CN108028264A - 电致发光显示设备 - Google Patents

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Abstract

一种电致发光显示设备包括：多个子像素电路单元，所述多个子像素电路单元以矩阵形式布置；至少一条选通线，所述至少一条选通线被设置在所述多个子像素电路单元之间，并且沿着第一方向延伸；多个第一数据线组和多个第二数据线组，所述多个第一数据线组和所述多个第二数据线组被交替地设置在所述多个子像素电路单元之间并且沿着第二方向延伸；多条公共线，所述多条公共线被设置在所述第一数据线组或所述第二数据线组内，并且沿着所述第二方向延伸；以及多条阳极线，所述多条阳极线被设置在所述第一数据线组或所述第二数据线组内，并且沿着所述第二方向延伸。

Description

电致发光显示设备
技术领域
本公开涉及一种顶部发光型电致发光显示设备，其能够通过根据电致发光显示设备的像素区域内的各个像素的位置减小阳极与阴极之间的电位的偏差度，来改进电致发光显示设备的亮度均匀性。本公开的电致发光显示设备也能够在电致发光显示设备增大时改进电位的均匀性。
背景技术
作为自发光显示装置的有机发光显示设备不需要像液晶显示设备那样的单独或附加的光源，因此能够轻量化和薄型化。此外，有机发光显示设备不仅由于其低驱动电压而在低功耗方面是有利的，而且在快速响应速度、宽视角和无穷大对比度方面也是有利的。
有机发光显示设备的像素区域包括多个子像素。每个子像素包括有机发光二极管(OLED)。每个有机发光二极管包括作为像素电极的阳极、有机发光层和作为公共电极的阴极。阳极电压ELVDD通过驱动晶体管被提供给像素电极，而阴极电压ELVSS被提供给公共电极。
在顶部发光型有机发光显示设备中，需要可靠性来保护有机发光层免受例如氧和湿气的影响。因此，形成封装单元以保护有机发光层免受在制造过程期间可能发生的氧、湿气、物理冲击和/或碎屑的影响。封装单元可从以下封装单元中选择：玻璃封装单元，在其中交替堆叠无机层和有机层的透明封装单元或者其中无机层覆盖第一基板上的有机发光二极管、透明树脂填充第一基板与第二基板之间的区域并且隔障(dam)包围透明树脂的隔障和填充型透明封装单元。
此外，在顶部发光型有机发光显示设备中，半透明(亚透明)公共电极是镁-银(Mg:Ag)电极、镱(Yb)电极和/或其合金以用于释放在有机发光层处朝向顶侧发射的光。为了获得半透明特性，公共电极的厚度可非常薄，例如，在200至300之间。然而，通常厚度的减小增加公共电极的电阻。
在大尺寸的顶部发光型有机发光显示设备中，公共电极的电阻往往较高。因此，如果离能够向公共电极提供阴极电压ELVSS的阴极电压提供单元的距离增加，则会出现不均匀亮度的问题。
发明内容
本公开的发明人对电致发光显示设备(例如，诸如有机发光显示设备和/或量子点发光显示设备这样的自发光显示设备)进行了研究和开发，该电致发光显示设备包括阴极线(即，辅助公共线)以根据电致发光显示设备的像素区域AA内的像素的位置来改进阴极电压的均匀性，这能够根据有效显示区域AA的位置减小公共电极的电阻差异。然而，如果实现辅助公共线，则这会引起需要解决的以下示例性问题。
首先，如果公共线的宽度和厚度减小，则线电阻增加，从而降低了公共线的性能。另一方面，如果公共线的宽度和厚度增加，则操作子像素的电路元件(例如，存储电容器、开关元件和驱动元件)的面积可被减小，而这会导致其它问题。
例如，如果公共线的线电阻增加，则电致发光显示设备的阴极电压的均匀性劣化，从而增加了电致发光显示设备的亮度方面的不均匀度。此外，如果公共线的线电阻增加，则在公共线处产生的热量的程度也增加，从而增加了不期望的热应力。
另选地，如果公共线的线电阻减小，则可改进电致发光显示设备的阴极电压的均匀性。然而，如果公共线的面积增加，则存储电容器的面积减小。因此，存储电容器的电容可降低，并且提供给电致发光显示设备的子像素的电压电平可增加，从而增加功耗和温度，或者因为在子像素处的图像信号充电不足而降低电致发光显示设备的亮度。
此外，如果公共线的面积增加，则驱动晶体管的沟道面积减小。因此，驱动晶体管的电流驱动能力也会降低，使得电致发光显示设备的图像信号的电压电平增加。
因此，如果存在上述问题，则可能难以增加子像素的集成度，从而难以实现具有高集成度和高分辨率的电致发光显示设备。例如，大约55英寸的显示设备在实现比80像素/英寸(ppi)高的分辨率(诸如在4K超高清晰度显示设备中)时可能存在问题。
其次，当公共线连接到公共电极时，设置在公共线与公共电极之间的电致发光层(例如，有机发光层或量子点发光层)具有绝缘层特性。因此，在被配置为将公共电极和电致发光层连接的公共线接触单元处不应当存在电致发光层。然而，因为诸如有机发光层之类的电致发光层会容易被氧、湿气、氢、蚀刻剂或高温损坏，所以存在与公共线与共用电极互连相关联的制造限制和/或困难。此外，需要特定区域来配置公共线接触单元和公共电极。因此，根据接触单元的配置，可能难以实现高分辨率电致发光显示设备。
第三，公共线可被配置为使得多个线设置在像素区域AA中并且彼此间隔开一定距离。在这种情况下，由于制造工艺的限制(例如，光刻工艺或蚀刻工艺)，每条线的厚度和宽度可能存在变化。因此，除非线电阻变化减小，否则像素区域AA的亮度的均匀性会降低。
第四，电致发光显示设备还可包括形成公共线的附加金属层。然而，在这种情况下，制造工艺变得更复杂并且制造成本也会增加。另一方面，如果在没有附加金属层的情况下形成公共线，则由于公共线的面积，会增加在设计高分辨率电致发光显示设备时的难度。特别地，可能难以优化各种线的布图以增加高分辨率电致发光显示设备的分辨率。
第五，阴极电压提供单元可被配置为围绕非像素区域(外围区域)以抑制阴极电压电平的增加。然而，在这种情况下，电致发光显示设备的边框的宽度会增加。
为了解决上述示例性缺点，本公开的示例性方面在于提供一种包括能够充分降低公共电极的线电阻的公共线(即，辅助线)的高分辨率电致发光显示设备。
本公开的另一示例性方面在于提供一种高分辨率电致发光显示设备，其包括能够减小被配置为连接公共电极(即，阴极)的公共线接触单元的面积的辅助线的接触单元。
因此，本公开的又一示例性方面在于提供一种高分辨率电致发光显示设备，其包括能够实现窄边框并且减小由于多条公共线之间的线电阻变化而导致的亮度不均匀度(或者改进亮度均匀性)的辅助线。
因此，本公开的又一示例性方面在于提供一种能够优化在像素区域AA内至少包括公共线、阳极线、选通线和数据线的布图的高分辨率有机发光设备。
本公开的示例性方面提供了一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备包括：像素电路单元，所述像素电路单元包括四倍型子像素电路单元；第一数据线组，所述第一数据线组包括设置在所述像素电路单元的两侧并且向第二方向延伸的一对数据线；第二数据线组，所述第二数据线组包括设置在所述子像素电路单元之间并且向所述第二方向延伸的另一对数据线；选通线，所述选通线被设置在所述子像素电路单元之间并且向与所述第一数据线组和所述第二数据线组交叉的第一方向延伸；以及公共线和阳极线，所述公共线和所述阳极线沿所述第一方向交替设置并且设置在所述第一数据线组的一对数据线之间。
根据本公开，顶部发光型电致发光显示设备的亮度均匀性基于辅助线结构、阳极线结构、选通线结构和数据线结构的优化得到改进。
此外，本公开的显示设备通过减小公共线接触单元和公共电极的面积增加像素区域的像素电极的开口率。
此外，本公开的显示设备通过减小公共线之间的线电阻的变化来提高亮度均匀性，并同时实现窄边框。
在详细描述和附图中公开了本公开的实施方式的更多细节。应当注意的是，本公开的目的不限于上述目的，并且根据以下描述，本公开的其它目的对于本领域技术人员而言将是显而易见的。
附图说明
从下面结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本公开的以上和其它方面、特征和其它优点，在附图中：
图1是例示根据本公开的示例性实施方式的电致发光显示设备100的像素区域的电路配置的示意性平面图；
图2是例示根据图1所示的示例性实施方式的电致发光显示设备的像素电路单元、电连接到公共线的像素电极以及公共线接触单元的配置的示意性平面图；
图3是例示根据图2所示的示例性实施方式的电致发光显示设备的像素电极上的黑底和滤色器的示意性平面图；
图4是例示根据本公开的示例性实施方式的电致发光显示设备100的第一子像素电路单元、第一子像素电极和第一滤色器的布置的示意性截面图；
图5是例示根据本公开的示例性实施方式的电致发光显示设备100的公共线接触单元的示意性截面图；
图6是例示根据本公开的另一示例性实施方式的电致发光显示设备600的示意性平面图；
图7是例示图6所示的电致发光显示设备的公共线焊接单元的示意性截面图；
图8是例示根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备800的示意性平面图；
图9是例示图8所示的电致发光显示设备的公共线焊接单元的示意性截面图；
图10是例示根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备1000的示意性平面图；
图11是例示图10所示的电致发光显示设备的第一子像素电路单元、第一子像素电极和第一滤色器的布置的示意性截面图；
图12是沿着图10的线A-A'的示意性截面图，例示了与公共线焊接单元相邻的辅助公共线的结构；
图13是例示根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备1300的示意性平面图；
图14是例示图13所示的电致发光显示设备的与公共线接触单元相邻的辅助公共线的结构的示意性截面图；
图15是例示根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备1500的示意性平面图；
图16是例示根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备1600的示意性平面图；
图17是例示根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备1700的示意性平面图；
图18是例示图17所示的电致发光显示设备的公共线焊接单元的示意性截面图；
图19是例示根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备1900的示意性平面图；
图20是例示根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备2000的示意性平面图；
图21是例示根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备2100的示意性平面图；
图22是例示根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备2200的示意性平面图；以及
图23是例示根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备2300的示意性平面图。
具体实施方式
根据下面参照附图描述的示例性实施方式，将更清楚地理解本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开不限于以下示例性实施方式，而是可按照各种不同的形式来实现。提供这些示例性实施方式仅为了使本公开更完整，并向本公开所属领域的普通技术人员充分地提供本发明的范畴，并且本发明将由所附权利要求来限定。
在附图中例示的、用于描述本公开的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数字等仅是示例，并且本公开不限于此。在整个本说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元素。此外，在以下描述中，可省略已知相关技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开的主题。本文中使用的诸如“包括”、“具有”、“包含”和“由…组成”这样的术语除非与术语“仅”一起使用，否则这些术语通常旨在允许添加其它组件。除非另外明确地阐明，否则对单数的任何引用可包括复数。
即使没有明确地阐明，组件也被解释为包括普通误差范围和普通公差范围。
当使用诸如“在…上”、“在…上方”、“在…下面”和“挨着”这样的术语来描述两个部件之间的位置关系时，除非这些术语与术语“紧接地”或“直接地”一起使用，否则可在这两个部件之间设置一个或更多个部件。
尽管术语“第一”、“第二”等被用于描述不同的组件，但是这些组件不被这些术语限制。这些术语仅被用于将一个组件与其它组件区分开。因此，下面要提到的第一组件在本公开的技术构思中可以是第二组件。
