CN104183763A

CN104183763A - 倒置有机电致发光装置及其制备方法和应用

Info

Publication number: CN104183763A
Application number: CN201310193541.6A
Authority: CN
Inventors: 周明杰; 冯小明; 黄辉; 王平
Original assignee: Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd; Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Current assignee: Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd; Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd; Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date: 2013-05-22
Filing date: 2013-05-22
Publication date: 2014-12-03

Abstract

本发明公开了一种倒置有机电致发光装置及其制备方法和应用。该倒置有机电致发光装置包括依次层叠结合的基板、阴极层、有机功能层和阳极层，从阴极层至阳极层方向，所述有机功能层包括依次层叠结合的电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层，其中，该电子注入层材料为六硼化镧。本发明倒置驱动电流小，使用寿命长，发光效率高，应该范围广；其制备方法对设备要求低，其制备工艺条件易控制。

Description

倒置有机电致发光装置及其制备方法和应用

技术领域

本发明属于电光源技术领域，具体的说是涉及一种倒置有机电致发光装置及其制备方法和应用。

背景技术

有机电致发光器件（Organic Light Emission Diode，以下简称OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

OLED具有发光效率高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光、轻、薄等优点，同时拥有高清晰、广视角、响应速度快、低成本以及色彩鲜艳等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，因此，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。

到目前为止，尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件结构设计，已使器件性能的各项指标得到了很大的提升，但是目前由于驱动发光器件的电流较大，发光效率低，器件寿命低，为了实现有机电致发光器件的实用化，人们急于寻找一种驱动电流小，发光效率高的发光器件结构。在OLED其结构中，为了提高电子的注入能力，通常会在电子传输层与阴极之间设置一个较薄的电子注入层，用于提高电子的注入能力，通常为碱金属的氟化物，或者一些具有双极性材料的氧化物，其利用碱金属的低功函，降低电子向电子传输的注入势垒，或者利用无机氧化物在阴极与电子传输层之间形成的内建电场，抵消部分电子注入势垒，从而提高电子注入效率。由于这些材料的导电性能较差，通常这个电子注入层的厚度在1nm以下，从而才能避免过厚的厚度导致驱动电压的增加。对于OLED的大面积制备而言，这种极薄的厚度，在制备过程中需要精确控制，并且其均一性难以获得保证，为了均一的膜层，通常需要非常精确的监控设备以及高精度的蒸镀设备。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种驱动电流小，发光效率高的倒置有机电致发光装置及其制备方法。

本发明的另一目的在于提供该倒置有机电致发光装置的应用范围。

为了实现上述发明目的，本发明的技术方案如下：

一种倒置有机电致发光装置，包括依次层叠结合的基板、阴极层、有机功能层和阳极层，从阴极层至阳极层方向，所述有机功能层包括依次层叠结合的电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层，所述电子注入层材料为六硼化镧。

以及，上述倒置有机电致发光装置的一种制备方法，包括如下步骤：

在真空镀膜系统中，在基板一表面制备阴极层；

在真空镀膜系统中，采用电子束蒸发工艺，将六硼化镧蒸镀在所述阴极层外表面，制备电子注入层；

在真空镀膜系统中，在所述电子注入层外表面依次制备电子传输层、发光层和空穴传输层。。

以及，上述倒置有机电致发光装置在照明，显示领域中的应用。

上述倒置有机电致发光装置采用六硼化镧（LaB₆）作为电子注入层，有效提高了该倒置有机电致发光装置电子注入能力，从而提高了该装置的发光效率。与此同时，还赋予了该倒置有机电致发光装置低的驱动电流，延长了该装置的使用寿命。正是由于该倒置有机电致发光装置的驱动电流小，发光效率高，使用寿命长，扩展了该倒置有机电致发光装置的应用范围，使其可在照明，显示领域中应用。

上述倒置有机电致发光装置制备方法先在阴极层表面制备材料为六硼化镧的电子注入层，然后制备其他有机功能层，因此，该制备工艺有效保护了有机功能层，使得该倒置有机电致发光装置发光性能稳定，光效高，使用寿命长。另外，采用六硼化镧制备电子注入层，可以实现增加电子注入层的基础上避免该倒置有机电致发光装置的驱动电流的增大，因此，实现了该有机电致发光装置的大面积制备，且制备的有机电致发光装置膜层均匀，对设备要求，工艺条件易控制、成本低，驱动电流小，使用寿命长。

