CN113054124A - 一种有机发光器件、显示装置、制作方法以及存储介质 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 264
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 237
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 118
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 118
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 58
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 40
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 300
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 288
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 22
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 6
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 4
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910000473 manganese(VI) oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- ANYCDYKKVZQRMR-UHFFFAOYSA-N lithium;quinoline Chemical compound [Li].N1=CC=CC2=CC=CC=C21 ANYCDYKKVZQRMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- YWKKLBATUCJUHI-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(4-methylphenyl)-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 YWKKLBATUCJUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/548—Controlling the composition
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
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Abstract
本发明公开了一种有机发光器件、显示装置、制作方法、存储介质以及计算机设备，所述有机发光器件包括阳极、有机层和阴极，其中有机层包括依次层叠设置在阳极上的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，空穴注入层包括第一主体材料和掺杂在其中的第一掺杂材料，第一掺杂材料的掺杂浓度在远离阳极的方向上逐渐减小，并且，第一掺杂材料在空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。本发明的实施例通过将有机层中空穴注入层的掺杂材料设置为在远离阳极的方向上掺杂浓度渐变以改善电荷传输特性、降低有机发光器件的功耗，提高发光效率和发光稳定性，并能够有效缓解现有技术中的串扰问题，具有广泛的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种有机发光器件、显示装置、制作方法、存储介质以及计算机设备。
背景技术
有机发光器件，又称为有机电激光显示器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)或者有机发光半导体(Organic Electroluminesence Display，OLED)，是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的现象。OLED显示屏具有轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高，能满足消费者对显示技术的新需求。全球越来越多的显示器厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程。然而现有的有机发光器件存在高电压，发光效率低且不稳定的问题。
发明内容
为了解决上述问题至少之一，本发明第一个实施例提供一种有机发光器件，包括层叠设置的阳极、有机层和阴极，其中：
所述有机层包括依次层叠设置在所述阳极上的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，其中，
所述空穴注入层包括第一主体材料和掺杂在其中的第一掺杂材料，所述第一掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，并且，所述第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
进一步的，所述空穴传输层包括第二主体材料和掺杂在其中的第二掺杂材料，所述第二掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，并且，所述第二掺杂材料在所述空穴传输层的掺杂比例小于等于6％。
进一步的，所述第二主体材料与第一主体材料相同或不同，分别为六氮杂苯并六碳腈材料、酞菁铜材料和轴烯类材料中的至少一种。
进一步的，所述第二掺杂材料和第一掺杂材料相同或不同，均为P型材料中的至少一种。
本发明第二个实施例提供一种显示装置，包括如上述的有机发光器件。
本发明第三个实施例提供一种制作有机发光器件的方法，包括：
在有机发光器件的阳极上依次层叠形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，其中，所述空穴注入层包括第一主体材料和掺杂在其中的第一掺杂材料，所述第一掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，并且，所述第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
本发明第四个实施例提供一种制备系统，包括第一蒸镀装置、第二蒸镀装置、以及控制所述第一蒸镀装置和第二蒸镀装置的控制装置，其中
