CN104681727A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件，该器件包括依次层叠的基板、阳极层、有机电致发光单元及阴极层；所述有机电致发光单元包括依次层叠设于阳极层表面上的空穴传输层、发光层及电子传输层；所述阴极层包括依次层叠的第一六硼化镧层、金属层以及第二六硼化镧层；所述第一、第二六硼化镧层的厚度均为40-80nm；所述金属层的厚度为18-30nm。本发明提供的有机电致发光器件采用了一个新型阴极层，其类似于一种DMD结构，即介质/金属/介质结构，利用DMD结构中的干涉相消原理，提高电极的透过率，进而提高器件的发光效率。此外，本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及有机电致发光器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件(Organic Light Emission Diode)，以下简称OLED，具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。

现有技术的OLED发光装置，其发光方向可以从顶部或者底部两个出光面发射，通常而言，这取决于阴极或者阳极的透过率。通常而言，阳极可以采用ITO导电薄膜或者金属材料，其透过率从0%-95%之间可调，调节度高。而阴极则不然，由于阴极需要考虑功函因素，通常采用金属材料，其透过率只能在0-60%之间变化，调节度低。如果需要制备高亮度的双面发光均匀的OLED发光装置，显然采用金属阴极难以实现这一目的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种有机电致发光器件，用于解决现有技术中OLED器件难以实现高亮度双面均匀发光的问题。

本发明的目的还在于提供一种有机电致发光器件的制备方法，用于制备上述有机电致发光器件。

为达成上述目的，本发明的一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、阳极层、有机电致发光单元及阴极层；所述有机电致发光单元包括依次层叠设于阳极层表面上的空穴传输层、发光层及电子传输层；所述阴极层包括依次层叠的第一六硼化镧(LaB₆)层、金属层以及第二六硼化镧层；所述第一、第二六硼化镧层的厚度为40-80nm；所述金属层的材质为银（Ag）、铝（Al）、镁（Mg）或金（Au），所述金属层的厚度为18-30nm。

所述的有机电致发光器件，其中，所述空穴传输层的材质选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯（MeO-TPD）；所述空穴传输层的厚度为20～60nm。

所述的有机电致发光器件，其中，所述电子传输层的材质选自4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)；所述电子传输层的厚度为20～40nm。

所述的有机电致发光器件，其中，所述发光层的材质为发光材料、或者由主体材料掺杂相同或不同的所述发光材料组成的掺杂混合材料；在所述掺杂混合材料中，所述发光材料占所述主体材料的重量百分比为5wt%～30wt%；所述发光层的厚度为5～30nm。

所述发光材料为荧光材料或磷光材料；其中：

所述荧光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、二甲基喹吖啶酮（DMQA）、5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545T)，4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi），4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi).4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)的任意一种或几种。

所述磷光材料选自双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr₆）、双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱,(FCNIrpic)；二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱（FIrN₄），二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)₂(acac)）、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(piq)₂(acac)）、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)₂(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)₃）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)中的一种或几种。

所述主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、8-羟基喹啉铝（Alq₃）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中的任意一种。

所述的有机电致发光器件，其中，所述阴极层的厚度为70-200nm。

所述的有机电致发光器件，其中，所述基板为聚合物透明薄膜，厚度为0.1-0.5mm。

本发明的一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

提供基板，洗净、干燥，备用；

采用真空蒸镀技术在所述基板上制备阳极层；

采用真空蒸镀技术，在所述阳极层上依次层叠蒸镀空穴传输层、发光层及电子传输层，完成后获得有机电致发光单元；

采用真空蒸镀技术，在所述电子传输层上依次蒸镀六硼化镧层、金属层以及六硼化镧层，得到阴极层；

待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件。

所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述六硼化镧层的厚度为40-80nm；所述金属层的材质为Ag、Al、Mg或Au，所述金属层的厚度为18-30nm。

所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述空穴传输层的材质选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯（MeO-TPD）；所述空穴传输层的厚度为20～60nm。

所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述电子传输层的材质选自4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)；所述电子传输层的厚度为20～40nm。

所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述发光层的材质为发光材料、或者由主体材料掺杂相同或不同的所述发光材料组成的掺杂混合材料；在所述掺杂混合材料中，所述发光材料占所述主体材料的重量百分比为5wt%～30wt%；所述发光层的厚度为5～30nm。

所述发光材料为荧光材料或磷光材料；其中：

所述荧光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、二甲基喹吖啶酮（DMQA）、5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545T)，4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi），4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi).4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)的任意一种或几种。

所述磷光材料选自双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr₆）、双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱,(FCNIrpic)、二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱（FIrN₄）、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)₂(acac)）、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(piq)₂(acac)）、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)₂(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)₃）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)中的一种或几种。

