CN104218157A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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张振华
王平
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Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、导电阳极、第一空穴注入辅助层、第二空穴注入辅助层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，第一空穴注入辅助层的材质为三氧化钼，五氧化二钒，三氧化钨或者三氧化铼，第二空穴注入辅助层的材质为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯。本发明还公开了该有机电致发光器件的制备方法。本发明提供的有机电致发光器件的制备方法通过在导电阳极与空穴传输层中加入双层空穴注入辅助层，用于提高空穴的注入能力，使得利用该有机电致发光器件的制备方法制得的有机电致发光器件的驱动电流小和发光效率高。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（Organic light-emitting DeVices，简称OLEDs）是一种使用有机发光材料的多层发光器件，包括依次层叠的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO），电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。OLED因其具有发光效率高、制作工艺简单，以及易实现全色和柔性显示等特点，在照明和平板显示领域引起了越来越多的关注。
到目前为止，尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件结构设计，已使器件性能的各项指标得到了很大的提升，但是目前由于驱动发光器件的电流较大，导致了有机电致发光器件发光效率低，器件寿命低，为了实现有机电致发光器件的实用化，人们急于寻找一种驱动电流小，发光效率高的发光器件结构。
发明内容
本发明的目的在于提供一种驱动电流小和发光效率高的有机电致发光器件。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、导电阳极、第一空穴注入辅助层、第二空穴注入辅助层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述第一空穴注入辅助层的材质为三氧化钼、五氧化二钒、三氧化钨或者三氧化铼；所述第二空穴注入辅助层的材质为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯；所述空穴传输层的材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、或者 4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺；所述电子传输层的材质为 (8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉或者1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲；所述电子注入层的材质为氟化锂或者氟化铯。
其中，所述第一空穴注入辅助层的厚度为0.5～5nm。
其中，所述第二空穴注入辅助层的厚度为2～20nm。
其中，所述发光层的材质为客体材料以质量比为1：100～15：100的比例掺杂在主体材料中的混合材料，或者荧光材料；所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱，二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、或者三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱；所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、或者N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺；所述荧光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或5,6,11,12-四苯基萘并萘、或者二甲基喹吖啶酮；所述发光层的厚度为1~20nm。
其中，所述导电阳极的材质为铟锡氧化物薄膜、铟锌氧化物、铝锌氧化物或者镓锌氧化物；所述阴极的材质为银、铝、 铝镁合金或者银镁合金。
本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
提供基板，在所述基板表面真空溅镀制备导电阳极；
在所述导电阳极表面真空蒸镀第一空穴注入辅助层，所述第一空穴注入辅助层的材质为三氧化钼、五氧化二钒、三氧化钨或者三氧化铼，所述第一空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-5～1×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
在所述第一空穴注入辅助层表面真空蒸镀第二空穴注入辅助层，所述第二空穴注入辅助层的材质为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯，所述第二空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-5～1×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
在所述第二空穴注入辅助层表面依次蒸镀空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极，得到有机电致发光器件，其中，
所述空穴传输层的材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、或者 4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺；
所述电子传输层的材质为 (8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉或者1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲；
所述电子注入层的材质为氟化锂或者氟化铯。
其中，所述第一空穴注入辅助层的厚度为0.5～5nm。
其中，所述第二空穴注入辅助层的厚度为2～20nm。
