CN104183735A - 一种阳极及其制备方法和有机电致发光器件 - Google Patents

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CN104183735A CN201310196696.5A CN201310196696A CN104183735A CN 104183735 A CN104183735 A CN 104183735A CN 201310196696 A CN201310196696 A CN 201310196696A CN 104183735 A CN104183735 A CN 104183735A
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周明杰
冯小明
陈吉星
王平
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种阳极及其制备方法，所述阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层，氧化物层作为光干涉层，可以提高阳极的光透过率，导电层可以提高阳极的导电能力；氧化石墨烯层可以提高阳极的功函，使空穴可以比较容易地注入到有机材料中，从而降低器件的启动电压并提高光效；本发明还公开了一种包含上述阳极的有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，电子注入层和阴极。

Description

一种阳极及其制备方法和有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种阳极及其制备方法和有机电致发光器件。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light Emission Diode，以下简称OLED)，具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
到目前为止，OLED在照明和显示领域的应用还没有大规模开展，除了光效，使用寿命等方面还为完全达到市场需求以外，其价格也是制约其大量应用的一个重要原因。通常采用的OLED需要采用氧化铟锡薄膜（ITO）作为阳极，因为其具有较高的可见光透过率和较高的导电率，但是金属铟作为一种贵金属材料，价格高昂且储量稀少，因此OLED的价格难以降下来。目前已有研发技术制备替代ITO薄膜的材料，如印刷有机导电薄膜PEDOT-PSS（聚3,4-乙撑二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸盐），但是其导电性能较差；而金属薄膜如Ag，Au等，其对可见光的透过率较低，也难以大规模应用，为了进一步提高OLED的发光效率，还需要将该阳极进行优化，以利于空穴的注入，并且所采用的材料中，必须对可见光具有较高的透过率，以便于器件的出光。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种阳极，所述阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层，氧化物层作为光干涉层，可以提高阳极的光透过率，导电层可以提高阳极的导电能力；氧化石墨烯层可以提高阳极的功函，使空穴可以比较容易地注入到有机材料中，从而降低器件的启动电压并提高光效；本发明还公开了一种包含上述阳极的有机电致发光器件。
第一方面，本发明提供了一种阳极，所述阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层，所述氧化物层的材质为五氧化二钽（Ta2O5）、三氧化二锑（Sb2O3）、二氧化锆（ZrO2）、氧化铈（CeO2）或氧化铪（HfO2）；所述导电层材质为金（Au）、铝（Al）、银（Ag）或铂（Pt）。
优选地，所述氧化物层厚度为40nm～80nm，所述导电层厚度为8nm～20nm，所述氧化石墨烯层厚度为5nm～15nm。
所述阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层，导电层介于氧化层和氧化石墨烯层之间，氧化物层作为光干涉层，用于提高阳极的透过率，导电层可以提高阳极的导电能力；氧化石墨烯层可以提高阳极的功函，使空穴可以比较容易地注入到有机材料中，从而降低器件的启动电压并提高光效。
第二方面，本发明提供了一种阳极的制备方法，包括以下步骤：
（1）提供所需尺寸的玻璃基板，清洗后干燥；
（2）在真空度为1×10-5～1×10-3Pa的真空镀膜室中，在玻璃基板上采用电子束蒸发的方法制备氧化层；所述氧化物层的材质为Ta2O5、Sb2O3、ZrO2、CeO2或HfO2；得到附有氧化物层的基板；
（3）将所述附有氧化物层的基板置于真空度为1×10-5～1×10-3Pa的真空镀膜室中，在氧化物层上采用热阻蒸发的方法制备导电层，得到附有氧化物层和导电层的基板，所述导电层的材质为Au、Al、Ag或Pt；所述真空度为1×10-5～1×10-3Pa，蒸发速度为0.05～0.5nm/s；