附图说明

图1为本发明实施例倒置有机电致发光装置结构示意图；

图2为本发明实施例倒置有机电致发光装置另一优选结构示意图；

图3为本发明实施例倒置有机电致发光装置制备方法的流程示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例与附图，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供了一种驱动电流小，发光效率高的倒置有机电致发光装置，其结构如图1至图2所示。该倒置有机电致发光装置包括依次层叠结合的基板1、阴极层2、有机功能层3和阳极层4。

具体地，上述基板1的材料为玻璃、聚合物薄膜材料等，如普通玻璃、聚合物薄膜材料基底等。当然，基板1的材料还可采用本领域其他材料进行替代。基板1的厚度也可以采用本领域常用的厚度或者根据应用的要求进行灵活选用。

作为优选实施例，上述阴极层2材料为Al、Ag或Mg与Al、Ag任一的合金，该合金如Mg-Al合金、Mg-Ag，该优选的阴极材料导电性能优异。该阴极层2的厚度优选为20nm～100nm。当然，该阴极层2的材料和厚度还可以是本领域常规的其他材料和厚度。

上述有机功能层3包括依次层叠结合的电子注入层31、电子传输层32、发光层33和空穴传输层34，其中，该电子注入层31与阴极层2层叠结合，理所当然的，该空穴传输层34与阳极层4层叠结合，如图1所示。

在具体实施例中，采用六硼化镧作为电子注入层31，有效提高了该倒置有机电致发光装置电子注入能力，降低了该倒置有机电致发光装置驱动电流。具体地，该六硼化镧功函数低，一般在2.6左右，因此，赋予了该电子注入层31优异的电子注入能力，从而使得该倒置有机电致发光装置具有优异的发光效果。另外，该六硼化镧导电性能优异，因此，赋予该倒置有机电致发光装置低的驱动电流，有效延长了该装置的使用寿命。正因该六硼化镧导电性能优异，从而使得该电子注入层31较厚的情况下，其并不会导致倒置有机电致发光装置驱动电压的提高。因此，在优选实施例中，该电子注入层31的0.5nm～15nm。该优选厚度范围内的电子注入层31不仅保证了该倒置有机电致发光装置的驱动电流小，还能显著该倒置有机电致发光装置的生产成本，不需要如同本领域常规的电子注入材料制备电子注入层所需的非常精确的监控设备以及高精度的蒸镀设备。

上述电子传输层32材料可以是2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、(8-羟基喹啉)-铝(Alq₃)、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）、1,2,4-三唑衍生物（TAZ）、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)中至少一种。当然，电子传输层32材料还可以是本领域公知的其他电子传输材料，其厚度也可以采用本领域常用的厚度。

上述发光层33材料可以是客体材料与主体材料掺杂混合物。其中，客体材料为发光材料，其包括4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB）、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱（FIr6）、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三(1-苯基-异喹啉)合铱（Ir(piq)3）、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)中的至少一种；主体材料包括4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、8-羟基喹啉铝（Alq₃）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中的至少一种。主、客体材料可以根据实际生产和应用的需要进行灵活复合，且客体材料与主体材料的质量比可以为1～10：100。

另外，该发光层33材料还可以选用荧光材料4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi）、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）、二甲基喹吖啶酮（DMQA）等材料中的至少一种。该发光层33的厚度也可按照本领域常规的厚度进行设置。

上述空穴传输层34材料可以是N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)中的至少一种。当然，该空穴传输层34材料还可以是本领域常用的其他材料，如MeO-TPD(N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯)、MeO-Sprio-TPD（2,7-双(N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基)-9,9-螺二芴）、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)等。空穴传输层34的厚度也可按照本领域常规的厚度进行设置。

