CN104681726A

CN104681726A - 有机电致发光器件及其制备方法

Info

Publication number: CN104681726A
Application number: CN201310631621.5A
Authority: CN
Inventors: 周明杰; 冯小明; 张娟娟; 王平
Original assignee: Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd; Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Current assignee: Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd; Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd; Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date: 2013-11-29
Filing date: 2013-11-29
Publication date: 2015-06-03

Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件，该器件包括依次层叠的基板、阳极层、有机电致发光单元及覆盖有封装薄膜的阴极层；所述有机电致发光单元包括依次层叠设于阳极层表面上的空穴传输层、发光层及电子传输层。本发明的有机电致发光器件，其阴极层采用了金属层掺杂有机层的叠层结构，使阴极层的金属薄膜的厚度得以降低，其韧性自然提高，而且通过设置多个有机层，分散了挠曲过程中金属薄膜产生的内应力，使金属薄膜避免产生裂纹和孔隙，故使整个器件的挠曲性能得到提高，提高了有机电致发光器件的使用寿命。此外，本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及有机电致发光器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件(OLED，Organic Light Emission Diode)，具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。

采用柔性OLED发光装置的优点在于，其具有挠曲性和轻便性，但是OLED发光装置也存在一些问题，例如通常采用的阴极为金属材料Ag，Al等通过真空蒸发制备成膜，其薄膜的韧性较差，当柔性OLED在进行挠曲操作时，容易导致金属薄膜形成裂缝和孔隙，使薄膜的导电性能大大将低。并且外部环境水氧分子也可以通过这些孔隙进入OLED器件内部，因而降低柔性OLED器件的使用寿命。

发明内容

本发明的目的在于提供一种有机电致发光器件，用于解决现有技术中OLED器件的使用寿命短的问题。

本发明的目的还在于提供一种有机电致发光器件的制备方法，用于制备上述有机电致发光器件。

为达成上述目的，本发明采用以下技术方案：

本发明的一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、阳极层、有机电致发光单元及覆盖有封装薄膜的阴极层；

所述有机电致发光单元包括依次层叠设于阳极层表面上的空穴传输层、发光层及电子传输层；

所述阴极层包括多个层叠排列的金属层和掺杂有机层；所述金属层的材质为金属Ag、Al、银镁合金（Ag-Mg）或铝镁合金（Al-Mg），所述掺杂有机层的材质为主体材料和掺杂剂组成的混合材料，所述主体材料为8-羟基喹啉铝（Liq）、4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)，所述掺杂剂为碳酸锂、叠氮化锂、叠氮化铯或碳酸铯；所述掺杂剂与所述主体材料的质量比为20-50:100；

所述金属层的厚度为20-50nm，所述掺杂有机层的厚度为10-20nm，所述阴极层中，为了达到反射光线的作用，所有所述金属层的厚度之和不小于60nm，所述阴极层的厚度为80-200nm。

在所述的有机电致发光器件中，所述空穴传输层的材质选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯（MeO-TPD）；所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的厚度均为20～60nm。

在所述的有机电致发光器件中，所述电子传输层的材质选自4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)；所述第一电子传输层和第二电子传输层的厚度均为10～20nm。；所述电子传输层的厚度为20～40nm。

在所述的有机电致发光器件中，所述发光层的材质为发光材料、或者由主体材料掺杂相同或不同的所述发光材料组成的掺杂混合材料；在所述掺杂混合材料中，所述发光材料占所述主体材料的重量百分比为5wt%～30wt%；所述发光层的厚度为5～30nm。

所述发光材料为荧光材料或磷光材料；其中：

所述荧光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、二甲基喹吖啶酮（DMQA）、5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545T)，4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi），4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi).4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)的任意一种或几种。

所述磷光材料选自双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr₆）、双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱,(FCNIrpic)；二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱（FIrN₄），二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)₂(acac)）、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(piq)₂(acac)）、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)₂(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)₃）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)中的一种或几种。

所述主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、8-羟基喹啉铝（Alq₃）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中的任意一种。

