CN102790183A - 一种柔性有机发光二极管及其制备方法 - Google Patents

一种柔性有机发光二极管及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102790183A
CN102790183A CN2011101293754A CN201110129375A CN102790183A CN 102790183 A CN102790183 A CN 102790183A CN 2011101293754 A CN2011101293754 A CN 2011101293754A CN 201110129375 A CN201110129375 A CN 201110129375A CN 102790183 A CN102790183 A CN 102790183A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
organic light
emitting diode
flexible organic
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011101293754A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102790183B (zh
Inventor
周明杰
王平
冯小明
陈吉星
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd, Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd filed Critical Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Priority to CN201110129375.4A priority Critical patent/CN102790183B/zh
Publication of CN102790183A publication Critical patent/CN102790183A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102790183B publication Critical patent/CN102790183B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明属于光电子器件领域,其公开了一种柔性有机发光二极管及其制备方法,该柔性有机发光二极管为层状结构,其结构依次为:衬底/阳极层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极层;其特征在于,在所述衬底与阳极层之间,还制备有一层缓冲层;所述阳极层为多层复合结构。本发明提供的柔性有机发光二极管通过插入缓冲层,加强了阳极与衬底之间的结合力,使得制作的柔性有机发光二极管,挠曲性能好,发光性能稳定,发光效率高。

Description

一种柔性有机发光二极管及其制备方法
技术领域
本发明涉及光电子器件领域,尤其涉及一种柔性有机发光二极管。本发明还涉及该柔性有机发光二极管的制备方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emission Diode),以下简称OLED,具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性,同时拥有高清晰、广视角,以及响应速度快等优势,符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势,以及绿色照明技术的要求,是目前国内外众多研究者的关注重点。
在现有技术的OLED器件中,使用玻璃衬底制作的OLED器件不具备弯曲的特点,而且玻璃易碎,对发光器件的应用造成了影响。采用柔性材料作为衬底的OLED器件,比玻璃衬底的OLED具有更轻薄、更耐冲击的优点。并且柔性OLED的制备可以采用卷对卷方式生产,从而大幅地降低制造成本。目前柔性显示衬底主要有超薄玻璃,聚合物薄膜、金属薄片等。
通常采用聚合物薄膜作为衬底制作的阳极,是在其表面通过溅射工艺覆盖一层透明导电薄膜如ITO,IZO等材料,然而这些导电薄膜在柔性OLED的应用上也存在诸多难以克服的问题。例如在制备ITO薄膜的过程中,各种元素如铟(In),(Sn)的掺杂比例组成不易控制,导致ITO薄膜的形貌,载流子和传输性能难以控制,从而导致发光器件的性能不稳定。其次,在柔性衬底上制备ITO等导电薄膜时,由于聚合物薄膜的耐热性能不佳,制备导电薄膜通常采用低温溅射技术,所制备的导电薄膜表面电阻高,薄膜与衬底的结合力不强,使得柔性OLED在反复弯曲的过程中容易发生导电薄膜从衬底脱落的情况,影响OLED发光装置的发光稳定性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种挠曲性能好、发光性能稳定,且发光效率高的柔性有机发光二极管。
本发明的技术方案:
一种柔性有机发光二极管,该柔性有机发光二极管为层状结构,该层状结构依次为:衬底/阳极层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极层;其中,在所述衬底与阳极层之间,还制备有一层缓冲层;所述阳极为多层复合结构,该多层复合结构为:A/Sm/B的多层复合结构,其中,A为ZnS或ZnSe,B为WO3或V2O5
