CN101944537B - 有机发光二极管显示装置及其制造方法 - Google Patents

有机发光二极管显示装置及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管(OLED)显示装置和制造所述OLED显示装置的方法。所述OLED显示装置包括含发光区和非发光区的基板，布置在所述基板上的缓冲层，布置在所述缓冲层上非发光区中的半导体层，布置在所述基板整个表面上的栅绝缘层，布置在所述栅绝缘层上发光区中的第一电极，布置在所述栅绝缘层上非发光区中的栅极，布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的夹层绝缘层，布置在所述夹层绝缘层上并电连接所述半导体层和所述第一电极的源极和漏极，布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的保护层，布置在所述第一电极上的有机层，和布置在所述基板整个表面上的第二电极。

Description

有机发光二极管显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及OLED显示装置和制造所述OLED显示装置的方法，所述显示器可在发光工作期间使共振效应最大化，因此在底发光工作期间提高发光效率和颜色重现性。
背景技术
通常，有机发光二极管(OLED)显示装置可按以下原理运行。电子从电子注入电极(或阴极)注入发光层(EML)，而空穴从空穴注入电极(阳极)注入EML。注入到EML中的空穴和电子在EML中再结合产生激子。因此，当激子从激发态转移至基态时，OLED显示装置能发光。基于上述理论且与常规液晶显示器(LCD)不同，OLED显示装置不需要额外的光源，由此降低显示装置的体积和重量。
根据以矩阵形状排列的N×M像素的驱动方式，OLED显示装置可分为无源矩阵(PM)型和有源矩阵(AM)型。虽然PM OLED显示装置用简单的制造方法来装配，但PM OLED显示装置会耗费大量能量，且在实现大尺寸显示器上具有技术局限。此外，PM OLED显示装置可具有较低的开口率和更多的互连。
另一方面，根据有机EML发光的方向，OLED显示装置可分为顶发光型或底发光型。向基板发光的底发光型OLED显示装置可采用反射电极或反射层与透明电极一起作为上电极，并用透明电极作为下电极。在用薄膜晶体管(TFT)的AM OLED显示装置的情况中，因为光不能透过TFT所在的部分，所以发射单元的面积会降低。相反地，向远离基板方向发光的顶发光型OLED显示装置可具有透明电极作为上电极，以及反射电极和透明电极作为下电极。因此，可增加光透过的面积，从而改进OLED显示装置的亮度。当前，对能够在单一基板上包含顶发光型和底发光型的双侧OLED显示装置给予了更多的关注。
然而，虽然在顶发光模式中可使用常规OLED显示装置而不会有任何问题，但在底发光模式中因有机层导致的透射率降低会妨碍获得高质量图像。
发明内容
本发明提供了有机发光二极管(OLED)显示装置和所述OLED显示装置的制造方法，所述OLED显示装置可在发光工作期间使共振效应最大化，因此在底发光工作期间或双侧发光工作期间提高发光效率和颜色重现性。
根据本发明的一个方面，提供了有机发光二极管(OLED)显示装置，其包括含发光区和非发光区的基板，布置在所述基板上的缓冲层，布置在所述缓冲层上非发光区中的半导体层，布置在所述基板整个表面上的栅绝缘层，布置在所述栅绝缘层上发光区中的第一电极，布置在所述栅绝缘层上非发光区中的栅极，布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的夹层绝缘层，布置在所述夹层绝缘层上并电连接所述半导体层和所述第一电极的源极和漏极，布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的保护层，布置在所述第一电极上的有机层，和布置在所述基板整个表面上的第二电极。
所述第一电极可包括透明导电氧化物(TCO)类材料。所述栅绝缘层可包括含氧化硅层和氮化硅层的多个层。所述栅绝缘层可包括依次堆叠的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。所述第一和第二氧化硅层以及所述氮化硅层中的每个层可具有范围内的厚度。所述缓冲层可由SiO2、SiNx、TiO2、HfO2、Al2O3、SiOx、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、La2O3或氧化铝锌(AZO)制成。