（4）将附有氧化物层和导电层的基板置于气相沉积室中，通入氢气使气相沉积室的压强维持在10Pa～1000Pa，随后将气相沉积室温度升温至600℃～1000℃，再通入碳源气体使气相沉积室的压强维持在10Pa～1000Pa，在所述导电层上采用气相沉积的方法制备石墨烯薄膜，得到附有石墨烯薄膜、氧化物层和导电层的基板；
（5）通过等离子处理或臭氧处理氧化石墨烯薄膜得到氧化石墨烯层，最终得到所述阳极，所述阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层。
优选地，所述等离子处理为：将附有石墨烯薄膜、氧化物层和导电层的基板置于等离子处理室中，然后通入Ar和O2以体积比为5:1形成的混合气体，维持等离子处理室压力为40pa，射频电源功率为30W，处理时间为0.5～5分钟，通过等离子处理氧化石墨烯薄膜得到氧化石墨烯层。
优选地，所述臭氧处理为：将附有石墨烯薄膜、氧化物层和导电层的基板置于臭氧发生器中，发生器的UV光源发射波长为185nm和254nm，处理时间为1～10分钟，通过臭氧处理氧化石墨烯薄膜得到氧化石墨烯层。
优选地，所述氧化物层厚度为40nm～80nm，所述导电层厚度为8nm～20nm，所述氧化石墨烯层厚度为5nm～15nm。
优选地，所述碳源气体为甲烷、乙烷、丙烷、丁烷和戊烷中的一种或多种。
优选地，所述步骤（4）在导电层上制备得到石墨烯薄膜后，在氮气氛围下冷却到室温。
优选地，所述的提供所需尺寸的玻璃基板，具体操作为：将玻璃基板进行光刻处理，然后剪裁成所需要的大小。
优选地，所述清洗后干燥为将玻璃基板依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干。
所述阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层，导电层介于氧化层和氧化石墨烯层之间，氧化物层作为光干涉层，用于提高阳极的透过率，导电层可以提高阳极的导电能力；本发明通过简单的氧化方法使石墨烯氧化成氧化石墨烯，氧化石墨烯含有氧官能团，功函比较高，有利于空穴的注入，提高了器件的光效。
第三方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，电子注入层和阴极，所述阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层，所述氧化物层的材质为五氧化二钽、三氧化二锑、二氧化锆、氧化铈或氧化铪；所述导电层材质为金、铝、银或铂。
优选地，所述氧化物层厚度为40nm～80nm，所述导电层厚度为8nm～20nm，所述氧化石墨烯层厚度为5nm～15nm。
优选地，所述空穴注入层的材质为酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁氧钒（VOPc）、酞菁氧钛(TiOPc)或酞菁铂（PtPc），厚度为10～30nm。
优选地，所述空穴传输层材质为,4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺（2-TNATA）、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，厚度为20～60nm。
优选地，所述电子传输层材质为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑（TAZ），厚度为20～60nm。
优选地，所述电子注入层的材质为LiF（氟化锂）、CsF（氟化铯）或NaF（氟化钠），厚度为0.5～2nm。
优选地，所述发光层材质为客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料，所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6），二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)；所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP），8-羟基喹啉铝（Alq3）或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，所述客体材料和所述主体材料的质量比为0.01:1～0.1:1。
优选地，所述发光层为磷光材料4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi），4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)或5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）。
优选地，所述发光层的厚度为1～20nm。
优选地，所述阳极材质为Ag、Al、Mg-Al合金或Mg-Ag合金，厚度为70～200nm。