附图中例示的每个组件的尺寸和厚度是为了便于说明而表示的，并且本公开不限于所例示的每个组件的尺寸和厚度。
本公开的各个实施方式的特征可部分地或整体地结合或彼此组合，并且能够与由本领域普通技术人员能够充分理解的按照各种技术方式连结并操作，并且这些实施方式能够被彼此独立执行或彼此关联执行。
根据本公开的示例性实施方式的电致发光显示设备100是顶部发光型电致发光显示设备。图1是例示电致发光显示设备100的像素区域的电路配置的平面图。
为了便于说明，在图1中例示了电致发光显示设备的一些元件，诸如公共线104、阳极线106、选通线108、数据线110和像素电路单元120。
多个像素电路单元120设置在第一基板102(未示出)上的像素区域AA中。
例如，像素电路单元120可被设置为矩阵或阵列。此外，像素电路单元120可被称为被配置为控制包括发光二极管的子像素的电路。在下文中，仅仅为了便于描述，将发光二极管视为有机发光二极管。但是本公开不限于有机发光二极管，并且可包括诸如量子点发光二极管之类的任何自发光电致发光元件。
像素电路单元120被配置为包括第一子像素电路单元121、第二子像素电路单元122、第三子像素电路单元123和第四子像素电路单元124。也就是说，像素电路单元120可被称为被配置为操作至少三原色有机发光二极管的子像素电路单元的聚合体。
例如，第一子像素电路单元121可以是操作红色子像素的电路单元；第二子像素电路单元122可以是操作绿色子像素的电路单元；第三子像素电路单元123可以是操作蓝色子像素的电路单元；并且第四子像素电路单元124可以是操作白色子像素的电路单元。但是本公开不限于此。
选通线108连接到相邻的子像素电路单元121、122、123和124中的每一个。
数据线110被配置为包括第一数据线111、第二数据线112、第三数据线113和第四数据线114。此外，数据线中的每一条被配置为连接到对应的子像素电路单元中的每一个。
例如，第一数据线111可以是将红色图像信号提供给第一子像素电路单元121的数据线；第二数据线112可以是将绿色图像信号提供给第二子像素电路单元122的数据线；第三数据线113可以是将蓝色图像信号提供给第三子像素电路单元123的数据线；并且第四数据线114可以是将白色图像信号提供给第四子像素电路单元124的数据线。但是本公开不限于此。
此外，第一子像素电路单元121连接到第一数据线111；第二子像素电路单元122连接到第二数据线112；第三子像素电路单元123连接到第三数据线113；并且第四子像素电路单元124连接到第四数据线114。但是本公开不限于此。
第四子像素电路单元124可被实现为容易地实现电致发光显示器的高显示亮度(例如，800尼特或更高)。这种高亮度电致发光显示设备具有支持高动态范围(HDR)功能的优点。
像素电路单元120的子像素电路单元121、122、123和124中的每一个被配置为至少包括开关晶体管、驱动晶体管和电容器。开关晶体管被配置为通过提供到选通线108的扫描信号进行开关控制。
当开关晶体管切换到开启状态时，通过数据线110提供的图像信号(即，数据电压)经由开关晶体管被提供给电容器的电极和驱动晶体管的栅极。
如果图像信号被提供给驱动晶体管，则从阳极线106提供的电流量由驱动晶体管调整。也就是说，驱动晶体管的沟道的电阻值根据所提供的图像信号而改变。有机发光二极管的亮度可根据调整后的流经电致发光元件(即，有机发光二极管)的电流量来调整。
开关晶体管和驱动晶体管可被配置为p型半导体(pMOS)、n型半导体(nMOS)和/或c型半导体(cMOS)。此外，根据p型半导体和n型半导体的配置，可交换晶体管的源极和漏极的位置。
此外，像素电路单元120还可包括诸如相对于驱动晶体管的阈值电压变化补偿电路单元、可接通/关断从阳极线106提供的电流或者控制该电流的发光占空比的发光时段控制单元和/或可对电容器中充入的数据电压进行放电的初始电压控制单元之类的附加配置。
在一些实施方式中，第四子像素电路单元124和第四数据线114可分别用第二子像素电路单元122和第二数据线112代替。在上述配置中，可实现设置有两个第二子像素电路单元122的像素排列结构(pentile structure)。因为绿色有机发光二极管与白色有机发光二极管一样明亮，所以这种配置有利于实现高亮度。因此，绿色有机发光二极管可代替白色有机发光二极管。
在一些实施方式中，有机发光二极管的半透明(亚透明)公共电极可被配置为：透明金属氧化物电极、铟锌氧化物(IZO)电极、铟锡氧化物(ITO)电极、镁-银(Mg:Ag)电极、镱(Yb)电极和/或其合金。
在一些实施方式中，有机发光二极管(OLED)可由量子点发光二极管(QLED)替代。例如，至少一个有机发光层可由量子点发光层替代，或者至少一个滤色器可由量子点颜色转换过滤器替代，或者至少一个量子点层可以是无机层。但是本公开不限于此。
在一些实施方式中，像素电路单元120可以不包括第四子像素电路单元124。在这种情况下，可用透明窗口代替第四子像素电路单元124以实现透视显示设备。
像素电路单元120例如可以是四倍型(quad-type)像素电路。四倍型像素电路单元120可以是其中沿着水平轴和垂直轴中的每一个设置两个块的四个子像素121、122、123和124的布置(例如，具有2乘2矩阵布置的子像素电路单元)。
例如，第一子像素电路单元121可位于像素电路单元120的左上侧；第二子像素电路单元122可位于像素电路单元120的右上侧；第三子像素电路单元123可位于像素电路单元120的右下侧；并且第四子像素电路单元124可位于像素电路单元120的左下侧。但是本公开不限于此，并且子像素电路单元121、122、123和124的位置可根据需要重新布置。
子像素电路单元121、122、123和124中的每一个的驱动晶体管的沟道面积可根据所需的电流量而与其它的沟道面积不同。例如，蓝色子像素所需的电流量可高于绿色子像素所需的电流量。因此，蓝色子像素的驱动晶体管的沟道面积可大于绿色子像素的驱动晶体管的沟道面积。但是本公开不限于此，并且驱动晶体管的沟道面积可彼此相同。
子像素电路单元121、122、123和124中的每一个的电容器面积可与其它的电容器面积不同。例如，如果蓝色子像素电路单元的驱动晶体管的沟道面积大于绿色子像素电路单元的驱动晶体管的沟道面积，则蓝色子像素电路单元的电容器面积可小于绿色子像素电路单元的电容器面积。
也就是说，可存在权衡关系以使得如果一个元件的面积增加，则另一个元件的面积减小。也就是说，可通过将子像素电路单元121、122、123和124中的每一个的面积设计为基本相同来提高布图效率，并且驱动晶体管的电流驱动能力和电容器的电容通过调整驱动晶体管的面积和存储电容器的面积来调整。但是本公开不限于此，并且可将存储电容器的面积设计为彼此相同。
在本公开的一个方面，相对于元件的布置来说重要的是优化效率以实现高分辨率顶部发光型电致发光显示设备。但是，如果元件太密集，则会出现不希望的副作用。因此，应当考虑每个元件之间的相互关系来设置每个元件。
鉴于以上所述，选通线108被设置为在电致发光显示设备100的像素区域AA中与数据线110交叉。在下文中，第一方向(例如，X轴)被称为选通线108的延伸方向，而第二方向(例如，Y轴)被称为数据线110的延伸方向。但是本公开不限于此，第一方向和第二方向是可互换的。
此外，为了便于描述，如图1所示，可参照X轴来解释术语“沿着第一方向设置或布置”或者“沿着第一方向放置”，并且可参照Y轴方向来解释术语“沿着第二方向设置或布置”或者“沿着第二方向放置”。但是本公开不限于此。
像素电路单元120的两个不同的子像素电路单元被配置为沿着第二方向交替设置。此外，像素电路单元120的两个不同的子像素电路单元被配置为沿着第一方向交替设置。
例如，第一子像素电路单元121和第四子像素电路单元124可沿着第二方向交替设置，并且第二子像素电路单元122和第三子像素电路单元123可沿着第二方向交替设置。
在另一示例性实施方式中，第一子像素电路单元121和第二子像素电路单元122可沿着第一方向交替设置，并且第四子像素电路单元124和第三子像素电路单元123可沿着第一方向交替设置。
换句话说，子像素电路单元121和122可按照第一子像素电路单元121、第二子像素电路单元122、第一子像素电路单元121和第二子像素电路单元122的顺序以重复方式沿着第一方向交替设置，或者子像素电路单元124和123可按照第四子像素电路单元124、第三子像素电路单元123、第四子像素电路单元124和第三子像素电路单元123的顺序以重复方式沿着第一方向交替设置。
上述四倍型像素电路单元120可被设置为使得具有矩形形状等的像素电路单元120被依次设置。因此，即使像素电路单元沿着第一方向和第二方向依次设置，也有利于使浪费的面积最小化。在下文中，为了便于描述，将像素电路单元120视为四倍型像素电路单元，并且将四倍型像素电路单元120的子像素电路单元设置为2×2结构。下面进一步描述关于像素区域AA内的多条线或多条布线的优化布图。
数据线110设置在沿着第二方向(例如，Y轴)交替设置的子像素电路单元的两侧，并且数据线111、112、113和114分别连接到对应的子像素电路单元121、122、123和124。
换句话说，其中子像素电路单元沿着第二方向交替设置(例如，第一子像素电路单元121和第四子像素电路单元124或者第二子像素电路单元122和第三子像素电路单元123)的子像素电路单元在一对数据线110之间沿着第二方向交替设置。也就是说，多个互相不同的子像素电路单元被配置为在一对互相不同的数据线100之间(例如，在第一数据线111与第二数据线112之间)沿着第二方向交替设置。
各个子像素电路单元连接到对应的数据线，并且互相不同的子像素电路单元可连接到被配置为显示互相不同的颜色的互相不同的子像素。然而，互相不同的子像素电路单元的配置可基本相同。
如果各个子像素电路单元的面积相同，则可使浪费的面积最小化，并且可实现高分辨率顶部发光型电致发光显示设备，这是本公开的另一有益效果。
例如，第一数据线111沿着第二方向延伸，并且位于沿着第二方向交替设置的第二子像素电路单元121和第四子像素电路单元124的一侧。此外，第四数据线114沿着第二方向延伸并且位于相对侧。此外，第三数据线113沿着第二方向延伸，并且位于沿着第二方向交替设置的第二子像素电路单元122和第三子像素电路单元123一侧。此外，第二数据线112沿着第二方向延伸并且位于相对侧。
每个第一子像素电路单元121被配置为连接到设置在一侧的对应第一数据线111；每个第四子像素电路单元124被配置为连接到设置在相对侧的对应第四数据线114；每个第三子像素电路单元123被配置为连接到设置在一侧的对应第三数据线113；并且每个第二子像素电路单元122被配置为连接到设置在相对侧的对应第二数据线112。
沿着第二方向交替设置并且互相不同的子像素电路单元和设置在子像素电路单元两侧的一对数据线可被连接以形成Z字形图案。换句话说，沿着第二方向，交替设置的第一子像素电路单元121可连接到设置在左侧的第一数据线111，并且交替设置的第四子像素电路单元124可连接到设置在右侧的第四数据线114。
此外，一对互相不同的数据线交替设置在沿着第一方向(例如，X轴)交替设置的子像素电路单元之间。
一些数据线可被设置为一对数据线，使得第四数据线114和第三数据线113设置在沿着第一方向交替设置的第一子像素电路单元121与第二子像素电路单元122之间或者第四子像素电路单元124与第三子像素电路单元123之间，并且一些数据线可被设置为另一对数据线，使得第二数据线112和第一数据线111设置在沿着第一方向交替设置的第二子像素电路单元122与第一子像素电路单元121之间或第三子像素电路单元123与第四子像素电路单元124之间。而且，这些数据线对以这种重复序列交替设置。
第一数据线组G1可被定义为配置有沿着第二方向延伸、沿着第一方向彼此间隔开并且设置在第二子像素电路单元122与第一子像素电路单元121之间的第二数据线112和第一数据线111的一对数据线。
第二数据线组G2可被定义为配置有沿着第二方向延伸、沿着第一方向彼此间隔开并且设置在第一子像素电路单元121与第二子像素电路单元122之间的第四数据线113和第三数据线113的一对数据线。
第一数据线组G1和第二数据线组G2被配置为沿着第二方向延伸并且沿着第一方向交替设置。但是本公开不限于此，并且仅仅是为了便于描述而描述了相应的组G1和G2。因此，与第一数据线组G1对应的一对数据线和与第二数据线组G2对应的一对数据线可互换。也就是说，第一数据线组G1可设置在电路像素单元120的两侧，而第二数据线组G2可设置在子像素电路单元121与122之间或者子像素电路单元123与124之间。
此外，数据线组可具有沿着第一方向彼此间隔开一定距离并且沿着第二方向延伸的一对数据线。因此，在一对数据线之间提供沿着第二方向的一定空间。此外，由于上述一定空间沿着第二方向延伸，因此可在该一定空间中设置沿着第二方向延伸的电源线。
此外，可在一个数据线组的一对数据线之间沿着第二方向设置至少一条信号线。
