CN102723442A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于光电子器件领域，其公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，其结构依次为：基板/透明阳极层/空穴注入层/第一空穴传输层/第一发光层/第一电子传输层/电荷产生层/第二空穴传输层/第二发光层/第二电子传输层/电子注入层/金属阴极层；其中，电荷产生层包括：p型空穴产生层/界面层/n型电子产生层，p型空穴产生层与第一电子传输层紧贴，n型电子产生层与第二空穴传输层紧贴。本发明提供的有机电致发光器件采用电荷产生层的两层结构相比单层结构，电流效率至少是单层的两倍，且操作电压降低了，能量效率提高了，使用寿命也大大提高了。
Description
技术领域
本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。
背景技术
有机电致发光(OLED)照明产品虽仍处研发阶段，但其优势仍不胜枚举，不但具备可弯曲、柔软等特性，在薄如糖果纸的OLED照明上任意打洞，也无损其维持正常发亮，甚至可以任意裁切，也因此能免于灯泡打破等类似情形发生。
另一方面，就技术层面而言，发光二极管(LED)发热量大，需要散热机制，但OLED照明却不需要。若观察OLED灯与荧光灯一起点亮情形，可以发现荧光灯温度会从室温升高至50℃；OLED灯点亮后温度仅从20℃升高为30℃，可免除使用者烫手的危险，较符合安全考虑。
然而，具备多种优势特性的OLED灯为何仍未量产，主因在于亮度、使用寿命与发光效率三大问题。一般照明需求须达到1,000cd/m2亮度以上，使用寿命达10,000小时以上，发光效率则必须提高至30lm/W，但目前OLED灯达此亮度需要的电流密度很大，而电流密度增大后势必会影响使用寿命和发光效率，这样严重影响OLED的产业化进程。
发明内容
了解决上述问题，本发明提供了一种电流效率高、操作电压低、使用寿命长，且能量效率高的有机电致发光器件。
本发明的技术方案：
一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次为：基板/透明阳极层/空穴注入层/第一空穴传输层/第一发光层/第一电子传输层/电荷产生层/第二空穴传输层/第二发光层/第二电子传输层/电子注入层/金属阴极层；其中，所述电荷产生层包括：p型空穴产生层/界面层/n型电子产生层，且所述p型空穴产生层与所述第一电子传输层紧贴，所述n型电子产生层与所述空第二穴传输层紧贴。
所述的有机电致发光器件，其中，所述p型空穴产生层的材质为Li2O、Cs2CO3、LiF或CsF中的任一种；所述界面层的材质为PbO、Sb2O5、ZnSe、GaN、SiC、Al或Ag中任一种；所述n型电子产生层的材质为MoO3、V2O5或WO3中的任一种；所述空穴注入层的材质为MoO3、WO3或V2O5中的任一种；所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的材质分别为苯基吗琳(NPB)或N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(TPD)；所述第一发光层和第二发光层的材质分别为2，2’，2”(1，3，5-三苯基)三-[1-苯基-1-苯并咪唑]掺杂4wt％三(2-苯基吡啶)合铱或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))；所述第一电子传输层和第一电子传输层的材质分别为8-羟基喹啉铝或4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(III)；所述电子注入层的材质为LiF或CsF。
所述的有机电致发光器件，其中所述n型电子产生层的厚度为2～3nm；所述界面层的厚度为0.1～5nm；所述p型电子产生层的厚度为3～10nm；所述空穴注入层的厚度为10～15nm；所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的厚度分别为40～60nm；所述第一发光层和第二发光层的厚度分别为10～20nm；所述第一电子传输层和第一电子传输层的厚度分别为20～80nm；所述电子注入层的厚度为1～2nm。
本发明的另一目的在于提供上述有机电致发光器件的制备方法，其制备工艺步骤如下：
首先，在清洗后的基板一个表面依次制备透明阳极层、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层；