在所述的有机电致发光器件中，所述封装薄膜为氮化硅（Si₃N₄）封装薄膜，厚度为200-500nm。氮化硅薄膜的致密性好同时可抗腐蚀，其还可起到钝化层的作用，有效保护有机电致发光器件中的其他结构，同时还可以减少有机电致发光器件对光的反射，提高有机电致发光器件的光效率。

在所述的有机电致发光器件中，所述基板的材质为PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜，简称PET基板，所述阳极层的材质为方块电阻为20～100Ω/□的氧化铟锡（ITO），即覆盖在基板表面的ITO导电薄膜。

本发明的一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

提供基板，洗净、干燥，备用；

在基板的一个表面上制备阳极层，完成后并清洗干净；

采用真空蒸镀技术，在所述阳极层表面上依次层叠蒸镀空穴传输层、发光层及电子传输层，完成后获得有机电致发光单元；

采用真空蒸发技术，在所述电子传输层上依次层叠蒸镀多个金属层和掺杂有机层，完成后获得阴极层；

采用磁控溅射在所述阴极层表面制备封装薄膜；

待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件。

所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述金属层的材质为金属Ag、Al、银镁合金（Ag-Mg）或铝镁合金（Al-Mg），所述掺杂有机层的材质为主体材料和掺杂剂组成的混合材料，所述主体材料为8-羟基喹啉铝（Liq）、4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)，所述掺杂剂为碳酸锂、叠氮化锂、叠氮化铯或碳酸铯；所述掺杂剂与所述主体材料的质量比为20-50:100。

所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述金属层的厚度为20-50nm，所述掺杂有机层的厚度为10-20nm，所述阴极层中，为了达到反射光线的作用，所有所述金属层的厚度不小于60nm，所述阴极层的厚度为80-200nm。

所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述空穴传输层的材质选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯（MeO-TPD）；所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的厚度均为20～60nm。

所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述电子传输层的材质选自4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)；所述第一电子传输层和第二电子传输层的厚度均为10～20nm。；所述电子传输层的厚度为20～40nm。

所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述发光层的材质为发光材料、或者由主体材料掺杂相同或不同的所述发光材料组成的掺杂混合材料；在所述掺杂混合材料中，所述发光材料占所述主体材料的重量百分比为5wt%～30wt%；所述发光层的厚度为5～30nm。

所述发光材料为荧光材料或磷光材料；其中：

所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述封装薄膜为氮化硅（Si₃N₄）薄膜，厚度为200-500nm。

所述的有机电致发光器件的制备方法，其中，所述基板的材质为PET薄膜，简称PET基板，所述阳极层的材质为方块电阻为20～100Ω/□的氧化铟锡（ITO），即覆盖在基板表面的ITO导电薄膜。

在制备有机电致发光单元时，所述空穴传输层的蒸发速度为0.1-1nm/s，所述空穴传输层的蒸发速度为0.01-1nm/s，所述电子传输层的蒸发速度为0.1-1nm/s；所述阴极层的蒸发速度为0.01-1nm/s，所述封装薄膜的蒸发速度为0.5-2nm/s。

所述真空蒸镀和真空蒸发真空度均为1×10^-5～1×10^-3Pa。

综上所述，本发明的有机电致发光器件具有以下优点：本发明提供的有机电致发光器件，其阴极层采用了非常见的阴极结构，即采用了金属层掺杂有机层的叠层结构，使阴极层的金属薄膜的厚度得以降低，其韧性自然提高，而且通过设置多个有机层，分散了挠曲过程中金属薄膜产生的内应力，使金属薄膜避免产生裂纹和孔隙，故使整个器件的挠曲性能得到提高，提高了有机电致发光器件的使用寿命。另外，阴极层采用金属层掺杂有机层的叠层结构，金属电极能够起到导电作用，而掺杂的有机层通过高浓度的碱金属掺杂电子传输材料，使其电导率水平能达到10^-4S/cm，相对而言电导率较高，因此不会对电子的传输造成过多的负面影响。