可在第二数据线组G1或G2内设置能够提供至少一个附加功能的至少一条功能线。功能线可以是参考电压线、触摸感测线、外部补偿线、放电线和/或初始线。每条线的宽度可不同，并且可以通过限定它们之间的距离来将至少一条附加功能线设置在这对数据线之间。
如果电源线被设置在一对数据线之间提供的空间中，则由于该空间沿着第二方向延伸，因此上述配置有利于使来自其它元件的干扰最小化。此外，有利于通过调整数据线组的一对数据线之间的距离来容易地布线。
选通线108被设置在像素电路单元120的中心。换句话说，像素电路单元120的子像素电路单元121、122、123和124相对于选通线108进行设置以使得两个子像素电路单元被设置在上侧，而另外两个子像素电路单元被设置在下侧。此外，选通线108分别连接到设置在上侧和下侧的子像素电路单元121、122、123和124。
例如，两个子像素电路单元121、122设置在选通线108的上侧，而其余两个子像素电路单元123、124设置在选通线108的下侧。
此外，在沿着第二方向设置的像素电路单元120之间不设置选通线108。
例如，在像素电路单元120的第一子像素电路单元121与第四子像素电路单元124之间设置选通线108。此外，在上述像素电路单元120与上述像素电路单元120的下方(即，沿着Y轴方向)的另一像素电路单元120之间不设置选通线108。
换句话说，选通线108设置在沿着第二方向设置的第一子像素电路单元121与第四子像素电路单元124之间或者第二子像素电路单元122与第三子像素电路单元123之间。然而，在沿着第二方向设置的相邻像素单元的第四子像素电路单元124与第一子像素电路单元121之间或者在沿着第二方向设置的相邻像素单元的第三子像素电路单元123与第二子像素电路单元121之间不设置选通线108。
也就是说，选通线108以重复方式沿着第二方向依次设置，一条选通线设置在互相不同的子像素电路单元之间，而下一条选通线不设置(即，跳过)在挨着的互相不同的子像素电路单元之间。在其它方面，选通线108沿着第一方向延伸，设置在子像素电路单元之间，并且与第一数据线组G1和第二数据线组G2交叉。
上面描述了四倍型像素电路单元120关于对应的选通线108和数据线110的示例性布置。
根据上述配置，与常规选通线相比，选通线108的数目可减少一半。此外，如果选通线108的数目减少，则由于数据线121、122、123和124中的每一条与选通线108的交叉点的数目可减少，因此数据线121、122、123和124中的每一条与选通线108之间的寄生电容可减小。也就是说，相对于一条数据线和所有选通线的交叉点的总面积可减小，这有利于减小数据线110与选通线108之间的寄生电容。
根据上述配置，存在未设置选通线108的空间。换句话说，在沿着第二方向设置的像素电路单元120之间提供空间。因此，有利于在该空间放置可提供附加功能的附加线。因此，有利于实现高分辨率顶部发光型电致发光显示设备。
根据上述配置，可在沿着第一方向设置的像素电路单元120之间设置一对数据线110。此外，可在这对数据线之间沿着第二方向提供一定空间。因此，有利于将沿着第二方向延伸的电源线高效地放置在一定空间中，并且有利于实现高分辨率顶部发光型电致发光显示设备。
根据上述配置，即使添加了第四数据线114和第四子像素电路单元124，也可使每个元件的布图优化。因此，有利于容易地实现高亮度电致发光显示设备。
为了扩大高分辨率电致发光显示设备，应当使提供阴极电压ELVSS和阳极电压ELVDD的线的线电阻值足够低，并且应当优化所述线的布图。因此，下面描述公共线104和阳极线106。
被配置为提供阴极电压ELVSS的公共线104沿着第二方向延伸并且设置在沿着第二方向延伸的一对数据线之间。此外，被配置为提供阳极电压ELVDD的阳极线106沿着第二方向延伸并且设置在沿着第二方向延伸的另一对数据线之间。此外，公共线104和阳极线106被配置为沿着第一方向交替设置。像素电路单元120设置在公共线104与阳极线106之间。
公共线104的线宽可大于阳极线106的线宽。这是因为当阴极电压ELVSS和阳极电压ELVDD同等变化时，电致发光显示设备100的亮度均匀性对阴极电压ELVSS的变化更敏感。因此，公共线104的线电阻值可被配置为比阳极线106的线电阻值低。因此，第一数据线组G1的宽度(即，一对数据线之间的空间)可比第二数据线组G2的宽度宽。但是本公开不限于此。
公共线104和阳极线106设置在选通线108上。参照图1，选通线108在选通线108相对于公共线104或阳极线106的交叉点处被公共线104和阳极线106覆盖，这是由于选通线108设置在公共线104和阳极线106下面。
在一些实施方式中，选通线108可设置在公共线104和阳极线106的上方。
公共线104和阳极线106可设置在第一数据线组G1中并且被配置为沿着第一方向交替设置。另选地，公共线104和阳极线106可设置在第二数据线组G2中并且被配置为沿着第一方向交替设置。
第一数据线组G1的其间包括公共线104的一对数据线111和112之间的间隙可以比第一数据线组G1的其间包括阳极线106的一对数据线111和112之间的间隙宽。也就是说，间隙可根据设置在数据线组的一对数据线之间的线的线宽进行调整。
公共线104可设置在第一数据线组G1的第二数据线112与第一数据线111之间。此外，阳极线106可设置在与包括公共线104的第一数据线组G1交替设置的另一第一数据线组G1的第二数据线112与第一数据线111之间。
根据上述配置，公共线104、阳极线106和数据线110沿着第二方向延伸，并且可彼此不交叉。因此，有利的是，公共线104、阳极线106和数据线110可由相同的材料形成。
因为间隙的宽度可根据设置在数据线组的一对数据线之间的线的线宽来调整，所以上述配置有利于使像素区域AA的任何空间损失最小化。
在上述配置中，公共线104和阳极线106沿着第二方向延伸，并且分别设置在每个像素电路单元120的两侧。因此，像素电路120可分别接收来自公共线104的阴极电压ELVSS和来自阳极线106的阳极电压ELVDD。因此，有利于改进像素区域AA内的多个子像素120的阴极电压ELVSS与阳极电压之间的电位差的均匀性。
阳极线106被配置为还包括阳极线的扩展单元107。阳极线的扩展单元107被配置为设置在未设置选择线108的、沿着第二方向交替设置的互相不同的子像素电路单元之间(即，沿着第二方向设置的像素电路单元之间的间隙)。
例如，选通线108设置在沿着第二方向设置的第一子像素电路单元121与第四子像素电路单元124之间，而阳极线的扩展单元107设置在沿着第二方向设置的第四子像素电路单元124与第一子像素电路单元121之间。
阳极线的扩展单元107可由与阳极线106的材料不同的材料制成。换句话说，如果数据线110和阳极线106由相同的金属层制成，则阳极线106不可以在数据线110上方朝第一方向延伸。因此，可在数据线110与阳极线106的交叉点处使用不同的金属层，以避免数据线110与阳极线106之间的任何电连接(例如，跳线)。
阳极线的扩展单元107和阳极线106被配置为在交叉点处通过接触孔电连接。此外，阳极线的扩展单元107被配置为连接到阳极线106两侧的像素电路单元120的相邻的子像素电路单元(例如，位于阳极线的扩展单元的上侧和下侧处的子像素电路单元)。如图所示的“矩形内的X”形状可被称为接触孔。
阳极线的扩展单元107延伸到两侧(例如，沿着第一方向)的像素电路单元120，并且设置在对应的阳极线106两侧的公共线104之间。也就是说，阳极线的扩展单元107不与公共线104交叠或交叉。因此，有利于提供阳极电压并且减小公共线104与阳极线的扩展单元107之间的寄生电容。
阳极线的扩展单元107和选通线108可由相同的金属层制成。但是本公开不限于此，并且可使用附加金属层来配置阳极线的扩展单元107。
在一些实施方式中，阳极线的扩展单元107可沿着第一方向延伸以与公共线104交叉。此外，阳极线的扩展单元107可沿着第一方向进一步延伸以与另一阳极线交叉，并且在交叉点处通过接触孔连接。
在一些实施方式中，阳极线106和数据线110由互相不同的金属层制成。在这种情况下，即使数据线110和阳极线106彼此交叉，它们也可彼此电绝缘。因此，阳极线106可通过使用直接构图制造方法分别与对应的子像素电路单元连接而不需要阳极线的扩展单元107。
因此，像素区域AA的子像素电路单元可由具有四倍型布置的四个互相不同的子像素电路单元制成。互相不同的子像素电路单元可沿着第一方向交替设置，而其它子像素电路单元可沿着第二方向交替设置。
数据线分别设置在沿着第二方向交替设置的互相不同的子像素电路单元的两侧。每个子像素电路单元可被配置为连接到对应的数据线。
此外，设置在沿着第二方向交替设置的互相不同的子像素电路单元的两侧的数据线可按照Z字形图案连接。
沿着第二方向延伸的一对互相不同的数据线组可设置在沿着第一方向交替设置的子像素电路单元之间。互相不同的数据线组可沿着第一方向交替设置。
沿着第一方向延伸且沿着第二方向彼此间隔开的阳极线的扩展单元和选通线可交替设置在沿着第二方向交替设置的互相不同的子像素电路单元之间。
阳极线或公共线可被设置在数据线组内的互相不同的数据线之间。
上述配置有利于优化公共线104与阳极线106之间的分隔距离，这是由于相对于像素区域AA的公共线104、阳极线106、选通线108、数据线和像素电路120的布图而使得相应的公共线104和相应的阳极线106位于相应的数据线组G1内，并且数据线组G1分别设置在四倍型像素电路的两侧。
此外，由于公共线104设置在像素电路120的一侧，而阳极线106设置在相对侧，因此有利于稳定地将阴极电压ELVSS和阳极电压ELVDD提供给像素电路。
图2是例示根据图1所示的示例性实施方式的电致发光显示设备的像素电路单元、电连接到公共线的像素电极以及公共线接触单元的配置的示意性平面图；
图2例示了像素电极230、公共线接触单元250以及也在图1中例示的各种元件。
根据本公开的示例性实施方式，电致发光显示设备100是顶部发光型电致发光显示设备。因此，在如图1所示的元件上存在涂覆层并且像素电极230在涂覆层上进行构图。
像素电极230被配置为包括第一子像素电极231，第二子像素电极232，第三子像素电极233和第四子像素电极234。但是本公开不限于此。
在一些实施方式中，如果将第四子像素电路单元124替换为第二子像素电路单元122，则第四子像素电极234可被替换为第二子像素电极232。也就是说，可实现具有两个绿色子像素的像素排列结构。
像素电极230被配置为通过接触孔连接到像素电路单元120。
例如，第一子像素电极231通过接触孔与第一子像素电路单元121连接，第二子像素电极232通过接触孔与第二子像素电路单元122连接，第三子像素电极233通过接触孔与第三子像素电路单元123连接，并且第四子像素电极234通过接触孔与第四子像素电路单元124连接。
基于像素电极的开口率、寄生电容和期望的布图效率的考虑，可将像素电极230构图为各种形状。
各个子像素电极231、232、233和234可与沿着第二方向设置的两个互相不同的子像素电路单元的至少一部分交叠。但是本公开不限于此，子像素电极可与沿着第一方向设置的两个互相不同的子像素电路单元的至少一部分交叠。
例如，第一子像素电极231被配置为与第一子像素电路单元121和第四子像素电路单元124的至少一部分交叠；第二子像素电极232被配置为与第二子像素电路单元122和第三子像素电路单元123的至少一部分交叠；第三子像素电极233被配置为与第二子像素电路单元122和第三子像素电路单元123的至少一部分交叠；并且第四子像素电极234被配置为与第一子像素电路单元121和第四子像素电路单元124的至少一部分交叠。
根据像素电极230的布置，各个子像素电极231、232、233和234可具有沿着第二方向的宽度比沿着第一方向的宽度宽的形状(例如，具有条状的子像素电极)。此外，具有条状的子像素电极的布图有利于优化像素电极的开口率。但是本公开不限于此，并且像素电极230的各个子像素电极231、232、233和234可具有沿着第一方向的宽度比沿着第二方向的宽度宽的形状。
条状像素电极不限于矩形形状，并且每个子像素电极的形状可以是类似矩形的形状。此外，子像素电极的拐角可被曲线化而不是直角；并且可在用于连接像素电路单元的接触孔区域处形成突起部。也就是说，每个子像素电极的轮廓可根据需要进行各种修改。
像素电极230当中的至少一个子像素电极可被配置为与至少一条线交叠。但是本公开不限于此。
例如，子像素电极231、232、233和234当中的至少一个子像素可被配置为与数据线111、112、113和114当中的至少一条数据线交叠。
子像素电极231、232、233和234可被配置为分别与相邻的对应数据线111、112、113和114交叠。
例如，如果各个子像素电极231、232、233和234具有沿着第二方向的宽度比沿着第一方向的宽度宽的形状，则第一子像素电极231可被配置为与相邻的第一数据线111交叠；第二子像素电极232可被配置为与相邻的第二数据线112交叠；第三子像素电极233可被配置为与相邻的第三数据线113交叠；并且第四子像素电极234可被配置为与相邻的第四数据线114交叠。