根据本发明的另一个方面，提供了有机发光二极管(OLED)显示装置，其包括含发光区和非发光区的基板，布置在所述基板上的缓冲层，布置在所述缓冲层上非发光区中的半导体层，布置在所述基板整个表面上的栅绝缘层，布置在所述栅绝缘层上发光区中的第一电极，布置在所述栅绝缘层上非发光区中的栅极，布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的夹层绝缘层，布置在所述夹层绝缘层上并电连接所述半导体层和所述第一电极的源极和漏极，布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的保护层，布置在所述第一电极上的有机层，和布置在所述基板整个表面上的第二电极，其中接触层被插入在所述第一电极与所述源极和漏极之间。所述第一电极可包括ZnO类透明导电氧化物材料。所述栅绝缘层可包括含氧化硅层和氮化硅层的多个层。所述栅绝缘层可包括依次堆叠的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。所述第一和第二氧化硅层以及所述氮化硅层中的每个层可具有范围内的厚度。所述缓冲层可包括SiO2、SiNx、TiO2、HfO2、Al2O3、SiOx、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、La2O3和AZO中的一种。所述栅极可具有与所述接触层相同的材料。
根据本发明的又一个方面，提供了制造有机发光二极管(OLED)显示装置的方法，包括提供含发光区和非发光区的基板；在所述基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上非发光区中形成半导体层；在所述基板整个表面上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层对应于所述半导体层的区域上形成栅极；在所述栅绝缘层上非发光区中形成第一电极；形成源极和漏极，所述源极和漏极电连接所述半导体层和所述第一电极，并与栅极电绝缘；在所述基板整个表面上形成上绝缘层以暴露所述第一电极；在所述第一电极上形成有机层；和在所述基板整个表面上形成第二电极。
夹层绝缘层可在所述源极和漏极与所述栅极之间形成。所述栅绝缘层可为通过堆叠至少一个氧化硅层和氮化硅层产生的多个层。所述栅绝缘层可通过依次堆叠的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层来制造。所述第一和第二氧化硅层以及所述氮化硅层中的每个层可具有范围内的厚度。所述第一电极可为ZnO类透明导电氧化物材料。
根据本发明的又一个方面，提供了有机发光二极管(OLED)显示装置，其包括含发光区和非发光区的基板，布置在所述基板上的栅极，布置在所述基板整个表面上的栅绝缘层，布置在所述栅绝缘层对应于所述栅极的区域上非发光区中的半导体层，布置在所述栅绝缘层上发光区中的第一电极，布置在所述非发光区中并电连接所述半导体层和所述第一电极的源极和漏极，布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的保护层，布置在所述第一电极上的有机层，和布置在所述基板整个表面上的第二电极。
所述第一电极可为ZnO类透明导电氧化物材料。所述栅绝缘层可为包括至少一个氧化硅层和氮化硅层的多个层。所述栅绝缘层可包括依次堆叠的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。所述第一和第二氧化硅层以及所述氮化硅层中的每个层具有范围内的厚度。所述缓冲层可包括SiO2、SiNx、TiO2、HfO2、Al2O3、SiOx、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、La2O3和AZO中的一种。
附图说明
通过参考以下结合附图的详细说明，将更完整地理解本发明及其众多优点，其中相同的附图标记表示相同或相似的元件，其中：
图1A～1G是说明根据本发明第一示例性实施方式制造有机发光二极管(OLED)显示装置方法的横截面图；
