TWI810771B - 發光顯示裝置與包含其的多螢幕顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種發光顯示裝置，包含多個像素、電路層、發光裝置層、共用電極連接部及內隔離部。這些像素在基板之上沿第一方向與第二方向排列，且第二方向不同於第一方向。電路層包含像素共用電壓線，像素共用電壓線平行第二方向並沿第一方向設置於像素之間。發光裝置層包含自發光裝置及共用電極，自發光裝置設置於電路層之上，且共用電極設置於自發光裝置之上。共用電極連接部將像素共用電壓線電性耦接到共用電極。內隔離部圍繞共用電極連接部並將設置於內隔離部之上的自發光裝置隔離開來。

Description

發光顯示裝置與包含其的多螢幕顯示裝置

本發明涉及一種發光顯示裝置與包含其的多螢幕顯示裝置。

作為自體發光顯示裝置的發光顯示裝置不像是液晶顯示(LCD)裝置，其不需要獨立的光源，因此可被製造得輕薄。並且，發光顯示裝置被低電壓驅動因此減少功耗。再者，發光顯示裝置在色彩實現、響應時間、視角與對比度上皆表現良好，因此作為下一世代的發光顯示裝置吸引許多注目。

發光顯示裝置基於發光裝置層的發光來顯示影像，發光裝置層包含介於兩個電極之間的發光裝置。在此情況下，由發光裝置所發射的光透過電極與基板釋放到外界。

發光顯示裝置包含被實現來顯示影像的顯示面板。顯示面板可包含顯示區、封裝層、壩部以及邊框區，顯示區包含用來顯示影像的像素，封裝層包含設置於顯示區內的有機封裝層，壩部避免封裝層的擴散，而邊框區圍繞顯示區。

相關領域的發光顯示裝置可能需要邊框（或機構）來遮擋設置於顯示面板之邊緣（或周邊部）的邊框區，且因為邊框本身的寬度，邊框寬度可能會增加。並且，在發光顯示裝置的邊框寬度大量減少的情況下，可能因為水分滲透造成發光裝置劣化而降低顯示面板的可靠性，且可能因為未填充有機封裝層或有機封裝層溢出而降低顯示面板的可靠性。

近來，多螢幕發光顯示裝置已被尚業化，藉由將發光顯示裝置排列成格柵類型來實現大螢幕。

然而，在相關領域的多螢幕發光顯示裝置中，因為每一個發光顯示裝置的邊框區或邊框，在鄰近的發光顯示裝置之間形成有例如接縫的邊界部分。當影像顯示於多螢幕發光顯示裝置的整個螢幕上時，邊界部分可造成影像斷開（或不連續）的感覺，為此，可能降低影像觀看者的沉浸感。

因此，本發明旨在提供發光顯示裝置以及包含其的多螢幕顯示裝置，實質上消除由於相關領域的限制和缺點導致的一或多個問題。

本發明之一態樣旨在提供發光顯示裝置與包含其的多螢幕顯示裝置，具有零邊框寬度且將水分滲透所造成發光顯示面板可靠性的降低最小化。

本發明之另一態樣旨在提供發光顯示裝與包含其的多螢幕顯示裝置，具有零邊框寬度且透過共用電極與像素共用電壓線之間的連接部來將水分滲透所造成發光顯示面板可靠性的降低最小化。

本發明的額外優點與特徵將部分地在以下的說明中闡述，且將部分地對本領域技術人員在檢驗以下內容後變得顯而易見或可從本發明的實踐中了解。

可藉由書面敘述及其申請專利範圍和圖式中特別指出的結構來實現與獲得本發明的目的與其他優點。

為了達成這些與其他優點並根據本發明的目的，如於此所實施和廣泛描述的，一種發光顯示裝置包含多個像素、一電路層、一發光裝置層、多個共用電極連接部以及一內隔離部，這些像素在一基板之上沿一第一方向以及一第二方向排列，且第二方向不同於第一方向，電路層包含像素共用電壓線，像素共用電壓線平行於第二方向並沿第一方向設置於像素之間，發光裝置層包含一自發光裝置以及一共用電極，自發光裝置設置於電路層之上，且共用電極設置於自發光裝置之上，共用電極連接部將像素共用電壓線電性耦接到共用電極，而內隔離部圍繞共用電極連接部並將設置於內隔離部之上的自發光裝置隔離開來。

在本發明的另一態樣中，一種多螢幕顯示裝置包含多個顯示裝置，這些顯示裝置沿一第一方向以及一第二方向當中的至少一方向設置，其中第二方向不同於第一方向，每一個顯示裝置包含一發光顯示裝置，且發光顯示裝置包含多個像素、一電路層、一發光裝置層、多個共用電極連接部以及一內隔離部，這些像素在一基板之上沿第一方向與第二方向排列，電路層包含像素共用電壓線，像素共用電壓線平行於第二方向並沿第一方向設置於像素之間，發光裝置層包含一自發光裝置以及一共用電極，自發光裝置設置於電路層之上，且共用電極設置於自發光裝置之上，共用電極連接部將像素共用電壓線電性耦接到共用電極，而內隔離部圍繞共用電極連接部並將設置於內隔離部之上的自發光裝置隔離開來。

其他示例性實施例的細節可被包括在本發明的詳細說明與圖式中。

本發明之一實施例可提供發光顯示裝置與包含其的多螢幕顯示裝置，具有零邊框寬度且將水分滲透所造成發光顯示面板可靠性的降低最小化。

本發明之一實施例可提供發光顯示裝置與包含其的多螢幕顯示裝置，具有零邊框寬度且透過共用電極與像素共用電壓線之間的連接部來將水分滲透所造成發光顯示面板可靠性的降低最小化。

應理解本發明的前述一般說明與以下詳細說明皆為示例性和解釋性的，且旨於對所請求的本發明提供進一步的解釋。

以上關於本發明內容的說明及以下實施方式的說明係用以示範與解釋本發明的原理，並且提供本發明的專利申請範圍更進一步的解釋。

茲將詳細參考本發明的實施例，其示例可在圖式中示出。在以下的說明中，當與本文相關的周知功能或配置的詳細說明被確定為不必要地模糊本發明概念的要點時，將省略其詳細說明。所描述的處理步驟與/或操作的進展為一示例，然而除了必需以特定順序發生的步驟與/或操作之外，步驟與/或操作的順序不以於此所闡述的為限，而可如本領域中所知的改變。相似的參考標註始終指代相似的元件。在以下說明中僅為了方便撰寫說明書來選擇所使用的各個元件的名稱，因而可能與實際產品中所使用的不同。

透過以下參照圖式所描述的實施例，將闡明本發明的優點和特徵及其實現方法。然而，本發明可以用不同的形式體現並且不應被解釋成限定於在此闡述的實施例。相反地，提供這些實施例是為了透徹與完整本發明，並將本發明的範圍充分地傳達給本領域技術人員。

用於描述本發明實施例圖式中所揭露的形狀、尺寸、比例、角度和數量僅為示例，因而本發明的實施例不以示出的細節為限。相似的參考標註始終指代相似的元件。在以下的說明中，當與本文相關的周知功能或配置的詳細說明被確定為不必要地模糊本發明概念的要點時，將省略其詳細說明。在使用本說明書中所描述的「包含」、「具有」與「含有」的情況下，除非使用「僅」，否則可添加另一部分。除非另有說明，否則單數形式可包含複數形式。

在解釋元件時，儘管沒有明確描述，但仍將此元件解釋為包含誤差範圍。

舉例來說，在描述位置關係時，當兩個元件之間的位置關係被描述為「上」、「之上」、「之下」與「下一個」時，除非使用「僅」或「直接」等更加限制的用語，否則在此兩個元件之間可設置一或多個其他部件。

舉例來說，在描述時間關係時，當時間順序被描述為例如「之後」、「接著」、「下一個」與「之前」時，除非使用「僅」、「立即」或「直接」等更加限制的用語，否則可包含不連續的情況。

將理解的是，儘管「第一」、「第二」等用語可於此用來描述各種元件，但這些元件不應受到這些用語的限制。這些元件僅用來將一個元件與另一個元件區隔開來。舉例來說，在不脫離本發明範圍的情況下，第一元件可被稱為第二元件，且類似地第二元件可被稱為第一元件。

在描述本發明的元件時，可使用如第一、第二、A、B、(a)、(b)等用語。這些用語僅用來將對應的元件與其他元件區分開來，且對應元件在其本質、順序或優先級別不受這些用語的限制。應當理解當一個元件或層被稱為在另一個元件或層「上」或「耦接到」另一個元件或層時，可直接在另一個元件或層上或直接耦接到另一個元件或層，或可呈現出中間的元件或層。並且，應當理解當一個元件設置於另一元件上或下時，可以表示元件設置成彼此直接接觸的情況，但可表示元件設置成彼此不直接接觸的情況。

用語「至少一」應被理解成包含一或多個相關聯的所列元件之任何與所有組合。舉例來說，「第一元件、第二元件與第三元件中的至少一者」的含義表示從第一元件、第二元件與第三元件中的兩者以上連同第一元件、第二元件或第三元件提出全部元件的組合。

於此所使用的用語「圍繞」包含至少部分地圍繞以及完全地圍繞一或多個相關聯的元件。類似地，於此所使用的用語「覆蓋」包含至少部分地覆蓋以及完全地覆蓋一或多個相關聯的元件。舉例來說，如果封裝層圍繞壩部，可理解為封裝層至少部分地圍繞壩部。然而，在部分實施例中，封裝層可完全地圍繞壩部。於此所使用的用語「圍繞」的含義可基於相關聯的圖式與實施例進一步地說明。在本發明中，使用用語「圍繞」、「至少部分地圍繞」、「完全圍繞」等等。根據上述闡述的「環繞」定義，當在實施例中僅使用用語「圍繞」時，可意味著至少部分地圍繞或完全地圍繞一或多個相關聯的元件。這用樣適用於用語「覆蓋」。

如本領域技術人員可充分理解的，本發明各種實施例的特徵可部分地或整體地彼此耦接或組合，並可以多種方式彼此交互操作並且在技術上被驅動。本發明的實施例可彼此獨立地進行，或可相互依存地一同進行。

以下將參照圖式詳細描述本發明的實施例。在為每張圖式的元件添加參考標註時，雖然在其他圖式中示出了相同的元件，但相似的參考標註可指代相似的元件。並且為了方便說明，圖式中所示出的每個元件的比例與實際比例不同，因而不限於圖式中所示出的比例。

圖1係繪示有根據本發明之一實施例之發光顯示裝置的平面圖。

參照圖1，根據本發明之一實施例的發光顯示裝置10（或顯示面板）可包含一基板100，基板100包含一顯示區AA以及多個像素P，這些像素P位於基板100的顯示區AA內。

基板100可被稱為第一基板、襯底基板或像素陣列基板。基板100可為玻璃基板，或可為能夠彎曲或具有彈性的薄玻璃基板或塑膠基板。

基板100的顯示區AA可為顯示影像的區域，且可被稱為主動部、主動區、顯示部或顯示螢幕。顯示區AA的尺寸可相同於或實際上相同於基板100（或發光顯示裝置或顯示面板）的尺寸。舉例來說，顯示區AA的尺寸可相同於基板100之第一表面的總尺寸。因此，顯示區AA可被實現（或設置）在基板100的整個前表面上，因此基板100可不包含沿第一表面的周邊部（或邊緣部）設置以圍繞全部顯示區AA的不透明非顯示部分。如此一來，發光顯示裝置的整個前表面可被實現為顯示區AA。

顯示區AA的端部或（或最外部）可重疊於或可實質上對齊於基板100的外表面OS。舉例來說，相對於發光顯示裝置的厚度方向Z，顯示區AA的側面（或端線）可實質上對齊於從基板100的外表面OS垂直延伸的垂直延伸線。顯示區AA的側面可不被獨立機構圍繞，且可僅鄰接環境空氣。舉例來說，顯示區AA的全部側面可被設置在直接接觸空氣而不被獨立機構圍繞的結構中。因此，對應到顯示區AA的端部的基板100的外表面OS可僅被空氣圍繞（或鄰接環境空氣），因此根據本發明一實施例的發光顯示裝置可具有顯示區AA的端部（或側面）被空氣而非被不透明非顯示區圍繞的空氣邊框結構或非邊框結構（或歸零邊框(zeroized bezel)）。

像素P可被排列（或設置）於基板100的顯示區AA，以沿第一方向X與第二方向Y具有第一間隔D1。舉例來說，第一方向X可橫穿（或交叉或跨越）第二方向Y。第一方向X可為基板100或發光顯示裝置的寬度方向、水平方向或第一長度方向（如，橫向長度方向）。第二方向Y可為基板100或發光顯示裝置的長度方向、垂直方向或第二長度方向（如直向長度方向）。

每一個像素可被實現在由基板100的顯示區AA上所定義的多個像素區上。每一個像素P可具有平行於第一方向X的第一長度L1以及平行於第二方向Y的第二長度L2。第一長度L1可相同於第二長度L2或第一間隔D1。第一長度L1與第二長度L2可相同於第一間隔D1。因此，像素P（或像素區）皆可具有相同尺寸。

沿第一方向X與第二方向Y彼此鄰近的兩個像素P可具有相同的第一間隔D1而沒有製造製程的誤差範圍。第一間隔D1可為兩個鄰近像素P之間的間距(pitch)（或像素間距）。舉例來說，像素的第一長度L1或第二長度L2可被稱為像素間距。舉例來說，第一間隔D1（或像素間距）可為兩個鄰近像素P的中心部之間的距離（或長度）。舉例來說，第一間隔D1（或像素間距）可為兩個鄰近像素P的中心部之間的最短距離（或最短長度）。

根據一實施例的每一個像素P可包含一電路層以及一發光裝置層，電路層包含實現於基板100上的像素區中的一像素電路，且發光裝置層設置於電路層並耦接到像素電路。像素電路響應從設置於像素區中的像素驅動線所供應的資料訊號與掃描訊號，輸出對應於資料訊號的資料電流。發光裝置層可包含一自發光裝置，自發光裝置藉由從像素電路所供應的資料電流來發光。將於以下說明像素驅動線、像素電路與發光裝置層。

像素P可被劃分（或分類）成最外像素Po以及內部像素Pi（或內像素）。

最外像素Po可為像素P當中設置得最靠近基板100之外表面OS的像素。

介於每一個最外像素Po的中心部與基板100的外表面OS之間的第二間隔D2可為第一間隔D1的一半以下。舉例來說，第二間隔D2可為最外像素Po的中心部與基板100的外表面OS之間的距離（或長度）。舉例來說，第二間隔D2可為最外像素Po的中心部與基板100的外表面OS之間的最短距離（或最短長度）。

當第二間隔D2大於第一間隔D1時，基板100可具有比顯示區AA大第一間隔D1之一半與第二間隔D2之間的差異區域的尺寸，因而在最外像素Po之一端與基板100的外表面OS之間的區域可被配置成圍繞全部顯示區AA的非顯示區。舉例來說，當第二間隔D2大於第一間隔D1的一半時，基板100可基於圍繞全部顯示區AA的非顯示區必需包含邊框區。另一方面，當第二間隔D2為第一間隔D1的一半以下時，每一個最外像素Po的一端可對齊（或設置）於基板100的外表面OS，或顯示區AA的端部可對齊（或設置）於基板100的外表面OS，因而顯示區AA可被實現（或設置）在基板100的整個前表面上。

內部像素Pi可為像素P當中除了最外像素Po之外的像素，或可為像素P當中被最外像素Po圍繞的像素。內部像素Pi（或第二像素）可被實現為具有不同於最外像素Po（或第一像素）的配置或結構。

根據本發明之一實施例的發光顯示裝置10（或顯示面板）更可包含墊部110。

墊部110可為第一墊部或前墊部。墊部110可包含多個墊件，以接收來自驅動電路部的資料訊號、閘極控制訊號、像素驅動電力、參考電壓與像素共用電壓，或其相似者。

墊部110可被包含在平行於第一方向X的第一基板100的第一表面的第一周邊部處所設置的最外像素Po內。也就是說，設置於第一基板100之第一周邊部的最外像素Po可包含至少一個墊件。因此，墊件可設置於或被包含在顯示區AA內，因此基於墊部110的非顯示區（或邊框區）可不形成於或可不在第一基板100上。因此，最外像素Po（或第一像素）可包含墊部110，因此可被實現成具有與不含有墊部110之內部像素Pi（或第二像素）不同的配置或結構。

舉例來說，當墊部110不設置於最外像素Po內且設置於最外像素Po與第一基板100的外表面OS之間時，基板100可包含對應到設置有墊部110之區域的非顯示區（或非顯示部），且因為這個非顯示區，最外像素Po與基板100的外表面OS之間的第二間隔D2可比第一間隔D1的一半還大，全部的基板100可不被實現為顯示區AA，而需要用來覆蓋非顯示區的獨立邊框（或獨立結構）。另一方面，根據本發明之一實施例的墊部110可設置於最外像素Po與基板100的外表面OS之間，以被包含在最外像素Po內，因此基於墊部110的非顯示區（或邊框區）可不形成於或不在最外像素Po與基板100的外表面OS之間。

根據本發明之一實施例的發光顯示裝置10（或顯示面板）更可包含設置於顯示區AA中的閘極驅動電路150。

閘極驅動電路150可設置於顯示區AA中，以將掃描訊號（或閘極訊號）供應給設置於基板100上的像素P。閘極驅動電路150可同時將掃描訊號供應給設置在平行於第一方向X的水平線上的像素P。舉例來說，閘極驅動電路150可透過至少一閘極線將至少一掃描訊號供應給設置於一個水平線上的像素P。

根據一實施例的閘極驅動電路150可用含有多個級電路單元(stage circuit unit)的移位暫存器來實現。也就是說，根據本發明之一實施例的顯示裝置可包含設置於基板100的顯示區AA內的一移位暫存器，以將掃描訊號供應給像素P。

每一個級電路單元可包含多個分支電路，這些分支電路在第一方向上在基板100的每一個水平線上彼此隔開排列。每一個分支電路可包含至少一個薄膜電晶體(TFT)（或分支TFT），且可設置在第一方向X上的一個水平線上的一或多個像素P（或像素區）的兩個鄰近像素之間。基於在顯示區AA中的像素P之間彼此隔開設置的閘極控制線所供應的閘極控制訊號，每一個級電路單元可透過分支電路的驅動來產生掃描訊號，且可將掃描訊號供應給對應的水平線中所排列的像素P。

根據本發明之一實施例的發光顯示裝置10（或顯示面板）更可包含一壩部104。

壩部104可被實現在基板100的周邊部，或可被實現在顯示區AA中所設置的每一個最外像素Po的周邊部。舉例來說，壩部104可設置成在每一個最外像素Po的中心部與基板100的外表面OS之間具有封閉環線形狀（或封閉環形）。因此，最外像素Po可包含壩部104，因而可被實現為與不含有壩部104的內部像素Pi不同的結構或配置。壩部104可在每一個最外像素Po的周邊部避免發光裝置層上所設置的封裝層的有機封裝層的擴散或溢流。

根據本發明之一實施例的發光顯示裝置10（或顯示面板）更可包含一外裝置隔離部105。

外裝置隔離部105可被實現在基板100的周邊部，或可被實現在顯示區AA中所設置的每一個最外像素Po的周邊部。舉例來說，外裝置隔離部105可設置得鄰近或靠近壩部104。舉例來說，外裝置隔離部105可設置於每一個最外像素Po的周邊部，以具有被壩部104圍繞或圍繞壩部104的封閉環線形狀（或封閉環形）。如此一來，最外像素Po可包含外裝置隔離部105，因而可被實現為與不含有外裝置隔離部105的內部像素Pi不同的結構或配置。在以下說明中，外裝置隔離部105可被稱為外隔離部105。

根據一實施例的外隔離部105可將每一最外像素Po的周邊部或鄰近或靠近壩部104的發光裝置層隔離開來（或斷開），以阻擋側向水分滲透路徑，從而避免或最小化因水分（或濕氣）的側向滲透所導致的發光裝置層之可靠度的減少。舉例來說，外隔離部105可被稱為如外界水分滲透阻擋部、外界水分滲透避免部或外界簷結構等用語。

根據一實施例的外隔離部105可包含至少兩個隔離結構。舉例來說，外隔離部105可包含第一到第三隔離結構，第一到第三隔離結構平行排列以具有封閉環線形狀。根據一實施例之至少兩個隔離結構當中的每一者可包含用來隔離（或斷開）發光裝置層的簷結構。舉例來說，至少兩個隔離結構當中的每一者可包含藉由絕緣層上方的絕緣層與金屬圖案層（或金屬層）所實現的簷結構。