其次，在所述第一电子传输层表面依次制备p型空穴产生层、界面层、n型电子产生层，且p型空穴产生层、界面层和n型电子产生层构成电荷产生层；
接着，在电荷产生层的表面依次制备第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层、金属阴极层，制得有机电致发光器件胚体；
最后，将上述制得的有机电致发光器件胚体于惰性气体下，22℃～24℃温度范围内，使用紫外固化环氧固化剂和玻璃封盖所述有机电致发光器件胚体，并在封盖内加装干燥剂来吸附残留的水分，随后大气条件下，60℃热处理1小时后，制得有机电致发光器件。
上述制备方法中，所述p型空穴产生层的材质为Li2O、Cs2CO3、LiF或CsF中的任一种；所述界面层的材质为PbO、Sb2O5、ZnSe、GaN、SiC、Al或Ag中任一种；所述n型电子产生层的材质为MoO3、V2O5或WO3中的任一种；所述空穴注入层的材质为MoO3、WO3或V2O5中的任一种；所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的材质分别为苯基吗琳或N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(TPD)；所述第一发光层和第二发光层的材质分别为2，2’，2”(1，3，5-三苯基)三-[1-苯基-1-苯并咪唑]掺杂4wt％三(2-苯基吡啶)合铱或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱；所述第一电子传输层和第一电子传输层的材质分别为8-羟基喹啉铝或4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(III)；所述电子注入层的材质为LiF或CsF；所述基板为玻璃，所述透明阳极层为ITO(氧化铟锡)层；所述金属阴极层的材质为铝、银或金中的任一种。
上述制备方法中，所述n型电子产生层的厚度为2～3nm；所述界面层的厚度为0.1～5nm；所述p型电子产生层的厚度为3～10nm；所述空穴注入层的厚度为10～15nm；所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的厚度分别为40～60nm；所述第一发光层和第二发光层的厚度分别为10～20nm；所述第一电子传输层和第一电子传输层的厚度分别为20～80nm；所述电子注入层的厚度为1～2nm。
本发明提供的有机电致发光器件采用电荷产生层的两层结构(如，电荷产生层、双发光层)相比单层结构，两层器件电流效率至少是单层的两倍，且这种两层结构降低了操作电压，提高了能量效率(至少是原来的1.1倍)，使用寿命也大大提高了；同时，电荷产生层不采用掺杂来做，减少工艺不稳定性和增强了工艺重复性，以及采用界面层与提供了多种界面层成分，有效防止了n-type层和p-type层中离子相互扩散。
附图说明
图1为本发明有机电致发光器件的结构示意图；
图2为本发明有机电致发光器件的制备工艺流程图；
图3为本发明的有机电致发光器件与不采用电荷产生层的有机电致发光器件的电流效率-电流密度曲线图；其中，曲线1表示单层有机电致发光器件，曲线2表示双层有机电致发光器件；
图4为本发明的有机电致发光器件与不采用电荷产生层的有机电致发光器件的能量效率-电流密度曲线图；其中，曲线1表示单层有机电致发光器件，曲线2表示双层有机电致发光器件。
具体实施方式
本发明提供的一种有机电致发光器件，如图1所示，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次为；基板1/透明阳极层2/空穴注入层3/第一空穴传输层4/第一发光层5/第一电子传输层6/p型空穴产生层71/界面层72/n型电子产生层73/第二空穴传输层8/第二发光层9/第二电子传输层10/电子注入层11/金属阴极层12；其中，p型空穴产生层71/界面层72/n型电子产生层73构成所述电荷产生层7。
该有机电致发光器件的基板1采用玻璃，透明阳极层2采用ITO(氧化铟锡)层；实际中，一般采用现有的ITO玻璃，也就是ITO层与玻璃已经制备在一起了，作为一个整体在使用。