所述第一蒸镀装置，用于蒸镀有机发光器件的空穴注入层的第一主体材料，包括第一蒸发源和设置在所述第一蒸发源和所述有机发光器件之间的第一挡板；
所述第二蒸镀装置，用于蒸镀所述有机发光器件的空穴注入层的第一掺杂材料，包括第二蒸发源和设置在所述第二蒸发源和所述有机发光器件之间的第二挡板；
所述控制装置，用于分别控制所述第一蒸发源和第一挡板、以及所述第二蒸发源和第二挡板在所述有机发光器件的阳极上形成所述空穴注入层的第一主体材料和掺杂在所述第一主体材料中的第一掺杂材料，以使得所述空穴注入层的第一掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，并且，所述第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
本发明第五个实施例提供一种利用上述制备系统制备有机发光器件的方法，包括：
分别打开第一蒸镀装置的第一挡板和第二蒸镀装置的第二挡板，控制所述第一蒸镀装置的第一蒸发源的速率达到并稳定在第一预设速率、控制所述第二蒸镀装置的第二蒸发源的速率达到并稳定在第二预设速率，所述第二预设速率为所述第一预设速率的10％；
分别控制所述第一蒸镀装置和第二蒸镀装置在有机发光器件的阳极上形成空穴注入层的第一主体材料和掺杂在所述第一主体材料中的第一掺杂材料；
控制所述第二蒸发源的温度以预设降温速度降温，控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源，以使得所述空穴注入层的第一掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，并且，使得所述第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
进一步的，所述第二蒸镀装置还包括位于所述第二蒸发源外部的且垂直于所述第二蒸发源设置的第二支撑轴、以及安装在所述第二支撑轴上的在第一方向上移动所述第二挡板的第一支撑杆，所述控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源进一步包括：控制所述第一支撑杆与所述支撑轴的夹角以控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源；
或者
所述第二蒸镀装置还包括位于所述第二蒸发源外部的且垂直于所述第二蒸发源设置的第二支撑轴、以及安装在所述第二支撑轴上的在第二方向上移动所述第二挡板的第二支撑杆，所述控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源进一步包括：控制所述第二支撑杆与所述支撑轴的夹角以控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源。
进一步的，所述制备系统还包括第三蒸镀装置和第四蒸镀装置，所述方法还包括：分别控制所述第三蒸镀装置和第四蒸镀装置在所述空穴注入层上形成空穴传输层的第二主体材料和掺杂在所述第二主体材料中的第二掺杂材料，其中，所述第三蒸镀装置用于蒸镀所述空穴传输层的第二主体材料，所述第四蒸镀装置用于蒸镀所述空穴传输层的第二掺杂材料，使得所述空穴传输层的第二掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，并且，使得所述第二掺杂材料在所述空穴传输层的掺杂比例小于等于6％。
进一步的，所述制备系统还包括第五蒸镀装置、第六蒸镀装置、第七蒸镀装置、第八蒸镀装置、第九蒸镀装置和第十蒸镀装置，所述方法还包括：
控制第五蒸镀装置在所述空穴传输层上形成电子阻挡层；
控制第六蒸镀装置在所述电子阻挡层上形成有机发光层；
控制第七蒸镀装置在所述发光层上形成空穴阻挡层；
控制第八蒸镀装置在所述空穴阻挡层上形成电子传输层；
控制第九蒸镀装置在所述电子传输层上形成电子注入层；
控制第十蒸镀装置在所述电子注入层上形成阴极。
本发明第六个实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如上述的方法。
本发明第七个实施例提供一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上述的方法。
本发明的有益效果如下：
本发明针对目前现有的问题，制定一种有机发光器件，并通过将有机层中空穴注入层的掺杂材料设置为在远离所述阳极的方向上掺杂浓度渐变以改善电荷传输特性、降低有机发光器件的功耗，提高发光效率和发光稳定性，并且本发明的掺杂浓度渐变的空穴注入层相比于现有技术中均匀掺杂的空穴注入层进一步降低了掺杂材料在空穴注入层中的掺杂比例，能够有效缓解现有技术中的串扰问题，提高显示效果，具有广泛的应用前景。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出本发明的一个实施例所述有机发光器件的层结构示意图；
图2a和2b示出本发明实施例的有机发光器件与现有技术的有机发光器件的性能对比示意图；
图3示出本发明的另一个实施例所述有机发光器件的层结构示意图；
图4示出本发明的另一个实施例所述制备系统的结构框架图；
图5a-5d示出本发明实施例所述的以第一方向转动的蒸镀装置的结构示意图和多角度的俯视图；
图6示出本发明实施例所述的以第二方向转动的蒸镀装置的结构示意图和俯视图；
图7示出本发明实施例的第一掺杂材料掺杂浓度与蒸发源温度以及与蒸发源速率的变化曲线图；
图8示出本发明的另一个实施例利用上述制备系统制备有机发光器件的制作方法的流程图；
图9示出本发明的另一个实施例所述的一种计算机设备的结构示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明，下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。
需要说明的是，本文中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。并且，本文诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
现有技术中有机发光器件存在发光效率低且不稳定的现象，产生该现象的原因为：有机发光器件的有机层的电荷传输特性较差。由于有机层的有机材料中分子和分子之间以非常弱的化学键相结合，分子与分子之间的能级不能像固体那样形成能带，只能以分立的形式存在，因此造成有机层导电性差、电荷迁移率较低问题。
目前，为改善有机发光器件中有机层的电荷迁移率，采用了将有机层中的空穴注入层进行均匀掺杂的方式。然而，该掺杂方式下制成的有机发光器件仍然存在发光效率低且不稳定的现象，并且发明人发现由于掺杂材料过多还导致有机发光器件出现串扰的问题。
对于上述问题，发明人经大量实验以及研究后提出一种有机发光器件、显示装置、制作方法以及存储介质以解决上述问题。
