CN104051633A - 有机电致发光器件及其制作方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104051633A
CN104051633A CN201310076760.6A CN201310076760A CN104051633A CN 104051633 A CN104051633 A CN 104051633A CN 201310076760 A CN201310076760 A CN 201310076760A CN 104051633 A CN104051633 A CN 104051633A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
organic electroluminescence
phenyl
dopant
shaped
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310076760.6A
Other languages
English (en)
Inventor
周明杰
王平
冯小明
陈吉星
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd, Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd filed Critical Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Priority to CN201310076760.6A priority Critical patent/CN104051633A/zh
Publication of CN104051633A publication Critical patent/CN104051633A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/381—Metal complexes comprising a group IIB metal element, e.g. comprising cadmium, mercury or zinc
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/865—Intermediate layers comprising a mixture of materials of the adjoining active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/371—Metal complexes comprising a group IB metal element, e.g. comprising copper, gold or silver
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件，包括基板、设于基板上的阳极层以及位于阳极层上的阴极层，此外，有机电致发光器件还包括设在阳极层与阴极层之间的多个有机电致发光单元以及设于相邻有机电致发光单元之间的电荷生成层，有机电致发光单元中设有发光层，电荷生成层包括层叠设置的n型层及p型层，n型层靠近阳极层设置，p型层靠近阴极层设置。该有机电致发光器件通过设置多个有机电致发光单元，并且在相邻的有机电致发光单元之间设置由n型层和p型层构成的电荷生成层，能够提高电荷分离和传输的效率，从而降低整个有机电致发光器件的驱动电流，在同等驱动电流作用下，发光效率更高。

Description

有机电致发光器件及其制作方法
技术领域
本发明涉及电致发光领域，尤其是涉及一种有机电致发光器件及其制作方法。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emission Diode，以下简称OLED)具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件结构设计，已使器件性能的各项指标得到了很大的提升，但传统的驱动发光器件的电流需要较大，器件发光效率较低，限制了其进一步应用。
发明内容
基于此，有必要提供一种驱动电流小、发光效率高的有机电致发光器件及其制作方法。
一种有机电致发光器件，包括基板、设于所述基板上的阳极层以及位于所述阳极层上的阴极层，此外，所述有机电致发光器件还包括设在所述阳极层与所述阴极层之间的多个有机电致发光单元以及设于相邻所述有机电致发光单元之间的电荷生成层，所述有机电致发光单元中设有发光层，所述电荷生成层包括层叠设置的n型层及p型层，所述n型层靠近所述阳极层设置，所述p型层靠近所述阴极层设置；所述p型层包含酞菁铜、酞菁锌或酞菁氧钒与p型层掺杂剂；所述n型层包含2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲与n型层掺杂剂；所述p型层掺杂剂为碘化亚铜、碘化锌、碘化铯或碘化亚锡，所述p型层掺杂剂的质量占所述p型层总质量的百分数为1%～20%；所述n型层掺杂剂为碱金属的碳酸盐、叠氮化盐或硼氢化合物，所述n型层掺杂剂的质量占所述n型层总质量的百分数为5%～30%。
在其中一个实施例中，所述阳极层为透明导电氧化物薄膜。
在其中一个实施例中，所述碳酸盐为碳酸锂（Li2CO3）或碳酸铷（Rb2CO3），所述叠氮化盐为叠氮化铯（CsN3），所述硼氢化合物为硼氢化钾（KBH4）。