图2A～2G是说明根据本发明第二示例性实施方式制造OLED显示装置方法的横截面图；
图3是表示本发明实验例的图；
图4A～4D和图5A～5D是显示本发明实验例与比较例比较结果的图；和
图6A～6C是说明根据本发明第三示例性实施方式制造OLED显示装置方法的横截面图。
具体实施方式
将参考以下附图来更详细描述本发明，所述附图中显示了本发明的示例性实施方式。然而，本发明可以许多不同形式实施，且不应理解为受限于本文所述示例性实施方式。
还应理解的是，当称层在另一层或基板“上”时，其可直接在该另一层或基板上，或也可存在插入层。附图中相同附图标记表示相同元件，因此省略对它们的描述。
实施方式1
图1A～1G是说明根据本发明第一示例性实施方式制造有机发光二极管(OLED)显示装置方法的横截面图。
参照图1A，基板100包括发光区“a”和非发光区“b”。缓冲层110可随后形成在基板100上。基板100可为由塑料或玻璃制成的透明基板。缓冲层110可防止下层基板100所产生潮气或杂质的扩散。缓冲层110可为单层或多层。缓冲层110可由氧化物层或氮化物层，如氧化硅层或氮化硅层制成。缓冲层110可进一步包括TiO2、HfO2、Al2O3、SiOx、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、La2O3或AZO。
参照图1B，半导体层120可形成在缓冲层110上的非发光区“b”中。半导体层120的形成可包括形成非晶硅(a-Si)层，将a-Si层结晶为多晶硅(多-Si)层或单晶Si层，且将多-Si层或单晶Si层图案化。在此情形下，a-Si层可使用化学气相沉积(CVD)法或物理气相沉积(PVD)法形成。此外，用于降低氢(H)浓度的脱氢法可在a-Si层形成期间或之后进行。虽然以上描述了半导体层120为Si层，但半导体层120可替换为氧化物层。
随后，栅绝缘层130可形成在具有半导体层120的基板100的整个表面上。栅绝缘层130可为单层，或包括至少一个氧化硅层和至少一个氮化硅层的多个层。栅绝缘层130可进一步包括TiO2、HfO2、Al2O3、HfSiOx、Ta2O5或Nb2O5。
栅绝缘层130可通过依次堆叠第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层来获得。第一和第二氧化硅层以及氮化硅层中的每个层可具有约
Figure BSA00000181216600051
的厚度。在此情形下，底发光的OLED显示装置可在发光工作期间将共振效应最大化，因此提高发光效率和颜色重现性。
参照图1C，第一电极132可形成在栅绝缘层130上的发光区“a”中，且栅极135可形成在栅绝缘层130对应于半导体层120的区域上的非发光区“b”中。在此情形下，第一电极132和栅极135可同时制造。
第一电极132可由透明导电材料制成，如氧化铟锡(ITO)，或ZnO类透明导电氧化物(TCO)，如氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)或氧化镓锌(GZO)。第一电极132可具有约
Figure BSA00000181216600061
的厚度。
此外，栅极135的形成可包括形成用于栅极的金属层(未显示)，并用光刻和蚀刻法蚀刻金属层。金属层可为单层或多层。所述单层可由铝(Al)或Al合金，如铝-钕(Al-Nd)制成。所述多层可通过将Al合金层堆叠在铬(Cr)层或钼(Mo)合金层上获得。
栅极135可为包括下层和上层的双层(未显示)。下层可为由ITO、IZO、AZO或GZO制成的透明导电层，而上层可由Al、Al-Nd、Cr或Mo制成。用作下层的透明导电层可与第一电极132同时形成。
参照图1D，夹层绝缘层140可形成在基板100的整个表面上，并被部分蚀刻，因此形成接触孔140a、140b和140c以部分暴露半导体层120和第一电极132。
参照图1E，源极和漏极150a和150b可形成在夹层绝缘层140上，并通过接触孔140a、140b和140c连接半导体层120和第一电极132源极和漏极150a和150b可由钼(Mo)、铬(Cr)、钨(W)、钼-钨(MoW)、铝(Al)、铝-钕(Al-Nd)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、铜(Cu)、Mo合金、Al合金或Cu合金制成。