此外，第一子像素电极231可被配置为与选通线108交叠；第二子像素电极232可被配置为与选通线108交叠；第三子像素电极233可被配置为与选通线108交叠；并且第四子像素电极234可被配置为与选通线108交叠。
此外，像素电极230当中的至少一个子像素电极可被配置为与公共线104交叠，并且像素电极230当中的至少一个子像素电极可被配置为与阳极线106交叠。
至少一个子像素电极和至少一条数据线的上述交叠布图有利于增加像素电极230的面积，由此增加像素电极的开口率。此外，如果子像素电极和交叠数据线彼此电连接(例如，如果红色子像素电极与红色数据线交叠)，则有利于减小寄生电容效应。
一对子像素电极与沿着第二方向交替设置的一对子像素电路单元的至少一部分交叠，并且这对子像素电极与设置在一对子像素电路单元之间的、沿着第一方向延伸的选通线交叠。但是本公开不限于此。
例如，第一子像素电极231与第一子像素电路单元121和第四子像素电路单元124的至少一部分交叠，第四子像素电极234与第一子像素电路单元121和第四子像素电路单元124的至少一部分交叠，并且选通线108与第一子像素电极231和第四子像素电极234交叠。此外，选通线108电连接至第一子像素电路单元121和第四子像素电路单元124，第二子像素电极232与第二子像素电路单元122和第三子像素电路单元123的至少一部分交叠，第三子像素电极233与第二子像素电路单元122和第三子像素电路单元123的至少一部分交叠，并且选通线108与第二子像素电极232和第三子像素电极233交叠。此外，选通线108电连接至第二子像素电路单元122和第三子像素电路单元123。
一对子像素电极231和234、一对子像素电路单元121和124以及选通线108的上述交叠布图有利于优化像素区域AA的布图，从而实现高分辨率顶部发光型电致发光显示装置。
公共线接触单元250被配置为包括暴露的电致发光层部分251、公共线接触单元接触孔252和连接电极253。公共线接触单元250被配置为以一定距离设置在公共线104上。公共线104和公共电极436被配置为通过公共线接触单元250电连接。
暴露的电致发光层部分251(例如，配置为将公共电极和辅助公共线互连的区域)包括具有倒锥形状的结构。此外，未沉积电致发光层的区域形成在具有倒锥形状的结构下方。阴极通过未沉积电致发光层的区域电连接到连接电极253。连接电极253通过公共线接触单元接触孔252电连接到公共线104。将参照图5详细描述公共线接触单元250。
图3是例示根据图2所示的示例性实施方式的电致发光显示设备100的像素电极上的黑底和滤色器的示意性平面图。
在图3中，为了便于说明，进一步例示了设置在图2所示的各种元件上的黑底370和滤色器360。
滤色器360可被配置为包括作为红色滤色器的第一滤色器361、作为绿色滤色器的第二滤色器362、作为蓝色滤色器的第三滤色器363以及作为白色滤色器364的第四滤色器364。但是本公开不限于此。
黑底370被配置为围绕滤色器360。黑底370可由具有光吸收特性的材料制成，该材料具有超过90％的可见光波长的吸收率。
滤色器360相对于像素电极230设置。此外，在像素电极230上配置的有机发光二极管被配置为发射红光、绿光、蓝光或白光。
例如，第一滤色器361与第一子像素电极231交叠，第二滤色器362与第二子像素电极232交叠；第三滤色器362与第三子像素电极233交叠；并且第四滤色器364与第四子像素电极234交叠。第四滤色器364可以是透明的或者由具有对于可见光波长光谱超过90％的透光率的透明层构成。但是本公开不限于此，并且第四滤色器374可被配置为开口，该开口被配置为没有任何透明层而使光穿过。
例如，第一子像素电极231上的有机发光二极管被配置为发射白光或红光；第二子像素电极232上的有机发光二极管被配置为发射白光或绿光；第三子像素电极233上的有机发光二极管用于发射白光或蓝光；并且第四子像素电极234上的有机发光二极管被配置为发射白光。
在一些示例性实施方式中，至少一个滤色器可由量子点物质制成，其将入射在量子点物质上的光的波长转换为其它波长(例如，蓝光转换为绿光或红光)。
电致发光显示设备100的上述配置可选择性地发送、过滤和/或转换与滤色器交叠的有机发光二极管的波长。此外，由于滤色器能够选择性地吸收从相邻有机发光二极管进入的光，因此有利于降低颜色混合程度。此外，当有机发光二极管的发射波长谱比交叠的滤色器的带通波长谱宽时，有利于通过滤色器提高色纯度(例如，较窄的发射波长谱)。因此，可实现更宽的色域。此外，滤色器360可吸收一部分环境光。因此，有利于提高环境对比度。此外，有利于从有机发光二极管的各种发射波长谱当中过滤掉不期望的发射波长谱。
图4是例示根据本公开的示例性实施方式的电致发光显示设备的第一子像素电路单元、第一子像素电极和第一滤色器的布置的示意性截面图。
图4例示了如图3所示的各种元件的一部分的截面图，包括第一基板410、绝缘缓冲层412、层间绝缘层414、半导体层416、栅极绝缘层418、栅极420、漏极422、源极424、电容器电极425、第一绝缘层426、涂覆绝缘层428、堤430、第一子像素电极231、电致发光层434、公共电极436、第二绝缘层438、透明填料440、黑底370、第一滤色器361和第二基板450。除非另有规定，否则下面描述的本公开的实施方式将基于图4所示的结构来配置。
第一基板410可保护并支承电致发光显示设备100的各种元件。第一基板410可由各种材料制成，例如，可由玻璃或塑料制成。但是本公开不限于此。
绝缘缓冲层412位于第一基板410上。绝缘缓冲层412可被配置为保护半导体层416免受第一基板410上的残余杂质和残余氧和/或渗透穿过第一基板410的湿气和氧的影响。此外，可提供绝缘缓冲层412以增强第一基板410上设置的一些元件的表面粘附力。绝缘缓冲层412可由无机材料构成。下面描述的每个层的厚度可被解释为具有±10％的公差范围。
例如，绝缘缓冲层412可交替地堆叠有硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx)，并且每个层的厚度可以是约另选地，绝缘缓冲层412可由具有约的厚度的单层硅氧化物(SiOx)制成。但是本公开不限于此。此外，如果电致发光显示设备100是柔性显示设备，则可去除绝缘缓冲层412以提高柔性。
半导体层416位于绝缘缓冲层412上。半导体层416可用作薄膜晶体管的沟道。如果没有实现绝缘缓冲层412，则半导体层416可直接位于第一基板410上。半导体层416可由氧化物半导体(例如，IGZO)、多晶硅半导体(例如，LTPS)和/或非晶硅半导体(例如，a-Si)制成。半导体层416的厚度可以是约400。但是本公开不限于此。半导体层416可被实现为起开/关功能的开关元件和/或用于精确地控制电流量的电流控制元件。但是本公开不限于此。
栅极绝缘层418可被插置在半导体层416与栅极420之间。栅极绝缘层418可被配置为使半导体层416和栅极420绝缘。栅极绝缘层418的厚度可以是用于将半导体层416从导电状态切换到非导电状态或者精确地控制流过半导体层416的电流量的合适厚度。例如，栅极绝缘层418可以是无机层，无机材料选自硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)，并且无机层的厚度可以是约但是本公开不限于此。例如，栅极绝缘层418的厚度可以比绝缘缓冲层412的厚度相对薄，以允许控制半导体层416。但是本公开不限于此。
栅极420位于栅极绝缘层418上。栅极420可以是薄膜晶体管的栅极。半导体层416的电阻值可根据施加到栅极420的电压电平改变。栅极420可由金属材料制成，并且可电连接到电容器电极。栅极420可由与选通线108相同的金属形成，并且栅极420可以是选通线108的一部分。
例如，栅极420可由铜制成。由于铜具有非常低的电阻率，因此电性能很优异。但是本公开不限于此。
另选地，栅极420可以是多层结构，使得在铜上设置有诸如钼-钛(MoTi)这样的钼合金。钼-钛增加了界面粘合强度。但是本公开不限于此。
栅极420可以是在上侧的具有约的厚度的铜层和在下侧的具有约的厚度的钼-钛层的堆叠结构。但是本公开不限于此。
电容器电极425可由与栅极420相同的材料制成，并且被配置为电连接到栅极420。可通过将经由层间绝缘层414彼此电绝缘的电容器电极425和源极424相互交叠或相互面对来产生电容。随着电容器电极425与源极424的交叠面积增加，电容也可相应地增加。
例如，源极424的与电容器电极425交叠的一部分可以是源极424的延伸部分。此外，电容器电极425的与源极424交叠的一部分可以是栅极420的延伸部分。但是本公开不限于此。
在一些示例性实施方式中，电容器电极425的一部分可由与半导体层416相同的材料制成。此外，电容器电极425的一部分可由与栅极420相同的材料制成，而电容器电极425的另一部分可由与半导体层416相同的材料制成。
在其它示例性实施方式中，栅极420的延伸部分与由和半导体层416相同的材料制成的电容器电极425交叠，并且配置为将电容器电极425和栅极420电连接的接触孔形成在电容器电极425与栅极420之间的栅极绝缘层418中。
如果电容器电极425由与半导体层416相同的材料制成，则优选地对材料进行处理以具有导电特性来增加电容。
例如，如果电容器电极425和半导体层416的材料是是氧化物，则可使用等离子体处理工艺来处理电容器电极425。另选地，如果半导体层416是低温多晶硅(LTPS)，则可使用p型掺杂剂掺杂工艺来处理电容器电极425。
层间绝缘层414位于栅极420和电容器电极425上。层间绝缘层414可形成在第一基板410的整个表面上并且具有配置为使半导体层416的一部分暴露的接触孔。例如，层间绝缘层414可被配置为无机层，并且可由可具有约的厚度的硅氧化物(SiOx)制成。但是本公开不限于此。
层间绝缘层414可以比栅极绝缘层418相对更厚，以减小栅极420、第二数据线112与层间绝缘层414上的源极424之间的寄生电容。但是本公开不限于此。
层间绝缘层414的厚度可被配置为比栅极绝缘层418厚度厚大约三倍。但是本公开不限于此。
漏极422和源极424位于层间绝缘层414上。但是本公开不限于此，另选地，漏极422和源极424可分别是薄膜晶体管的源极或漏极。
漏极422和源极424通过层间绝缘层414中配置的接触孔电连接到半导体层416。漏极422和源极424可由金属材料制成。例如，漏极422和源极424可由铜制成。但是本公开不限于此。
漏极422和源极424也可以是具有设置在铜层下方的钼-钛层的多层结构。但是本公开不限于此。
漏极422和源极424可以是多层结构，使得铜层具有约6000的厚度并且钼-钛层具有约的厚度。但是本公开不限于此。
另选地，漏极422和源极424可以是多层结构，其包括可由具有约的厚度的ITO制成的上层、由具有约的厚度的铜制成的中层以及由具有约的厚度的钼-钛合金制成的下层。但是本公开不限于此。
漏极422和源极424可发送图像信号或阳极电压。因此，漏极422和源极424的线电阻可低于栅极420的线电阻。因此，漏极422和源极424的厚度可比栅极420的厚度相对更厚。此外，漏极422和源极的厚度可相同。但是本公开不限于此。
在图4中，为了便于描述，将N型薄膜晶体管例示为共面结构，但是本公开不限于此，并且薄膜晶体管可被实现为倒置交错结构。
第一绝缘层426可设置在漏极422和源极424上。第一绝缘层可被配置为保护薄膜晶体管。可在第一绝缘层426中形成接触孔以连接第一子像素电极231和薄膜晶体管。
第一绝缘层426可由无机层制成。例如，第一绝缘层426可由具有约的厚度的硅氧化物(SiOx)制成。但是本公开不限于此。
在一些实施方式中，第一绝缘层426可被省略。
涂覆绝缘层428可位于第一绝缘层426上。涂覆绝缘层428是被配置为使薄膜晶体管的上部平坦的有机绝缘层。可在涂覆绝缘层428中形成接触孔以连接第一子像素电极231和薄膜晶体管。此外，可使此接触孔与第一绝缘层426的接触孔对齐。
例如，涂覆绝缘层428可由负性涂覆材料形成，并且可具有约2μm的厚度。但是本公开不限于此。
有机发光二极管位于涂覆绝缘层428上。有机发光二极管包括第一子像素电极231、电致发光层434和公共电极436。
第一子像素电极231向电致发光层434提供空穴，并且连接到薄膜晶体管的源极424。也就是说，第一子像素电极231被配置为用作阳极。
根据本公开的示例性实施方式，电致发光显示设备100是顶部发光型电致发光显示设备。因此，第一子像素电极231可包括具有高可见波长反射率的导电反射层或者设置在第一子像素电极231下面的附加反射层。
例如，反射层可由具有镜面特性的银(Ag)、银合金(Ag合金)、APC(Ag-Pd-Cu)合金、钼-钛(MoTi)合金等制成。此外，反射层的厚度可以是约但是本公开不限于此。