如图1所示，本发明的一个实施例提供了一种有机发光器件5，包括层叠设置的阳极51、有机层52和阴极53，其中：
所述有机层52包括依次层叠设置在所述阳极51上的空穴注入层521、空穴传输层522、电子阻挡层523、有机发光层524、空穴阻挡层525、电子传输层526和电子注入层527。其中，所述空穴注入层521包括第一主体材料5211和掺杂在其中的第一掺杂材料5212，所述第一掺杂材料5212的掺杂浓度在远离所述阳极51的方向上逐渐减小，并且，所述第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
一方面，本实施例通过将有机层中空穴注入层的掺杂材料设置为在远离所述阳极的方向上掺杂浓度渐变以改善电荷传输特性、降低有机发光器件的功耗，提高发光效率和发光稳定性；另一方面，本实施例的掺杂浓度渐变的空穴注入层相比于现有技术中均匀掺杂的空穴注入层能够进一步降低掺杂材料在空穴注入层中的掺杂比例，并能够有效缓解现有技术中的串扰问题，提高显示效果，具有广泛的应用前景。
在一个可选的实施例中，第一主体材料可为HATCN(六氮杂苯并六碳腈)材料、CuPc(酞菁铜)材料和轴烯类材料中的至少一种。在另一个可选的实施例中，所述第一掺杂材料为P型材料中的至少一种，即包括空穴型材料。具体包括NPB：F4TCNQ材料，其中NPB为N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4-4'-二胺材料、F4TCNQ为2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌材料；或者包括TAPC：MnO3材料，其中TAPC为4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺材料，MnO3为氧化钼材料。本领域技术人员根据实际应用选择第一主体材料和第一掺杂材料，在此不再赘述。
与该发明实施例提供的有机发光器件相对应，本发明的另一个实施例还提供一种制作该有机发光器件的方法，包括：
在有机发光器件的阳极51上依次层叠形成空穴注入层521、空穴传输层522、电子阻挡层523、有机发光层524、空穴阻挡层525、电子传输层526和电子注入层527，其中，所述空穴注入层521包括第一主体材料5211和掺杂在其中的第一掺杂材料5212，所述第一掺杂材料5212的掺杂浓度在远离所述阳极51的方向上逐渐减小，并且，所述第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
在本实施例中，空穴注入层521中的第一掺杂材料5212在靠近阳极51的一侧掺杂浓度较大，该设置能够有效控制与阳极51接触处的空穴注入层521中第一掺杂材料5212的掺杂浓度，从而避免由于该位置掺杂浓度过大导致的串扰问题。
随着距阳极51距离越来越远，第一掺杂材料5212的掺杂浓度也成比例减小，能够有效控制空穴注入层521中第一掺杂材料5212的整体浓度，同时，所述第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％，能够改善电荷传输特性、降低有机发光器件的功耗，提高发光效率和发光稳定性。
然后，在电子注入层527上进一步形成阴极，从而形成本发明实施例的有机发光器件。
在本实施例中，利用上述方法形成的有机发光器件与现有技术的发光器件进行对比，得到的性能对比结果如图2a、图2b以及表1所示。
表1有机发光器件在电流密度J＝15mA/cm2下的性能
如图2a所示，在同等电流密度下，本实施例的有机发光器件较现有技术的有机发光器件电流效率更高，如图2b所示，本实施例的有机发光器件的归一化亮度和寿命曲线均较现有技术的有机发光器件的性能有所提高。同时，由表1可知，在同等电流密度下，本实施例的有机发光器件较现有有机发光器件具有低驱动电压、高电流效率以及高发光效率的特点。因此，本实施例的有机发光器件以及利用上述方法形成的有机发光器件能够改善电荷传输特性、降低有机发光器件的功耗，提高发光效率和发光稳定性，又能够改善串扰问题，具有广泛应用前景。
值得说明的是，本发明实施例提出的有机发光器件，其不限于利用本发明上述制作方法而形成的具体结构，也可由本领域技术人员采用其他加工工艺形成上述有机发光器件的具体结构。
在一个可选的实施例中，如图3所示，所述空穴传输层522包括第二主体材料5221和掺杂在其中的第二掺杂材料5222，所述第二掺杂材料5222的掺杂浓度在远离所述阳极51的方向上逐渐减小，并且，所述第二掺杂材料在所述空穴传输层的掺杂比例小于等于6％。
在本实施例中，有机发光器件在前述包括有第一掺杂材料掺杂浓度渐变的空穴注入层的基础上，形成包括第二掺杂材料掺杂浓度渐变的空穴传输层，一方面，进一步改善了有机发光器件的电荷传输特性，降低了有机发光器件的功耗，提高了发光效率和发光稳定性；另一方面，该掺杂浓度渐变的空穴传输层能够进一步降低现有技术中使用均匀掺杂的空穴传输层的掺杂比例，能够进一步改善串扰问题，提高显示效果，具有广泛应用前景。
在本实施例中，第二主体材料可为HATCN(六氮杂苯并六碳腈)材料、CuPc(酞菁铜)材料和轴烯类材料中的至少一种，所述第二掺杂材料为P型材料中的至少一种，包括NPB：F4TCNQ材料或TAPC：MnO3材料。
在一个具体的示例中，以空穴传输层的制作步骤进行说明：在所述空穴注入层上形成空穴传输层，空穴传输层522的第二掺杂材料5222在靠近阳极51的一侧掺杂浓度较大。
在本实施例中，随着距空穴注入层521距离越来越远，第二掺杂材料5222的掺杂浓度也成比例减小，有效控制空穴传输层522中第一掺杂材料5212的整体浓度，即形成包括第二掺杂材料的掺杂浓度渐变的空穴传输层，从而通过具有第一掺杂材料的空穴注入层和具有第二掺杂材料的空穴传输层进一步改善现有技术中因掺杂浓度过大导致的串扰问题，有效降低有机发光器件的功耗，提高发光效率和发光稳定性。
在有机层上进一步形成阴极，从而形成本发明实施例的有机发光器件。该有机发光器件在前述第一掺杂材料掺杂浓度渐变的空穴注入层的基础上，通过形成第二掺杂材料掺杂浓度渐变的空穴传输层，且第二掺杂材料在所述空穴传输层的掺杂比例小于等于6％，进一步改善了有机发光器件的电荷传输特性，降低了有机发光器件的功耗，提高了发光效率和发光稳定性，还能够进一步改善串扰问题，具有广泛应用前景。
与前述有机发光器件相对应，本发明的另一个实施例提供一种制备系统，如图4所示，包括第一蒸镀装置、第二蒸镀装置、以及控制所述第一蒸镀装置和第二蒸镀装置的控制装置，其中
所述第一蒸镀装置，用于蒸镀有机发光器件的空穴注入层521的第一主体材料5211，包括第一蒸发源和设置在所述第一蒸发源和所述有机发光器件之间的第一挡板；
所述第二蒸镀装置，用于蒸镀所述有机发光器件的空穴注入层521的第一掺杂材料5212，包括第二蒸发源和设置在所述第二蒸发源和所述有机发光器件之间的第二挡板；