其中，所述发光层的材质为客体材料以质量比为1：100～15：100的比例掺杂在主体材料中的混合材料、或者荧光材料；所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱，二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、或者三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱；所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、或者N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺；所述荧光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或5,6,11,12-四苯基萘并萘、或者二甲基喹吖啶酮；所述发光层的厚度为1~20nm；所述发光层的蒸镀条件为：蒸镀压强为1×10-5～1×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
其中，在所述提供基板，在所述基板表面真空溅镀制备导电阳极的步骤中，所述导电阳极的材质为铟锡氧化物薄膜、铟锌氧化物、铝锌氧化物或者镓锌氧化物，溅镀制备所述导电阳极时的压强为1×10-5~1×10-3Pa，加速电压为300～800V，功率密度10~40W/cm2；，所述阴极的材质为银、铝、 铝镁合金或者银镁合金。
本发明提供的一种有机电致发光器件的制备方法通过在导电阳极与空穴传输层中加入双层空穴注入辅助层，用于提高空穴的注入能力，使得利用该有机电致发光器件的制备方法制得的有机电致发光器件的驱动电流小和发光效率高。其中，采用双层空穴注入辅助层结构，第一空穴注入辅助层如WO3，MoO3，V2O5，其具有较高的功函，如WO3达到了6.5eV，MoO3达到了5.3eV，当其在较薄的厚度如0.5-5nm之间的时候，空穴从ITO薄膜注入到这些空穴注入辅助层中时，需要克服的注入势垒较低，并且其属于无机材料，与阳极ITO薄膜的晶格匹配要由于有机材料，因此两个界面的界面势垒较小。采用HAT-CN作为第二空穴注入辅助层，是由于HAT-CN具有较低的HOMO能级，其达到了9.53eV，而其LUMO能级能够达到5.58eV,使其具备非常强的吸电子性能，因而与空穴传输层形成界面时，能够在两个材料的界面部分发生电荷转移而实现能带弯曲，从而提高空穴载流子的注入效率，而其与金属氧化物形成界面时，高功函的金属氧化物也容易将空穴注入到HAT-CN材料中，两种材料搭配，从而实现了空穴载流子的高效注入。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明有机电致发光器件的结构示意图；
图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的电流密度与电压的关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
    一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供玻璃基板，在玻璃基板表面采用真空溅镀制备导电阳极，导电阳极选用铟锡氧化物（ITO），在基板1表面真空溅镀制备导电阳极，其中，
溅镀制备导电阳极时的压强为1×10-3Pa，加速电压为300V，功率密度10W/cm2，溅镀厚度为70nm。
（2）在导电阳极表面真空蒸镀第一空穴注入辅助层，第一空穴注入辅助层的材质为三氧化钼（MoO3），第一空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为0.5nm。
（3）在第一空穴注入辅助层表面真空蒸镀第二空穴注入辅助层，第二空穴注入辅助层的材质为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯（HAT-CN），第二空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为5nm。
（4）在第二空穴注入辅助层表面依次蒸镀空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层以及阴极，得到有机电致发光器件，其中，
空穴传输层材质为NPB，蒸镀时采用的压强为1×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为20nm。
发光层材质为Ir(ppy)3和TPBi的混合物，Ir(ppy)3与TPBi的质量比为10:100，蒸镀时采用的压强为1×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为12nm；
电子传输层的材质为TPBi，蒸镀时采用的压强为1×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为20nm；
电子注入层的材质为LiF，蒸镀时采用的压强为1×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为1nm；
阴极的材质为Ag，蒸镀时采用的压强为1×10-3Pa，蒸镀速率为2nm/s，蒸镀厚度为70nm。
图1是本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的基板1、导电阳极2、第一空穴注入辅助层2、第二空穴注入辅助层3、空穴注入层4、空穴传输层5、发光层6、电子传输层7、电子注入层8和阴极9。具体结构表示为：
玻璃/ITO/MoO3/HAT-CN/NPB/ Ir(ppy)3:TPBi/TPBi/LiF/Ag。
其中，制备得到有机电致发光器件10后，采用高真空镀膜系统测试，当启动电压为 3.3 V，有机电致发光器件10的发光亮度为1000cd/m2时，有机电致发光器件10的发光效率为15.1lm/W。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供玻璃基板，在玻璃基板表面采用真空溅镀制备导电阳极，导电阳极选用铟锌氧化物（IZO），在基板表面真空溅镀制备导电阳极，其中，
溅镀制备导电阳极时的压强为1×10-5Pa，加速电压为800V，功率密度40W/cm2，溅镀厚度为200nm。
（2）在导电阳极表面真空蒸镀第一空穴注入辅助层，第一空穴注入辅助层的材质为五氧化二钒（V2O5），第一空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为5nm。
（3）在第一空穴注入辅助层表面真空蒸镀第二空穴注入辅助层，第二空穴注入辅助层的材质为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯（HAT-CN），第二空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为10nm。
（4）在第二空穴注入辅助层表面依次蒸镀空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层以及阴极，得到有机电致发光器件，其中，