此外，可在反射层上形成诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的厚度为约的透明导电氧化物材料。但是本公开不限于此。
堤430被配置为覆盖涂覆绝缘层428上的第一子像素电极231的边界。堤430可由有机绝缘层制成。
例如，堤430可由聚酰亚胺制成，并且可具有约1.8μm的厚度。但是本公开不限于此。
电致发光层434可由用于发射白光的有机发光材料制成，并且可包括至少一个有机发光材料层。可根据电致发光层434的配置来配置特定发射光谱。
例如，电致发光层434可发射红光、绿光、蓝光和/或白光。此外，所发射的光可根据第一滤色器361进行选择性过滤。但是本公开不限于此。
电致发光层434被配置为包括至少一个公共层。公共层可以是共同设置在每个子像素上的层。例如，公共层可以是空穴传输层(HTL)、电致发光层(ELL)、电子注入层(EIL)、空穴注入层(HIL)等。但是本公开不限于此。公共层可通过开口掩模工艺来制造，由此覆盖像素区域。然而，根据上述配置，电致发光层434可具有电绝缘特性。因此，如果电致发光层434被插置在公共电极436与公共线104之间，则公共电极436和公共线104相互绝缘。因此，在公共电极436和公共线104的连接区域处去除电致发光层434。
公共电极436位于电致发光层434上。公共电极436是提供电子的层。由于电致发光显示设备100是顶部发光型电致发光显示设备，因此公共电极436可由具有低功函数值的非常薄的金属材料或者透明导电氧化物材料制成。但是本公开不限于此。
例如，公共电极436可由具有约的厚度的铟锌氧化物(IZO)制成。但是本公开不限于此。公共电极436被配置为与公共线接触单元250连接。
第二绝缘层438位于公共电极436上。第二绝缘层438保护电致发光层434免受湿气、氧和/或氢的影响。第二绝缘层438可由无机材料制成。
例如，第二绝缘层438可由硅氮氧化物(SiONx)、硅氧化物(SiOx)和/或硅氮化物(SiNx)制成。优选地，第二绝缘层438可由具有约1μm的厚度的硅氮氧化物(SiONx)制成。但是本公开不限于此。
透明填料440位于第二绝缘层438上。透明填料440可使通过构图后的堤430、涂覆绝缘层428和第一绝缘层426形成的任何台阶平坦化。透明填料440可由透明有机材料制成。
例如，透明填料440可以是聚合物树脂、丙烯酸树脂或环氧树脂。但是本公开不限于此。
此外，公共电极436与透明填料440之间的第二绝缘层438可被去除。
第一滤色器361位于透明填料440上，并且与第一子像素电极231对应。
黑底370被配置为围绕第一滤色器361。
第二基板450可保护并支承电致发光显示设备100的各种元件。第二基板450可由各种材料制成。例如，它可由玻璃或塑料制成，但是本公开不限于此。第二基板450被配置为至少支承第一滤色器361和黑底370。
图5是例示根据本公开的示例性实施方式的电致发光显示装置的公共线接触单元的示意性截面图。图5与图2的截面线A-A'对应。为了简洁和方便描述，将省略其冗余特征。
在图2的截面线A-A'处设置有被配置为将公共线104和公共电极436连接的公共线接触单元250。
公共线接触单元250被配置为包括暴露的电致发光层部分251、公共线接触单元接触孔252和连接电极253。
暴露的电致发光层部分251包括位于堤430上的倒锥结构542。也就是说，堤430被配置为用作倒锥结构542的支柱。用作支柱的堤430的上表面的面积可大于倒锥结构524的底表面的面积。倒锥结构524可具有上表面面积大于下表面面积或者倒锥结构542的侧表面与上表面之间的角度小于90°的结构。此外，设置在堤430两侧的另一堤430用作倒锥结构542的支柱以及在没有堤430的情况下形成在其间的开口。
此外，被配置为防止电致发光层434沉积的区域形成在倒锥结构542的下方。也就是说，电致发光层434的阶梯覆盖能力并不优于公共电极436的阶梯覆盖能力。因此，电致发光层434可以不沉积在倒锥结构542下面。另一方面，由于公共电极436的阶梯覆盖能力优于电致发光层434的阶梯覆盖能力，因此公共电极436可沉积在倒锥结构542下面。因此，公共电极436通过由于倒锥结构542而未沉积电致发光层434的区域电连接到连接电极253。
连接电极253设置在倒锥结构542下面(例如，作为设置在倒锥结构542下方的支柱的堤430下方)。具体而言，连接电极253与倒锥结构542和堤430一起设置。此外，连接电极253延伸到公共线接触单元接触孔252。连接电极253可由与像素电极230相同的金属材料制成。
连接电极253通过公共线接触单元接触孔252电连接到公共线104。
公共线接触单元接触孔252与暴露的电致发光层部分251间隔开。公共线接触单元接触孔252可以是其中通过对涂覆绝缘层428和第一绝缘层426进行构图或去除而使公共线104的一部分暴露的区域。
暴露的电致发光层部分251和公共线接触单元接触孔252可沿着公共线104的延伸方向设置并且彼此隔开。
例如，暴露的电致发光层部分251和公共线接触单元接触孔252可与公共线104交叠，并且可在连接电极253的区域内沿着第二方向设置。
根据上述示例性实施方式，公共线接触单元250、公共线104和公共电极436彼此电连接。特别地，公共线104的电阻值低于公共电极436的电阻值。因此，有利于改进电致发光显示设备的亮度均匀性。此外，如果连接电极253由与像素电极230相同的材料制成，则连接电极253通过修改像素电极230的构图掩模的布图容易地形成。因此，有利于将像素电极230和连接电极253同时形成而无需任何附加制造工艺。
图6是例示根据本公开的另一示例性实施方式的电致发光显示设备600的示意性平面图。
与电致发光显示设备100相比，电致发光显示设备600的特征在于公共线接触单元250被替换为公共线焊接单元650。此外，为了简洁和方便描述，将省略冗余特征。
公共线焊接单元650将公共线104和公共电极436电连接，并且被配置为通过激光照射工艺来电连接公共线104和公共电极436。
激光照射工艺可以是激光焊接、激光接触、热焊接等。
图7是例示电致发光显示设备600的公共线焊接单元的示意性截面图。
图7对应于图6的截面线A-A'。在图7中，为了简洁和方便描述，省略了公共线焊接单元650和图6所示的各种其它元件。
公共线焊接单元650可以是通过对公共电极436与公共线104之间的绝缘层进行构图而配置的接触孔。
公共线焊接单元650上的第一绝缘层426、涂覆绝缘层428和堤430可通过构图工艺去除。
因此，电致发光层434可单独设置在公共线焊接单元650与公共电极436之间。此外，如果激光入射到第一基板410的下表面，则激光穿过具有透明特性的层，诸如第一基板410、绝缘缓冲层412和层间绝缘层414。相反，因为激光无法穿过由金属材料制成的公共线104，所以激光在公共线104处产生热。因此，可由有机材料制成的电致发光层434由于热而被烧毁。因此，电致发光层434可通过激光去除。此外，公共电极436可由于其金属特性而熔化。因此，熔化的公共电极436和公共线焊接单元650可在去除了电致发光层434的区域处连接或焊接在一起。
激光焊接工艺可在公共电极435沉积之后执行。在这种情况下，激光的照射方向可从公共电极436的上侧或者公共线的下侧开始。
在一些实施方式中，激光焊接可在第一基板410和第二基板450结合在一起之后来执行。在这种情况下，公共线焊接单元650可被黑底370遮挡。结果，激光可在公共线104的下侧入射。
在上述实施方式中，公共线焊接单元650、公共线104和公共电极436可电连接。此外，如果公共线焊接单元650可由与像素电极230相同的材料制成，则可通过修改像素电极230的构图掩模的布图来容易地形成公共线焊接单元650。因此，有利于将公共线焊接单元650与公共电极230和连接电极253同时形成而不需要附加制造工艺。
此外，第二绝缘层438和/或透明填料440可在激光焊接过程期间支承公共电极436。特别地，由激光焊接的高温热能处理的焊接部分可具有随机形状。在这种情况下，如果第二绝缘层438和/或透明填料440填满公共电极436上方的空间，则当公共电极436熔化时，公共电极436的变形程度可减小。因为透明填料440会吸收一部分热能，所以这有利于减少传递到电致发光层434的热能。
图8例示了根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备800。
图8是例示根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备800的示意性平面图。
与电致发光显示设备600相比，电致发光显示设备800的特征在于公共线焊接单元850还包括连接电极853。为了简洁和方便描述，省略了其冗余特征。
图9是例示电致发光显示设备800的公共线焊接单元的示意性截面图。图9对应于图8的截面线A-A'。为了简洁和方便描述，省略了其冗余特征。
连接电极853可由与像素电极230相同的材料制成。此外，连接电极853设置在公共电极436与公共线104之间，由此将公共电极436和公共线104电连接。
连接电极853的一部分可设置在公共线104上，连接电极853的另一部分可沿着构图后的第一绝缘层426和构图后的涂覆绝缘层428的一侧延伸，可选择地，连接电极853的又一部分可延伸到涂覆绝缘层428和堤430的一部分界面。但是本公开不限于此。但是本公开不限于此，连接电极853可仅设置在公共线104上。
电致发光层434可单独设置在连接电极853与公共电极436之间。此外，如果激光入射到第一基板410的下表面，则激光穿过具有透明特性的层，诸如第一基板410、绝缘缓冲层412和层间绝缘层414。另选地，如果激光不能穿过由金属材料制成的公共线104，则会产生热。因此，可由有机材料制成的电致发光层434可被烧毁。因此，电致发光层434可通过激光去除。此外，公共电极436由于其金属特性而熔化。因此，熔化的公共电极436和连接电极853可在电致发光层434被去除的区域处连接或焊接在一起。
在上述配置中，在公共线104处产生的热能可被传送到连接电极853。因此，可降低通过公共线104的热能分散程度。因此，至少一部分热能被存储在连接电极853中。因此，在焊接区域的激光焊接过程期间，可增加焊接成功率并且可降低焊接区域周围的外围区域处的温度，这是本公开的有益效果。
图10至图12例示了根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备1000。
图10是例示电致发光显示设备1000的示意性平面图。
与电致发光显示设备100和600相比，电致发光显示设备1000的特征在于还包括辅助公共线1010和辅助阳极线1016。为了简洁和方便描述，省略了其冗余特征。
辅助公共线1010和公共线104可被配置为彼此交叠并且沿着相同的方向(第二方向)延伸。至少一个绝缘层被配置为插置在辅助公共线1010与公共线104之间。此外，辅助公共线1010和公共线104被配置为通过多个辅助公共线接触孔1020电连接。
辅助公共线1010和阳极线106可由相同的金属材料制成并且设置在选通线108的后表面下面。此外，辅助阳极线1016和公共线104可由相同的金属材料制成。但是本公开不限于此。
辅助公共线1010可被配置为不与至少两个元件交叠。
作为第一示例，辅助公共线1010可不与选通线108交叠。在设置有选通线108区域处，构图后的辅助公共线1010通过选通线108彼此分离。
作为第二示例，辅助公共线1010可被配置为不与公共线焊接单元650交叠。在设置有公共线焊接单元650区域处，构图后的辅助公共线1010通过公共线焊接单元650彼此分离。
即使存在辅助公共线1010，但是因为辅助公共线1010不与选通线108交叠，所以上述配置有利于使寄生电容的增量最小化。此外，即使设置辅助公共线1010，但是由于辅助公共线1010不使激光照射中断，所以有利于使激光从第一基板410下方暴露于公共线焊接单元650。
辅助阳极线1016和阳极线106可被配置为彼此交叠并且沿着相同的方向(第二方向)延伸。至少一个绝缘层被配置为插置在辅助阳极线1016与阳极线106之间。此外，辅助阳极线1016和阳极线106被配置为通过多个辅助公共线接触孔1020电连接。
此外，辅助阳极线1016可被配置为不与选通线108交叠。在设置有选通线108的区域处，构图后的辅助阳极线1016可通过选通线108彼此分离。
即使存在辅助阳极线1016，但是因为辅助阳极线1016不与选通线108交叠，所以上述配置有利于使寄生电容的增量最小化。特别地，由于辅助公共线1010和辅助阳极线1016通过选通线108分离，因此可使相对于选通线108的寄生电容最小化。
在上述配置中，公共线104和阳极线106可由不同的金属材料制成。这种情况是有利的，其原因在于，当从像素区域AA周围的外围区域提供阴极电压ELVSS和阳极电压ELVSS时，外围区域处的阴极电压提供单元和阳极电压提供单元的设计变得更容易，这是因为公共线104和阳极线106可彼此电绝缘。