在其中一个实施例中，所述有机电致发光单元还包括设在所述发光层一侧的靠近所述阳极层的空穴传输层以及设在所述发光层另一侧的靠近所述阴极层的电子传输层中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述空穴传输层的材料为酞菁锌、酞菁铜、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺。
在其中一个实施例中，所述电子传输层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或1,2,4-三唑衍生物。
在其中一个实施例中，所述发光层的材料为磷光材料掺杂在主体材料中形成的复合材料，其中，所述磷光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱及三（1-苯基-异喹啉）合铱及三（2-苯基吡啶）合铱中的至少一种，所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，所述磷光材料与所述主体材料的质量百分比为1～10%。
在其中一个实施例中，所述发光层的材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或5,6,11,12-四苯基萘并萘。
在其中一个实施例中，所述阴极层包括靠近所述阳极层的氟化锂（LiF）层以及设在所述LiF层上的金属层或金属合金层。
一种有机电致发光器件的制作方法，包括如下步骤：
在真空镀膜系统中，在洁净的基板表面溅射制备阳极层；
在真空镀膜系统中，在所述阳极层表面蒸镀制备多个有机电致发光单元，并在相邻的有机电致发光单元之间依次蒸镀制备由n型层和p型层构成的电荷生成层，其中，所述有机电致发光单元中设有发光层，所述p型层包含酞菁铜、酞菁锌或酞菁氧钒与p型层掺杂剂；所述n型层包含2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲与n型层掺杂剂；所述p型层掺杂剂为碘化亚铜、碘化锌、碘化铯或碘化亚锡，所述p型层掺杂剂的质量占所述p型层总质量的百分数为1%～20%；所述n型层掺杂剂为碱金属的碳酸盐、叠氮化盐或硼氢化合物，所述n型层掺杂剂的质量占所述n型层总质量的百分数为5%～30%；
在真空镀膜系统中，在所述有机电致发光单元表面制备蒸镀制备阴极层。
上述电荷生成层在外加电场的作用下生成电子空穴对，且电子和空穴在电荷生成层发生分离，并且分别向两边的发光区移动，在发光区中与另外相应的空穴和电子复合形成激子，从而实现发光。而电子和空穴的分离效率和移动速率对发光效率至关重要。上述电荷生成层中的p型层和n型层中分别采用了掺杂结构，这种掺杂结构能够提高p型层和n型层的电导率，使得电子和空穴能够快速的分离并移动到发光区。从而上述电荷生成层具有较高的电荷分离效率。由于上述有机电致发光器件含有电荷生成层，从而可以在较低的驱动电流条件下实现较高的电流发光效率和发光亮度。在同样的驱动电流下能够获得呈倍数级增长的电流发光效率和发光亮度，进而延长有机电致发光器件的使用寿命。而且上述有机电致发光器件含有多个有机电致发光结构，多个有机电致发光结构通过电荷生成层串接起来，且多个有机电致发光结构独立发光，而且电流发光效率和发光亮度与有机电致发光结构的个数具有正比关系。因此，上述有机电致发光器件具有较高的电流发光效率和发光亮度以及较长的使用寿命。
上述制备方法，首先于透光基底表面上采用溅射的方法制备阳极层，而后续所有层状结构都是采用热蒸发技术制备的，主要是为了避免损坏有机电致发光结构及电荷生成层，尤其是当有机电致发光结构为两个以上的时候。上述制备方法工艺简单、过程易于控制，合适产业化生产。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为实施例1与对比例1制作的有机电致发光器件的亮度-电流密度特性曲线。
具体实施方式
下面主要结合附图及具体实施例对有机电致发光器件及其制作方法作进一步详细的说明。
如图1所示，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠设置的基板110、阳极层120、第一有机电致发光单元130、电荷生成层140、第二有机电致发光单元150及阴极层160。
基板110为透明材料制作，如透明玻璃等。
阳极层120为透明导电氧化物薄膜，如铟锡氧化物（ITO）薄膜、铟锌氧化物（IZO）薄膜、铝锌氧化物（AZO）薄膜或镓锌氧化物（GZO）薄膜等。阳极层120的厚度在70～200nm之间。
本实施方式的有机电致发光器件100包括两个有机电致发光单元，分别为第一有机电致发光单元130和第二有机电致发光单元150。每个有机电致发光单元中设有发光层以及空穴传输层和电子传输层中的至少一个有机功能层，其中，空穴传输层靠近阳极层120设置、电子传输层靠近阴极层160设置。
发光层的材料为磷光材料掺杂在主体材料中形成的复合材料，其中，磷光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱及三（1-苯基-异喹啉）合铱及三（2-苯基吡啶）合铱中的至少一种。所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺。磷光材料与主体材料的质量百分比为1～10%。。或者发光层的材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi）、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯（DPAVBi）或5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）等单种磷光材料。
