JP7121128B2 - 表示パネル - Google Patents
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Description
本願は、2018年1月15日に出願された中国特許出願CN201810036170.3の権利を主張し、参照によりその内容を全てここに援用する。
ベース基板と、
ベース基板上に位置するゲートと、
前記ゲートとの間にゲート絶縁層によって離隔された活性層と、
前記活性層の前記ゲートから遠い側に積層された発光層と、
電流が前記活性層を介して前記発光層に流すように配置されたソース及びドレインとを含み、
本発明の実施例によれば、前記活性層と前記発光層との間に、エネルギー準位遷移層が設けられている。
本発明の実施例によれば、前記ベース基板における前記ドレインの正投写と、前記ベース基板における前記発光層の正投写とは、重なっていない。
前記第1の接合体は、電源線に接続されており、前記第2の接合体は、接地線に接続されている。
2、バッファ層720のベース710から遠い面には、ゲート100とスイッチング薄膜トランジスタのゲート550が形成されており、構成概略図は、図18を参照することができる;
3、バッファ層720のベース710から遠い表面にゲート絶縁膜300を一層形成し、前記ゲート100とスイッチング薄膜トランジスタのゲート電極550を覆い、構成概略図は、図19を参照する;
4、前記ゲート絶縁層300のベース710から遠い表面に、初期活性層740が一層形成され、構成概略図は、図20を参照する;
5、初期活性層740をパターニングして活性層200及びスイッチング薄膜トランジスタの活性層560を形成し、構成概略図は、図21を参照する;
6、前記ゲート絶縁膜300のベース710から遠い表面に、層間誘電体層500が一層形成され、前記活性層200及びスイッチング薄膜トランジスタの活性層560を覆い、前記層間誘電体層500に、ソース510、ドレイン520、スイッチング薄膜トランジスタのドレイン530、及びスイッチング薄膜トランジスタのソース540を穿孔し堆積させ、構成概略図は、図22を参照する;
7、前記層間誘電体層500のベース710から遠い表面に、画素定義膜730が一層形成され、前記ソース510、ドレイン520、スイッチング薄膜トランジスタのドレイン530、スイッチング薄膜トランジスタのソース540を覆い、そして、画素定義膜730及び層間誘電体層500をパターニングして、エネルギー準位遷移層、発光層、接続電極の位置を規定し、構成概略図は、図23を参照する;
8、エネルギー準位遷移層600と、エネルギー準位遷移層600のベース710から遠い表面に形成された発光層400とを蒸着法により形成し、構成概略図は、図24を参照する;
9、接続電極700(すなわちカソード)をマスクフィルム蒸着法により形成し、構成概略図は、図11を参照する。
200 活性層
300 ゲート絶縁層
400 発光層
410 空孔輸送層
420 エレクトロルミネッセンス層
430 空孔阻止層
440 電子輸送層
500 層間誘電体層
510 ソース
511 第1の接合体
512 第1の接合体
520 ドレイン
521 第2の接合体
522 第2の接合体
530 ドレイン
540 ソース
550 ゲート
560 活性層
600 エネルギー準位遷移層
700 接続電極
710 ベース
720 バッファ層
730 画素定義膜
Claims (13)
- 表示パネルであって、
ベース基板と、
ベース基板上に位置するゲートと、
前記ゲートとの間にゲート絶縁層によって離隔された活性層と、
前記活性層の前記ゲートから遠い側に積層された発光層と、
電流が前記活性層を介して前記発光層に流れるように配置されたソース及びドレインとを含み、
前記活性層と前記発光層との間に、エネルギー準位遷移層が設けられており、
前記ソースは前記発光層に電気的に接続され、前記ドレインは前記発光層に電気的に接続され、
前記ゲート、前記活性層、前記ゲート絶縁層、前記発光層、前記ソースおよび前記ドレインは、発光電界効果トランジスタを形成しており、前記表示パネルは、複数の発光電界効果トランジスタを含み、前記複数の発光電界効果トランジスタは、第1の方向に隣接する2つの発光電界効果トランジスタのソースを一体化して第1の接合体を形成し、前記第1の方向に隣接する2つの発光電界効果トランジスタのドレインを一体化して第2の接合体を形成し、前記第1の接合体と前記第2の接合体とが前記第1の方向に交互に設置されるように配置されている
ことを特徴とする表示パネル。 - 前記活性層は無機半導体材料からなる
ことを特徴とする請求項1に記載の表示パネル。 - 前記無機半導体材料は、多結晶シリコン、単結晶シリコンまたは金属酸化物半導体のうちの少なくとも1つを含む
ことを特徴とする請求項2に記載の表示パネル。 - 前記活性層における前記ソースおよび前記ドレインの正投写は、それぞれ、2つの離間された同心非閉ループ状である
ことを特徴とする請求項1に記載の表示パネル。 - 前記ソースは前記活性層に電気的に接続され、前記ドレインは前記発光層に電気的に接続される
ことを特徴とする請求項1に記載の表示パネル。 - 接続電極をさらに含み、前記発光層および前記ドレインは、前記接続電極を介して電気的に接続される
ことを特徴とする請求項5に記載の表示パネル。 - 前記活性層における前記接続電極の正投写と、前記活性層における前記発光層の正投写とは、部分的に重なっている
ことを特徴とする請求項6に記載の表示パネル。 - 前記ベース基板における前記ドレインの正投写と、前記ベース基板における前記発光層の正投写とは、重なっていない
ことを特徴とする請求項7に記載の表示パネル。 - 前記ドレイン及び/又は前記接続電極は透明電極である
ことを特徴とする請求項8に記載の表示パネル。 - 前記活性層はp型活性層であり、前記エネルギー準位遷移層の最高占用される分子軌道は、前記p型活性層の仕事関数にエネルギー準位が整合している
ことを特徴とする請求項1に記載の表示パネル。 - 前記活性層はn型活性層であり、前記エネルギー準位遷移層の最低非占用分子軌道は、前記n型活性層の仕事関数にエネルギー準位が整合している
ことを特徴とする請求項1に記載の表示パネル。 - 前記複数の発光電界効果トランジスタは、前記第1の方向に垂直する第2の方向に隣接する前記発光電界効果トランジスタのソースを一体化して前記第1の接合体を形成し、前記第2の方向に隣接する前記発光電界効果トランジスタのドレインを一体化して前記第2の接合体を形成するように配置されており、
前記第1の接合体は、電源線に接続されており、前記第2の接合体は、接地線に接続されている
ことを特徴とする請求項11に記載の表示パネル。 - 前記ソースがデータ線に接続され、前記ゲートがゲート線に接続され、前記ドレインが前記発光電界効果トランジスタのゲートに電気的に接続されるスイッチング薄膜トランジスタをさらに含む
ことを特徴とする請求項1又は11に記載の表示パネル。
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