参照图1F，保护层160可形成在基板100的整个表面上。随后可部分去除夹层绝缘层140和保护层160，以部分暴露发光区“a”中的第一电极132。
参照图1G，包括有机发光层(EML)的有机层170可形成在暴露的第一电极132上，且第二电极180可形成在基板100的整个表面上，因此完成OLED显示装置的制造。
实施方式2
转到图2A～2G，图2A～2G是说明根据本发明第二示例性实施方式制造OLED显示装置方法的横截面图。第二示例性实施方式与第一示例性实施方式相同，区别在于在源极和漏极与第一电极之间进一步形成接触层235a。因此，为了简洁省略重复的描述。
参照图2A，可制造包括发光区“a”和非发光区“b”的基板200，且缓冲层210可随后形成在基板200上。基板200可为由塑料或玻璃制成的透明基板。缓冲层210可防止下层基板200所产生潮气或杂质的扩散。缓冲层210可为单层或多层。缓冲层210可为氧化物层或氮化物层，如氧化硅层或氮化硅层。缓冲层210可进一步包括TiO2、HfO2、Al2O3、HfSiOx、Ta2O5或Nb2O5。
参照图2B，半导体层220可形成在缓冲层210上的非发光区“b”中。半导体层220的形成可包括形成a-Si层，将a-Si层结晶为多-Si层或单晶Si层，且将所得多-Si层或单晶Si层图案化。
并且，栅绝缘层230随后可形成在基板200的整个表面上。栅绝缘层230可为氧化物层或氮化物层，如三个氧化硅层(tri-silicon oxide layer)或氮化硅层。栅绝缘层230可进一步包括TiO2、HfO2、Al2O3、HfSiOx、Ta2O5或Nb2O5。
参照图2C，第一电极232可形成在栅绝缘层230上的发光区“a”中。随后，接触层235a可形成在第一电极232上，且栅极235可形成在栅绝缘层230对应于半导体层220的区域上的非发光区“b”中。
栅极235可为包括下层和上层的双层(未显示)。下层可为由ITO、IZO、AZO或GZO制成的透明导电层，而上层可由Al、Al-Nd、Cr或Mo制成。用作下层的透明导电层可与第一电极232同时形成。
在此情形下，第一电极232可由透明导电材料制成，如ITO或ZnO类TCO，如IZO、AZO或GZO。第一电极232可具有约的厚度。
此外，接触层235a和栅极235的形成可包括形成用于栅极的金属层(未显示)，并使用光刻和蚀刻法蚀刻金属层。金属层可为单层或多层。所述单层可由Al或Al合金，如Al-Nd制成。所述多层可通过将Al合金层堆叠在Cr层或Mo合金层上获得。
参照图2D，夹层绝缘层240可形成在基板200的整个表面上，并随后被部分蚀刻，因此形成接触孔240a、240b和240c以部分暴露接触层235a和半导体层220。
参照图2E，源极和漏极250a和250b可这样形成，使得半导体层220可通过接触孔240a、240b和240c电连接第一电极232。
接触层235a可插入在源极250a和漏极250b与第一电极232之间，以降低接触电阻。
参照图2F，保护层260可形成在基板200的整个表面上。随后可蚀刻夹层绝缘层240和保护层260，以部分暴露第一电极232。
参照图2G，包括有机EML的有机层270可形成在暴露的第一电极232上，且第二电极280可形成在基板200的整个表面上，因此完成OLED显示装置的制造。
虽然根据上述示例性实施方式可完成OLED显示装置的制造，但本发明不限于此，且也可使用公知技术的组合。
下文中，将描述实验例和比较例，其中红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)EML的色坐标和亮度通过改变实施方式1的栅绝缘层130的条件来测定。将参照实施方式1来描述以下实验例1～3和比较例1～3，且为了简洁将省略重复的描述。
转到图3，图3是图1B栅绝缘层详细结构的横截面图，所述栅绝缘层形成在实施方式1的发光区中。将参照图3来描述以下实验例1～3和比较例1～3。
参照图3，缓冲层110可布置在基板100上。栅绝缘层130可布置在缓冲层110上。栅绝缘层130可包括依次堆叠的第一氧化硅层130a、氮化硅层130b和第二氧化硅层130c。由ITO制成的第一电极132可布置在栅绝缘层130上。
实验例1
缓冲层110形成在基板100上。第一氧化硅层130a、氮化硅层130b和第二氧化硅层130c依次堆叠在缓冲层110上，以形成栅绝缘层130。第一和第二氧化硅层130a和130c中的每个层形成至约