根據一實施例，至少二隔離結構的一部分可被壩部104圍繞，且至少二隔離結構的其餘部分可圍繞壩部104。舉例來說，壩部104可設置於至少二隔離結構之間。

圖2A係繪示有根據圖1中所繪示之本發明之一實施例之像素的示意圖，圖2B係繪示有根據圖1中所繪示之本發明之另一實施例之像素的示意圖，且圖2C係繪示有根據圖1中所繪示之本發明之另一實施例之像素的示意圖。

參照圖1與圖2A，根據本發明之一實施例的一個像素P（或單位像素）可包含第一到第四子像素SP1~SP4。

第一子像素SP1可設置於像素區PA的第一子像素區中，第二子像素SP2可設置於像素區PA的第二子像素區中，第三子像素SP3可設置於像素區PA的第三子像素區中，且第四子像素SP4可設置於像素區PA的第四子像素區中。

根據一實施例的第一到第四子像素SP1~SP4可設置成2×2形式或四邊形結構。第一到第四子像素SP1~SP4可各自包含多個發射區EA1~EA4以及多個電路區CA1~CA4。舉例來說，發射區EA1~EA4可被稱為開口區、開口部或發射部。

第一到第四子像素SP1~SP4各自的發射區EA1~EA4具有均勻的四邊形結構，以具有相同尺寸（或相同面積）的正方形形狀。根據一實施例，具有均勻四邊形結構的發射區EA1~EA4當中的每一者可設置得靠近對應子像素區內的像素P的中心部CP以具有比像素P的四等分區域當中的每一者還小的尺寸，或可設置成集中在像素P的中心部CP。根據另一實施例，具有均勻四邊形結構的發射區EA1~EA4當中的每一者可設置於所述對應子像素區的中心部CP以具有比像素P的四等分區域當中的每一者還小的尺寸。

參照圖1與圖2B，根據另一實施例的第一到第四子像素SP1~SP4當中的每一者可具有不同尺寸的非均勻四邊形結構。舉例來說，第一到第四子像素SP1~SP4各自的發射區EA1~EA4當中的每一者可具有不同尺寸的非均勻四邊形結構。

可基於解析度、發射效率或圖像品質來設置具有非均勻四邊形結構的第一到第四子像素SP1~SP4當中的每一者的尺寸。根據另一實施例，當發射區EA1~EA4具有非均勻四邊形結構時，在第一到第四子像素SP1~SP4的發射區EA1~EA4當中，第四子像素SP4的發射區EA4可具有最小的尺寸，且第三子像素SP3的發射區EA3可具有最大的尺寸。舉例來說，具有非均勻四邊形結構的第一到第四子像素SP1~SP4各自的發射區EA1~EA4當中的每一者可設置成集中在像素P的中心部CP的周圍（或鄰近或附近）。

參照圖1與圖2C，根據另一實施例的第一到第四子像素SP1~SP4當中的每一者可具有1×4形式或均勻條狀結構。舉例來說，第一到第四子像素SP1~SP4的發射區EA1~EA4可具有1×4形式或均勻條狀結構。

具有均勻條狀結構的第一到第四子像素SP1~SP4的發射區EA1~EA4可各自具有包含短邊平行於第一方向X且長邊平行於第二方向Y的矩形形狀。

根據一實施例，具有均勻條狀結構的發射區EA1~EA4當中的每一者可設置成靠近對應子像素區內的像素P的中心部CP以具有比像素P的四等分區域當中的每一者還小的尺寸，或可設置成集中在像素P的中心部CP。

根據另一實施例，具有均勻條狀結構的發射區EA1~EA4當中的每一者可設置於所述對應子像素區的中心部CP以具有比像素P的四等分區域當中的每一者還小的尺寸。

根據另一實施例，具有均勻條狀結構的發射區EA1~EA4當中的每一者可設置於整個所述對應子像素區以具有與像素P的四等分區域當中的每一者相同的尺寸。

或者，第一到第四子像素SP1~SP4各自的發射區EA1~EA4當中的每一者可具有不同尺寸的非均勻條狀結構。根據一實施例，當發射區EA1~EA4具有非均勻條狀結構時，在第一到第四子像素SP1~SP4的發射區EA1~EA4當中，第四子像素SP4的發射區EA4可具有最小的尺寸，且第三子像素SP3的發射區EA3可具有最大的尺寸，但本發明的實施例不以此為限。

參照圖2A與圖2B，第一到第四子像素SP1~SP4各自的電路區CA1~CA4可設置於發射區EA1~EA4的對應發射區的周圍（或鄰近或附近）。每一個電路區CA1~CA4可包含用來使第一到第四子像素SP1~SP4之對應子像素發射的像素驅動線以及像素電路。舉例來說，電路區CA1~CA4可被稱為非發射區、非開口區、非發射部、非開口部或周邊部。

或者，為了增加對應到發射區EA1~EA4之尺寸之子像素SP1~SP4的開口率，或為了隨著越高的像素P的解析度而減少像素間隔D1，第一到第四子像素SP1~SP4的發射區EA1~EA4可延伸到電路區CA1~CA4以重疊於部分或全部的電路區CA1~CA4。舉例來說，因為第一到第四子像素SP1~SP4的發射區EA1~EA4具有頂部發光結構，每一個發射區EA1~EA4可被排列成重疊於電路區CA1~CA4的對應電路區。在此情況下，每一個發射區EA1~EA4可具有大於等於對應電路區CA1~CA4的尺寸。

在圖2A到圖2C中，第一子像素SP1可被實現成發射第一顏色的光，第二子像素SP2可被實現成發射第二顏色的光，第三子像素SP3可被實現成發射第三顏色的光，且第四子像素SP4可被實現成發射第四顏色的光。舉例來說，第一到第四顏色可各自不相同。作為一實施例，第一顏色可為紅色，第二顏色可為藍色，第三顏色可為白色，且第四顏色可為綠色。作為另一實施例，第一到第四顏色當中的一部分可為相同。舉例來說，第一顏色可為紅色，第二顏色可為第一種綠色，第三顏色可為第二種綠色，且第四顏色可為藍色。

可選地，具有均勻條狀結構或非均勻條狀結構的第一到第四子像素SP1~SP4當中，可省略被實現為發射白光的白色子像素。

圖3係圖1中所繪示之區域A的放大圖，且圖4係繪示有圖1與圖3中所繪示之像素的等效電路圖。

參照圖1、圖3與圖4，根據本發明之一實施例的基板100可包含像素驅動電力線DL、GL、PL、CVL、RL、GCL、多個像素P、共用電極CE、多個共用電極連接部CECP、多個內裝置隔離部103、壩部104、外裝置隔離部105以及墊部110。

像素驅動電力線DL、GL、PL、CVL、RL、GCL可包含多個資料線DL、多個閘極線GL、多個像素驅動電力線PL、多個像素共用電壓線CVL、多個參考電壓線RL以及閘極控制線GCL。

資料線DL可沿第二方向Y延長，且可在基板100的顯示區AA中沿第一方向X設置成以一預定間隔彼此隔開。舉例來說，在資料線DL中，奇數資料線DLo可設置於沿第二方向Y排列於基板100之像素區PA當中的每一者的第一周邊部，而偶數資料線DLe可設置於沿第二方向Y排列於基板100之像素區PA當中的每一者的第二周邊部，但本發明的實施例不以此為限。

閘極線GL可沿第一方向X延長，且可在基板100的顯示區AA中沿第二方向Y設置成以一預定間隔彼此隔開。舉例來說，閘極線GL的奇數閘極線GLo可設置於沿第一方向X排列於基板100之像素區PA當中的每一者的第三周邊部。閘極線GL的偶數閘極線GLe可設置於沿第一方向X排列於基板100之像素區PA當中的每一者的第四周邊部，但本發明的實施例不以此為限。

像素驅動電力線PL可沿第二方向Y延長，且可在基板100的顯示區AA中沿第一方向X設置成以一預定間隔彼此隔開。舉例來說，在像素驅動電力線PL中，奇數的像素驅動電力線PL可相對於第一方向X設置於奇數像素區PA的第一周邊部，而偶數的像素驅動電力線PL可相對於第一方向X設置於偶數像素區PA的第二周邊部，但本發明的實施例不以此為限。

這些像素驅動電力線PL中的兩個鄰近的像素驅動電力線PL可耦接到在第二方向Y上所排列的每一個像素區PA中所設置的多個電力分享線PSL。舉例來說，像素驅動電力線PL可藉由電力分享線PSL彼此電性耦接，因此可具有階梯結構或網狀結構。像素驅動電力線PL可具有階梯結構或網狀結構，因此可避免或最小化因為每一個像素驅動電力線PL的線路電阻所導致的像素驅動電力的壓降（IR壓降）。如此一來，根據本發明之一實施例的發光顯示裝置可避免或最小化因為供應給排列於顯示區AA之每一個像素P的像素驅動電力的偏差所導致的圖像品質劣化。

每一個電力分享線PSL可平行於第一方向X從相鄰的像素驅動電力線分支，且可設置於每一個像素區PA的中間區域中，但本發明的實施例不以此為限。

像素共用電壓線CVL可沿第二方向Y延長，且可在基板100的顯示區AA中沿第一方向X設置成以一預定間隔彼此隔開。舉例來說，每一個像素共用電壓線CVL可相對於第一方向X設置於奇數像素區PA的第一周邊部。

參考電壓線RL可沿第二方向Y延長，且可在基板100的顯示區AA中沿第一方向X設置成以一預定間隔彼此隔開。舉例來說，每一個參考電壓線RL可設置於沿第二方向Y所排列之每一個像素區PA的中心區域。

每一個參考電壓線RL可由每個像素區PA中沿第一方向X的兩個鄰近子像素((SP1, SP2)、(SP3, SP4))所共享。為此，每一個參考電壓線RL可包含一參考分支線RDL。參考分支線RDL可在每個像素區PA中沿第一方向X分支（或凸出）到兩個鄰近子像素((SP1, SP2)、(SP3, SP4))，且可電性耦接到這兩個鄰近子像素((SP1, SP2)、(SP3, SP4))。

每一個閘極控制線GCL可沿第二方向Y延長，且可在基板100的顯示區AA中沿第一方向X設置成以一預定間隔彼此隔開。舉例來說，每一個閘極控制線GCL可相對於第一方向X設置於兩個鄰近像素區PA之間的邊界區域或這些像素區PA之間。

每一個像素P可包含至少三個子像素。舉例來說，每一個像素P可包含第一到第四子像素SP1~SP4。

第一到第四子像素SP1~SP4當中的每一者可包含一像素電路PC以及一發光裝置層。

根據一實施例的像素電路PC可設置於像素區PA的電路區中，且可耦接到與其鄰近的閘極線GLo或GLe、與其鄰近的資料線DLo或DLe以及像素驅動電力線PL。舉例來說，在第一子像素SP1中所設置的像素電路PC可耦接到奇數的資料線DLo與奇數的閘極線GLo，在第二子像素SP2中所設置的像素電路PC可耦接到偶數的資料線DLe與奇數的閘極線GLo，在第三子像素SP3中所設置的像素電路PC可耦接到奇數的資料線DLo與偶數的閘極線GLe，且在第四子像素SP4中所設置的像素電路PC可耦接到偶數的資料線DLe與偶數的閘極線GLe。

第一到第四子像素SP1~SP4當中的每一者的像素電路PC可響應從對應閘極線GLo或GLe所供應的掃描訊號，來對從對應資料線DLo或DLe所供應的資料訊號進行採樣，且可基於所採樣的資料訊號來控制從像素驅動電力線PL流向發光裝置層的電流。

根據一實施例的像素電路PC可包含一第一切換薄膜電晶體Tsw1、一第二切換薄膜電晶體Tsw2、一驅動薄膜電晶體Tdr以及一儲存電容器Cst，但本發明的實施例不以此為限。在以上的說明中，薄膜電晶體可被稱為TFT。

第一切換薄膜電晶體Tsw1可包含耦接到對應閘極線GL(GLo或GLe)的閘極電極、耦接到對應資料線DL(DLo或DLe)的第一源極/汲極電極以及耦接到驅動薄膜電晶體Tdr之閘極節點n1的第二源極/汲極電極。第一切換薄膜電晶體Tsw1可藉由透過對應閘極線GL(GLo或GLe)所供應的掃描訊號而被開啟，且可將透過對應資料線DL(DLo或DLe)所供應的資料訊號傳輸到驅動薄膜電晶體Tdr的閘極節點n1。

第二切換薄膜電晶體Tsw2可包含耦接到對應閘極線GL(GLo或GLe)的閘極電極、耦接到驅動薄膜電晶體Tdr之源極節點n2的第一源極/汲極電極以及耦接到對應參考電壓線RL的第二源極/汲極電極。第二切換薄膜電晶體Tsw2可藉由透過對應閘極線GL(GLo或GLe)所供應的掃描訊號而被開啟，且可將透過對應參考電壓線RL所供應的參考電壓傳輸到驅動薄膜電晶體Tdr的源極節點n2。舉例來說，第二切換薄膜電晶體Tsw2可與第一切換薄膜電晶體Tsw1同時被開啟。

可在驅動薄膜電晶體Tdr的閘極節點n1與源極節點n2之間形成儲存電容器Cst。根據一實施例的儲存電容器Cst可包含一第一電容器電極、一第二電容器電極以及一介電層，第一電容器電極耦接到驅動薄膜電晶體Tdr的閘極節點n1，第二電容器電極耦接到驅動薄膜電晶體Tdr的源極節點n2，且介電層形成於第一電容器電極與第二電容器電極之間的重疊區域中。可利用驅動薄膜電晶體Tdr的閘極節點n1與源極節點n2之間的電壓差來對儲存電容器Cst充電，接著可基於其充電電壓開啟或關閉驅動薄膜電晶體Tdr。

驅動薄膜電晶體Tdr可包含一閘極電極（或閘極節點n1）、一第一源極/汲極電極（或源極節點n2）以及一第二源極/汲極電極（或汲極節點），閘極電極（或閘極節點n1）共同耦接到第一切換薄膜電晶體Tsw1的第二源極/汲極電極與儲存電容器Cst的第一電容器電極，第一源極/汲極電極（或源極節點n2）共同耦接到第二切換薄膜電晶體Tsw2的第一源極/汲極電極、儲存電容器Cst的第二電容器電極與發光裝置層的像素電極PE，而第二源極/汲極電極（或汲極節點）耦接到對應的像素驅動電力線PL。可基於儲存電容器Cst的電壓來開啟驅動薄膜電晶體Tdr，且驅動薄膜電晶體Tdr可控制從像素驅動電力線PL流向發光裝置層的電流量。

發光裝置層可設置於像素區PA的發射區EA中，且可電性耦接到像素電路PC。

根據本發明之一實施例的發光裝置層可包含一像素電極PE、一共用電極CE以及一自發光裝置ED，像素電極電性耦接到像素電路PC，共用電極CE電性耦接到像素共用電壓線CVL，且自發光裝置ED介於像素電極PE與共用電極CE之間。

像素電極PE可被稱為自發光裝置ED的陽極電極、反射電極、下電極、陽極或第一電極。

像素電極PE可重疊於每一個像素區PA的發射區EA。像素電極PE可被圖案化成孤島形狀，可設置於每一個像素區PA中，且可電性耦接到對應像素電路PC的驅動薄膜電晶體Tdr的第一源極/汲極電極（或源極節點n2）。像素電極PE的一側可在驅動薄膜電晶體Tdr的第一源極/汲極電極上延伸，且可透過在驅動薄膜電晶體Tdr上方的平坦化層中所設置的電極接觸孔電性耦接到驅動薄膜電晶體Tdr的第一源極/汲極電極。

自發光裝置ED可設置於像素電極PE之上，且可直接接觸像素電極PE。自發光裝置ED可為在每一個子像素SP中共用形成的共用層或共用裝置層，以不被子像素SP單元區分。自發光裝置ED可對像素電極PE與共用電極CE之間流動的電流起反應，以發射白光或藍光。

共用電極CE可設置於基板100的顯示區AA之上，且可在每一個子像素SP中電性耦接到自發光裝置ED。舉例來說，共用電極CE可設置於基板100中除了墊部110之其餘的顯示區AA之上。

每一個共用電極連接部CECP可設置於分別重疊於像素共用電壓線CVL之像素之間，且可將共用電極CE電性耦接到每一個像素共用電壓線CVL。相對於第一方向X與第二方向Y當中的每一者，根據本發明之一實施例的每一個共用電極連接部CECP可在兩個鄰近像素P之間的部分電性耦接到每一個像素共用電壓線CVL，且可電性耦接到共用電極CE的一部分，因而可將共用電極CE電性耦接到每一個像素共用電壓線CVL。舉例來說，共用電極CE可藉由對應到一過切結構(undercut structure)的一側向接觸結構耦接到每一個共用電極連接部CECP。

每一個共用電極連接部CECP可沿第一方向X與第二方向Y設置於兩個像素之間，以將共用電極CE電性耦接到每一個像素共用電壓線CVL，因此可避免或最小化因為共用電極CE的表面電阻所導致的像素共用電壓的壓降（IR壓降）。如此一來，根據本發明之一實施例的發光顯示裝置可避免或最小化因為供應給排列於顯示區AA之每一個像素P的像素共用電壓的偏差所導致的圖像品質劣化。

每一個內裝置隔離部103可將鄰近或靠近每一個共用電極連接部CECP的發光裝置層隔離開來（或斷開），以阻擋或最大限度地延伸內部水分滲透路徑，從而避免或最小化因水分（或濕氣）的內部滲透所導致的發光裝置層之可靠度的減少。舉例來說，每一個內裝置隔離部103可被實現為最大限度地延伸每一個共用電極連接部CECP與發射區EA之間的水分滲透路徑，因此可最大限度地延遲水分從每一個共用電極連接部CECP傳遞到發射區EA的內部水分滲透時間。在以下說明中，內裝置隔離部103可被稱為內隔離部103或內隔離件103。

根據一實施例的每一個內隔離部（或內隔離件）103可包含圍繞每一個共用電極連接部CECP的第一到第n溝槽結構（其中n為2以上的自然數）。舉例來說，一個內隔離部103可包含圍繞一個共用電極連接部CECP的第一到第n溝槽結構。一個部分亦可被視為一個元件，因為其為一個結構或結構本身的一部分。

第一到第n溝槽結構可包含一過切結構（或簷結構），以將設置得鄰近或靠近對應共用電極連接部CECP的發光裝置層隔離開來（或斷開）。舉例來說，在絕緣層與金屬層的堆疊結構中，第一到第n溝槽結構可包含在絕緣層中所實現的一過切結構或由金屬層所實現的一簷結構。

根據一實施例之第一到第n溝槽結構當中的每一者可具有在其一側一維地包含一開口部的弧形形狀。第一到第n溝槽結構當中的每一者可具有設置成同心圓形狀且在其一側開口的弧形形狀。舉例來說，當從上視圖觀察時，第一到第n溝槽結構可具有C形狀，但本發明不以此為限。

根據一實施例，第一到第n溝槽結構的一第k溝槽結構（其中k為1到n-1）的開口部可被第k+1溝槽結構圍繞。舉例來說，第k溝槽結構的開口部與第k+1溝槽結構的開口部可朝向不同的方向。舉例來說，第k溝槽結構的開口部與第k+1溝槽結構的開口部可朝向相對的方向。

根據一實施例的每一個內隔離部103可基於第一到第n溝槽結構的排列結構在第一到第n溝槽結構之間包含一迷宮區，且可在共用電極連接部CECP與發射區EA之間最大限度地延伸水分滲透路徑。如此一來，內隔離部103可被稱為如內部水分滲透延遲部、內部簷結構或迷宮水分滲透延遲部等用語。

壩部104與外隔離部105當中的每一者可設置或被實現在基板100或最外像素Po的周邊部以具有封閉環線形狀（或封閉環形）。這如參照圖1所描述，因此將省略他們的重複說明。

墊部110可設置於平行於第一方向X之基板100之第一表面的第一周邊部。墊部110可設置於基板100的第一周邊部之處所設置的每一個最外像素區PAo的第三周邊部。相對於第二方向Y，墊部110的端部可重疊於或可對齊於每一個最外像素區PAo的端部。因此，墊部110可被包含（或設置）在基板100的第一周邊部之處所設置的每一個最外像素區PAo中，因而基於第一墊部110的非顯示區（或邊框區）可不形成或可不在基板100中。