本发明提供的柔性有机发光二极管,其采用的衬底材料为聚合物薄膜,如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),聚醚砜(PES),聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN),透明聚酰亚胺(PI)环烯烃共聚物(COC),聚碳酸酯(PC),聚乙烯(PE)等材料,所选材料在可见光的透过率>80%,厚度可选自0.1-0.5mm之间。
位于衬底上的缓冲层是采用UV胶制作而成,缓冲层的厚度可以为0.5-10μm。
本发明提供的柔性有机发光二极管,阳极的多层复合结构全部采用蒸镀工艺制备。具体地,A层,即ZnS或ZnSe层的厚度选自40-80nm,Sm层的厚度选择18-25nm,B层,即WO3或V2O5层的厚度选自3-10nm。该多层复合结构,利用了热镜中的增透原理,因此制备的阳极层在可见光透过率高,同时表面电阻较低。
本发明提供的柔性有机发光二极管,空穴注入层的材料为酞菁铜(CuPc)或4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺(m-MTDATA),该空穴注入层的厚度为30-40nm;
所述空穴传输层的材料为N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(TPD)、1,3,5-三苯基苯(TDAPB)或N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)中的任一种;该空穴传输层的厚度为30-80nm;
所述发光层的材料为4,4′-二(9-咔唑)联苯(CBP)掺杂三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3),即Ir(ppy)3:CBP;该发光层的厚度为15-40nm;
所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ等)或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi);该电子传输层的厚度为20-60nm;
所述电子注入层的材料优选为氟化锂(LiF)或氟化铯(CsF);该电子注入层的厚度为0.5-2nm;
所述阴极层的材料优选为Al、Ag或Mg-Ag合金层,该阴极层厚度为100-200nm。
本发明还提供一种上述柔性有机发光二极管的制作方法,其包括以下步骤:
1、将聚合物薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗,用去离子水清洗干净后依次用异丙醇,丙酮在超声波中处理,然后在用氮气吹干,备用;其中,聚合物薄膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),聚醚砜(PES),聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN),透明聚酰亚胺(PI)环烯烃共聚物(COC),聚碳酸酯(PC)或聚乙烯(PE)等材料;
2、将清洗干净的聚合物薄膜置入匀胶机上,将UV胶旋涂在聚合物薄膜表面,然后采用UV灯或紫外灯进行固化,形成一层缓冲层;其中,匀胶机的转速在1000-5000转/分,匀胶时间30-120秒;
3、利用真空镀膜的方法,依次在缓冲层表面蒸镀多层复合结构的阳极层,其中,该多层复合结构依次为:A/Sm/B的多层复合结构,其中,A为ZnS或ZnSe,B为WO3或V2O5
4、利用真空蒸镀的方法在阳极层上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层;最后制得柔性有机发光二极管。
本发明采用真空镀膜技术,制备的A/Sm/B(其中,A为ZnS或ZnSe,B为WO3或V2O5)多层复合结构作为阳极层,其制作过程简单,对衬底的破坏小,且该阳极层透光性能好,表面电阻低;同时,通过插入缓冲层,加强了阳极与衬底之间的结合力,使得制作的柔性有机发光二极管,挠曲性能好,发光性能稳定,发光效率高。
附图说明
图1为本发明柔性有机发光二极管的结构示意图;其中,
101衬底、102缓冲层、103阳极、104空穴注入层、105空穴传输层、106发光层、107电子传输层、108电子注入层、109阴极;
图2为本发明柔性有机发光二极管的制备工艺流程图;
图3为实施例2制作的ZnS/Sm/V2O5阳极层和对比例1以ITO为阳极层的透过率曲线;
图4为实施例2和对比例1制作的发光装置的电流-电压曲线。
具体实施方式
本发明提供的一种柔性有机发光二极管,如图1所示,该柔性有机发光二极管为层状结构,该层状结构依次为:衬底101/缓冲层102/阳极层103/空穴注入层104/空穴传输层105/发光层106/电子传输层107/电子注入层108/阴极层109;其中,阳极层为多层复合结构,该多层复合结构为:A103a/Sm 103b/B 103c;其中,A为ZnS或ZnSe,B为WO3或V2O5
本发明提供的有机发光二极管器件,其采用的衬底材料为聚合物薄膜,如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),聚醚砜(PES),聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN),透明聚酰亚胺(PI)环烯烃共聚物(COC),聚碳酸酯(PC),聚乙烯(PE)等材料,所选材料在可见光的透过率>80%,厚度可选自0.1-0.5mm之间。