在该有机电致发光器件中，p型空穴产生层的材质为Li2O、Cs2CO3、LiF或CsF中的任一种；界面层的材质为PbO、Sb2O5、ZnSe、GaN、SiC、Al或Ag中任一种；n型电子产生层的材质为MoO3、V2O5或WO3中的任一种；空穴注入层的材质为MoO3、WO3或V2O5中的任一种；第一空穴传输层和第二空穴传输层的材质分别为苯基吗琳(NPB)或N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(TPD)；第一发光层和第二发光层的材质分别为2，2’，2”(1，3，5-三苯基)三-[1-苯基-1-苯并咪唑]掺杂4wt％三(2-苯基吡啶)合铱或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱；所述第一电子传输层和第一电子传输层的材质分别为8-羟基喹啉铝(Alq3)或4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(III)(BAlq)；所述电子注入层的材质为LiF或CsF。
本发明提供的上述有机电致发光器件的制备方法，如图2所示，包括如下制备工艺步骤：
步骤S1、在清洗基板：洗洁精清洗→乙醇清洗→丙酮清洗→纯水清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；
步骤S2、制备有机电致发光器件胚体：
a)导电层的制备：在洗净、干燥的基板的一个表面制备一层透明阳极层，厚度为100～150nm；
b)空穴注入层的制备：在透明阳极层的基础上蒸镀一层MoO3、WO3或V2O5等空穴注入材料，厚度为10～15nm，蒸镀工艺的真空度为7×10-5Pa～5×10-5Pa，蒸发速度
c)第一空穴传输层的制备：在空穴注入层表面蒸镀一层苯基吗琳(NPB)或N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(TPD)等空穴传输材料厚度为40～60nm蒸镀工艺的真空度5×10-5Pa～3×10-5Pa，蒸发速度
d)第一发光层的制备：在第一空穴传输层表面蒸镀一层2，2’，2”(1，3，5-三苯基)三-[1-苯基-1-苯并咪唑](TPBi)掺杂4wt％三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))发光材料，厚度为10～20nm；该第一发光层可采用单层或多层发光层，蒸镀工艺的真空度5×10-5Pa～3×10-5Pa，蒸发速度
e)第一电子传输层的制备：在第一发光层的上面蒸镀一层8-烃基喹啉铝(Alq3)、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(III)(BAlq)等电子传输材料，厚度为20～80nm；蒸镀工艺的真空度5×10-5Pa～3×10-5Pa，蒸发速度
f)电荷产生层的制备：在第一电子传输层上面依次蒸镀n型电子产生层、界面层、p型空穴产生层；其中，
n型电子产生层采用Li2O、Cs2CO3、LiF或CsF等材料，厚度2～3nm；
界面层采用以下三类中的任何一种：①PbO或Sb2O5等，厚度0.1～5nm；②ZnSe、GaN或SiC等，厚度0.1～5nm；③Al或Ag等，厚度0.5～1nm；
p型空穴产生层采用MoO3、V2O5或WO3等，厚度3～10nm；
该电荷产生层中，n型空穴产生层、界面层、p型电子产生层厚度蒸发速度均为
g)第二空穴传输层的制备：在p型电子产生层上面蒸镀一层NPB或TPD等空穴传输材料，厚度为40～60nm，蒸镀工艺的真空度5×10-5Pa～3×10-5Pa，蒸发速度
h)第二发光层的制备：在第二空穴传输层表面蒸镀一层2，2’，2”(1，3，5-三苯基)三-[1-苯基-1-苯并咪唑](TPBi)掺杂4wt％三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))发光材料，厚度为10～20nm；该第一发光层可采用单层或多层发光层，蒸镀工艺的真空度5×10-5Pa～3×10-5Pa，蒸发速度
i)第二电子传输层的制备：在第一发光层的上面蒸镀一层8-羟基喹啉铝(Alq3)、BAlq等电子传输材料，厚度为20～80nm；蒸镀工艺的真空度5×10-5Pa～3×10-5Pa，蒸发速度
j)电子注入层的制备：在第二电子传输层上面蒸镀一层CsF或LiF，厚度为1～2nm，蒸镀工艺的真空度7×10-5Pa～5×10-5Pa，蒸发速度
k)金属阴极层的制备：在电子注入层的上面蒸镀制作铝电极，厚度为100～150nm，蒸镀工艺的真空度7×10-5Pa～5×10-5Pa，蒸发速度在完成金属阴极层制备工艺后，也就得到了机电致发光器件胚体；