Figure BSA00000181216600091
的厚度，且氮化硅层130b形成至约
Figure BSA00000181216600092
的厚度。随后，ITO的第一电极132形成在栅绝缘层130上。
实验例2
缓冲层110形成在基板100上。第一氧化硅层130a、氮化硅层130b和第二氧化硅层130c依次堆叠在缓冲层110上，以形成栅绝缘层130。第一氧化硅层130a形成至约
Figure BSA00000181216600093
的厚度，氮化硅层130b形成至约的厚度，且第二氧化硅层130c形成至约
Figure BSA00000181216600095
的厚度。随后，ITO的第一电极132形成在栅绝缘层130上。
实验例3
缓冲层110形成在基板100上。第一氧化硅层130a、氮化硅层130b和第二氧化硅层130c依次堆叠在缓冲层110上，以形成栅绝缘层130。第一氧化硅层130a形成至约
Figure BSA00000181216600096
的厚度，氮化硅层130b形成至约
Figure BSA00000181216600097
的厚度，且第二氧化硅层130c形成至约
Figure BSA00000181216600098
的厚度。随后，ITO的第一电极132形成在栅绝缘层130上。
实验例4
缓冲层110形成在基板100上。第一氧化硅层130a、氮化硅层130b和第二氧化硅层130c依次堆叠在缓冲层110上，以形成栅绝缘层130。第一氧化硅层130a形成至约
Figure BSA00000181216600099
的厚度，氮化硅层130b形成至约
Figure BSA000001812166000910
的厚度，且第二氧化硅层130c形成至约
Figure BSA000001812166000911
的厚度。随后，ITO的第一电极132形成在栅绝缘层130上。
实验例5
缓冲层110形成在基板100上。第一氧化硅层130a、氮化硅层130b和第二氧化硅层130c依次堆叠在缓冲层110上，以形成栅绝缘层130。第一氧化硅层130a形成至约的厚度，氮化硅层130b形成至约
Figure BSA00000181216600102
的厚度，且第二氧化硅层130c形成至约
Figure BSA00000181216600103
的厚度。随后，ITO的第一电极132形成在栅绝缘层130上。
比较例1
缓冲层110形成在基板100上。第一氧化硅层130a、氮化硅层130b和第二氧化硅层130c依次堆叠在缓冲层110上，以形成栅绝缘层130。第一氧化硅层130a形成至约的厚度，氮化硅层130b形成至约
Figure BSA00000181216600105
的厚度，且第二氧化硅层130c形成至约
Figure BSA00000181216600106
的厚度。随后，ITO的第一电极132形成在栅绝缘层130上。
比较例2
缓冲层110形成在基板100上。第一氧化硅层130a、氮化硅层130b和第二氧化硅层130c依次堆叠在缓冲层110上，以形成栅绝缘层130。第一氧化硅层130a形成至约
Figure BSA00000181216600107
的厚度，氮化硅层130b形成至约
Figure BSA00000181216600108
的厚度，且第二氧化硅层130c形成至约
Figure BSA00000181216600109
的厚度。随后，ITO的第一电极132形成在栅绝缘层130上。
比较例3
缓冲层110形成在基板100上。第一氧化硅层130a、氮化硅层130b和第二氧化硅层130c依次堆叠在缓冲层110上，以形成栅绝缘层130。第一氧化硅层130a形成至约
Figure BSA000001812166001010
的厚度，氮化硅层130b形成至约
Figure BSA000001812166001011
的厚度，且第二氧化硅层130c形成至约
Figure BSA00000181216600111
的厚度。随后，ITO的第一电极132形成在栅绝缘层130上。
比较例4
缓冲层110形成在基板100上。第一氧化硅层130a、氮化硅层130b和第二氧化硅层130c依次堆叠在缓冲层110上，以形成栅绝缘层130。第一氧化硅层130a形成至约
Figure BSA00000181216600112