空穴传输层的材料为酞菁锌（ZnPc）、酞菁铜（CuPc）、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺（2-TNATA）、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）或4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）。电子传输层的材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）。空穴传输层和电子传输层的厚度在20～60nm之间。
电荷生成层140包括层叠设置的n型层142及p型层144。其中，n型层142靠近阳极层120设置，p型层144靠近阴极层160设置。p型层144包含酞菁铜、酞菁锌或酞菁氧钒（VOPc）与p型层掺杂剂；n型层142包含2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-二唑（PBD）、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）与n型层掺杂剂；p型层144掺杂剂为碘化亚铜（CuI）、碘化锌（ZnI2）、碘化铯（CsI）或碘化亚锡（SnI），p型层144掺杂剂占p型层144的质量的百分数为1%～20%；n型层142掺杂剂为碱金属的碳酸盐、叠氮化盐或硼氢化合物，n型层142掺杂剂的占n型层142的质量的百分数为5%～30%。n型层142及p型层144的厚度在1～10nm之间。优选的，在本实施方式中，碳酸盐为Li2CO3或Rb2CO3，叠氮化盐为CsN3，硼氢化合物为KBH4。
阴极层160包括靠近阳极层的LiF层以及设在LiF层上的金属层或金属合金层，如Ag层、Al层、Mg与Ag的合金层、Mg与Al的合金层等。其中，LiF层的厚度为1nm，金属层或金属合金层的厚度在70～200nm之间。
上述有机电致发光器件100通过设置多个有机电致发光单元，并且在相邻的有机电致发光单元之间设置由n型层142和p型层144构成的电荷生成层140，能够提高电荷分离和传输的效率，从而降低整个有机电致发光器件100的驱动电流，在同等驱动电流作用下，发光效率更高。
本实施方式的有机电致发光器件100包括有两层有机电致发光单元和1层电荷生成层，在其他实施方式中，有机电致发光单元的数量还可以为3个、4个、5个等，相邻的两个有机电致发光单元之间设置电荷生成层。且多个有接电致发光单元发射的光色可以相同也可以不同。
此外，本实施方式还提供了一种有机电致发光器件的制作方法，包括如下步骤：
步骤一：在真空镀膜系统中，在洁净的基板表面溅射制备阳极层。
基板采用透明材料制作，如透明玻璃等。
阳极层为透明导电氧化物薄膜，如铟锡氧化物（ITO）薄膜、铟锌氧化物（IZO）薄膜、铝锌氧化物（AZO）薄膜或镓锌氧化物（GZO）薄膜等。制备的阳极层的厚度在70～200nm之间。
步骤二：在真空镀膜系统中，在阳极层表面蒸镀制备多个有机电致发光单元，并在相邻的有机电致发光单元之间依次蒸镀制备由n型层和p型层构成的电荷生成层，其中，有机电致发光单元中设有发光层。
在本实施方式中，有机电致发光单元的数量为两个，分别为第一有机电致发光单元和第二有机电致发光单元。每个有机电致发光单元中设有发光层以及空穴传输层和电子传输层中的至少一个有机功能层，其中，空穴传输层靠近阳极层设置、电子传输层远离阳极层设置。
发光层的材料为磷光材料掺杂在主体材料中形成的复合材料，其中，所述磷光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱及三（1-苯基-异喹啉）合铱及三（2-苯基吡啶）合铱中的至少一种。主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺。磷光材料与主体材料的质量百分比为1～10%。。或者发光层的材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或5,6,11,12-四苯基萘并萘等单种磷光材料。
空穴传输层的材料为酞菁锌（ZnPc）、酞菁铜（CuPc）、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺（2-TNATA）、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）或4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）。电子传输层的材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）。空穴传输层和电子传输层的厚度在20～60nm之间。