图11是例示电致发光显示设备1000的第一子像素电路单元、第一子像素电极和第一滤色器的布置的示意性截面图。
与电致发光显示设备100和600的像素电路单元相比，电致发光显示设备1000的像素电路单元的特征在于还包括由与辅助公共线1010相同的金属材料制成的遮光电容器电极1126。为了简洁和方便描述，省略了其冗余特征。
遮光电容器电极1126被配置为与源极424电连接，并且电连接到栅极420的电容器电极1125被配置为与遮光电容器电极1126和源极424交叠。也就是说，在电容器电极1125与遮光电容器电极1126之间的交叠区域处产生第一电容，并且在电容器电极1125与源极424之间的交叠区域处产生第二电容。此外，遮光电容器电极1126可延伸到半导体层416和/或与半导体层416交叠，以保护半导体层416免受环境光的影响。此外，遮光电容器电极1126的一部分可进一步延伸到半导体层416的边界周围。
遮光电容器电极1126和源极424可通过在设置在遮光电容器电极1126与源极424之间的层间绝缘层414和绝缘缓冲层412处形成接触孔而电连接。
遮光电容器电极1126可以是包括在上侧的具有约的厚度的铜层和在下侧的具有约的厚度的钼-钛合金层在内的堆叠结构。但是本公开不限于此。例如，遮光电容器电极1126和源极424可具有相同的厚度。
根据本公开的又一示例性实施方式，电容器电极1125可由具有导电特性的半导体层416制成，并且如图11所示连接到栅极420。但是本公开不限于此，并且电容器电极1125可被配置为本公开的另一示例性实施方式的电容器电极425。
根据上述配置，遮光电容器电极1126可产生双电容。相应地，电容在相对较小的区域内可增加。结果，有利于实现高分辨率顶部发光型电致发光显示设备并且如果遮光电容器电极1126和源极424的堆叠结构和厚度与遮光电容器电极1126相同，并且源极424可通过相同的制造工艺配方来制造，则有利于改进制造工艺的效率。此外，如果电容器电极1125由与栅极420和/或半导体层416相同的材料制成，则由于像素电路单元的布图可被优化，因此有利于实现高分辨率顶部发光型电致发光显示设备。
图12是例示电致发光显示设备1000的与公共线焊接单元相邻的辅助公共线的结构的示意性截面图。
在图12中，为了便于说明，包括了在图10中也例示的辅助公共线1010、公共线焊接单元650和各种元件。图12对应于图10的截面线A-A'。为了简洁和方便描述，将省略其冗余特征
辅助公共线1010可被配置为设置在公共线焊接单元650的周围。绝缘缓冲层412和层间绝缘层414被插置在公共线104与辅助公共线1010之间。此外，公共线104和辅助公共线1010被配置为通过穿过绝缘缓冲层412和层间绝缘层414的多个辅助公共线接触孔1020电连接。此外，辅助公共线1010和遮光电容器电极1126可由相同的金属材料制成。但是本公开不限于此。
例如，辅助公共线1010可以是包括具有约的厚度的铜层和具有约的厚度的钼-钛合金层在内的多层结构。但是本公开不限于此。
辅助公共线1010可被配置为不与公共线焊接单元650交叠。也就是说，辅助公共线1010可通过公共线焊接单元650彼此分离。
根据上述配置，辅助公共线1010不使入射到公共线焊接单元650上的激光中断。此外，由于辅助公共线1010电连接到公共线104，因此可减小线电阻值。相应地，可减小公共线的线宽。这些特征对于实现高分辨率顶部发光型电致发光显示设备是有利的。
在一些实施方式中，辅助公共线1010的一部分可与公共线焊接单元直接接触。在这种情况下，可去除设置在公共线焊接单元650下面的层间绝缘层414和绝缘缓冲层412，并且可对辅助公共线1010的一部分构图以与公共线焊接单元650直接接触。上述构造可实现与图9所示的连接电极类似的效果。也就是说，由激光产生的热能可被存储在公共线焊接单元650下面设置的辅助公共线1010的一部分中。因此，在激光焊接过程期间，相对较多的热能可集中在激光焊接区域中。因此，有利的是可提高焊接成功率并且可降低焊接区域周围的温度。
图13和图14例示了根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备1300。
图13是例示电致发光显示设备1300的示意性平面图。
与电致发光显示设备1000相比，电致发光显示设备1300的特征在于公共线焊接单元650被公共线接触单元250代替。为了简洁和方便描述，省略了其冗余特征。
辅助公共线1310被配置为不与选通线108交叠，而与公共线接触单元250交叠。
图14是例示了电致发光显示设备1300的与公共线接触单元相邻的辅助公共线的结构的示意性截面图。图14对应于图13的截面线A-A'。为了简洁和方便描述，省略了其冗余特征。
公共线接触单元250可被配置为与辅助公共线1310交叠。绝缘缓冲层412和层间绝缘层414插置在公共线104与辅助公共线1310之间。此外，公共线104和辅助公共线1010被配置为通过穿过绝缘缓冲层412和层间绝缘层414的多个辅助公共线接触孔1020电连接。
即使存在辅助公共线1310，但是因为辅助公共线1310不与选通线108交叠，所以上述配置有利于使寄生电容的增量最小化。此外，由于公共线104和辅助公共线1310可在选通线108和辅助公共线1310的交叉区域之外彼此交叠，因此可减小线电阻值。因此，可减小公共线104的线宽。从而有利于实现高分辨率顶部发光型电致发光显示设备。
图15例示了根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备1500。
电致发光显示设备1500的特征在于它包括电致发光显示设备1000的辅助公共线1010和公共线焊接单元650以及电致发光显示设备1300的辅助公共线1310和公共线接触单元250。为了简洁和方便描述，省略了其冗余特征。
根据上述配置，可减少共用线焊接单元650的数目。此外，有利于减少传递到电致发光显示设备的电致发光层的热应力，这是因为在电致发光显示设备的制造过程期间，较少数目的公共线焊接单元650可致使激光产生较少的热。
在一些实施方式中，公共线焊接单元650和公共线接触单元250可在每条公共线104上沿着第一方向交替设置。
图16中例示了根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备1600。
电致发光显示设备1600的特征在于相对于电致发光显示设备1000的阳极线1006和辅助阳极线1016，电致发光显示设备1600的阳极线1606和辅助阳极线1616的位置被交换。为了简洁和方便描述，省略了其冗余特征。
如图16所示，阳极线1606和辅助阳极线1616的位置可交换。但是本公开不限于此，公共线104和辅助公共线1010的位置也可交换。也就是说，选通线108被配置为与阳极线和辅助阳极线中的一个交叉，并且选通线108被配置为与公共线和辅助公共线中的一个交叉。
即使存在辅助阳极线和辅助公共线，但是因为它们可不与选通线108交叠，所以上述配置有利于使寄生电容的增量最小化。
图17和图18例示了根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备1700。
电致发光显示设备1700的特征在于该设备还包括沿着第一方向延伸的像素电极公共线1760。像素电极公共线1760可由与连接电极253和/或像素电极230相同的材料制成。为了简洁和方便描述，省略了其冗余特征。
图18是例示电致发光显示设备1700的公共线焊接单元的示意性截面图。图18对应于图17的截面线A-A'。
如图18所示，公共线焊接单元1750的截面结构与如图8所示的公共线焊接单元850的截面结构基本相同。为了简洁和方便描述，省略了其冗余特征。
根据上述配置，像素电极公共线1760可将彼此间隔开的公共线104电连接。此外，即使公共线104中的每一条可具有由公共线104的宽度和/或厚度的变化而引起的线电阻偏差，上述配置也有利于减小像素电极公共线1760的线电阻偏差程度。因此，对于可利用沿着第二方向设置的像素电极230之间的空间(即，间隙)并且可提高阴极电压ELVSS的均匀性来说是有利的。
在图19中例示了根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备1900。
电致发光显示设备1900的公共线接触单元1950的结构被配置为与如图2所示的公共线接触单元250基本类似。也就是说，暴露的电致发光层部分1951的结构可被配置为与暴露的电致发光层部分251的结构基本类似；公共线接触单元接触孔1952的结构可被配置为与公共线接触单元接触孔252的结构基本类似；连接电极1953的结构可被配置为与连接电极253的结构基本类似；连接电极1953可由与沿着第一方向延伸的像素电极公共线1960相同的金属材料制成；像素电极公共线1960的结构可被配置为与像素电极公共线1760的结构基本类似；并且连接电极1953可被配置为与像素电极公共线1760直接接触。另外，可延伸连接电极1953的一部分以配置像素电极公共线1760。
根据上述配置，像素电极公共线1960可将彼此间隔开的公共线104电连接。即使公共线104中的每一条可具有由公共线104的宽度和/或厚度的变化而引起的线电阻偏差，这种结构也有利于通过像素电极公共线1960减小公共线的线电阻偏差程度。因此，对于可利用沿着第二方向设置的像素电极230之间的空间(即，间隙)并且可提高阴极电压ELVSS的均匀性来说是有利的。
在图20中例示了根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备2000。
如图20所示的电致发光显示设备2000的公共线焊接单元2050的结构可被配置为与如图17所示的公共线焊接单元1750基本类似；并且像素电极公共线2060的结构可被配置为与像素电极公共线1760基本类似。此外，辅助公共线1010和辅助阳极线1016可被包括在该结构中。
根据上述配置，像素电极公共线2060可将彼此间隔开的公共线104电连接。此外，即使公共线104中的每一条可具有由公共线104的宽度和/或厚度的变化而引起的线电阻偏差，上述配置也有利于通过像素电极公共线1960减小公共线的线电阻偏差程度。此外，根据辅助公共线1010和辅助阳极线1016的布置，可提高阴极电压ELVSS的均匀性。
在图21中例示了根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备2100。
如图21所示的电致发光显示设备2100的公共线接触单元1950与如图19所示的公共线路接触单元1950基本类似。此外，像素电极公共线1960可被配置为与如图17所示的像素电极公共线1760基本类似。此外，辅助公共线1310和辅助阳极线1016可被包括在该结构中。
根据上述配置，像素电极公共线1960可将彼此间隔开的公共线104电连接。此外，即使公共线104中的每一条可具有由公共线104的宽度和/或厚度的变化而引起的线电阻偏差，上述配置也有利于通过像素电极公共线1960减小公共线的线电阻偏差程度。此外，根据辅助公共线1310和辅助阳极线1016的布置，可提高阴极电压ELVSS的均匀性。
在图22中例示了根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备2200。
电致发光显示设备2200的公共线焊接单元2050与如图20所示的公共线焊接单元2050基本相同。此外，如图22所示的公共线接触单元1950与如图21所示的公共线接触单元1950基本相同。
根据上述配置，像素电极公共线2060可将彼此间隔开的公共线104电连接。此外，即使公共线104中的每一条具有由公共线104的宽度和/或厚度的变化而引起的线电阻偏差，上述配置也有利于通过像素电极公共线2060减小公共线的线电阻偏差程度。此外，根据辅助公共线1010和1310以及辅助阳极线1016的布置，可提高阴极电压ELVSS的均匀性。
在一些实施方式中，公共线接触单元1950和公共线焊接单元2050可在像素电极公共线1960上沿着第一方向交替设置。
在一些实施方式中，公共线焊接单元2050和公共线接触单元1950可在像素电极公共线2060上沿着第一方向交替设置。
在图23中例示根据本公开的又一示例性实施方式的电致发光显示设备2300。
在图23中，为了便于描述，省略了像素电极230。电致发光显示设备2300的特征在于在第二数据线组G2内设置有附加线。
在第二数据线组G2内设置有能够补偿像素电路单元120的驱动晶体管的阈值电压(Vth)的参考电压线2317。此外，参考电压线2317被配置为分别电连接到像素电路单元120的对应的第一子像素电路单元121、第二子像素电路单元122、第三子像素电路单元123和第四子像素电路单元124。也就是说，参考电压线2317可用作补偿电路。参考电压线2317可连接到像素区域周围的外围区域中的数据驱动器。数据驱动器可被配置为通过检测从参考电压线2317传送的电压来补偿驱动晶体管的阈值电压偏差。但是本公开不限于此。换句话说，本公开的每个实施方式可被配置为将功能线布置在第二数据线组G2内。