在进一步优选实施例中，在如图1所示的有机功能层3的基础上，上述有机功能层3还可以设置空穴注入层35，该空穴注入层35层叠结合在空穴传输层34与阳极层4之间，如图2所示。其中，该空穴注入层31材料可以是ZnPc(酞菁锌)、CuPc（酞菁铜）、(4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)中的至少一种。当然，该空穴注入层35材料还可以是本领域常用的其他材料，如WO₃、VO_x、WO_x或MoO₃等氧化物，或者VOPc(酞菁氧钒)、TiOPc(酞菁氧钛)等有机物，或者无机空穴注入层材料与有机空穴注入层材料的掺杂混合物。空穴注入层35的厚度也可按照本领域常规的厚度进行设置。该空穴注入层35的设置，能有效增强其与阳极层4间的欧姆接触，加强了导电性能，提高阳极层4端的空穴注入能力，以进一步平衡载流子，控制复合区域，在发光层中增加激子量，进一步提高该倒置有机电致发光装置的发光亮度和发光效率。

在进一步优选实施例中，在如图1或图2所示的有机功能层3的基础上，上述有机功能层3还可以设置电子阻挡层和空穴阻挡层（无图显示）。其中，该电子阻挡层层叠结合在空穴传输层34与发光层33之间，空穴阻挡层层叠结合在发光层33与电子传输层32之间。该电子阻挡层的设置能将在发光层33中未形成激子的电子尽可能的阻挡截留在发光层33中，空穴阻挡层的设置能将在发光层33中未形成激子的空穴尽可能的阻挡截留在发光层33中，以提高发光层33中的电子与空穴相遇机率，以提高两者复合而形成的激子量，并将激子能量传递给发光材料，从而激发发光材料的电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能，以达到增强发光层33的发光强度的目的。当然，该电子阻挡层和空穴阻挡层可以根据实际生产的情况和应用的需要择一设置，其选用的材料和厚度可以按照本领域常用的材料和常规的厚度进行设置。

上述阳极层4材料优选为Ag、Au、Al中的任一中或两种以上的合金。该优选的阳极材料导电性能优异。阳极层4的厚度优选为20～100nm。当然，该阳极层4材料和厚度还可以是本领域常规的其他材料和厚度。

由上述可知，上述倒置有机电致发光装置采用六硼化镧（LaB₆）作为电子注入层31，有效提高了该倒置有机电致发光装置电子注入能力，从而提高了该装置的发光效率。与此同时，还赋予了该倒置有机电致发光装置低的驱动电流，延长了该装置的使用寿命。另外，通过控制该电子注入层31厚度，能不仅能保证该倒置有机电致发光装置的驱动电流小，还能保证该电子注入层31厚度均匀，并显著该倒置有机电致发光装置的生产成本。

相应地，本发明实施例还提供了一种制备如上文所述倒置有机电致发光装置的方法，该方法工艺流程如图3所示，同时参见图1～2。该倒置有机电致发光装置的制备方法包括如下步骤：

S01.提供基板1；

S02.制备阴极层2：在真空体系中，将阳极蒸镀在步骤S01的基板1一表面制备阴极层2；

S03.制备有机功能层3：在真空体系中，采用电子束蒸发工艺，将六硼化镧蒸镀在步骤S02制备阴极层2的与透光衬底层1相结合面相对的表面，形成电子注入层31，然后在电子注入层31外表面依次制备电子传输层32、发光层33和空穴传输层34，形成有机功能层3；

S04.制备阳极层4：在真空镀膜系统中，在有机功能层3外表面蒸镀阳极材料，形成阳极层4。

具体地，上述S01步骤中，基板1的结构、材料及规格如上文所述，为了篇幅，在此不再赘述。另外，在该S01步骤中，还包括对基板1的前期处理步骤，如清洗去污的步骤，具体清洗去污的步骤如下文实施例1的步骤1。

上述步骤S02中，蒸镀阴极层2所用的阴极材料和制备得到的阴极层2的厚度均如上文所述，在此不再赘述。其蒸镀条件采用本领域常规的工艺条件即可，如金属的蒸镀速度优选为0.2～2nm/s，真空沉积成膜的工作压强为1×10^-5～1×10^-3Pa。

上述步骤S03中，蒸镀电子注入层31所选用的材料以及厚度均匀如上文所述。其蒸镀工艺条件优选为：真空沉积成膜的工作压强为1×10^-5～1×10^-3Pa，所述六硼化镧的蒸发速度为0.1～1nm/s。