n型层靠近阳极层设置，p型层远离阳极层设置。p型层包含酞菁铜、酞菁锌或酞菁氧钒与p型层掺杂剂；n型层包含2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲与n型层掺杂剂；p型层掺杂剂为碘化亚铜、碘化锌、碘化铯或碘化亚锡，p型层的掺杂剂占p型层的质量的百分数为1%～20%；n型层掺杂剂为碱金属的碳酸盐、叠氮化盐或硼氢化合物，n型层的掺杂剂的占n型层的质量的百分数为5%～30%。n型层及p型层的厚度在1～10nm之间。优选的，在本实施方式中，碳酸盐为Li2CO3或Rb2CO3，叠氮化盐为CsN3，硼氢化合物为KBH4。
步骤三：在真空镀膜系统中，在有机电致发光单元表面制备蒸镀制备阴极层，得到具有上述结构的有机电致发光器件。
阴极层包括靠近阳极层的LiF层以及设在LiF层上的金属层或金属合金层，如Ag层、Al层、Mg与Ag的合金层、Mg与Al的合金层等。其中，LiF层的厚度为1nm，金属层或金属合金层的厚度在70～200nm之间。
上述制备方法步骤简单，对设备要求低，可以广泛推广应用。
以下为具体实施例及对比例1部分，其中，“/”表示层叠，“：”表示前者掺杂在后者中形成复合材料。
实施例1
将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干，备用。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜系统中，于上述透明玻璃上溅射制备得到厚度为100nm的ITO阳极层。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜系统中，于上述ITO阳极层表面上采用热蒸发技术制备得到依次层叠的第一有机电致发光结构、n型层、p型层、第二有机电致发光结构、厚度为1nm的LiF层以及厚度为100nm的Ag层。
其中，第一有机电致发光结构包括依次层叠的厚度为30nm的NPB空穴传输层、厚度为1nm的DCJTB与Alq3的混合发光层（DCJTB与Alq3的质量百分比为1%）以及厚度为30nm的Bphen电子传输层，具体可表示为NPB(30nm)/DCJTB:Alq3(1%,1nm)/Bphen(30nm)。
n型层为Li2CO3掺杂BCP，厚度为10nm，Li2CO3的质量为n型层的质量5%；p型层为CuI:掺杂CuPc，厚度为4nm，CuI的质量为p型层的质量5%。
第二有机电致发光结构包括依次层叠的厚度为30nm的NPB空穴传输层、厚度为1nm的DCJTB与Alq3的混合发光层（DCJTB与Alq3的质量百分比为1%）以及厚度为30nm的Bphen电子传输层，具体可表示为：NPB(30nm)/DCJTB:Alq3(1%,1nm)/Bphen(30nm)。
上述有机电致发光器件的结构表示为：透明玻璃/ITO(100nm)/NPB(30nm)/DCJTB:Alq3(1%,1nm)/Bphen(30nm)/Li2CO3:BCP(5%,10nm)/CuI:CuPc(5%,4nm)/NPB(30nm)/DCJTB:Alq3(1%,1nm)/Bphen(30nm)/LiF(1nm)/Ag(100nm)。
实施例2
将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干，备用。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜系统中，于上述透明玻璃上溅射制备得到70nm的AZO阳极层。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜系统中，于上述AZO阳极层表面上采用热蒸发技术制备得到依次层叠的第一有机电致发光结构、n型层、p型层、第二有机电致发光结构、厚度为1nm的LiF层以及厚度为70nm的Al层。
其中，第一有机电致发光结构包括依次层叠的厚度为60nm的2-TNATA空穴传输层、厚度为10nm的DPVBi发光层以及厚度为60nm的BCP电子传输层，具体可表示为：2-TNATA(60nm)/DPVBi(10nm)/BCP(60nm)。
n型层为KBH4掺杂PBD，厚度为20nm，KBH4的质量为n型层的质量30%；p型层为ZnI2掺杂ZnPc，厚度为20nm，ZnI2的质量为p型层的质量2%。
第二有机电致发光结构包括依次层叠的厚度为60nm的NPB空穴传输层、厚度为12nm的Ir(piq)3与CBP的混合发光层（Ir(piq)3与CBP的质量百分比为8%）以及厚度为60nm的TPBi电子传输层，具体可表示为：NPB(60nm)/Ir(piq)3:CBP(8%,12nm)/TPBi(60nm)。
上述有机电致发光器件的结构表示为：玻璃基板/AZO(70nm)/2-TNATA(60nm)/DPVBi(10nm)/BCP(60nm)/KBH4:PBD(30%,20nm)/ZnI2:ZnPc(20%,20nm)/NPB(60nm)/Ir(piq)3:CBP(8%,12nm)/TPBi(60nm)/LiF(1nm)/Al(70nm)。
实施例3
将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干，备用。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜系统中，于上述透明玻璃上溅射制备得到200nm的GZO阳极层。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜系统中，于上述GZO阳极层表面上采用热蒸发技术制备得到依次层叠的第一有机电致发光结构、n型层、p型层、第二有机电致发光结构、厚度为1nm的LiF层以及厚度为200nm的镁铝合金层。