位于衬底上的缓冲层是采用UV胶制作而成,缓冲层的厚度可以为0.5-10μm。
本发明提供的柔性有机发光二极管,阳极的多层复合结构全部采用蒸镀工艺制备。具体地,A层,即ZnS或ZnSe层的厚度选自40-80nm,Sm层的厚度选择18-25nm,B层,即WO3或V2O5层的厚度选自3-10nm。该多层复合结构,利用了热镜中的增透原理,因此制备的阳极层在可见光透过率高,同时表面电阻较低。
本发明提供的柔性有机发光二极管,其各功能层,如:
空穴注入层的材料为酞菁铜(CuPc)、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺(m-MTDATA),该空穴注入层的厚度为30-40nm;
所述空穴传输层的材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(TPD)、1,3,5-三苯基苯(TDAPB),该空穴传输层的厚度为30-80nm;
所述发光层的材料为4,4′-二(9-咔唑)联苯(CBP)掺杂三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3),即Ir(ppy)3:CBP;该发光层的厚度为15-40nm;
所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ等)或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi),该电子传输层的厚度为20-60nm;
所述电子注入层的材料优选为氟化锂(LiF)或氟化铯(CsF);该电子注入层的厚度为0.5-2nm;
所述阴极层的材料优选为Al、Ag或Mg-Ag合金层,该阴极层厚度为100-200nm。
本发明还提供一种上述柔性有机发光二极管的制作方法,如图2所示,其包括以下步骤:
S1、将衬底(即聚合物薄膜)放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗,用去离子水清洗干净后依次用异丙醇,丙酮在超声波中处理,然后在用氮气吹干,备用;其中,聚合物薄膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),聚醚砜(PES),聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN),透明聚酰亚胺(PI)环烯烃共聚物(COC),聚碳酸酯(PC)或聚乙烯(PE)等材料;
S2、将清洗干净的聚合物薄膜置入匀胶机上,将UV胶旋涂在聚合物薄膜表面,然后采用UV灯或紫外灯进行固化,形成一层缓冲层;其中,匀胶机的转速在1000-5000转/分,匀胶时间30-120秒;
S3、利用真空镀膜的方法,依次在缓冲层表面蒸镀多层复合结构的阳极层,其中,该多层复合结构依次为:A/Sm/B的多层复合结构,其中,A为ZnS或ZnSe,B为WO3或V2O5
S4、利用真空蒸镀的方法在阳极层上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层;最后制得柔性有机发光二极管。
本发明采用真空镀膜技术,制备的A/Sm/B(其中,A为ZnS或ZnSe,B为WO3或V2O5)多层复合结构作为阳极层,其制作过程简单,对衬底的破坏小,且该阳极层透光性能好,表面电阻低;同时,通过插入缓冲层,加强了阳极与衬底之间的结合力,使得制作的柔性有机发光二极管,挠曲性能好,发光性能稳定,发光效率高。
下面结合附图,对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
实施例1
一种柔性有机发光二极管,为层状结构,该层状结构的依次为:PET/UV胶/ZnS/Sm/WO3/m-MTDATA/NPB/Ir(ppy)3:CBP/TPBi/LiF/Mg-Ag。
该柔性有机发光二极管的制备工艺如下:
首先,将厚度为0.1mm的PEN薄膜放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗,用去离子水清洗干净后依次用异丙醇,丙酮在超声波中处理,然后在用氮气吹干;
接着,将PEN薄膜放置在匀胶机上,启动匀胶机,且该匀胶机的转速在1000转/分,在PEN薄膜表面旋涂一层厚度为0.5μm UV胶作为平整层,匀胶时间120秒后,采用UV灯固化,形成缓冲层;
随后,在真空度为5×10-4Pa的镀膜系统中,在缓冲层表面依次蒸镀厚度为40nm的ZnS层,厚度为18nm的Sm层,厚度为10nm的WO3层,形成阳极层;
最后,依次在WO3层上面蒸镀空穴注入层、空穴传输、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层,且厚度依次为35nm、30nm、40nm、20nm、0.5nm以及150nm。
实施例2
一种柔性有机发光二极管,为层状结构,该层状结构的依次为:PET/UV胶/ZnS/Sm/V2O5/CuPc/TPD/Ir(ppy)3:CBP/Bphen/CsF/Ag。
该柔性有机发光二极管的制备工艺如下:
首先,将厚度为0.175mm的PET薄膜放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗,用去离子水清洗干净后依次用异丙醇,丙酮在超声波中处理,然后在用氮气吹干;