附图说明

图1为本发明的有机电致发光器件的结构示意图。

图2为本发明的实施例1和对比例1所制备的有机电致发光器件的挠曲测试的示意图。

其中，附图标记说明如下：

100 有机电致发光器件

110 PET基板

120 ITO导电薄膜

130 有机电致发光单元

140 阴极层

142 金属层

143 掺杂有机层

144 金属层

150 Si₃N₄封装薄膜

具体实施方式

以下参考附图1～2，对本发明的一种有机电致发光器件及其制备方法予以进一步地详尽阐述。

如图1所示，该有机电致发光器件1包括：PET基板110、ITO导电薄膜120、有机电致发光单元130、阴极140（包括金属层142、掺杂有机层143、金属层144）和Si₃N₄封装薄膜150。

其中，有机电致发光单元130包括依次层叠设于ITO导电薄膜120表面上的空穴传输层、发光层及电子传输层。

所述阴极层140包括多个层叠排列的金属层142、掺杂有机层143、金属层144。

以下结合实施例1～3对本发明的有机电致发光器件100及其制备方法作具体说明，由于实施例1～3的有机电致发光器件的层叠结构基本相同，仅采用的材质不同，而对比例1也仅少了阴极层中的金属掺杂有机层，故实施例1～3的有机电致发光器件均以图1予以说明：

实施例1

本实施例的有机电致发光器件的结构为：PET基板/ITO/NPB/Ir(MDQ)₂(acac):CBP(10:100)/Bphen/Al/Li₂CO₃：Alq₃(20:100)/Al/Si₃N₄。

该实施例的有机电致发光器件的制备方法包括以下步骤：

提供一PET基板110，洗净干燥后备用。

在PET基板110的一个表面上制备一层ITO导电薄膜120，即阳极层，完成后并清洗干净，该阳极层的方块电阻为5Ω/□。

采用真空蒸镀技术在ITO导电薄膜120表面上制备一层有机电致发光单元130：

在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，在阳极层表面上制备一层厚度为20nm的空穴传输层，所用材质为NPB，NPB的蒸发速度为0.1nm/s；

在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在空穴传输层表面上制备一层厚度为30nm的发光层，所用材质为掺杂在CBP中的Ir(MDQ)₂(acac)，表示为：Ir(MDQ)₂(acac):CBP，Ir(MDQ)₂(acac)与CBP的重量百分比为10：100，其中，Ir(MDQ)₂(acac)的蒸发速度为0.1nm/s，CBP的蒸发速度为1nm/s；

在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在发光层表面上制备一层厚度为10nm的电子传输层，所用材质为Bphen，Bphen的蒸发速度为0.1nm/s。

采用真空蒸发技术在电子传输层表面上制备阴极层140：

首先，在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸发技术，在电子传输层表面上制备一层厚度为20nm的金属Al层142，蒸发速度为0.2nm/s；

然后，在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸发技术，在金属Al层142表面上制备一层厚度为10nm的掺杂有机层143，其由Li₂CO₃掺杂的Alq₃组成，Li₂CO₃与Alq₃的质量比为20：100，表示为：Li₂CO₃:Alq₃，Li₂CO₃的蒸发速度为0.01nm/s，Alq₃的蒸发速度为0.05nm/s。再在该掺杂有机层143上制备金属Al层144，蒸发速度和厚度与金属Al层142相同。金属Al层和掺杂有机层可重复层叠制备。

最后，在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸发技术，采用磁控溅射技术在阴极层的最外层上制备Si₃N₄封装薄膜，蒸发速度为0.5nm/s，厚度为200nm。

待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件100。

实施例2

本实施例的有机电致发光器件的结构为：PET基板/ITO/MeO-TPD/DCJTB:Alq₃(5:100)/TPBi/Ag/Cs₂CO₃:Bphen(50:100)/Ag/Si₃N₄。

该实施例的有机电致发光器件100的制备方法包括以下步骤：

提供一PET基板110，洗净干燥后备用。

在PET基板110的一个表面上制备一层ITO导电薄膜120，即阳极层，完成后并清洗干净，该阳极层的方块电阻为100Ω/□。

在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜系统中，在阳极层表面上制备一层空穴传输层，所用材质为MeO-TPD，厚度为60nm，蒸发速度为1nm/s；

在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在空穴传输层表面上制备一层发光层，其由DCJTB掺杂的Alq₃组成，表示为DCJTB:Alq₃，DCJTB与Alq₃的质量比为5:100，DCJTB的蒸镀速率为0.05nm/s，Alq₃的蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为5nm；

