CN109103333A - 一种具有致密有机薄膜的光伏电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种具有致密有机薄膜的光伏电池及其制备方法，该方法包括以下步骤：在N型硅片的上表面形成多个平行排列且间隔设置的第一凹槽；对所述N型硅片的上表面的多个所述第一凹槽以及多个第一凸块进行研磨处理，使得所述第一沟槽的底角为第一弧形角，并使得所述第一凸块的顶部的两个角均为第二弧形角；在所述N型硅片的上表面形成Spiro‑OMeTAD层、复合导电层以及正面栅电极；在所述N型硅片的下表面制备背面电极。本发明的光伏电池具有优异的光电转换效率。

Description

一种具有致密有机薄膜的光伏电池及其制备方法
技术领域
本发明涉及光伏电池技术领域，特别是涉及一种具有致密有机薄膜的光伏电池及其制备方法。
背景技术
随着石油、煤炭等矿物资源的日益枯竭，导致相应价格的大幅度上涨，进而阻碍科技的发展与进步。太阳能由于其取之不尽、用之不竭、地域性限制小、绿色清洁、安全无污染等优点越来越受到人们的重视。基于光生伏特效应将太阳能转换为电能的太阳能电池是利用太阳能的主要途径之一。然而，目前商品化的太阳能电池基本上采用晶体硅或无机化合物半导体作为活性层材料，制备工艺复杂、成本高。另一方面，以有机半导体材料作为活性层的太阳能电池虽然具有材料便宜、可溶液化制备、退火温度低、可大面积柔性制作等优点，但同时也存在着载流子迁移率低、光吸收范围窄等缺陷，进而限制了有机太阳能电池的光电转换效率。有机无机杂化太阳能电池综合了无机材料的高迁移率和有机材料的可溶液化制备等优势，理论上可以获得高效率、低成本的太阳能电池，进而引起了人们的广泛关注。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种具有致密有机薄膜的光伏电池及其制备方法。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种具有致密有机薄膜的光伏电池的制备方法，包括以下步骤：
1)提供一N型硅片，所述N型硅片的上表面为抛光面，在所述N型硅片的上表面形成多个平行排列且间隔设置的第一凹槽，所述第一凹槽的截面为等腰三角形，相邻所述第一凹槽之间均形成一第一凸块，所述第一凸块的界面为等腰梯形；
2)接着对所述N型硅片的上表面的多个所述第一凹槽以及多个所述第一凸块进行研磨处理，使得所述第一沟槽的底角为第一弧形角，所述第一弧形角的曲率半径为40-50微米，并使得所述第一凸块的顶部的两个角均为第二弧形角，所述第二弧形角的曲率半径为10-20微米；
3)接着在所述N型硅片的上表面和下表面均喷涂含有正丙醇铌的溶液，并进行第一退火处理，以在所述N型硅片的上表面和下表面均形成氧化铌层；
4)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD的第一氯苯溶液，所述第一氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为2-4mg/ml，然后进行第二退火处理；
5)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第二氯苯溶液，所述第二氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为3-6mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.1-0.3mg/ml，然后进行第三退火处理；
6)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第三氯苯溶液，所述第三氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为4-8mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.2-0.5mg/ml，然后进行第四退火处理；
7)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第四氯苯溶液，所述第四氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为3-5mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.3-0.6mg/ml，然后进行第五退火处理；
8)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第五氯苯溶液，所述第五氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为1-3mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.4-0.8mg/ml，然后进行第六退火处理；
9)接着在所述N型单晶硅片的上表面多次交替旋涂含有银纳米线的溶液以及含有石墨烯的溶液，然后进行第七次退火处理，形成一复合导电层；
10)接着在所述N型硅片的上表面制备正面栅电极；
11)接着在所述N型硅片的下表面制备背面电极。
作为优选，在所述步骤(1)中，所述等腰三角形的顶角为60°-120°，所述第一凹槽的深度为100-200微米。
作为优选，在所述步骤(3)中，所述含有正丙醇铌的溶液中正丙醇铌的浓度为1.5-3mg/ml，所述第一退火处理的具体工艺为：在350-500℃的温度下退火处理20-40分钟。