所述主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、8-羟基喹啉铝（Alq₃）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中的任意一种。

所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述阴极层的厚度为70-200nm。

所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述基板为聚合物透明薄膜，厚度为0.1-0.5mm。

在制备有机电致发光单元时，所述空穴传输层的蒸发速度为0.1-1nm/s，所述空穴传输层的蒸发速度为0.01-1nm/s，所述电子传输层的蒸发速度为0.1-1nm/s；制备所述阴极层时的蒸发速度为0.01-1nm/s。

所述真空蒸镀的真空度为1×10^-5～1×10^-3Pa。

本发明的有机电致发光器件具有以下优点：本发明提供的有机电致发光器采用了一个新型阴极层，其类似于一种DMD结构，即介质/金属/介质结构，利用DMD结构中的干涉相消原理来提高电极的透过率。通常意义上的DMD结构电极，采用的是金属氧化物作为介质层，原因在于这些金属氧化物材料透过率高，适合做干涉层。但是由于这些金属氧化物的功函数较高，对于电子注入非常不利，因此不适合制备成阴极材料。而六硼化镧(LaB₆)的功函数一般在2.6-2.9eV之间，其透光范围为0.2μm-2μm，而常用的一些无机物如TiO₂，Al₂O₃，SnO₂等的透过率远低于镧化合物。此外，镧化合物可以采用真空热蒸镀工艺制备，其制备工艺简单。在DMD结构中，主要起导电作用的金属薄膜层材质中，六硼化镧的导电性对阴极的导电性能不会造成影响，因此得到的阴极层透过率高，导电性好，进而提高了整个器件的发光效率。

附图说明

图1为本发明的有机电致发光器件的结构示意图。

其中，附图标记说明如下：

100    有机电致发光器件

110    （ITO）基板

120    阳极层

130    有机电致发光单元

140    阴极层

141    第一六硼化镧层

142    金属层

143    第二六硼化镧层

具体实施方式

以下参考附图1～2，对本发明的一种有机电致发光器件及其制备方法予以进一步地详尽阐述。

如图1所示，该有机电致发光器件1包括：基板110、阳极层120、有机电致发光单元130、阴极层140，其中，阴极层140包括：第一六硼化镧层141、金属层142、第二六硼化镧层143。

该140阴极层类似于一种DMD结构，即介质/金属/介质结构，利用DMD结构中的干涉相消原理，提高电极的透过率。

有机电致发光单元130包括依次层叠设于阳极层120表面上的空穴传输层、发光层及电子传输层。

以下结合实施例1～3对本发明的有机电致发光器件100及其制备方法作具体说明，由于实施例1～3的有机电致发光器件的层叠结构基本相同，仅采用的材质不同，故实施例1～3的有机电致发光器件均以图1予以说明：

实施例1

本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/Ir(MDQ)₂(acac):NPB(10:100)/Bphen/LaB₆/Al/LaB₆。

该实施例的有机电致发光器件100的制备方法包括以下步骤：

提供一ITO基板110，方块电阻为5Ω/□，洗净干燥后备用；

在ITO基板110上制备阳极层120；

在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在ITO基板110表面制备阳极层120;

在阳极层120表面制备有机电致发光单元130：首先制备空穴传输层；在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在空穴传输层表面制备发光层，材质为掺杂在NPB中的Ir(MDQ)₂(acac)，表示为Ir(MDQ)₂(acac):NPB，Ir(MDQ)₂(acac)与NPB的质量比为10:100，发光层的厚度为30nm。其中Ir(MDQ)₂(acac)的蒸发速度为0.1nm/s，NPB的蒸发速度为1nm/s；在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在发光层表面制备电子输层，材质为Bphen，厚度为10nm，蒸发速度为0.1nm/s。

在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸发技术在电子传输层上制备阴极层，首先制备的是第一六硼化镧层141，厚度为40nm，然后制备金属层142，材质为金属Al，厚度为18nm，最后制备第二六硼化镧层143，厚度为80nm，金属的蒸发速度为0.1nm/s，六硼化镧层的蒸发速度为均1nm/s。

待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件100。

实施例2

本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/MeO-TPD/DCJT B:Alq₃(5:100)/TPBi/LaB₆/Ag/LaB₆。

该实施例的有机电致发光器件100的制备方法包括以下步骤：

提供一ITO基板110，方块电阻为100Ω/□，洗净干燥后备用；

在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在ITO基板110表面制备阳极层120;

