CN104681739A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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CN104681739A CN201310631633.8A CN201310631633A CN104681739A CN 104681739 A CN104681739 A CN 104681739A CN 201310631633 A CN201310631633 A CN 201310631633A CN 104681739 A CN104681739 A CN 104681739A
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冯小明
张娟娟
王平
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Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件，该器件包括依次层叠的基板、阳极层、有机电致发光单元及覆盖有封装薄膜的阴极层；所述有机电致发光单元包括依次层叠设于阳极层表面上的空穴传输层、发光层及电子传输层。本发明提供的有机电致发光器件，在阳极层与基板之间设置了一个光匹配层，该光匹配层采用折射率介于基板与阳极氧化物之间的一系列材料，这些材料（如MgO）的折射率比基板高，比阳极层低，因此光线在通过阳极层与MgO层时，产生的全反射临界角较大，增加了光输出率，进而提高了发光效率和发光亮度。此外，本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light Emission Diode)，以下简称OLED，具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
采用柔性OLED发光装置的优点在于，其具有挠曲性和轻便性，但是OLED发光装置也存在一些问题，例如通常采用ITO薄膜作为阳极，但是ITO需要采用稀有金属铟材料，价格较为昂贵，并且其通常需要采用较高的溅射温度才能制备出高导电性的薄膜，对于柔性器件而言，这是不利的。目前，为了取代ITO薄膜，许多研究者开发了DMD结构的阳极，即介质/金属/介质形态的阳极，典型的结构如WO3/Ag/WO3结构，这类阳极可以采用蒸发工艺制备成膜，因此适用于制备柔性电极。但是对于OLED发光器件而言，由于需要考虑光线从阳极向基底的传输，而WO3的折射率一般在1.95，但是柔性薄膜PET的折射率一般在1.6左右，两者之间的折射率相差太大，导致光出射会产生全反射的现象，使光提取效率降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有机电致发光器件，用于解决现有技术中OLED器件光提取效率降低，制作成本高、难度大的问题。
本发明的目的还在于提供一种有机电致发光器件的制备方法，用于制备上述有机电致发光器件。
为达成上述目的，本发明的一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、光匹配层、阳极层、有机电致发光单元及阴极层；所述有机电致发光单元包括依次层叠设于阳极层表面上的空穴传输层、发光层及电子传输层；所述光匹配层包括多个折射率沿基板到阳极方向梯度递增且层叠排列的透光材料层；所述光匹配层的材质为氧化镁（MgO）、三氧化二铝（Al2O3）、一氧化硅（SiO）、一氧化钍（ThO）或一氧化铍（BeO）；所述光匹配层的厚度为80-200nm，每个所述透光材料层的厚度为40-100nm。
所述阳极层包括依次层叠的介质层、金属层和介质层，所述介质层的厚度为40-80nm，所述金属层的厚度为15-30nm；所述金属层的材质为银（Ag）、镁（Mg）、铝（Al）或金（Au）等导电金属；所述介质层的材质相同，为三氧化钨（WO3）、三氧化钼（MoO3）或硫化锌（Zn S）等具有空穴注入性能，且透光性好的材料。
所述的有机电致发光器件，其中，所述光匹配层包括2-3层透光材料，其折射率介于1.6-1.9之间，MgO（1.73）、Al2O3（1.77）、SiO（1.6）、ThO（1.75）、BeO（1.72），括号内为折射率。
所述的有机电致发光器件，其中，所述空穴传输层的材质选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)；所述空穴传输层的厚度为20～60nm。
所述的有机电致发光器件，其中，所述电子传输层的材质选自4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)；所述电子传输层的厚度为20～40nm。
所述的有机电致发光器件，其中，所述发光层的材质为发光材料、或者由主体材料掺杂相同或不同的所述发光材料组成的掺杂混合材料；在所述掺杂混合材料中，所述发光材料占所述主体材料的重量百分比为5wt%～30wt%；所述发光层的厚度为5～30nm。
所述发光材料为荧光材料或磷光材料；其中：
所述荧光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、二甲基喹吖啶酮（DMQA）、5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545T)、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi）、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)或4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)中的任意一种或几种。