作为优选，在所述步骤(4-8)中，旋涂的转速均为2500-5000转/分钟，旋涂的时间均为2-5分钟，所述第二、第三、第四、第五、第六退火处理的温度均为100-110℃，所述第二次退火处理的时间为1-3分钟，所述第三次退火处理的时间为4-6分钟，所述第四次退火处理的时间为6-9分钟，所述第五次退火处理的时间为9-12分钟，所述第六次退火处理的时间为10-20分钟。
作为优选，在所述步骤(5-8)中，所述银纳米颗粒的粒径为3-9纳米。
作为优选，在所述步骤(9)中，交替旋涂的次数不小于三次，所述含有银纳米线的溶液中银纳米线的浓度为3-6mg/ml，所述银纳米线的长度为10-25微米，所述银纳米线的直径为20-30纳米，所述含有石墨烯的溶液中石墨烯的浓度为1-2mg/ml，旋涂含有银纳米线的溶液的转速为2500-3500转/分钟以及时间为2-4分钟，旋涂含有石墨烯的溶液的转速为2000-3000转/分钟以及时间为2-4分钟，所述第七次退火处理的温度为100-120℃，所述第七次退火处理的时间为5-15分钟。
作为优选，在所述步骤(10)中，所述正面栅电极的的材质为银、铜或者铝，所述正面栅电极的厚度为200-300纳米；在所述步骤(11)中，背面电极的材质银或者铝，所述背面电极的厚度为200-300纳米。
本发明还提出根据上述方法制备的具有致密有机薄膜的光伏电池。
本发明与现有技术相比具有下列优点：
本发明的具有致密有机薄膜的光伏电池的制备过程中，通过在所述N型硅片的上表面设置第一凹槽，并对所述N型硅片的上表面的所述第一凹槽以及所述第一凸块进行研磨处理，使得所述第一沟槽的底角为第一弧形角，并使得所述第一凸块的顶部的两个角均为第二弧形角，并进一步优化第一弧形角和第二弧形角的曲率半径，使得可以在N型硅片表面形成高质量有机薄膜。通过优化Spiro-OMeTAD层的形成方式、Spiro-OMeTAD层中银纳米颗粒的分布状况以及各步骤中的退火时间，得到一层致密的Spiro-OMeTAD层，进而提高Spiro-OMeTAD层的成膜性能和电导率，进一步提高相应光伏电池的短路电流和填充因子，通过多次交替旋涂含有银纳米线的溶液以及含有石墨烯的溶液形成一复合导电层，使得其导电性能更加优异。
附图说明
图1为本发明的具有致密有机薄膜的光伏电池的结构示意图。
具体实施方式
本发明提出一种具有致密有机薄膜的光伏电池的制备方法，包括以下步骤：
1)提供一N型硅片，所述N型硅片的上表面为抛光面，在所述N型硅片的上表面形成多个平行排列且间隔设置的第一凹槽，所述第一凹槽的截面为等腰三角形，相邻所述第一凹槽之间均形成一第一凸块，所述第一凸块的界面为等腰梯形；
2)接着对所述N型硅片的上表面的多个所述第一凹槽以及多个所述第一凸块进行研磨处理，使得所述第一沟槽的底角为第一弧形角，所述第一弧形角的曲率半径为40-50微米，并使得所述第一凸块的顶部的两个角均为第二弧形角，所述第二弧形角的曲率半径为10-20微米；
3)接着在所述N型硅片的上表面和下表面均喷涂含有正丙醇铌的溶液，并进行第一退火处理，以在所述N型硅片的上表面和下表面均形成氧化铌层；
4)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD的第一氯苯溶液，所述第一氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为2-4mg/ml，然后进行第二退火处理；
5)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第二氯苯溶液，所述第二氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为3-6mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.1-0.3mg/ml，然后进行第三退火处理；
6)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第三氯苯溶液，所述第三氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为4-8mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.2-0.5mg/ml，然后进行第四退火处理；
7)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第四氯苯溶液，所述第四氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为3-5mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.3-0.6mg/ml，然后进行第五退火处理；
8)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第五氯苯溶液，所述第五氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为1-3mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.4-0.8mg/ml，然后进行第六退火处理；
9)接着在所述N型单晶硅片的上表面多次交替旋涂含有银纳米线的溶液以及含有石墨烯的溶液，然后进行第七次退火处理，形成一复合导电层；
10)接着在所述N型硅片的上表面制备正面栅电极；
11)接着在所述N型硅片的下表面制备背面电极。