所述阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层，导电层介于氧化层和氧化石墨烯层之间，氧化物层作为光干涉层，用于提高阳极的透过率，导电层可以提高阳极的导电能力；本发明通过简单的氧化方法使石墨烯氧化成氧化石墨烯，氧化石墨烯含有氧官能团，功函比较高，有利于空穴的注入，提高了器件的光效。
第四方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供所需尺寸的玻璃基板，清洗后干燥；
（2）在真空度为1×10-5～1×10-3Pa的真空镀膜室中，在玻璃基板上采用电子束蒸发的方法制备氧化层；所述氧化物层的材质为五氧化二钽、三氧化二锑、二氧化锆、氧化铈或氧化铪；得到附有氧化物层的基板；
（3）将所述附有氧化物层的基板置于真空度为1×10-5～1×10-3Pa的真空镀膜室中，在氧化物层上采用热阻蒸发的方法制备导电层，得到附有氧化物层和导电层的基板，所述导电层的材质为金、铝、银或铂；所述真空度为1×10-5～1×10-3Pa，蒸发速度为0.05～0.5nm/s；
（4）将附有氧化物层和导电层的基板置于气相沉积室中，通入氢气使气相沉积室的压强维持在10Pa～1000Pa，随后将气相沉积室温度升温至600℃～1000℃，再通入碳源气体使气相沉积室的压强维持在10Pa～1000Pa，在所述导电层上采用气相沉积的方法制备石墨烯薄膜，得到附有石墨烯薄膜、氧化物层和导电层的基板；
（5）通过等离子处理或臭氧处理氧化石墨烯薄膜得到氧化石墨烯层，最终得到所述阳极，所述阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层；
（6）在所述阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，电子注入层和阴极，最终得到所述有机电致发光器件。
优选地，所述等离子处理为：将附有石墨烯薄膜、氧化物层和导电层的基板置于等离子处理室中，然后通入Ar和O2以体积比为5:1形成的混合气体，维持等离子处理室压力为40pa，射频电源功率为30W，处理时间为0.5～5分钟，通过等离子处理氧化石墨烯薄膜得到氧化石墨烯层。
优选地，所述臭氧处理为：将附有石墨烯薄膜、氧化物层和导电层的基板置于臭氧发生器中，发生器的UV光源发射波长为185nm和254nm，处理时间为1～10分钟，通过臭氧处理氧化石墨烯薄膜得到氧化石墨烯层。
优选地，所述碳源气体为甲烷、乙烷、丙烷、丁烷和戊烷中的一种或多种。
优选地，所述步骤（4）在导电层上制备得到石墨烯薄膜后，在氮气氛围下冷却到室温。
优选地，所述氧化物层厚度为40nm～80nm，所述导电层厚度为8nm～20nm，所述氧化石墨烯层厚度为5nm～15nm。
优选地，所述的提供所需尺寸的玻璃基板，具体操作为：将玻璃基板进行光刻处理，然后剪裁成所需要的大小。
优选地，所述清洗后干燥为将玻璃基板依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干。
优选地，电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层，空穴注入层和阴极均可在真空度为1×10-5～1×10-3Pa的真空镀膜室中采用真空蒸镀的方法制备；所述电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层的蒸镀速度为0.01～1nm/s；所述电子注入层的蒸镀速度为0.1～1nm/s；所述阴极的蒸镀速度为0.2～2nm/s。
优选地，所述发光层中的所述客体材料和主体材料的蒸镀速率比为0.01:1～0.1:1。
优选地，所述空穴注入层的材质为酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁氧钒（VOPc）、酞菁氧钛(TiOPc)或酞菁铂（PtPc），厚度为10～30nm。
优选地，所述空穴传输层材料为,4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺（2-TNATA）、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，厚度为20～60nm。
优选地，所述电子传输层为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑（TAZ），厚度为20～60nm。
优选地，所述电子注入层的材质为LiF（氟化锂）、CsF（氟化铯）或NaF（氟化钠），厚度为0.5～2nm。
优选地，所述发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料，所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6），二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP），8-羟基喹啉铝（Alq3）或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，所述客体材料和所述主体材料的质量比为0.01:1～0.1:1。