在一些示例性实施方式中，可在第二数据线组G2内设置被配置为感测触摸的触摸感测线。触摸感测线可连接到被配置为感测电容或者压力的电极。
在其它示例性实施方式中，可在第二数据线组G2内设置用于增加功能的线。
在一些示例性实施方式中，可在第二数据线组G2内设置用于实现互相不同的功能的多条线。例如，参考电压线和触摸感测线可沿着第二方向延伸，彼此间隔开，并且可设置在第二数据线组G2的第三数据线113与第四数据线114之间。
在其它示例性实施方式中，如果在第二数据线组G2内设置多条互相不同的功能线，则互相不同的功能线中的每一条可由作为公共线的金属层和辅助公共线的金属层的至少一种金属材料制成。
在其它示例性实施方式中，在第二数据线组G2内设置至少两种不同的互相不同的功能线。此外，在至少两种不同的互相不同的功能线当中，一种线可由与公共线相同的金属材料制成，而另一种线可由与辅助公共线相同的金属材料制成。此外，这样至少两种线通过绝缘层彼此绝缘。此外，它们可彼此交叠。
在一些示例性实施方式中，公共线104可设置在第一线组G1或第二线组G2内。阳极线106可设置在第一线组G1或第二线组G2内。换句话说，线组能够为与该线组平行延伸的至少一条信号线提供空间，其中至少一个信号线被设置在数据线组内。
在一些示例性实施方式中，一种电致发光显示设备可包括：至少一个四倍型像素电路单元，所述至少一个四倍型像素电路单元包括多个子像素电路单元；至少一条选通线，所述至少一条选通线被设置在所述多个子像素电路单元之间，并且沿着第一方向延伸；至少一个第一数据线组，所述至少一个第一数据线组包括设置在所述至少一个四倍型像素电路单元的两侧的第一对数据线，并且沿着第二方向延伸；至少一个第二数据线组，所述至少一个第二数据线组包括设置在所述子像素电路单元之间的第二对数据线，并且沿着所述第二方向延伸；以及至少一条公共线和至少一条阳极线，所述至少一条公共线和所述至少一条阳极线被设置在所述第一数据线组的所述第一对数据线之间，并且沿着所述第一方向设置，其中，所述至少一条选通线与所述至少一个第一数据线组和所述至少一个第二数据线组交叉。
在一些示例性实施方式中，该电致发光显示设备还可包括：涂覆绝缘层，所述涂覆绝缘层位于所述至少一个四倍型像素电路单元和所述至少一条公共线上；像素电极，所述像素电极位于所述涂覆绝缘层上；电致发光层，所述电致发光层位于所述像素电极上；以及公共电极，所述公共电极位于所述电致发光层上，其中，所述公共电极在未设置所述电致发光层的区域处被电连接到所述至少一条公共线。
在一些示例性实施方式中，该电致发光显示设备还可包括：公共线接触单元和公共线焊接单元中的至少一个，所述公共线接触单元和所述公共线焊接单元中的所述至少一个被配置为将所述公共电极和所述至少一条公共线电连接。
在一些示例性实施方式中，所述公共线焊接单元可被配置为使得所述公共电极在所述电致发光层被激光去除的区域处被焊接到所述至少一条公共线。
在一些示例性实施方式中，该电致发光显示设备还可包括公共线接触单元和公共线焊接单元，其中，所述公共线接触单元和所述公共线焊接单元沿着所述第二方向交替设置。
在一些示例性实施方式中，该电致发光显示设备还可包括：至少一条辅助公共线，所述至少一条辅助公共线与所述至少一条公共线交叠，并且在所述至少一条公共电极和所述至少一条选通线的交叉处沿着所述第二方向与所述至少一条公共线分离，其中，所述至少一条辅助公共线被电连接到所述至少一条公共线，并且所述至少一条辅助公共线与所述至少一条选通线电绝缘。
在一些示例性实施方式中，该电致发光显示设备还可包括：遮光电容器电极，其中，所述遮光电容器电极的材料与所述至少一条辅助公共线的金属材料相同，并且其中，所述遮光电容器电极被配置为遮挡所述至少一个子像素电路单元的驱动晶体管免受光的影响；以及绝缘缓冲层，所述绝缘缓冲层位于所述至少一条公共线与所述至少一条辅助公共线之间。
在一些示例性实施方式中，所述至少一条辅助公共线可沿着所述第二方向与所述公共线焊接单元分离，并且被配置为不与所述公共线焊接单元交叠。
在一些示例性实施方式中，该电致发光显示设备还可包括：至少一条辅助阳极线，所述至少一条辅助阳极线与所述至少一条阳极线交叠，并且在所述至少一条阳极线和所述至少一条选通线的交叉处沿着所述第二方向与所述至少一条辅助阳极线分离，并且所述至少一条辅助阳极线可电连接到所述至少一条公共线，并且绝缘缓冲层可位于所述至少一条阳极线与所述至少一条辅助阳极线之间。
在一些示例性实施方式中，所述至少一条公共线和所述至少一条阳极线二者都可包括第一金属材料，并且所述至少一条辅助公共线和所述至少一条辅助阳极线二者都可包括第二金属材料，并且所述第二金属材料可与所述第一金属材料不同。
在一些示例性实施方式中，所述至少一条公共线和所述至少一条辅助阳极线二者都可包括第一金属材料，并且所述至少一条辅助公共线和所述至少一条阳极线二者都可包括第二金属材料，并且所述第二金属材料可与所述第一金属材料不同。
在一些示例性实施方式中，该电致发光显示设备还可包括：连接电极，所述连接电极被设置在所述至少一条公共线与所述公共电极之间，其中所述连接电极可被配置为将所述至少一条公共线和所述公共电极电连接，其中所述连接电极和所述像素电极可包括第一金属材料，并且其中所述连接电极可被配置为与所述公共线接触单元和所述公共线焊接单元中的至少一个交叠。
在一些示例性实施方式中，所述公共线焊接单元可被配置为使得连接电极在所述电致发光层被激光去除的区域处被焊接到所述至少一条公共线。
在一些示例性实施方式中，该电致发光显示设备还可包括：像素电极公共线，所述像素电极公共线被配置为将多条公共线电连接，其中，所述像素电极公共线可被设置在所述像素电极之间并且沿着所述第一方向延伸，其中，所述像素电极公共线可与所述连接电极直接接触，其中，所述像素电极公共线和所述连接电极可包括相同的金属材料。
在一些示例性实施方式中，所述公共线接触单元可包括具有倒锥形状的结构，与所述连接电极交叠的暴露的电致发光层部分以及与所述连接电极交叠的公共线接触单元接触孔。
在一些示例性实施方式中，该电致发光显示设备还可包括：至少一条功能线，所述至少一条功能线位于所述第二数据线组的所述第二对数据线之间。
在一些示例性实施方式中，一种电致发光显示设备可包括：多个子像素电路单元，所述多个子像素电路单元以矩阵形式布置；至少一条选通线，所述至少一条选通线被设置在所述多个子像素电路单元之间，并且沿着第一方向延伸；多个第一数据线组和多个第二数据线组，所述多个第一数据线组和所述多个第二数据线组被交替地设置在所述多个子像素电路单元之间并且沿着第二方向延伸；多条公共线，所述多条公共线被设置在所述第一数据线组或所述第二数据线组内，并且沿着所述第二方向延伸；以及多条阳极线，所述多条阳极线被设置在所述第一数据线组或所述第二数据线组内，并且沿着所述第二方向延伸。
在一些示例性实施方式中，所述多条公共线可被设置在所述多个第一数据线组内，并且所述多条阳极线可被设置在所述多个第二数据线组内。
在一些示例性实施方式中，所述多条公共线可被设置在所述多个第二数据线组内，并且所述多条阳极线可被设置在所述多个第一数据线组内。
在一些示例性实施方式中，所述多条公共线和所述多条阳极线二者都可被设置在所述多个第一数据线组或所述多个第二数据线组内。
在一些示例性实施方式中，所述第一数据线组的空间和所述第二数据线组的空间可根据设置在其中的信号线的宽度来确定。
在一些示例性实施方式中，所述公共线的宽度可比所述阳极线的宽度宽，并且包含所述公共线的所述第一数据线组或所述第二数据线组的空间可比包含所述阳极线的所述第一数据线组或所述第二数据线组的空间大。
在一些示例性实施方式中，该电致发光显示设备还可包括：与所述公共线交叠的辅助公共线以及与所述阳极线交叠的辅助阳极线。
在一些示例性实施方式中，所述公共线和所述辅助公共线当中的一种线可由实心信号线形成，并且所述公共线和所述辅助公共线当中的另一种线可由多个岛电极形成。
在一些示例性实施方式中，该电致发光显示设备还可包括：多个子像素电极，所述多个子像素电极被电连接到所述多个子像素电路单元；以及多条像素电极公共线，所述多条像素电极公共线被配置为将所述多条公共线电互连，并且沿着所述第一方向延伸，其中，所述多个子像素电极可具有沿着所述第二方向的宽度比沿着所述第一方向的宽度宽的形状，并且其中，所述多个子像素电极和所述多条像素电极公共线可沿着所述第二方向交替设置。
在一些示例性实施方式中，一种设备可包括：多个像素的阵列，所述多个像素的阵列中的每个像素具有针对顶部发光型电致发光显示设备配置的四个子像素，每个子像素具有子像素电极和与该子像素电极连接的子像素电路单元，从而每个像素具有四个子像素电路单元；以2×2矩阵布置的四个子像素电路单元，所述四个子像素电路单元具有形成上对的第一子像素电路单元和第二子像素电路单元以及形成下对的第三子像素电路单元和第四子像素电路单元；选通线，所述选通线在行方向上穿行在上对子像素电路单元与下对子像素电路单元之间，并且分别电连接到所述四个子像素电路单元；第一数据线，所述第一数据线在列方向上沿着该第一子像素电路单元和该第四子像素电路单元穿行，并且电连接到该第一子像素电路单元；第二数据线，所述第二数据线在所述列方向上沿着该第二子像素电路单元和该第三子像素电路单元穿行，并且电连接到该第二子像素电路单元；以及第三数据线和第四数据线，所述第三数据线和所述第四数据线在所述列方向上穿行在该第一子像素电路单元与该第二子像素电路单元之间以及该第三子像素电路单元与该第四子像素电路单元之间，并且分别电连接到该第三子像素电路单元和该第四子像素电路单元。
在一些示例性实施方式中，该设备还可包括：阳极线，所述阳极线在所述列方向上穿行在相邻的子像素电路单元之间；以及扩展单元，所述扩展单元在所述行方向上延伸并且将该阳极线与一个像素的第三子像素电路单元和第四子像素电路单元以及在所述列方向上与该一个像素相邻的不同像素的第一电路单元和第二电路单元电互连。
在一些示例性实施方式中，该设备还可包括：至少一条信号线，所述至少一条信号线沿着所述列方向延伸，并且被插置在一个像素的第一数据线与在所述行方向上与该一个像素相邻的不同像素的第二数据线之间的第一区域中，被插置在一个像素的第三数据线与第四数据线之间的第二区域中，或者被插置在该第一区域与该第二区域二者中。
在一些示例性实施方式中，该至少一条信号线可以是公共线、阳极线、参考电压线、触摸感测线、外部补偿线、放电线和初始线当中的至少一一者。
在一些示例性实施方式中，该多个像素的阵列的该第一区域可按照交替方式具有该公共线或该阳极线。
在一些示例性实施方式中，该第一区域可具有该公共线，并且该第二区域可具有该阳极线。
在一些示例性实施方式中，一种电致发光显示设备可包括：像素电路单元，所述像素电路单元包括多个四倍型子像素电路单元；选通线，所述选通线被设置在多个子像素电路单元之间，并且沿着第一方向延伸；第一数据线组，所述第一数据线组包括设置在所述像素电路单元的两侧处的第一对数据线，并且沿着第二方向延伸；第二数据线组，所述第二数据线组包括设置在所述子像素电路单元之间的第二对数据线，并且沿着所述第二方向延伸；像素电极，所述像素电极位于涂覆绝缘层上；公共线和阳极线，所述公共线和所述阳极线被设置在所述第一数据线组的所述第一对数据线之间，并且沿着所述第一方向设置；涂覆绝缘层，所述涂覆绝缘层位于至少一个像素电路单元和至少一条公共线上；以及像素电极公共线，所述像素电极公共线被设置在多个像素电极之间，并且沿着所述第一方向延伸，其中，所述像素电极公共线可电连接多条公共线，并且其中，所述选通线可与所述第一数据线组和所述第二数据线组交叉。
在一些示例性实施方式中，该电致发光显示设备还包括：连接电极，所述连接电极被设置在所述公共线与公共电极之间，并且其中，所述像素电极公共线可与所述连接电极直接接触。
在一些示例性实施方式中，所述像素电极公共线可包括与所述连接电极相同的材料。
在一些示例性实施方式中，所述像素电极公共线可包括与所述像素电极相同的材料。
在一些示例性实施方式中，该电致发光显示设备还可包括辅助公共线和辅助阳极线。
根据上述配置，至少一条功能线可被设置在第二数据线组G2内，并且电致发光显示设备的亮度均匀性可增加。此外，有利的是，因为可在第二数据线组G2中容易地设置附加线(例如，触摸感测线)，所以可容易地提供各种功能。
尽管已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施方式，但是本公开不限于此，并且可在不脱离本公开的技术构思的情况下，按照许多不同的形式来实施。因此，提供本公开的示例性实施方式仅出于说明性目的，而不意图限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。本发明的保护范围应当基于所附权利要求来解释，并且所附权利要求的等效范围内的所有技术构思都应当被解释为落入本公开的范围内。