所述磷光材料选自双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱(FCNIrpic)、二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱（FIrN4）、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(piq)2(acac)）、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)中的一种或几种。
所述主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中的任意一种。
所述的有机电致发光器件，其中，所述阴极层材质为Ag或Al、厚度为70-200nm。
所述的有机电致发光器件，其中，所述基板为聚合物透明薄膜，通常包括PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂)薄膜、PES(聚醚砜树脂)薄膜、PC（聚碳酸酯）薄膜和PI（聚酰亚胺树脂）薄膜等材料，厚度为0.1-0.5mm。
本发明的一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
提供基板，洗净、干燥，备用；
采用电子束蒸发技术在所述基板上制备光匹配层；
采用真空蒸镀技术，在所述光匹配层上依次层叠制备介质层、金属层和介质层，即制得阳极层；
采用真空蒸镀技术，在所述阳极层表面上依次层叠蒸镀空穴传输层、发光层及电子传输层，完成后获得有机电致发光单元；
采用真空蒸镀技术，在所述电子传输层上蒸镀阴极层；
待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件。
所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述介质层的厚度为40-80nm，所述金属层的厚度为15-30nm；所述金属层的材质为Ag、Mg、Al或Au等导电金属；所述介质层的材质相同，为WO3、MoO3或ZnS等具有空穴注入性能，且透光性好的材料。
所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述光匹配层包括多个折射率沿基板到阳极方向梯度递增且层叠排列的透光材料层；所述光匹配层的材质为MgO、Al2O3、SiO、ThO或BeO；所述光匹配层的厚度为80-200nm，每个所述透光材料层的厚度为40-100nm。
所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述光匹配层包括2-3层透光材料，其折射率介于1.6-1.9之间，MgO（1.73）、Al2O3（1.77）、SiO（1.6）、ThO（1.75）、BeO（1.72），括号内为折射率。
所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述空穴传输层的材质选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)；所述空穴传输层的厚度为20～60nm。
所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述电子传输层的材质选自4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)；所述电子传输层的厚度为20～40nm。
所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述发光层的材质为发光材料、或者由主体材料掺杂相同或不同的所述发光材料组成的掺杂混合材料；在所述掺杂混合材料中，所述发光材料占所述主体材料的重量百分比为5wt%～30wt%；所述发光层的厚度为5～30nm。
所述发光材料为荧光材料或磷光材料；其中：
所述荧光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、二甲基喹吖啶酮（DMQA）、5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545T)、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi）、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)或4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)中的任意一种或几种。
所述磷光材料选自双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱(FCNIrpic)、二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱（FIrN4）、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(piq)2(acac)）、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)中的一种或几种。
所述主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中的任意一种。
所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述阴极层材质为Ag或Al、厚度为70-200nm。
所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述基板为聚合物透明薄膜，通常包括PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂)薄膜、PES(聚醚砜树脂)薄膜、PC（聚碳酸酯）薄膜和PI（聚酰亚胺树脂）薄膜等材料，厚度为0.1-0.5mm。
制备所述光匹配层和所述阳极层时的蒸发速度为0.1-1nm/s；在制备有机电致发光单元时，所述空穴传输层的蒸发速度为0.1-1nm/s，所述空穴传输层的蒸发速度为0.01-1nm/s，所述电子传输层的蒸发速度为0.1-1nm/s；制备所述阴极层时的蒸发速度为0.01-1nm/s。