该步骤S03中，在电子注入层31外表面依次制备电子传输层32、发光层33和空穴传输层34所选用的材料以及厚度均匀如上文所述。蒸镀各层所涉及到工艺条件优选为真空沉积成膜的工作压强为1×10^-5～1×10^-3Pa，有机材料的蒸发速度为0.01～1nm/s。

当有机功能层3如上文所述，其包括依次层叠结合的空穴注入层35时，在制备空穴传输层34的步骤之后，还包括制备空穴注入层35的步骤。制备该空穴注入层35所选用的材料以及厚度均匀如上文所述。制备该空穴注入层35工艺条件可以是：真空沉积成膜的工作压强为1×10^-5～1×10^-3Pa，有机材料的蒸发速度为0.01～1nm/s。

当有机功能层3还包括空穴阻挡层和电子阻挡层时，在制备电子传输层32与发光层33的步骤之间，还包括制备空穴阻挡层的步骤；在制备发光层33与空穴传输层34的步骤之间，还包括制备电子阻挡层的步骤。制备该空穴阻挡层和电子阻挡层的所选用的材料以及厚度均匀如上文所述，其制备工艺条件也可以是：真空沉积成膜的工作压强为1×10^-5～1×10^-3Pa，有机材料的蒸发速度为0.01～1nm/s。

上述步骤S04中，蒸镀阳极层4所用的阳极材料和制备得到的阳极层4的厚度均如上文所述，在此不再赘述。其蒸镀条件采用本领域常规的工艺条件即可，如金属的蒸镀速度优选为0.2～2nm/s，真空沉积成膜的工作压强为1×10^-5～1×10^-3Pa。

当然，还应当理解，关于本发明实施例倒置有机电致发光装置的制备方法还应该包括该倒置有机电致发光装置后续的封装方法。

由上述倒置有机电致发光装置的制备方法可知，先在阴极层2表面制备材料为六硼化镧的电子注入层31，然后制备其他有机功能层，因此，该制备工艺有效保护了有机功能层3，使得该倒置有机电致发光装置发光性能稳定，光效高，使用寿命长。另外，采用六硼化镧制备电子注入层31，可以实现增加电子注入层31的基础上避免该倒置有机电致发光装置的驱动电流的增大，因此，实现了有机电致发光装置的大面积制备，且制备的有机电致发光装置膜层均匀，对设备要求、成本低，驱动电流小，使用寿命长。

正是由于该倒置有机电致发光装置的驱动电流小，发光效率高，使用寿命长，扩展了该倒置有机电致发光装置的应用范围，使其可在照明，显示领域中应用。具体地，当将该倒置有机电致发光装置用于显示领域中时，该倒置有机电致发光装置可以用于制备显示屏以及含有该显示屏终端。

用于制备显示屏时，该显示屏包括显示模块和用于控制显示模块的控制模块，当然还包括应用与显示屏的其他必要模块。其中，该显示模块中包括如上述的倒置有机电致发光装置，具体地，在显示模块中，上文所述的倒置有机电致发光装置按照矩阵排布。由于该显示屏含有上述倒置有机电致发光装置，因此其具有高对比度，其显示画面清晰。

在含显示屏终端中应用时，该终端的显示屏为上述含倒置有有机电致发光装置的显示器。当然，应该理解，根据该终端的类型不同，该终端除了含有上文所述的显示屏之外，还含有其他必要模块或/和器件。因此，该终端可以是非便携式终端和便携式终端。非便携式终端可以是大型家电（如电视机、台式电脑显示器、设有显示屏的空调、洗衣机等）、工厂设有显示屏的机床等；便携式终端可以是手机、平板电脑、笔记本计算机、个人数字助理、游戏机和电子书等。这样，由于该终端的显示屏为上述含有倒置有机电致发光装置的显示屏，因此电子器件的显示屏对比度高，画面清晰。

以下通过多个实施例来举例说明上述倒置有机电致发光装置及其制备方法和应用等方面。

实施例1

一种倒置有机电致发光装置，其结构为：玻璃基板/Al(20nm)/电子注入层LaB₆(0.5nm)/电子传输层(TPBi,30nm)/发光层(DPVBi,10nm)/空穴传输层(TCTA,30nm)/空穴注入层(CuPc,10nm)/Ag(100nm)。其中，该倒置有机电致发光装置的发光面积尺寸为3mm×3mm。