在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在发光层表面上制备一层电子传输层，所用材质为TPBi，厚度为20nm，蒸发速度为1nm/s。

采用真空蒸发技术在电子传输层表面上制备阴极层140：

首先，在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸发技术，在电子传输层表面上制备一层厚度为60nm的金属Ag层142，蒸发速度为1nm/s；

然后，在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸发技术，在金属Ag层142表面上制备一层厚度为20nm的掺杂有机层143，其由Cs₂CO₃掺杂的Bphen组成，表示为：Cs₂CO₃:Bphen，Cs₂CO₃与Bphen的质量比为50：100组成，厚度为20nm。再在该掺杂有机层143上制备金属Ag层144，蒸发速度和厚度与金属Ag层142相同。金属Al层和掺杂有机层可重复层叠制备。

最后，在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸发技术，采用磁控溅射技术在阴极层的最外层上制备Si₃N₄封装薄膜，蒸发速度为0.5nm/s，厚度为200nm。

待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件100。

实施例3

本实施例的有机电致发光器件的结构为：PET基板/ITO/TPD/FIrpic：CBP(15:100)/BCP/Ag-Mg/CsN₃：TPBi(40:100)/Ag-Mg/Si₃N₄。

该实施例的有机电致发光器件100的制备方法包括以下步骤：

提供一PET基板110，洗净干燥后备用。

在PET基板110的一个表面上制备一层ITO导电薄膜120，即阳极层，完成后并清洗干净，该阳极层的方块电阻为50Ω/□。

在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜系统中，在阳极层表面上制备一层空穴传输层，所用材质为TPD，厚度为50nm，TPD的蒸发速度为1nm/s；

在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在空穴传输层表面上制备一层发光层，其由FIrpic掺杂的CBP组成，表示为：FIrpic：CBP，发光层的厚度为15nm。其中FIrpic与CBP的质量比为15:100，FIrpic的蒸发速度为0.15nm/s，CBP的蒸发速度为1nm/s；

在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在发光层302表面上制备一层电子传输层，所用材质为BCP，厚度为15nm，蒸发速度为0.5nm/s。

采用真空蒸发技术在电子传输层表面上制备阴极层140：

首先，在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸发技术，在电子传输层表面上制备一层厚度为60nm的金属Ag-Mg合金层142，蒸发速度为0.5nm/s；

然后，在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸发技术，在金属Ag-Mg合金层142表面上制备一层厚度为20nm的掺杂有机层143，其由CsN₃掺杂的TPBi组成，表示为：CsN₃:TPBi，CsN₃与TPBi的质量比为40：100，厚度为15nm，CsN₃的蒸发速度为0.2nm/s，TPBi的蒸发速度为0.5nm/s。再在该掺杂有机层143上制备金属Ag-Mg合金层144，蒸发速度和厚度与金属Ag-Mg合金层142相同。金属Al层和掺杂有机层可重复层叠制备。

最后，在真空度为1×10^-3Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸发技术，采用磁控溅射技术在阴极层的最外层上制备Si₃N₄封装薄膜，蒸发速度为2nm/s，厚度为500nm。

待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件100。

在本发明的另一实施例中，发光层的掺杂混合材料中的发光材料还可以用荧光材料中的5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545T)、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)、或者磷光材料中的双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱(FCNIrpic)、二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱（FIrN₄）、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(piq)₂(acac)）、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)₂(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)₃）、三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)中的一种或几种替代；主体材料还可以用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中的一种或几种替代。

对比例1

取消实施例1、2、3所制备的有机电致发光器件阴极层中的金属掺杂有机层，将原有的发光层紧密层叠排列，即为本对比例1的有机电致发光器件，结构为：玻璃/ITO/NPB/Ir(MDQ)₂(acac):NPB(10:100)/Bphen/Al。

上述有机电致发光器件1的制备方法包括以下步骤：

提供一玻璃作为基板，洗净干燥后备用；

在基板的一个表面上制备一层ITO导电薄膜，即阳极层，完成后并清洗干净，该阳极层的方块电阻为5Ω/□；

在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，在ITO导电薄膜表面制备空穴传输层，材质为NPB，厚度为20nm，NPB的蒸发速度为0.1nm/s。