所述控制装置，用于分别控制所述第一蒸发源和第一挡板、以及所述第二蒸发源和第二挡板在所述有机发光器件的阳极51上形成所述空穴注入层521的第一主体材料5211和掺杂在所述第一主体材料5211中的第一掺杂材料5212，以使得所述空穴注入层521的第一掺杂材料5212的掺杂浓度在远离所述阳极51的方向上逐渐减小，并且，使得所述第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
在本实施例中，通过控制装置控制第一蒸镀装置和第二蒸镀装置，形成包括第一掺杂材料且第一掺杂材料的掺杂浓度渐变的空穴注入层。
在一个具体示例中，当蒸镀材料自下至上蒸镀有机发光器件的空穴注入层时，第一蒸镀装置和第二蒸镀装置位于有机发光器件的下方。在另一个具体示例中，当蒸镀材料自上至下蒸镀有机发光器件的空穴注入层时，第一蒸镀装置和第二蒸镀装置位于有机发光器件的上方。本领域技术人员根据实际功用需求设置蒸镀装置与有机发光器件之间的位置，在此不再赘述。
现以第一蒸镀装置和第二蒸镀装置位于有机发光器件的下方为例，对利用该制备系统制备本发明实施例的有机发光器件的具体流程进行说明：
首先在形成有阳极51的基板上蒸镀空穴注入层，其中阳极材料为铟锡氧化物，对该基板进行去离子水清洗工艺以及UV臭氧处理工艺后进行空穴注入层521的蒸镀。
具体的，控制装置分别控制第一蒸镀装置和第二蒸镀装置打开第一挡板和第二挡板，并且控制装置控制所述第一蒸镀装置的第一蒸发源的速率达到并稳定在第一预设速率、控制所述第二蒸镀装置的第二蒸发源的速率达到并稳定在第二预设速率，所述第二预设速率为所述第一预设速率的10％。
在控制装置的控制下，第一蒸发源被开启并且其速率稳定在第一预设速率，在一个具体示例中，该第一预设速率为0.2～2埃/秒。同时在控制装置的控制下，第二蒸发源被开启并且其速率稳定在第二预设速率，在一个具体示例中，第二预设速率的为0～0.5埃/秒，具体可为第一预设速率的10％，例如，当第一预设速率稳定在2埃/秒时，则第二预设速率为稳定在0.2埃/秒。
进一步的，在第一蒸发源和第二蒸发源的速率均达到对应的预设速率的基础上，控制装置分别控制所述第一蒸镀装置和第二蒸镀装置在有机发光器件的阳极上形成空穴注入层的第一主体材料和掺杂在所述第一主体材料中的第一掺杂材料。
在一个可选的实施例中，第二蒸镀装置6如图5a所示，第二蒸镀装置6包括位于所述第二蒸发源64外部的且垂直与第二蒸发源设置的第二支撑轴63、以及安装在所述第二支撑轴63上的在第一方向上移动所述第二挡板61的第二蒸镀装置的第二支撑杆62。
如图5a所示，本实施例中的第一方向为水平方向，在控制装置的控制下，第二蒸镀装置的第二支撑杆62带动第二挡板61在水平方向绕第二支撑轴63旋转从而改变对第二蒸发源64的遮挡面积。图5b为俯视方向得到的第二蒸镀装置示意图，第二支撑杆62在水平方向绕第二支撑轴63旋转时形成一旋转角度θ。当第一蒸发源稳定至第一预设速率，且第二预设速率稳定在第二预设速率时，如图5b所示，此时旋转角度θ约为85°～90°，第二挡板处于完全打开状态，第二蒸发源并未受到遮挡。
在本实施例中，第二蒸镀装置的结构与第一蒸镀装置的结构和原理相同，在此不再赘述。此时，第一挡板在控制装置的控制下同样处于完全打开状态。
第一蒸发源响应于控制装置的指令在阳极上蒸镀第一主体材料，第二蒸发源响应于控制装置的指令在阳极上蒸镀掺杂在第一主体材料中的第一掺杂材料。
更进一步的，控制装置控制第一蒸镀装置以第一预设速率进行蒸镀，控制所述第二蒸发源以预设降温速度降温，并控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源，以使得所述空穴注入层521的第一掺杂材料5212的掺杂浓度在远离所述阳极51的方向上逐渐减小。
在本实施例中，第一蒸镀装置的蒸镀速率不变、旋转角度不变，因此，第一蒸镀装置在第一挡板完全打开的状态下进行第一主体材料的蒸镀。
在一个可选的实施例中，控制装置通过控制所述第二支撑杆与所述支撑轴的夹角即旋转角度的方式，实现控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源。
在控制装置的控制下，如图5c所示，旋转角度θ变小，第二挡板61以预设关闭速度关闭从而逐渐遮挡第二蒸发源61，第二蒸发源的蒸镀面积随之变化。如图5d所示，第二蒸发装置的第二挡板61旋转至第二蒸发源64正上方时，旋转角度θ为0°，此时第二挡板61在第二支撑杆的带动下完全关闭，对第二蒸发源64形成完全遮挡。在控制装置的控制下，旋转角度θ的改变使得第二挡板以预设关闭速度进行关闭时的遮挡面积随之变化，实现第二蒸发源的蒸镀面积的变化，使得不同蒸镀面积对应不同的蒸镀量，即单位面积下的掺杂浓度也不同，从而通过控制第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源实现第一掺杂材料的掺杂浓度的变化，并且使得第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
在另一个可选的实施例中，如图6所示，所述第二蒸镀装置6还包括位于所述第二蒸发源614外部的且垂直设置的第二支撑轴613、以及安装在所述第二支撑轴613上的在第二方向上移动所述第二挡板611的第二支撑杆612。
在该实施例中，如图6所示，第二方向为竖直方向。定义第二蒸镀装置的第二支撑杆612与第二支撑轴613轴线形成的背向第二蒸发源614的夹角为旋转角度θ。旋转角度θ为90°时，第二蒸镀装置62的第二挡板611位于第二蒸发源614正上方，第二挡板611完全遮挡第二蒸发源614。旋转角度θ为0°时，第二支撑轴613的轴线和第二支撑杆612的轴线重合，第二挡板611完全打开，并未对第二蒸发源形成遮挡。在控制装置的控制下，第二支撑杆612以第二支撑轴613顶点为中心旋转，旋转角度在0°～90°之间变化，使得第二蒸镀装置的第二挡板以预设关闭速度关闭时对第二蒸发源时形成的遮挡面积逐渐变化，使得不同蒸镀面积对应不同的掺杂浓度，从而实现第一掺杂材料的掺杂浓度的变化，并且使得第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
第一蒸镀装置的结构和工作原理同第二蒸镀装置一致，在此不再赘述。本领域技术人员根据实际应用选择第一蒸镀装置和第二蒸镀装置的结构，以在控制装置的控制下通过第一蒸镀装置和第二蒸镀装置形成第二掺杂材料掺杂浓度渐变的空穴注入层为设计准则，在此不再赘述。
在通过控制第二蒸镀挡板按照预设关闭速度关闭第二蒸镀源的同时，控制装置还通过控制第二蒸发源的温度，实现对第一掺杂材料的掺杂浓度的控制，并且使得第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