其次,将PET薄膜放置在匀胶机上,启动匀胶机,且该匀胶机的转速在5000转/分,在PEN薄膜表面旋涂一层厚度为5μm UV胶作为平整层,匀胶时间30秒后,采用UV灯固化,形成缓冲层;
随后,在真空度为5×10-4Pa的镀膜系统中,在缓冲层表面依次蒸镀厚度为45nm的ZnS层,厚度为20nm的Sm层,厚度为5nm的V2O5层,形成阳极层;
最后,依次在V2O5层上面蒸镀空穴注入层(CuPc)、空穴传输(TPD)、发光层(Ir(ppy)3:CBP)、电子传输层(Bphen)、电子注入层(CsF)和阴极层(Ag),且厚度依次为30nm、80nm、15nm、60nm、1nm以及100nm。
实施例3
一种柔性有机发光二极管,为层状结构,该层状结构的依次为:PES/UV胶/ZnSe/Sm/WO3/m-MTDATA/TDAPB/Ir(ppy)3:CBP/Alq3/LiF/Al。
该柔性有机发光二极管的制备工艺如下:
首先,将厚度为0.2mm的PES薄膜放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗,用去离子水清洗干净后依次用异丙醇,丙酮在超声波中处理,然后在用氮气吹干;
接着,将PES薄膜放置在匀胶机上,启动匀胶机,且该匀胶机的转速在4000转/分,在PEN薄膜表面旋涂一层厚度为1μm UV胶作为平整层,匀胶时间70秒后,采用UV灯固化,形成缓冲层;
随后,在真空度为5×10-4Pa的镀膜系统中,在缓冲层表面依次蒸镀厚度为80nm ZnSe层,厚度为25nm的Sm层,厚度为3nm的WO3层,形成阳极层;
最后,依次在WO3层上面蒸镀空穴注入层(m-MTDATA)、空穴传输(TDAPB)、发光层(Ir(ppy)3:CBP)、电子传输层(Alq3)、电子注入层(LiF)和阴极层(Al),且厚度依次为40nm、60nm、40nm、40nm、2nm以及200nm。
实施例4
一种柔性有机发光二极管,为层状结构,该层状结构的依次为:COC/UV胶/ZnS/Sm/WO3/m-MTDATA/NPB/Ir(ppy)3:CBP/PBD/LiF/Mg-Ag。
该柔性有机发光二极管的制备工艺如下:
首先,将厚度为0.5mm的COC薄膜放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗,用去离子水清洗干净后依次用异丙醇,丙酮在超声波中处理,然后在用氮气吹干;
接着,将COC薄膜放置在匀胶机上,启动匀胶机,且该匀胶机的转速在3000转/分,在PEN薄膜表面旋涂一层厚度为10μm UV胶作为平整层,匀胶时间80秒后,采用UV灯固化,形成缓冲层;
随后,在真空度为5×10-4Pa的镀膜系统中,在其表面依次蒸镀厚度为60nm ZnS层,厚度为25nm的Sm层,厚度为6nm的WO3层,形成阳极层;
最后,依次在WO3层上面蒸镀空穴注入层(m-MTDATA)、空穴传输(NPB)、发光层(Ir(ppy)3:CBP)、电子传输层(PBD)、电子注入层(LiF)和阴极层(Al),且厚度依次为38nm、70nm、25nm、50nm、1.5nm以及120nm。
实施例5
一种柔性有机发光二极管,为层状结构,该层状结构的依次为:PC/UV胶/ZnS/Sm/WO3/m-MTDATA/NPB/Ir(ppy)3:CBP/TAZ/LiF/Mg-Ag。
该柔性有机发光二极管的制备工艺如下:
首先,将厚度为0.4mm的PC薄膜放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗,用去离子水清洗干净后依次用异丙醇,丙酮在超声波中处理,然后在用氮气吹干;
接着,将PC薄膜放置在匀胶机上,启动匀胶机,且该匀胶机的转速在2000转/分,在PEN薄膜表面旋涂一层厚度为7μm UV胶作为平整层,匀胶时间50秒后,采用UV灯固化,形成缓冲层;
随后,在真空度为5×10-4Pa的镀膜系统中,在缓冲层表面依次蒸镀厚度为70nm ZnS层,厚度为20nm的Sm层,厚度为8nm的WO3层;
最后,依次在WO3层上面蒸镀空穴注入层(m-MTDATA)、空穴传输(NPB)、发光层(Ir(ppy)3:CBP)、电子传输层(TAZ)、电子注入层(LiF)和阴极层(Al),且厚度依次为30nm、50mm、25nm、30nm、1.5nm以及180nm。
实施例6
一种柔性有机发光二极管,为层状结构,该层状结构的依次为:PE/UV胶/ZnSe/Sm/V2O5/m-MTDATA/NPB/Ir(ppy)3:CBP/TPBi/LiF/Mg-Ag。
该柔性有机发光二极管的制备工艺如下:
首先,将厚度为0.3mm的PE薄膜放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗,用去离子水清洗干净后依次用异丙醇,丙酮在超声波中处理,然后在用氮气吹干;
接着,将PE薄膜放置在匀胶机上,启动匀胶机,且该匀胶机的转速在4000转/分,在PEN薄膜表面旋涂一层厚度为3μm UV胶作为平整层,匀胶时间100秒后,采用UV灯固化,形成缓冲层;
随后,在真空度为5×10-4pa的镀膜系统中,在缓冲层表面依次蒸镀厚度为45nm ZnSe层,厚度为22nm的Sm层,厚度为4nm的V2O5层;
最后,依次在WO3层上面蒸镀空穴注入层(m-MTDATA)、空穴传输(NPB)、发光层(Ir(ppy)3:CBP)、电子传输层(TAZ)、电子注入层(LiF)和阴极层(Al),且厚度依次为30nm、50nm、25nm、30nm、1.5nm以及180nm。
对比例1