步骤S3、制备有机电致发光器件：将上述制得的有机电致发光器件胚体于惰性气体下，22℃～24℃温度范围内，使用紫外固化环氧固化剂和玻璃封盖所述有机电致发光器件胚体，并在封盖内加装干燥剂来吸附残留的水分，随后大气条件下，60℃热处理1小时后，制得有机电致发光器件。
本发明的有机电致发光器件，通过采用新型电荷产生层的串联结构，降低了操作电压，提高了使用寿命，同时能量效率也增强了；同时，电荷产生层不采用掺杂来做，减少工艺不稳定性和增强了工艺重复性，以及采用界面层与提供了多种界面层成分，有效防止了n-type层和p-type层中离子相互扩散，如图3和4所示。
图3为本发明的有机电致发光器件与不采用电荷产生层的有机电致发光器件的电流效率-电流密度曲线图；结合图3，参阅表1：
表1
图4为本发明的有机电致发光器件与不采用电荷产生层的有机电致发光器件的能量效率-电流密度曲线图；结合图4，参阅表2：
表2
下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
下述实施例中，基板采用玻璃板，透明阳极层为ITO层，也就是现成的ITO玻璃。
实施例1
一种有机电致发光器件，其为层状结构，该层状结构依次为：玻璃/ITO层/MoO3层/NPB层/TPBi-Ir(ppy)3层/Alq3层/Li2O层/PbO层/MoO3层/NPB层/TPBi-Ir(ppy)3层/Alq3层/CsF层/Al层；其中，PbO层也可以为采用Sb2O5层代替；
上述有机电致发光器件中，ITO层的厚度为100nm；MoO3层的厚度为15nm；NPB层的厚度为40nm；TPBi-Ir(ppy)3层的厚度为15nm；Alq3层的厚度为80nm；Li2O层的厚度为3nm；PbO或Sb2O5层的厚度为5nm；MoO3层的厚度为5nm；NPB层的厚度为40nm；TPBi-Ir(ppy)3层的厚度为nm；Alq3层的厚度为20nm；CsF层的厚度为1nm；Al层的厚度为150nm。
上述有机电致发光器件是采用如下工艺步骤制得的：
a)ITO玻璃基板前处理：洗洁精清洗→乙醇清洗→丙酮清洗→纯水清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用红外烘箱烘干待用；对洗净后的ITO玻璃还需进行表面活化处理，以增加ITO表面层的含氧量，提高ITO表面的功函数，ITO厚度100nm；
b)空穴注入层的制备：用MoO3作为空穴注入材料，在透明阳极层的基础上蒸镀一层厚度为15nm的MoO3层，蒸镀工艺的真空度5×10-5Pa，蒸发速度
c)第一空穴传输层的制备：用NPB做空穴传输材料，蒸镀工艺的真空度3×10-5Pa，蒸发速度
在空穴注入层上蒸镀厚度为50nm的NPB层；
d)第一发光层的制备：用2，2’，2”(1，3，5-三苯基)三-[1-苯基-1-苯并咪唑](TPBi)掺杂4wt％三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)作发光材料，蒸镀工艺的真空度3×10-5Pa，蒸发速度
在第一发光层上蒸镀厚度为15nm的TPBi-Ir(ppy)3层；
e)第一电子传输层的制备：用Alq3作电子传输材料，在第一发光层的上面蒸镀一层厚度为25nm的第一电子传输层，蒸镀工艺的真空度3×10-5Pa，蒸发速度
f)电荷产生层的制备：在第一电子传输层上面依次蒸镀依次蒸镀厚度分别为3nm的Li2O、5nm的PbO或Sb2O5、5nm的MoO3，分别作为n型电子产生层、界面层、p型空穴产生层；各层蒸发速度均为
g)第二空穴传输层的制备：用NPB做空穴传输材料，蒸镀工艺的真空度3×10-5Pa，蒸发速度
在p型空穴产生层上蒸镀厚度位40nm的NPB层；
h)第二发光层的制备：用2，2’，2”(1，3，5-三苯基)三-[1-苯基-1-苯并咪唑](TPBi)掺杂4wt％三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)作发光材料，蒸镀工艺的真空度3×10-5Pa，蒸发速度
在第二空穴传输层上蒸镀厚度为15nm的TPBi-Ir(ppy)3层；
i)第二电子传输层的制备：在第二发光层的上面蒸镀一层厚度为60nm的以8-烃基喹啉铝(Alq3)做电子传输材料的第二电子传输层，蒸镀工艺的真空度3×10-5Pa，蒸发速度
j)电子注入层的制备：在第二电子传输层上蒸镀一层厚度为1nm的LiF层作为电子注入层，蒸镀工艺的真空度5×10-5Pa，蒸发速度
k)金属阴极层的制备：在电子注入层上蒸镀一层厚度为150nm的铝层，作为金属阴极层，蒸镀工艺的真空度5×10-5Pa，蒸发速度在完成金属阴极层制备工艺后，也就得到了机电致发光器件胚体；