其中，第一有机电致发光结构包括依次层叠的厚度为30nm的m-MTDATA空穴传输层、厚度为15nm的FIr6与CBP的混合发光层（FIr6与CBP的质量百分比为10%）以及厚度为30nm的BPC电子传输层，具体可表示为：m-MTDATA(30nm)/FIr6:CBP(10%,15nm)/BCP(30nm)。
n型层为Rb2CO3掺杂Bphen，厚度为5nm，Rb2CO3的质量为n型层的质量10%；p型层为SnI2掺杂VOPc，厚度为10nm，SnI2的质量为p型层的质量5%。
第二有机电致发光结构包括依次层叠的厚度为30nm的m-MTDATA空穴传输层、厚度为15nm的Ir(ppy)3与CBP的混合发光层（Ir(ppy)3与CBP的质量百分比为10%）以及厚度为30nm的Bphen电子传输层，具体可表示为：m-MTDATA(30nm)/Ir(ppy)3:CBP(10%,15nm)/BPhen(30nm)。
上述有机电致发光器件的结构表示为：玻璃基板/GZO(200nm)/m-MTDATA(30nm)/FIr6:CBP(10%,15nm)/BCP(30nm)/Rb2CO3:BPhen(10%,5nm)/SnI2:VOPc(5%,10nm)/m-MTDATA(30nm)/Ir(ppy)3:CBP(10%,15nm)/BPhen(30nm)/LiF(1nm)/Al-Mg(200nm)。
实施例4
将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干，备用。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜系统中，于上述透明玻璃上溅射制备得到100nm的IZO阳极层。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜系统中，于上述IZO阳极层表面上采用热蒸发技术制备得到依次层叠的第一有机电致发光结构，n型层，p型层、第二有机电致发光结构、厚度为1nm的LiF层以及厚度为120nm的镁银合金层。
其中，第一有机电致发光结构包括依次层叠的厚度为40nm的CuPc空穴传输层、厚度为20nm的r(MDQ)2(acac)与NPB的混合发光层（r(MDQ)2(acac)与NPB的质量百分比为8%）以及厚度为40nm的/BCP电子传输层，具体可表示为：CuPc(40nm)/Ir(MDQ)2(acac):NPB(8%,20nm)/BCP(40nm)。
n型层为CsN3掺杂TPBi，厚度为10nm，CsN3的质量为n型层的质量15%；p型层为CsI掺杂CuPc，厚度为8nm，CsI的质量为p型层的质量2%。
第二有机电致发光结构包括依次层叠的厚度为40nm的ZnPc空穴传输层、厚度为10nm的rubrene发光层以及厚度为40nm的Bphen电子传输层，具体可表示为：ZnPc(40nm)/rubrene(10nm)/Bphen(40nm)。
上述有机电致发光器件的结构表示为：玻璃基板/IZO(100nm)/CuPc(40nm)/Ir(MDQ)2(acac):NPB(8%,20nm)/BCP(40nm)/CsN3:TPBi(15%,10nm)/CsI:CuPc(2%,8nm)/ZnPc(40nm)/rubrene(10nm)/Bphen(40nm)/LiF(1nm)/Ag-Mg(120nm)。
对比例1
将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干，备用。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜系统中，于上述透明玻璃上溅射制备得到100nm的ITO阳极层。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜系统中，于上述ITO阳极层表面上采用热蒸发技术制备得到依次层叠厚度为30nm的NPB空穴传输层、厚度为1nm的DCJTB与Alq3的混合发光层（DCJTB与Alq3的质量百分比为1%）、厚度为30nm的Bphen电子传输层、厚度为1nm的LiF层以及厚度为100nm的Ag层。
上述有机电致发光器件的结构表示为：玻璃基板/ITO(100nm)/NPB(30nm)/DCJTB:Alq3(1%,1nm)/Bphen(30nm)/LiF(1nm)/Ag(100nm)。
性能检测
表1是实施例1-4所制作的有机电致发光器件以及对比例1所制作的发光器件的发光性能数据。从表中可以看出，本发明提供的方法制作的有机电致发光器件与普通的发光器件（不含电荷生成层）相比，由于采用了电荷生成层，使电子和空穴在电场的作用下在电荷生成层中发生分离，并分别向两个发光区移动，从而在相同的驱动电流条件下可以获得更高的发光效率。
表1
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 对比例1
发光效率(cd/A) 20.4 18.6 15.5 21.3 11.5