空穴传输层材质为TPD，蒸镀时采用的压强为1×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为60nm。
发光层材质为Ir(MDQ)2(acac)和NPB的混合物，Ir(MDQ)2(acac)与NPB的质量比为15:100，蒸镀时采用的压强为1×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为20nm；
电子传输层的材质为Bphen，蒸镀时采用的压强为1×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为60nm；
电子注入层的材质为CsF，蒸镀时采用的压强为1×10-5Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为2nm；
阴极的材质为Ag，蒸镀时采用的压强为1×10-5Pa，蒸镀速率为5nm/s，蒸镀厚度为200nm。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、导电阳极、第一空穴注入辅助层、第二空穴注入辅助层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为：
玻璃/IZO/V2O5/HAT-CN/ TPD/Ir(MDQ)2(acac):NPB/Bphen/CsF/Al。
制备得到有机电致发光器件后，采用高真空镀膜系统测试，当启动电压为 3.6 V，有机电致发光器件的发光亮度为1000cd/m2时，有机电致发光器件的发光效率为12.4lm/W。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供玻璃基板，在玻璃基板表面采用真空溅镀制备导电阳极，导电阳极选用铝锌氧化物（AZO），在基板表面真空溅镀制备导电阳极，其中，
溅镀制备导电阳极时的压强为1×10-4Pa，加速电压为600V，功率密度20W/cm2，溅镀厚度为100nm。
（2）在导电阳极表面真空蒸镀第一空穴注入辅助层，第一空穴注入辅助层的材质为三氧化钨（WO3），第一空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-4Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为2nm。
（3）在第一空穴注入辅助层表面真空蒸镀第二空穴注入辅助层，第二空穴注入辅助层的材质为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯（HAT-CN），第二空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为20nm。
（4）在第二空穴注入辅助层表面依次蒸镀空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层以及阴极，得到有机电致发光器件，其中，
空穴传输层材质为2-TNATA，蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为40nm。
发光层材质为DCJTB和Alq3的混合物， DCJTB与Alq3的质量比为1:100，蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为1nm；
电子传输层的材质为BCP，蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为40nm；
电子注入层的材质为CsF，蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为1nm；
阴极的材质为Al-Mg合金，蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa，蒸镀速率为2nm/s，蒸镀厚度为100nm。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、导电阳极、第一空穴注入辅助层、第二空穴注入辅助层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为：
玻璃/AZO/WO3/HAT-CN/2-TNATA/DCJTB: Alq3/BCP/CsF/Al-Mg。
制备得到有机电致发光器件后，采用高真空镀膜系统测试，当启动电压为 3.4 V，有机电致发光器件的发光亮度为1000cd/m2时，有机电致发光器件的发光效率为11.2lm/W。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供玻璃基板，在玻璃基板表面采用真空溅镀制备导电阳极，导电阳极选用镓锌氧化物（GZO），在基板表面真空溅镀制备导电阳极，其中，
溅镀制备导电阳极时的压强为1×10-4Pa，加速电压为600V，功率密度20W/cm2，溅镀厚度为120nm。
（2）在导电阳极表面真空蒸镀第一空穴注入辅助层，第一空穴注入辅助层的材质为三氧化铼（ReO3），第一空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为4nm。
（3）在第一空穴注入辅助层表面真空蒸镀第二空穴注入辅助层，第二空穴注入辅助层的材质为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯（HAT-CN），第二空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为10nm。
（4）在第二空穴注入辅助层表面依次蒸镀空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层以及阴极，得到有机电致发光器件，其中，
空穴传输层材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为40nm。
发光层材质为DPVBi，蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为15nm；
电子传输层的材质为Alq3，蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为25nm；
电子注入层的材质为LiF，蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为1nm；
阴极的材质为Ag-Mg合金，蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa，蒸镀速率为2nm/s，蒸镀厚度为120nm。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的包括依次层叠的基板、导电阳极、第一空穴注入辅助层、第二空穴注入辅助层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为：