其中，在所述步骤(1)中，所述等腰三角形的顶角为60°-120°，所述第一凹槽的深度为100-200微米。在所述步骤(3)中，所述含有正丙醇铌的溶液中正丙醇铌的浓度为1.5-3mg/ml，所述第一退火处理的具体工艺为：在350-500℃的温度下退火处理20-40分钟。在所述步骤(4-8)中，旋涂的转速均为2500-5000转/分钟，旋涂的时间均为2-5分钟，所述第二、第三、第四、第五、第六退火处理的温度均为100-110℃，所述第二次退火处理的时间为1-3分钟，所述第三次退火处理的时间为4-6分钟，所述第四次退火处理的时间为6-9分钟，所述第五次退火处理的时间为9-12分钟，所述第六次退火处理的时间为10-20分钟。在所述步骤(5-8)中，所述银纳米颗粒的粒径为3-9纳米。在所述步骤(9)中，交替旋涂的次数不小于三次，所述含有银纳米线的溶液中银纳米线的浓度为3-6mg/ml，所述银纳米线的长度为10-25微米，所述银纳米线的直径为20-30纳米，所述含有石墨烯的溶液中石墨烯的浓度为1-2mg/ml，旋涂含有银纳米线的溶液的转速为2500-3500转/分钟以及时间为2-4分钟，旋涂含有石墨烯的溶液的转速为2000-3000转/分钟以及时间为2-4分钟，所述第七次退火处理的温度为100-120℃，所述第七次退火处理的时间为5-15分钟。在所述步骤(10)中，所述正面栅电极的的材质为银、铜或者铝，所述正面栅电极的厚度为200-300纳米；在所述步骤(11)中，背面电极的材质银或者铝，所述背面电极的厚度为200-300纳米。
如图1所示，本发明提出一种具有致密有机薄膜的光伏电池，所述具有致密有机薄膜的光伏电池从上至下包括正面栅电极1、复合导电层2、Spiro-OMeTAD复合层3、N型硅片4、背面电极5，其中所述N型硅片4的上表面具有第一凹槽41。
实施例1：
一种具有致密有机薄膜的光伏电池的制备方法，包括以下步骤：
1)提供一N型硅片，所述N型硅片的上表面为抛光面，在所述N型硅片的上表面形成多个平行排列且间隔设置的第一凹槽，所述第一凹槽的截面为等腰三角形，相邻所述第一凹槽之间均形成一第一凸块，所述第一凸块的界面为等腰梯形；
2)接着对所述N型硅片的上表面的多个所述第一凹槽以及多个所述第一凸块进行研磨处理，使得所述第一沟槽的底角为第一弧形角，所述第一弧形角的曲率半径为45微米，并使得所述第一凸块的顶部的两个角均为第二弧形角，所述第二弧形角的曲率半径为15微米；
3)接着在所述N型硅片的上表面和下表面均喷涂含有正丙醇铌的溶液，并进行第一退火处理，以在所述N型硅片的上表面和下表面均形成氧化铌层；
4)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD的第一氯苯溶液，所述第一氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为3mg/ml，然后进行第二退火处理；
5)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第二氯苯溶液，所述第二氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为5mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.2mg/ml，然后进行第三退火处理；
6)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第三氯苯溶液，所述第三氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为6mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.3mg/ml，然后进行第四退火处理；
7)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第四氯苯溶液，所述第四氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为4mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.5mg/ml，然后进行第五退火处理；
8)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第五氯苯溶液，所述第五氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为2mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.6mg/ml，然后进行第六退火处理；
9)接着在所述N型单晶硅片的上表面多次交替旋涂含有银纳米线的溶液以及含有石墨烯的溶液，然后进行第七次退火处理，形成一复合导电层；
10)接着在所述N型硅片的上表面制备正面栅电极；
11)接着在所述N型硅片的下表面制备背面电极。
其中，在所述步骤(1)中，所述等腰三角形的顶角为100°，所述第一凹槽的深度为120微米。在所述步骤(3)中，所述含有正丙醇铌的溶液中正丙醇铌的浓度为2mg/ml，所述第一退火处理的具体工艺为：在400℃的温度下退火处理30分钟。在所述步骤(4-8)中，旋涂的转速均为3500转/分钟，旋涂的时间均为4分钟，所述第二、第三、第四、第五、第六退火处理的温度均为105℃，所述第二次退火处理的时间为2分钟，所述第三次退火处理的时间为5分钟，所述第四次退火处理的时间为7分钟，所述第五次退火处理的时间为11分钟，所述第六次退火处理的时间为18分钟。在所述步骤(5-8)中，所述银纳米颗粒的粒径为5纳米。在所述步骤(9)中，交替旋涂的次数为五次，所述含有银纳米线的溶液中银纳米线的浓度为5mg/ml，所述银纳米线的长度为15微米，所述银纳米线的直径为25纳米，所述含有石墨烯的溶液中石墨烯的浓度为1.5mg/ml，旋涂含有银纳米线的溶液的转速为3000转/分钟以及时间为3分钟，旋涂含有石墨烯的溶液的转速为2500转/分钟以及时间为4分钟，所述第七次退火处理的温度为110℃，所述第七次退火处理的时间为10分钟。在所述步骤(10)中，所述正面栅电极的的材质为铝，所述正面栅电极的厚度为220纳米；在所述步骤(11)中，背面电极的材质银，所述背面电极的厚度为240纳米。