所述真空蒸镀和真空蒸发技术的真空度均为1×10-5～1×10-3Pa。
综上所述，本发明的一种有机电致发光器件具有以下优点：本发明提供的有机电致发光器为了解决DMD阳极结构（即介质/金属/介质结构，典型的如WO3/Ag/WO3，MoO3/Al/MoO3）产生的光提取问题，在阳极与基板之间设置了一个光匹配层。该光匹配层采用折射率介于基板与DMD阳极氧化物之间的一系列材料，这一系列材料的（如MgO）的折射率比基板高，比阳极低，因此光线在通过阳极与MgO层时，产生的全反射临界角，比不加MgO层相比增大很多，因此光线被全反射的量减少，而出射的量增大。因此本发明的机电致发光器件，通过逐层降低折射率，将全反射的临界角不断增大，增加了光输出率，进而提高了发光效率和发光亮度。
附图说明
图1为本发明的有机电致发光器件的结构示意图。
图2为本发明的实施例1和对比例1所制备的有机电致发光器件的亮度-电流密度特性曲线。
其中，附图标记说明如下：
100  有机电致发光器件
110  （PET、PES、PI）基板
120  光匹配层
130  阳极层
140  有机电致发光单元
150  阴极层
具体实施方式
以下参考附图1～2，对本发明的一种有机电致发光器件及其制备方法予以进一步地详尽阐述。
如图1所示，该有机电致发光器件1包括：基板110、光匹配层120、阳极层130、有机电致发光单元140和阴极层150。
其中，光匹配层120包括多个折射率沿基板到阳极方向梯度递增且层叠排列的透光材料层。阳极层130包括依次层叠的介质层、金属层和介质层。有机电致发光单元140包括依次层叠设于阳极层130表面上的空穴传输层、发光层及电子传输层。
以下结合实施例1～3对本发明的有机电致发光器件100及其制备方法作具体说明，由于实施例1～3的有机电致发光器件的层叠结构基本相同，仅采用的材质不同，而对比例1也仅少光匹配层，故实施例1～3与对比例1的有机电致发光器件均以图1予以说明：
实施例1
本实施例的有机电致发光器件的结构为：PET基板/SiO/MgO/WO3/Ag/WO3/NPB/Ir(MDQ)2(acac):CBP（10:100）/Bphen/Al。
该实施例的有机电致发光器件100的制备方法包括以下步骤：
提供一PET基板110，厚度为0.1mm，洗净干燥后备用；
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，在PET基板110的一个表面上采用电子束蒸发制备光匹配层120：首先制备SiO层，厚度为40nm，然后在SiO层上制备MgO层，厚度为40nm，电子束蒸发速度均为0.1nm/s；
采用真空蒸镀技术在光匹配层120表面上采用热阻蒸发制备阳极层130：首先制备WO3层，厚度为40nm，然后在WO3层上蒸发制备金属Ag层，厚度18nm，最后在金属Ag层上蒸发制备WO3层，厚度40nm，蒸发速度均为0.1nm/s。
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，在WO3层上制备一层有机电致发光单元140：
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，在WO3层上制备一层厚度为20nm的空穴传输层，所用材质为NPB，NPB的蒸发速度为0.1nm/s；
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在空穴传输层表面上制备一层厚度为30nm的发光层，其为Ir(MDQ)2(acac)掺杂的CBP，表示为：Ir(MDQ)2(acac):CBP，Ir(MDQ)2(acac)与CBP的重量百分比为10:100，其中，Ir(MDQ)2(acac)的蒸发速度为0.1nm/s，CBP的蒸发速度为1nm/s；
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在发光层表面上制备一层厚度为10nm的电子传输层，所用材质为Bphen，Bphen的蒸发速度为0.1nm/s。
采用真空蒸发技术在电子传输层表面上制备阴极层150，材质为金属Al，厚度为70nm，其中Al的蒸发速度为0.1nm/s；
待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件100。
实施例2
本实施例的有机电致发光器件的结构为：PES基板/SiO/BeO/Al2O3/MoO3/Al/MoO3/MeO-TPD/DCJTB:Alq3（5:100）/TPBi/Ag。
该实施例的有机电致发光器件100的制备方法包括以下步骤：
提供一PES基板110，厚度为0.5mm，洗净干燥后备用；
在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，在PES基板110表面采用电子束蒸发制备光匹配层120：首先制备SiO层，厚度为40nm，然后在SiO层上制备BeO层，厚度为40nm，最后制备Al2O3层，厚度为40nm，电子束蒸发速度均为0.5nm/s；
在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，在光匹配层120表面采用热阻蒸发制备阳极层130：首先制备MoO3层，厚度为80nm，然后在MoO3层上制备金属Al层，厚度30nm，最后在金属Al层上制备MoO3层，厚度80nm，蒸发速度均为1nm/s；
在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，在MoO3层上制备一层有机电致发光单元140：
在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，在阳极层130表面制备空穴传输层，材料为MeO-TPD，厚度为60nm，蒸发速度为1nm/s；
在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在空穴传输层表面制备发光层，其为DCJTB掺杂的Alq3，表示为：DCJTB：Alq3，DCJTB与Alq3的质量比为5:100，DCJTB的蒸镀速率为0.05nm/s，Alq3的蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为5nm；