图2为在相同的实验条件下，获得的实施例1与对比例1所制作的有机电致发光器件的亮度-电流密度特性曲线图。图2表明，在相同的驱动电流条件下，由于实施例1所制作的有机电致发光器件的电荷生成层产生了电荷分离，在两个发光区内，均能获得相同的注入电子和空穴，因此在相同的驱动电流下，其亮度明显提高。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括基板、设于所述基板上的阳极层以及位于所述阳极层上的阴极层，其特征在于，所述有机电致发光器件还包括设在所述阳极层与所述阴极层之间的多个有机电致发光单元以及设于相邻所述有机电致发光单元之间的电荷生成层，所述有机电致发光单元中设有发光层，所述电荷生成层包括层叠设置的n型层及p型层，所述n型层靠近所述阳极层设置，所述p型层靠近所述阴极层设置；所述p型层包含酞菁铜、酞菁锌或酞菁氧钒与p型层掺杂剂；所述n型层包含2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲与n型层掺杂剂；所述p型层掺杂剂为碘化亚铜、碘化锌、碘化铯或碘化亚锡，所述p型层掺杂剂的质量占所述p型层总质量的百分数为1%～20%；所述n型层掺杂剂为碱金属的碳酸盐、叠氮化盐或硼氢化合物，所述n型层掺杂剂的质量占所述n型层总质量的百分数为5%～30%。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极层为透明导电氧化物薄膜。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述碳酸盐为碳酸锂或碳酸铷，所述叠氮化盐为叠氮化铯，所述硼氢化合物为硼氢化钾。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光单元还包括设在所述发光层一侧的靠近所述阳极层的空穴传输层以及设在所述发光层另一侧的靠近所述阴极层的电子传输层中的至少一种。
5.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料为酞菁锌、酞菁铜、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺。
6.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或1,2,4-三唑衍生物。
7.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为磷光材料掺杂在主体材料中形成的复合材料，其中，所述磷光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱及三（1-苯基-异喹啉）合铱及三（2-苯基吡啶）合铱中的至少一种，所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，所述磷光材料与所述主体材料的质量百分比为1～10%。
8.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或5,6,11,12-四苯基萘并萘。
9.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层包括靠近所述阳极层的氟化锂层以及设在所述氟化锂层上的金属层或金属合金层。
10.一种有机电致发光器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在真空镀膜系统中，在洁净的基板表面溅射制备阳极层；
在真空镀膜系统中，在所述阳极层表面蒸镀制备多个有机电致发光单元，并在相邻的有机电致发光单元之间依次蒸镀制备由n型层和p型层构成的电荷生成层，其中，所述有机电致发光单元中设有发光层，所述p型层包含酞菁铜、酞菁锌或酞菁氧钒与p型层掺杂剂，所述n型层包含2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲与n型层掺杂剂，所述p型层掺杂剂为碘化亚铜、碘化锌、碘化铯或碘化亚锡，所述p型层掺杂剂的质量占所述p型层总质量的百分数为1%～20%；所述n型层掺杂剂为碱金属的碳酸盐、叠氮化盐或硼氢化合物，所述n型层掺杂剂的质量占所述n型层总质量的百分数为5%～30%；
在真空镀膜系统中，在所述有机电致发光单元表面制备蒸镀制备阴极层。
CN201310076760.6A 2013-03-11 2013-03-11 有机电致发光器件及其制作方法 Pending CN104051633A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310076760.6A CN104051633A (zh) 2013-03-11 2013-03-11 有机电致发光器件及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310076760.6A CN104051633A (zh) 2013-03-11 2013-03-11 有机电致发光器件及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104051633A true CN104051633A (zh) 2014-09-17

Family

ID=51504232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310076760.6A Pending CN104051633A (zh) 2013-03-11 2013-03-11 有机电致发光器件及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104051633A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105655370A (zh) * 2014-12-02 2016-06-08 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1438828A (zh) * 2002-02-15 2003-08-27 伊斯曼柯达公司 具有层叠的场致发光单元的有机场致发光器件