的厚度，氮化硅层130b形成至约
Figure BSA00000181216600113
的厚度，且第二氧化硅层130c形成至约的厚度。随后，ITO的第一电极132形成在栅绝缘层130上。
比较例5
缓冲层110形成在基板100上。第一氧化硅层130a、氮化硅层130b和第二氧化硅层130c依次堆叠在缓冲层110上，以形成栅绝缘层130。第一氧化硅层130a形成至约的厚度，氮化硅层130b形成至约
Figure BSA00000181216600116
的厚度，且第二氧化硅层130c形成至约
Figure BSA00000181216600117
的厚度。随后，ITO的第一电极132形成在栅绝缘层130上。
比较例6
缓冲层110形成在基板100上。第一氧化硅层130a、氮化硅层130b和第二氧化硅层130c依次堆叠在缓冲层110上，以形成栅绝缘层130。第一氧化硅层130a形成至约的厚度，氮化硅层130b形成至约
Figure BSA00000181216600119
的厚度，且第二氧化硅层130c形成至约
Figure BSA000001812166001110
的厚度。随后，ITO的第一电极132形成在栅绝缘层130上。
现转到图4A～4D，图4A～4D是相对于栅绝缘层130的第二氧化硅层130c厚度的色坐标和亮度的图，所述第二氧化硅层130c直接接触第一电极132。图4A和图4B是R EML色坐标和亮度的图，图4C是G EML色坐标的图，且图4D是B EML色坐标的图。
参照图4A，在第二氧化硅层130c形成至约
Figure BSA00000181216600121
厚度的比较例1情形下，发红光偏离所希望的色坐标。此外，在第二氧化硅层130c形成至约
Figure BSA00000181216600122
厚度的比较例2情形下，和在第二氧化硅层130c形成至约
Figure BSA00000181216600123
厚度的比较例3情形下，能够发红光。然而，参照图4B，可看出比较例2和3中R EML的亮度显著降低。
参照图4C，在第二氧化硅层130c分别形成至约
Figure BSA00000181216600124
和
Figure BSA00000181216600125
厚度的实验例1～3和比较例2情形下，有效地获得发绿光。参照图4D，在第二氧化硅层130c分别形成至约
Figure BSA00000181216600126
和
Figure BSA00000181216600127
厚度的实验例1～3和比较例2情形下，理想地实现发蓝光。
因此，第二氧化硅层130c可形成至约
Figure BSA00000181216600128
的厚度，以最大化发红光、发绿光和发蓝光的效果。
图5A～5D是相对于氮化硅层130b厚度的R、G和B EML色坐标和亮度的图。图5A和图5B是R EML色坐标和亮度的图，图5C是G EML色坐标的图，且图5D是B EML色坐标的图。
参照图5A，在氮化硅层130b形成至约
Figure BSA00000181216600129
厚度的比较例4情形下，发红光偏离所希望的色坐标。此外，在氮化硅层130b形成至约厚度的比较例5情形下，和在氮化硅层130b形成至约
Figure BSA000001812166001211
厚度的比较例6情形下，能够发红光。然而，参照图5B，可看出比较例5和6中R EML的亮度显著降低。
参照图5C，在氮化硅层130b分别形成至约
Figure BSA000001812166001212
和
Figure BSA000001812166001213
厚度的实验例5和3和比较例5情形下，有效地获得发绿光。参照图5D，在氮化硅层130b分别形成至约和
Figure BSA000001812166001215
厚度的实验例3和比较例5情形下，理想地实现发蓝光。
因此，可断定当氮化硅层130b形成至约
Figure BSA000001812166001216
的厚度时，可最有效地实施发红光、发绿光和发蓝光。
实施方式3
本示例性实施方式描述了底栅型OLED显示装置，其中栅极在半导体层下形成。因此，本示例性实施方式与实施方式1相同，实施方式1描述了顶栅型OLED显示装置，不同之处在于栅极的位置。因此，为了简洁省略重复的描述。
现转到图6A～6C，图6A～6C是说明根据本发明第三示例性实施方式制造OLED显示装置方法的横截面图。