1)有机电致发光器件的制备：将上述制得的有机电致发光器件胚体于惰性气体下，温度范围：22℃，粘合剂使用紫外固化环氧固化剂，覆盖材料则采用玻璃封盖，在封盖内加装干燥剂来吸附残留的水分，大气条件下，60℃热处理1小时件后，制得有机电致发光器件。
实施例2
一种有机电致发光器件，其为层状结构，该层状结构依次为：玻璃/ITO层/WO3层/TPD层/TPBi-Ir(ppy)3层/BAlq层/Cs2CO3层/ZnSe层/V2O5层/TPD层/TPBi-Ir(ppy)3层/BAlq层/CsF层/Al层；其中，界面ZnSe层也可以采用GaN或SiC层代替。
上述有机电致发光器件中，ITO层的厚度为100nm；WO3层的厚度为10nm；TPD层的厚度为60nm；TPBi-Ir(ppy)3层的厚度为10nm；BAlq层的厚度为20nm；Cs2CO3层的厚度为2nm；界面ZnSe、GaN或SiC层的厚度为0.1nm；V2O5层的厚度为10nm；TPD层的厚度为60nm；TPBi-Ir(ppy)3层的厚度为20nm；BAlq层的厚度为80nm；CsF层的厚度为2nm；阴极Al层的厚度为100nm。
上述有机电致发光器件是采用如下工艺步骤制得的：
a)ITO玻璃基板前处理：洗洁精清洗→乙醇清洗→丙酮清洗→纯水清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用红外烘箱烘干待用；对洗净后的ITO玻璃还需进行表面活化处理，以增加ITO表面层的含氧量，提高ITO表面的功函数，ITO厚度150nm；
b)空穴注入层的制备：用WO3作为空穴注入材料，在透明阳极层的基础上蒸镀一层厚度为10nm的WO3层，蒸镀工艺的真空度7×10-5Pa，蒸发速度
c)第一空穴传输层的制备：用TPD做空穴传输材料，蒸镀工艺的真空度5×10-5Pa，蒸发速度
在空穴注入层上蒸镀厚度为60nm的TPD层；
d)第一发光层的制备：用2，2’，2”(1，3，5-三苯基)三-[1-苯基-1-苯并咪唑](TPBi)掺杂4wt％三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)作发光材料，蒸镀工艺的真空度5×10-5Pa，蒸发速度
在第一发光层上蒸镀厚度为10nm的TPBi-Ir(ppy)3层；
e)第一电子传输层的制备：用BAlq作电子传输材料，在第一发光层的上面蒸镀一层厚度为20nm的第一电子传输层，蒸镀工艺的真空度5×10-5Pa，蒸发速度
f)电荷产生层的制备：在第一电子传输层上面依次蒸镀依次蒸镀厚度分别为2nm的Cs2CO3、0.1nm的ZnSe、GaN或SiC、10nm的V2O5，分别作为n型电子产生层、界面层、p型空穴产生层；各层蒸发速度均为
g)第二空穴传输层的制备：用TPD做空穴传输材料，蒸镀工艺的真空度5×10-5Pa，蒸发速度
在p型空穴产生层上蒸镀厚度位60nm的TPD层；
h)第二发光层的制备：用2，2’，2”(1，3，5-三苯基)三-[1-苯基-1-苯并咪唑](TPBi)掺杂4wt％三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)作发光材料，蒸镀工艺的真空度5×10-5Pa，蒸发速度
在第二空穴传输层上蒸镀厚度为20nm的TPBi-Ir(ppy)3层；
i)第二电子传输层的制备：在第二发光层的上面蒸镀一层厚度为80nm的以BAlq做电子传输材料的第二电子传输层，蒸镀工艺的真空度5×10-5Pa，蒸发速度
j)电子注入层的制备：在第二电子传输层上，蒸镀一层厚度为2nm的CsF层作为电子注入层，蒸镀工艺的真空度7×10-5Pa，蒸发速度
k)金属阴极层的制备：在电子注入层上蒸镀一层厚度为100nm的铝层，作为金属阴极层，蒸镀工艺的真空度7×10-5Pa，蒸发速度
在完成金属阴极层制备工艺后，也就得到了机电致发光器件胚体；
1)有机电致发光器件的制备：将上述制得的有机电致发光器件胚体于惰性气体下，温度范围：23℃，粘合剂使用紫外固化环氧固化剂，覆盖材料则采用玻璃封盖，在封盖内加装干燥剂来吸附残留的水分，大气条件下，60℃热处理1小时件后，制得有机电致发光器件。
实施例3
一种有机电致发光器件，其为层状结构，该层状结构依次为：玻璃/ITO层/WO3层/TPD层/TPBi-Ir(ppy)2(acac)层/BAlq层/LiF层/Ag层/WO3层/TPD层/TPBi-Ir(ppy)2(acac)层/BAlq层/CsF层/Al层；其中，界面Ag层也可以采用Al层代替。