优选地，所述发光层材质为磷光材料4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi），4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)或5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）。
优选地，所述发光层的厚度为1～20nm。
优选地，所述阴极的材质为Ag、Al、Mg-Al合金或Mg-Ag合金，厚度为70～200nm。
实施本发明实施例，具有以下有益效果：
本发明提供的阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层，导电层介于氧化层和氧化石墨烯层之间，氧化物层作为光干涉层，用于提高阳极的透过率，导电层可以提高阳极的导电能力；本发明通过简单的氧化方法使石墨烯氧化成氧化石墨烯，氧化石墨烯含有氧官能团，功函比较高，有利于空穴的注入，提高了器件的光效。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1制备的阳极结构示意图；
图2为本发明实施例5制备的有机电致发光器件结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
一种阳极的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）先将玻璃基板进行光刻处理，然后剪裁成2×2cm2的正方形玻璃基板，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；
（2）在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜室中，在清洁后的玻璃基板上通过电子束蒸发制备Ta2O5，得到厚度为40nm的氧化物层，电子集束能量为10W/cm2，蒸发速度为0.02nm/s；得到附有氧化物层的基板；
（3）在氧化物层上通过热阻蒸发方法制备厚度为8nm的Ag作为导电层，蒸发速度为0.05nm/s；得到附有氧化物层和导电层的基板；
（4）然后得到附有氧化物层和导电层的基板转移至气相沉积室中，通入氢气使气相沉积室的压强维持在10Pa，随后将气相沉积室温度升温至600℃，然后通入甲烷使气相沉积室的压强维持在10Pa，在导电层上制备厚度为5nm石墨烯薄膜；得到附有氧化物层、导电层和石墨烯薄膜的基板；
（5）将附有氧化物层、导电层和石墨烯薄膜的基板转移至等离子处理室中，然后通入Ar和O2以体积比为5:1形成的混合气体，维持等离子处理室压力为40pa，射频电源功率为30W，处理时间0.5分钟，得到氧化石墨烯层，最终得到阳极。
图1为本发明实施例1制备的阳极100的结构示意图，从图1中可以看出，阳极100包括依次层叠的氧化物层101、导电层102和氧化石墨烯层103。
实施例2
一种阳极的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）先将玻璃基板进行光刻处理，然后剪裁成2×2cm2的正方形玻璃基板，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；
（2）在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜室中，在清洁后的玻璃基板上通过电子束蒸发制备CeO2，得到厚度为80nm的氧化物层，电子集束能量为100W/cm2，蒸发速度为0.2nm/s；得到附有氧化物层的基板；
（3）在氧化物层上通过热阻蒸发方法制备厚度为15nm的Au作为导电层，蒸发速度为0.5nm/s；得到附有氧化物层和导电层的基板；
（4）然后将附有氧化物层和导电层的基板转移至气相沉积室中，通入氢气使气相沉积室的压强维持在1000Pa，随后将气相沉积室温度升温至1000℃，然后通入乙烷使气相沉积室的压强维持在1000Pa，在导电层上制备厚度为10nm石墨烯薄膜；得到附有氧化物层、导电层和石墨烯薄膜的基板；
（5）将附有氧化物层、导电层和石墨烯薄膜的基板转移至臭氧发生器中，发生器的UV光源发射波长为185nm和254nm，处理时间10分钟，得到氧化石墨烯层，最终得到阳极。
本实施例阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层。
实施例3
一种阳极的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）先将玻璃基板进行光刻处理，然后剪裁成2×2cm2的正方形玻璃基板，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；
（2）在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜室中，在清洁后的玻璃基板上通过电子束蒸发制备HfO2，得到厚度为60nm的氧化物层，电子集束能量为50W/cm2，蒸发速度为0.1nm/s；得到附有氧化物层的基板；