在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在发光层表面制备电子传输层，材质为TPBi，厚度为20nm，蒸发速度为1nm/s。
在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸发技术在电子传输层上制备阴极层150，材质为金属Ag，厚度为200nm，Ag的蒸发速度为1nm/s。
待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件100。
实施例3
本实施例的有机电致发光器件的结构为：PI基板/SiO/ThO/ReO3/Au/ReO3/TPD/FIrpic:CBP（15:100）/BCP/Ag。
该实施例的有机电致发光器件100的制备方法包括以下步骤：
提供一PI基板110，厚度为0.2mm，洗净干燥后备用；
在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在基板110表面采用电子束蒸发制备光匹配层120：首先制备SiO层，厚度为100nm，然后在SiO层上制备ThO层，厚度为100nm，电子束蒸发速度均为1nm/s；
在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在光匹配层120表面采用热阻蒸发制备阳极层130：首先制备ReO3层，厚度为60nm，然后在ReO3层上制备金属Au层，厚度20nm，最后在金属Au层上制备ReO3层，厚度60nm，蒸发速度均为0.5nm/s；
在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在ReO3层上制备一层有机电致发光单元140：
在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在阳极层130表面制备空穴传输层，材料为TPD，厚度为50nm，TPD的蒸发速度为1nm/s；
在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在空穴传输层表面制备发光层，所用材质为FIrpic掺杂的CBP，表示为：FIrpic:CBP，发光层的厚度为15nm。其中FIrpic与CBP的质量比为15:100，FIrpic的蒸发速度为0.15nm/s，CBP的蒸发速度为1nm/s；
在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在发光层表面制备电子传输层，材质为BCP，厚度为15nm，蒸发速度为0.5nm/s；
在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸发技术在电子传输层上制备阴极层150，材质为制备金属Ag层，厚度为100nm，其中Ag的蒸发速度为0.5nm/s；
待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件100。
在本发明的另一实施例中，发光层的掺杂混合材料中的发光材料还可以用荧光材料中的5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545T)、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)、或者磷光材料中的双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱(FCNIrpic)、二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱（FIrN4）、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(piq)2(acac)）、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）、三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)中的一种或几种替代；主体材料还可以用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中的一种或几种替代。对比例1
取消实施例1、2、3所制备的有机电致发光器件的光匹配层，即本对比例1的有机电致发光器件,结构为：PET基板/WO3/Ag/WO3/NPB/Ir(MDQ)2(acac):NPB(10:100)/Bphen/Al。
上述有机电致发光器件制备方法包括以下步骤：
提供PET基板，并清洗干净，厚度为0.1mm；
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，在基板表面采用热阻蒸发制备阳极层，首先热阻蒸发制备WO3层，厚度为40nm，然后热阻蒸发制备金属Ag层，厚度18nm，最后热阻蒸发制备WO3层，厚度40nm，蒸发速度均为0.1nm/s；
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，在DMD阳极表面制备空穴传输层，材质为NPB，厚度为20nm，NPB的蒸发速度为0.1nm/s；
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在空穴传输层表面制备红光发光层，其为Ir(MDQ)2(acac)掺杂的NPB，表示为：Ir(MDQ)2(acac)：NPB，Ir(MDQ)2(acac)与NPB的质量比为10:100，发光层的厚度为10nm。其中Ir(MDQ)2(acac)的蒸发速度为0.1nm/s，NPB的蒸发速度为1nm/s；
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在发光层表面制备电子传输层，材质为Bphen，厚度为20nm，蒸发速度为0.1nm/s；