在阳极层120表面制备有机电致发光单元130：首先在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜系统中，在阳极层120表面制备空穴传输层，材料为MeO-TPD，厚度为60nm，MeO-TPD的蒸发速度为1nm/s；其次在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在空穴传输层表面制备发光层，发光层材质为DCJTB和Alq₃的混合物，DCJTB与Alq₃的质量比为5:100，DCJTB的蒸镀速率为0.05nm/s，Alq₃的蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为5nm；最后在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在发光层表面制备电子传输层，材质为TPBi，厚度为20nm，蒸发速度为1nm/s。

在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸发技术在电子传输层上制备阴极，首先制备的是第一六硼化镧层141，厚度为60nm，然后制备金属层142，材质为金属Ag，厚度为30nm，最后制备第二六硼化镧层143，厚度为60nm，金属的蒸发速度为0.2nm/s。第一、第二六硼化镧层的蒸发速度均为0.5nm/s。

待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件100。

实施例3

本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/SiO/Al/V₂O₅/TPD/FIrpic:CBP(10:100)/BCP/LaB₆/Mg/LaB₆。

该实施例的有机电致发光器件100的制备方法包括以下步骤：

提供一ITO基板110，方块电阻为50Ω/□，洗净干燥后备用；

在真空度为1×10^-4Pa的真空镀膜系统中，在ITO基板110表面采用热阻蒸发制备阳极层120，首先制备SiO层，厚度为80nm，然后金属Al层，厚度20nm，最后是V₂O₅层，厚度8nm，蒸发速度均为0.5nm/s。

在阳极层120表面制备有机电致发光单元130：首先在真空度为1×10^-4Pa的真空镀膜系统中，在DMD阳极120表面制备空穴传输层，材料为TPD，厚度为50nm，TPD的蒸发速度为1nm/s；其次，在真空度为1×10^-4Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在空穴传输层表面制备发光层，材质为所用材质为FIrpic掺杂的CBP，表示为：FIrpic:CBP，发光层的厚度为10nm。其中FIrpic与CBP的质量比为10:100，FIrpic的蒸发速度为0.15nm/s，CBP的蒸发速度为1nm/s；最后在真空度为1×10^-4Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在发光层表面制备电子传输层，材质为BCP，厚度为15nm，蒸发速度为0.5nm/s；

在真空度为1×10^-4Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸发技术在电子传输层上制备阴极层，首先制备第一六硼化镧层141，厚度为50nm，然后制备金属层142，材质为金属Mg，厚度为25nm，最后制备第二六硼化镧层143，厚度为50nm，金属的蒸发速度为0.2nm/s。第一、第二六硼化镧层的蒸发速度均为0.5nm/s。

待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件100。

在本发明的另一实施例中，发光层的掺杂混合材料中的发光材料还可以用荧光材料中的5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545T)、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)、或者磷光材料中的双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱(FCNIrpic)、二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱（FIrN₄）、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(piq)₂(acac)）、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)₂(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)₃）、三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)中的一种或几种替代；主体材料还可以用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中的一种或几种替代。

对比例1

将实施例1、2、3所制备的有机电致发光器件的阳极层换为普通的以WO₃作为DMD介质的阳极层，结构为：ITO/NPB/Ir(MDQ)₂(acac):NPB(10:100)/Bphen/Ag。

提供ITO基板，并清洗干净，方块电阻为5Ω/□；

在ITO基板表面制备阳极层;

在阳极层表面制备有机电致发光单元：首先在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，在阳极层表面制备空穴传输层，材质为NPB，厚度为20nm，NPB的蒸发速度为0.1nm/s；其次，在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在空穴传输层表面制备红光发光层，材质为NPB以及掺杂在NPB中的Ir(MDQ)₂(acac)，Ir(MDQ)₂(acac)与NPB的质量比为10:100，发光层的厚度为10nm。其中Ir(MDQ)₂(acac)的蒸发速度为0.1nm/s，NPB的蒸发速度为1nm/s；最后，在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在发光层表面制备电子传输层，材质为Bphen，厚度为20nm，蒸发速度为0.1nm/s。

在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在电子传输层上制备阴极，所述阴极选自金属Ag，厚度为30nm，金属的蒸发速度为0.2nm/s。

对比例2

将实施例1、2、3所制备的有机电致发光器件的阳极层换为普通的以WO₃作为DMD介质的阳极层，结构为：ITO/NPB/Ir(MDQ)₂(acac):NPB(10:100)/Bphen/WO₃/Ag/WO₃。

提供ITO基板，并清洗干净，方块电阻为5Ω/□；

在ITO基板表面制备阳极层;