上述有机电致发光器件中，ITO层的厚度为120nm；WO3层的厚度为12nm；TPD层的厚度为50nm；TPBi-Ir(ppy)2(acac)层的厚度为20nm；BAlq层的厚度为50nm；LiF层的厚度为2.5nm；界面Ag或Al层的厚度为1nm；WO3层的厚度为3nm；TPD层的厚度为50nm；TPBi-Ir(ppy)2(acac)层的厚度为15nm；BAlq层的厚度为50nm；CsF层的厚度为1.5nm；阴极Al层的厚度为120nm。
上述有机电致发光器件是采用如下工艺步骤制得的：
a)ITO玻璃基板前处理：洗洁精清洗→乙醇清洗→丙酮清洗→纯水清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用红外烘箱烘干待用；对洗净后的ITO玻璃还需进行表面活化处理，以增加ITO表面层的含氧量，提高ITO表面的功函数，ITO厚度120nm；
b)空穴注入层的制备：用WO3作为空穴注入材料，在透明阳极层的基础上蒸镀一层厚度为12nm的WO3层，蒸镀工艺的真空度6×10-5Pa，蒸发速度
c)第一空穴传输层的制备：用TPD做空穴传输材料，蒸镀工艺的真空度4×10-5Pa，蒸发速度在空穴注入层上蒸镀厚度为50nm的TPD层；
d)第一发光层的制备：用2，2’，2”(1，3，5-三苯基)三-[1-苯基-1-苯并咪唑](TPBi)掺杂4wt％Ir(ppy)2(acac)作发光材料，蒸镀工艺的真空度4×10-5Pa，蒸发速度
在第一发光层上蒸镀厚度为20nm的TPBi-Ir(ppy)2(acac)层；
e)第一电子传输层的制备：用BAlq作电子传输材料，在第一发光层的上面蒸镀一层厚度为50nm的第一电子传输层，蒸镀工艺的真空度4×10-5Pa，蒸发速度
f)电荷产生层的制备：在第一电子传输层上面依次蒸镀依次蒸镀厚度分别为2.5nm的LiF、1nm的Ag或Al、3nm的WO3，分别作为n型电子产生层、界面层、p型空穴产生层；各层蒸发速度均为
g)第二空穴传输层的制备：用TPD做空穴传输材料，蒸镀工艺的真空度4×10-5Pa，蒸发速度在p型空穴产生层上蒸镀厚度位50nm的TPD层；
h)第二发光层的制备：用2，2’，2”(1，3，5-三苯基)三-[1-苯基-1-苯并咪唑](TPBi)掺杂4wt％Ir(ppy)2(acac)作发光材料，蒸镀工艺的真空度4×10-5Pa，蒸发速度
在第二空穴传输层上蒸镀厚度为15nm的TPBi-Ir(ppy)2(acac)层；
i)第二电子传输层的制备：在第二发光层的上面蒸镀一层厚度为50nm的以BAlq做电子传输材料的第二电子传输层，蒸镀工艺的真空度4×10-5Pa，蒸发速度
j)电子注入层的制备：在第二电子传输层上，蒸镀一层厚度为1.5nm的CsF层作为电子注入层，蒸镀工艺的真空度6×10-5Pa，蒸发速度
k)金属阴极层的制备：在电子注入层上蒸镀一层厚度为120nm的铝层，作为金属阴极层，蒸镀工艺的真空度6×10-5Pa，蒸发速度
在完成金属阴极层制备工艺后，也就得到了机电致发光器件胚体；
1)有机电致发光器件的制备：将上述制得的有机电致发光器件胚体于惰性气体下，温度范围：24℃，粘合剂使用紫外固化环氧固化剂，覆盖材料则采用玻璃封盖，在封盖内加装干燥剂来吸附残留的水分，大气条件下，60℃热处理1小时件后，制得有机电致发光器件。
应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次为：基板/透明阳极层/空穴注入层/第一空穴传输层/第一发光层/第一电子传输层/电荷产生层/第二空穴传输层/第二发光层/第二电子传输层/电子注入层/金属阴极层；其特征在于，所述电荷产生层包括：p型空穴产生层/界面层/n型电子产生层，其中，所述p型空穴产生层与所述第一电子传输层紧贴，所述n型电子产生层与所述第二空穴传输层紧贴。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述p型空穴产生层的材质为Li2O、Cs2CO3、LiF或CsF中的任一种；所述界面层的材质为PbO、Sb2O5、ZnSe、GaN、SiC、Al或Ag中任一种；所述n型电子产生层的材质为MoO3、V2O5或WO3中的任一种。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述n型电子产生层的厚度为2～3nm；所述界面层的厚度为0.1～5nm；所述p型电子产生层的厚度为3～10nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为MoO3、WO3或V2O5中的任一种；所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的材质分别为苯基吗琳或N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺；所述第一发光层和第二发光层的材质分别为2，2’，2”(1，3，5-三苯基)三-[1-苯基-1-苯并咪唑]掺杂4wt％三(2-苯基吡啶)合铱或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱；所述第一电子传输层和第一电子传输层的材质分别为8-羟基喹啉铝或4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(III)；所述电子注入层的材质为LiF或CsF。
5.根据权利要求1或4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为10～15nm；所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的厚度分别为40～60nm；所述第一发光层和第二发光层的厚度分别为10～20nm；所述第一电子传输层和第一电子传输层的厚度分别为20～80nm；所述电子注入层的厚度为1～2nm。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
首先，在清洗后的基板一个表面依次制备透明阳极层、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层；
其次，在所述第一电子传输层表面依次制备p型空穴产生层、界面层、n型电子产生层，且所述p型空穴产生层、界面层和n型电子产生层构成电荷产生层；
接着，在电荷产生层的表面依次制备第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层、金属阴极层，制得有机电致发光器件胚体；
最后，将上述制得的有机电致发光器件胚体于惰性气体下，22℃～24℃温度范围内，使用紫外固化环氧固化剂和玻璃封盖所述有机电致发光器件胚体，并在封盖内加装干燥剂来吸附残留的水分，随后大气条件下，60℃热处理1小时后，制得有机电致发光器件。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述p型空穴产生层的材质为Li2O、Cs2CO3、LiF或CsF中的任一种；所述界面层的材质为PbO、Sb2O5、ZnSe、GaN、SiC、Al或Ag中任一种；所述n型电子产生层的材质为MoO3、V2O5或WO3中的任一种。
8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述n型电子产生层的厚度为2～3nm；所述界面层的厚度为0.1～5nm；所述p型电子产生层的厚度为3～10nm。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的材质为MoO3、WO3或V2O5中的任一种；所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的材质分别为苯基吗琳或N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺；所述第一发光层和第二发光层的材质分别为2，2’，2”(1，3，5-三苯基)三-[1-苯基-1-苯并咪唑]掺杂4wt％三(2-苯基吡啶)合铱或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱；所述第一电子传输层和第一电子传输层的材质分别为8-羟基喹啉铝或4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(III)；所述电子注入层的材质为LiF或CsF。
10.根据权利要求6或9所述的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为10～15nm；所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的厚度分别为40～60nm；所述第一发光层和第二发光层的厚度分别为10～20nm；所述第一电子传输层和第一电子传输层的厚度分别为20～80nm；所述电子注入层的厚度为1～2nm。
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