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在电子传输层上制备阴极层，所述阴极层选自金属Al，厚度为70nm，金属的蒸发速度为1nm/s。
将实施例和对比例1的发光器件进行测试比较，测试发光亮度，发光效率是在6V的驱动电压下进行的。
表1是得到的测试结果，从表中可以看出，采用了本发明方案后，其发光亮度显著提高了，伴随着发光效率也得到了显著提高，与各个实施例相比，本发明提供的实施例1相比对比例1，其亮度增加了67%，而流明效率提高了63%。
图2则是实施例1所制作的有机电致发光器件与对比例1制作的有机电致发光器件的亮度-电流密度特性曲线，在相同的驱动电流下，由于实施例1的光提取效率要高，因此能够得到更高的亮度。例如在驱动电流为65mA/cm2的时候，实施例1获得的亮度达到了7854cd/m2，而对比例1则只有4684cd/m2，亮度提高了67%。
表1
发光亮度（cd/m2） 流明效率（lm/W）
实施例1 7854 19.2
实施例2 7154 16.2
实施例3 6024 14.1
对比例1 4684 11.8
上述内容，仅为本发明的较佳实施例，并非用于限制本发明的实施方案，本领域普通技术人员根据本发明的主要构思和精神，可以十分方便地进行相应的变通或修改，故本发明的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、光匹配层、阳极层、有机电致发光单元及阴极层；所述有机电致发光单元包括依次层叠设于阳极层表面上的空穴传输层、发光层及电子传输层；其特征在于，
所述光匹配层包括多个折射率沿基板到阳极方向梯度递增且层叠排列的透光材料层；所述光匹配层的材质为氧化镁、三氧化二铝、一氧化硅、一氧化钍或一氧化铍；所述光匹配层的厚度为80-200nm，每个所述透光材料层的厚度为40-100nm；
所述阳极层包括依次层叠的介质层、金属层和介质层，所述介质层的厚度为40-80nm，所述金属层的厚度为15-30nm；所述金属层的材质为银、镁、铝或金；所述介质层的材质相同，均为三氧化钨、三氧化钼或硫化锌。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯；所述空穴传输层的厚度为20~60nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材质选自4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲；所述电子传输层的厚度为20~40nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为发光材料、或者由主体材料掺杂相同或不同的所述发光材料组成的掺杂混合材料；在所述掺杂混合材料中，所述发光材料占所述主体材料的重量百分比为5wt%~30wt%；所述发光层的厚度为5~30nm。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，
所述发光材料为荧光材料或磷光材料；其中：
所述荧光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、5,6,11,12-四苯基萘并萘、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯中的任意一种或几种；
所述磷光材料选自双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱、二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱及三（2-苯基吡啶）合铱中的任意一种或几种；
所述主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层材质为Ag或Al、厚度为70-200nm。
7.根据权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于，所述基板为聚合物透明薄膜，厚度为0.1-0.5mm。
8.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基板，洗净、干燥，备用；
采用电子束蒸发技术在所述基板上制备光匹配层；
采用真空蒸镀技术，在所述光匹配层上依次层叠制备介质层、金属层和介质层，即制得阳极层；
采用真空蒸镀技术，在所述阳极层表面上依次层叠蒸镀空穴传输层、发光层及电子传输层，完成后获得有机电致发光单元；
采用真空蒸镀技术，在所述电子传输层上蒸镀阴极层；
待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件。
9.根据权利要求8所述的一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，制备所述光匹配层和所述阳极层时的蒸发速度为0.1-1nm/s；在制备有机电致发光单元时，所述空穴传输层的蒸发速度为0.1-1nm/s，所述空穴传输层的蒸发速度为0.01-1nm/s，所述电子传输层的蒸发速度为0.1-1nm/s；制备所述阴极层时的蒸发速度为0.01-1nm/s。
10.根据权利要求8的一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述真空蒸镀和真空蒸发的真空度均为1×10-5~1×10-3Pa。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN107235469A (zh) * 2016-03-29 2017-10-10 财团法人工业技术研究院 电子装置封装和其封装方法
CN111180500A (zh) * 2020-02-26 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 显示用基板及电致发光显示装置
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