在一个具体示例中，图7示出了第一掺杂材料5212的温度与速率的变化曲线，由图7可知，第二蒸发源的蒸镀速率随着温度升高而增加，并且，随着第二蒸发源的蒸镀速率的增加，第一掺杂材料在第一主体材料中的掺杂浓度相应增加。因此，本发明实施例在蒸镀过程中通过逐渐降低第二蒸发源的蒸镀温度也能够实现第一掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小。
在蒸镀过程中，第二蒸发源的蒸镀温度以预设降温速度逐渐降温，在一个具体示例中，预设降温速度为0.5～5℃/s。随着蒸镀时间增加，空穴注入层521被蒸镀至预设膜层厚度，形成在第一主体材料5211中的第一掺杂材料5212的掺杂浓度在远离阳极51的方向上逐渐减小，从而形成掺杂浓度逐渐变化的空穴注入层。
在本实施例中，通过同时以预设关闭速度关闭第二挡板的方式、以及以预设降温速度降低第二蒸发源的蒸镀温度的方式控制第一掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，并使得第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％，从而精确控制第一掺杂材料掺杂浓度的变化量、变化速率以及掺杂比例。本发明对第二蒸镀装置的第二挡板的预设关闭速度和预设降温速度不作具体限定，本领域技术人员根据实际应用设定预设降温速度以及预设关闭速度，在此不再赘述。
进一步的，在该空穴注入层521上通过蒸镀工艺依次形成层叠的空穴传输层522、电子阻挡层523、有机发光层524、空穴阻挡层525、电子传输层526和电子注入层527以及阴极53，从而形成如图1所示的有机发光器件。
值得说明的是，在上述制备流程中，在一个具体示例中，第一蒸镀装置和第二蒸镀装置位于同一个蒸镀腔室中，控制装置可集成在蒸镀腔室外的计算机或其他控制装置上实现对第一蒸镀装置和第二蒸镀装置的控制。控制装置还能够单独设置在蒸镀腔室外以控制第一和第二蒸镀装置。本领域技术人员根据实际需求进行控制装置的设置，以实现有效控制第一蒸镀装置和第二蒸镀装置为设计准则。
在一个可选的实施例中，如图3所示，空穴传输层522的第二掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极51的方向上逐渐减小，所述制备系统还包括第三蒸镀装置和第四蒸镀装置，制备有机发光器件还包括：
分别控制所述第三蒸镀装置和第四蒸镀装置在所述空穴注入层521上形成空穴传输层522的第二主体材料5221和掺杂在所述第二主体材料5221中的第二掺杂材料5222，其中，所述第三蒸镀装置用于蒸镀所述空穴传输层522的第二主体材料5221，所述第四蒸镀装置用于蒸镀所述空穴传输层522的第二掺杂材料5222，使得所述空穴传输层522的第二掺杂材料5222的掺杂浓度在远离所述阳极51的方向上逐渐减小，并且，使得所述第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
在一个具体示例中，第三蒸镀装置的结构与第一蒸镀装置的结构和工作原理一致，第四蒸镀装置的结构与第二蒸镀装置的结构和工作原理一致。更具体的，第三蒸镀装置和第四蒸镀装置可为如图5a所示的在水平方向旋转，第三蒸镀装置和第四蒸镀装置还可为如图6所示的在竖直方向旋转，本领域技术人员根据实际应用需求进行设置，在此不再赘述。
在一个具体示例中，该方法进一步包括：
控制装置分别控制第三蒸镀装置和第四蒸镀装置从而打开第三挡板和第四挡板，并且控制装置控制所述第三蒸镀装置的第三蒸发源的速率达到并稳定在第三预设速率、控制所述第四蒸镀装置的第四蒸发源的速率达到并稳定在第四预设速率，所述第四预设速率为所述第三预设速率的10％。
在第一蒸发源和第二蒸发源的速率均达到对应的预设速率的基础上，控制装置分别控制所述第三蒸镀装置和第四蒸镀装置在有机发光器件的空穴注入层上形成空穴传输层的第三主体材料和掺杂在所述第三主体材料中的第四掺杂材料。
进一步的，控制装置通过控制所述第四蒸镀装置旋转角度变化的方式，实现控制所述第四挡板以预设关闭速度关闭所述第四蒸发源，同时，控制装置还能够通过以预设降温速度降低第二蒸发源的蒸镀温度的方式，实现第二掺杂材料的掺杂浓度在远离阳极方向上逐渐较小，以及实现所述第二掺杂材料在所述空穴传输层的掺杂比例小于等于6％，从而精确控制第二掺杂材料掺杂浓度的变化量、变化速率以及掺杂比例。
利用该方法形成的空穴传输层522，其第二掺杂材料5222在靠近阳极51的一侧掺杂浓度较大，进一步改善由于该位置掺杂浓度过大导致的串扰问题；随着距空穴注入层521距离越来越远，第二掺杂材料5222的掺杂浓度也成比例减小，并且，本实施例的第二掺杂材料在所述空穴传输层的掺杂比例小于等于6％，从而能够进一步降低有机发光器件的功耗，提高发光效率和发光稳定性，具有广泛应用前景。
值得说明的是，本申请对第一主体材料和第二主体材料不作具体限定，对第一掺杂材料和第二掺杂材料也不作具体限定，本领域技术人员应当根据实际应用需求选择适当的主体材料和掺杂材料，以满足掺杂材料在主体材料中的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小为设计准则，在此不再赘述。
在一个具体示例中，第二主体材料与第一主体材料相同，且第二掺杂材料与第一掺杂材料相同，本实施例的空穴传输层的制备可通过同一制备系统完成制备，即利用制作空穴注入层的第一蒸镀装置和第二蒸镀装置制作空穴注入层和空穴传输层，第一掺杂材料在空穴注入层和空穴传输层中的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，例如可以形成如图3所示的空穴注入层和空穴传输层，也可以形成以空穴注入层和空穴传输层为整体膜层时在远离所述阳极的方向上逐渐减小，从而简化了工艺制作流程。
在一个可选的实施例中，所述制备系统还包括第五蒸镀装置、第六蒸镀装置、第七蒸镀装置、第八蒸镀装置、第九蒸镀装置和第十蒸镀装置以制备图1和图3中所示的电子阻挡层523、有机发光层524、空穴阻挡层525、电子传输层526以及电子注入层527。在利用前述方法形成有机层的空穴注入层、空穴传输层的基础上，所述制作方法还包括：
控制装置控制第五蒸镀装置在所述空穴传输层522上形成电子阻挡层523。电子阻挡层用于传递空穴，阻挡电子以及发光层内产生的激子。在一个具体示例中，电子阻挡层的厚度为1～10nm。
控制装置控制第六蒸镀装置在所述电子阻挡层523上形成有机发光层524，发光层用于使传输的空穴和电子在发光层中复合，产生激子，利用激子将能量传递给发光客体实现发光。
控制装置控制第七蒸镀装置在所述有机发光层524上形成空穴阻挡层525，空穴阻挡层用于阻挡空穴以及电子扩散层内产生的激子，在一个具体示例中，空穴阻挡层厚度范围在2～10nm。
控制装置控制第八蒸镀装置在所述空穴阻挡层525上形成电子传输层526。在一个具体示例中，电子阻挡层的厚度为20～70nm，电子传输层的材料可通过利用噻吩类、咪唑类、以及吖嗪类衍生物中的一种或多种，并与喹啉锂共混的方式制备，其中，喹啉锂的比例为30％～70％。