（3）在氧化物层上通过热阻蒸发方法制备厚度为10nm的Al作为导电层，蒸发速度为0.2nm/s；得到附有氧化物层和导电层的基板；
（4）然后将附有氧化物层和导电层的基板转移至气相沉积室中，通入氢气使气相沉积室的压强维持在500Pa，随后将气相沉积室温度升温至800℃，然后通入丙烷使气相沉积室的压强维持在600Pa，在导电层上制备厚度为10nm石墨烯薄膜；得到附有氧化物层、导电层和石墨烯薄膜的基板；
（5）将附有氧化物层、导电层和石墨烯薄膜的基板转移至臭氧发生器中，发生器的UV光源发射波长为185nm和254nm，处理时间1分钟，得到氧化石墨烯层，最终得到阳极。
本实施例阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层。
实施例4
一种阳极的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）先将玻璃基板进行光刻处理，然后剪裁成2×2cm2的正方形玻璃基板，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；
（2）在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜室中，在清洁后的玻璃基板上通过电子束蒸发制备ZrO2，得到厚度为40nm的氧化物层，电子集束能量为10W/cm2，蒸发速度为0.02nm/s；得到附有氧化物层的基板；
（3）在氧化物层上通过热阻蒸发方法制备厚度为10nm的Pt作为导电层，蒸发速度为0.1nm/s；得到附有氧化物层和导电层的基板；
（4）然后将附有氧化物层和导电层的基板转移至气相沉积室中，通入氢气使气相沉积室的压强维持在400Pa，随后将气相沉积室温度升温至800℃，然后通入丙烷使气相沉积室的压强维持在400Pa，在导电层上制备厚度为6nm石墨烯薄膜；得到附有氧化物层、导电层和石墨烯薄膜的基板；
（5）将附有氧化物层、导电层和石墨烯薄膜的基板转移至等离子处理室中，然后通入Ar和O2以体积比为5:1形成的混合气体，维持等离子处理室压力为40pa，射频电源功率为30W，处理时间0.5分钟，得到氧化石墨烯层，最终得到阳极。
本实施例阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层。
实施例5
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、电子传输层、发光层、空穴传输层，空穴注入层和阴极，阳极为本发明实施例1制备的阳极。
具体制备过程中，在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜室中，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，电子注入层和阴极，其中，
空穴注入层的材质为CuPc，厚度为10nm；
空穴传输层的材质为NPB，厚度为30nm；
发光层的材质为Ir(ppy)3和CBP形成的混合材料，Ir(ppy)3和CBP中的质量比为0.1:1，蒸镀厚度为10nm；Ir(ppy)3的蒸镀速率为0.01nm/s,CBP的蒸镀速率为0.1nm/s；
电子传输层的材质为TPBi，厚度为30nm；
电子注入层的材质为LiF，厚度为0.5nm；
阴极的材质为Ag，厚度为200nm；
电子传输层、空穴传输层和空穴注入层的蒸镀速度为0.01nm/s；电子注入层的蒸镀速度为0.1nm/s；阴极的蒸镀速度为0.2nm/s。
图2为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，如图2所示，本实施例制备的有机电致发光器件200，包括依次层叠的玻璃基板201、阳极202、空穴注入层203、空穴传输层204、发光层205、电子传输层206，电子注入层207和阴极208；阳极202为本发明实施例1制备的阳极100；阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层；具体结构表示为：
玻璃基板/Ta2O5/Ag/氧化石墨烯/CuPc/NPB/(Ir(ppy)3:CBP/TPBi/LiF/Ag；其中，斜杠“/”表示层状结构，(Ir(ppy)3:CBP中的冒号“：”表示混合，下同。
实施例6
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、电子传输层、发光层、空穴传输层，空穴注入层和阴极，阳极为本发明实施例2制备的阳极。
具体制备过程中，在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜室中，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，电子注入层和阴极，其中，
空穴注入层的材质为ZnPc，厚度为10nm；
空穴传输层的材质为2-TNATA，厚度为30nm；
发光层的材质为Ir(piq)3和NPB形成的混合材料，Ir(piq)3和NPB质量比为0.08:1，Ir(piq)3蒸镀速度为0.01nm/s，NPB蒸镀速度为0.125nm/s，蒸镀厚度为20nm；