在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在空穴传输层表面制备红光发光层，材质为NPB以及掺杂在NPB中的Ir(MDQ)₂(acac)，Ir(MDQ)₂(acac)与NPB的质量比为10:100，发光层的厚度为10nm。其中Ir(MDQ)₂(acac)的蒸发速度为0.1nm/s，NPB的蒸发速度为1nm/s。

在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在发光层表面制备电子传输层，材质为Bphen，厚度为20nm，蒸发速度为0.1nm/s。

在真空度为1×10^-5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在电子传输层上制备阴极层，所述阴极层材质选自金属Al，厚度为60nm，蒸发速度为1nm/s。

待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件。

对实施例1、2、3和对比例1所制备的有机电致发光器件1进行发光亮度的测试，发光效率是在6V的驱动。在不发生挠曲操作的情况下，采用了本发明方案的发光亮度和发光效率，与普通的器件相差不大，说明采用本发明提供的阴极，其性能与普通的阴极相差不大，对光效不会产生太多的不利影响。

图2是有机电致发光器件进行挠曲测试的示意图。将有机电致发光器件的两端固定在两块相对平行的刚性板上，固定其中一块刚性板的位置，然后平行移动另一块刚性板的位置，使两块刚性板之间的距离发生改变，进而使有机电致发光器件发生挠曲。将有机电致发光器件的初始长度记为L_a，平行移动其中一块刚性板，将这时两块刚性板之间的距离记为L_b，当L_a：L_b达到1:0.5时，停止移动刚性板，然后再移动刚性板恢复两块刚性板之间的长度为L_a，这个过程记为1次弯曲。根据测试要求，反复重复这个移动和恢复的过程。

Claims

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、阳极层、有机电致发光单元及覆盖有封装薄膜的阴极层；

所述有机电致发光单元包括依次层叠设于阳极层表面上的空穴传输层、发光层及电子传输层；其特征在于，

所述阴极层包括多个层叠排列的金属层和掺杂有机层；所述金属层的材质为金属银、金属铝、银镁合金或铝镁合金，所述掺杂有机层的材质为主体材料和掺杂剂组成的混合材料，所述主体材料为8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲，所述掺杂剂为碳酸锂、叠氮化锂、叠氮化铯或碳酸铯；所述掺杂剂与所述主体材料的质量比为20-50:100；

所述金属层的厚度为20-50nm，所述掺杂有机层的厚度为10-20nm，所述阴极层中，所述金属层的厚度之和不小于60nm，所述阴极层的厚度为80-200nm。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯；所述空穴传输层的厚度为20~60nm。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材质选自4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲；所述电子传输层的厚度为20~40nm。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为发光材料、或者由主体材料掺杂相同或不同的所述发光材料组成的掺杂混合材料；在所述掺杂混合材料中，所述发光材料占所述主体材料的重量百分比为5wt%~30wt%；所述发光层的厚度为5~30nm。

5.根据权利要求4的有机电致发光器件，其特征在于，

所述发光材料为荧光材料或磷光材料；其中：

所述荧光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、5,6,11,12-四苯基萘并萘、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯中的任意一种或几种；

所述磷光材料选自双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱、二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱及三（2-苯基吡啶）合铱中的任意一种或几种；

所述主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装薄膜为氮化硅薄膜，厚度为200-500nm。

7.根据权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极层的材质为方块电阻为20~100Ω/□的氧化铟锡。

8.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板，洗净、干燥，备用；

在基板的一个表面上制备阳极层，完成后并清洗干净；

采用磁控溅射在所述阴极层表面制备封装薄膜；

待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件。

9.根据权利要求8所述的一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在制备有机电致发光单元时，所述空穴传输层的蒸发速度为0.1-1nm/s，所述空穴传输层的蒸发速度为0.01-1nm/s，所述电子传输层的蒸发速度为0.1-1nm/s；所述阴极层的蒸发速度为0.01-1nm/s，所述封装薄膜的蒸发速度为0.5-2nm/s。

10.根据权利要求8的一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述真空蒸镀和真空蒸发的真空度均为1×10^-5~1×10^-3Pa。