在阳极层表面制备有机电致发光单元：首先，在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，在阳极表面制备空穴传输层，材质为NPB，厚度为20nm，NPB的蒸发速度为0.1nm/s；其次，在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在空穴传输层表面制备红光发光层，材质为NPB以及掺杂在NPB中的Ir(MDQ)₂(acac)，Ir(MDQ)₂(acac)与NPB的质量比为10:100，发光层的厚度为10nm。其中Ir(MDQ)₂(acac)的蒸发速度为0.1nm/s，NPB的蒸发速度为1nm/s；最后在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在发光层表面制备电子传输层，材质为Bphen，厚度为20nm，蒸发速度为0.1nm/s。

在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在电子传输层上制备阴极，首先制备WO₃层，厚度为60nm，然后制备金属层Ag，厚度为20nm，最后制备WO₃层，厚度为60nm。金属的蒸发速度为0.2nm/s。WO₃的蒸发速度为0.5nm/s。

将实施例和对比例1、2的发光器件的透过率进行比较，由于本发明提供的实施例和对比例方案都是采用高透过率的ITO阳极，因此从器件整体透过率差异就能体现阴极透过率的差别。从表1中的数据来看，本发明提供的实施例方案，其器件的透过率均达到了80%以上，而对比例采用薄层金属，其透过率则只有54%，显然采用本发明方案的阴极层能够获得更高的出光率，并且也容易制备成发光均匀的双面发光装置。从对比例2的数据来看，本发明制备的阴极，与常见的DMD结构制备的电极相比，其透过率并没有太大的差异。

利用亮度计从阳极面和阴极面分别测试亮度，从表1中可以看到，本发明提供的实施例在两个发光面的亮度均比较接近，可以得到两面均匀的发光，而对比例1则两个发光面的亮度明显不一致。对比例2的两个发光面虽然发光亮度接近，但是其发光亮度都比较低，这主要是因为WO₃/Ag/WO₃结构的阴极，对电子注入能力差，影响器件的发光性能导致的。

从发光效率上来看，实施例1相比对比例1，其发光效率变化不明显，说明实施例采用LaB₆作为阴极，其电子注入性能与常用的金属Ag没有太大的差异，采用这种新型结构对发光效率不造成负面影响，但是实施例1具有双面发光均匀的优势。相比对比例2，其实施例1的发光效率提高了63%。

测试发光亮度，发光效率是在6V的驱动电压下进行的。

表1

上述内容，仅为本发明的较佳实施例，并非用于限制本发明的实施方案，本领域普通技术人员根据本发明的主要构思和精神，可以十分方便地进行相应的变通或修改，故本发明的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、阳极层、有机电致发光单元及阴极层；所述有机电致发光单元包括依次层叠设于阳极层表面上的空穴传输层、发光层及电子传输层；其特征在于，

所述阴极层包括依次层叠的第一六硼化镧层、金属层以及第二六硼化镧层；所述第一、第二六硼化镧层的厚度均为40-80nm；所述金属层的材质为银、铝、镁或金，所述金属层的厚度为18-30nm。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯；所述空穴传输层的厚度为20-60nm。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材质选自4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲；所述电子传输层的厚度为20~40nm。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为发光材料、或者由主体材料掺杂相同或不同的所述发光材料组成的掺杂混合材料；在所述掺杂混合材料中，所述发光材料占所述主体材料的重量百分比为5wt%-30wt%；所述发光层的厚度为5-30nm。

5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，

所述发光材料为荧光材料或磷光材料；其中：

所述荧光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、5,6,11,12-四苯基萘并萘、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯中的任意一种或几种；

所述磷光材料选自双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱、二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱及三（2-苯基吡啶）合铱中的任意一种或几种；

所述主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层的厚度为70-200nm。

7.根据权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极层的材质为方块电阻为5-100Ω/□的氧化铟锡或铟掺杂氧化锌。

8.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板，洗净、干燥，备用；

采用真空蒸镀技术在所述基板上制备阳极层；

采用真空蒸镀技术，在所述阳极层上依次层叠蒸镀空穴传输层、发光层及电子传输层，完成后获得有机电致发光单元；

采用真空蒸镀技术，在所述电子传输层上依次蒸镀第一六硼化镧层、金属层以及第二六硼化镧层，得到阴极层；

待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件。

9.根据权利要求8所述的一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在制备有机电致发光单元时，所述空穴传输层的蒸发速度为0.1-1nm/s，所述空穴传输层的蒸发速度为0.01-1nm/s，所述电子传输层的蒸发速度为0.1-1nm/s；制备所述阴极层时的蒸发速度为0.01-1nm/s。

10.根据权利要求8所述的一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述真空蒸镀的真空度为1×10^-5-1×10^-3Pa。