控制装置控制第九蒸镀装置在所述电子传输层526上形成电子注入层527。在一个具体示例中，电子注入层的厚度为0.5nm～2nm，材料为LiF,LiQ,Yb,Ca等材料制备；
控制装置控制第十蒸镀装置在所述电子注入层527上形成阴极53，从而形成如图1或图3所示的有机发光器件。在一个具体示例中，若该有机发光器件为顶发射结构，阴极厚度可为10nm～20nm，材料为镁、银、铝中的一种或多种，其中，镁银材料配比为3：7～1：9。在另一个具体示例中，若该有机发光器件为底发射结构，电子注入层的厚度需大于80nm，以确保有机发光器件的反射率。
本实施例的有机发光器件，其具有在远离阳极方向上第一掺杂材料掺杂浓度逐渐降低的空穴注入层以及具有第二掺杂材料掺杂浓度逐渐降低的空穴注入层，能够改善电荷传输特性。降低有机发光器件的功耗，提高发光效率和发光稳定性，具有广泛应用前景。
在本实施例中，各个蒸镀装置能够设置在同一蒸镀腔室中，也能够设置在不同的腔室中，本领域技术人员能够根据实际应用进行每一蒸镀装置的设定。
与上述实施例提供的制备系统相对应，本申请的一个实施例还提供一种利用上述制备系统制备上述有机发光器件的制作方法，如图8所示，该方法包括：
分别打开第一蒸镀装置的第一挡板和第二蒸镀装置的第二挡板，控制所述第一蒸镀装置的第一蒸发源的速率达到并稳定在第一预设速率、控制所述第二蒸镀装置的第二蒸发源的速率达到并稳定在第二预设速率，所述第二预设速率为所述第一预设速率的10％；
分别控制所述第一蒸镀装置和第二蒸镀装置在有机发光器件的阳极上形成空穴注入层的第一主体材料和掺杂在所述第一主体材料中的第一掺杂材料；
控制所述第二蒸发源的温度以预设降温速度降温，控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源，以使得所述空穴注入层的第一掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，并且，使得所述第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
本实施例的制作方法制作流程简单，采用常用加工工艺，加工效率较高。利用该实施例的制作方法形成的有机发光器件，空穴传输层中的第一掺杂材料在靠近阳极的一侧掺杂浓度较大，加工过程中能够有效控制与阳极接触处的空穴注入层中第一掺杂材料的掺杂浓度，从而避免由于该位置掺杂浓度过大导致的串扰问题；随着加工过程中的空穴注入层的表面距阳极距离越来越远，第一掺杂材料的掺杂浓度也成比例减小，有效控制空穴注入层中第一掺杂材料的整体浓度，从而能够改善电荷传输特性，降低有机发光器件的功耗，提高发光效率和发光稳定性，具有广泛应用前景。
在一个可选的实施例中，所述第二蒸镀装置还包括位于所述第二蒸发源外部的且垂直于所述第二蒸发源设置的第二支撑轴、以及安装在所述第二支撑轴上的在第一方向上移动所述第二挡板的第一支撑杆，所述控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源进一步包括：控制所述第一支撑杆与所述支撑轴的夹角以控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源。
在另一可选的实施例中，所述第二蒸镀装置还包括位于所述第二蒸发源外部的且垂直于所述第二蒸发源设置的第二支撑轴、以及安装在所述第二支撑轴上的在第二方向上移动所述第二挡板的第二支撑杆，所述控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源进一步包括：控制所述第二支撑杆与所述支撑轴的夹角以控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源。
本领域技术人员根据实际应用选择第二蒸镀装置的结构，在此不再赘述。
所述制备系统还包括第三蒸镀装置和第四蒸镀装置，所述方法还包括：
在一个可选的实施例中，所述制备系统还包括第三蒸镀装置和第四蒸镀装置，所述方法还包括：分别控制所述第三蒸镀装置和第四蒸镀装置在所述空穴注入层上形成空穴传输层的第二主体材料和掺杂在所述第二主体材料中的第二掺杂材料，其中，所述第三蒸镀装置用于蒸镀所述空穴传输层的第二主体材料，所述第四蒸镀装置用于蒸镀所述空穴传输层的第二掺杂材料，使得所述空穴传输层的第二掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，并且，使得所述第二掺杂材料在所述空穴传输层的掺杂比例小于等于6％。
在一个可选的实施例中，所述制备系统还包括第五蒸镀装置、第六蒸镀装置、第七蒸镀装置、第八蒸镀装置、第九蒸镀装置和第十蒸镀装置，所述方法还包括：
控制第五蒸镀装置在所述空穴传输层上形成电子阻挡层；
控制第六蒸镀装置在所述电子阻挡层上形成有机发光层；
控制第七蒸镀装置在所述发光层上形成空穴阻挡层；
控制第八蒸镀装置在所述空穴阻挡层上形成电子传输层；
控制第九蒸镀装置在所述电子传输层上形成电子注入层；
控制第十蒸镀装置在所述电子注入层上形成阴极。
本实施例的加工方法工艺流程简单，制作效率高，利用该方法形成的有机发光器件能够改善电荷传输特性，降低有机发光器件的功耗，提高发光效率和发光稳定性，具有广泛应用前景。
值得说明的是，本发明实施例提出的有机发光器件，其不限于利用本发明上述实施例的制作方法而形成的具体结构，也可由本领域技术人员采用其他加工工艺形成上述有机发光器件的具体结构。
由于本申请实施例提供的有机发光器件制作方法与上述几种实施例提供的有机发光器件相对应，因此在前实施方式也适用于本实施例提供的有机发光器件，在本实施例中不再详细描述。
本发明的另一个实施例还提供一种显示装置，包括如上述实施例的有机发光器件。该显示装置可以是具有显示屏的各种电子设备，包括但不限于智能手机、平板电脑、膝上型便携计算机和台式计算机，在此不再赘述。
本发明的另一个实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现：分别打开第一蒸镀装置的第一挡板和第二蒸镀装置的第二挡板，控制所述第一蒸镀装置的第一蒸发源的速率达到并稳定在第一预设速率、控制所述第二蒸镀装置的第二蒸发源的速率达到并稳定在第二预设速率，所述第二预设速率为所述第一预设速率的10％；分别控制所述第一蒸镀装置和第二蒸镀装置在有机发光器件的阳极上形成空穴注入层的第一主体材料和掺杂在所述第一主体材料中的第一掺杂材料；控制所述第二蒸发源的温度以预设降温速度降温，控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源，以使得所述空穴注入层的第一掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，并且，使得所述第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