Claims (36)

1.一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备包括：
至少一个四倍型像素电路单元，所述至少一个四倍型像素电路单元包括多个子像素电路单元；
至少一条选通线，所述至少一条选通线被设置在所述多个子像素电路单元之间，并且沿着第一方向延伸；
至少一个第一数据线组，所述至少一个第一数据线组包括设置在所述至少一个四倍型像素电路单元的两侧的第一对数据线，并且沿着第二方向延伸；
至少一个第二数据线组，所述至少一个第二数据线组包括设置在所述子像素电路单元之间的第二对数据线，并且沿着所述第二方向延伸；以及
至少一条公共线和至少一条阳极线，所述至少一条公共线和所述至少一条阳极线被设置在所述第一数据线组的所述第一对数据线之间，并且沿着所述第一方向设置，并且
其中，所述至少一条选通线与所述至少一个第一数据线组和所述至少一个第二数据线组交叉。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括：
涂覆绝缘层，所述涂覆绝缘层在所述至少一个四倍型像素电路单元和所述至少一条公共线上；
像素电极，所述像素电极在所述涂覆绝缘层上；
电致发光层，所述电致发光层在所述像素电极上；以及
公共电极，所述公共电极在所述电致发光层上，
其中，所述公共电极在未设置所述电致发光层的区域处被电连接到所述至少一条公共线。
3.根据权利要求2所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括：公共线接触单元和公共线焊接单元中的至少一个，所述公共线接触单元和所述公共线焊接单元中的所述至少一个被配置为将所述公共电极和所述至少一条公共线电连接。
4.根据权利要求3所述的电致发光显示设备，其中，所述公共线焊接单元被配置为使得所述公共电极在所述电致发光层被激光去除的区域处被焊接到所述至少一条公共线。
5.根据权利要求2所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括公共线接触单元和公共线焊接单元，
其中，所述公共线接触单元和所述公共线焊接单元沿着所述第二方向交替设置。
6.根据权利要求3所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括：
至少一条辅助公共线，所述至少一条辅助公共线与所述至少一条公共线交叠，并且在所述至少一条公共线和所述至少一条选通线的交叉处沿着所述第二方向与所述至少一条公共线分离，其中，所述至少一条辅助公共线被电连接到所述至少一条公共线，并且所述至少一条辅助公共线与所述至少一条选通线电绝缘。
7.根据权利要求6所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括：
遮光电容器电极，其中，所述遮光电容器电极的材料与所述至少一条辅助公共线的金属材料相同，并且其中，所述遮光电容器电极被配置为遮挡所述至少一个子像素电路单元的驱动晶体管免受光的影响；以及
绝缘缓冲层，所述绝缘缓冲层位于所述至少一条公共线与所述至少一条辅助公共线之间。
8.根据权利要求6所述的电致发光显示设备，其中，所述至少一条辅助公共线沿着所述第二方向与所述公共线焊接单元分离，并且被配置为不与所述公共线焊接单元交叠。
9.根据权利要求6所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括：
至少一条辅助阳极线，所述至少一条辅助阳极线与所述至少一条阳极线交叠，并且在所述至少一条阳极线和所述至少一条选通线的交叉处处沿着所述第二方向与所述至少一条辅助阳极线分离，并且其中，所述至少一条辅助阳极线电连接到所述至少一条公共线，并且
其中，绝缘缓冲层位于所述至少一条阳极线与所述至少一条辅助阳极线之间。
10.根据权利要求9所述的电致发光显示设备，其中，所述至少一条公共线和所述至少一条阳极线二者都包括第一金属材料，并且
其中，所述至少一条辅助公共线和所述至少一条辅助阳极线二者都包括第二金属材料，并且
其中，所述第二金属材料与所述第一金属材料不同。
11.根据权利要求9所述的电致发光显示设备，其中，所述至少一条公共线和所述至少一条辅助阳极线二者都包括第一金属材料，并且
其中，所述至少一条辅助公共线和所述至少一条阳极线二者都包括第二金属材料，并且
其中，所述第二金属材料与所述第一金属材料不同。
12.根据权利要求3所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括：连接电极，所述连接电极被设置在所述至少一条公共线与所述公共电极之间，其中，所述连接电极被配置为将所述至少一条公共线和所述公共电极电连接，
其中，所述连接电极和所述像素电极包括第一金属材料，并且
其中，所述连接电极被配置为与所述公共线接触单元和所述公共线焊接单元中的至少一个交叠。
13.根据权利要求11所述的电致发光显示设备，其中，所述公共线焊接单元被配置为使得所述连接电极在所述电致发光层被激光去除的区域处被焊接到所述至少一条公共线。
14.根据权利要求12所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括：
像素电极公共线，所述像素电极公共线被配置为将多条公共线电连接，
其中，所述像素电极公共线被设置在所述像素电极之间并且沿着所述第一方向延伸，
其中，所述像素电极公共线与所述连接电极直接接触，并且
其中，所述像素电极公共线和所述连接电极包括相同的金属材料。
15.根据权利要求12所述的电致发光显示设备，其中，所述公共线接触单元包括具有倒锥形状的结构、与所述连接电极交叠的暴露的电致发光层部分以及与所述连接电极交叠的公共线接触单元接触孔。
16.根据权利要求1所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括：至少一条功能线，所述至少一条功能线位于所述第二数据线组的所述第二对数据线之间。
17.一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备包括：
多个子像素电路单元，所述多个子像素电路单元以矩阵形式布置；
至少一条选通线，所述至少一条选通线被设置在所述多个子像素电路单元之间，并且沿着第一方向延伸；
多个第一数据线组和多个第二数据线组，所述多个第一数据线组和所述多个第二数据线组被交替地设置在所述多个子像素电路单元之间并且沿着第二方向延伸；
多条公共线，所述多条公共线被设置在所述第一数据线组或所述第二数据线组内，并且沿着所述第二方向延伸；以及
多条阳极线，所述多条阳极线被设置在所述第一数据线组或所述第二数据线组内，并且沿着所述第二方向延伸。
18.根据权利要求17所述的电致发光显示设备，其中，所述多条公共线被设置在所述多个第一数据线组内，并且所述多条阳极线被设置在所述多个第二数据线组内。
19.根据权利要求17所述的电致发光显示设备，其中，所述多条公共线被设置在所述多个第二数据线组内，并且所述多条阳极线被设置在所述多个第一数据线组内。
20.根据权利要求17所述的电致发光显示设备，其中，所述多条公共线和所述多条阳极线二者都被设置在所述多个第一数据线组或所述多个第二数据线组内。
21.根据权利要求17所述的电致发光显示设备，其中，所述第一数据线组中的空间和所述第二数据线组中的空间根据设置在其中的信号线的宽度来确定。
22.根据权利要求21所述的电致发光显示设备，
其中，所述公共线的宽度比所述阳极线的宽度宽，并且
其中，包含所述公共线的所述第一数据线组或所述第二数据线组的空间比包含所述阳极线的所述第一数据线组或所述第二数据线组的空间大。
23.根据权利要求17所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括：与所述公共线交叠的辅助公共线以及与所述阳极线交叠的辅助阳极线。
24.根据权利要求23所述的电致发光显示设备，
其中，所述公共线和所述辅助公共线当中的一种线由实心信号线形成，并且
其中，所述公共线和所述辅助公共线当中的另一种线由多个岛电极形成。
25.根据权利要求17所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括：
多个子像素电极，所述多个子像素电极被电连接到所述多个子像素电路单元；以及
多条像素电极公共线，所述多条像素电极公共线被配置为将所述多条公共线电互连，并且沿着所述第一方向延伸，
其中，所述多个子像素电极具有沿着所述第二方向的宽度比沿着所述第一方向的宽度宽的形状，并且
其中，所述多个子像素电极和所述多条像素电极公共线沿着所述第二方向交替设置。
26.一种设备，该设备包括：
多个像素的阵列，所述多个像素的阵列中的每个像素具有针对顶部发光型电致发光显示设备配置的四个子像素，每个子像素具有子像素电极和与所述子像素电极连接的子像素电路单元，从而每个像素具有四个子像素电路单元；
以2×2矩阵布置的所述四个子像素电路单元，所述四个子像素电路单元具有形成上对的第一子像素电路单元和第二子像素电路单元以及形成下对的第三子像素电路单元和第四子像素电路单元；
选通线，所述选通线在行方向上穿行在上对子像素电路单元与下对子像素电路单元之间，并且分别电连接到所述四个子像素电路单元；
第一数据线，所述第一数据线在列方向上沿着所述第一子像素电路单元和所述第四子像素电路单元穿行，并且电连接到所述第一子像素电路单元；
第二数据线，所述第二数据线在所述列方向上沿着所述第二子像素电路单元和所述第三子像素电路单元穿行，并且电连接到所述第二子像素电路单元；以及
第三数据线和第四数据线，所述第三数据线和所述第四数据线在所述列方向上穿行在所述第一子像素电路单元与所述第二子像素电路单元之间以及所述第三子像素电路单元与所述第四子像素电路单元之间，并且分别电连接到所述第三子像素电路单元和所述第四子像素电路单元。
27.根据权利要求26所述的设备，该设备还包括：
阳极线，所述阳极线在所述列方向上穿行在相邻的子像素电路单元之间；以及
扩展单元，所述扩展单元在所述行方向上延伸并且将该阳极线与一个像素的第三子像素电路单元和第四子像素电路单元以及在所述列方向上与该一个像素相邻的不同像素的第一电路单元和第二电路单元电互连。
28.根据权利要求26所述的设备，该设备还包括：
至少一条信号线，所述至少一条信号线沿着所述列方向延伸，并且被插置在一个像素的第一数据线与在所述行方向上与所述一个像素相邻的不同像素的第二数据线之间的第一区域中，被插置在一个像素的第三数据线与第四数据线之间的第二区域中，或者被插置在所述第一区域与所述第二区域二者中。
29.根据权利要求28所述的设备，其中，所述至少一条信号线是公共线、阳极线、参考电压线、触摸感测线、外部补偿线、放电线和初始线当中的至少一者。
30.根据权利要求29所述的设备，其中，所述多个像素的阵列的所述第一区域以交替方式具有所述公共线或所述阳极线。
31.根据权利要求29所述的设备，其中，所述第一区域具有所述公共线，并且所述第二区域具有所述阳极线。
32.一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备包括：
像素电路单元，所述像素电路单元包括多个四倍型子像素电路单元；
选通线，所述选通线被设置在所述多个子像素电路单元之间，并且沿着第一方向延伸；
第一数据线组，所述第一数据线组包括设置在所述像素电路单元的两侧处的第一对数据线，并且沿着第二方向延伸；
第二数据线组，所述第二数据线组包括设置在所述子像素电路单元之间的第二对数据线，并且沿着所述第二方向延伸；
像素电极，所述像素电极位于所述涂覆绝缘层上；
公共线和阳极线，所述公共线和所述阳极线被设置在所述第一数据线组的所述第一对数据线之间，并且沿着所述第一方向设置；
涂覆绝缘层，所述涂覆绝缘层在所述至少一个像素电路单元和所述至少一条公共线上；以及
像素电极公共线，所述像素电极公共线被设置在多个像素电极之间，并且沿着所述第一方向延伸，
其中，所述像素电极公共线与多条公共线电连接，并且
其中，所述选通线与所述第一数据线组和所述第二数据线组交叉。
33.根据权利要求32所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括：连接电极，所述连接电极被设置在所述公共线与所述公共电极之间，并且其中，所述像素电极公共线与所述连接电极直接接触。
34.根据权利要求33所述的电致发光显示设备，其中，所述像素电极公共线包括与所述连接电极相同的材料。
35.根据权利要求32所述的电致发光显示设备，其中，所述像素电极公共线包括与所述像素电极相同的材料。
36.根据权利要求32所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括辅助公共线和辅助阳极线。
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