参照图6A，可提供包括发光区“a”和非发光区“b”的基板300。缓冲层310可形成在基板300上，且栅极320可形成在缓冲层310上。栅极320可形成在非发光区“b”中。
随后，栅绝缘层330可形成在基板300的整个表面上。第一电极350可形成在栅绝缘层330上的发光区“a”中，且半导体层340可形成在栅绝缘层330上对应于栅极320的的非发光区“b”中。基板300、缓冲层310、半导体层340、栅绝缘层330和第一电极350可按照与实施方式1所述相同的方式形成。
参照图6B，源极360a和漏极360b可形成在基板300上，使得第一电极350可电连接半导体层340。虽然本实施方式描述了源极和漏极360a和360b直接形成在第一电极350上，但在源极360a和漏极360b与第一电极350之间可进一步形成绝缘层，且接触孔可形成在绝缘层中，使得第一电极350可电连接源极360a和漏极360b。
如实施方式1所述，栅极320可为单层或具有双层。所述单层可由用于栅极的金属制成。所述双层可包括由与第一电极350相同材料制成的下层，和由用于栅极的材料制成的上层。
参照图6C，保护层370可形成在具有源极360a和漏极360b的基板300上。保护层370可部分暴露第一电极350，以界定像素。
随后，包括有机EML的有机层375可形成在暴露的第一电极350上。随后，第二电极380可形成在基板300的整个表面上，因此完成OLED显示装置的制造。
如上所述，底发光OLED显示装置的颜色重现性和亮度可取决于布置在第一电极下的栅绝缘层的材料和厚度。因此，栅绝缘层应由适合的材料制成适合的厚度，以有效实施发红光、发绿光和发蓝光。
根据上述本发明，OLED显示装置及其制造方法可在发光工作期间将共振效应最大化，因此在底发光工作或双侧发光工作期间提高发光效率和颜色重现性。
虽然本发明已参照其某些示例性实施方式描述，本领域技术人员应理解可对本发明进行各种修改和改变而不背离由所附权利要求及其等价形式限定的本发明的精神或范围。

Claims (20)

1.一种有机发光二极管显示装置，包括：
包括发光区和非发光区的基板；
布置在所述基板上的缓冲层；
布置在所述缓冲层上非发光区中的半导体层；
布置在所述基板整个表面上的栅绝缘层；
布置在所述栅绝缘层上发光区中的第一电极；
布置在所述栅绝缘层上非发光区中的栅极；
布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的夹层绝缘层；
布置在所述夹层绝缘层上并电连接所述半导体层和所述第一电极的源极和漏极；
布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的保护层；
布置在所述第一电极上的有机层；和
布置在所述基板整个表面上的第二电极；
其中所述栅绝缘层由包括氧化硅层和氮化硅层的多层构成；且
所述氧化硅层和所述氮化硅层中的每个层具有300～范围内的厚度。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第一电极由透明导电氧化物类材料构成。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中所述栅绝缘层包括依次堆叠的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中所述缓冲层是单层或多层。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中所述缓冲层包括选自由SiO2、SiNx、TiO2、HfO2、Al2O3、SiOx、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、La2O3或氧化铝锌组成的组中的一种化合物。
6.一种有机发光二极管显示装置，包括：
包括发光区和非发光区的基板；
布置在所述基板上的缓冲层；
布置在所述缓冲层上非发光区中的半导体层；
布置在所述基板整个表面上的栅绝缘层；
布置在所述栅绝缘层上发光区中的第一电极；
布置在所述栅绝缘层上非发光区中的栅极；
布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的夹层绝缘层；
布置在所述夹层绝缘层上并电连接所述半导体层和所述第一电极的源极和漏极；