墊部110可包含在基板100的第一周邊部沿第一方向X彼此平行設置的多個墊件。這些墊件可被劃分（或分類）成一第一資料墊DP、一第一閘極墊GP、一第一像素驅動電力墊PPP、一第一參考電壓墊RVP以及一第一像素共用電壓墊CVP。

每一個第一資料墊DP可被個別地（或一對一關係）耦接到基板100所設置的每一個資料線DLo、DLe的一側。

每一個第一閘極墊GP可個別地（或一對一關係）耦接到第一基板100所設置的每一個閘極控制線GCL的一側。根據一實施例的第一閘極墊GP可被劃分（或分類）成一第一起始訊號墊、多個第一偏移時鐘墊、多個第一攜帶時鐘墊、至少一個第一閘極驅動電力墊以及至少一個第一閘極共用電力墊。

每一個第一像素驅動電力墊PPP可個別地（或一對一關係）耦接到基板100所設置的每一個像素驅動電力線PL的一側端。每一個第一參考電壓墊RVP可個別地（或一對一關係）耦接到基板100所設置的每一個參考電壓線RL的一側端。每一個第一像素共用電壓墊CVP可個別地（或一對一關係）耦接到基板100所設置的每一個像素共用電壓線CVL的一側端。

根據一實施例的墊部110可包含多個墊件群PG，這些墊件群PG沿第一方向X依序排列有一第一像素驅動電力墊PPP、一第一資料墊DP、一第一參考電壓墊RVP、一第一資料墊DP、一第一閘極墊GP、一第一像素共用電壓墊CVP、一第一資料墊DP、一第一參考電壓墊RVP、一第一資料墊DP以及一第一像素驅動電力墊PPP。每一個墊件群PG可耦接到沿第一方向X所設置的兩個鄰近像素P。舉例來說，多個墊件群PG可包含一第一墊件群PG1以及一第二墊件群PG2，第一墊件群PG1包含在一奇數像素區PA中沿第一方向X連續設置的一第一像素驅動電力墊PPP、一第一資料墊DP、一第一參考電壓墊RVP、一第一資料墊DP以及一第一閘極墊GP，且第二墊件群PG2包含在一偶數像素區PA中沿第一方向連續設置的一第一像素共用電壓墊CVP、一第一資料墊DP、一第一參考電壓墊RVP、一第一資料墊DP以及一第一像素驅動電力墊PPP。

根據本發明之一實施例的基板100更可包含多個次要電壓線SVL以及多個次要線路連接部SLCP。舉例來說，次要電壓線可被稱為額外電壓線或輔助電壓線或其類似者。

每一個次要電壓線SVL可沿第二方向Y延伸，且可設置成鄰近多個像素共用電壓線CVL的對應像素共用電壓線CVL。每一個次要電壓線SVL可電性耦接到鄰近像素共用電壓線CVL而非電性耦接到像素共用電壓墊CVP，且可透過所述的鄰近像素共用電壓線CVL被供應有像素共用電壓。為此，根據本發明之一實施例的基板100更可包含多個線路連接圖案LCP，這些線路連接圖案LCP電性耦接到彼此鄰近的一像素共用電壓線CVL以及一個次要電壓線SVL。

每一個線路連接圖案LCP可設置於基板100，使得線路連接圖案LCP與彼此鄰近的一像素共用電壓線CVL和一個次要電壓線SVL彼此交叉，且線路連接圖案LCP可藉由使用線路跳躍結構電性耦接到彼此鄰近的一像素共用電壓線CVL和一個次要電壓線SVL。舉例來說，每一個線路連接圖案LCP的一側可透過次要電壓線上方的絕緣層處所形成的一第一線路接觸孔電性耦接到次要電壓線SVL的一部分，且每一個線路連接圖案LCP的另一側可透過像素共用電壓線CVL上方的絕緣層處所形成的一第二線路接觸孔電性耦接到像素共用電壓線CVL的一部分。

每一個次要線路連接部SLCP可在重疊於每一個次要電壓線SVL的像素P之間將共用電極CE電性耦接到每一個次要電壓線SVL。相對於第二方向Y，根據一實施例的每一個次要線路連接部SLCP可在像素P之間的一部分或在像素P之間的邊界區域電性耦接到每一個次要電壓線SVL，且可電性耦接到共用電極CE的一部分，因此可將共用電極CE電性耦接於每一個次要電壓線SVL。因此，共用電極CE可透過次要線路連接部SLCP額外地耦接到每一個次要電壓線SVL。如此一來，根據本發明之一實施例的發光顯示裝置可避免或最小化因為供應給排列於顯示區AA之每一個像素P的像素共用電壓的偏差所導致的圖像品質劣化。並且，在根據本發明之一實施例的發光顯示裝置中，雖然沒有額外地設置（或形成）耦接到每一個次要電壓線SVL的像素共用電壓墊CVP，但是像素共用電壓可透過像素共用電壓線CVL與線路連接圖案LCP當中的每一者被供應到每一個次要電壓線SVL。

根據一實施例的每一個次要線路連接部SLCP可相對於閘極控制線GCL具有與每一個共用電極連接部CECP對稱的結構。因此，每一個次要線路連接部SLCP可被每一個內隔離部103圍繞。舉例來說，一個內隔離部103可圍繞一個共用電極連接部CECP與一個次要線路連接部SLCP。

因此，如圖3所示，一基板100具有形成於其上的多個像素，這些像素排列成相鄰的行與相鄰的列。相鄰兩行像素之間設置有多個像素驅動電力線。參見圖12與圖13，具有圖案ECP1、ECP2的多個電極連接圖案與次要線路連接部SLCP在相鄰兩列像素與相鄰兩行像素之間的位置耦接到各個像素驅動電力線。一第一隔離結構103-1圍繞電極連接圖案，第一隔離件位於相鄰兩列像素與相鄰兩行像素之間。

一第二隔離結構103-2圍繞第一隔離結構。第二隔離結構103-2為具有開口的圓形件，且此開口鄰近於第一隔離結構103-1的牆部。再者，第一隔離結構103-1包含一開口，且此開口相對於第二隔離結構的開口。因此，隔離結構103-1、103-2可各自為C形狀，且每一個C形狀的開口彼此相對並面向另一個開口的牆。

根據本發明之一實施例的基板100更可包含一封裝層。

封裝層可被實現成圍繞發光裝置層。根據一實施例的封裝層可包含一第一無機封裝層（或第一封裝層）、一第二無機封裝層（或一第三封裝層）以及一有機封裝層（或第二封裝層），第一無機封裝層設置於發光裝置層、壩部104與外裝置隔離部105之上，第二無機封裝層設置於第一無機封裝層之上，而有機封裝層介於由壩部104所定義之一封裝區之上所設置的第二無機封裝層與第一無機封裝層之間。

有機封裝層可覆蓋發光裝置層的頂面（或上表面）並流向基板100的端部，且有機封裝層的擴散（或流動）可被壩部104阻擋。壩部104可定義或限制有機封裝層的設置區域（或封裝區域），更可阻抄或避免有機封裝層的擴散或溢流。

圖5係繪示有圖1與圖3中所繪示之閘極驅動電路的示意圖。

參照圖1、圖3與圖5，根據本發明之另一實施例的閘極驅動電路150可被實現（或嵌入）在基板100的顯示區AA內。閘極驅動電路150可基於透過墊部110與閘極控制線GCL所供應的閘極控制訊號來產生掃描訊號，且依序將掃描訊號供應給閘極線GL。

閘極控制線GCL可包含一起始訊號線、多個偏移時鐘線、至少一個閘極驅動電壓線以及至少一個閘極共用電壓線。閘極控制線GCL可沿第二方向Y延伸，且可在基板100的顯示區AA中沿第一方向X設置成以一預定間隔彼此隔開。舉例來說，閘極控制線GCL可沿第一方向X設置於至少一個或以上的像素P之間。

根據本發明之一實施例的閘極驅動電路150可用含有多個級電路部1501~150m的移位暫存器來實現，其中m為2以上的正整數。

每一個級電路部1501~150m可沿第一方向X個別地設置於基板100之第一表面的每一個水平線上，且可沿第二方向Y彼此依賴地耦接。每一個級電路部1501~150m可響應透過墊部110與閘極控制線GCL供應的閘極控制執號以預定順序產生掃描訊號，且可將掃描訊號供應給對應閘極線GL。

根據一實施例的每一個級電路部1501~150m可包含多個分支電路1511~151n以及一分支網路153。

分支電路1511~151n可透過分支網路153選擇性地耦接到閘極控制線GCL的線路，且可透過分支網路153彼此電性耦接。每一個分支電路1511~151n可基於透過閘極控制線GCL所供應的閘極控制訊號以及分支網路153的電壓產生掃描訊號，且可將掃描訊號供應給對應閘極線GL。

每一個分支電路1511~151n可包含構成級電路部1501~150m之一個級電路部的多個薄膜電晶體的至少一個薄膜電晶體（或分支TFT）。分支電路1511~151n的任一個分支電路可包含耦接到閘極線GL的一上拉(pull-up)薄膜電晶體。分支電路1511~151n的其他分支電路可包含耦接到閘極線GL的一下拉(pull-down)薄膜電晶體。

根據本發明之一實施例的每一個分支電路1511~151n可在基板100的每一個水平線上設置於兩個鄰近像素P之間的電路區或至少兩個鄰近像素P之間的電路區，但本發明之實施例不以此為限。舉例來說，每一個分支電路1511~151n可根據構成每一個級電路部1501~150m之薄膜電晶體的數量以及在一個水平線上所設置之像素P的數量，來設置於至少一個或以上的鄰近像素P之間的電路區（或邊界區域）。

分支網路153可設置於基板100的每一個水平線，且可將分支電路1511~151n彼此電性耦接。根據本發明之一實施例的分支網路153可包含多個控制節點線以及多個網路線。

控制節點線可設置於基板100的每一個水平線，且可選擇性地耦接到在一個水平線上的分支電路1511~151n。舉例來說，控制節點線可設置於基板100的每一個水平線處所排列的像素區當中的上邊緣區域（或下邊緣區域）。

網路線可選擇性地耦接到基板100處所設置的閘極控制線GCL，且可選擇性地耦接到分支電路1511~151n。舉例來說，網路線可將從閘極控制線GCL所供應的閘極控制訊號傳輸給對應分支電路1511~151n，且可在分支電路1511~151n之間傳輸訊號。

如上所述，根據本發明之一實施例，因為閘極驅動電路150設置於基板100的顯示區AA內，所以最外像素區PAo的中心部與基板100的外表面OS之間的第二間隔D2可小於等於鄰近像素區PA之間的第一間隔D1（或像素間距）的一半。舉例來說，當閘極驅動電路150不設置於基板100的顯示區AA中而是設置於基板100的周邊部時，第二間隔D2可不小於等於第一間隔D1的一半。如此一來，在根據本發明之一實施例的發光顯示裝置中，閘極驅動電路150可設置於基板100的顯示區AA中，因此第二間隔D2可被實現為小於等於第的間隔D1的一半，再者，顯示裝置可被實現成具有歸零邊框或不設置邊框區域的空氣邊框結構。

圖6係繪示有根據本發明之一實施例之發光顯示裝置之後側面的示意圖。

參照圖1、圖3與圖6，根據本發明之一實施例的發光顯示裝置更可包含基板100的後表面100b（或背側面）處所設置的一第二墊部210。

第二墊部210可設置於與基板100之前表面處所設置的墊部110重疊的基板100之後表面100b的周邊部（或第一後周邊部）。在以下圖6的說明中，設置於基板100之前表面的墊部110可被稱為第一墊部110。

第二墊部210可包含多個第二墊（或路由墊），這些第二墊沿第一方向X以一特定間隔排列，以分別重疊於第一墊部110的墊件。在以下圖6的說明中，墊部110的墊件可被稱為第一墊。

第二墊可被劃分（或分類）成第二像素驅動電力墊、第二資料墊、第二參考電壓墊、第二閘極墊、以及第二像素共用電壓墊，第二像素驅動電力墊重疊於第一墊部110的每一個第一像素驅動電力墊PPP，第二資料墊重疊於第一墊部110的每一個第一資料墊DP，第二參考電壓墊重疊於第一墊部110的每一個第一參考電壓墊RVP，第二閘極墊重疊於第一墊部110的每一個第一閘極墊GP，而第二像素共用電壓墊重疊於第一墊部110的每一個第一像素共用電壓墊CVP。

根據本發明之一實施例的發光顯示裝置更可包含設置於基板100之後表面100b之上的至少一個第三墊部230以及一連結線部250。

至少一個第三墊部230（或輸入墊部）可設置於基板100的後表面100b。舉例來說，至少一個第三墊部230可設置於鄰近基板100之後表面100b之周邊部的中間部分。根據本發明之一實施例的至少一個第三墊部230可包含彼此隔開一特定間隔的多個第三墊件（或輸入墊）。舉例來說，至少一個第三墊部230可包含第三像素驅動電力墊、第三資料墊、第三參考電壓墊、第三閘極墊以及第三像素共用電壓墊。

連結線部250可包含設置於第二墊部210與至少一個第三墊部230之間的連結線。

根據本發明之一實施例的連結線部250可包含多個像素驅動電力連結線、多個資料連結線、多個參考電壓連結線、多個閘極連結線以及多個像素共用電壓連結線，這些像素驅動電力連結線個別地（或一對一關係）將第二像素驅動電力墊耦接到第三像素驅動電力墊，這些資料連結線個別地（或一對一關係）將第二資料墊耦接到第三資料墊，這些參考電壓連結線個別地（或一對一關係）將第二參考電壓墊耦接到第三參考電壓墊，這些閘極連結線個別地（或一對一關係）將備二閘極墊耦接到第三閘極墊，而這些像素共用電壓連結線個別地（或一對一關係）將第二像素共用電壓墊耦接到第三像素共用電壓墊。

每一個像素共用電壓連結線可包含一第一共用連結線251以及一第二共用連結線253。第一共用連結線251可設置於第二墊部210與至少一個第三墊部230之間，且可共同地耦接到第二像素共用電壓墊。第二共用連結線253可共同地耦接到第三像素共用電壓墊，且可電性耦接到第一共用連結線251。第二共用連結線253可設置於與第一共用連結線251不同的層上，且可透過一通孔電性連接到第一共用連結線251。第二共用連結線253的尺寸可在從第三墊部230到基板100之周邊部的方向上逐步增加，以減少（或最小化）像素共用電壓的壓降。

根據本發明之一實施例的發光顯示裝置更可包含設置於基板100之外表面OS的一路由部400。

路由部400可設置成圍繞基板100的第一墊部110、外表面OS與第二墊部210。

根據一實施例的路由部400可包含多個路由線410。每一個路由線410可沿第一方向X以一特定間隔設置，可形成為圍繞基板100的第一墊部110、外表面OS與第二墊部210，且可以一對一關係電性耦接到第一墊部110的第一墊與第二墊部210的第二墊當中的每一者。根據一實施例，可使用導電膏藉由印刷製程來形成每一個路由線410。根據另一實施例，可藉由轉移製程來形成每一個路由線410，其中轉移製程將導電膏圖案轉移到由柔性材料所製成的轉移墊，並將轉移至轉移墊的導電膏圖案轉移到路由部400。舉例來說，導電膏可為銀(Ag)膏，但本發明不以此為限。

根據本發明之一實施例的路由線410可被劃分（或分類）成多個像素電力路由線411、多個資料路由線413、多個參考電壓路由線415、多個閘極路由線417以及多個像素共用電壓路由線419。

像素電力路由線411可被形成為圍繞第一墊部110、外表面OS與第二墊部210，且可以一對一關係電性耦接到第一墊部110的第一像素驅動電力墊與第二墊部210的第二像素驅動電力墊。

資料路由線413可被形成為圍繞第一墊部110、外表面OS與第二墊部210，且可以一對一關係電性耦接到第一墊部110的第一資料墊與第二墊部210的第二資料墊。

參考電壓路由線415可被形成為圍繞第一墊部110、外表面OS與第二墊部210，且可以一對一關係電性耦接到第一墊部110的第一參考電壓墊與第二墊部210的第二參考電壓墊。

閘極路由線417可被形成為圍繞第一墊部110、外表面OS與第二墊部210，且可以一對一關係電性耦接到第一墊部110的第一閘極墊與第二墊部210的第二閘極墊。

像素共用電壓路由線419可被形成為圍繞第一墊部110、外表面OS與第二墊部210，且可以一對一關係電性耦接到第一墊部110的第一像素共用電壓墊與第二墊部210的第二像素共用電壓墊。

根據一實施例的發光顯示裝置或路由部400更可包含一邊緣覆層。

邊緣覆層可被實現成覆蓋路由部400。根據一實施例的邊緣覆層可被實現成覆蓋基板100全部的第一周邊部與第一外表面OS以及路由線410。邊緣覆層450可避免含有金屬材料之每一個路由線410的腐蝕或路由線410之間的電氣短路。並且，邊緣覆層可避免或最小化因第一墊部110的第一墊與路由線410所導致的外界光的反射。根據一實施例的邊緣覆層可包含含有黑墨的光阻擋材料。舉例來說，邊緣覆層450可為邊緣保護層或邊緣絕緣層。

根據本發明之一實施例的發光顯示裝置更可包含一驅動電路部500。

驅動電路部500可基於從顯示驅動系統所供應的時序間步訊號與數位影像資料來驅動（或發光）第一基板100上所設置的像素P，以允許顯示區AA顯示對應於影像資料的影像。驅動電路部500可耦接到基板100的後表面100b處所設置的至少一個第三墊部230，且可將資料訊號、閘極控制訊號與驅動電力輸出到所述至少一個第三墊部230，以驅動（或發光）基板100處所設置的像素P。

根據一實施例的驅動電路部500可包含一柔性電路膜510、一驅動積體電路(IC)530、一印刷電路板(PCB)550、一時序控制器570以及一電力電路590。

柔性電路膜510可連接到基板100的後表面100b處所設置的至少一個第三墊部230。

驅動積體電路530可被安裝在柔性電路膜510上。驅動積體電路530可接收從時序控制器570所提供的資料控制訊號與子像素資料，且基於資料控制訊號將子像素資料轉換成類比資料訊號，以將類比資料訊號供應給對應資料線DL。資料訊號可透過柔性電路膜510被供應給至少一個第三墊部230中的對應第三資料墊。

驅動積體電路530可透過基板100處所設置的參考電壓線RL（或像素感測線）來感測子像素SP中所設置的驅動薄膜電晶體的特性值，為每一個子像素產生對應到感測值的感測原始資料，並為每一個子像素將感測原始資料提供給時序控制器570。

印刷電路板550可耦接到柔性電路膜510的周邊部的另一側。印刷電路板550可轉移驅動電路部500的元件之間的訊號與電力。

時序控制器570可被安裝在印刷電路板550上，且可透過印刷電路板550上所設置的使用者連接器接收從顯示驅動系統所提供的數位影像資料與時序同步訊號。或者，時序控制器570可不被安裝在印刷電路板550上，且可被實現於顯示驅動系統中或可被安裝在連接在印刷電路板550與顯示驅動系統之間的獨立控制板上。

時序控制器570可基於時序同步訊號而對齊數位影像資料，以產生匹配顯示區AA中所設置之像素排列結構的像素資料，且可將所產生的像素資料提供給驅動積體電路530。

時序控制器570可基於時序同步訊號來產生資料控制訊號與閘極控制訊號當中的每一者，基於資料控制訊號來控制驅動積體電路530的驅動時序，且基於閘極控制訊號來控制閘極驅動電路150的驅動時序。舉例來說，時序同步訊號可包含垂直同步訊號、水平同步訊號、資料致能訊號以及主時鐘（或點時鐘）。

根據本發明之一實施例的資料控制訊號可包含源極起始脈衝、源極偏移時鐘與源極輸出訊號，或其類似者。資料控制訊號可透過柔性電路膜510被供應到驅動積體電路530。

根據本發明之一實施例的閘極控制訊號可包含起始訊號（或閘極起始脈衝）、多個偏移時鐘、正向驅動訊號以及反向驅動訊號。在此情況下，這些偏移時鐘可包含其相位被依序偏移的多個掃描時鐘以及其相位被依序偏移的多個攜帶時鐘。此外，根據一實施例的閘極控制訊號更可包含外界感測線選擇訊號、外界感測重設訊號以及外界感測控制訊號，以用來感測子像素SP中所設置的驅動薄膜電晶體的特性值。閘極控制訊號可透過柔性電路膜510、至少一個第三墊部230、連結線部250、第二墊部210、路由部400、第一墊部110與閘極控制線GCL被供應到閘極驅動電路150。