一种有机发光二极管器件,为层状结构,该层状结构的依次为:PET/ITO/m-MTDATA/NPB/Ir(ppy)3:CBP/TPBi/LiF/Mg-Ag;其中,该器件中没有缓冲层,且阳极层为ITO(氧化铟锡)导电层,其他各功能层与实施例2一样。
该有机发光二极管器件的制备工艺如下:
将厚度为0.175mm的PET薄膜放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗,用去离子水清洗干净后依次用异丙醇,丙酮在超声波中处理,然后在用氮气吹干。采用磁控溅射系统,PET薄膜表面溅射制备一层厚度为120nm的ITO(氧化铟锡)导电薄膜,然后在真空度为5×10-4Pa的镀膜系统中,在其表面依次蒸镀穴注入层(m-MTDATA),空穴传输(NPB),发光层(Ir(ppy)3:CBP),电子传输层(TPBi),电子注入层(LiF)和阴极层(Mg-Ag)。
对比例2
一种有机发光二极管器件,为层状结构,该层状结构的依次为:PET/Ag/m-MTDATA/NPB/Ir(ppy)3:CBP/TPBi/LiF/Mg-Ag;其中,该器件中没有缓冲层,且阳极层为Ag层,其他各功能层与实施例2一样。
将厚度为0.175mm的PET薄膜按上述方法清洁后,在PET薄膜表面蒸镀制备一层厚度为20nm的Ag层,然后同实施例2,在其表面依次蒸镀穴注入层,空穴传输层,发光层,电子传输层,电子注入层和阴极。
表1
  阳极层   阳极层厚度(nm)   透过率   方块电阻Ω/□
  实施例1   ZnS/Sm/WO3   40/18/10   83.5%   8
  实施例2   ZnS/Sm/V2O5   45/20/5   85.8%   8
  实施例3   ZnSe/Sm/V2O5   80/30/3   79.6%   5
  对比例1   ITO   120   84.2%   56
  对比例2   Ag   20   65.7%   16
注:表1中,透过率为阳极层对可见光的透过率,方块电阻为阳极层的方块电阻。
由表1可知,本发明实施例1,2,3制作的阳极具有很好透过率,透过率均优于单一的Ag阳极。其中实施例2制作的ZnS/Sm/V2O5阳极在可见光的透过率达到了85.8%,高于对比例1制作的ITO阳极的透过率。
由图3可知,实施例2中制作的ZnS/Sm/V2O5阳极与衬底有很好的结合力,在经过反复弯折后,发光性能比较稳定,而ITO阳极在反复弯曲后容易从衬底脱落,导致发光性能下降。
由图4可知,实施例2中制作的ZnS/Sm/V2O5阳极具有良好的空穴注入性能,所制作的器件的载流子注入性能与以ITO作为阳极制作的器件相似,因此可以得到较好的电致发光效果。
应当理解的是,上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细,并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制,本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种柔性有机发光二极管,该二极管为层状结构,该层状结构依次为:衬底/阳极层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极层;其特征在于,在所述衬底与阳极层之间,还制备有一层缓冲层;所述阳极层为多层复合结构,该多层复合结构依次为:A/Sm/B的多层复合结构,其中,A为ZnS或ZnSe,B为WO3或V2O5
2.根据权利要求1所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述衬底材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、透明聚酰亚胺环烯烃共聚物、聚碳酸酯或聚乙烯中的任一种。
3.根据权利要求1所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述阴极层的材料为Al、Ag或Mg-Ag合金层。
4.根据权利要求1所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述缓冲层为UV胶。
5.根据权利要求1所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述空穴注入层的材料为酞菁铜或4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺;
所述空穴传输层的材料为N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(TPD)、1,3,5-三苯基苯或N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺中的任一种;
所述发光层的材料为4,4′-二(9-咔唑)联苯掺杂三(2-苯基吡啶)合铱;
所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、8-羟基喹啉铝、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、1,2,4-三唑衍生物或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的任一种;
所述电子注入层的材料为LiF或CsF。
6.一种柔性有机发光二极管的制备方法,包括如下步骤:
首先,清洗、干燥衬底;
其次,在衬底的表面制备一层缓冲层;