布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的保护层；
布置在所述第一电极上的有机层；和
布置在所述基板整个表面上的第二电极，
其中接触层被插入在所述第一电极与所述源极和漏极之间；
所述栅绝缘层由包括氧化硅层和氮化硅层的多层构成；且
所述氧化硅层和所述氮化硅层中的每个层具有300～
Figure FSB00000812839800021
范围内的厚度。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中所述第一电极由透明导电氧化物类材料构成。
8.如权利要求6所述的显示装置，其中所述栅绝缘层包括依次堆叠的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。
9.如权利要求6所述的显示装置，其中所述缓冲层是单层或多层。
10.如权利要求6所述的显示装置，其中所述缓冲层包括选自由SiO2、SiNx、TiO2、HfO2、Al2O3、SiOx、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、La2O3和氧化铝锌组成的组中的一种化合物。
11.如权利要求6所述的显示装置，其中所述栅极由与所述接触层相同的材料构成。
12.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，包括：
提供包括发光区和非发光区的基板；
在所述基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上非发光区中形成半导体层；
在所述基板整个表面上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层对应于所述半导体层的区域上形成栅极；
在所述栅绝缘层上非发光区中形成第一电极；
形成源极和漏极，所述源极和漏极电连接所述半导体层和所述第一电极，并与所述栅极电绝缘；
在所述基板整个表面上形成上绝缘层以暴露所述第一电极；
在所述第一电极上形成有机层；和
在所述基板整个表面上形成第二电极；
其中所述栅绝缘层由包括氧化硅层和氮化硅层的多层构成；且
所述氧化硅层和所述氮化硅层中的每个层具有300～
Figure FSB00000812839800031
范围内的厚度。
13.如权利要求12所述的方法，其中夹层绝缘层形成在所述源极和漏极与所述栅极之间。
14.如权利要求12所述的方法，其中所述栅绝缘层通过依次堆叠第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层来制造。
15.如权利要求12所述的方法，其中所述第一电极由透明导电氧化物类材料构成。
16.一种有机发光二极管显示装置，包括：
包括发光区和非发光区的基板；
布置在所述基板上的栅极；
布置在所述基板整个表面上的栅绝缘层；
布置在所述栅绝缘层对应于所述栅极的区域上非发光区中的半导体层；
布置在所述栅绝缘层上发光区中的第一电极；
布置在所述非发光区中并电连接所述半导体层和所述第一电极的源极和漏极；
布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的保护层；
布置在所述第一电极上的有机层；和
布置在所述基板整个表面上的第二电极；
其中所述栅绝缘层由包括氧化硅层和氮化硅层的多层构成；且
所述氧化硅层和所述氮化硅层中的每个层具有300～范围内的厚度。
17.如权利要求16所述的显示装置，其中所述第一电极由透明导电氧化物类材料构成。
18.如权利要求16所述的显示装置，其中所述栅绝缘层包括依次堆叠的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。
19.如权利要求16所述的显示装置，其中所述缓冲层是单层或多层。
20.如权利要求16所述的显示装置，其中所述缓冲层包括选自由SiO2、SiNx、TiO2、HfO2、A12O3、SiOx、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、La2O3或氧化铝锌组成的组中的一种化合物。
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