時序控制器570可在一預定外界感測期間基於外界感測模式來驅動閘極驅動電路150與驅動積體電路530當中的每一者，基於從驅動積體電路530所提供的感測原始資料來產生每一個子像素的補償資料以補償每一個子像素的驅動薄膜電晶體的特性變化，且基於每一個子像素中所產生的補償資料來調節每一個子像素的像素資料。舉例來說，對於與垂直同步訊號的空白期間（或垂直空白期間）對應的每一個外界感測期間，時序控制器570可基於外界感測模式來驅動閘極驅動電路150與驅動積體電路530當中的每一者。舉例來說，可在啟動顯示裝置的過程中、關閉顯示裝置的過程中、顯示裝置被長時間驅動後被關閉的過程中或實時或週期性設置的幀的空白期間執行外界感測模式。

根據一實施例的時序控制器570可基於外界感測模式將從驅動積體電路530所供應的每一個子像素的感測原始資料儲存在儲存電路中。並且，在顯示模式中，時序控制器570可基於儲存在儲存電路中的感測原始資料來修改欲供應給每一個子像素的像素資料，且可將修改過的像素資料提供給驅動積體電路530。於此，每一個子像素的感測原始資料可包含關於對應子像素中所設置的驅動薄膜電晶體與自發光裝置當中的每一者的連續變化資訊。因此，在外界感測模式中，時序控制器570可感測設置在每一個子像素中並基於其的驅動薄膜電晶體的特性值（如，閾值電壓或活動性），且可修改欲供應給每一個子像素的像素資料，從而最小化或避免因為子像素的驅動薄膜電晶體的特性值偏差所導致的圖像品質劣化。顯示裝置的外界感測模式可為本領域中技術人員已知的技術，因此省略其詳細說明。舉例來說，根據本發明之一實施例的顯示裝置可基於韓國公開專利號10-2016-0093179、10-2017-0054654或10-2018-0002099中所揭露的感測模組來感測每一個子像素P中所設置的驅動薄膜電晶體的特性值。

電力電路590可被安裝在印刷電路板550上，且可藉由使用從外界所供應的輸入電力來產生用來在像素P上顯示影像所需的各種源極電壓，以將所產生的源極電壓提供給對應電路。舉例來說，電力電路590可產生並輸出用來驅動時序控制器570與驅動積體電路530當中的每一者所需的邏輯源極電壓、提供給驅動積體電路530的參考伽馬電壓以及用來驅動閘極驅動電路150所需的至少一個閘極驅動電力以及至少一個閘極共用電力。並且，電力電路590可產生並輸出像素驅動電力與像素共用電壓，但本發明之實施例不以此為限。舉例來說，驅動積體電路530可基於參考伽馬電壓來產生並輸出像素驅動電力與像素共用電壓。

圖7係繪示有根據本發明之另一實施例之發光顯示裝置之後側面的示意圖，且繪示在圖1到圖6中所繪示的發光顯示裝置中所額外提供的佈線基板的實施例。

參照圖7，根據本發明之另一實施例的發光顯示裝置可包含一基板100、一第二基板200、一耦接件300以及一路由部400。

基板100可被稱為顯示基板、像素陣列基板、上基板、前基板或襯底基板。基板100可為玻璃基板，或可為能夠彎曲或具有彈性的薄玻璃基板或塑膠基板。在以下圖7的說明中，基板100可被稱為第一基板100。

第一基板100可實質上與圖1到圖6中所繪示的發光顯示裝置的基板100相同，因此相似的參考標號係指相似的元件，且它們的重複性說明可能會被省略。

第二基板200可被稱為佈線基板、線基板、連結基板、下基板、後基板或連結玻璃。第二基板200可為玻璃基板，或可為能夠彎曲或具有彈性的薄玻璃基板或塑膠基板。舉例來說，第二基板200可包含與第一基板100相同的材料。第二基板200的尺寸可與第一基板100的尺寸相同，但本發明之實施例不限於此，第二基板200可具有比第一基板100還小的尺寸。舉例來說，第二基板200可被配置成具有與第一基板100相同的尺寸，以維持或確保第一基板100的剛性。

第二基板200可包含一第二墊部210、至少一第三墊部230以及一連結線部250。除了第二墊部210、至少一第三墊部230與連結線部250是設置在第二基板200的後表面200b（或背側面）之外，第二墊部210、至少一第三墊部230與連結線部250當中的每一者可實質上與圖6中所繪示的第二墊部210、至少一第三墊部230與連結線部250相同，因此相似的參考標號係指相似的元件，且它們的重複性說明可能會被省略。

第二基板200可藉由使用耦接件300而耦接（或連接）到第一基板100的第二表面（或後表面）。耦接件300可介於第一基板100與第二基板200之間。因此，第一基板100與第二基板200可藉由耦接件300彼此相對連結。

路由部400可被稱為側路由部、側佈線部、印刷佈線部或印刷線部。根據一實施例的路由部400可包含多個路由線410，這些路由線410設置於第一基板100的外表面OS當中的第一外表面OS1a（或一表面）以及第二基板200的外表面OS當中的第一外表面OS1b之中的每一者。除了路由線410是設置成圍繞第一墊部110與第一基板100的第一外表面OS1a以及第二墊部210與第二基板200的第一外表面OS1b之外，路由部400可實質上與圖6中所繪示的路由部400相同，因此相似的參考標號係指相似的元件，且它們的重複性說明可能會被省略。

根據本發明之另一實施例的發光顯示裝置更可包含一驅動電路部500。

驅動電路部500可包含一柔性電路膜510、一驅動積體電路(IC)530、一印刷電路板(PCB)550、一時序控制器570以及一電力電路590。除了柔性電路膜510是連接到第二基板200的後表面200b處所設置的至少一第三墊部230之外，具有這樣結構的驅動電路部500可實質上與圖6中所繪示的驅動電路部500相同，因此相似的參考標號係指相似的元件，且它們的重複性說明可能會被省略。

圖8係沿圖7中所繪示之線段I-I’的剖面圖，圖9係圖8中所繪示之區域B的放大圖，圖10係沿圖7中所繪示之線段II-II’的剖面圖，且圖11係圖10中所繪示之區域C的放大圖。

參照圖7與圖8到圖11，根據本發明之一實施例的發光顯示裝置可包含一第一基板100、一第二基板200、一耦接件300以及一路由部400。

根據本發明之一實施例的第一基板100可包含一電路層101、一平坦化層102、一發光裝置層EDL、一堤部BK以及一第一墊部110。

電路層101可設置於第一基板100之上。電路層101可被稱為像素陣列層或薄膜電晶體陣列層。

根據本發明之一實施例的電路層101可包含一緩衝層101a以及一電路陣列層101b。

緩衝層101a可避免包含在第一基板100中如氫的材料在薄膜電晶體的製造製程的高溫製程中擴散到電路陣列層101b。並且，緩衝層101a可避免外界水分或濕氣滲透進發光裝置層EDL。根據一實施例的緩衝層101a可包含矽氧化物(SiOx)、矽氮化物(SiNx)、矽氮氧化物(SiON)或其多層體，但本發明之實施例不以此為限。舉例來說，緩衝層101a可包含一第一緩衝層BL1以及一第二緩衝層BL2，第一緩衝層BL1包含SiNx且設置於第一基板100上，且第二緩衝層BL2包含SiOx且設置於第一緩衝層BL1上。

電路陣列層101b可在緩衝層101a上方包含像素電路PC，且像素電路PC包含設置於每一個像素區PA中的驅動薄膜電晶體Tdr。

設置於每一個像素區PA之電路區中的驅動薄膜電晶體Tdr可包含一主動層ACT、一閘極絕緣層GI、一閘極電極GE、一層間絕緣層101c、一第一源極/汲極電極SD1、一第二源極/汲極電極SD2以及一鈍化層101d。

主動層ACT可在每一個像素區PA中設置於緩衝層101a上。主動層ACT可包含重疊於閘極電極GE的一通道區以及在鄰近通道區之間彼此平行的一第一源極/汲極區與第二源極/汲極區。主動層ACT可在導電製程中具有導電性，因此可在顯示區AA中的線路之間直接連接。並且，主動層ACT可被用作為將不同層上所設置的線路電性連接的跳躍結構的橋接線。

閘極絕緣層GI可設置於主動層ACT的通道區上。閘極絕緣層GI可將主動層ACT與閘極電極GE絕緣。

閘極電極GE可設置於閘極絕緣層GI上並可連接到閘極線。閘極電極GE可重疊於主動層ACT的通道區，且有閘極絕緣層GI位於其間。

層間絕緣層101c可設置於第一基板100，以覆蓋閘極電極GE與主動層ACT。層間絕緣層101c可電性絕緣（或隔離）閘極電極GE與源極/汲極電極SD1、SD2。舉例來說，層間絕緣層101c可被稱為絕緣層或第一絕緣層。

第一源極/汲極電極SD1可設置於重疊於主動層ACT之第一源極/汲極區的層間絕緣層101c上，且可透過層間絕緣層101c中所設置的第一源極/汲極接觸孔來電性連接到主動層ACT的第一源極/汲極區。舉例來說，第一源極/汲極電極SD1可為驅動薄膜電晶體Tdr的源極電極，且主動層ACT的第一源極/汲極區可為源極區。

第二源極/汲極電極SD2可設置於重疊於主動層ACT之第二源極/汲極區的層間絕緣層101c上，且可透過層間絕緣層101c中所設置的第二源極/汲極接觸孔來電性連接到主動層ACT的第二源極/汲極區。舉例來說，第二源極/汲極電極SD2可為驅動薄膜電晶體Tdr的汲極電極，且主動層ACT的第二源極/汲極區可為汲極區。

鈍化層101d可設置於第一基板100之上，以覆蓋含有驅動薄膜電晶體Tdr的像素電路PC。

根據一實施例的鈍化層101d可由無機絕緣材料所形成。舉例來說，鈍化層101d可包含含有矽氧化物(SiOx)、矽氮化物(SiNx)、矽氮氧化物(SiONx)、鈦氧化物(TiOx)和鋁氧化物(AlOx)當中一者的單層結構，或其堆疊結構。舉例來說，鈍化層101d可被稱為保護層、電路保護層、電路絕緣層、無機絕緣層、第一無機絕緣層或第二絕緣層，或其類似物。

構成像素電路PC的第一與第二切換薄膜電晶體Tsw1、Tsw2當中的每一者可與驅動薄膜電晶體Tdr共同形成，因此省略它們的重複性說明。

根據一實施例的電路層101更可包含一個下金屬層BML，下金屬層BML設置於第一基板100與緩衝層101a之間。

下金屬層BML更可包含光阻擋圖案LSP（或光阻擋層），光阻擋圖案LSP設置於構成像素電路PC的薄膜電晶體Tdr、Tsw1、Tsw2當中的每一者的主動層ACT下（或下方）。

光阻擋圖案LSP可以孤島形狀設置在第一基板100與主動層ACT之間。光阻擋圖案LSP可阻擋透過第一基板100入射到主動層ACT的光，從而避免或最小化因為外界光所導致的每一個薄膜電晶體的閾值電壓變化。可選地，光阻擋圖案LSP可電性連接到對應薄膜電晶體的第一源極/汲極電極SD1，因此可作為對應薄膜電晶體的下閘極電極，且在此情況下，可最小化或避免因光線所導致的每一個薄膜電晶體的特性變化以及因偏壓所導致的的每一個薄膜電晶體的閾值電壓變化。

下金屬層BML可被用作閘極線GL、資料線DL、像素驅動電力線PL、像素共用電壓線CVL與參考電壓線RL中設置成彼此平行的線路。舉例來說，下金屬層BML可被用作設置於第一基板100的像素驅動線DL、GL、PL、CVL、RL、GCL中設置成平行於第二方向Y的金屬層（或線路）。將訊號且/或電壓提供給像素的每一個線路被視為像素驅動線。這包含線DL、GL、PL、CVL、RL、GCL。

平坦化層102可設置於第一基板100之上，且可提供電路層101之上的平坦表面。平坦化層102可將含有在每一個像素區PA處所設置之驅動薄膜電晶體Tdr的電路層101覆蓋住。

根據一實施例的平坦化層102可設置於第一基板100與發光裝置層EDL之間，或電路層101與發光裝置層EDL之間。根據一實施例的平坦化層102由有機絕緣材料所形成，但本發明之實施例不以此為限。舉例來說，平坦化層102可由含有丙烯酸樹脂(acrylic resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醯胺基樹脂(polyamide-based resin)、聚醯亞胺基樹脂(polyimide-based resin)等有機絕緣材料所形成，但本發明之實施例不以此為限。

發光裝置層EDL可設置於平坦化層102之上。根據一實施例的發光裝置層EDL可包含一像素電極PE、一自發光裝置ED以及一共用電極CE。

像素電極PE可被稱為自發光裝置ED的陽極電極、反射電極、下電極、陽極或第一電極。

像素電極PE可設置於在第一基板100中與每一個子像素SP的發射區EA重疊的平坦化層102之上。像素電極PE可被圖案化成為孤島形狀並可設置於每一個子像素SP中，且可電性耦接到對應像素電路PC的驅動薄膜電晶體Tdr的第一源極/汲極電極SD1。舉例來說，像素電極PE的一側可在驅動薄膜電晶體Tdr的第一源極/汲極電極SD1上延伸，且可透過在平坦化層102中所提供的電極接觸孔ECH來電性耦接到驅動薄膜電晶體Tdr的第一源極/汲極電極SD1。

像素電極PE可包含功函數低而反射效率好的金屬材料。

根據本發明之一實施例的像素電極PE可具有包含第一像素電極層PEL1（或第一金屬層）以及第二像素電極層PEL2（或第二金屬層）的兩層結構。第一與第二像素電極層PEL1、PEL2可依序設置於平坦化層102之上，並接著同時被圖案化，但本發明之實施例不限於此。

第一像素電極層PEL1可設置於平坦化層102之上。第二像素電極層PEL2可設置（或堆疊）於第一像素電極層PEL1上。舉例來說，第一像素電極層PEL1可用作對應到平坦化層102的黏著層，且可用作自發光裝置ED的次要電極，再者，可包含氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)，但本發明之實施例不以此為限。舉例來說，第二像素電極層PEL2可用作反射器，且可執行減少像素電極PE之阻抗的功能，再者可包含鋁(Al)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鈦(Ti)和鉬鈦合金(MoTi)的一種材料，但本發明之實施例不限於此。舉例來說，根據一實施例的像素電極PE可被形成為ITO/MoTi或IZO/MoTi的兩層結構。

根據另一實施例的像素電極PE可具有包含一第一像素電極層PEL1、一第二像素電極層PEL2以及一第三像素電極層PEL3（或第三金屬層）的三層結構，其中第二像素電極層PEL2在第一像素電極層PEL1上，而第三像素電極層PEL3在第二像素電極層PEL2上。舉例來說，第三像素電極層PEL3可用作自發光裝置ED的電極，且可包含ITO或IZO。舉例來說，根據另一實施例的像素電極PE可被形成為IZO/MoTi/ITO或ITO/MoTi/ITO的三層結構。

根據另一實施例的像素電極PE可具有包含一第一像素電極層PEL1、一第二像素電極層PEL2、一第三像素電極層PEL3（或第三金屬層）以及一第四像素電極層（或第四金屬層）的四層結構，其中第二像素電極層PEL2在第一像素電極層PEL1上，第三像素電極層PEL3在第二像素電極層PEL2上，而第四像素電極層在第三像素電極層PEL3上。

在四層結構的像素電極PE中，第一像素電極層可用作對應到平坦化層102的黏著層，且可用作自發光裝置ED的次要電極，再者可包含ITO、Mo、MoTi中的一或多個材料。第二像素電極層可執行減少像素電極PE之阻抗的功能，且可包含Cu。第三像素電極層可扮演反射器，且可包含Al、Ag、Mo、Ti、MoTi中的一或多個材料。第四像素電極層可用作自發光裝置ED的電極，且可包含ITO或IZO。舉例來說，根據另一實施例的像素電極PE可被形成為ITO/Cu/MoTi/ITO的四層結構。

根據另一實施例的像素電極PE可具有包含由ITO所製成的第一像素電極層、由MoTi所製成的第二像素電極層、由ITO所製成的第三像素電極層、由Ag所製成的第四像素電極層以及由ITO所製成的第五像素電極層的五層結構。

自發光裝置ED可設置於第一基板100之上。可將自發光裝置ED形成於像素電極PE之上，且自發光裝置ED可直接接觸像素電極PE。像素電極PE可設置於自發光裝置ED下（或之下）。舉例來說，像素電極PE可設置於平坦化層102與自發光裝置ED之間。

根據一實施例的自發光裝置ED可為在每一個子像素SP中共同形成的共同層，以不被子像素SP單元區分。自發光裝置ED可對於像素電極PE與共用電極CE之間流動的電流反應，以發射白光（或藍光）。舉例來說，根據另一實施例的自發光裝置ED可包含有機發光裝置，或可包含有機發光裝置與量子點發光裝置之堆疊或結合結構。

有機發光裝置可包含兩個以上用來發射白光（或藍光）的有機發光部。舉例來說，有機發光裝置可包含一第一有機發光部以及一第二有機發光部，以基於第一光線與第二光線的結合來發射白光。舉例來說，第一有機發光部可包含至少一個或以上的藍光發射層、綠光發射層、紅光發射層、黃光發射層以及黃綠光發射層。第二有機發光部可包含用來發射第二光線的至少一個或以上的藍光發射層、綠光發射層、紅光發射層、黃光發射層以及黃綠光發射層，第二光線與來自第一有機發光部的第一光線結合以產生白光。

根據一實施例的有機發光裝置更可包含至少一個或以上的功能層，以增強發光效率與/或壽命。舉例來說，功能層可設置於發光層上與/或下。

共用電極CE可設置於第一基板100的顯示區AA之上，且可電性耦接到每一個像素P的自發光裝置ED。舉例來說，共用電極CE可設置於基板100中除了墊部110之其餘的顯示區AA之上。

共用電極CE可被稱為自發光裝置ED的陰極電極、透明電極、上電極、陰極或第二電極。共用電極CE可形成於自發光裝置之上，且可直接接觸自發光裝置ED或可電性且直接接觸自發光裝置ED。共用電極CE可包含傳遞從自發光裝置ED所發射之光線的透明導電材料。

根據本發明之一實施例的共用電極CE可被形成為單層結構或多層結構，此單層結構或多層結構包含至少一個石墨烯材料以及功函數相對較高的透明導電材料。舉例來說，共用電極CE可包含如ITO或IZO的金屬氧化物，或可包含如ZnO:Al或SnO2:Sb的氧化物與金屬的結合。

此外，發光裝置層EDL更可包含設置於共用電極CE之上的帽蓋層。帽蓋層可設置於共用電極CE之上，且可藉由調整從發光裝置層EDL所發射的光線的折射率來提升發光效率。

堤部BK可設置於平坦化層102之上，以定義出第一基板100之上的像素區PA。堤部BK可設置於平坦化層102之上，以覆蓋像素電極PE的周邊部。堤部BK可定義出每一個子像素SP的發射區EA（或開口部），且可電性隔離鄰近子像素SP中所設置的像素電極PE。堤部BK可被形成為覆蓋在每一個像素區PA中所設置的電極接觸孔ECH。堤部BK可被發光裝置層EDL的自發光裝置ED覆蓋。舉例來說，自發光裝置ED可設置於堤部BK之上以及每一個子像素SP的像素電極PE之上。

根據一實施例的堤部BK可為包含透明材料的透明堤部或包含黑色顏料的黑色堤部。

第一墊部110可設置於第一基板100的周邊部，且可以一對一關係電性耦接到像素驅動線DL、GL、PL、CVL、RL、GCL。

根據本發明之一實施例的第一墊部110可包含多個第一墊111。

第一墊111可被劃分（或分類）成第一資料墊DP、第一閘極墊GP、第一像素驅動電力墊PPP、第一參考電壓墊RVP以及第一像素共用電壓墊CVP。

每一個第一墊111可透過一墊接觸孔PCH電性耦接到像素驅動線DL、GL、PL、CVL、RL、GCL的對應線路，其中墊接觸孔PCH穿過鈍化層101d、層間絕緣層101c與緩衝層101a。根據一實施例的每一個第一墊111可包含與像素電極PE相同的材料，且可與像素電極PE共同形成。根據另一實施例，每一個第一墊111可包含與薄膜電晶體的源極/汲極電極相同的材料，且可與薄膜電晶體的源極/汲極電極共同形成。