电子传输层的材质为Bphen，厚度为60nm；
电子注入层的材质为NaF，厚度为2nm；
阴极的材质为Al，厚度为70nm；
电子传输层、空穴传输层和空穴注入层的蒸镀速度为1nm/s；电子注入层的蒸镀速度为1nm/s；阴极的蒸镀速度为2nm/s。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，电子注入层和阴极。阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层；具体结构表示为：
玻璃基板/CeO2/Au/氧化石墨烯/ZnPc/2-TNATA/Ir(piq)3:NPB/Bphen/NaF/Al。
实施例7
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、电子传输层、发光层、空穴传输层，空穴注入层和阴极，阳极为本发明实施例3制备的阳极。
具体制备过程中，在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜室中，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，电子注入层和阴极，其中，
空穴注入层的材质为PtPc，厚度为30nm；
空穴传输层的材质为m-MTDATA，厚度为20nm；
发光层的材质为DCJTB和Alq3形成的混合材料，DCJTB和Alq3的质量比为0.01:1，DCJTB的蒸镀速度为0.01nm/s；Alq3的蒸镀速度为1nm/s；蒸镀厚度为1nm；
电子传输层的材质为PBD，厚度为20nm；
电子注入层的材质为CsF，厚度为1nm；
阴极的材质为Mg-Al合金，厚度为100nm；
电子传输层的蒸镀速度为0.5nm/s，发光层的蒸镀速度为0.1nm/s，空穴传输层的蒸镀速度为0.8nm/s，空穴注入层的蒸镀速度为0.1nm/s；电子注入层的蒸镀速度为0.5nm/s；阴极的蒸镀速度为1nm/s。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，电子注入层和阴极。阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层；具体结构表示为：
玻璃基板/HfO2/Al/氧化石墨烯/PtPc/m-MTDATA/DCJTB:Alq3/PBD/CsF/Mg-Al。
实施例8
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、电子传输层、发光层、空穴传输层，空穴注入层和阴极，阳极为本发明实施例4制备的阳极。
具体制备过程中，在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜室中，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，电子注入层和阴极，其中，
空穴注入层的材质为TiOPc，厚度为40nm；
空穴传输层的材质为TPD，厚度为40nm；
发光层的材质为磷光材料Rubrene，厚度为10nm；
电子传输层的材质为BCP，厚度为30nm；
电子注入层的材质为LiF，厚度为1nm；
阴极的材质为Mg-Ag，厚度为120nm；
电子传输层的蒸镀速度为0.05nm/s，发光层的蒸镀速度为0.2nm/s，空穴传输层的蒸镀速度为0.3nm/s，空穴注入层的蒸镀速度为0.0,7nm/s；电子注入层的蒸镀速度为0.8nm/s；阴极的蒸镀速度为1.5nm/s。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，电子注入层和阴极。阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层；具体结构表示为：
玻璃基板/ITO/Pt/氧化石墨烯/TiOPc/TPD/Rubrene/BCP/LiF/Mg-Ag。
对比实施例1
为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例与实施例5的区别在于对比实施例中的阳极材质为ITO，厚度为70nm，对比实施例有机电致发光器件的具体结构为：玻璃基板/ITO/CuPc/NPB/(Ir(ppy)3:CBP/TPBi/LiF/Ag；分别对应玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，电子注入层和阴极。
效果实施例
采用四探针电阻测试仪测试阳极的方块电阻，使用紫外可见分光光度计测试阳极的光透过率。
表1是实施例1～4和对比例1阳极的方块电阻和透光率。
表1实施例1～4和对比例1阳极的方块电阻和透光率
从表1中可以看到，本发明提供的实施例1～4的阳极透过率都高于对比例1普通ITO阳极的透过率，实施例阳极的表面方块电阻最高才25.2Ω/□，低于对比例1的ITO阳极的56.3Ω/□。本发明提供的阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层，导电层介于氧化层和氧化石墨烯层之间，氧化物层作为光干涉层，用于提高阳极的透过率，导电层可以提高阳极的导电能力，氧化石墨烯层可以提高阳极的功函。