玻璃/ GZO/ReO3/HAT-CN/ TCTA/DPVBi/Alq3/LiF/Ag-Mg。
制备得到有机电致发光器件后，采用高真空镀膜系统测试，当启动电压为 3.3 V，有机电致发光器件的发光亮度为1000cd/m2时，有机电致发光器件的发光效率为为8.9 lm/W。
对比实施例
为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例与实施例1的区别在于对比实施例中用材质为MoO3的空穴注入层取代第一空穴注入辅助层和第二空穴注入辅助层，对比实施例有机电致发光器件的具体结构为：玻璃/ITO/MoO3/ Ir(ppy)3:TPBi/TPBi/LiF/Ag，依次与基板、导电阳极、空穴注入辅助层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极对应。
采用高真空镀膜系统测试，当启动电压为 3.6 V，有机电致发光器件10的发光亮度为1000cd/m2时，有机电致发光器件10的发光效率为9.1lm/W。
效果实施例
采用电流-电压测试仪（美国Keithly公司，型号：2400）、色度计（日本柯尼卡美能达公司，型号：CS-100A）测试有机电致发光器件的电流密度随电压变化曲线，以考察器件的发光效率，测试对象为实施例1与对比实施例有机电致发光器件。
请参照图2，图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的电压与电流密度的关系图。
从图2可以看出，在相同的驱动电压下，实施例1即采用双空穴注入辅助层，其驱动电流高于采用单一有机材料MoO3作为空穴注入层的器件，如电压在6V时，实施例1得到的驱动电流密度为75.6 mA/cm2，而采用单层的空穴注入层MoO3只得到了51.0 mA/cm2的驱动电流密度，从而表明使用双空穴注入辅助层更有利于空穴的注入，提高发光效率。
以上是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基板、导电阳极、第一空穴注入辅助层、第二空穴注入辅助层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述第一空穴注入辅助层的材质为三氧化钼、五氧化二钒、三氧化钨或者三氧化铼；所述第二空穴注入辅助层的材质为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯；所述空穴传输层的材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、或者 4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺；所述电子传输层的材质为 (8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉或者1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲；所述电子注入层的材质为氟化锂或者氟化铯。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴注入辅助层的厚度为0.5～5nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二空穴注入辅助层的厚度为2～20nm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为客体材料以质量比为1：100～15：100的比例掺杂在主体材料中的混合材料，或者荧光材料；所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱，二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、或者三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱；所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、或者N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺；所述荧光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或5,6,11,12-四苯基萘并萘、或者二甲基喹吖啶酮；所述发光层的厚度为1~20nm。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述导电阳极的材质为铟锡氧化物薄膜、铟锌氧化物、铝锌氧化物或者镓锌氧化物；所述阴极的材质为银、铝、 铝镁合金或者银镁合金。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤：
提供基板，在所述基板表面真空溅镀制备导电阳极；
在所述导电阳极表面真空蒸镀第一空穴注入辅助层，所述第一空穴注入辅助层的材质为三氧化钼、五氧化二钒、三氧化钨或者三氧化铼，所述第一空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-5～1×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
在所述第一空穴注入辅助层表面真空蒸镀第二空穴注入辅助层，所述第二空穴注入辅助层的材质为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯，所述第二空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-5～1×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
在所述第二空穴注入辅助层表面依次蒸镀空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极，得到有机电致发光器件，其中，
所述空穴传输层的材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、或者 4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺；
所述电子传输层的材质为 (8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉或者1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲；