根據本發明之一實施例的發光顯示裝置或第一基板100更可包含一第一裕度區MA1、一第二裕度區MA2以及一第三裕度區MA3。

第一裕度區MA1可設置於最外像素Po的發射區EA與第一基板100的外表面OS之間。基於水分（或濕氣）的側向滲透所導致的發光裝置層EDL的可靠性裕度，第一裕度區MA1可被配置成在最外像素Po的發射區EA（或堤部BK）的一端與第一基板100的外表面OS之間具有第一寬度。

基於水分（或濕氣）的側向滲透所導致的發光裝置層EDL的可靠性裕度，第二裕度區MA2可被配置成在第一基板100的外表面OS與第一裕度區MA1之間具有第二寬度。舉例來說，第二裕度區MA2可為含有第一墊部110的區域。

第三裕度區MA3可設置於第一裕度區MA1與第二裕度區MA2之間。

可相對於第一方向X實現第一裕度區MA1、第二裕度區MA2與第三裕度區MA3當中的每一者的寬度，使得最外像素的中心部與第一基板100的外表面OS之間的第二間隔D2為兩個鄰近像素區PA之間的像素間距（或第一間隔D1）的一半以下。

根據本發明之一實施例的發光顯示裝置或第一基板100更可包含一壩部104、一外裝置隔離部105以及一封裝層106。

參照圖1、圖8、圖10與圖11，根據本發明之一實施例的壩部104可設置於第一基板100的周邊部或最外像素的周邊部。舉例來說，第一基板100的周邊部所設置的最外像素可包含壩部104，因此可被實現成具有不同於內部像素的結構。

壩部104可設置於第一基板100的第三裕度區MA3。舉例來說，壩部104可設置成圍繞顯示區AA的封閉環線形狀，且可圍繞平坦化層102的端部。

壩部104可設置於第一基板100的周邊部的電路層101或最外像素的周邊部之上。舉例來說，壩部104可設置於電路層101的鈍化層101d之上，以具有圍繞顯示區AA的封閉環線形狀。壩部104可避免設置於第一基板100上方以覆蓋顯示區AA的封裝層106的擴散或溢流。

根據一實施例的壩部104可包含與平坦化層102相同的材料。壩部104可具有與平坦化層102相同的高度（或厚度），或可具有比平坦化層102還高的高度。舉例來說，壩部104的高度（或厚度）可為平坦化層102的高度（或厚度）的兩倍。

根據另一實施例的壩部104可包含一第一壩圖案104a（或下壩部）以及一第二壩圖案104b（或上壩部），第一壩圖案104a由與平坦化層102相同的材料共同形成，而第二壩圖案104b堆疊於第一壩圖案104a上並包含與堤部BK相同的材料。第一壩圖案104a可具有與平坦化層102相同的高度（或厚度），或可具有比平坦化層102還高的高度。舉例來說，第一壩圖案104a的高度（或厚度）可為平坦化層102的高度（或厚度）的兩倍。

根據另一實施例，可使用蝕刻製程由平坦化層102中藉由在平坦化層102上所執行的圖案化製程時保持不被圖案化（或不被移除）的部分（或非圖案化區）來形成或實現第一壩圖案104a。並且，可使用蝕刻製程由堤部BK中藉由在堤部BK上所執行的圖案化製程時保持不被圖案化（或不被移除）的部分（或非圖案化區）來形成或實現第二壩圖案104b。

參照圖1、圖8、圖10與圖11，根據本發明之一實施例的外裝置隔離部105可設置於第一基板100的周邊部或最外像素的周邊部。舉例來說，設置於第一基板100的周邊部的最外像素可包含外裝置隔離部105，因此可被實現成具有不同於內部像素的結構。在以下說明中，外裝置隔離部可被稱為外隔離部。

外隔離部105可被實現成將第一基板100的第二裕度區MA2處所設置的自發光裝置ED隔離開來（或分離開來）。外隔離部105可被實現成避免在第一基板100的側方向上的水分（或濕氣）滲透，以避免自發光裝置ED受水分（或濕氣）的側向滲透而劣化。外隔離部105可將發光裝置層EDL的自發光裝置ED在鄰近或靠近壩部104的位置隔離（或分離）至少一次，因此可避免水分（或濕氣）的側向滲透。

外隔離部105可被實現成在第一基板100中的層間絕緣層101c上以圍繞顯示區AA。舉例來說，外隔離部105可在層間絕緣層101c之上以封閉環線形狀實現以一維地圍繞顯示區AA。

根據本發明之一實施例的外隔離部105可包含多個隔離結構105a~105c，這些隔離結構105a~105c在最外像素中設置於層間絕緣層101c之上。舉例來說，外隔離部105可包含被實現成彼此平行以具有封閉環線形狀的第一到第三隔離結構105a、105b、105c。

根據一實施例，第一隔離結構105a可被壩部104圍繞，第二與第三隔離結構105b、105c可設置成彼此平行以圍繞壩部104。舉例來說，壩部104可設置於第一隔離結構105a與第二隔離結構105b之間。

根據一實施例的第一到第三隔離結構105a、105b、105c當中的每一者可包含一下結構BS、一簷結構ES以及一上結構US。

可藉由鈍化層101d來實現下結構BS。可藉由在最外像素處所設置的鈍化層101d上所執行的圖案化製程來形成下結構BS。舉例來說，可使用蝕刻製程由鈍化層101d中藉由在鈍化層101d上所執行的圖案化製程時保持不被圖案化（或不被移除）的部分（或非圖案化區）來形成或實現下結構BS。

根據一實施例的下結構BS的側表面可被實現成傾斜結構或前縮式結構。舉例來說，下結構BS沿寬度方向的截面可具有帶有上側比下側還窄之梯形的截面結構。因此，可使用蝕刻製程由鈍化層101d中藉由在鈍化層101d上所執行的圖案化製程時保持不被圖案化（或不被移除）的部分（或非圖案化區）來形成或實現下結構BS。

簷結構ES可設置於下結構BS之上。簷結構ES可具有相同於像素電極PE的至少兩層結構。舉例來說，簷結構ES可包含一第一金屬層以及一第二金屬層，第一金屬層與像素電極PE的第一像素電極層PEL1共同形成，而第二金屬層與像素電極PE的第二像素電極層PEL2共同形成並設置（或重疊）於第一金屬層之上。舉例來說，在簷結構ES中，第一金屬層可由ITO材料所製成，而第二金屬層可由鉬鈦合金(MoTi)材料所製成，但不以此為限。

根據一實施例，可使用蝕刻製程由像素電極PE中藉由在像素電極PE上所執行的圖案化製程時保持不被圖案化（或不被移除）的部分（或非圖案化區）來形成或實現簷結構ES。

簷結構ES可具有比下結構BS的頂面還寬的寬度。簷結構ES的側面可被實現為傾斜結構或前縮式結構。舉例來說，簷結構ES沿寬度方向的截面可具有帶有與下結構BS相同之梯形的截面結構。相對於寬度方向，簷結構ES的周邊部的一側與周邊部的另一側各自可凸出至下結構BS的側表面的外側。

下結構BS的側面可相對於簷結構ES具有過切結構。舉例來說，下結構BS與簷結構ES之間的邊界部分或下結構BS的上方側面可具有相對於簷結構ES的過切結構。如此一來，簷結構ES可具有相對於下結構BS的簷結構。根據一實施例，可藉由鈍化層101d的過蝕刻製程來形成或實現下結構BS與簷結構ES之間的過切結構。

上結構US可設置於簷結構ES之上。上結構US的下表面可具有與簷結構ES的頂面相同的寬度。在上結構US中，頂面可具有與下表面相同的寬度，或可具有較窄的寬度。舉例來說，上結構US的側面可被實現成傾斜結構或前縮式結構。

根據一實施例的上結構US可包含有機絕緣材料或無機絕緣材料。舉例來說，上結構US可用與堤部BK相同的材料被堆疊在簷結構ES上。可由堤部BK中藉由在堤部BK之上所執行的圖案化製程時保持不被圖案化（或不被移除）的部分（或非圖案化區）來形成或實現上結構US。上結構US可避免簷結構ES被蝕刻。

如上所述，包含第一到第三隔離結構105a、105b、105c的外隔離部105可將自發光裝置ED隔離開來（或分離開來），或可將自發光裝置ED與共用電極CE隔離開來（或分離開來）。舉例來說，形成（或沉積）在外隔離部105之上的自發光裝置ED可藉由第一到第三隔離結構105a、105b、105c當中的每一者的過切結構（或簷結構）在執行沉積製程而非單獨的分離製程中自動地隔離開來（或分離開來）。如此一來，自發光裝置ED可包含被外隔離部105隔離的隔離區域。

根據本發明之一實施例，由有機發光裝置所製成的自發光裝置ED的沉積材料可具有線性，因此可基於第一到第三隔離結構105a、105b、105c當中的每一者的簷結構不沉積成被簷結構ES所覆蓋的下結構BS的側面之上。因此，形成（或沉積）於外隔離部105之上的自發光裝置ED可在隔離結構105a、105b、105c當中的每一者的簷結構ES與下結構BS之間被隔離（或分離）。因此，自發光裝置ED可在執行沉積製程中被外隔離部105的第一到第三隔離結構105a、105b、105c自動地隔離開來（或分離開來），因而可省略隔離（或分離）自發光裝置ED的單獨圖案化製程。如此一來，設置於第一基板100之上的自發光裝置ED可在第一基板100的周邊部被外隔離部105隔離開來（或分離開來），因此第一基板100的側向水分滲透路徑可被外隔離部105的第一到第三隔離結構105a、105b、105c阻擋。

可選地，設置於自發光裝置ED之上的共用電極CE可基於沉積在執行沉積製程中被外隔離部105的第一到第三隔離結構105a、105b、105c自動地隔離開來（或分離開來），或可基於沉積在執行沉積製程中被形成為圍繞全部的被隔離孤島形狀自發光裝置ED與外隔離部105的第一到第三隔離結構105a、105b、105c。

此外，如圖11中所繪示，包含在外隔離部105的第一到第三隔離結構105a~105c當中的至少一者中所設置的金屬材料的簷結構ES可透過在下結構BS中所形成的通孔VH電性連接於至少一個像素共用電壓線CVL。舉例來說，通孔VH可被形成為依序穿過在具有封閉環線形狀之簷結構ES與像素共用電壓線CVL之間的交叉部所設置的下結構BS、層間絕緣層101c與緩衝層101a。因此，設置於第一到第三隔離結構105a~105c當中至少一者的簷結構ES可透過對應通孔VH電性連接到至少一個像素共用電壓線CVL。如此一來，簷結構ES可與多個像素共用電壓線CVL形成等效電位，且可主要阻擋靜電從外界流向顯示區AA的內部，以避免因靜電所導致的缺陷。舉例來說，設置於第一到第三隔離結構105a~105c當中至少一者的簷結構ES可將從外界流入的靜電釋放到像素共用電壓線CVL，以避免因靜電所導致的缺陷。

參照圖8到圖11，根據本發明之一實施例的封裝層106可設置於第一基板100中除了包含第一墊部110之最外周邊部以外的其餘部分之上，且可被實現成覆蓋發光裝置層EDL。舉例來說，封裝層106可被實現成圍繞全部的發光裝置層EDL的前表面與側面，因此可避免氧氣或水分（或濕氣）滲透進發光裝置層EDL，從而提升發光裝置層EDL的可靠性

根據本發明之一實施例的封裝層106可包含第一到第三封裝層106a~106c。

第一封裝層106a可被實現成避免氧氣或水分滲透進發光裝置層EDL。第一封裝層106a可設置於共用電極CE之上，且可圍繞發光裝置層EDL。因此，發光裝置層EDL全部的前表面與側面可被第一封裝層106a圍繞。根據一實施例的第一封裝層106a可包含無機絕緣材料。

當自發光裝置ED與共用電極CE被外隔離部105隔離時，第一封裝層106a可圍繞被外隔離部105隔離的共用電極CE與自發光裝置ED的隔離表面（或分離表面）。舉例來說，第一封裝層106a可被填（或埋）入藉由外隔離部105的隔離結構（或過切結構）所形成的共用電極CE與自發光裝置ED的隔離空間，以密封或完全地圍繞外隔離部105，因此可完全地圍繞或覆蓋被隔離的自發光裝置ED與共用電極CE當中的每一者，進而從根本上（或完全地）避免水分（或濕氣）的側向滲透。

第二封裝層106b可被實現在藉由壩部104所定義的封裝區域處所設置的第一封裝層106a上，以具有比第一封裝層106a相對較厚的厚度。第二封裝層106b可具有用來完全覆蓋位於或可能位於第一封裝層106a上的顆粒（或非預期的材料或非預期的結構元件）的厚度。第二封裝層106b可因為相對較厚的厚度而擴散到第一基板100的周邊部，但第二封裝層106b的擴散可被壩部104阻擋。

根據本發明之一實施例的第二封裝層106b可包含有機絕緣材料或液體有機絕緣材料。舉例來說，第二封裝層106b可包含如SiOCz丙烯酸或環氧基樹脂的有機絕緣材料。第二封裝層106b可被稱為顆粒覆蓋層、有機封裝層，或其類似者。

第三封裝層106c可被實現成主要是避免氧氣或水分滲透進發光裝置層EDL。第三封裝層106c可被實現成圍繞全部的設置於壩部104內側的第二封裝層106b與設置於壩部104外側的第一封裝層106a。根據一實施例的第三封裝層106c可包含與第一封裝層106a相同或不同的無機絕緣材料。

再次參照圖8與圖10，根據本發明之一實施例的發光顯示裝置或第一基板100更可包含設置於封裝層106之上的一波長轉換層107。

波長轉換層107可對從每一個像素區PA的發射區入射到其上的光線的波長進行轉換。舉例來說，波長轉換層107可將從發射區入射到其上的白光（或藍光）轉換成對應到子像素SP的色光，或可僅傳遞對應到子像素SP的色光。舉例來說，波長轉換層107可包含波長轉換件與濾色層當中的其中一者。

根據一實施例的波長轉換層107可包含多個波長轉換件107a以及一保護層107b。

波長轉換件107a可設置於每一個子像素SP的發射區EA處所設置的封裝層106之上。舉例來說，每一個波長轉換件107a可被實現成具有相同於或寬於每一個子像素區的發射區EA的尺寸。

根據一實施例的波長轉換件107a可被劃分（或分類）成將白光轉換成紅光的紅光濾波器、將白光轉換成綠光的綠光濾波器以及將白光轉換成藍光的藍光濾波器。舉例來說，紅光濾波器（或第一濾光器）可設置於紅色子像素SP的發射區EA中的封裝層106之上，綠光濾波器（或第二濾光器）可設置於綠色子像素SP的發射區EA中的封裝層106之上，且藍光濾波器（或第三濾光器）可設置於藍色子像素SP的發射區EA中的封裝層106之上。

根據另一實施例的波長轉換件107a可設置於每一個子像素區的封裝層106之上。舉例來說，每一個波長轉換件107a可設置於封裝層106之上，以重疊於整個對應子像素SP。

根據另一實施例的波長轉換件107a可被實現成在封裝層106彼此重疊，其中封裝層106重疊於每一個子像素SP中除了發射區EA之外的電路區CA（或非發射區）。舉例來說，具有不同顏色的兩個以上的波長轉換件107a設置於與每一個子像素SP中除了發射區EA之外的電路區CA（或非發射區）重疊的封裝層106。在與電路區CA（或非發射區）重疊的封裝層106處所設置的兩個以上的波長轉換件107a可用作光阻擋圖案的功能，光阻擋圖案避免鄰近子像素SP之間或鄰近像素P之間的混色。

保護層107b可被實現成覆蓋波長轉換件107a並提供波長轉換件107a上方的平坦表面。保護層107b可設置成覆蓋波長轉換件107a與未設置有波長轉換件107a的封裝層106。根據一實施例的保護層107b可包含有機絕緣材料。或者，保護層107b更可包含用於吸收水分與/或氧氣的吸收材料。

可選地，根據另一實施例的波長轉換層107可包含兩層以上的波長轉換件107a，這些波長轉換件107a設置在與每一個子像素SP中除了發射區EA之外的電路區CA（或非發射區）重疊的封裝層106之上。這兩層以上的波長轉換件107a可用作光阻擋圖案的功能。

或者，波長轉換層107可被改變成具有薄片形式的波長轉換片且可設置於封裝層106之上。在此情況下，波長轉換片（或量子點片）可包含設置於一對薄膜之間的波長轉換件107a。舉例來說，當波長轉換層107包含重新發射設置在子像素SP中的色光的量子點時，子像素SP的發光裝置層EDL可被實現成發射白光或藍光。

參照圖8與圖10，根據本發明之一實施例的發光顯示裝置或第一基板100更可包含一功能膜108。

功能膜108可設置於波長轉換層107之上。舉例來說，功能膜108可藉由透明黏著件耦接到波長轉換層107之上。根據一實施例的功能膜108可包含抗反射層（或抗反射膜）、障礙層（或障礙膜）、觸控感測層與光路徑控制層（或光路徑控制膜）當中的至少一者。

抗反射層可包含圓偏振層（或圖偏振膜），圓偏振層避免將基板100處所設置的薄膜電晶體與/或像素驅動線所反射的外界光傳遞到外界。

障礙層可包含透水率低的材料（如，聚合物材料），且可主要避免水分或氧氣的滲透。

觸控感測層可包含基於互電容(mutual capacitance)法或固有電容(self-capacitance)法的觸控電極層，且可透過觸控電極層輸出對應到使用者觸控的觸控資料。

光路徑控制層可包含高折射層與低折射層交替堆疊的堆疊結構，且可改變來自每一個像素P的入射光路徑以基於視角將顏色偏移最小化。

參照圖8與圖10，根據本發明之一實施例的發光顯示裝置或第一基板100更可包含一個側密封件109。

側密封件109可形成於第一基板100與功能膜108之間，且可覆蓋波長轉換層107與電路層101全部的側面。舉例來說，側密封件109可在功能膜108與第一基板100之間覆蓋顯示裝置中暴露於外界的波長轉換層107與每一個電路層101全部的側面。並且，側密封件109可覆蓋路由部400耦接到第一基板100的第一墊部110的一部分。側密封件109可避免從每一個子像素SP的自發光裝置所發射的光從波長轉換層107的內部傳遞到其外表面的光導致的側向漏光。特別來說，重疊於第一基板100的第一墊部110的側密封件109可避免或最小化設置於第一墊部110中的第一墊111所導致的外界光的反射。

可選地，側密封件109更可包含用於吸收水分與/或氧氣的吸收材料。

根據本發明之一實施例的顯示裝置或第一基板100更可包含被提供在第一表面100a與外表面OS之間的角部的第一倒角100c。第一倒角100c可減少或最小化由外界所施加的物理衝擊所導致的第一基板100的角部的損傷，且可避免由第一基板100的角部所導致的路由部的斷開。舉例來說，第一倒角100c可具有45度的角度，但本發明不以此為限。可使用切削輪、拋光輪、雷射或其類似者藉由倒角製程來實現第一倒角100c。如此一來，設置成接觸第一倒角100c的第一墊部110的第一墊111的每一個外表面可包含傾斜面，透過倒角製程藉由移除或拋光其對應部分與第一基板100的角部，傾斜面以第一倒角100c之角度所對應的角度傾斜。舉例來說，當以45度的角度在第一基板100的第一表面100a與外表面OS之間形成第一倒角100c時，第一墊部110的第一墊111的外表面（或一端）可被形成為45度的角度。

參照圖7、圖8與圖10，根據本發明之一實施例的第二基板200可如參照圖7所述，包含一第二墊部210、至少一個第三墊部230以及一連結線部250，因此它們的重複性說明會被省略或可能會被簡略帶過。

根據一實施例的第二基板200可包含一金屬圖案層以及將金屬圖案層絕緣的一絕緣層。

金屬圖案層（或導電圖案層）可包含多個金屬層。根據一實施例的金屬圖案層可包含一第一金屬層201、一第二金屬層203以及一第三金屬層205。絕緣層可包含多個絕緣層。舉例來說，絕緣層可包含一第一絕緣層202、一第二絕緣層204以及一第三絕緣層206。絕緣層可被稱為後絕緣層或圖案絕緣層。

第一金屬層201可被實現在第二基板200的後表面200b之上。根據一實施例的第一金屬層201可包含一第一金屬圖案。舉例來說，第一金屬層201可被稱為第一連結層或連結線層。