其制备方法如下：

（1）在真空度为10^-4Pa的真空镀膜系统中制备，将玻璃基板用清洗剂清洗，然后用蒸馏水，丙酮依次超声清洗，然后在镀膜系统中；

（2）在基板上依次蒸镀金属Al层，形成阴极层，其厚度为20nm；

（3）在阴极层外表面依次制备为LaB₆层、TPBi层、DPVBi层、TCTA层、CuPc层、Ag层，有机功能层，且LaB₆层、TPBi层、DPVBi层、TCTA层、CuPc层，厚度依次为0.5nm、30nm、10nm、30nm、10nm；其中，制备LaB₆层的时真空沉积成膜的工作压强为1×10^-4Pa，六硼化镧的蒸发速度为0.1nm/s；

（4）在有机功能层外表面制备Ag层形成阴极；厚度为100nm；

（5）制备完毕后，采用玻璃盖板进行封装。

实施例2

一种倒置有机电致发光装置，其结构为：玻璃基板/Al(20nm)/电子注入层LaB₆(15nm)/电子传输层(TPBi,30nm)/发光层(DPVBi,10nm)/空穴传输层(TCTA,30nm)/空穴注入层(CuPc,10nm)/Ag(100nm)。其中，该倒置有机电致发光装置的发光面积尺寸为3mm×3mm。

该倒置有机电致发光装置制备方法参照实施例1的倒置有机电致发光装置制备方法。其中，制备LaB₆层的时真空沉积成膜的工作压强为1×10^-5Pa，六硼化镧的蒸发速度为1nm/s。

实施例3

一种倒置有机电致发光装置，其结构为：玻璃基板/Al(20nm)/电子注入层LaB₆(0.5nm)/电子传输层(TPBi,30nm)/发光层(DPVBi,10nm)/空穴传输层(TCTA,30nm)/空穴注入层(CuPc,10nm)/Ag(100nm)。其中，该倒置有机电致发光装置的发光面积尺寸为100mm×100mm。

该倒置有机电致发光装置制备方法参照实施例1的倒置有机电致发光装置制备方法。其中，制备LaB₆层的时真空沉积成膜的工作压强为1×10^-3PaPa，六硼化镧的蒸发速度为0.2nm/s。

实施例4

一种倒置有机电致发光装置，其结构为：玻璃基板/Al(20nm)/电子注入层LaB₆(15nm)/电子传输层(TPBi,30nm)/发光层(DPVBi,10nm)/空穴传输层(TCTA,30nm)/空穴注入层(CuPc,10nm)/Ag(100nm)。其中，该倒置有机电致发光装置的发光面积尺寸为100mm×100mm。

该倒置有机电致发光装置制备方法参照实施例1的倒置有机电致发光装置制备方法。其中，制备LaB₆层的时真空沉积成膜的工作压强为1×10^-5PaPa，六硼化镧的蒸发速度为0.5nm/s。

实施例5

一种倒置有机电致发光装置，其结构为：玻璃基板/Mg-Ag(70nm)/电子注入层LaB₆(5nm)/电子传输层(BCP,35nm)/发光层(DCJTB：Alq₃(1%)，(8nm))/空穴传输层(2-TNATA,25nm)/空穴注入层(m-MTDATA,15nm)/Ag(25nm)。其中，该倒置有机电致发光装置的发光面积尺寸为50mm×50mm。

该倒置有机电致发光装置制备方法参照实施例1的倒置有机电致发光装置制备方法。其中，制备LaB₆层的时真空沉积成膜的工作压强为1×10^-4Pa，六硼化镧的蒸发速度为0.5nm/s。

实施例6

一种倒置有机电致发光装置，其结构为：玻璃基板/Mg-Ag(30nm)/电子注入层LaB₆(12nm)/电子传输层(Alq₃,30nm)/发光层(Ir(piq)3:NPB(10%)，(12nm))/空穴传输层(NPB,30nm)/空穴注入层(CuPc,10nm)/Ag(70nm)。其中，该倒置有机电致发光装置的发光面积尺寸为100mm×100mm。