所述电子注入层的材质为氟化锂或者氟化铯。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一空穴注入辅助层的厚度为0.5～5nm。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第二空穴注入辅助层的厚度为2～20nm。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的材质为客体材料以质量比为1：100～15：100的比例掺杂在主体材料中的混合材料、或者荧光材料；所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱，二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、或者三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱；所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、或者N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺；所述荧光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或5,6,11,12-四苯基萘并萘、或者二甲基喹吖啶酮；所述发光层的厚度为1~20nm；所述发光层的蒸镀条件为：蒸镀压强为1×10-5～1×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述提供基板，在所述基板表面真空溅镀制备导电阳极的步骤中，所述导电阳极的材质为铟锡氧化物薄膜、铟锌氧化物、铝锌氧化物或者镓锌氧化物，溅镀制备所述导电阳极时的压强为1×10-5~1×10-3Pa，加速电压为300～800V，功率密度10~40W/cm2；，所述阴极的材质为银、铝、 铝镁合金或者银镁合金。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104761547A (zh) * 2015-03-26 2015-07-08 深圳市华星光电技术有限公司 噻吨酮-芳香胺化合物及应用该化合物的有机发光器件
CN106450012A (zh) * 2016-09-30 2017-02-22 南京邮电大学 一种双空穴注入层的有机电致发光器件及其制备方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1874626A (zh) * 2005-05-27 2006-12-06 富士胶片株式会社 有机el器件
CN101359721A (zh) * 2008-09-23 2009-02-04 吉林大学 光谱可调的顶发射有机电致发光器件
CN102157703A (zh) * 2011-03-03 2011-08-17 西安文景光电科技有限公司 一种提高亮度的oled器件
CN102201540A (zh) * 2010-12-31 2011-09-28 友达光电股份有限公司 有机电致发光元件
CN102311405A (zh) * 2010-07-07 2012-01-11 三星移动显示器株式会社 有机材料和包括该有机材料的有机发光装置
CN202145468U (zh) * 2011-05-06 2012-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性有机电致发光器件
CN102712170A (zh) * 2009-12-17 2012-10-03 全球Oled科技有限责任公司 具有高效蓝色光发射层的oled
CN102723442A (zh) * 2011-03-30 2012-10-10 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN102790183A (zh) * 2011-05-18 2012-11-21 海洋王照明科技股份有限公司 一种柔性有机发光二极管及其制备方法
CN102983285A (zh) * 2012-12-10 2013-03-20 南京邮电大学 一种高效率有机发光二极管及其制备方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1874626A (zh) * 2005-05-27 2006-12-06 富士胶片株式会社 有机el器件
CN101359721A (zh) * 2008-09-23 2009-02-04 吉林大学 光谱可调的顶发射有机电致发光器件
CN102712170A (zh) * 2009-12-17 2012-10-03 全球Oled科技有限责任公司 具有高效蓝色光发射层的oled
CN102311405A (zh) * 2010-07-07 2012-01-11 三星移动显示器株式会社 有机材料和包括该有机材料的有机发光装置
CN102201540A (zh) * 2010-12-31 2011-09-28 友达光电股份有限公司 有机电致发光元件
CN102157703A (zh) * 2011-03-03 2011-08-17 西安文景光电科技有限公司 一种提高亮度的oled器件
CN102723442A (zh) * 2011-03-30 2012-10-10 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN202145468U (zh) * 2011-05-06 2012-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性有机电致发光器件
CN102790183A (zh) * 2011-05-18 2012-11-21 海洋王照明科技股份有限公司 一种柔性有机发光二极管及其制备方法
CN102983285A (zh) * 2012-12-10 2013-03-20 南京邮电大学 一种高效率有机发光二极管及其制备方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104761547A (zh) * 2015-03-26 2015-07-08 深圳市华星光电技术有限公司 噻吨酮-芳香胺化合物及应用该化合物的有机发光器件
WO2016149975A1 (zh) * 2015-03-26 2016-09-29 深圳市华星光电技术有限公司 噻吨酮-芳香胺化合物及应用该化合物的有机发光器件
US9859509B2 (en) 2015-03-26 2018-01-02 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Thioxanthone aromatic amine compound and organic light emitting device using the same
CN106450012A (zh) * 2016-09-30 2017-02-22 南京邮电大学 一种双空穴注入层的有机电致发光器件及其制备方法

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