在实际应用中，所述计算机可读存储介质可以采用一个或多个计算机可读的介质的任意组合。计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质。计算机可读存储介质例如可以是但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本实施例中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。
计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。
计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于无线、电线、光缆、RF等等，或者上述的任意合适的组合。
可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本发明操作的计算机程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、Smalltalk、C++，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络——包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
如图9所示，本发明的另一个实施例提供的一种计算机设备的结构示意图。图9显示的计算机设备12仅仅是一个示例，不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。
如图9所示，计算机设备12以通用计算设备的形式表现。计算机设备12的组件可以包括但不限于：一个或者多个处理器或者处理单元16，系统存储器28，连接不同系统组件(包括系统存储器28和处理单元16)的总线18。
总线18表示几类总线结构中的一种或多种，包括存储器总线或者存储器控制装置，外围总线，图形加速端口，处理器或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。举例来说，这些体系结构包括但不限于工业标准体系结构(ISA)总线，微通道体系结构(MAC)总线，增强型ISA总线、视频电子标准协会(VESA)局域总线以及外围组件互连(PCI)总线。
计算机设备12典型地包括多种计算机系统可读介质。这些介质可以是任何能够被计算机设备12访问的可用介质，包括易失性和非易失性介质，可移动的和不可移动的介质。
系统存储器28可以包括易失性存储器形式的计算机系统可读介质，例如随机存取存储器(RAM)30和/或高速缓存存储器32。计算机设备12可以进一步包括其它可移动/不可移动的、易失性/非易失性计算机系统存储介质。仅作为举例，存储系统34可以用于读写不可移动的、非易失性磁介质(图9未显示，通常称为“硬盘驱动器”)。尽管图9中未示出，可以提供用于对可移动非易失性磁盘(例如“软盘”)读写的磁盘驱动器，以及对可移动非易失性光盘(例如CD-ROM，DVD-ROM或者其它光介质)读写的光盘驱动器。在这些情况下，每个驱动器可以通过一个或者多个数据介质接口与总线18相连。存储器28可以包括至少一个程序产品，该程序产品具有一组(例如至少一个)程序模块，这些程序模块被配置以执行本发明各实施例的功能。
具有一组(至少一个)程序模块42的程序/实用工具40，可以存储在例如存储器28中，这样的程序模块42包括但不限于操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。程序模块42通常执行本发明所描述的实施例中的功能和/或方法。
计算机设备12也可以与一个或多个外部设备14(例如键盘、指向设备、显示器24等)通信，还可与一个或者多个使得用户能与该计算机设备12交互的设备通信，和/或与使得该计算机设备12能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如网卡，调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(I/O)接口22进行。并且，计算机设备12还可以通过网络适配器20与一个或者多个网络(例如局域网(LAN)，广域网(WAN)和/或公共网络，例如因特网)通信。如图9所示，网络适配器20通过总线18与计算机设备12的其它模块通信。应当明白，尽管图9中未示出，可以结合计算机设备12使用其它硬件和/或软件模块，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、RAID系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。
处理器单元16通过运行存储在系统存储器28中的程序，从而执行各种功能应用以及数据处理，例如实现本发明实施例所提供的一种制备有机发光器件的制作方法。
需要说明的是，本发明实施例提供的有机发光器件制作方法的步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易程度变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。
Claims (13)
1.一种有机发光器件，其特征在于，包括层叠设置的阳极、有机层和阴极，其中：
所述有机层包括依次层叠设置在所述阳极上的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，其中，
所述空穴注入层包括第一主体材料和掺杂在其中的第一掺杂材料，所述第一掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，并且，所述第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述空穴传输层包括第二主体材料和掺杂在其中的第二掺杂材料，所述第二掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，并且，所述第二掺杂材料在所述空穴传输层的掺杂比例小于等于6％。
3.根据权利要求2所述的有机发光器件，其特征在于，所述第二主体材料与第一主体材料相同或不同，分别为六氮杂苯并六碳腈材料、酞菁铜材料和轴烯类材料中的至少一种。
4.根据权利要求2或3所述的有机发光器件，其特征在于，所述第二掺杂材料和第一掺杂材料相同或不同，均为P型材料中的至少一种。
5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一项所述的有机发光器件。
6.一种制作有机发光器件的方法，其特征在于，包括：