该倒置有机电致发光装置制备方法参照实施例1的倒置有机电致发光装置制备方法。其中，制备LaB₆层的时真空沉积成膜的工作压强为1×10^-4Pa，六硼化镧的蒸发速度为1nm/s。

对比例1

同实施例1，将电子注入层的材质改成LiF，厚度为0.5nm，形成的发光面积尺寸为3mm×3mm。

对比例2

同实施例2，将电子注入层的材质改成LiF，厚度为15nm，形成的发光面积尺寸为3mm×3mm

对比例3

同对比例3将电子注入层的材质改成LiF，厚度为0.5nm，形成的发光面积为100mm×100mm。

对比例4

同对比例4将电子注入层的材质改成LiF，厚度为15nm，形成的发光面积为100mm×100mm。

倒置有机电致发光装置进行相关性能测试

将上述实施例1至实施例4制备的倒置有机电致发光装置和对比例1至对比例4中倒置有机电致发光装置的启动电压分别进行测试，实施例1至实施例4测试结果如下述表1，对比例1至对比例4测试结果如下述表2。

表1

表2

由上述表1、表2可知，在相同的发光面积时，当电子注入层的厚度同为0.5nm时，LaB₆同LiF作为电子注入层时，两者一样具有接近的电子注入效果，但是当电子注入层的厚度提高到15nm时，由于LiF的导电性能明显不如LaB₆，其启动电压迅速从3.0V提高到4.5V，并且光效从12.2lm/W降低到7.6lm/W，而LaB₆作为电子注入层，其启动电压提高并不多，只从3.1V提高到3.3V，并且光效下降较小。

在相同的电子注入层厚度下，不同的发光面积进行比较可知，当电子注入层厚度在0.5nm时，由于此时膜层均匀性比较难以控制，因此在大面积时，器件的性能相比小面积都有下降，但是当提高注入层厚度时，此时膜层均一性比较容易控制，容易获得均一稳定的薄膜，LiF由于导电性较差，因此大面积时OLED时，其不可避免的提高了驱动电压，其从4.5V提高到了5.3V，并且光效下降，而LaB₆在较薄的厚度下，也有此现象，但提高电子注入层厚度，其并没有提高过多的驱动电压，仅仅从3.3V提高到3.6V，光效下降也较小，说明以LaB₆作为电子注入层，在制备大面积的OLED时非常具有优势。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种倒置有机电致发光装置，包括依次层叠结合的基板、阴极层、有机功能层和阳极层，从阴极层至阳极层方向，所述有机功能层包括依次层叠结合的电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层，其特征在于：所述电子注入层材料为六硼化镧。

2.如权利要求1所述的倒置有机电致发光装置，其特征在于：所述电子注入层的厚度为0.5nm～15nm。

3.如权利要求1或2所述的倒置有机电致发光装置，其特征在于：所述有机功能层还包括空穴注入层，所述空穴注入层层叠结合在空穴传输层与阳极层之间。

4.如权利要求3所述的倒置有机电致发光装置，其特征在于：所述空穴注入层材料为酞菁铜、酞菁铜、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺中的至少一种。

5.如权利要求1或2所述的倒置有机电致发光装置，其特征在于：所述阴极层材质为金属Al、Ag、Mg-Al合金、Mg-Ag合金中的至少一种。

6.如权利要求1或2所述的倒置有机电致发光装置，其特征在于：所述阴极层厚度为20nm～100nm。

7.一种倒置有机电致发光装置的制备方法，包括如下步骤：

在真空镀膜系统中，在基板一表面制备阴极层；

在真空镀膜系统中，在所述电子注入层外表面依次制备电子传输层、发光层和空穴传输层。

8.如权利要求7所述的倒置有机电致发光装置，其特征在于：在制备所述电子注入层步骤中，真空沉积成膜的工作压强为1×10^-5～1×10^-3Pa，所述六硼化镧的蒸发速度为0.1～1nm/s。

9.如权利要求7或8所述的倒置有机电致发光装置，其特征在于：在制备所述空穴传输层步骤的步骤之后，还包括在所述空穴传输层的外表面制备空穴注入层的步骤。

10.如权利要求1～6任一项所述的倒置有机电致发光装置在照明、显示领域中的应用。