上述方法制备的具有致密有机薄膜的光伏电池的光电转换效率为16.6％。
实施例2
一种具有致密有机薄膜的光伏电池的制备方法，包括以下步骤：
1)提供一N型硅片，所述N型硅片的上表面为抛光面，在所述N型硅片的上表面形成多个平行排列且间隔设置的第一凹槽，所述第一凹槽的截面为等腰三角形，相邻所述第一凹槽之间均形成一第一凸块，所述第一凸块的界面为等腰梯形；
2)接着对所述N型硅片的上表面的多个所述第一凹槽以及多个所述第一凸块进行研磨处理，使得所述第一沟槽的底角为第一弧形角，所述第一弧形角的曲率半径为40微米，并使得所述第一凸块的顶部的两个角均为第二弧形角，所述第二弧形角的曲率半径为10微米；
3)接着在所述N型硅片的上表面和下表面均喷涂含有正丙醇铌的溶液，并进行第一退火处理，以在所述N型硅片的上表面和下表面均形成氧化铌层；
4)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD的第一氯苯溶液，所述第一氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为2mg/ml，然后进行第二退火处理；
5)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第二氯苯溶液，所述第二氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为4mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.3mg/ml，然后进行第三退火处理；
6)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第三氯苯溶液，所述第三氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为8mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.5mg/ml，然后进行第四退火处理；
7)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第四氯苯溶液，所述第四氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为5mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.6mg/ml，然后进行第五退火处理；
8)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第五氯苯溶液，所述第五氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为3mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.8mg/ml，然后进行第六退火处理；
9)接着在所述N型单晶硅片的上表面多次交替旋涂含有银纳米线的溶液以及含有石墨烯的溶液，然后进行第七次退火处理，形成一复合导电层；
10)接着在所述N型硅片的上表面制备正面栅电极；
11)接着在所述N型硅片的下表面制备背面电极。
其中，在所述步骤(1)中，所述等腰三角形的顶角为60°，所述第一凹槽的深度为200微米。在所述步骤(3)中，所述含有正丙醇铌的溶液中正丙醇铌的浓度为3mg/ml，所述第一退火处理的具体工艺为：在500℃的温度下退火处理20分钟。在所述步骤(4-8)中，旋涂的转速均为4500转/分钟，旋涂的时间均为2分钟，所述第二、第三、第四、第五、第六退火处理的温度均为100℃，所述第二次退火处理的时间为3分钟，所述第三次退火处理的时间为6分钟，所述第四次退火处理的时间为9分钟，所述第五次退火处理的时间为12分钟，所述第六次退火处理的时间为20分钟。在所述步骤(5-8)中，所述银纳米颗粒的粒径为3纳米。在所述步骤(9)中，交替旋涂的次数为六次，所述含有银纳米线的溶液中银纳米线的浓度为3mg/ml，所述银纳米线的长度为25微米，所述银纳米线的直径为30纳米，所述含有石墨烯的溶液中石墨烯的浓度为2mg/ml，旋涂含有银纳米线的溶液的转速为3500转/分钟以及时间为4分钟，旋涂含有石墨烯的溶液的转速为2500转/分钟以及时间为4分钟，所述第七次退火处理的温度为120℃，所述第七次退火处理的时间为12分钟。在所述步骤(10)中，所述正面栅电极的的材质为铜，所述正面栅电极的厚度为200纳米；在所述步骤(11)中，背面电极的材质银，所述背面电极的厚度为300纳米。
上述方法制备的具有致密有机薄膜的光伏电池的光电转换效率为15.7％。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种具有致密有机薄膜的光伏电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)提供一N型硅片，所述N型硅片的上表面为抛光面，在所述N型硅片的上表面形成多个平行排列且间隔设置的第一凹槽，所述第一凹槽的截面为等腰三角形，相邻所述第一凹槽之间均形成一第一凸块，所述第一凸块的界面为等腰梯形；
2)接着对所述N型硅片的上表面的多个所述第一凹槽以及多个所述第一凸块进行研磨处理，使得所述第一沟槽的底角为第一弧形角，所述第一弧形角的曲率半径为40-50微米，并使得所述第一凸块的顶部的两个角均为第二弧形角，所述第二弧形角的曲率半径为10-20微米；
3)接着在所述N型硅片的上表面和下表面均喷涂含有正丙醇铌的溶液，并进行第一退火处理，以在所述N型硅片的上表面和下表面均形成氧化铌层；
4)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD的第一氯苯溶液，所述第一氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为2-4mg/ml，然后进行第二退火处理；
5)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第二氯苯溶液，所述第二氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为3-6mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.1-0.3mg/ml，然后进行第三退火处理；
6)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第三氯苯溶液，所述第三氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为4-8mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.2-0.5mg/ml，然后进行第四退火处理；
7)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第四氯苯溶液，所述第四氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为3-5mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.3-0.6mg/ml，然后进行第五退火处理；
8)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有Spiro-OMeTAD和银纳米颗粒的第五氯苯溶液，所述第五氯苯溶液中所述Spiro-OMeTAD的浓度为1-3mg/ml，所述银纳米颗粒的浓度为0.4-0.8mg/ml，然后进行第六退火处理；
9)接着在所述N型单晶硅片的上表面多次交替旋涂含有银纳米线的溶液以及含有石墨烯的溶液，然后进行第七次退火处理，形成一复合导电层；
10)接着在所述N型硅片的上表面制备正面栅电极；
11)接着在所述N型硅片的下表面制备背面电极。
2.根据权利要求1所述的具有致密有机薄膜的光伏电池的方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，所述等腰三角形的顶角为60°-120°，所述第一凹槽的深度为100-200微米。
3.根据权利要求1所述的具有致密有机薄膜的光伏电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，所述含有正丙醇铌的溶液中正丙醇铌的浓度为1.5-3mg/ml，所述第一退火处理的具体工艺为：在350-500℃的温度下退火处理20-40分钟。
4.根据权利要求1所述的具有致密有机薄膜的光伏电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(4-8)中，旋涂的转速均为2500-5000转/分钟，旋涂的时间均为2-5分钟，所述第二、第三、第四、第五、第六退火处理的温度均为100-110℃，所述第二次退火处理的时间为1-3分钟，所述第三次退火处理的时间为4-6分钟，所述第四次退火处理的时间为6-9分钟，所述第五次退火处理的时间为9-12分钟，所述第六次退火处理的时间为10-20分钟。
5.根据权利要求4所述的具有致密有机薄膜的光伏电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(5-8)中，所述银纳米颗粒的粒径为3-9纳米。
6.根据权利要求1所述的具有致密有机薄膜的光伏电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(9)中，交替旋涂的次数不小于三次，所述含有银纳米线的溶液中银纳米线的浓度为3-6mg/ml，所述银纳米线的长度为10-25微米，所述银纳米线的直径为20-30纳米，所述含有石墨烯的溶液中石墨烯的浓度为1-2mg/ml，旋涂含有银纳米线的溶液的转速为2500-3500转/分钟以及时间为2-4分钟，旋涂含有石墨烯的溶液的转速为2000-3000转/分钟以及时间为2-4分钟，所述第七次退火处理的温度为100-120℃，所述第七次退火处理的时间为5-15分钟。
7.根据权利要求1所述的具有致密有机薄膜的光伏电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(10)中，所述正面栅电极的的材质为银、铜或者铝，所述正面栅电极的厚度为200-300纳米；在所述步骤(11)中，背面电极的材质银或者铝，所述背面电极的厚度为200-300纳米。
8.一种具有致密有机薄膜的光伏电池，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的方法制备形成的。
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