在有机发光器件的阳极上依次层叠形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，其中，所述空穴注入层包括第一主体材料和掺杂在其中的第一掺杂材料，所述第一掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，并且，所述第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
7.一种制备系统，其特征在于，包括第一蒸镀装置、第二蒸镀装置、以及控制所述第一蒸镀装置和第二蒸镀装置的控制装置，其中
所述第一蒸镀装置，用于蒸镀有机发光器件的空穴注入层的第一主体材料，包括第一蒸发源和设置在所述第一蒸发源和所述有机发光器件之间的第一挡板；
所述第二蒸镀装置，用于蒸镀所述有机发光器件的空穴注入层的第一掺杂材料，包括第二蒸发源和设置在所述第二蒸发源和所述有机发光器件之间的第二挡板；
所述控制装置，用于分别控制所述第一蒸发源和第一挡板、以及所述第二蒸发源和第二挡板在所述有机发光器件的阳极上形成所述空穴注入层的第一主体材料和掺杂在所述第一主体材料中的第一掺杂材料，以使得所述空穴注入层的第一掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，并且，所述第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
8.一种利用如权利要求7所述的制备系统制备有机发光器件的方法，其特征在于，包括：
分别打开第一蒸镀装置的第一挡板和第二蒸镀装置的第二挡板，控制所述第一蒸镀装置的第一蒸发源的速率达到并稳定在第一预设速率、控制所述第二蒸镀装置的第二蒸发源的速率达到并稳定在第二预设速率，所述第二预设速率为所述第一预设速率的10％；
分别控制所述第一蒸镀装置和第二蒸镀装置在有机发光器件的阳极上形成空穴注入层的第一主体材料和掺杂在所述第一主体材料中的第一掺杂材料；
控制所述第二蒸发源的温度以预设降温速度降温，控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源，以使得所述空穴注入层的第一掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，并且，使得所述第一掺杂材料在所述空穴注入层的掺杂比例小于等于6％。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，
所述第二蒸镀装置还包括位于所述第二蒸发源外部的且垂直于所述第二蒸发源设置的第二支撑轴、以及安装在所述第二支撑轴上的在第一方向上移动所述第二挡板的第一支撑杆，所述控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源进一步包括：控制所述第一支撑杆与所述支撑轴的夹角以控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源；
或者
所述第二蒸镀装置还包括位于所述第二蒸发源外部的且垂直于所述第二蒸发源设置的第二支撑轴、以及安装在所述第二支撑轴上的在第二方向上移动所述第二挡板的第二支撑杆，所述控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源进一步包括：控制所述第二支撑杆与所述支撑轴的夹角以控制所述第二挡板以预设关闭速度关闭所述第二蒸发源。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述制备系统还包括第三蒸镀装置和第四蒸镀装置，所述方法还包括：
分别控制所述第三蒸镀装置和第四蒸镀装置在所述空穴注入层上形成空穴传输层的第二主体材料和掺杂在所述第二主体材料中的第二掺杂材料，其中，所述第三蒸镀装置用于蒸镀所述空穴传输层的第二主体材料，所述第四蒸镀装置用于蒸镀所述空穴传输层的第二掺杂材料，使得所述空穴传输层的第二掺杂材料的掺杂浓度在远离所述阳极的方向上逐渐减小，并且，使得所述第二掺杂材料在所述空穴传输层的掺杂比例小于等于6％。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述制备系统还包括第五蒸镀装置、第六蒸镀装置、第七蒸镀装置、第八蒸镀装置、第九蒸镀装置和第十蒸镀装置，所述方法还包括：
控制第五蒸镀装置在所述空穴传输层上形成电子阻挡层；
控制第六蒸镀装置在所述电子阻挡层上形成有机发光层；
控制第七蒸镀装置在所述发光层上形成空穴阻挡层；
控制第八蒸镀装置在所述空穴阻挡层上形成电子传输层；
控制第九蒸镀装置在所述电子传输层上形成电子注入层；
控制第十蒸镀装置在所述电子注入层上形成阴极。
12.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如权利要求8-11中任一项所述的方法。
13.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求8-11中任一项所述的方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| US17/532,502 US20220271252A1 (en) | 2021-02-20 | 2021-11-22 | Organic light emitting device, display device, preparation method and storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110191033.9A CN113054124A (zh) | 2021-02-20 | 2021-02-20 | 一种有机发光器件、显示装置、制作方法以及存储介质 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113054124A true CN113054124A (zh) | 2021-06-29 |
Family
ID=76509347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (2)
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| US (1) | US20220271252A1 (zh) |
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- 2021-02-20 CN CN202110191033.9A patent/CN113054124A/zh active Pending
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