れか一項に記載の画素回路。
- 前記スイッチング手段がオンであるときに、第2のスイッチング手段が、前記第1の制御ラインを選択的に結合して、前記入力電極における前記電圧を設定し、前記キャパシタは、前記入力電極からアイソレートされている、請求項24乃至28の何れか一項に記載の画素回路。
- 請求項1乃至23の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイスを有する画素回路であって、前記エレクトロルミネセントデバイスは、前記エレクトロルミネセントデバイスの動作を制御するマトリクス回路に接続され、当該画素回路は、
前記エレクトロルミネセントデバイスの入力電極に結合されて、前記入力電極における電圧を設定する第1の制御ラインと、
前記エレクトロルミネセントデバイスに接続されて、前記エレクトロルミネセントデバイスのアノードとカソードとの間に電圧を印加する第2の制御ラインと
を有し、
前記第1及び第2の制御ラインが同期されて、前記第1の制御ラインが、前記エレクトロルミネセントデバイスから発せられるルミネセンスを制御するパルスを提供するようにされる、
画素回路。 - 請求項30に記載の画素回路を複数有する画素マトリクス回路であって、各画素回路の前記第2の制御ラインが走査コントローラに接続され、各画素回路の前記第1の制御ラインが信号コントローラに接続される、画素マトリクス回路。
- 請求項31に記載の画素マトリクス回路用の多重化駆動装置であって、前記信号コントローラ及び走査コントローラが各画素回路を独立に制御するように構成される、多重化駆動装置。
- フロントプレーン及びバックプレーンを有し、
前記フロントプレーンは少なくとも、請求項1乃至23の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイスを含み、且つ
前記バックプレーンは少なくとも、少なくとも2つのTFTと少なくとも1つのキャパシタとを含んだ制御回路を含む、
エレクトロルミネセントディスプレイパネル。 - 前記TFTは、多結晶Si TFT、アモルファスSi TFT、酸化物TFT、又は有機TFTから選択されている、請求項33に記載のエレクトロルミネセントディスプレイパネル。
- 前記エレクトロルミネセントデバイス、前記少なくとも2つのTFT、及び前記少なくとも1つのキャパシタは、請求項24乃至29の何れか一項に記載の画素回路を形成するように構成されている、請求項33又は34に記載のエレクトロルミネセントディスプレイパネル。
- 請求項1乃至23の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイスを製造する方法であって、
a)1つ以上の半導電性無機金属化合物で構成される層をスパッタリングによって堆積し、その後、
b)前記エレクトロルミネセント素子を真空蒸着によって堆積する
ことを含む方法。 - 請求項33乃至35の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントディスプレイパネルを製造する方法であって、前記バックプレーンが、少なくとも第1の種類のプロセスによって製造され、前記フロントプレーンを製造することは、前記第1の種類とは異なる第2の種類のプロセスを含む、方法。
- 前記第1の種類のプロセスは1000℃以上で実行され、前記第2の種類のプロセスは300℃以下で実行される、請求項37に記載の方法。
- 前記第2の種類のプロセスは、1つ以上の半導電性無機金属で構成された層の上に、少なくとも前記エレクトロルミネセント素子を含む1つ以上の有機層を堆積するために使用される、請求項37又は38に記載の方法。
- 前記エレクトロルミネセントデバイスが、請求項36に記載の方法によって製造される、請求項37乃至39の何れか一項に記載の方法。
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB202013414D0 (en) * | 2020-08-27 | 2020-10-14 | Ams Sensors Singapore Pte Ltd | Light replication/retransmission apparatus and method |
CN113571666B (zh) * | 2021-07-22 | 2023-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10214044A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JPH10288965A (ja) * | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
JP2005062485A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置およびその駆動方法 |
JP2009081237A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光素子及び発光表示装置 |
JP2009223272A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | National Chiao Tung Univ | マトリックス受動式有機発光ダイオード表示装置 |
KR20100106478A (ko) * | 2007-12-14 | 2010-10-01 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 전하 캐리어 주입을 조정할 수 있는 유기 발광 디바이스 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04221990A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-12 | Sony Corp | 画像表示装置 |
US5661371A (en) * | 1990-12-31 | 1997-08-26 | Kopin Corporation | Color filter system for light emitting display panels |
US5528397A (en) * | 1991-12-03 | 1996-06-18 | Kopin Corporation | Single crystal silicon transistors for display panels |
JP3758694B2 (ja) * | 1994-10-13 | 2006-03-22 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機薄膜el素子 |
JPH09115673A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Sony Corp | 発光素子又は装置、及びその駆動方法 |
DE102004002587B4 (de) * | 2004-01-16 | 2006-06-01 | Novaled Gmbh | Bildelement für eine Aktiv-Matrix-Anzeige |
JP5804732B2 (ja) | 2011-03-04 | 2015-11-04 | 株式会社Joled | 駆動方法、表示装置および電子機器 |
-
2014
- 2014-06-06 KR KR1020167000318A patent/KR20160018693A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-06-06 US US14/896,120 patent/US9882171B2/en not_active Expired - Fee Related
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- 2014-06-06 JP JP2016517098A patent/JP2016528664A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10214044A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JPH10288965A (ja) * | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
US6191764B1 (en) * | 1997-04-14 | 2001-02-20 | Casio Computer Co., Ltd. | Method of driving display device |
JP2005062485A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置およびその駆動方法 |
JP2009081237A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光素子及び発光表示装置 |
KR20100106478A (ko) * | 2007-12-14 | 2010-10-01 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 전하 캐리어 주입을 조정할 수 있는 유기 발광 디바이스 |
US20100265236A1 (en) * | 2007-12-14 | 2010-10-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Organic light-emitting device with adjustable charge carrier injection |
CN101897052A (zh) * | 2007-12-14 | 2010-11-24 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有可调节电荷载流子注入的有机发光装置 |
JP2011507259A (ja) * | 2007-12-14 | 2011-03-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電荷担体注入を調整可能にした有機発光デバイス |
JP2009223272A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | National Chiao Tung Univ | マトリックス受動式有機発光ダイオード表示装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
CHANG-HUNG LI ET AL.: "Achieving saturation in vertical organic transistors for organic light-emitting diode driving by nan", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 102, no. 16, JPN6018025913, 25 April 2013 (2013-04-25), pages P.163305-1〜163305-5, XP012172685, DOI: doi:10.1063/1.4802999 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014194372A1 (en) | 2014-12-11 |
US9882171B2 (en) | 2018-01-30 |
KR20160018693A (ko) | 2016-02-17 |
US20160126504A1 (en) | 2016-05-05 |
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