接着,在所述缓冲层表面蒸镀多层复合结构的阳极层,其中,该多层复合结构依次为:A/Sm/B的多层复合结构,其中,A为ZnS或ZnSe,B为WO3,或V2O5
最后,在所述阳极层上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层;完后,制得所述柔性有机发光二极管。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述衬底的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、透明聚酰亚胺环烯烃共聚物、聚碳酸酯或聚乙烯中的任一种。
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述阴极层的材料为Al、Ag或Mg-Ag合金层。
9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述缓冲层为UV胶。
10.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述空穴注入层的材料为酞菁铜或4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺;
所述空穴传输层的材料为、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、1,3,5-三苯基苯或N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺中的任一种;
所述发光层的材料为4,4′-二(9-咔唑)联苯掺杂三(2-苯基吡啶)合铱;
所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、8-羟基喹啉铝、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、1,2,4-三唑衍生物或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的任一种;
所述电子注入层的材料为LiF或CsF。
CN201110129375.4A 2011-05-18 2011-05-18 一种柔性有机发光二极管及其制备方法 Active CN102790183B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110129375.4A CN102790183B (zh) 2011-05-18 2011-05-18 一种柔性有机发光二极管及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110129375.4A CN102790183B (zh) 2011-05-18 2011-05-18 一种柔性有机发光二极管及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102790183A true CN102790183A (zh) 2012-11-21
CN102790183B CN102790183B (zh) 2015-07-08

Family

ID=47155526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110129375.4A Active CN102790183B (zh) 2011-05-18 2011-05-18 一种柔性有机发光二极管及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102790183B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103000817A (zh) * 2012-11-29 2013-03-27 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 一种柔性有机发光二极管
CN103367656A (zh) * 2013-07-25 2013-10-23 北京博如德工程技术研究有限公司 可动手组装的小分子有机电致发光教具
CN104218157A (zh) * 2013-05-30 2014-12-17 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104681731A (zh) * 2015-02-09 2015-06-03 南京工业大学 一种钙钛矿型电致发光器件及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1780022A (zh) * 2004-10-28 2006-05-31 三星Sdi株式会社 有机发光二极管
US20080171227A1 (en) * 2007-01-15 2008-07-17 Samsung Sdi Co., Ltd. Silanylamine-based compound and organic light-emitting device including organic layer including the silanylamine-based compound
CN101447554A (zh) * 2007-11-28 2009-06-03 中国科学院半导体研究所 一种有机电致发光二极管