根據一實施例的第一金屬圖案可具有Cu與MoTi的兩層結構(Cu/MoTi)。第一金屬圖案可被用作連結線部250的連結線，因此其重複性說明可能會被省略。

第一絕緣層202可被實現在第二基板200的後表面200b之上以覆蓋第一金屬層201。根據一實施例的第一絕緣層202可包含無機絕緣材料。

第二金屬層203可被實現在第一絕緣層202之上。根據一實施例的第二金屬層203可包含一第二金屬圖案。舉例來說，第二金屬層203可被稱為第二連結層、跳躍線層或橋接線層。

根據一實施例的第二金屬圖案可具有Cu與MoTi的兩層結構(Cu/MoTi)。第二金屬圖案可被用作連結線部250中多個連結線的多個閘極連結線，但本發明之實施例不以此為限。舉例來說，第二金屬層203可被用作為跳躍線（或橋接線），以用來電性連接連結線部250中在不同層上由不同金屬材料所形成的連結線。

可選地，設置於第二金屬層203的連結線（如，多個第一連結線）可被修改成設置於第一金屬層201，而設置於第一金屬層201的連結線（如，多個第二連結線）可被修改成設置於第二金屬層203。

第二絕緣層204可被實現在第二基板200的後表面200b之上以覆蓋第二金屬層203。根據一實施例的第二絕緣層204可包含無機絕緣材料。

第三金屬層205可被實現在第二絕緣層204之上。根據一實施例的第三金屬層205可包含第三金屬圖案。舉例來說，第三金屬層205可被稱為第三連結層或墊電極層。

根據一實施例的第三金屬圖案可具有ITO（或IZO）、Mo、Ti與MoTi中至少兩個材料的堆疊結構。舉例來說，第三金屬圖案可具有ITO/Mo/ITO、ITO/MoTi/ITO、IZO/Mo/ITO或IZO/MoTi/ITO當中的任一者的三層結構。第三金屬圖案可被用作為第二墊部210的墊件211。舉例來說，由第三金屬層205所形成的第二墊部210的墊件211可透過在第一與第二絕緣層202、204處所形成的墊接觸孔來電性耦接到第一金屬層201。

第三絕緣層206可被實現在第二基板200的後表面200b之上以覆蓋第三金屬層205。根據一實施例的第三絕緣層206可包含有機絕緣材料。舉例來說，第三絕緣層206可包含如光壓克力(photo acrylic)等的絕緣材料。第三絕緣層206可覆蓋第三金屬層205，以避免第三金屬層205暴露於外界。第三絕緣層206可被稱為有機絕緣層、保護層、後保護層、有機保護層、後覆層或後覆蓋層。

第二墊部210處所設置的每一個第二墊211可透過在第一與第二絕緣層202、204之處所設置的第二墊接觸孔，電性耦接到由在第二基板200的後表面200b之處所設置的第一金屬層201或第二金屬層203所製成的連結線部250的一連結線。舉例來說，第二資料墊可透過在第一與第二絕緣層202、204之處所設置的第二墊接觸孔，電性耦接到資料連結線的一端。

參照圖7、圖8與圖10，根據本發明之一實施例的耦接件300可設置於第一基板100與第二基板200之間。第一基板100與第二基板200可藉由耦接件300彼此相對連結。根據一實施例的耦接件300可為透明黏著件或含有光學透明膠(optically clear adhesive, OCA)、光學透明樹脂(optically clear resin, OCR)或感壓膠(pressure sensitive adhesive, PSA)的雙面膠。根據另一實施例的耦接件300可包含玻璃纖維。

根據一實施例的耦接件300可設置於第一基板100與第二基板200之間的整個空間。舉例來說，第一基板100的第二表面100b的全部可耦接到耦接件300的一表面的全部，且第二基板200的第一表面200a的全部可耦接到耦接件300的另一表面的全部。

根據另一實施例的耦接件300可設置於第一基板100與第二基板200之間的圖案結構中。舉例來說，耦接件300可具有線狀圖案結構或網狀圖案結構。網狀圖案結構更可包含彎曲部，此彎曲部在第一基板100連結到第二基板200的製程中，將出現在第一基板100與第二基板200之間的氣泡排放到外界。

參照圖7、圖8與圖10，根據本發明之一實施例的路由部400可包含將第一墊部110以一對一關係電性耦接到第二墊部210的路由線410。這如參照圖7所說明的，因此它的重複性說明會被省略。

根據本發明之一實施例的發光顯示裝置或路由部400更可包含一邊緣覆層430。

邊緣覆層430可被實現成覆蓋路由部400。邊緣覆層430可被實現成覆蓋路由線410。舉例來說，邊緣覆層430可為邊緣保護層或邊緣絕緣層。

根據一實施例的邊緣覆層430可被實現成覆蓋第一基板100的第一外表面OS1a和第一周邊部以及第二基板200的第一外表面OS1b和第一周邊部的全部並連同路由線410。邊緣覆層430可避免含有金屬材料之每一個路由線410的腐蝕或路由線410之間的電氣短路。並且，邊緣覆層430可避免或最小化因第一墊部110的第一墊111與路由線410所導致的外界光的反射。作為一實施例，邊緣覆層430可包含含有黑墨的光阻擋材料。作為另一實施例，邊緣覆層430可實現（或構成）顯示裝置（或顯示面板）的最外表面（或側牆），因此可包含衝擊吸收材料（或物質）或韌性材料，以避免第一與第二基板100、200當中的每一者的外表面OS的損傷。作為另一實施例，邊緣覆層430可包含光阻擋材料與衝擊吸收材料的混合材料。

根據一實施例，可將邊緣覆層430形成為圍繞有路由部400設置於其上的第一與第二基板100、200當中的每一者的外表面OS。

根據另一實施例，如圖7、圖8與圖10中所繪示，可將邊緣覆層430形成為圍繞有路由部400設置於其上的第一與第二基板100、200當中的每一者的外表面OS連同其他外表面OS的全部。舉例來說，可將邊緣覆層430形成為圍繞第一與第二基板100、200當中的每一者的全部外表面OS。在此情況下，第一與第二基板100、200當中的每一者的一個外表面OS（或第一外表面）可被路由線410與邊緣覆層430圍繞。第一與第二基板100、200當中的每一者之中，除了所述外表面OS之外的其他外表面OS（或第二到第四外表面）可僅被邊緣覆層430圍繞。舉例來說，第一與第二基板100、200當中的每一者的第一外表面可包含路由線410與邊緣覆層430，而第一與第二基板100、200當中的每一者之中除了第一外表面之外的第二到第四外表面可僅包含邊緣覆層430。

根據一實施例，當第一外表面之處所設置的邊緣覆層430與路由線410被稱為第一側牆結構，而在第二到第四外表面之處所設置的邊緣覆層430被稱為第二側牆結構時，第一側牆結構與第二側牆結構可具有不同厚度（或寬度）。舉例來說，第二側牆結構的厚度（或寬度）可比第一側牆結構的厚度（或寬度）更薄或更窄上路由線410的厚度。

圖12係圖3中所繪示之區域D的放大圖，圖13係沿圖12中所繪示之線段III-III’的另一剖面圖。這些圖式是用來說明圖3中所繪示之共用電極連接部、次要線路連結部與內隔離部的示意圖。在說明圖12與圖13之中，與圖7的元件相同或相應的元件的重複性說明在以下會被省略或將會被簡略帶過。

參照圖3、圖8、圖12與圖13，根據本發明之一實施例的每一個共用電極連接部CECP可設置於與每一個像素共用電壓線CVL重疊的像素P之間的第一電極連接區ECA1，且可將共用電極CE電性連接到每一個像素共用電壓線CVL。

每一個共用電極連接部CECP可包含一第一電極連接圖案ECP1、一槽體GRV、一第二電極連接圖案ECP2以及一連接溝槽CT。

相對於第一方向X，第一電極連接圖案ECP1可設置於像素P之間的第一電極連接區ECA1之處所設置的電路層101中，且可透過第一通孔VH1電性連接到每一個像素共用電壓線CVL。

根據本發明之一實施例第一電極連接圖案ECP1可設置於電路層101的層間絕緣層101c之上，以沿第一方向X延伸並與對應像素共用電壓線CVL交叉。第一通孔VH1可形成於第一電極連接圖案ECP1與像素共用電壓線CVL之間的重疊區域中所設置的層間絕緣層101c。第一電極連接圖案ECP1可被鈍化層101d覆蓋。

根據一實施例的第一電極連接圖案ECP1可與像素中所設置的薄膜電晶體(TFT)的源極/汲極電極一同形成。根據另一實施例，第一電極連接圖案ECP1可包含一金屬線層以及一覆蓋金屬層，金屬線層透過第一通孔VH1直接連接到像素共用電壓線CVL，而覆蓋金屬層僅覆蓋金屬線層的一部分。覆蓋金屬層（或包覆層）可避免金屬線層的腐蝕。

可形成槽體GRV，以暴露出第一電極連接區ECA1中所設置的電路層101的頂面。槽體GRV可暴露出第一電極連接區ECA1中所設置的電路層101的鈍化層101d。舉例來說，可藉由在覆蓋電路層101的平坦化層102中對設置於第一電極連接區ECA1中的平坦化層102執行圖案化製程來形成槽體GRV。

第二電極連接圖案ECP2可設置於槽體GRV中以及鄰近或靠近槽體GRV，以電性連接到第一電極連接圖案ECP1。

根據一實施例的第二電極連接圖案ECP2可設置於在第一電極連接區ECA1處被暴露的像素共用電壓線CVL與鈍化層101d上的平坦化層102上，且可透過第一電極連接圖案ECP1之上的鈍化層101d之處所形成的第二通孔VH2來電性連接到第一電極連接圖案ECP1。

根據一實施例的第二電極連接圖案ECP2可與像素中所設置的像素電極PE一同形成。

根據另一實施例，第二電極連接圖案ECP2可僅包含不被形成連接溝槽CT的圖案化製程或溝槽製程所損傷或腐蝕的金屬材料。舉例來說，第二電極連接圖案ECP2可包含一第一金屬線圖案MLP1以及一第二金屬線圖案MLP2，第一金屬線圖案MLP1透過第二通孔VH2直接連接到第一電極連接圖案ECP1，而第二金屬線圖案MLP2堆疊在第一金屬線圖案MLP1上。舉例來說，第一金屬線圖案MLP1可包含氧化銦錫(ITO)，而第二金屬線圖案MLP2可包含鉬鈦合金(MoTi)。舉例來說，像素電極PE可被實現在包含含有ITO的第一像素電極層、含有MoTi的第二像素電極層、含有ITO的第三像素電極層、含有銀(Ag)的第四像素電極層以及含有ITO的第五像素電極層的五層結構中，且在此情況下，第二電極連接圖案ECP2可僅包含在像素電極PE的第一到第五像素電極層當中的第一與第二像素電極層而非第三到第五像素電極層。

可藉由對覆蓋第一電極連接圖案ECP1的周邊部的鈍化層101d執行圖案化製程來形成連接溝槽CT。舉例來說，可藉由在對像素電極PE與第二電極連接圖案ECP2執行圖案化製程之後對鈍化層101d執行圖案化製程來形成連接溝槽CT。也就是說，連接溝槽CT可連同在最外像素中所形成或設置的外隔離部105的下結構，藉由相同的圖案化製程所形成，因此以下它的重複性說明會被省略或將會被簡略帶過。

根據一實施例的連接溝槽CT可被形成為暴露出覆蓋第一電極連接圖案ECP1之周邊部的鈍化層101d。可藉由設置於第一電極連接圖案ECP1的周邊部與第二電極連接圖案ECP2的一端之間的鈍化層101d的側面來定義連接溝槽CT。舉例來說，連接溝槽CT可具有傾斜結構或前縮式結構，但不以此為限。因此，連接溝槽CT可為第一電極連接圖案ECP1的周邊部與第二電極連接圖案ECP2的一端之間的過切區。可藉由將第二電極連接圖案ECP2用作為遮罩並對鈍化層101d執行的過蝕刻製程，來形成或實現第一電極連接圖案ECP1的周邊部與第二電極連接圖案ECP2的一端之間的過切區。

第二電極連接圖案ECP2可凸出至連接溝槽CT的側面的外側，且可重疊於或直接面向第一電極連接圖案ECP1的周邊部。第二電極連接圖案ECP2可包含凸出至連接溝槽CT的側面的外側並面向第一電極連接圖案ECP1的凸出尖端PT。因此，第二電極連接圖案ECP2的第一金屬線圖案MLP1與第二金屬線圖案MLP2當中的每一者的端部（或凸出尖端PT）可相對於連接溝槽CT具有簷結構。舉例來說，第二電極連接圖案ECP2的凸出尖端PT可為相對於連接溝槽CT的簷結構。舉例來說，可藉由將第二電極連接圖案ECP2用作為遮罩並對鈍化層101d執行的過蝕刻製程，來形成或實現第二電極連接圖案ECP2的凸出尖端PT。舉例來說，第二電極連接圖案ECP2的凸出尖端PT可被稱為第一凸出尖端。

第二電極連接圖案ECP2可基於側接觸方式而直接電性連接到共用電極CE。舉例來說，在藉由沉積製程形成自發光裝置ED的情況下，自發光裝置ED的沉積材料可具有線性，因此可沉積在第二電極連接圖案ECP2的頂面（或上表面）上，但可不沉積在第二電極連接圖案ECP2的側面與底面（或下表面）上。如此一來，第二電極連接圖案ECP2的側面與底面可不被自發光裝置ED覆蓋，且可暴露於外界。舉例來說，在第二電極連接圖案ECP2中第一金屬線圖案MLP1的側面與第二金屬線圖案MLP2的側面和底面可不被自發光裝置ED覆蓋，且可暴露於外界。

第二電極連接圖案ECP2可將第一電極連接區ECA1中所設置的自發光裝置ED隔離開來（或斷開）。舉例來說，自發光裝置ED的沉積材料可不沉積在被第二電極連接圖案ECP2的凸出尖端PT所覆蓋的連接溝槽CT的側面之上，因此可基於連接溝槽CT在過切區中被隔離開來（或斷開）。並且，沉積在第一電極連接圖案ECP1的周邊部之上的自發光裝置ED的沉積材料可被第二電極連接圖案ECP2的凸出尖端覆蓋，因此可從連接溝槽CT的側面隔開。如此一來，第一電極連接圖案ECP1中重疊於第二電極連接圖案ECP2的凸出尖端PT或被第二電極連接圖案ECP2的凸出尖端PT覆蓋的部分可不被自發光裝置ED的沉積材料覆蓋，而可被暴露。

共用電極CE可形成於自發光裝置ED的頂面上，且亦可沉積於第二電極連接圖案ECP2的頂面與底面之上，因此可基於側接觸方式直接電性連接到第二電極連接圖案ECP2。舉例來說，可透過物理沉積製程或化學沉積製程來形成共用電極CE，且在此情況下，共用電極材料可被沉積在自發光裝置ED之上，再者可基於連接溝槽CT穿過過切區，且可被沉積在第二電極連接圖案ECP2的頂面與底面之上。因此，共用電極CE可直接電性連接到第二電極連接圖案ECP2中第一金屬線圖案MLP1的側面與第二金屬線圖案MLP2的側面和底面，因此可透過第一電極連接圖案ECP1與第二電極連接圖案ECP2電性連接到像素共用電壓線CVL。如此一來，即使沒有形成獨立接觸孔或獨立接觸結構材料的製程，共用電極CE仍可透過共用電極連接部CECP電性連接到像素共用電壓線CVL。

可基於連接溝槽CT將共用電極CE形成為在過切區連續而不被隔離或斷開，因此可將共用電極CE形成為完全地圍繞自發光裝置ED。根據一實施例的共用電極CE可基於連接溝槽CT被插入過切區，且可覆蓋連接溝槽CT的側面、被第二電極連接圖案ECP2的凸出尖端PT覆蓋與暴露的第一電極連接圖案ECP1的一部分以及在第一電極連接圖案ECP1被隔離的自發光裝置ED。因此，共用電極CE可直接電性連接到第一電極連接圖案ECP1與第二電極連接圖案ECP2的凸出尖端PT之間的過切區之處的第一電極連接圖案ECP1的一部分。如此一來，共用電極CE可直接電性連接到第二電極連接圖案ECP2的凸出尖端PT，且亦可直接連接到第一電極連接圖案ECP1，因此可增加共用電極CE與共用電極連接部CECP之間的電性接觸區。

每一個共用電極連接部CECP可被封裝層106覆蓋與平坦化。舉例來說，封裝層106的第一封裝層106a可設置於共用電極CE之上，以圍繞或覆蓋共用電極CE。封裝層106的第二封裝層106b可設置於第一封裝層106a之上，且可在第一封裝層106a之上提供平坦表面。如此一來，與每一個共用電極連接部CECP之處所形成的槽體GRV重疊的區域可被第二封裝層106b平坦化。第二封裝層106b可被封裝層106的第三封裝層106c覆蓋。

根據本發明之一實施例的每一個次要線路連接部SLCP可設置於與每一個次要電壓線SVL重疊的像素P之間的第二電極連接區ECA2中，且可將共用電極CE電性連接到次要電壓線SVL。

每一個次要線路連接部SLCP可包含第一電極連接圖案ECP1、槽體GRV、第二電極連接圖案ECP2以及連接溝槽CT。除了每一個次要線路連接部SLCP在平行於第一電極連接區ECA1的第二電極連接區ECA2之處將共用電極CE電性連接到每一個次要電壓線SVL之外，每一個次要線路連接部SLCP可實質上相同於每一個共用電極連接部CECP，因此相似的參考標號係指相似的元件，且它們的重複性說明會被省略。

在根據本發明之一實施例的發光顯示裝置中，設置於顯示區AA的每一個像素P的像素共用電壓線CVL可透過每一個像素P中的共用電極連接部CECP與次要線路連接部SLCP電性連接到共用電極CE，因此施加到每一個像素P的像素共用電壓可為均勻的，從而避免或最小化因施加到每一個像素P的像素共用電壓之基於區域的非均勻性（或偏差）所造成的影像品質的低下或亮度的非均勻性。

每一個內隔離部103可設置成鄰近或靠近每一個共用電極連接部CECP，以圍繞每一個共用電極連接部CECP。一個內隔離部103可設置成鄰近或靠近共用電極連接部CECP，以圍繞一個共用電極連接部CECP。

每一個內隔離部103可設置成圍繞每一個次要線路連接部SLCP。舉例來說，每一個內隔離部103可設置成圍繞全部的共用電極連接部CECP與一個次要線路連接部SLCP。

根據本發明之一實施例的每一個內隔離部103可包含第一到第n溝槽結構103-1~103-2。

根據一實施例的第一到第n溝槽結構當中的每一者可具有在其一側一維地包含開口部的弧形形狀。第一到第n溝槽結構當中的每一者可具有設置成同心圓形狀且在其一側開口的弧形形狀。隔離結構可被嵌套，一個在另一個內部，且各自的開口在彼此的相對側。舉例來說，第一到第n溝槽結構可一維地具有C形狀，但本發明不以此為限。舉例來說，此結構可為盒狀、交叉指型梳狀或除了C形狀以外的其他形狀。

根據一實施例，第一到第n溝槽結構的第k溝槽結構（其中k為1到n-1）的開口部可被第k+1溝槽結構圍繞。

根據一實施例的每一個內裝置隔離部103可包含第一溝槽結構103-1與第二溝槽結構103-2。此溝槽結構在一實施例中可為形成於溝槽內的垂直結構或凸台(mesa)。

第一溝槽結構103-1可設置成圍繞鄰近或靠近一個共用電極連接部CECP與一個次要線路連接部SLCP的部分。第一溝槽結構103-1的開口部可鄰近所述共用電極連接部CECP。如此一來，次要線路連接部SLCP可被第一溝槽結構103-1圍繞。舉例來說，共用電極連接部CECP與次要線路連接部SLCP可設置於第一溝槽結構103-1的內部區域中。

第二溝槽結構103-2可設置成圍繞第一溝槽結構103-1。第二溝槽結構103-2可圍繞第一溝槽結構103-1的開口部。第二溝槽結構103-2的開口部可朝向與面向第一溝槽結構103-1的開口部之方向相對的方向，使得其面向第一溝槽結構103-1的弧的閉合部分。

根據一實施例的第一溝槽結構103-1與第二溝槽結構103-2當中的每一者可包含一第一溝槽圖案（或一第一溝槽圖案結構）103a、一第二溝槽圖案（或一第二溝槽圖案結構）103b以及一第三溝槽圖案（或一第三溝槽圖案結構）103c。於此對圖案的引用包含在此圖案中所形成的結構或包含已形成有此圖案的結構之意思內。

第一溝槽圖案103a可設置於被定義成部分圍繞、鄰近或靠近一個共用電極連接部CECP與一個次要線路連接部SLCP的像素溝槽區的鈍化層101d之上。第一溝槽圖案103a可具有以同心圓形狀在其一側開口的弧形形狀。舉例來說，第一溝槽圖案103a可一維地具有C形狀，但本發明之實施例不以此為限。

第一溝槽圖案103a可包含與平坦化層102的相同的材料。舉例來說，可由平坦化層102中藉由在像素溝槽區的鈍化層101d之上的平坦化層102上所執行的圖案化製程時保持不被圖案化（或不被移除）的部分（或非圖案化區）來形成或實現第一溝槽圖案103a。如此一來，第一溝槽圖案103a可具有與平坦化層102相同的厚度（或粗度或高度）。

根據一實施例的第一溝槽圖案103a可被實現成傾斜垂直結構或前縮式結構。舉例來說，在第一溝槽圖案103a中，底面的寬度可比頂面的寬度還寬，因此側面可被實現成傾斜結構或前縮式結構。舉例來說，第一溝槽圖案103a沿第一方向X的截面可具有頂側比下側還窄的梯形形狀。

第二溝槽圖案103b可設置於第一溝槽圖案103a之上。

可與像素中所設置的像素電極PE一同形成根據一實施例的第二溝槽圖案103b。舉例來說，可與第二電極連接圖案ECP2一同形成第二溝槽圖案103b，且第二溝槽圖案103b可為垂直隔離件。

根據一實施例的第二溝槽圖案103b可具有比第一溝槽圖案103a的頂面還寬的寬度。第二溝槽圖案103b可具有較寬於或等同於第一溝槽圖案103a之下表面的寬度。因此，第二溝槽圖案103b可包含凸出至第一溝槽圖案103a之側面之外側的分離尖端(disconnection tip) 103t。舉例來說，第二溝槽圖案103b的二周邊部皆可凸出成覆蓋或遮擋第一溝槽圖案103a的側面，因此可實現分離尖端103t。舉例來說，第二溝槽圖案103b的分離尖端103t的一端與第一溝槽圖案103a的側面之間的距離可比藉由將自發光裝置ED的厚度與共用電極CE的厚度加總所獲得的厚度還大。舉例來說，可藉由將第二溝槽圖案103b的分離尖端103t用作為遮罩並在平坦化層102上執行的過蝕刻製程來形成或實現第二溝槽圖案103b的分離尖端103t。舉例來說，第二溝槽圖案103b的分離尖端103t可被稱為第二凸出部。舉例來說，第二溝槽圖案103b可被稱為簷結構或尖端結構材料。

根據本發明之一實施例，第一溝槽圖案103a的側面可相對於第二溝槽圖案103b具有過切結構。舉例來說，第一溝槽結構103-1與第二溝槽結構103-2當中的每一者可包含第一溝槽圖案103a與第二溝槽圖案103b之間的邊界部分或在第一溝槽圖案103a的上側面之處所設置的過切區。第一溝槽圖案103a與第二溝槽圖案103b之間的過切區可為用來隔離（或斷開）發光裝置層EDL之至少一部分的結構材料。舉例來說，第一溝槽圖案103a與第二溝槽圖案103b之間的過切區可藉由在平坦化層102上執行過蝕刻製程而被形成或實現。第二溝槽圖案103b可基於第一溝槽圖案103a的過切結構凸出至第一溝槽圖案103a的側面的外側，因此可覆蓋第一溝槽圖案103a的側面。如此一來，第二溝槽圖案103b可相對於第一溝槽圖案103a具有簷結構。

第三溝槽圖案103c可被堆疊於第二溝槽圖案103b上。第三溝槽圖案103c可具有小於等於第二溝槽圖案103b的頂面的寬度。第三溝槽圖案103c的側面可被實現成傾斜結構或前縮式結構。舉例來說，第一溝槽圖案103a沿寬度方向的截面結構可具有與第二溝槽圖案103b相同的梯形形狀。

根據一實施例的第三溝槽圖案103c可被堆疊於第二溝槽圖案103b上，且可包含與堤部BK相同的材料。可將第三溝槽圖案103c形成或實現為由堤部BK中藉由在堤部BK上所執行的圖案化製程時保持不被圖案化（或不被移除）的部分（或非圖案化區）構成的垂直件。第三溝槽圖案103c可避免第二溝槽圖案103b被蝕刻。

根據一實施例，內隔離部103上所設置的自發光裝置ED的材料層可在執行沉程製程中基於第一溝槽圖案103a與第二溝槽圖案103b之間的過切區（或簷結構）自動被隔離（或斷開）。舉例來說，因為自發光裝置ED的沉積材料具有線性，自發光裝置ED的材料層可不沉積在被第二溝槽圖案103b所覆蓋的第一溝槽圖案103a的側面之上，且可沉積在第三溝槽圖案103c的頂面與側面上、第二溝槽圖案103b的側面上以及鄰近或靠近第一溝槽圖案103a的鈍化層101d上，因此可在第一溝槽圖案103a與第二溝槽圖案103b之間的過切區中被隔離開來（或斷開）。如此一來，自發光裝置ED可在執行沉積製程時在第一溝槽圖案103a與第二溝槽圖案103b當中的每一者中被自動地隔離開來（或斷開）。

如此一來，溝槽圖案103-1形成圍繞電極連接圖案的一第一隔離結構，第一隔離結構位於相鄰兩行像素與相鄰兩列像素之間。第一隔離結構103-1包含一第一垂直件103a以及在第一垂直件103a之上的一第二垂直件103b。在第二垂直件103b之上有一第三垂直件103c，每一個垂直件103a、103b、103c包含第一隔離結構103-1。第一垂直件103a在頂部區域具有第一寬度，且第二垂直件103b在其底部區域具有比第一寬度還大的一第二寬度。

根據一實施例，內隔離部103之上所設置的共用電極CE的電極材料可在基於第一溝槽圖案103a與第二溝槽圖案103b之間的過切區（或簷結構）在執行沉積製程時被自動地隔離開來（或斷開）。舉例來說，共用電極CE的電極材料可不沉積在被第二溝槽圖案103b覆蓋的第一溝槽圖案103a的側面上，且可沉積在第三溝槽圖案103c的頂面與側面上、第二溝槽圖案103b的側面上以及鄰近或靠近第一溝槽圖案103a的鈍化層101d上，因此可在第一溝槽圖案103a與第二溝槽圖案103b之間的過切區中被隔離開來（或斷開）。如此一來，內隔離部103上所設置的共用電極CE可在執行沉積製程時在第一溝槽結構103-1與第二溝槽結構103-2當中的每一者中被自動地隔離開來（或斷開）。

被內隔離部103隔離的共用電極CE可直接接觸鈍化層101d的最上表面（或一表面），以圍繞被內隔離部103隔離的自發光裝置ED的一端。舉例來說，被內隔離部103隔離的共用電極CE可密封被內隔離部103隔離的自發光裝置ED的一端與鈍化層101d之間的邊界部分，因此可避免水分透過鈍化層101d與自發光裝置ED之一端之間的邊界部分滲透。

根據另一實施例，內隔離部103之上所設置的共用電極CE的電極材料可被形成為在內隔離部103的過切區連續而不被隔離或斷開，因此可形成為完全地圍繞自發光裝置ED。舉例來說，共用電極CE可被插入第一溝槽圖案103a與第二溝槽圖案103b之間的過切區，且可覆蓋第一溝槽圖案103a的側面、在第二溝槽圖案103b的分離尖端103t下方被暴露的鈍化層101d的最上表面（或一表面）以及被內隔離部103隔離的自發光裝置ED。如此一來，共用電極CE可完全地圍繞被內隔離部103隔離的自發光裝置ED。

封裝層106可圍繞並平坦化每一個內隔離部103。舉例來說，封裝層106的第一封裝層106a可設置於共用電極CE之上以圍繞共用電極CE。封裝層106的第二封裝層106b可設置於第一封裝層106a之上，且可於第一封裝層106a之上提供平坦表面。如此一來，內隔離部103與其周邊區域可被第二封裝層106b平坦化。第二封裝層106b可被封裝層106的第三封裝層106c覆蓋。

根據一實施例的每一個內隔離部103更可包含一迷宮區103m，迷宮區103m設置於第一到第n溝槽結構103-1~103-2之間。舉例來說，每一個內隔離部103更可包含設置於第一到第二溝槽結構103-1~103-2之間的迷宮區103m。

迷宮區103m可為內隔離部103的外部區域中所設置的共用電極CE與內隔離部103的內部區域中所設置的共用電極CE的線接觸區CEc之間的區域。迷宮區將包含一或多個結構，其具有在最外區域與最內區域之間有多個轉折或轉角的元件。因此，水分或其他雜質必需從迷宮的外部向中心導向移動才能到達中心區域。迷宮區103m包含一或多個迷宮牆或結構，具有水平和垂直結構與水平和垂直的轉折或轉角。藉由具有水平和垂直的結構、轉折與轉角，水分或其他雜質更難以到達迷宮區的最內區域。

根據一實施例的迷宮區103m可在第一溝槽結構103-1與第二溝槽結構103-2之間具有弧形形狀。舉例來說，迷宮區103m可避免與共用電極連接部CECP與次要線路連接部SLCP當中的每一者重疊的共用電極CE的線接觸區CEc被具有弧形形狀的第一溝槽結構103-1與第二溝槽結構103-2當中的每一者隔離成孤島形狀。如此一來，迷宮區103m可被稱為共用電極區、共用電極橋接區或共用電極橋接線。

根據一實施例，迷宮區103m可為共用電極CE中未在第一溝槽結構103-1與第二溝槽結構103-2之間被移除的一部分區域，使得與共用電極連接部CECP與次要線路連接部SLCP當中的每一者重疊的共用電極CE的線接觸區CEc不從內隔離部103的外部區域中所設置的共用電極CE隔離成孤島形狀。因此，與共用電極連接部CECP與次要線路連接部SLCP當中的每一者重疊的共用電極CE的線接觸區CEc可透過迷宮區103m為連續而不從內隔離部103的外部區域中所設置的共用電極CE斷開來。如此一來，施加到像素共用電壓線CVL的像素共用電壓可透過第一電極連接圖案ECP1、第二電極連接圖案ECP2、共用電極CE的線接觸區CEc與迷宮區103m被施加到內隔離部103的外部區域中所設置的共用電極。

根據一實施例，每一個內隔離部103可阻擋或最大限度地延遲（或延長）水分（或濕氣）透過共用電極連接部CECP與/或次要線路連接部SLCP的內側滲透，從而避免或最小化因水分（或濕氣）的內側滲透所造成的自發光裝置ED的可靠性下降。舉例來說，滲透進共用電極連接部CECP與/或次要線路連接部SLCP當中的每一者之上的發光裝置層EDL的水分可透過一個最短水分滲透路徑MPP1向發射區EA傳遞（或穿透）。在此情況下，因為設置在最短水分滲透路徑MPP1中的自發光裝置ED被第一溝槽結構103-1與第二溝槽結構103-2當中的每一者隔離開來，透過最短水分滲透路徑MPP1向發射區EA傳遞的水分可被第一溝槽結構103-1與第二溝槽結構103-2當中的每一者阻擋。穿透進共用電極連接部CECP與/或次要線路連接部SLCP當中的每一者之上的發光裝置層EDL的水分可透過包含繞過最短水分滲透路徑MPP1的迷宮區103m的一個水分滲透延遲路徑MPP2朝向發射區EA傳遞（或穿透），因此到達發射區EA的水分滲透時間與水分滲透路徑可被水分滲透延遲路徑MPP2延遲或延長。

因此，每一個內隔離部103可最大限度地延長滲透進共用電極連接部CECP與/或次要線路連接部SLCP當中的每一者之上的發光裝置層EDL的水分到達發射區EA的水分滲透時間與水分滲透路徑，因此可最小化因為水分所造成的自發光裝置的可靠性低下或可延長自發光裝置的壽命。

如上所述，在根據本發明之一實施例的發光顯示裝置中，可透過與電性連接到顯示區AA中所設置的像素共用電壓線CVL與共用電極CE的共用電極連接部CECP鄰近或靠近設置的內隔離部103來避免或延遲發生在共用電極連接部CECP中的水分滲透。並且，在根據本發明之一實施例的發光顯示裝置中，壩部104與外隔離部105可設置於第一基板100（或最外像素）的周邊部，從而避免因水分的側向滲透所造成的自發光裝置ED的可靠性低下，並實現具有無邊框區且具有歸零化邊框的空氣邊框結構。

圖14係繪示有根據本發明之一實施例之多區幕顯示裝置的示意圖，且圖15係沿圖14中所繪示之線段IV-IV’的剖面圖。圖14與圖15繪示藉由將根據圖1到圖13中所繪示的本發明之另一實施例的發光顯示裝置平鋪而實現的多螢幕顯示裝置。

參照圖14與圖15，根據本發明之一實施例的多螢幕顯示裝置（或平鋪發光顯示裝置）可包含多個顯示裝置DM1~DM4。

顯示裝置DM1~DM4可各自顯示個別的影像，或可分區地顯示一個影像。顯示裝置DM1~DM4當中的每一者可包含圖1到圖13中所繪示的根據本發明之一實施例的發光顯示裝置，因此它們的重複性說明會被省略或將會被簡略帶過。

顯示裝置DM1~DM4可被平鋪在獨立的平鋪框上，以在其側面彼此接觸。舉例來說，顯示裝置DM1~DM4可被平鋪成N×M形式，從而實現具有大螢幕的多螢幕顯示裝置。舉例來說，N為1以上的正整數，而M為2以上的正整數，但本發明不以此為限，舉例來說，N為2以上的正整數，而M為1以上的正整數。

顯示裝置DM1~DM4當中的每一者可不包含圍繞全部顯示影像之顯示區AA的邊框區（或非顯示部），且可具有顯示區AA被空氣圍繞的空氣邊框結構。舉例來說，在顯示裝置DM1~DM4當中的每一者之中，第一基板100的第一表面的全部可被實現成顯示區AA。

根據本實施例，在顯示裝置DM1~DM4當中的每一者之中，最外像素Po的中心部CP與第一基板100的最外表面VL之間的第二間隔D2可被實現成鄰近像素之間的第一間隔D1（或像素間距）的一半以下。如此一來，基於側向耦接方式沿第一方向X與第二方向Y在其側面彼此耦接的兩個鄰近顯示裝置DM1~DM4之中，最外像素區PAo之間的間隔「D2+D2」可小於等於兩個鄰近像素之間的第一間隔D1。參照圖15，沿第二方向Y在其側面彼此耦接（或接觸）的第一到第三顯示裝置DM1~DM3之中，第一顯示裝置DM1的最外像素Po的中心部CP與第三顯示裝置DM3的最外像素Po的中心部CP之間的間隔「D2+D2」可小於等於設置於第一與第三顯示裝置DM1、DM3當中的每一者中的兩個鄰近像素之間的第一間隔D1（或像素間距）。

因此，沿第一方向X與第二方向Y在其一側面彼此耦接（或接觸）的兩個鄰近顯示裝置DM1~DM4的最外像素Po的中心部CP之間的間隔「D2+D2」可小於等於設置於顯示裝置DM1~DM4當中的每一者的兩個鄰近像素之間的第一間隔D1，因此兩個鄰近顯示裝置DM1~DM4之間可能沒有接縫或邊界部部，從而不會有因設置於顯示裝置DM1~DM4之間的邊界部分所造成的暗區。結果，在顯示裝置DM1、DM2、DM3、DM4平鋪成N×M形式的多螢幕顯示裝置上所顯示的影像可在顯示裝置DM1、DM2、DM3、DM4之間的邊界區域連續地顯示而沒有斷開（或不連續）的感覺。

在圖14與圖15中，將顯示裝置DM1~DM4繪示成平鋪成2×2形式，但本發明之實施例不以此為限，且顯示裝置DM1~DM4可平鋪成x×1形式、1×y形式或x×y形式。舉例來說，在x×1形式中x可為大於等於2的自然數，在1×y形式中y可為大於等於2的自然數，且在x×y形式中x與y可為大於等於2的自然數且可彼此相同或不同。舉例來說，在x×y形式中，x可為大於等於2的自然數且可等於y，或x與y可為大於等於2的自然數且y大於或小於x。

如上所述，當顯示裝置DM1~DM4的顯示區AA為一個螢幕或顯示一個影像時，根據本發明之一實施例的多螢幕顯示裝置可在顯示裝置DM1~DM4之間的邊界區域顯示連續而沒有斷開的影像，因此可增加觀看者在觀看由多螢幕顯示裝置所顯示的影像的沉浸感。

將於以下描述根據本發明之一實施例的發光顯示裝置與包含其的多螢幕顯示裝置。

根據本發明之一實施例的發光顯示裝置可包含多個像素、一電路層、一發光裝置層、一共用電極連接部以及一內隔離部，這些像素在一第一基板之上沿一第一方向以及一第二方向排列，且第二方向不同於第一方向，電路層包含一像素共用電壓線，像素共用電壓線平行於第二方向並沿第一方向設置於像素之間，發光裝置層包含一自發光裝置以及一共用電極，自發光裝置設置於電路層之上，且共用電極設置於自發光裝置之上，共用電極連接部將像素共用電壓線電性耦接到共用電極，內隔離部圍繞共用電極連接部並將設置於內隔離部之上的自發光裝置隔離開來。

根據本發明之部分實施例，內隔離部可包含一第一溝槽結構到一第n溝槽結構，第一溝槽結構到第n溝槽結構圍繞共用電極連接部，其中n為2以上的自然數。

根據本發明之部分實施例，內隔離部可包含一第一溝槽結構到一第n溝槽結構，第一溝槽結構到第n溝槽結構圍繞共用電極連接部，其中n為2以上的自然數，且第一溝槽結構到第n溝槽結構當中的每一者可包含以同心圓形狀設置的弧形形狀並且在其一側包含一開口部。

根據本發明之部分實施例，內隔離部更可包含形成於第一溝槽結構到第n溝槽結構之間的一迷宮區。

根據本發明之部分實施例，設置於內隔離部之一內部區域中的共用電極藉由設置於迷宮區中的共用電極電性連接到設置於內隔離部之一外部區域中的共用電極。

根據本發明之部分實施例，第一溝槽結構到第n溝槽結構當中的一第k溝槽結構的一開口部可被一第k+1溝槽結構圍繞，k為1到n-1的自然數。

根據本發明之部分實施例，第一溝槽結構到第n溝槽結構當中的一第k溝槽結構的一開口部與一第k+1溝槽結構的一開口部可朝向不同方向，k為1到n-1的自然數。

根據本發明之部分實施例，第一溝槽結構到第n溝槽結構的每一者可包含一第一溝槽圖案、一第二溝槽圖案以及一第三溝槽圖案，第一溝槽圖案設置於電路層之上，第二溝槽圖案設置於第一溝槽圖案之上以相對於第一溝槽圖案具有一簷結構，且第三溝槽圖案設置於第二溝槽圖案之上，且設置於內隔離部之上的自發光裝置被第二溝槽圖案的簷結構隔離開來。簷因而作為既垂直又水平的迷宮結構。圍繞簷的轉折在水平方向上既垂直地向上又向外。

根據本發明之部分實施例，發光顯示裝置更可包含一平坦化層，平坦化層設置於電路層與發光裝置層之間，發光裝置層更可包含一像素電極，像素電極設置於每一個像素的平坦化層之上，第一溝槽圖案可包含與平坦化層之材料相同的材料，並且第二溝槽圖案可包含與像素電極之材料相同的材料。

根據本發明之部分實施例，發光顯示裝置更可包含一堤部，堤部設置於每一個像素處所設置之像素電極的一周邊部與平坦化層之上，第三溝槽圖案可包含與堤部之材料相同的材料。

根據本發明之部分實施例，電路層更可包含設置於像素共用電壓線之上的一鈍化層以及一層間絕緣層，共用電極連接部可包含一第一電極連接圖案、一第二電極連接圖案以及一連接溝槽，第一電極連接圖案設置於層間絕緣層與鈍化層之間並電性連接到像素共用電壓線，第二電極連接圖案設置於鈍化層之上並電性連接到第一電極連接圖案，連接溝槽包含一過切區，過切區係藉由移除第一電極連接圖案與第二電極連接圖案的一端部之間的鈍化層所形成，並且共用電極可電性連接到第二電極連接圖案的端部的一底面與一側面。

根據本發明之部分實施例，第二電極連接圖案的端部可相對於連接溝槽具有一簷結構，並且共用電極可電性連接到在過切區處或在簷結構之下的第一電極連接圖案。

根據本發明之部分實施例，發光顯示裝置更可包含一平坦化層，平坦化層設置於電路層與發光裝置層之間，發光裝置層更可包含一像素電極，像素電極設置於平坦化層之上，共用電壓連接部更可包含藉由移除平坦化層之一部分以暴露鈍化層所形成的一槽體，並且第二電極連接圖案可設置於被暴露的鈍化層與平坦化層之上並包含與像素電極之材料相同的材料。

根據本發明之部分實施例，發光顯示裝置更可包含一個次要電壓線、一線路連接圖案以及一個次要線路連接部，次要電壓線設置於平行於像素共用電壓線的電路層中，線路連接圖案電性連接像素共用電壓線與次要電壓線，次要線路連接部將次要電壓線電性連接到共用電極，內隔離部可額外地圍繞次要線路連接部並可額外地將鄰近或靠近次要線路連接部的自發光裝置隔離開來。

根據本發明之部分實施例，內隔離部可包含一第一溝槽結構到一第n溝槽結構以及一迷宮區，第一溝槽結構到第n溝槽結構圍繞共用電極連接部與次要線路連接部，其中n為2以上的自然數，迷宮區介於第一溝槽結構到第n溝槽結構之間。

根據本發明之部分實施例，第一溝槽結構到第n溝槽結構當中的每一者可包含以同心圓形狀設置的弧形形狀並且在其一側包含一開口部。

根據本發明之部分實施例，第一溝槽結構到第n溝槽結構當中的每一者可包含一第一溝槽圖案、一第二溝槽圖案以及一第三溝槽圖案，第一溝槽圖案設置於電路層之上，第二溝槽圖案設置於第一溝槽圖案之上以相對於第一溝槽圖案具有一簷結構，第三溝槽圖案設置於第二溝槽圖案之上，並且設置於內隔離部之上的自發光裝置可被第二溝槽圖案的簷結構隔離開來。

根據本發明之部分實施例，發光顯示裝置更可包含一壩部、一外隔離部以及一封裝層，壩部設置於第一基板的一周邊部，外隔離部設置成鄰近或靠近壩部以將設置於外隔離部之上的自發光裝置隔離開來，封裝層設置於發光裝置層之上並包含一有機封裝層，有機封裝層設置於由壩部所圍繞的一封裝區之上。

根據本發明之部分實施例，外隔離部可包含多個隔離結構，每一個隔離結構可包含一下結構、一簷結構以及一上結構，下結構設置於電路層中，一簷結構設置於下結構之上，上結構設置於簷結構之上，其中自發光裝置設置於外隔離部之上並且由簷結構所隔離開來。

根據本發明之部分實施例，發光顯示裝置更可包含一第一墊部、一第二基板、一耦接件以及一路由部，第一墊部配置成包含多個第一墊，第一墊設置於第一基板的一周邊部，第二基板配置成包含一第二墊部，第二墊部包含多個第二墊，第二墊部的第二墊重疊於每一個第一墊，耦接件設置於第一基板與第二基板之間，路由部設置於第一基板與第二基板當中的每一者的一側面且包含多個路由線以將第一墊以一對一的關係連接到第二墊。

根據本發明之部分實施例的多螢幕顯示裝置可包含多個顯示裝置，顯示裝置沿一第一方向以及一第二方向當中的至少一方向設置，其中第二方向不同於第一方向，每一個顯示裝置可包含一發光顯示裝置，且發光顯示裝置可包含多個像素、一電路層、一發光裝置層、一共用電極連接部以及一內隔離部，這些像素在一第一基板之上沿第一方向與第二方向排列，電路層包含一像素共用電壓線，像素共用電壓線平行於第二方向並沿第一方向設置於像素之間，發光裝置層包含一自發光裝置以及一共用電極，自發光裝置設置於電路層之上，且共用電極設置於自發光裝置之上，共用電極連接部將像素共用電壓線電性耦接到共用電極，內隔離部圍繞共用電極連接部並將設置於內隔離部之上的自發光裝置隔離開來。

根據本發明之部分實施例，在沿第一方向與/或第二方向相鄰的一第一顯示裝置以及一第二顯示裝置之中，第一顯示裝置的一最外像素的中心部與第二顯示裝置的一最外像素的中心部之間的一距離可小於等於一像素間距，並且像素間距是介於沿第一方向與第二方向鄰近的多個像素的中心部之間的距離。

根據本發明之部分實施例的顯示裝置可包含一基板、多個像素驅動電壓線、多個電極連接圖案以及一第一隔離結構，基板具有形成於其上的多個像素，這些像素排列成相鄰的行與相鄰的列，像素驅動電壓線位於相鄰兩行像素之間，電極連接圖案在相鄰兩列像素與相鄰兩行像素之間的位置耦接到各個像素驅動電壓線，第一隔離結構圍繞電極連接圖案，第一隔離件位於相鄰兩列像素與相鄰兩行像素之間，第一隔離結構可包含一第一垂直件以及在第一垂直件之上的一第二垂直件。

根據本發明之部分實施例，第一垂直件在頂部區域可具有第一寬度，且第二垂直件在其底部區域可具有比第一寬度還大的一第二寬度。

根據本發明之部分實施例，顯示裝置更可包含一簷結構，且簷結構位於第一垂直件與第二垂直件之間。

根據本發明之部分實施例，顯示裝置更可包含一第二隔離結構，第二隔離結構圍繞第一隔離結構，第二隔離結件為具有開口的圓形件，且此開口鄰近於第一隔離結構的牆部。

根據本發明之部分實施例，第一隔離結構更可包含一開口，且此開口相對於第二隔離結構的開口。

根據本發明之部分實施例的多螢幕顯示裝置可包含彼此抵頂的一第一顯示裝置以及一第二顯示裝置，第一顯示裝置與第二顯示裝置各自包含一顯示裝置，顯示裝置可包含一基板、多個像素驅動電力線、多個電極連接圖案以及一第一隔離結構，基板具有形成於其上的多個像素，這些像素排列成相鄰的行與相鄰的列，像素驅動電力線位於相鄰兩行像素之間，電極連接圖案在相鄰兩列像素與相鄰兩行像素之間的位置耦接到各個像素驅動電力線，第一隔離結構圍繞電極連接圖案，第一隔離件位於相鄰兩列像素與相鄰兩行像素之間，第一隔離結構可包含一第一垂直件以及在第一垂直件之上的一第二垂直件。

根據本發明之部分實施例，在第一顯示裝置或第二顯示裝置之中，第一顯示裝置的一最外像素的中心部與第二顯示裝置的一最外像素的中心部之間的一距離小於等於一像素間距，並且像素間距是介於鄰近的多個像素的中心部之間的距離。

根據本發明之一實施例的發光顯示裝置可應用於包含顯示面板的所有電子裝置。舉例來說，根據本發明之一實施例的顯示裝置可應用於移動裝置、視訊電話、智慧型手錶、手錶電話、可穿戴裝置、可折疊裝置、可捲曲裝置、可彎折裝置、柔性裝置、彎曲裝置、電子組織器、電子書、可攜式多媒體播放器(portable multimedia player, PMP)、個人數位助理(personal digital assistant, PDA)、MP3播放器、移動醫療裝置、桌上型個人電腦(personal computer, PC)、膝上型電腦、上網用筆記型電腦、工作站、導航裝置、車輛導航裝置、車輛顯示裝置、車輛裝置、劇院裝置、劇院顯示裝置、電視、壁紙顯示裝置、標誌裝置、遊戲機、筆記型電腦、顯示器、照相機、錄影機、家用電器等等。

對本領域技術人員顯而易見的是，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可有對本發明進行各種修改和變化。因此，本發明旨於涵蓋本發明的修改和變化，只要它們落入申請專利範圍及其等同物的範圍內。

雖然本發明以前述之諸項實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。

10:發光顯示裝置 100:基板 100a、100b、200a、200b:表面 100c:第一倒角 101:電路層 101a:緩衝層 101b:電路陣列層 101c:層間絕緣層 101d:鈍化層 102:平坦化層 103:隔離部 103:隔離件 103-1、103-2:結構 103-1:圖案 103a:第一溝槽圖案 103a:第一垂直件 103b:第二溝槽圖案 103b:第二垂直件 103c:第三溝槽圖案 103c:第三垂直件 103m:迷宮區 103t:分離尖端 104:壩部 104a:第一壩圖案 104b:第二壩圖案 105:隔離部 105a、105b、105c:隔離結構 106:封裝層 106a:第一封裝層 106b:第二封裝層 106c:第三封裝層 107:波長轉換層 107a:波長轉換件 107b:保護層 108:功能膜 109:側密封件 110、210、230:墊部 111:第一墊 150:閘極驅動電路 1501~150m:級電路部 1511~151n:分支電路 153:分支網路 200:第二基板 201:第一金屬層 202:第一絕緣層 203:第二金屬層 204:第二絕緣層 205:第三金屬層 206:第三絕緣層 211:第二墊 211:墊件 250:連結線部 251、253:連結線 300:耦接件 400:路由部 410:路由線 411:像素電力路由線 413:資料路由線 415:參考電壓路由線 417:閘極路由線 419:像素共用電壓路由線 430、450:邊緣覆層 500:驅動電路部 510:柔性電路膜 530:驅動積體電路 550:印刷電路板 570:時序控制器 590:電力電路 AA:顯示區 ACT:主動層 BK:堤部 BL1:第一緩衝層 BL2:第二緩衝層 BML:下金屬層 BS:下結構 CA、CA1~CA4:電路區 CE:共用電極 CEc:線接觸區 CECP:共用電極連接部 CP:中心部 Cst:儲存電容器 CT:連接溝槽 CVP:像素共用電壓墊 D1、D2:間隔 CVL、DL、GL、GCL、PL、RL:線 DLe、DLo:資料線 DM1、DM2、DM3、DM4:顯示裝置 DP:第一資料墊 EA、EA1、EA2、EA3、EA4:發射區 ECA1:第一電極連接區 ECA2:第二電極連接區 ECH:電極接觸孔 ECP1、ECP2:圖案 ED:自發光裝置 EDL:發光裝置層 ES:簷結構 GE:閘極電極 GI:閘極絕緣層 GLe、GLo:閘極線 GP:第一閘極墊 GRV:槽體 L1:第一長度 L2:第二長度 LCP:線路連接圖案 LSP:光阻擋圖案 MA1:第一裕度區 MA2:第二裕度區 MA3:第三裕度區 MLP1:第一金屬線圖案 MLP2:第二金屬線圖案 MPP1:最短水分滲透路徑 MPP2:水分滲透延遲路徑 n1:閘極節點 n2:源極節點 OS:外表面 OS1a、OS1b:第一外表面 P:像素 PA:像素區 PAo:最外像素區 PC:像素電路 PCH:墊接觸孔 PE:像素電極 PEL1:第一像素電極層 PEL2:第二像素電極層 PEL3:第三像素電極層 PG:墊件群 PG1:第一墊件群 PG2:第二墊件群 Pi:內部像素 Po:最外像素 PPP:第一像素驅動電力墊 PSL:電力分享線 PT:凸出尖端 RDL:參考分支線 RVP:第一參考電壓墊 SD1、SD2:源極/汲極電極 SLCP:次要線路連接部 SP、SP1、SP2、SP3、SP4:子像素 SVL:次要電壓線 Tdr:驅動薄膜電晶體 Tsw1、Tsw2:切換薄膜電晶體 US:上結構 VH:通孔 VH1:第一通孔 VH2:第二通孔 VL:最外表面 X:第一方向 Y:第二方向 Z:厚度方向

圖式被包含以提供本發明的進一步理解，且圖式被併入並構成本申請的一部分，圖式繪示本發明的實施例，並與說明一同用來解釋本發明的原理。 圖1係繪示有根據本發明之一實施例之發光顯示裝置的平面圖。 圖2A係繪示有根據圖1中所繪示之本發明之一實施例之像素的示意圖。 圖2B係繪示有根據圖1中所繪示之本發明之另一實施例之像素的示意圖。 圖2C係繪示有根據圖1中所繪示之本發明之另一實施例之像素的示意圖。 圖3係圖1中所繪示之區域A的放大圖。 圖4係繪示有圖1與圖3中所繪示之像素的等效電路圖。 圖5係繪示有圖1與圖3中所繪示之閘極驅動電路的示意圖。 圖6係繪示有根據本發明之一實施例之發光顯示裝置之後側面的示意圖。 圖7係繪示有根據本發明之另一實施例之發光顯示裝置之後側面的示意圖。 圖8係沿圖7中所繪示之線段I-I’的剖面圖。 圖9係圖8中所繪示之區域B的放大圖。 圖10係沿圖7中所繪示之線段II-II’的剖面圖。 圖11係圖10中所繪示之區域C的放大圖。 圖12係圖3中所繪示之區域D的放大圖。 圖13係沿圖12中所繪示之線段III-III’的另一剖面圖。 圖14係繪示有根據本發明之一實施例之多區幕顯示裝置的示意圖。 圖15係沿圖14中所繪示之線段IV-IV’的剖面圖。

10:發光顯示裝置

100:基板

104:壩部

105:隔離部

110:墊部

150:閘極驅動電路

AA:顯示區

D1、D2:間隔

L1:第一長度

L2:第二長度

OS:外表面

P:像素

Pi:內部像素

Po:最外像素

X:第一方向

Y:第二方向

Z:厚度方向

Claims (20)

1. 一種發光顯示裝置，包含：多個像素，在一第一基板之上沿一第一方向以及一第二方向排列，且該第二方向不同於該第一方向；一電路層，包含一像素共用電壓線，該像素共用電壓線平行於該第二方向並沿該第一方向設置於該些像素之間；一發光裝置層，包含一自發光裝置以及一共用電極，該自發光裝置設置於該電路層之上，且該共用電極設置於該自發光裝置之上；一共用電極連接部，將該像素共用電壓線電性耦接到該共用電極；以及一內隔離部，圍繞該共用電極連接部並將設置於該內隔離部之上的該自發光裝置隔離開來。
2. 如請求項1所述之發光顯示裝置，其中該內隔離部包含：一第一溝槽結構到一第n溝槽結構，圍繞該共用電極連接部，其中n為2以上的自然數；並且其中該第一溝槽結構到該第n溝槽結構當中的每一者在其一側包含一開口部。
3. 如請求項2所述之發光顯示裝置，其中該內隔離部更包含形成於該第一溝槽結構到該第n溝槽結構之間的一迷宮區。
4. 如請求項3所述之發光顯示裝置，其中設置於該內隔離部之一內部區域中的該共用電極藉由設置於該迷宮區中的該共用電極電性連接到設置於該內隔離部之一外部區域中的該共用電極。
5. 如請求項2所述之發光顯示裝置，其中該第一溝槽結構到該第n溝槽結構當中的一第k溝槽結構的一開口部被一第k+1溝槽結構圍繞，k為1到n-1的自然數，或者其中該第一溝槽結構到該第n溝槽結構當中的一第k溝槽結構的一開口部與一第k+1溝槽結構的一開口部朝向不同方向，k為1到n-1的自然數。
6. 如請求項2所述之發光顯示裝置，其中該第一溝槽結構到該第n溝槽結構的每一者包含：一第一溝槽圖案，設置於該電路層之上；一第二溝槽圖案，設置於該第一溝槽圖案之上，以相對於該第一溝槽圖案具有一簷結構；以及一第三溝槽圖案，設置於該第二溝槽圖案之上，並且其中設置於該內隔離部之上的該自發光裝置被該第二溝槽圖案的該簷結構隔離開來。
7. 如請求項6所述之發光顯示裝置，更包含一平坦化層，該平坦化層設置於該電路層與該發光裝置層之間，其中該發光裝置層更包含一像素電極，該像素電極設置於該平坦化層之上，其中該第一溝槽圖案包含與該平坦化層之材料相同的材料，並且其中該第二溝槽圖案包含與該像素電極之材料相同的材料。
8. 如請求項7所述之發光顯示裝置，更包含一堤部，該堤部設置於該像素電極的一周邊部與該平坦化層之上，其中該第三溝槽圖案包含與該堤部之材料相同的材料。
9. 如請求項1所述之發光顯示裝置，其中該電路層更包含設置於該像素共用電壓線之上的一層間絕緣層以及設置於該層間絕緣層之上的一鈍化層，其中該共用電極連接部包含：一第一電極連接圖案，設置於該層間絕緣層與該鈍化層之間並電性連接到該像素共用電壓線；一第二電極連接圖案，設置於該鈍化層之上並電性連接到該第一電極連接圖案；以及一連接溝槽，包含一過切區，該過切區係藉由移除該第一電極連接圖案與該第二電極連接圖案的一端部之間的該鈍化層所形成，並且其中該共用電極電性連接到該第二電極連接圖案的該端部的一底面與一側面。
10. 如請求項9所述之發光顯示裝置，其中該第二電極連接圖案的該端部相對於該連接溝槽具有一簷結構，並且其中該共用電極電性連接到在該簷結構之下的該第一電極連接圖案。
11. 如請求項9所述之發光顯示裝置，更包含一平坦化層，該平坦化層設置於該電路層與該發光裝置層之間，其中該發光裝置層更包含一像素電極，該像素電極設置於該平坦化層之上，其中該共用電極連接部更包含藉由移除該平坦化層之一部分以暴露該鈍化層所形成的一槽體，並且其中該第二電極連接圖案設置於被暴露的該鈍化層與該平坦化層之上，並包含與該像素電極之材料相同的材料。
12. 如請求項1所述之發光顯示裝置，更包含：一個次要電壓線，設置於平行於該像素共用電壓線的該電路層中；一線路連接圖案，電性連接該像素共用電壓線與該次要電壓線；以及一個次要線路連接部，將該次要電壓線電性連接到該共用電極，其中該內隔離部額外地圍繞該次要線路連接部。
13. 如請求項12所述之發光顯示裝置，其中該內隔離部包含：一第一溝槽結構到一第n溝槽結構，圍繞該共用電極連接部與該次要線路連接部，其中n為2以上的自然數；以及一迷宮區，介於該第一溝槽結構到該第n溝槽結構之間。
14. 如請求項13所述之發光顯示裝置，其中該第一溝槽結構到該第n溝槽結構當中的每一者包含以同心圓形狀設置的弧形形狀並且在其一側包含一開口部。
15. 如請求項14所述之發光顯示裝置，其中該第一溝槽結構到該第n溝槽結構當中的每一者包含：一第一溝槽圖案，設置於該電路層之上；一第二溝槽圖案，設置於該第一溝槽圖案之上，以相對於該第一溝槽圖案具有一簷結構；以及一第三溝槽圖案，設置於該第二溝槽圖案之上，並且其中設置於該內隔離部之上的該自發光裝置被該第二溝槽圖案的該簷結構隔離開來。
16. 如請求項1所述之發光顯示裝置，更包含：一壩部，設置於該第一基板的一周邊部；一外隔離部，設置成鄰近該壩部，以將設置於該外隔離部之上的該自發光裝置隔離開來；以及一封裝層，設置於該發光裝置層之上，並包含一有機封裝層，該有機封裝層設置於由該壩部所圍繞的一封裝區之上。
17. 如請求項16所述之發光顯示裝置，其中該外隔離部包含多個隔離結構，其中該些隔離結構包含：一下結構，設置於該電路層；一簷結構，設置於該下結構之上；以及一上結構，設置於該簷結構之上，並且其中該自發光裝置設置於該外隔離部之上並且由該簷結構所隔離開來。
18. 如請求項1所述之發光顯示裝置，更包含：一第一墊部，配置成包含多個第一墊，該些第一墊設置於該第一基板的一周邊部；一第二基板，配置成包含一第二墊部，該第二墊部包含多個第二墊，該些第二墊重疊於每一該第一墊；一耦接件，設置於該第一基板與該第二基板之間；以及一路由部，設置於該第一基板與該第二基板當中的每一者的一側面，且包含多個路由線以將該些第一墊以一對一的關係連接到該些第二墊。
19. 一種多螢幕顯示裝置，包含：多個顯示裝置，該些顯示裝置沿一第一方向以及一第二方向當中的至少一方向設置，其中該第二方向不同於該第一方向，其中每一該顯示裝置包含請求項1到18中任一項的該發光顯示裝置。
20. 如請求項19所述之多螢幕顯示裝置，其中在沿該第一方向與/或該第二方向相鄰的一第一顯示裝置以及一第二顯示裝置之中，該第一顯示裝置的一最外像素的中心部與該第二顯示裝置的一最外像素的中心部之間的一距離小於等於一像素間距，並且其中該像素間距是介於沿該第一方向與該第二方向鄰近的多個像素的中心部之間的距離。