US20030222061A1 (en) * 2002-05-03 2003-12-04 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elektrische Gluehlampen Mbh Process for encapsulating a component made of organic semiconductors
CN101000747A (zh) * 2006-01-13 2007-07-18 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN101432389A (zh) * 2006-04-27 2009-05-13 东洋油墨制造株式会社 有机电致发光元件用材料和有机电致发光元件

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1438828A (zh) * 2002-02-15 2003-08-27 伊斯曼柯达公司 具有层叠的场致发光单元的有机场致发光器件
US20030222061A1 (en) * 2002-05-03 2003-12-04 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elektrische Gluehlampen Mbh Process for encapsulating a component made of organic semiconductors
CN101000747A (zh) * 2006-01-13 2007-07-18 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN101432389A (zh) * 2006-04-27 2009-05-13 东洋油墨制造株式会社 有机电致发光元件用材料和有机电致发光元件

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105655370A (zh) * 2014-12-02 2016-06-08 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103730589A (zh) 顶发射有机电致发光器件及其制备方法
CN104051655A (zh) 倒置型有机电致发光器件及其制作方法
CN103730579A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104681724A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104051653A (zh) 倒置型有机电致发光器件及其制备方法
CN104218156A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104576954A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104051633A (zh) 有机电致发光器件及其制作方法
CN104681739A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104681728A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104183713A (zh) 顶发射有机电致发光器件及其制备方法
CN104183761A (zh) 倒置有机电致发光器件及其制备方法
CN104576943A (zh) 有机电致发光装置及其制备方法
CN104218157A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104183733A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104183763A (zh) 倒置有机电致发光装置及其制备方法和应用
CN103855311A (zh) 有机电致发光装置及其制备方法
CN104183712A (zh) 有机电致发光装置、显示屏及其终端
CN104218166A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104051654A (zh) 有机电致发光器件及其制作方法
CN103928631A (zh) 一种有机电致发光装置及其制备方法
CN103594660A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104051634A (zh) 有机电致发光装置及其制备方法
CN104183719A (zh) 倒置有机电致发光器件及其制备方法
CN104218168A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140917