表2是实施例5～8和对比例1制备的有机电致发光器件的启动电压和发光效率。
表2实施例5～8和对比例1制备的有机电致发光器件的启动电压和发光效率
启动电压V) 发光效率(lm/W)
实施例5 2.6 22.4
实施例6 2.5 20.8
实施例7 2.6 19.1
实施例8 2.5 17.2
对比例1 3.5 14.9
从表2可以看出，实施例5～8制备的有机电致发光器件的启动电压均小于对比例1的制备的有机电致发光器件，实施例5～8制备的有机电致发光器件的发光效率均大于对比例1的制备的有机电致发光器件，例如实施例5的器件启动电压为2.6V，而对比例1的启动电压高达3.5V。同样，在光效方面，实施例1器件获得了22.4lm/W的光效，而对比例则只有14.9lm/W，实施例5是对比实施例1发光效率的1.5倍，显然本发明的有益效果非常显著。本发明提供的有机电致发光器件与普通的发光器件相比，采用了一个多层的阳极结构，阳极中的氧化石墨烯层可以提高阳极的功函，导电层可以提高阳极的导电能力，使空穴可以比较容易地注入到有机材料中，从而降低器件的启动电压并提高光效。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种阳极，其特征在于，所述阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层，所述氧化物层的材质为五氧化二钽、三氧化二锑、二氧化锆、氧化铈或氧化铪；所述导电层材质为金、铝、银或铂。
2.如权利要求1所述的阳极，其特征在于，所述氧化物层的厚度为40nm～80nm，所述导电层的厚度为8nm～20nm，所述氧化石墨烯层的厚度为5nm～15nm。
3.一种制备阳极的方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）提供所需尺寸的玻璃基板，清洗后干燥；
（2）在真空度为1×10-5～1×10-3Pa的真空镀膜室中，在玻璃基板上采用电子束蒸发的方法制备氧化层；电子束蒸发能量为10W/cm2～100W/cm2，蒸发速度为0.02～0.2nm/s；所述氧化物层的材质为五氧化二钽、三氧化二锑、二氧化锆、氧化铈或氧化铪，得到附有氧化物层的基板；
（3）将所述附有氧化物层的基板置于真空度为1×10-5～1×10-3Pa的真空镀膜室中，在氧化物层上采用热阻蒸发的方法制备导电层，得到附有氧化物层和导电层的基板，所述导电层的材质为金、铝、银或铂；所述真空度为1×10-5～1×10-3Pa，蒸发速度为0.05～0.5nm/s；
（4）将附有氧化物层和导电层的基板置于气相沉积室中，通入氢气使气相沉积室的压强维持在10Pa～1000Pa，随后将气相沉积室温度升温至600℃～1000℃，再通入碳源气体使气相沉积室的压强维持在10Pa～1000Pa，在所述导电层上采用气相沉积的方法制备石墨烯薄膜，得到附有石墨烯薄膜、氧化物层和导电层的基板；
（5）通过等离子处理或臭氧处理氧化石墨烯薄膜得到氧化石墨烯层，最终得到所述阳极，所述阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层。
4.如权利要求3所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述等离子处理为：将附有石墨烯薄膜、氧化物层和导电层的基板置于等离子处理室中，然后通入Ar和O2以体积比为5:1形成的混合气体，维持等离子处理室压力为40pa，射频电源功率为30W，处理时间为0.5～5分钟，通过等离子处理氧化石墨烯薄膜得到氧化石墨烯层。
5.如权利要求3所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述臭氧处理为：将附有石墨烯薄膜、氧化物层和导电层的基板置于臭氧发生器中，发生器的UV光源发射波长为185nm和254nm，处理时间为1～10分钟，通过臭氧处理氧化石墨烯薄膜得到氧化石墨烯层。
6.如权利要求3所述的阳极的制备方法，其特征在于，所述氧化物层厚度为40nm～80nm，所述导电层厚度为8nm～20nm，所述氧化石墨烯层厚度为5nm～15nm。
7.如权利要求3所述的阳极的制备方法，其特征在于，所述碳源气体为甲烷、乙烷、丙烷、丁烷和戊烷中的一种或多种。
8.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，电子注入层和阴极，所述阳极包括依次层叠的氧化物层、导电层和氧化石墨烯层，所述氧化物层的材质为五氧化二钽、三氧化二锑、二氧化锆、氧化铈或氧化铪；所述导电层的材质为金、铝、银或铂。
9.如权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化物层的厚度为40nm～80nm，所述导电层的厚度为8nm～20nm，所述氧化石墨烯层的厚度为5nm～15nm。
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