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1780022A (zh) * 2004-10-28 2006-05-31 三星Sdi株式会社 有机发光二极管
US20080171227A1 (en) * 2007-01-15 2008-07-17 Samsung Sdi Co., Ltd. Silanylamine-based compound and organic light-emitting device including organic layer including the silanylamine-based compound
CN101447554A (zh) * 2007-11-28 2009-06-03 中国科学院半导体研究所 一种有机电致发光二极管

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103000817A (zh) * 2012-11-29 2013-03-27 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 一种柔性有机发光二极管
CN103000817B (zh) * 2012-11-29 2016-04-20 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 一种柔性有机发光二极管
CN104218157A (zh) * 2013-05-30 2014-12-17 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103367656A (zh) * 2013-07-25 2013-10-23 北京博如德工程技术研究有限公司 可动手组装的小分子有机电致发光教具
CN104681731A (zh) * 2015-02-09 2015-06-03 南京工业大学 一种钙钛矿型电致发光器件及其制备方法
CN104681731B (zh) * 2015-02-09 2018-03-06 南京工业大学 一种钙钛矿型电致发光器件及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102790183B (zh) 2015-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20130306956A1 (en) Flexible organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
CN102769104B (zh) 一种柔性双面发光有机电致发光装置及其制备方法
CN103137881B (zh) 有机电致发光装置及其制备方法
CN103548168A (zh) 顶发射有机电致发光器件及其制备方法
CN102790183B (zh) 一种柔性有机发光二极管及其制备方法
CN102683608A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103137876B (zh) 有机电致发光装置及其制备方法
CN103050635B (zh) 一种顶发射有机电致发光二极管及其制备方法
CN102751442B (zh) 有机电致发光装置及其制作方法
CN102810645A (zh) 穿透式有机电致发光器件及其制备方法
CN104882545A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN102891261B (zh) 电致发光器件及其制备方法
CN103972420A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103579525A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103427045A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103137880B (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972408A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104518145A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104638164A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103579508A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104078601B (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN102790182A (zh) 一种柔性有机电致发光器件及其制备方法
CN103579507A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104518100A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972417A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant